TWI567360B - Manufacture of artificial graphite heat sink - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種人造石墨散熱片之製造方法，特別係指一種PI膜於同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化之製造方法。
按，一般習知之石墨散熱片之製造方法，其係先將一PI(Polyimide)膜(聚醯亞胺膜)送入一碳化爐中，以1100℃~1300℃之加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化後形成一PI碳化片；接著，再將該PI碳化片冷卻，冷卻至室溫後，再將該PI碳化片送入一石墨化爐中，以2800℃~3000℃之加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，令該PI碳化片石墨化後形成一PI石墨散熱片；之後，再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫後，以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延後，形成厚度15~30μm之石墨散熱片成品。
然而，該習知之石墨散熱片之製造方法雖可製造出熱傳導係數K=1300~1500w/mk之人造石墨散熱片，但是其製造過程中，需要碳化爐及石墨化爐二種爐體，且碳化後需半天
(約6小時)的時間，方可完全冷卻，才能再進行石墨化，石墨化後亦需半天(約6小時)的時間，方可完全冷卻，才能再進行壓延厚度之程序，如此一來，不但增加製作成本，製作程序複雜，而且相當耗費時間，而且石墨化爐為高週波誘導式，利用銅通電誘導發熱對該PI碳化片進行加熱石墨化，高週波誘導式加熱方式容易只加熱至物體的表面，使加熱不均勻，導致成品良率低，產品品質不穩定，相當不便利。
由此可見，上述習用物品仍有諸多缺失，實非一良善之設計者，而亟待加以改良。
有鑑於此，本案發明人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評估後，終得一確具實用性之本發明。
本發明之主要目的，在於提供一種人造石墨散熱片之製造方法，係一PI膜於同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化，使大幅降低製作成本，製作程序簡單，而且製造出之石墨散熱片成品，成品良率高，產品品質穩定。
為達上述目的，本發明之人造石墨散熱片之製造方法，其係先將一PI(Polyimide)膜(聚醯亞胺膜)送入一熱阻式石墨化爐中，以1100℃~1300℃之加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化後形成一PI碳化片；接著，再
以2800℃~3000℃之加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，令該PI碳化片石墨化後形成一PI石墨散熱片；之後，再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫後，以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延後，形成厚度15~30μm之石墨散熱片成品；如此，於同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化，可簡化製作程序，使大幅降低製作成本，而且利用熱阻式石墨化爐對該PI膜進行加熱，可加熱均勻，使製造出之石墨散熱片成品，成品良率高，產品品質穩定。
為便 貴審查委員能對本發明之目的、形狀、構造裝置特徵及其功效，做更進一步之認識與瞭解，茲舉實施例配合圖式，詳細說明如下：
1‧‧‧步驟
2‧‧‧步驟
3‧‧‧步驟
4‧‧‧步驟
5‧‧‧步驟
第1圖為本發明人造石墨散熱片之製造方法之製造流程圖。
本發明乃有關一種「人造石墨散熱片之製造方法」，請參閱第1圖所示，本發明之人造石墨散熱片之製造方法，其係依下列步驟進行處理：
步驟1、先將一PI(Polyimide)膜(聚醯亞胺膜)送入一熱阻式石墨化爐中，以1100℃~1300℃之加熱溫度，對該
PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化後形成一PI碳化片。
步驟2、再以2800℃~3000℃之加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，令該PI碳化片石墨化後形成一PI石墨散熱片。
步驟3、再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫。
步驟4、再以一壓延裝置壓延其厚度。
步驟5、令該PI石墨散熱片經壓延後，形成厚度15~30μm之石墨散熱片成品。
如此一來，於同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化，可簡化製作程序，使大幅降低製作成本，而且利用熱阻式石墨化爐對該PI膜進行加熱，可加熱均勻，使製造出之石墨散熱片成品，成品良率高，產品品質穩定。
請再參閱第1圖所示，該熱阻式石墨化爐之加熱方式，係將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱，因此，可加熱均勻，使製造出之石墨散熱片成品，成品良率高，產品品質穩定。
綜上所述，本發明所揭示之構造，為昔所無，且確能達到功效之增進，並具可供產業利用性，完全符合發明專利要件，祈請 貴審查委員核賜專利，以勵創新，無任德感。
由以上詳細說明，可使熟知本項技藝者明瞭本發明的確可達成前述目的，實以符合專利法之規定，爰提出專利申請。惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能
以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧步驟
2‧‧‧步驟
3‧‧‧步驟
4‧‧‧步驟
5‧‧‧步驟
Claims (2)
- 一種人造石墨散熱片之製造方法，係包括下列之步驟：(1)、先將一PI(Polyimide)膜送入一熱阻式石墨化爐中，以1100℃~1300℃之加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化後形成一PI碳化片；(2)、再以2800℃~3000℃之加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，令該PI碳化片石墨化後形成一PI石墨散熱片；(3)、再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫，(4)、再以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延後，形成厚度15~30μm之石墨散熱片成品。
- 如申請專利範圍第1項之人造石墨散熱片之製造方法，其中該熱阻式石墨化爐之加熱方式，係將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱。
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| TW103131496A TWI567360B (zh) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | Manufacture of artificial graphite heat sink |
Applications Claiming Priority (1)
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| TW103131496A TWI567360B (zh) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | Manufacture of artificial graphite heat sink |
Publications (2)
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| TW201610387A TW201610387A (zh) | 2016-03-16 |
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- 2014-09-12 TW TW103131496A patent/TWI567360B/zh not_active IP Right Cessation
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