TWI571483B - 包含電活性膜之觸控感應裝置、包含該觸控感應裝置之顯示裝置與該電活性膜之製造方法 - Google Patents
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Description
本揭露係關於一種包含電活性膜之觸控感應裝置、包含此觸控感應裝置之顯示裝置以及電活性膜之製造方法。更特別地，本揭露係關於一種包含具有極佳介電常數與極佳透光度之電活性膜之觸控感應裝置、包含此觸控感應裝置之顯示裝置以及電活性膜之製造方法。
近年來，使用者已經需要一種觸控式顯示裝置，透過觸碰各種顯示裝置例如液晶顯示裝置與有機發光顯示裝置以方便地輸入資訊。因此，業界已經進行連續的研究以利用觸覺式裝置，從而為使用者提供直接且多樣的觸控回饋。因為傳統的觸覺式裝置被接合至顯示面板之背面，所以尤其難以為使用者之觸碰提供即時與精細的回饋。因此，業界已經主動進行研究，透過將觸覺式裝置定位於顯示面板的前方從而為使用者之觸碰提供靈敏的、多樣的與直接的回饋。此外，使用觸覺式裝置連同已被主動發展的撓性顯示裝置，業界已經進行與顯示裝置之直接與各種移動相關之近期研究。
傳統上，振動馬達例如偏心轉動質量（eccentric rotating mass；ERM）或者線性共振致動器（linear resonant actuator；LRA）被用於顯示裝置例如觸覺式裝置中。振動馬達被設計為整個顯示裝置振動。由於需要大質量的振動馬達從而增加振動強度，因此出現問題。由於控制振動度所需要的頻率調變較難，因此振動馬達還存在缺陷，所以響應時間相當長。因此，振動馬達不適合用於撓性顯示裝置中。
為了解決上述問題，形狀記憶合金（shape memory alloy；SMA）與電活性陶瓷（electroactive ceramics；EAC）已經被發展作為觸覺式裝置之材料。然而，因為形狀記憶合金（SMA）具有響應時間長、壽命短與不透明的特性，難以應用這些材料至顯示裝置尤其是撓性顯示裝置。此外，電活性陶瓷（EAC）易碎。
因此，近年來，使用電活性聚合物（electroactive polymer；EAP）的觸覺技術已經吸引了公眾的注意。電活性聚合物係為一種可透過電流刺激法（electrical stimulation）被變形的聚合物，以及指透過電流刺激法可被重複膨脹、收縮與彎曲的聚合物。各種電活性聚合物中主要使用鐵電性聚合物（ferroelectric polymer）與介電彈性體（elastomer）。鐵電性聚合物的例子包含聚二氟亞乙烯（PolyVinyliDene Fluoride；PVDF）與聚二氟亞乙烯－三氟乙烯聚合物（Poly(VinyliDene Fluoride)-TriFluoroEtylene；P(VDF-TrFE)）。介電彈性體的例子包含矽基聚合物、胺甲酸乙酯基（urethane-based）聚合物以及丙烯酸基（acrylic-based）聚合物。
雖然鐵電性聚合物在低電壓時具有極佳的介電常數與極佳的振動強度，但是因為鐵電性聚合物在透光率與光學特性方面相當差，所以難以在顯示裝置的前面使用鐵電性聚合物。另一方面，盡管介電彈性體表現出極佳的透光率與光學特性，但是因為與鐵電性聚合物相比，介電彈性體具有相對低的介電常數，由此需要高驅動電壓，所以難以在顯示裝置例如具有相對低電壓的行動顯示器中使用介電彈性體。
如上所述，已經理解到因為傳統的介電彈性體需要高驅動電壓，所以難以用於顯示裝置例如行動顯示器中，以及傳統的鐵電性聚合物由於透射率低，難以用於顯示裝置的前方。因此，本揭露發展了一種包含電活性膜之觸控感應裝置，其中電活性膜由具有極佳介電常數與極佳透光率的矽氧烷（siloxane）聚合物組成。
因此，本揭露實現的目的在於提供一種包含電活性膜的觸控感應裝置以及一種包含此觸控感應裝置之顯示裝置，其中電活性膜具有鐵電性聚合物與介電彈性體兩者的特性。
本揭露實現的另一目的在於提供一種觸控感應裝置以及一種包含此觸控感應裝置之顯示裝置，其中透過使用具有高介電常數的電活性膜，此觸控感應裝置需要低驅動電壓以及具有改善的振動強度。
本揭露實現的另一目的在於提供一種觸控感應裝置以及一種包含此觸控感應裝置之顯示裝置，透過使用具有極佳透光率的電活性膜，此觸控感應裝置能夠被放置於顯示面板的前方。
本揭露之目的並非限制於上述目的，以及本領域之技術人員從以下描述中將清楚地理解本文未提及的其他目的。
本揭露之實施例提供一種觸控感應裝置，從而獲得上述本發明之目的。這種觸控感應裝置包含矽氧烷聚合物組成的電活性膜，矽氧烷聚合物具有與其主鏈的一部分鍵結的氟基或氯基，以及電活性膜具有介電常數，透過依照100%或更多的伸長率伸長電活性膜，介電常數被提高15%或更多。
依照本揭露之另一實施例，電活性膜具有介電常數，透過依照300%或更多的伸長率伸長電活性膜，介電常數被提高30%或更多。
依照本揭露之又一實施例，透過以下的步驟(i)或者(ii)生產矽氧烷聚合物︰(i)聚矽氧烷具有被乙烯基取代的末端，矽基交聯劑具有與其主鏈的一部份鍵結之氟基或氯基，矽基交聯劑與聚矽氧烷交聯，或者(ii)聚二甲基矽氧烷（PDMS）具有被乙烯基取代的末端，矽基交聯劑具有位於主鏈之氫原子或羥基，矽基交聯劑與聚二甲基矽氧烷交聯，然後用氟基或氯基取代該氫原子或羥基。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜被單軸或雙軸伸長。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜具有β-相位結構。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜具有多層結構，其中鐵電性聚合物區域與介電彈性體區域逐層堆疊。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜具有在1 kHz測量的7.0或更多的介電常數。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜具有85%或更多的透光率。
本揭露另一實施例之一種顯示裝置被提供以獲得上述本發明之目的。這種顯示裝置包含顯示面板、觸控面板以及觸控感應裝置。觸控感應裝置包含由矽氧烷聚合物組成的電活性膜，矽氧烷聚合物具有與主鏈的一部分鍵結的氟基或氯基，以及電活性膜具有介電常數，依照100%或更多的伸長率伸長電活性膜，介電常數被提高15%或更多。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜被單軸或雙軸伸長。
本揭露又一實施例之電活性膜之製造方法被提供以獲得上述本發明之目的。電活性膜之製造方法包含用以下化學式2表示的矽基交聯劑交聯以下化學式1表示的聚矽氧烷，以生產矽氧烷聚合物的步驟；用氟基或氯基取代生產的矽氧烷聚合物之主鏈所鍵結的一些氫原子或者羥基，以形成取代矽氧烷聚合物；以及形成此取代矽氧烷聚合物到膜內。
其中化學式1中，R1與R2為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)或者氫原子，以及m為1或者更大的整數。
化學式2中，R3至R7為各自獨立的C1至C20烷基、C6至C20芳基、C3至C20環烷烴基或者氫原子，R8為氫原子或者羥基，n為0或者1或更大的整數，以及o為2或更大的整數。
本揭露又一實施例之電活性膜之製造方法被提供以獲得上述本發明之目的。這種電活性膜之製造方法包含：用氟基或氯基取代以下化學式2所表示的矽基交聯劑之主鏈鍵結的一些氫原子或羥基；用被取代的矽基交聯劑交聯以下化學式1所表示的聚矽氧烷，以生產矽氧烷聚合物；以及將生產的矽氧烷聚合物形成到膜內。
在化學式1中，R1與R2為各自獨立的C1至C20烷基、C6至C20芳基、C3至C20環烷烴基或者氫原子，以及m為1或更大的整數。
在化學式2中，R3至R7為各自獨立的C1至C20烷基，C6至C20芳基，C3至C20環烷烴基或者氫原子，R8為氫原子或者羥基，n為0或者1或更大的整數，以及o為2或更大的整數。
依照本揭露之另一實施例，化學式1所表示的聚矽氧烷與化學式2所表示的待交聯的矽基交聯劑的體積比為從9：1至5：5。
依照本揭露之又一實施例，電活性膜之製造方法更包含將形成的電活性膜單軸或雙軸伸長。
本揭露提供一種包含電活性膜的觸控感應裝置，電活性膜由具有鐵電性聚合物與介電彈性體兩者特性之矽氧烷聚合物組成。
本揭露還提供一種觸控感應裝置，需要低驅動電壓，以及使用高介電常數的電活性膜具有改善的振動強度。
本揭露還提供一種觸控感應裝置之製造製程，使用電活性膜能夠被放置於顯示面板的上部上，電活性膜具有極佳的透光率，傳遞直接的觸覺回饋至使用者。
本揭露之各種優點與特徵及其完成方法將結合附圖從以下描述中變得顯而易見。然而，本揭露並非限制於本文揭露之代表性實施例，但是將被實施為各種形式。舉例來說，僅僅提供代表性實施例，這樣本領域之通常知識者可充分地理解本揭露之揭露內容與本揭露之範圍。因此，只有所附之申請專利範圍的範圍將界定本揭露。
術語「成分（component）」包含一定的誤差。
除非使用片語「緊接地」或「直接地」，上下文中兩個零件之間使用的片語「位置關係」，例如片語「之上」、「位於上部」、「位於下部」以及「鄰接」指一或多個其他零件被放置於這兩個零件之間。
雖然使用「第一」、「第二」等等以描述各種部件，但是這些部件不受這些術語的限制。以上術語僅僅用於區分一個部件與其他部件。因此，在本揭露的技術精神的範圍內，以下提到的第一部件可能為第二部件。
說明書全文中相同的參考標號代表相同的元件。
圖式中，為了便於描述，圖中任意表示每一元件的尺寸與厚度，以及本揭露並非必須限制於圖式所示。
本揭露之各個實施例之部件可彼此部份地或完全地結合或組合，以及依照本領域之通常知識者可充分理解的方式可被互鎖或作業，以及可獨立地或者彼此關聯地實現這些實施例。
本文使用的「電活性膜」指當施加電壓時透過收縮與膨脹可傳遞振動感之一種膜。
本文使用的「觸控感應裝置」指一種可傳送觸覺回饋至使用者以回應使用者關於觸控感應裝置之觸碰之裝置。
以下，將結合附圖詳細描述本揭露之各個實施例。
本文使用的符號「*」代表相同或不同的重複單元（repeating unit）或者化學式彼此鍵結的部位。
第1圖為本揭露實施例之觸控感應裝置之結構之剖面示意圖。如第1圖所示，本揭露實施例之觸控感應裝置100包含電活性膜110、放置於電活性膜110下方的第一電極121，以及放置於電活性膜110上方的第二電極122。
電活性膜110被放置於第一電極121與第二電極122之間，以及用以透過電刺激而振動或者彎曲。電活性膜110由表現出電活性聚合物的矽氧烷（siloxane）聚合物組成，以及特別地由具有被鍵結至主鏈（backbone）的一部分的氟基或氯基的矽氧烷聚合物組成。
組成本揭露之電活性膜110之矽氧烷聚合物的結構中，高陰電性（electronegative）的氟基或氯基被鍵結至矽氧烷聚合物之主鏈。因此，電活性膜110中出現極化現象。結果，電活性膜110具有改善的介電常數。
本揭露之矽氧烷聚合物與用作傳統介電彈性體的聚矽氧烷（polysiloxane）組成的膜具有類似的結構，由此具有極佳的透光率與光學特性。然而，因為氟基或氯基被鍵結至組成主鏈的某些矽，本揭露之矽氧烷聚合物還具有鐵電性聚合物的特性。更特別地，當具有特定強度的外部電場被施加到電活性膜110時，選擇性地沿施加電場的方向排列矽氧烷聚合物之矽-氟偶極（Si-F dipole）或者矽-氯偶極（Si-Cl dipole），由此改善電活性膜110的極化強度。此外，即使移除外部電場，因為矽-氟偶極或者矽-氯偶極未返回其初始狀態，出現剩磁極化（remanent polarization）。換言之，本揭露之矽氧烷聚合物具有與鐵電性聚合物例如聚二氟亞乙烯（PVDF）相似的特性。因此，與傳統的介電彈性體相比，本揭露之矽氧烷聚合物具有更高的介電常數。
其間，透過將具有末端被乙烯基（vinyl group）取代的聚矽氧烷與具有矽基之交聯劑（crosslinker）交聯，生產本揭露之矽氧烷聚合物，其中具有與主鏈的一部分鍵結的氟基或氯基。在從矽基交聯劑的主鏈得到的重複單元中，出現與獲得的矽氧烷聚合物的主鏈鍵結的氟基或氯基。更特別地，透過以下的(i)或(ii)生產氟基或氯基被鍵結至主鏈的矽氧烷聚合物︰(i)聚矽氧烷具有被乙烯基取代的末端，矽基交聯劑具有主鏈處的氫原子或者羥基，利用矽基的交聯劑與聚矽氧烷交聯，然後用氟基或氯基代替氫原子（hydrogen atom）或者羥基（hydroxyl group），或者(ii)聚矽氧烷具有被乙烯基取代的末端，矽基交聯劑具有被鍵結至主鏈的一部分的氟基或氯基，利用矽基交聯劑與聚矽氧烷交聯。
末端被乙烯基取代的聚矽氧烷具有傳統介電彈性體的特性，由此將介電彈性體的特性給予本揭露之矽氧烷聚合物。此外，與主鏈的一部分鍵結的氟基或氯基具有高陰電性。因此，本揭露之矽氧烷聚合物之極化強度被改善，以及其介電常數被改善。
更特別地，聚矽氧烷由以下的化學式1表示且具有被乙烯基取代的末端，矽基交聯劑由以下的化學式2表示，利用此矽基交聯劑交聯聚矽氧烷，然後用氟基或氯基代替從化學式2所表示的矽基交聯劑得到的重複單元的主鏈中出現的Si-H的某些氫原子或者Si-OH的某些羥基，產生氟基或氯基被鍵結至主鏈的一部分的矽氧烷聚合物。
化學式1中，R1與R2為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)或者氫原子，以及m為1或者更大的整數。化學式1中，R1與R2為C1至C20烷基(alkyl group)較佳以及為甲基(methyl group)更佳，m為50至500的整數較佳，但是這些並非限制於此。
化學式2中，R3至R7為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)或者氫原子，R8為氫原子或者羥基，n為0或者1或更大的整數，以及o為2或者更大的整數。n為0且o為從10至100的整數較佳，但是並非限制於此。
烷基的特定例子包含甲基（methyl group）、乙基（ethyl group）、（propyl group）、丙基（butyl group）、二級丁基（sec-butyl group）、三級丁基（tert-butyl group）、戊基（pentyl group）、己基（hexyl group）、庚基（heptyl group）、辛基（octyl group）、壬基（nonyl group）、癸基（decyl group）、十一基（undecyl group）、十二基（dodecyl group）、十三基（tridecyl group）、十四基（tetradecyl group）、十五基（pentadecyl group）、十六基（hexadecyl group）、十七基（heptadecyl group）、（octadecyl group）、十八基（nonadecyl group）、二十基（eicosyl group）、二十一基（heneicosyl group）與二十二基（docosyl group）。此外，芳基的特定例子包含苯基（phenyl group）、甲苯基（tolyl group）、聯苯基（biphenyl group）、鄰、間、對聯三苯基（o-, m-, p-terphenyl groups）、萘基（naphthyl group）、蒽基（anthracenyl group）、菲基（phenanthrenyl group）、9-苯蒽基（9-phenylanthracenyl group）、9,10-二苯蒽基（9,10-diphenylanthracenyl group）與芘基（pyrenyl group）。此外，環烷烴基的特定例子包含環戊基（cyclopentyl group）、環己基（cyclohexyl group）、降冰片基（norbornyl group）、金剛烷基（adamantyl group）與4-甲基環己基（4-methylcyclohexyl group）。
此外，透過利用氟基或氯基取代化學式2所表示的矽基交聯劑之主鏈中存在的氫原子或者羥基，以生產主鏈中具有Si-F或Si-Cl的矽基交聯劑，然後，聚矽氧烷由化學式1表示且具有被乙烯基取代的末端，利用氟基或氯基被鍵結至主鏈的矽基交聯劑對聚矽氧烷交聯，生產本揭露之矽氧烷聚合物。
本揭露之矽氧烷聚合物為具有網狀結構的共聚物較佳。透過利用矽基交聯劑對末端被乙烯基取代的聚矽氧烷交聯，生產上述方法所生產的矽氧烷聚合物。此時，聚矽氧烷之末端部份出現的乙烯基與待沿垂直方向彼此交聯的矽基交聯劑之主鏈中出現的Si-H或Si-OH反應。因此，末端被乙烯基取代的聚矽氧烷以及矽基交聯劑為彼此二維聯結，從而具有連續的網狀結構，而非線性結構。聚矽氧烷並非受到特別限定，但是特定例子包含以下化學式3所表示的矽氧烷聚合物。
化學式3中，A表示，R9與R10為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)，或者氫原子，以及p為1或者更大的整數。A中的R9與R10為C1至C20烷基較佳以及為甲基(methyl group)更佳，p為50至500的整數較佳，但是這些並非限制於此。
化學式3中，a表示從矽基交聯劑得到的重複單元的例子，以及b與c表示從末端被乙烯基取代的聚矽氧烷得到的重複單元的例子。如化學式3所示，本揭露之矽氧烷聚合物具有網狀結構。
其間，由矽氧烷聚合物組成的電活性膜110為伸長膜，其中矽氧烷聚合物具有被鍵結到主鏈的一部分的氟基或氯基。電活性膜110並非受到特別限定，但是沿縱軸方向（MD direction）或寬度方向（TD direction）被單軸或雙軸伸長，以及依照從100%至500%之伸長率被伸長。矽氧烷聚合物具有被鍵結到主鏈的一部分的氟基或氯基，在伸長這種矽氧烷聚合物組成的電活性膜110的情況下，隨著矽氧烷聚合物的主鏈被伸長，氟基或氯基係沿相同方向排列。當氟基或氯基沿相同方向排列時，在相同方向還出現極化。因此，矽氧烷聚合物的極化強度進一步被改善以及電活性膜110的介電常數被顯著改善。
更特別地，本揭露之矽氧烷聚合物根據狀況具有各種晶狀結構。如第2圖所示，矽氧烷聚合物具有被鍵結到主鏈的一部分的氟基或氯基，圖中表示此矽氧烷聚合物在伸長前後之晶狀結構，未被伸長的電活性膜具有a-相位。a-相位指氟基或氯基根據主鏈處於反式（trans form）與間扭式（gauche form）的混合形式的狀態，由此聚合物的極化強度低。此外，氟基或氯基被排列為彼此正對的晶格。因此，a-相位的總的極化強度被取消，以及電活性膜之介電常數之改善受到限制。
然而，如第2圖所示，當電活性膜被伸長時，被鍵結到矽氧烷聚合物的主鏈的氟基或氯基間的立體阻礙（steric hindrance）極大地被消除，以及形成b-相位，其中氟基或氯基全部處於反式組態（trans configuration）。換言之，氟基或氯基沿相同方向排列為晶格，由此電活性膜的極化強度處於最高。因此，伸長的電活性膜的結構從a-相位改變為b-相位。結果，由矽氧烷聚合物組成的電活性膜的介電常數進一步被改善。
其間，透過施加高直流電壓連同伸長製程至聚合物，本揭露之電活性膜進行輪詢（polling）製程以沿一個方向排列具有特定電荷的原子。透過輪詢製程均勻地形成電活性膜的極化方向。
另外，當本揭露之電活性膜被伸長時，單獨形成表現出鐵電性聚合物的特性的區域以及表現出介電彈性體的特性的區域，以及這兩個區域逐層堆疊以形成結構。
更特別地，如第2圖所示，伸長前的電活性膜形成類似a-相位的結構，其中被鍵結氟基或氯基的主鏈為不規則曲線，以及氟基或氯基係沿隨機方向排列。然而，伸長後的電活性膜藉由吸引力被拉平。因此，被鍵結氟基或氯基的主鏈形成接近直線的線，以及氟基或氯基如上所述沿相同方向排列。結果，被鍵結氟基或氯基的主鏈具有與鐵電性聚合物例如傳統的含聚二氟亞乙烯的聚合物的類似結構，以及形成鐵電性聚合物區域。其間，彼此聯結矽氧烷聚合物之主鏈的聚合物具有與傳統介電彈性體類似的結構，以及形成介電彈性體區域。最終，透過伸長電活性膜形成多層結構，其中鐵電性聚合物區域與介電彈性體區域逐層堆疊。
如上所述，當電活性膜(110)具有b-相位結構或者形成鐵電性聚合物區域與介電彈性體區域逐層堆疊的多層結構時，電活性膜(110)同時具有介電彈性體與鐵電性聚合物的特性。因此，電活性膜(110)具有改善的透光率與限制改善的介電常數，透光率為傳統鐵電性聚合物的問題，介電常數為介電彈性體的問題。
如上所述，本揭露之電活性膜(110)的介電常數係透過伸長被改善。特別地，電活性膜(110)的介電常數被改善15%或更多或者20%或更多，以及在伸長率為100%或更多時透過伸長被改善30%或更多較佳。被鍵結到矽氧烷聚合物的主鏈的氟基或氯基的原子排列隨著延伸比的增加而更加均勻。因此，電活性膜(110)的極化強度被改善，電活性膜(110)的介電常數進一步被改善。特別地，在伸長率為300%或更多時，電活性膜(110)的介電常數透過伸長被改善30%或更多或者40%或更多以及50%或更多較佳。如上所述，本揭露之電活性膜(110)係由與用作傳統介電彈性體的聚二甲基矽氧烷（polydimethylsiloxane；PDMS）類似的矽氧烷聚合物形成，但是因為Si-F或Si-Cl被鍵結至矽氧烷聚合物之主鏈，透過伸長而展現出顯著改善的介電常數。
本揭露之電活性膜(110)展現了極佳的介電常數。在25°C的條件下1000赫茲（kHz）時測量的介電常數為5.0或更多，以及為7.0或更多較佳。聚二甲基矽氧烷（PDMS）係最為廣泛使用的介電彈性體，具有大約從2.5至3.0的介電常數。然而，本揭露之電活性膜(110)具有大約7.0或更多的介電常數，以及當電活性膜(110)被伸長時，介電常數增加到8.0或更多或者10.0或更多。當電活性膜(110)的介電常數滿足以上範圍時，可能改善觸控感應裝置的振動強度以及降低其驅動電壓。
此外，本揭露之電活性膜(110)之透光率為85%或更多較佳，以及為90%或更多更佳。通常，觸控感應裝置需要具有80%或更多的透光率，從而被放置於顯示面板的前方。尤其地，鐵電性聚合物比如聚二氟亞乙烯（PVDF）或者聚二氟亞乙烯－三氟乙烯聚合物（P(VDF-TrFE)）為電活性，通常具有75%或更低的透光率，由此幾乎無法被放置於顯示面板的前方。然而，本揭露之電活性膜(110)具有鐵電性聚合物與介電彈性體兩者的特性，由此用作觸控感應裝置，同時具有極佳的透光率與極佳的介電常數。
本揭露之電活性膜(110)的厚度為10至500微米較佳，以及甚至為20至200微米更佳。當電活性膜(110)的厚度滿足以上範圍時，觸控感應裝置(100)實現較強的振動強度。
第一電極(121)與第二電極(122)被接合到電活性膜(110)的兩個表面作為電源。特別地，在第1圖中，圖中所示被放置於電活性膜(110)的下表面上的電極為第一電極(121)，以及圖中所示被放置於電活性膜(110)的上表面上的電極為第二電極(122)。
第一電極(121)與第二電極(122)由導電材料形成。電極並非受到特別限定，但是舉例而言，可由金屬材料比如金(Au)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)或鋁銅合金(Al-Cu alloy)形成，或者可由導電聚合物例如聚二氧乙基塞吩〔Poly(3,4-EthyleneDiOxyThiophene)；PEDOT〕:聚苯乙烯磺酸〔Poly(4-StyreneSulfonic acid)；PSS〕、聚吡咯（polypyrrole）或者聚苯胺（polyaniline）組成。此外，透過混合彈性體（elastic body）與碳導電潤滑脂（carbon conductive grease）、碳黑（carbon black）或者奈米碳管（carbon nanotube；CNT）產生軟電極，第一電極(121)與第二電極(122)由此軟電極組成從而適合觸控感應裝置(100
)之平滑與重複驅動。第一電極(121)與第二電極(122)由相同或不同的材料組成。
其間，當本揭露之觸控感應裝置(100)被放置於顯示面板上時，第一電極(121)與第二電極(122)包含透明導電材料較佳，從而確保觸控感應裝置之透明度。透明導電材料並非受到特別限定，但是可選自氧化銦錫（ITO）、石墨烯（graphene）、金屬奈米線（nanowire）與透明導電氧化物（transparent conductive oxide；TCO）組成的集合。
第一電極(121)與第二電極(122)透過多種方法被放置於電活性膜(110)的兩個表面上。舉個例子，第一電極(121)與第二電極(122)透過比如濺射法（sputtering）、列印法或者狹縫塗佈法（slit coating）之方法被放置於電活性膜(110)的雙表面上。尤其當第一電極(121)與第二電極(122)由相同材料組成時，第一電極(121)與第二電極(122)同時放置。
當從外部施加電壓時，第一電極(121)與第二電極(122)形成電場。具有變化強度的電壓或者具有相反電特性的電壓分別被施加到第一電極(121)與第二電極(122)，從而在電活性膜(110)中形成電場。舉個例子，當正(+)電壓被施加到第一電極(121)時，負(-)電壓或者接地電壓被施加到第二電極(122)，以及當負(-)電壓或者接地電壓被施加到第一電極(121)時，正(+)電壓或者接地電壓被施加到第二電極(122)。隨著施加到第一電極(121)的電壓的電特性與施加到第二電極(122)的電壓的電特性被反向，電場的方向也發生改變。
施加到第一電極(121)與第二電極(122)的電壓可以為交流電壓或直流電壓。當交流電壓被施加到第一電極(121)與第二電極(122)時，電活性膜(110)週期性地被移位以具有振動效果。當直流電壓被施加到第一電極(121)與第二電極(122)時，維持電活性膜(110)的彎曲狀態。
矽氧烷聚合物具有被鍵結至主鏈的一部分的氟基或氯基，本揭露之觸控感應裝置(100)使用由此矽氧烷聚合物組成的電活性膜(110)以及展現出極佳的介電常數。對於本揭露之觸控感應裝置(100)，依照使用者的需求可使用未伸長的電活性膜或者使用伸長的電活性膜。
換言之，與用作電活性聚合物的傳統介電彈性體相比，未伸長的電活性膜與伸長的電活性膜均具有高得多的介電常數，由此可能改善觸控感應裝置(100)的振動強度且降低驅動電壓。
如上所述，當本揭露之電活性膜(110)被伸長時，同時部份地形成包含鐵電性聚合物區域與介電彈性體區域的混成聚合物（hybrid polymer），由此同時發揮鐵電性聚合物與介電彈性體的特性。更特別地，鐵電性聚合物區域包含高陰電性的氟基與氯基，當電場被施加到電活性膜(110)時，隨著鐵電性聚合物區域中偶極的排列方向變化，鐵電性聚合物區域傳遞電力至觸控感應裝置(100)。另一方面，介電彈性體區域係為形成大量聚矽氧烷鏈的區域。因此，當電壓被施加到電活性膜(110)時，介電彈性體區域透過庫侖引力（Coulombic force）收縮與膨脹，以傳送電力至觸控感應裝置(100)。
第3圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置(100)之顯示裝置(200)之結構之分解透視圖。如第3圖所示，本揭露實施例之顯示裝置(200)包含下蓋(210)、顯示面板(220)、觸控感應裝置(100)、觸控面板(230)與上蓋(240)。
下蓋(210)被放置於顯示面板(220)下方，從而覆蓋顯示面板(220)的下部、觸控感應裝置(100)與觸控面板(230)。下蓋(210)保護顯示裝置(200)之內部部件以避免外部衝擊以及異物或水分的滲透。下蓋(210)並非受到特別限定，但是舉個例子，可以由例如能夠熱成模且表現出良好加工性的塑膠的材料組成。此外，隨著撓性顯示裝置之積極發展，依照顯示裝置(200)之形狀變化，下蓋(210)由可變形的材料組成。舉個例子，下蓋(210)由撓性材料例如塑膠形成。
顯示面板(220)指被放置於顯示裝置(200)中的面板，其中顯示面板用於顯示影像。顯示面板(220)並非受到特別限定，可使用各種顯示面板例如有機發光顯示面板、液晶顯示面板與電泳顯示面板。顯示面板(220)為有機發光顯示裝置較佳。有機發光顯示裝置為隨著電流流經有機發光層有機發光層發射光線的顯示裝置。依照使用的有機發光層發射特定波長的光線。有機發光顯示裝置至少包含陰極、有機發光層與陽極。
有機發光顯示裝置被配置為撓性且能夠變形。換言之，有機發光顯示裝置係為展現出可撓性且包含撓性基板的有機發光顯示裝置。透過外部施加的力，撓性有機發光顯示裝置沿多個方向以及依照多個角度變形。
必要時，觸控感應裝置(100)被放置於顯示面板(220)之下部處，或者被放置於顯示面板(220)之上部上。第3圖中，觸控感應裝置(100)被放置於顯示面板(220)之上部上。特別地，觸控感應裝置(100)被放置以直接接觸顯示面板(220)之上表面，或者被放置以在顯示面板(220)之上表面與觸控感應裝置(100)之下表面之間插入黏合劑。黏合劑並非受到特別限定，但是可使用光學透明膠（optical clear adhesive；OCA）或光學透明樹脂（optical clear resin；OCR）。
第3圖所示之觸控感應裝置(100)包含第一電極(121)、第二電極(122)與電活性膜(110)。觸控感應裝置(100)之特定部件與第1圖描述的觸控感應裝置(100)相同，由此省略其相關的詳細描述。
觸控感應裝置(100)電連接顯示面板(220)。舉個例子，顯示面板(220)中放置的撓性印刷電路板（FPCB）與觸控感應裝置(100)之電極透過配線彼此電連接。
觸控面板(230)被放置於觸控感應裝置(100)上。觸控面板(230)指完成功能以察覺使用者關於顯示裝置(200)之觸控輸入以及提供觸控坐標的面板。
觸控面板(230)係依照放置位置被分類。舉個例子，可使用外接式（Add-On）觸控面板，其中觸控面板(230)被接合至顯示面板(220)之上表面。另一實施例中，可使用表嵌式（On-Cell）觸控面板，其中觸控面板(230)被堆積於顯示面板(220)上。又一實施例中，可使用內嵌式（In-Cell）觸控面板，其中觸控面板(230)係形成於顯示面板(220)中。此外，觸控面板(230)還根據作業系統被分類。舉個例子，可使用電容式觸控面板、電阻式觸控面板、超音波觸控面板與紅外線觸控面板，但是電容式觸控面板用作觸控面板(230)較佳。
此外，觸控面板(230)電連接觸控感應裝置(100)。特別地，觸控面板(230)電連接觸控感應裝置(100)之電極以及各種觸控訊號透過觸控面板(230)輸入。或者，電壓被傳遞到觸控感應裝置(100)。
上蓋(240)被放置於觸控面板(230)上，從而覆蓋觸控感應裝置(100)之上部、顯示面板(220)於觸控面板(230)。上蓋(240)可具有與下蓋(210)相同的功能。此外，上蓋(240)由與下蓋(210)相同的材料組成。
此外，顯示裝置(200)需要低驅動電壓，以及透過使用具有極佳透光度與極佳介電常數的電活性膜(110)而具有極佳的透光度，由此被放置於顯示面板的前方。這允許顯示裝置(200)將觸控之直接感測與回饋傳遞至使用者。
第4(a)圖至第4(f)圖表示本揭露各個實施例之顯示裝置被優先利用的實際例子。
第4(a)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之行動顯示裝置(300)之代表性外部視圖。行動顯示裝置的例子包含小型化裝置例如智慧型電話、行動電話、輸入板個人電腦與個人數位助理。當本揭露之觸控感應裝置被安裝到行動顯示裝置(300)時，可能將與包含觸控細微差異的觸控強度對應的振動直接傳送至使用者，以及還傳送更強的觸控感測。在觀看視訊與遊戲時，使用者可感覺到振動連同觸控。因此，使用行動顯示裝置(300)之按鈕輸入等可從行動顯示裝置(300)接收更多的聯覺（synesthetic）資訊。
第4(b)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之車輛導航(400)之代表性外部視圖。車輛導航（400）包含顯示裝置與複數個作業元件，以及透過安裝於車輛內部的處理器被控制。當本揭露之顯示裝置用在車輛導航（400）中時，可透過觸覺將道路的高度、道路的狀態、車輛的進度等提供給使用者。
第4(c)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之電視(500)之代表性外部視圖。當本揭露之顯示裝置用於電視（500）或者顯示裝置例如監視器時，使用者可感覺特定物品的紋理、說者的狀態等，因為使用者透過顯示裝置實際體驗，由此可享受更多的真實影像。
第4(d)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之戶外看板(600)之代表性外部視圖。當本揭露之顯示裝置用於戶外看板(600)中時，可能將與廣告商品有關的觸覺資訊直接傳送至使用者，由此可能最大化廣告效果。
第4(e)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之老虎機（slot machine）(700)之代表性外部視圖。老虎機(700)包含顯示裝置以及裝備各種處理器之外殼。當本揭露之顯示裝置用於老虎機(700)時，影像被直接作業，由此可能提供真實的操作桿（lever pull）、輪盤賭（roulette wheel）的旋轉、輪賭球（roulette ball）的移動等，以及可能提升遊戲的參與。
第4(f)圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之電子佈告欄(800)之代表性外部視圖。電子佈告欄(800)包含顯示裝置、揚聲器與保護這些部件避免受到外部撞擊之結構。當本揭露之顯示裝置用於電子佈告欄(800)時，當教育工作者用觸控筆（stylus pen）或手指將講演內容輸入到顯示裝置內時，可能為教育工作者提供在粉筆板上直接書寫講演內容的感覺。此外，當學員允許電子佈告欄(800)上顯示的影像的觸控輸入時，可為學員提供對於影像的適當觸覺回饋，由此可最大化訓練的效果。
第5A圖與第5B圖為本揭露各個實施例之由矽氧烷聚合物組成的電活性膜之製造方法之流程圖，其中矽氧烷聚合物具有被鍵結到主鏈的一部分的氟基或氯基。
本揭露之電活性膜之製造方法依照包含鹵素原子（halogen atom）之矽氧烷聚合物之生產方法而變化，由此依照以下描述的矽氧烷聚合物之製造方法解釋兩種方法。
特別地，第5A圖之程序之電活性膜之製造方法包含，透過將末端被乙烯基取代的聚矽氧烷與鏈中包含Si-H或Si-OH的矽基交聯劑交聯，然後用氟基或氯基代替從矽基交聯劑得到的重複單元中剩餘的Si-H或Si-OH，從而生產矽氧烷聚合物。
首先，透過利用以下化學式1表示的聚矽氧烷與以下化學式2表示的矽基交聯劑交聯，生產矽氧烷聚合物（S51a）。
化學式1中，R1與R2為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)或者氫原子，以及m為1或者更大的整數。化學式1中，R1與R2為C1至C20烷基(alkyl group)較佳以及為甲基(methy1 group)更佳，m為50至500的整數較佳，但是這些並非限制於此。
化學式2中，R3至R7為各自獨立的C1至C20烷基(alkyl group)、C6至C20芳基(aryl group)、C3至C20環烷烴基(cycloalkyl group)或者氫原子，R8為氫原子或者羥基，n為0或者1或更大的整數，以及o為2或更大的整數。n為0以及o為從10至100的整數較佳，但是這些並非限制於此。
化學式1表示的聚矽氧烷為末端被乙烯基取代的聚矽氧烷，以及化學式2表示的矽基交聯劑為主鏈中包含Si-H或Si-OH之鏈式矽基交聯劑。透過用乙烯基取代聚二甲基矽氧烷(PDMS)之末端，獲得化學式1。此外，末端被三甲基矽烷(trimethylsilane)取代之含氫聚甲基矽氧烷(polyhydrogenmethylsiloxane；PHMS)用作化學式2表示的交聯劑，但是並非限制於此。
在生產矽氧烷聚合物時（S51a），苯（benzene）、甲苯（toluene）、正庚烷（n-heptane）、醚（ether）、二甲苯（xylene）、三乙胺（triethylamine）、二異丙胺（diisopropylamine）等用作有機溶劑，以及在50°C至80°C進行1小時至48小時生產矽氧烷聚合物。
在出現含鉑催化劑時進行生產矽氧烷聚合物（S51a），以及含鉑催化劑並非被特別限定，但是包含例如Carstedt之催化劑Pt[(CH2
=CH-SiMe2
)2
O]1.5
、蔡斯鹽二聚體（Zeise’s salt dimmer）之Pt[(C2
H4
)Cl2
]2
之等。這種催化劑係關於1莫耳反應物依照從0.01 莫耳百分比（mol%）至1 mol%的含量被使用。
化學式1表示的聚矽氧烷對化學式2表示的交聯劑的體積比為從9 : 1至5 : 5較佳，以及從8 : 2至6 : 4更佳。當化學式2表示的矽基交聯劑的體積小於上述範圍時，未進行足夠的交聯，以及生產的矽氧烷聚合物的硬度極度增加。因此，依照這種方式生產的矽氧烷聚合物不適合用作觸控感應裝置。
生產矽氧烷聚合物時（S51a），化學式1表示的聚矽氧烷的末端出現的乙烯基的雙鍵斷裂，以及乙烯基的碳原子與化學式2表示的矽基交聯劑的主鏈中出現的Si-H的某些氫原子或者Si-OH的某些羥基鍵結。換言之，乙烯基的碳原子未與化學式2表示的矽基交聯劑中的R5
至R7
取代基反應，但是與R8
的氫原子或者羥基反應以形成交聯。
作為這種交聯反應的產品的矽氧烷聚合物形成上述的網狀結構。
接下來，生產矽氧烷聚合物（S51a）的製程中，與生產的矽氧烷聚合物的主鏈鍵結的某些氫原子或羥基被氟基或氯基取代(S52a)。
用氟基或氯基取代時(S52a)，生產矽氧烷聚合物(S51a)的制程中生產的矽氧烷聚合物的主鏈中出現的Si-H的某些氫原子或Si-OH的羥基被氟基或氯基取代。更特別地，用氟基或氯基取代(S52a)指用氟基或氯基取代從化學式2所表示的矽基交聯劑得到的重複單元中出現的Si-H的某些氫原子或Si-OH的羥基。換言之，生產矽氧烷聚合物(S51a)的制程中，與化學式1所表示的聚矽氧烷的末端中出現的乙烯基反應以後，化學式2之R8
中任意剩餘的氫原子或羥基被氟基或氯基取代。
在氟化氫（hydrogen fluoride；HF）或氯化氫（hydrogen chloride；HCl）的水溶液中，透過與生產矽氧烷聚合物(S51a)時生產的矽氧烷聚合物反應，或者，透過將Cl2
氣體與F2
氣體注入矽氧烷聚合物並與其反應，Si-H或Si-OH被Si-F或Si-Cl取代，但是並非限制於此。
接下來，被取代的矽氧烷聚合物形成於電活性膜(S53a)內。
使用塗佈法例如旋轉塗佈法、浸塗法（dip coating）、溶劑澆鑄法（solvent casting）、狹縫塗佈法或者棒式塗佈法（bar coating）或者共擠型法（co-extrusion method），被取代的矽氧烷聚合物形成於例如玻璃、氧化銦錫與塑膠之各種基板上的膜內，但是並非限制於此。
接下來，本揭露更包含將製造的電活性膜伸長(S54a)。
沿特定方向將S53a中製造的電活性膜伸展實現伸長電活性膜(S54a)，伸長電活性膜(S54a)將α-相位轉換為β-相位。伸長法主要被分為濕伸長法與乾伸長法。乾伸長法被分為輥間伸長法（interroll elongation method）、加熱輥伸長法（heating roll elongation method）、壓縮伸長法（compressive elongation method）與拉幅伸長法（tenter elongation method）。濕伸長法被分為拉幅伸長法與輥間伸長法。本揭露中，濕伸長法與乾伸長法兩者均可被使用，必要時可將兩者組合使用。
必要時，電活性膜沿縱向方向（MD direction）或者寬度方向（TD direction）單軸被伸長或者雙軸被伸長，以及順序或同時被伸長。
在伸長電活性膜(S54a)時，電活性膜依照從100%至500%的伸長率被伸長較佳。因為當伸長率小於100%時電活性膜未被完全轉換為β-相位，以及當伸長率超出500%時，膜可能被折斷或者無法充分確保足夠的厚度，所以100%至500%的伸長率具有優勢。
在伸長製程以後，電活性膜接受熱處理（退火），從而穩定其光學特性與機械特性。熱處理條件並非受到特別限定，可包含本領域已知的任意條件。
接下來，第5B圖之程序之電活性膜之製造方法包含首先用氟基或氯基取代主鏈中具有Si-H或Si-OH的矽基交聯劑，然後將末端被乙烯基取代的聚矽氧烷與被取代的矽基交聯劑交聯，以產生矽氧烷聚合物。
如第5B圖之程序所示，首先，與化學式2所表示的矽基交聯劑的主鏈鍵結的某些氫原子或羥基被氟基或氯基取代(S51b)。
在化學式1表示的聚矽氧烷被化學式2表示的矽基交聯劑交聯以前，因為與化學式2表示的矽基交聯劑的主鏈鍵結的某些氫原子或羥基被氟基或氯基取代，故第5B圖之程序不同於第5A圖之程序。換言之，化學式2中R8
的被氟基或氯基取代。
在氟化氫（HF）、氯化氫（HCl）的水溶液中，透過與化學式2所表示的矽基交聯劑反應，或者透過將氯氫（Cl2
）氣體與氟氣（F2
）氣體注入矽基交聯劑，Si-H或Si-OH被Si-F或Si-Cl取代，但是並非限制於此。
接下來，透過將被取代的交聯劑與化學式1所表示的聚矽氧烷交聯，產生矽氧烷聚合物(S52b)。
被氟基或氯基取代的矽基交聯劑與化學式1所表示的聚矽氧烷交聯之方法實質上與第5A圖之程序所示的S52a相同，因此，省略其描述。
接下來，矽氧烷聚合物被形成到電活性膜內(S53b)。此外，更包含將製造的電活性膜伸長(S54b)。
形成電活性膜以及將製造的電活性膜伸長實質上分別與第5A圖描述之S53a與S54a相同。因此省略其描述。
以下，透過例子更加詳細地解釋生產矽氧烷聚合物與包含矽氧烷聚合物之電活性膜。
例子
生產例子
: 生產氟基被鍵結到主鏈的矽氧烷聚合物
100毫升的甲苯溶劑中，作為矽基交聯劑的10克含氫聚甲基矽氧烷（PHMS，重量平均分子量︰3000）被分散。然後，在60°C至80°C時，1重量莫耳（molal）濃度的30毫升氟化氫被加入其中，以及此混合物被處理3小時以產生氟（F）被鍵結至主鏈的氫聚甲基矽氧烷（polyhydrogenmethylsiloxane）。此後，依照7 : 3的體積比，末端被乙烯基取代的聚二甲基矽氧烷（PDMS，重量平均分子量︰大約40,000）與生產的氟被鍵結到主鏈的一部份的氫聚甲基矽氧烷混合，以生產矽氧烷聚合物。
例子
1
生產例子中生產的矽氧烷聚合物透過棒式法被塗佈到玻璃基板上，然後在60°C被處理2小時，以製造由矽氧烷聚合物組成的電活性膜。矽氧烷聚合物未被伸長。
例子
2
除了依照9 : 1的體積比混合末端被乙烯取代的聚二甲基矽氧烷（PDMS，重量平均分子量︰約40,000）與生產的氟被鍵結到一部份主鏈的一部份的氫聚甲基矽氧烷，以生產矽氧烷聚合物以外，採用與例子1相同的方式製造未伸長的電活性膜。
比較例子
1
透過在基板上塗佈聚二甲基矽氧烷作為介電彈性體然後被乾燥，獲得未伸長的電活性膜，代替例子1之電活性膜。
比較例子
2
從以下化學式4表示的含聚二甲基矽氧烷的聚合物（商品名稱︰Dow 730，道康寧公司）製造未伸長的電活性膜，代替生產例子與使用棒式塗佈法生產的矽氧烷聚合物。
[化學式4]
比較例子
3
準備由鐵電性聚合物的聚二氟亞乙烯－三氟乙烯聚合物〔P(VDF-TrFE)〕組成的電活性膜，以代替例子1的電活性膜。
實驗例子 1
: 依照伸長率測量介電常數以及測量介電常數的變化
透過使用電感電容電阻測試儀（4284A）在1 kHz的頻率與25°C時測量電容以及使用方程(1)計算，判定例子1與2以及比較例子1與2的電活性膜的介電常數。
[方程 1]
e = C ´ t / eo
´ A
(e:介電常數，C: 電容，eo
: 真空中的介電常數，t:電活性膜的厚度，以及A:電極的接觸截面積)
其間，使用輥間伸長法，例子1與2以及比較例子1與2的電活性膜矽沿縱向方向（MD direction）分別依照100%、300%與400%的伸長率被單軸伸長。然後，測量各個被伸長的電活性膜的介電常數以及介電常數的變化率。測量結果如以下表格1所示。
[表格 1]
如表格1所示，與傳統上用作介電彈性體的聚二甲基矽氧烷（PDMS）相比，例子1與2的電活性膜具有高得多的介電常數。此外，已確認，由本揭露之矽氧烷聚合物組成的電活性膜，與伸長前的介電常數相比，在依照100%或更多的伸長率被伸長後其介電常數被改善30%，以及與伸長前的介電常數相比，在依照300%或更多的伸長率被伸長以後被改善40%。此外，已確認可能獲得傳統聚矽氧烷所不具備的高介電常數。
另一方面，如比較例子1所示，聚二甲基矽氧烷組成的電活性膜的介電常數未透過伸長被改善。
此外，比較例子2的電活性膜的介電常數高於比較例子1的介電常數。然而，當與例子1及比較例子1相比時，比較例子2的電活性膜的介電常數低於例子1的介電常數。此外，已確認在比較例子2的電活性膜中，如同例子1中伸長以改善介電常數的功效不足。比較例子2的電活性膜與例子1的電活性膜之間的聚合物結構的差別導致這個差異。如化學式4所示，由於電活性膜由具有氟基的基於聚二甲基矽氧烷的聚合物組成，比較例子2的電活性膜與例子1的電活性膜相似。然而，由於氟基被鍵結到比較例子2中的側鏈，而氟基被直接鍵結到例子1中的主鏈，所以比較例子2的電活性膜不同於例子1的電活性膜。因此，與例子1的電活性膜的不同，難以期望沿比較例子2的電活性膜的伸長方向相同的方向排列氟基之功效。因此，比較例子2的電活性膜的極化強度與介電常數未像例子1一樣被改善。
實驗例子 2:
測量透光率
使用霾度計（JCH-300S，海洋光學股份有限公司（Ocean Optics, Inc.））測量例子1與2以及例子1與3之電活性膜的透光率。測量結果如以下表格2所示。
[表格 2]
如表格2所示，例子1與2的電活性膜在透光率方面優於鐵電性聚合物。此外，與傳統的介電彈性體相比，其介電常數明顯被改善。因此，本揭露之電活性膜具有明顯改善的介電常數同時具有與介電彈性體一樣好的透光率，因此被放置於顯示面板上。因此，包含本揭露之電活性膜的觸控感應裝置可為使用者提供直接的與各種觸覺回饋。
實驗例子 3 ︰
觸控感應裝置之性能評價
測量振動加速度從而評價包含本揭露之電活性膜的觸控感應裝置的性能。第6A圖至第6C圖為例子1與比較例子1之振動加速度的實驗資料。特別地，第6A圖為當2k峰峰值電壓（Voltage peak to peak；Vpp）的電壓被施加到包含例子1製造的未伸長的電活性膜的觸控感應裝置時所測量的振動加速度的圖形。透過沿縱向方向（MD direction）依照300%的伸長率使用輥間伸長法伸長例子1製造的電活性膜獲得一種電活性膜，第6B圖為當2 kVpp的電壓被施加到包含這種電活性膜的觸控感應裝置時測量的振動加速度的圖形。此外，第6C圖為當2 kVpp的電壓被施加到比較例子1的觸控感應裝置時測量的振動加速度的圖形。
如第6C圖所示，當施加2 kVpp的電壓到比較例子1的觸控感應裝置時，致動時產生0.11重力加速度（G）的振動加速度。如第6A圖所示，當施加2kVpp的電壓到包含例子1製造的未伸長的電活性膜的觸控感應裝置時，致動時產生0.16 G的振動加速度，因此，確認與比較例子1相比，例子1的振動加速度已增加。此外，如第6B圖所示，當施加2kVpp的電壓到包含伸長的電活性膜的觸控感應裝置時，產生0.24 G的振動加速度，由此確認明顯地增加了振動加速度。
本揭露已經結合代表性實施例被更詳細地描述，但是本揭露並非限制於代表性的實施例。本領域之技術人員在不脫離本揭露之技術精神的情況下顯然可做出各種修正。因此，本揭露中揭露的代表性實施例並非用以限制而是描述本揭露之技術精神，以及本揭露之技術精神並非限制於代表性實施例。因此，上述代表性實施例在各個方面被視為說明性而非限制性的。本揭露之保護範圍必須由所附之申請專利範圍解釋以及應該被解釋為與其等同的範圍內的全部技術精神均被包含於本揭露所附之申請專利範圍中。
100‧‧‧觸控感應裝置
110‧‧‧電活性膜
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
200‧‧‧顯示裝置
210‧‧‧下蓋
220‧‧‧顯示面板
230‧‧‧觸控面板
240‧‧‧上蓋
300‧‧‧行動顯示裝置
400‧‧‧車輛導航
500‧‧‧電視
600‧‧‧戶外看板
700‧‧‧老虎機
800‧‧‧電子佈告欄
110‧‧‧電活性膜
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
200‧‧‧顯示裝置
210‧‧‧下蓋
220‧‧‧顯示面板
230‧‧‧觸控面板
240‧‧‧上蓋
300‧‧‧行動顯示裝置
400‧‧‧車輛導航
500‧‧‧電視
600‧‧‧戶外看板
700‧‧‧老虎機
800‧‧‧電子佈告欄
第1圖為本揭露實施例之一種觸控感應裝置之結構之剖面示意圖。 第2圖為本揭露中使用的伸長製程前後的矽氧烷聚合物之晶體結構之示意圖。 第3圖為包含本揭露實施例之觸控感應裝置之顯示裝置之結構之分解透視圖。 第4(a)圖至第4(f)圖表示優先利用本揭露各個實施例的顯示裝置的實際例子之示意圖。 第5A圖與第5B圖為本揭露各個實施例之電活性膜之製造方法之流程圖。 第6A圖至第6C圖為當2 kVpp的電壓被施加到包含例子1之電活性膜與比較例子1之觸控感應裝置時測量的振動加速度的圖形。
100‧‧‧觸控感應裝置
110‧‧‧電活性膜
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
Claims (16)
- 一種觸控感應裝置，包含：一電活性膜，包含一矽氧烷聚合物，該矽氧烷聚合物具有與其主鏈的一部分鍵結的一氟基或一氯基，其中該電活性膜具有一介電常數，透過依照100%或更多的伸長率伸長該電活性膜，該介電常數被提高15%或更多。
- 如請求項1所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜具有一介電常數，透過依照300%或更多的伸長率伸長該電活性膜，該介電常數被提高30%或更多。
- 如請求項1所述之觸控感應裝置，其中透過以下的步驟(i)或者(ii)生產該矽氧烷聚合物：(i)一聚矽氧烷具有被一乙烯基取代的末端，一矽基交聯劑具有與其主鏈的一部分鍵結之一氟基或一氯基，利用該矽基交聯劑將該聚矽氧烷交聯，或者(ii)一聚二甲基矽氧烷(PDMS)具有被一乙烯基取代的末端，一矽基交聯劑具有位於其主鏈之一氫原子或一羥基，利用該矽基交聯劑與該聚二甲基矽氧烷交聯，然後用一氟基或一氯基取代該氫原子或該羥基。
- 如請求項1所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜被單軸或雙軸伸長。
- 如請求項4所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜具有一β-相位結構。
- 如請求項4所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜具有一多層結構，其中一鐵電性聚合物區域與一介電彈性體區域逐層堆疊。
- 如請求項4所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜具有在1kHz測量的7.0或更多的一介電常數。
- 如請求項1所述之觸控感應裝置，其中該電活性膜具有85%或更多的一透光率。
- 一種顯示裝置，包含： 一顯示面板；一觸控面板；以及一觸控感應裝置，其中該觸控感應裝置包含由一矽氧烷聚合物組成的一電活性膜，該矽氧烷聚合物具有與其主鏈的一部分鍵結的一氟基或一氯基，其中該電活性膜具有一介電常數，依照100%或更多的伸長率伸長該電活性膜，該介電常數被提高15%或更多。
- 如請求項9所述之顯示裝置，其中該電活性膜被單軸或雙軸伸長。
- 一種電活性膜之製造方法，包含：用以下化學式2表示的一矽基交聯劑交聯以下化學式1表示的一聚矽氧烷，以生產一矽氧烷聚合物；用一氟基或一氯基取代生產的該矽氧烷聚合物之該主鏈所鍵結的一些氫原子或者羥基，以形成一取代矽氧烷聚合物；以及形成該取代矽氧烷聚合物到一膜內：
- 如請求項11所述之電活性膜之製造方法，其中化學式1所表示的該聚矽氧烷與化學式2所表示的待交聯的該矽基交聯劑的體積比為從9：1至5：5。
- 如請求項11所述之電活性膜之製造方法，更包含將形成的該電活性膜單軸或雙軸伸長。
- 一種電活性膜之製造方法，包含：用一氟基或一氯基取代該以下化學式2所表示的一矽基交聯劑之主鏈鍵結的一些氫原子或羥基；用被取代的該矽基交聯劑交聯以下化學式1所表示的一聚矽氧烷，以生產一矽氧烷聚合物；以及將生產的該矽氧烷聚合物形成到一膜內：
- 如請求項14所述之電活性膜之製造方法，其中化學式1所表示的該聚矽氧烷與化學式2所表示的待交聯的該矽基交聯劑的體積比為從9：1至5：5。
- 如請求項14所述之電活性膜之製造方法，更包含將形成的該電活性膜單軸或雙軸伸長。
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