TWI554655B - 電極防汙裝置與鍍膜系統 - Google Patents

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TWI554655B
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Description

電極防汙裝置與鍍膜系統
本發明是有關於一種電極防汙裝置與鍍膜系統，且特別是有關於一種用於大氣電漿的電極防汙裝置與鍍膜系統。
電漿中含有高能之電子、離子、自由基與紫外光(UV)等高活性種(High Active Species)，真空電漿技術被廣泛應用於高附加價值之半導體製程，包括蝕刻(Etching)與鍍膜(Deposition)。但由於真空電漿所需昂貴之真空腔與真空抽氣設備，相較於真空電漿技術，大氣電漿可大幅降低設置的成本。
於電漿鍍膜製程，大氣電漿可於一大氣壓下作動，故無需昂貴的真空腔體與真空抽氣設備。此外，大氣電漿具有不受腔體尺寸限制、易於擴充且極易運用於連續製程處理等優勢，因而增加大氣電漿適用範圍，舉例而言，大氣電漿除可作為包括清潔、活化、蝕刻等基材之表面處理之外，另一方面也可應用於基材之沉積鍍膜。
線型大氣電漿裝置在兩電極間加高電壓產生電漿(plasma)後，將基材置於兩電極間，利用電漿氣流將沉積薄膜於基材上。然而目前 配置方式來說，電極易於受鍍膜沉積汙染，對於長時間鍍膜應用或量產上有其困難。
本發明提供一種電極防汙裝置，其利用犧性層來隔離住電極而能避免電極遭受汙染。
本發明提供一種鍍膜系統，其電極防汙裝置能有效避免電極受到鍍膜沉積之汙染，以維持電極的潔淨度，大幅降低製程維護清潔時間，進而於長時間鍍膜製程中提升鍍膜品質。
本發明的一實施例提出一種電極防汙裝置。電極防汙裝置統包括一第一電極結構、一第二電極結構、一犧牲層以及一捲軸帶動裝置。第二電極結構與第一電極結構相對配置且第一電極結構與第二電極結構之間相隔一間距。犧牲層位於第一電極結構與第二電極結構之間，犧牲層可移動地緊貼於第一電極結構之外表面，犧牲層用以隔離部分第一電極結構，捲軸帶動裝置帶動犧牲層，以將犧牲層捲繞於捲軸帶動裝置上。
本發明的一實施例提出一種鍍膜系統。鍍膜系統包括一第一電極結構、一第二電極結構、一犧牲層、一基板以及一捲軸帶動裝置。第二電極結構與第一電極結構相對配置且第一電極結構與第二電極結構之間相隔一間距。基板位於第一電極結構與第二電極結構之間，且基板設於第二電極結構上。犧牲層位於第一電極結構與第二電極結構之間，犧牲層可移動地緊貼於第一電極結構之外表面，犧牲層用以隔離部分第一電極結構，捲軸帶動裝置帶動犧牲層，以將犧牲層捲繞於捲軸帶動裝置上。
本發明的一實施例提出一種鍍膜系統。鍍膜系統包括一第一電極結構、一第二電極結構、一犧牲層、一基材以及一捲軸帶動裝置。第二電極結構與第一電極結構相對配置且第一電極結構與第二電極結構之間相隔一間距。基材位於第一電極結構與第二電極結構之間，且基材設於第二電極結構上。犧牲層位於第一電極結構與第二電極結構之間，犧牲層可移動地緊貼於第一電極結構之外表面，犧牲層用以隔離部分第一電極結構，捲軸帶動裝置帶動犧牲層，以將犧牲層捲繞於捲軸帶動裝置上。
基於上述，在本發明的電極防汙裝置與鍍膜系統中，將犧牲層緊貼在一電極結構之外表面，當電漿產生於犧牲層以及對應電極結構之間的電漿激發產生區時，由於第一電極結構被犧牲層所隔離，使得鍍膜後的沉積物不直接與電極結構接觸，藉此避免電極結構受到汙染。此外，本發明得以藉由捲軸帶動裝置來移離犧牲層，以替換新的犧牲層，大幅降低製程維護清潔時間，進而於長時間鍍膜製程中提升鍍膜品質。
10、12、14、16、18‧‧‧鍍膜系統
20、22、24‧‧‧第一電極結構
30、32‧‧‧第二電極結構
40‧‧‧基板
42‧‧‧基材
50‧‧‧驅動裝置
60‧‧‧固定元件
100‧‧‧電極防汙裝置
100a‧‧‧支撐架
110‧‧‧捲軸帶動裝置
112‧‧‧第一滾動元件
112a‧‧‧滾輪
114‧‧‧第二滾動元件
114a‧‧‧滾輪
116‧‧‧傳動元件
118‧‧‧凹槽
119‧‧‧滑槽
120‧‧‧犧牲層
120a‧‧‧第一端
120b‧‧‧第二端
130‧‧‧前驅物氣體導入裝置
131‧‧‧凸塊
132‧‧‧氣體擴散件
132a‧‧‧第一通氣部
132b‧‧‧擴散部
132c‧‧‧第一節流孔
134‧‧‧氣體整流件
134a‧‧‧整流部
134b‧‧‧第二通氣部
134c‧‧‧第二節流孔
136‧‧‧氣體噴出件
136a‧‧‧噴出部
136b‧‧‧第三通氣部
136c‧‧‧第三節流孔
138‧‧‧止擋部
139‧‧‧入口部
140‧‧‧升降機構
142‧‧‧頂座
142a‧‧‧螺桿
142b‧‧‧轉動件
144‧‧‧連接座
144a‧‧‧本體
144b‧‧‧螺孔
144c‧‧‧導桿
144d‧‧‧凹部
144e‧‧‧冷卻水管接頭
C1、C2、C3‧‧‧凸塊
d1、d2‧‧‧距離
第1圖為本發明之鍍膜系統一實施例的示意圖。
第2圖為本發明之鍍膜系統另一實施例的示意圖。
第3圖為本發明之鍍膜系統再一實施例的示意圖。
第4圖為本發明之鍍膜系統又一實施例的示意圖。
第5圖為本發明之鍍膜系統更一實施例的示意圖。
第6圖為本發明的電極防汙裝置的一具體實施例的立體圖。
第7圖為第6圖的電極防汙裝置的爆炸圖。
第8圖為第7圖的前驅物氣體導入裝置的爆炸圖。
以下謹結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。
第1圖為本發明之鍍膜系統一實施例的示意圖。請參閱第1圖。在本實施例中，鍍膜系統10包括一第一電極結構20、一第二電極結構30、一基板40、二個捲軸帶動裝置110以及一犧牲層120，其中鍍膜系統10例如是以電漿鍍膜製程基板40，而鍍膜系統10中的電極防汙裝置100包含第一電極結構20、第二電極結構30、捲軸帶動裝置110以及犧牲層120，基板40位於第一電極結構20與第二電極結構30之間，且基板40設於第二電極結構30上。
第一電極結構20例如是金屬電極，然本實施例不以此為限，於其他實施例中，第一電極結構例如為包含一介電材質，此介電材質例如是石英或者陶瓷，換言之，第一電極結構亦能採用石英或者陶瓷之介電材質所隔離之電極，其端視實際製程而可選定。
第二電極結構30與第一電極結構20相對配置且第一電極結構20與第二電極結構30之間相隔一間距。第一電極結構20與第二電極結構30彼此為對應電極，換言之，第一電極結構20例如可接於接地端而作為負極，而第二電極結構30則作為與第一電極結構20相對應的正極。於另一實 施例中，第一電極結構20例如可接於高壓端而作為正極，而第二電極結構30則作為與第一電極結構20相對應的負極。
基板40位於第一電極結構20與第二電極結構30之間，基板40的厚度例如為0.1mm至2mm，且基板40設於第二電極結構30上。基材40例如是硬質材料或者軟性材料(如以可撓性軟性材質)所製成，其端視實際製程而可選擇，在此不對此加以限制。
犧牲層120位於第一電極結構20與第二電極結構30之間。捲軸帶動裝置110包含一第一滾動元件112與一第二滾動元件114，第一滾動元件112與第二滾動元件114分別位於第一電極結構20之兩側，犧牲層120自第一滾動元件112連接到第二滾動元件114。於本實施例中，第一電極結構20為一圓柱電極，第一滾動元件112帶動犧牲層120，以將犧牲層120捲繞於另一第二滾動元件114上，且犧牲層120可移動地緊貼於第一電極結構20之外表面，在此配置之下，犧牲層120可用以隔離第一電極結構20。
犧牲層120例如為一介電膜，且犧牲層120的介電常數為2至10之間，而犧牲層120的厚度例如介於30至300μm。於進一步實施例中，犧牲層120的材質包含一耐熱材料而具有耐高溫的特性，犧牲層的材質包含聚亞醯胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚酸甲酯(壓克力塑膠，Polymethylmethacrylate，PMMA)或玻璃。犧牲層120的玻璃轉化溫度(glass transition temperature,Tg)例如為大於80℃。
在此配置之下，電漿(如第1圖所繪製虛線部分)產生於犧牲層120以及對應電極(第一電極結構20與第二電極結構30)之間的電漿激發產生區中。由於第一電極結構20被犧牲層120所隔離，使得鍍膜後的沉積物不 直接與第一電極結構20接觸，藉此避免第一電極結構20受到汙染。
再者，被附著上沉積物後的犧牲層120部分可以藉由捲軸帶動裝置110帶動而被移離至另一捲軸帶動裝置110上，以替換新的犧牲層120。進一步地，本實施例能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率，來調控捲軸帶動裝置110之轉動速率，進而來調整犧牲層120的移動速度，如此能確保長時間鍍膜時維持第一電極結構20的潔淨度，且不影響成膜狀況而能提升鍍膜品質。
此外，犧牲層120緊貼於第一電極結構20之外表面且第一電極結構20與犧牲層120之間無間隙，使得反應氣體之氣流得以順沿著犧牲層120而流到電漿激發產生區(如第1圖所繪製虛線部分的區域)，換言之，此犧牲層不僅得以作為防止反應氣體與第一電極結構20直接接觸，還能阻隔反應氣體流入至其他區域造成沉積。
第2圖為本發明之鍍膜系統另一實施例的示意圖。請參閱第2圖。需說明的是，第2圖的鍍膜系統12與第1圖的鍍膜系統10相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。
第2圖與第1圖的不同之處在於，鍍膜系統12的電極防汙裝置100包括一前驅物氣體導入裝置130。
前驅物氣體導入裝置130鄰近於第一電極結構20與犧牲層120，換言之，鍍膜系統12設置一組位於電漿激發產生區內之前驅物氣體導入裝置130，以提供均勻之氣流。
在本實施例中，犧牲層120接觸於第一電極結構20之部分突 出於前驅物氣體導入裝置130，換言之，犧牲層120與被犧牲層120隔離的第一電極結構20的一端會與前驅物氣體導入裝置130相隔一距離d1，此距離例如是2mm。前驅物氣體導入裝置130與第二電極結構30之間相隔一距離d2，此距離d2例如為小於6mm，使得前驅物氣體導入裝置130與第二電極結構30之間的距離d2小於6mm以形成正壓，並減少外部氣流進入電漿激發產生區內。
進一步地，前驅物氣體導入裝置130的數量為兩個，分別設置於電漿激發產生區的左右兩側，故前驅物氣體導入裝置130亦可水平地調整與電漿激發產生區之間的距離，此舉不僅能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率來調控進氣距離以外，還能避免鍍膜沉積物堆積而堵塞至反應氣體之氣流的流動。
上述第1圖與第2圖的實施例中，第一電極結構20均為圓柱電極，而第二電極結構30均為一平台，亦即為一方形電極或一平板型電極，使得對應電極的形狀型態均為圓形對方形(或者平面狀)。然，本實施例並不限定電極結構的形狀，以下藉由第3圖至第5圖來舉例說明。
第3圖為本發明之鍍膜系統再一實施例的示意圖。請參閱第3圖。需說明的是，第3圖的鍍膜系統14與第2圖的鍍膜系統12相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。
第3圖與第2圖的不同之處在於，第二電極結構32為一圓柱電極，也就是說，本實施例的對應電極的形狀型態為圓形對圓形，而基材42是以可撓性軟性材質所製成，圓柱形狀的第二電極結構32被基材42隔離， 該基材42與第2圖與第1圖的基板40不同之處在於基材42為連續長條狀，基板40為板狀。換言之，本發明的基板端視實際製程而可選擇是硬質材料或者以可撓性軟性材質所製成。
鍍膜系統14中更包括二個驅動裝置50。驅動裝置50連接第二電極結構32，驅動裝置50驅動第二電極結構32移動，一驅動裝置50可帶動基材42移動，並將基材42捲繞於另一驅動裝置50上。
第4圖為本發明之鍍膜系統又一實施例的示意圖。請參閱第4圖。需說明的是，第4圖的鍍膜系統16與第3圖的鍍膜系統14相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。
第4圖與第3圖的不同之處在於，第一電極結構22為一橢圓形電極，也就是說，本實施例的對應電極(第一電極結構與第二電極結構)的形狀型態為橢圓形對圓形。於一未繪示的實施例中，對應電極的形狀型態例如為橢圓形對方形，或者橢圓形對橢圓形。需說明的是，雖第一電極結構22呈橢圓形，但犧牲層120仍緊貼於此第一電極結構22之外表面，使得第一電極結構22與犧牲層120之間是無間隙，藉以避免反應氣體流入而沉積。
第5圖為本發明之鍍膜系統更一實施例的示意圖。請參閱第5圖。需說明的是，第5圖的鍍膜系統18與第4圖的鍍膜系統16相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。
第5圖與第4圖的不同之處在於，第一電極結構24為一方形電極或一平板型電極，也就是說，本實施例的對應電極的形狀型態為方形對 圓形。於一未繪示的實施例中，對應電極的形狀型態例如為方形對方形，或者方形對橢圓形。
鍍膜系統18中更包括兩固定元件60。第一電極結構24與兩固定件60分別地被犧牲層120所緊貼，其中，固定元件60呈圓柱狀且分別地位於第一電極結構24的兩側。如此配置之下，第一電極結構24的兩側分別經由兩固定件60壓制犧牲層120，使得犧牲層120不致於被方形之第一電極結構24的兩側所破壞，並亦能使犧牲層120緊貼於此第一電極結構24之外表面。
第6圖為本發明的電極防汙裝置的一具體實施例的立體圖。第7圖為第6圖的電極防汙裝置的爆炸圖。第8圖為第7圖的前驅物氣體導入裝置的爆炸圖。請參閱第6圖至第8圖，並請同時參閱第2圖。需說明的是，需說明的是，第6圖至第8圖的電極防汙裝置100是參照第2圖鍍膜系統12所實際做出的一具體實施例，因此第6圖至第8圖的電極防汙裝置100與第2圖的電極防汙裝置100相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。
在本實施例中，電極防汙裝置100更包括一升降機構140與一支撐架100a。第一電極結構20、捲軸帶動裝置110、犧牲層120、前驅物氣體導入裝置130與升降機構140分別設於支撐架100a。
升降機構140連接於支撐架100a，第一電極結構20連接於升降機構140，升降機構140用以調整如第2圖中第一電極結構20與第二電極結構30之間的間距，其中第一電極結構20與第二電極結構30之對應電極的間距例如為0.5mm至4mm之間。
升降機構140包含一頂座142與一連接座144，其中頂座142連接於連接座144。
頂座142包含一螺桿142a與一轉動件142b，其中轉動件142b連接螺桿142a。
連接座144包含一本體144a、一螺孔144b、兩導桿144c以及兩冷卻水管接頭144e。
螺孔144b與兩導桿144c分別位於本體144a上，其中兩導桿144c分別位於螺孔144b之兩側。
詳細而言，本體144a下方凹陷而成一凹部144d，此凹部144d用以供設置第一電極結構20。冷卻水管接頭144e位於本體144a之兩端，冷卻水管接頭144e提供連接於第一電極結構20上，且冷卻水管接頭144e用以冷卻第一電極結構20。
螺桿142a與連接座144的螺孔144b結合，以使頂座142結合至連接座144，且第一電極結構20設於連接座144的下方之凹部144d。接著，連接座144置入支撐架100a的一凹槽118上，以將升降機構140組裝至支撐架100a。如此一來，藉由轉動轉動件142b便能使連接座144移動，以調整第一電極結構20的位置。
捲軸帶動裝置110包含一第一滾動元件112、一第二滾動元件114與一傳動元件116。
第一滾動元件112與第二滾動元件114分別地設於支撐架100a相對兩端，傳動元件116連接於第一滾動元件112與第二滾動元件114，使得第一滾動元件112與第二滾動元件114具有相同的滾動速率。
第一滾動元件112包括一滾輪112a，第二滾動元件114包括一滾輪114a，第一滾動元件112與第二滾動元件114被傳動元件116傳動而旋轉。
犧牲層120具有相對的一第一端120a與一第二端120b，犧牲層120的第一端120a套設於第一滾動元件112的滾輪112a上，犧牲層120的第二端120b套設於第二滾動元件114的滾輪114a上。
前驅物氣體導入裝置130例如是以滑動的方式裝設於支撐架100a，以第7圖而言，支撐架100a下方兩側各設有一容置空間，以供容置前驅物氣體導入裝置130，且支撐架100a的壁面設有滑槽119，而前驅物氣體導入裝置130之左右兩側設有對應滑槽119的凸塊131，使得前驅物氣體導入裝置130的凸塊131能滑入至支撐架100a的滑槽119並裝入至支撐架100a內。此外，前驅物氣體導入裝置130可藉由一螺桿單元來調整水平地調整於支撐架100a內的位置。
前驅物氣體導入裝置130包含一氣體擴散件132、一氣體整流件134、一氣體噴出件136與一入口部139，其中氣體整流件134位於氣體擴散件132與氣體噴出件136之間，且氣體擴散件132連通於氣體整流件134與氣體噴出件136，氣體噴出件136面對第一電極結構20。
此外，如第8圖所示，氣體整流件134插設至上述氣體擴散件132上，接著，氣體噴出件136插設至氣體整流件134上，以構成前驅物氣體導入裝置130，上述氣體擴散件132、氣體整流件134與氣體噴出件136的兩端分別突出有一凸塊C1、C2、C3，此凸塊C1、C2、C3即構成前述前驅物氣體導入裝置130的凸塊131。
入口部139連通於氣體擴散件132，此入口部139提供氣流的 入口處。
氣體擴散件132包含一第一通氣部132a、一擴散部132b以及複數個第一節流孔132c。
第一通氣部132a為一中空體，擴散部132b設於第一通氣部132a，複數個第一節流孔132c設於擴散部132b，第一通氣部132a連通於擴散部132b與複數個第一節流孔132c。
氣體整流件134包含一整流部134a、一第二通氣部134b以及複數個第二節流孔134c。
第二通氣部134b為一中空體且連通於複數個第一節流孔132c，整流部134a設於第二通氣部134b，複數個第二節流孔134c設於整流部134a，第二通氣部134b連通於整流部134a與複數個第二節流孔134c。
氣體噴出件136包含一噴出部136a、一第三通氣部136b與複數個第三節流孔136c。第三通氣部136a為一中空體且連通複數個第二節流孔134c與複數個第三節流孔136c，此外，氣體噴出件136前端設有一呈斜面狀的止擋部138，而噴出部136a亦成一斜面狀，且噴出部136a內縮於止擋部138，也就是止擋部138突出於噴出部136a。
在此配置之下，本實施例轉動件142b連接螺桿142a，螺桿142a與連接座144的螺孔144b結合，第一電極結構20設於連接座144的下方，藉由轉動轉動件142b來調整第一電極結構20與第二電極結構30之間的間距，接著，藉由第一滾動元件112來調整犧牲層120的張力，以確保犧牲層120是緊貼於第一電極結構20之外表面。
捲軸帶動裝置110驅動犧牲層120時，犧牲層120自第一滾動 元件112移動至第二滾動元件114並緊貼於第一電極結構20之外表面，第二滾動元件114用以收納自第一滾動元件112所傳送過來須更換的犧牲層120。
此外，本實施例除了能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率，來調控第一滾動元件112與第二滾動元件114之轉動速率之外，本實施例進一步對犧牲層120做適當的張力調整，使反應氣體之氣流得以順沿著犧牲層120而流到電漿激發產生區(如第2圖所繪製虛線部分的區域)，以防止反應氣體流入至其他區域。
再者，反應氣體之氣流流經前驅物氣體導入裝置130時，先是經由入口部139進入氣體擴散件132，氣流於第一通氣部132a內部空間流動，經由第一節流孔132c分配氣流流出至氣體整流件134。接著，氣流再於第二通氣部134b內部空間內流動而達到再一次整流，並經由整流部134a的第二節流孔134c分配氣流流至氣體噴出件136。再來，氣流於第三通氣部136b內部空間內流動而使氣流均勻，並經由噴出部136a的三節流孔136c噴出至電漿激發產生區，並且，由於止擋部138會遮擋並限制反應氣體之氣流的流動方向，故能確保經由前驅物氣體導入裝置130整流均勻後的氣流能位於電漿激發產生區。
另外，前驅物氣體導入裝置130更可藉由螺桿單元來水平地調整與電漿激發產生區之間的距離，如此一來，藉由前驅物氣體導入裝置130不僅能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率來調控進氣距離以外，藉由調整前驅物氣體導入裝置130的位置來避免沉積物堵塞而影響反應氣體之氣流的流動。
綜上所述，在本發明的電極防汙裝置與鍍膜系統中，將犧牲 層緊貼在一電極結構之外表面，當電漿產生於犧性層以及對應電極結構之間的電漿激發產生區時，由於第一電極結構被犧性層所隔離，使得鍍膜後的沉積物不直接與電極結構接觸，而是附著於犧性層上，藉此避免電極結構受到汙染。
再者，本發明得以藉由捲軸帶動裝置來移離犧牲層，以替換新的犧牲層，因此無需花費時間、人力及成本去清理犧牲層而能降低製程維護清潔時間。進一步地，本發明能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率，來調控捲軸帶動裝置驅動犧牲層的移動速度，此舉不僅能確保長時間鍍膜時維持電極結構的潔淨度，且不影響成膜狀況而長時間鍍膜製程中能提升鍍膜品質。
此外，本發明的犧牲層與電極結構之外表面之間是無間隙的，使得反應氣體之氣流得以順沿著犧牲層而流到電漿激發產生區，換言之，此犧牲層不僅得以作為防止反應氣體與第一電極結構直接接觸，還能阻隔反應氣體流入至其他區域造成沉積。
另外，本發明於電漿激發產生區內設置前驅物氣體導入裝置，氣流經由此前驅物氣體導入裝置後可以達到整流、分配節流，再次整流，以提供均勻之氣流至電漿激發產生區，並且，前驅物氣體導入裝置的止擋部具有遮擋並限制氣體的流動方向，故能確保經由前驅物氣體導入裝置整流均勻後的氣體能流入電漿激發產生區。
進一步地，前述前驅物氣體導入裝置能夠水平地調整與電漿激發產生區之間的距離，此舉不僅能依據鍍膜沉積狀況與不同反應物質的沉積速率來調控進氣距離以外，還能避免鍍膜沉積物堆積而堵塞至反應氣 體之氣流的流動。
以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段的較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施的範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。
100‧‧‧電極防汙裝置
100a‧‧‧支撐架
110‧‧‧捲軸帶動裝置
112‧‧‧第一滾動元件
112a‧‧‧滾輪
114‧‧‧第二滾動元件
114a‧‧‧滾輪
116‧‧‧傳動元件
118‧‧‧凹槽
119‧‧‧滑槽
120‧‧‧犧牲層
120a‧‧‧第一端
120b‧‧‧第二端
130‧‧‧前驅物氣體導入裝置
131‧‧‧凸塊
132‧‧‧氣體擴散件
134‧‧‧氣體整流件
136‧‧‧氣體噴出件
136c‧‧‧第三節流孔
138‧‧‧止擋部
139‧‧‧入口部
140‧‧‧升降機構
142‧‧‧頂座
142a‧‧‧螺桿
142b‧‧‧轉動件
144‧‧‧連接座
144a‧‧‧本體
144b‧‧‧螺孔
144c‧‧‧導桿
144d‧‧‧凹部
144e‧‧‧冷卻水管接頭
20‧‧‧第一電極結構20

Claims (30)

  1. 一種電極防汙裝置，包括：一第一電極結構；一第二電極結構，與該第一電極結構相對配置且該第一電極結構與該第二電極結構之間相隔一間距；一升降機構，該第一電極結構連接於該升降機構，該升降機構用以調整該第一電極結構與該第二電極結構之間的該間距；一犧牲層，位於該第一電極結構與該第二電極結構之間，該犧牲層可移動地緊貼於該第一電極結構之外表面，該犧牲層用以隔離該第一電極結構；以及一捲軸帶動裝置，帶動該犧牲層，以將該犧牲層捲繞於該捲軸帶動裝置上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電極防汙裝置，其中該第一電極結構與該犧牲層之間無間隙。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電極防汙裝置，其中該犧牲層為一介電膜，其介電常數為2至10之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電極防汙裝置，其中該犧牲層的材質包含聚亞醯胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、壓克力塑膠(PMMA)或玻璃。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電極防汙裝置，其中該捲軸帶動裝置包含一第一滾動元件與一第二滾動元件，該犧牲層具有相對的一第一端與一第二端，該犧牲層的該第一端套設於該第一滾動元件，該犧牲層的該第二端套設於該第二滾動元件，該捲軸帶動裝置驅動該犧牲層時，該犧牲層自該第一滾動元件移動至該第二滾動元件並緊貼於該第一電極結構之外表面，該第二滾動元件用以收納自該第一滾動元件所傳送過來的該犧牲層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電極防汙裝置，其中該第一電極結構及第二電極結構為一圓柱電極、一橢圓形電極、一方形電極或一平板型電極。
  7. 一種鍍膜系統，包括：一第一電極結構；一第二電極結構，與該第一電極結構相對配置且該第一電極結構與該第二電極結構之間相隔一間距；一升降機構，該第一電極結構連接於該升降機構，該升降機構用以調整該第一電極結構與該第二電極結構之間的該間距；一基板，位於該第一電極結構與該第二電極結構之間，且該基板設於該第二電極結構上；一犧牲層，位於該第一電極結構與該第二電極結構之間，該犧牲層可移動地緊貼於該第一電極結構之外表面，該犧牲層用以隔離該第一電極結構；以及一捲軸帶動裝置，帶動犧牲層，以將該捲軸帶動裝置犧牲層捲繞於該捲軸帶動裝置上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜系統，更包括：一前驅物氣體導入裝置，該前驅物氣體導入裝置鄰近於該第一電極結構與該犧牲層，且該犧牲層接觸於該第一電極結構之部分突出於該前驅物氣體導入裝置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之鍍膜系統，更包括：一支撐架，連接於該前驅物氣體導入裝置，該升降機構連接於該支撐架，且該第一電極結構、該犧牲層與該捲軸帶動裝置設於該支撐架。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之鍍膜系統，其中該前驅物氣體導入裝置包含一氣體擴散件、一氣體整流件與一氣體噴出件，該氣體整流件位於該氣 體擴散件與該氣體噴出件之間，且該氣體擴散件連通於該氣體整流件與該氣體噴出件，該氣體噴出件面對該第一電極結構。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之鍍膜系統，其中該氣體噴出件包含一呈斜面狀的止擋部與一噴出部，該止擋部突出於該噴出部。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之鍍膜系統，其中該氣體擴散件包含一第一通氣部、一擴散部與複數個第一節流孔，該第一通氣部為一中空體，該擴散部設於該第一通氣部，該複數個第一節流孔設於該擴散部，該第一通氣部連通於該擴散部與該複數個第一節流孔，該氣體整流件包含一第二通氣部、一整流部與複數個第二節流孔，該第二通氣部為一中空體且連通於該複數個第一節流孔，該整流部設於該第二通氣部，該複數個第二節流孔設於該整流部，該第二通氣部連通於該整流部與該複數個第二節流孔，該氣體噴出件包含一第三通氣部與複數個第三節流孔，該第三通氣部為一中空體且連通該複數個第二節流孔與複數個第三節流孔。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之鍍膜系統，其中該前驅物氣體導入裝置與該第二電極結構之間相隔一距離。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜系統，其中該升降機構包含一頂座與一連接座，該頂座連接於該連接座，該第一電極結構設於該連接座。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之鍍膜系統，其中該頂座包含一轉動件與一螺桿，該轉動件連接該螺桿，該螺桿與該連接座結合。
  16. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜系統，更包括：一冷卻水管接頭，連通於該第一電極結構。
  17. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜系統，其中該捲軸帶動裝置包含一第一滾動元件與一第二滾動元件，該犧牲層具有相對的一第一端與一第二端，該犧牲層的該第一端套設於該第一滾動元件，該犧牲層的該第二端 套設於該第二滾動元件，該捲軸帶動裝置驅動該犧牲層時，該犧牲層自該第一滾動元件移動至該第二滾動元件並緊貼於該第一電極結構之外表面，該第二滾動元件用以收納自該第一滾動元件所傳送過來的該犧牲層。
  18. 如申請專利範圍第7項所述之鍍膜系統，更包括：一驅動裝置，該驅動裝置連接該第二電極結構，該驅動裝置驅動該第二電極結構移動。
  19. 一種鍍膜系統，包括：一第一電極結構；一第二電極結構，與該第一電極結構相對配置且該第一電極結構與該第二電極結構之間相隔一間距；一升降機構，該第一電極結構連接於該升降機構，該升降機構用以調整該第一電極結構與該第二電極結構之間的該間距；一基材，位於該第一電極結構與該第二電極結構之間，且該基材用以隔離該第二電極結構；一犧牲層，位於該第一電極結構與該第二電極結構之間，該犧牲層可移動地緊貼於該第一電極結構之外表面，該犧牲層用以隔離該第一電極結構；以及一捲軸帶動裝置，帶動該犧牲層，以將該犧牲層捲繞於該捲軸帶動裝置上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之鍍膜系統，更包括：一前驅物氣體導入裝置，該前驅物氣體導入裝置鄰近於該第一電極結構與該犧牲層，且該犧牲層接觸於該第一電極結構之部分突出於該前驅物氣體導入裝置。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之鍍膜系統，更包括： 一支撐架，連接於該前驅物氣體導入裝置，且該第一電極結構、該犧牲層與該捲軸帶動裝置設於該支撐架，該升降機構連接於該支撐架。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之鍍膜系統，其中該前驅物氣體導入裝置包含一氣體擴散件、一氣體整流件與一氣體噴出件，該氣體整流件位於該氣體擴散件與該氣體噴出件之間，且該氣體擴散件連通於該氣體整流件與該氣體噴出件，該氣體噴出件面對該第一電極結構。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之鍍膜系統，其中該氣體噴出件包含一呈斜面狀的止擋部與一噴出部，該止擋部突出於該噴出部。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之鍍膜系統，其中該氣體擴散件包含一第一通氣部、一擴散部與複數個第一節流孔，該第一通氣部為一中空體，該擴散部設於該第一通氣部，該複數個第一節流孔設於該擴散部，該第一通氣部連通於該擴散部與該複數個第一節流孔，該氣體整流件包含一第二通氣部、一整流部與複數個第二節流孔，該第二通氣部為一中空體且連通於該複數個第一節流孔，該整流部設於該第二通氣部，該複數個第二節流孔設於該整流部，該第二通氣部連通於該整流部與該複數個第二節流孔，該氣體噴出件包含一第三通氣部與複數個第三節流孔，該第三通氣部為一中空體且連通該複數個第二節流孔與複數個第三節流孔。
  25. 如申請專利範圍第20項所述之鍍膜系統，其中該前驅物氣體導入裝置與該第二電極結構之間相隔一距離。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之鍍膜系統，其中該升降機構包含一頂座與一連接座，該頂座連接於該連接座，該第一電極結構設於該連接座。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之鍍膜系統，其中該頂座包含一轉動件與一螺桿，該轉動件連接該螺桿，該螺桿與該連接座結合。
  28. 如申請專利範圍第19項所述之鍍膜系統，更包括： 一冷卻水管接頭，連通於該第一電極結構。
  29. 如申請專利範圍第19項所述之鍍膜系統，其中該捲軸帶動裝置包含一第一滾動元件與一第二滾動元件，該犧牲層具有相對的一第一端與一第二端，該犧牲層的該第一端套設於該第一滾動元件，該犧牲層的該第二端套設於該第二滾動元件，該捲軸帶動裝置驅動該犧牲層時，該犧牲層自該第一滾動元件移動至該第二滾動元件並緊貼於該第一電極結構之外表面，該第二滾動元件用以收納自該第一滾動元件所傳送過來的該犧牲層。
  30. 如申請專利範圍第19項所述之鍍膜系統，更包括：一驅動裝置，該驅動裝置連接該第二電極結構，該驅動裝置驅動該第二電極結構移動。
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