TWI554542B - 有機半導體組成物 - Google Patents

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Description

有機半導體組成物 發明領域
本發明係有關於有機半導體組成物以及包含此等有機半導體組成物之有機半導體層和裝置。本發明亦關於製備此等有機半導體組成物和層的方法以及其等之用途。本發明特別於顯示器領域有應用性，例如有機場效電晶體(OFETS)、積體電路、有機發光二極體(OLEDS)、光偵測器、有機光伏打(OPV)電池、感測器、雷射、記憶體元件和邏輯電路。
發明背景
近年來，於有機半導體材料作為常見的矽為主的半導體之替代方案方面已有漸漸增加的興趣。有機半導體材料具有超越矽為主的該等的幾個優點，例如低成本和容易製造以及增加的可撓性、機械堅固性、與廣泛種類的可撓性基材有好的相容性及輕質。其等因而提供生產更便利且高性能的電子裝置之可能性。
聚并苯化合物(Polyacene compounds)尤其已經於此技術領域顯示出希望。舉例而言，WO 2005/055248揭示一種有機半導體層配方，其包含一有機黏結劑，其於1000 Hz具有3.3或更少的介電係數(ε)，以及聚并苯化合物。然而，用於製備WO 2005/055248中所說明的OFETs之方法實際上是受限制的以及僅對於生產頂閘極式OFETs為有用的。本發 明所克服之WO 2005/055248的一另外的缺點為其頻繁地使用非所欲的氯化溶劑。最高性能的半導體組成物係揭示於WO 2005/055248中，其具有1.0 cm2V-1s-1的移動率，併入的1,2-二氯苯作為溶劑(頁次54，表5以及實施例14、21和25)。並且此等溶劑不是印刷法中工業有用的溶劑以及此等也損害環境。因而，使用更良性的溶劑於製造此等半導體組成物會是合意的。再者，一般以為只有具有低於3.3的介電係數之聚合物黏結劑可以使用，因具有更高的介電係數之任何的聚合物會導致OFET裝置之移動率值非常顯著的降低。
移動率值方面之此降低可以於WO 2007/078993進一步看見，其揭示2,3,9,10-經取代的稠五苯化合物組合以於1000 Hz具有超過3.3之介電常數的一種聚合物之用途。報導此等化合物展現介於10-2以及10-7 cm2V-1s-1之間的移動率值，其對於要成為工業有用為太低的。
因而，本發明企圖要提供有機半導體組成物，其係藉由提供聚并苯化合物組合以具有可接受的介電係數值之有機黏結劑，其克服以上提及的問題，以及其展現高的移動率值。
發明概要 聚并苯化合物
依據本發明之聚并苯化合物為含式(1)：
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14之各者，其可以為相同的或不同的，分別代表氫；支鏈或無支鏈的、經取代或未經取代的C1-C40烷基；支鏈或無支鏈的、經取代或未經取代的C2-C40烯基；支鏈或無支鏈的、經取代或未經取代的C2-C40炔基；經選擇性取代的C3-C40環烷基；經選擇性取代的C6-C40芳基；經選擇性取代的C1-C40雜環基；經選擇性取代的C1-C40雜芳基；經選擇性取代的C1-C40烷氧基；經選擇性取代的C6-C40芳基氧基；經選擇性取代的C7-C40烷基芳基氧基；經選擇性取代的C2-C40烷氧基羰基；經選擇性取代的C7-C40芳基氧基羰基；氰基(-CN)；胺甲醯基(-C(=O)NR15R16)；羰基(-C(=O)-R17)；羧基(-CO2R18)氰酸基(-OCN)；異氰基(-NC)；異氰酸基(-NCO)；硫氰酸基(-SCN)或硫異氰酸基(-NCS)；經選擇性取代的胺基；羥基；硝基；CF3基團；鹵基(halo group)(Cl、Br、F、I)；-SR19；-SO3H；-SO2R20；-SF5；經選擇性取代的矽基；選擇性地被SiH2R22基團所取代之C2-C10炔基、選擇性地被SiHR22 R23基團所取代之C2-C10炔基，或選擇性地被SiR22R23R24基團所取代之C2-C10炔基；其中R15、R16、R18、R19和R20之各者分別表示氫或是選擇性包含一個或更多個雜原子之經選擇性取代的C1-C40二 價碳基或烴基(carbyl or hydrocarbyl)；其中R17表示鹵素原子、H或是選擇性包含一個或更多個雜原子之經選擇性取代的C1-C40二價碳基或烴基；其中，各對的R2和R3及/或R9和R10可分別架橋來形成一個C4-C40飽和的或未飽和的環，該飽和的或未飽和的環可插入一個氧原子、硫原子或由式-N(R21)-(其中R21為一個氫原子或經選擇性取代的C1-C40烴基)表示之基團，或是可選擇性予以取代的；以及其中該聚并苯骨架的碳原子之一者或更多者可選擇性用選自於以下的一雜原子來取代：N、P、As、O、S、Se及Te；其中R22、R23和R24係分別選自於以下所構成的群組：氫、C1-C40烷基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C6-C40芳基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C7-C40芳烷基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C1-C40烷氧基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；或C7-C40芳基烷氧基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；其中位於該聚并苯之相鄰的環位置上之該等取代基R1-R14之分別任何二者或更多者可以一起選擇性地構成一個稠合至該聚并苯之另外的C4-C40飽和的或未飽和的環，該環選擇性地由O、S或-N(R21)所中斷，R21係如以上所定義的；或是一個芳族環系統，；以及其中k和l分別為0、1或2。
較佳為，k=l=0或1。
較佳為，k=1且l=1。
於較佳具體例中，基團R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14之至少一者(以及更佳為2者)為三-C1-20烴基矽基(hydrocarbylsilyl)C1-4炔基基團(亦即，C1-20烴基-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24分別表示C1-C6烷基或C2-C6烯基。
於較佳具體例中，基團R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14之至少一者(以及更佳為2者)為三烴基矽基乙炔基基團(-C≡C-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24分別表示C1-C6烷基或C2-C6烯基。於一個更佳的具體例中，R22、R23和R24係分別選自於以下所構成的群組：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、1-丙烯基和2-丙烯基。
於較佳具體例中，R6與R13為三烷基矽基乙炔基(-C≡C-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24分別表示C1-C6烷基或C2-C6烯基。於一個更佳的具體例中，R22、R23和R24係分別選自於以下所構成的群組：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基1-丙烯基和2-丙烯基。
於再另一個較佳具體例中，當k=l=1時；R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11分別表示H、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。更佳為，R1、R4、R8和R11為相同的以及表示H、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基。於一個還更佳的具體例中，R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11為相同的或不同的且係選自於以下所構成的群組：氫、甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁 基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基。
於再另一個具體例中，當k=l=0或1時，其中，各對的R2和R3及/或R9和R10分別架橋來形成一個C4-C10飽和的或未飽和的環，該飽和的或未飽和的環可插入一個氧原子、硫原子或由式-N(R21)-(其中R21為一個氫原子或環狀、直鏈或支鏈的C1-C10烷基)表示之基團；以及其中該聚并苯骨架的碳原子之一者或更多者可選擇性用選自於以下的一雜原子來取代：N、P、As、O、S、Se及Te。
較佳為，R5、R7、R12和R14為氫。
較佳為，R22、R23和R24係分別選自於以下所構成的群組：氫、C1-C10烷基(較佳為C1-C4烷基以及最佳為甲基、乙基、正丙基或異丙基)，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C6-C12芳基(較佳為苯基)，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C7-C16芳基烷基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；C1-C10烷氧基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代；或C7-C16芳基烷氧基，其可選擇性用舉例而言一鹵素原子來取代。
R22、R23和R24較佳為分別選自於以下所構成的群組：經選擇性取代的C1-C10烷基和經選擇性取代的C2-C10烯基，更佳為C1-C6烷基或C2-C6烯基。於此情況下較佳的烷基為異丁基。
矽基基團-SiR22R23R24之實例包括，沒有限制，三甲基矽基、三乙基矽基、三丙基矽基、二甲基乙基矽基、二乙基甲基矽基、二甲基丙基矽基、二甲基異丙基矽基、二丙 基甲基矽基、二異丙基甲基矽基、二丙基乙基矽基、二異丙基乙基矽基、二乙基異丙基矽基、三異丙基矽基、三甲氧基矽基、三乙氧基矽基、三苯基矽基、二苯基異丙基矽基、二異丙基苯基矽基、二苯基乙基矽基、二乙基苯基矽基、二苯基甲基矽基、三苯氧基矽基、二甲基甲氧基矽基、甲基甲氧基苯基，等等。在前述的列表中之各個實例方面，烷基、芳基或烷氧基可以選擇性予以取代。
於本發明的第一個態樣之較佳具體例中，依據本發明之聚并苯化合物為含式(1a)：
其中R5、R7、R12和R14之各者為氫；R6與R13為三烷基矽基乙炔基(-C≡C-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24分別表示C1-C4烷基或C2-C4烯基；R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11係分別選自於以下所構成的群組：氫；支鏈或無支鏈的、未經取代的C1-C4烷基；C1-C6烷氧基和C6-C12芳基氧基；或是其中各對的R2和R3及/或R9和R10可分別架橋來形成一個C4-C10飽和的或未飽和的環，該飽和的或未飽和的環可插入一個氧原子、硫原子或由式-N(R21)-(其中R21為一個氫原子或經選擇性取代的C1-C6烴基)表示之基團；其中k和l分別為0，或1，較佳為k和l二者均為1。
於式(1a)的化合物中，其中k和l二者均為1；R6與R13為三烷基矽基乙炔基(-C≡C-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24較佳為選自於：乙基、正丙基、異丙基、1-丙烯基或2-丙烯基；R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11係分別選自於以下所構成的群組：氫、甲基、乙基和甲氧基。
於式(1a)的化合物中，其中k和l二者均為0；R6與R13較佳為三烷基矽基乙炔基(-C≡C-SiR22R23R24)，其中R22、R23和R24較佳為選自於：乙基、正丙基、異丙基、1-丙烯基或2-丙烯基；R1、R4、R8和R11較佳為氫；以及R2和R3一起，且R9和R10一起較佳為形成含有1或2個氮原子、1或2個硫原子或是1或2個氧原子之5員雜環。
依據本發明之尤其佳的聚并苯化合物為式(2)和(3)之該等：
其中R1、R4、R8和R11係分別選自於以下所構成的群組：H、C1-C6烷基和C1-C6烷氧基。較佳為R1、R4、R8和R11為相同的或不同的且係分別選自於以下所構成的群組：氫、甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基，更佳為氫、甲基、丙基、 和甲氧基。
於式(2)的化合物中，R2、R3、R9和R10係分別選自於以下所構成的群組：H、C1-C6烷基和C1-C6烷氧基，或是各對的R2和R3及/或R9和R10係架橋來形成一個C4-C10飽和的或未飽和的環，該飽和的或未飽和的環可插入一個氧原子、硫原子或由式-N(R21)-(其中R21為一個氫原子或環狀、直鏈或支鏈的C1-C10烷基)表示之基團；以及其中該聚并苯骨架的碳原子之一者或更多者可選擇性用選自於以下的一雜原子來取代：N、P、As、O、S、Se及Te。於較佳具體例中，R2、R3、R9和R10為相同的或不同的且係分別選自於以下所構成的群組：氫、甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基，更佳為氫、甲基、乙基、丙基和甲氧基；於式(2)和(3)的化合物中，R25、R26和R27係分別選自於以下所構成的群組：C1-C6烷基和C2-C6烯基，較佳為R22、R23和R24係分別選自於以下所構成的群組：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、1-丙烯基和2-丙烯基，更佳為乙基、正丙基和異丙基。
於式(3)的化合物中，R28和R29係分別選自於以下所構成的群組：氫、鹵素、-CN、選擇性氟化或全氟化之直鏈或支鏈C1-C20烷基、氟化或全氟化之直鏈或支鏈C1-C20烷氧基、氟化或全氟化之C6-C30芳基以及CO2R30，其中R30為氫、氟化或全氟化之直鏈或支鏈C1-C20烷基，和氟化或全氟化之C6-C30芳基。R28和R29較佳為分別選自於以下所構成的群 組：氟化或全氟化之直鏈或支鏈C1-C8烷基、氟化或全氟化之直鏈或支鏈C1-C8烷氧基和C6F5。
於式(3)的化合物中，Y1、Y2、Y3和Y4較佳為分別選自於以下所構成的群組：-CH=、=CH-、O、S、Se或NR31(其中R31為一個氫原子或環狀、直鏈或支鏈的C1-C10烷基)。
於再另一個較佳具體例中，本發明之聚并苯化合物為式(4)和(5)之該等：
其中R25、R26和R27係分別選自於以下所構成的群組：甲基、乙基和異丙基； 其中R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11係分別選自於以下所構成的群組：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基和C6-C20芳基氧基。R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11較佳為分別選自於以下所構成的群組：甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基基團。
於一些較佳具體例中，當R1、R4、R8和R11為相同的且為甲基或甲氧基基團時，R25、R26和R27為相同的且為乙基或異丙基基團。於較佳具體例中，當R1、R4、R8和R11為甲基基團時，R25、R26和R27為乙基基團。於再另一個較佳具 體例中，當R1、R4、R8和R11為甲基基團時，R25、R26和R27為異丙基基團。於一個另外的較佳具體例中，當R1、R4、R8和R11為甲氧基基團時，R25、R26和R27為乙基基團。於再另一個較佳具體例中，當R1、R4、R8和R11為甲氧基基團時，R25、R26和R27為異丙基基團。
於一些較佳具體例中當R2、R3、R9和R10為相同的且為甲基或甲氧基基團時，R25、R26和R27為相同的且為乙基或異丙基基團。於較佳具體例中，當R2、R3、R9和R10為甲基基團時，R25、R26和R27為乙基基團。於再另一個較佳具體例中，當R2、R3、R9和R10為甲基基團時，R25、R26和R27為異丙基基團。於一個另外的較佳具體例中，當R2、R3、R9和R10為甲氧基基團時，R25、R26和R27為乙基基團。於再另一個較佳具體例中，當R2、R3、R9和R10為甲氧基基團時，R25、R26和R27為異丙基基團。
於本發明的一個還更佳的具體例中，該聚并苯化合物係選自於下列的化合物(A)至(F)：
“R”取代基(亦即R1、R2，等等)意思是依據常見的命名法稠五苯之位置上的取代基：
依據本發明之聚并苯化合物可以藉由熟悉此藝者的普通一般知識內任何已知的方法予以合成。於較佳具體例中，揭示於US 2003/0116755 A、US 3,557,233、US 6,690,029 WO 2007/078993、WO 2008/128618和Organic Letters,2004，第6冊，第10號，第1609-1612頁中的方法可以使用於合成依據本發明之聚并苯化合物。
依據本發明之聚并苯化合物較佳為於1000 Hz具有3.4和8之間的介電係數之半導體聚并苯化合物。於較佳具體例中，聚并苯化合物於1000 Hz具有4.0和7之間的介電係數，更佳為介於4.0和6.5之間的介電係數，以及甚至更佳為介於4.0和6之間的介電係數。
依據本發明之聚并苯化合物較佳為具有於每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率，較佳為介於500至10-7西門子之間，更佳為介於300至10-6之間，更佳為介於250至10-5之間，更佳為介於每公分10至10-5西門子之間，更佳為大於每公分10-4或10-3西門子。
較佳為，依據本發明的有機半導體組成物含有低於10%以重量計，更佳為低於5%以重量計，更佳為低於1%重量計之於1000 Hz具有低於3.4的介電係數之聚并苯化合物。於較佳具體例中，介電係數係藉由WO 2004/102690中揭示的方法或藉由使用本文所揭示的方法來決定，較佳為藉由使用本文所揭示的方法來決定。
有機黏結劑
依據本發明的有機黏結劑為於1000 Hz具有3.4和8之間的介電係數之半導體黏結劑。於較佳具體例中，有機黏結劑於1000 Hz具有介於3.4和6.0之間，以及更佳為介於3.4和4.5之間的介電係數。有機黏結劑的介電係數可以使用熟悉此藝者知道的任何標準方法予以測量。於較佳具體例中，介電係數係藉由WO 2004/102690中揭示的方法或藉由使用本文所揭示的方法來決定，較佳為藉由使用本文所揭示的 方法來決定。
於較佳具體例中，依據本發明之有機黏結劑為包含式(6)的單元之該等：
其中Ar1、Ar2和Ar3，其可以為相同的或不同的，設若於不同的重覆單元內各自分別代表一個經選擇性取代的C6-40芳族基團(單核或多核)，其中Ar1、Ar2和Ar3之至少一者係以至少一個極性或更多個極性化基團來取代，以及n=1至20，較佳為1至10以及更佳為1至5。較佳為，Ar1、Ar2和Ar3之至少一者係以1、2、3，或4個，更佳為1、2或3個，更佳為1或2個，較佳為1個極性或更多個極性化基團來取代。
於較佳具體例中，一個或更多個極性或極性化基團係分別選自於以下所構成的群組：硝基、腈基、選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40烷基；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40烷氧基；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40羧酸基團；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C2-C40羧酸酯；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的磺酸；選擇性地被硝基、 腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的磺酸酯；氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基、硫異氰酸基；及選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的胺基；以及其等之組合。
於一個更佳的具體例中，一個或更多個極性或極性化基團係分別選自於以下所構成的群組：硝基、腈基、選擇性地被腈基、氰酸基或異氰酸基所取代的C1-C10烷基；C1-C20烷氧基、C1-C20羧酸基團、C2-C20羧酸酯；磺酸酯；氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基、硫異氰酸基，及胺基；以及其等之組合。
極性或極性化基團更佳為選自於以下所構成的群組：C1-C4氰基烷基、C1-C10烷氧基、腈基以及其等之組合。
極性或極性化基團更佳為選自於以下所構成的群組：氰甲基、氰乙基、氰丙基、氰丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、腈基、NH2以及其等之組合。Ar1、Ar2和Ar3之至少一者較佳為以1或2個極性或更多個極性化基團來取代，該極性化基團可以為相同的或不同的。
於Ar1、Ar2和Ar3的情況中，一個單核的芳族基團只具有一個芳族環，舉例而言苯基或伸苯基。一個多核芳族基團具有二個或更多個芳族環，其等可以為稠合的(舉例而言萘基(napthyl)或伸萘基)、分別共價連接的(舉例而言聯苯)及/或稠合的芳族環和分別連接的芳族環二者之組合。較佳為各Ar1、Ar2和Ar3為一個芳族基團，其於實質整個基團為實質共軛的(which is substantially conjugated over substantially the whole group)。
Ar1、Ar2和Ar3較佳為分別選自於以下所構成的群組：C6-20芳基、C7-20芳烷基和C7-20烷芳基，其之任一者可以以分別選自於以下的1、2或3個基團來取代：C1-4烷氧基、C1-4氰烷基、CN和其等之混合物，以及n=1至10。
Ar1、Ar2和Ar3較佳為分別選自於以下所構成的群組：C6-10芳基、C7-12芳烷基和C7-12烷芳基，其之任一者可以以分別選自於以下的1、2或3個基團來取代：C1-2烷氧基、C1-3氰烷基、CN和其等之混合物，以及n=1至10。
Ar1、Ar2和Ar3較佳為分別選自於以下所構成的群組：苯基、苯甲基、甲苯基和萘基，其之任一者可以以分別選自於以下的1、2或3個基團來取代：甲氧基、乙氧基、氰甲基、氰乙基、CN和其等之混合物，以及n=1至10。
Ar1、Ar2和Ar3較佳均為苯基，該苯基可分別以選自於以下的1、2或3個基團來取代：甲氧基、乙氧基、氰甲基、氰乙基、CN和其等之混合物，以及n=1至10。
Ar1、Ar2和Ar3較佳均為苯基，該苯基可分別以選自於以下的1或2個基團來取代：甲氧基、氰甲基、CN和其等之混合物，以及n=1至10。
於一個另外的較佳具體例中，有機黏結劑可以為一種不同的三芳基胺單體之隨機或嵌段共聚物。在此狀況下，任何由式(6)所定義之化合物可以組合以不同的式(6)化合物以提供依據本發明之隨機或嵌段共聚物。舉例而言，有機黏結劑可以為一種硝基取代的三芳基胺與一種2,4-二甲 基取代的三芳基胺之共聚物。可改變聚合物內單體的比率以允許調整相關於同元聚合物之介電係數。再者，只要組成物之平均介電係數介於3.4和8.0之間，有機黏結劑(6)較佳為可以混合以不符合(6)的定義之有機黏結劑。
於本發明的一個還更佳的具體例中，有機黏結劑包含具有結構(G)至(J)之至少一個單元：
依據本發明之有機黏結劑較佳為具有介於300和20,000之間，更佳為介於1600和5000之間，更佳為介於500和4000之間，甚至更佳為介於450和3000之間以及還更佳為介於500和2000之間的數目平均分子量(Mn)。
依據本發明之有機半導體組成物較佳為含有低於10%以重量計，更佳為低於5%以重量計，更佳為低於1%於1000 Hz具有低於3.4的介電係數之有機黏結劑。
依據本發明之有機黏結劑較佳為具有超過μ=1x10-7cm2V-1s-1，以及更佳為μ=1x10-6 cm2V-1s-1的電荷移動率值
有機半導體組成物
一種依據本發明之第一種態樣的有機半導體組成物包含一種聚并苯化合物和一種有機黏結劑，其中該有機黏結劑於1000 Hz具有4和6.5之間的介電係數。
依據本發明之有機半導體組成物可以包含本文所揭示的聚并苯化合物和有機黏結劑之任何組合。於較佳具體例中，一種有機半導體組成物可以包含如式(1)之聚并苯化合物組合以一有機黏結劑，其中該有機黏結劑於1000 Hz具有3.4和8之間，較佳為介於3.4和6.5之間以及更佳為介於3.4和4.5之間的介電係數。
於一個特定較佳具體例中，如式(2)至(5)之任一者之聚并苯化合物可以組合以一種有機黏結劑來使用，其中該有機黏結劑於1000 Hz具有3.4和8.0之間，較佳為介於3.4和6.0之間以及更佳為介於3.4和4.5之間的介電係數。
於再另一個較佳具體例中，聚并苯化合物(A)至(F)的任一者可以組合以一種有機黏結劑來使用，其中該有機黏結劑於1000 Hz具有3.4和8.0之間，較佳為介於3.4和6.5之間以及更佳為介於3.4和4.5之間的介電係數。
於另一個較佳具體例中，一種有機半導體組成物可以包含如式(1)之聚并苯化合物組合以一種包含式(6)的單元之有機黏結劑。包含式(6)的單元之有機黏結劑較佳為於 1000 Hz具有3.4和8.0之間，較佳為介於3.4和6.5之間以及更佳為介於3.4和4.5之間的介電係數。
於再一個另外的較佳具體例中，一種有機半導體組成物可以包含一種如式(2)至(5)之任一者之聚并苯化合物組合以一種包含式(6)的單元之有機黏結劑。
於再另一個較佳具體例中，一種有機半導體組成物可以包含聚并苯化合物(A)至(F)的任一者組合以一種包含式(6)的單元之有機黏結劑。
一種另外的較佳有機半導體組成物可以包含如式(1)至(5)之任一者的聚并苯化合物組合以包含具有結構(G)至(J)之至少一個單元的有機黏結劑之任一者。
存在於組成物內之聚并苯化合物、有機黏結劑和溶劑的濃度會取決於較佳的溶液塗佈方法而變化，舉例而言噴墨印刷組成物需要低黏性、低固體物負荷組成，然而網板印刷方法需要高黏性、高固體物負荷組成。半導體黏結劑組成物沉積之後，溶劑係予以蒸發以提供半導體層，該半導體層以該組成物的總重量為基準具有1-99.9%以重量計之黏結劑及0.1至99%以重量計之聚并苯半導體(於印刷或乾燥的狀態)；較佳為具有25至75%以重量計之黏結劑及25至75%以重量計之聚并苯半導體的半導體層。
在沉積之前，組成物內之以上說明的聚并苯化合物之一者或更多者較佳為以該組成物的總重量為基準至少0.1 wt%的濃度存在。組成物內之聚并苯化合物的濃度上限常常接近該化合物在該組成物應用至一種基材的整個期間， 例如製造一種電子裝置，於該組成物的溫度、在特別的溶劑內之溶解極限。本發明的典型組成物包含以該組成物的總重量為基準、範圍落在由大約0.1 wt%至大約20.0 wt%的濃度之聚并苯化合物的一者，更典型地，由大約0.5 wt%至大約10.0 wt%，更典型為0.5至5.0 wt%。
在沉積之前，組成物內之以上說明的有機黏結劑之一者或更多者較佳為以該組成物的總重量為基準以至少0.1 wt%的濃度存在。本發明之較佳的組成物包含範圍落在由大約0.1 wt%至大約20.0 wt%，更典型地，由大約0.5 wt%至大約10.0 wt%，更典型為0.5至5.0 wt%的濃度之有機黏結劑之一者。
於印刷或乾燥的組成物內，以上說明的聚并苯化合物之一者或更多者較佳為以該組成物的總重量為基準以至少10 wt%的濃度存在，較佳為介於10和90 wt%之間，更佳為介於20和80 wt%之間，更佳為介於30和70 wt%之間，更佳為介於40和60 wt%之間。
於印刷或乾燥的組成物內，以上說明的有機黏結劑之一者或更多者較佳為以該組成物的總重量為基準以至少10 wt%的濃度存在，較佳為介於10和90 wt%之間，更佳為介於20和80 wt%之間，更佳為介於30和70 wt%之間，更佳為介於40和60 wt%之間。
於較佳具體例中，一種或更多種溶劑可存在於有機半導體組成物內。適合的溶劑包括，但不限於，有機溶劑，例如酮類、芳族烴、氟化的溶劑，及類似物。溶劑較佳為 選自於芳族烴溶劑的群組，包括苯、甲苯、乙苯、丁苯、苯基甲基醚和四氫萘(tetrahydronapthalene)或是由四氫呋喃、異佛酮、丁環己烷和環己酮。亦可以使用溶劑摻合物。適合的溶劑摻合物包括，但不限於以上溶劑的組成物結合以下溶劑，例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、甲基乙基酮、二氯甲烷、二氯苯、糠醇、二甲氧乙烷和乙酸乙酯。此等組成物(在沉積之前)較佳為含有以該組成物的總重量為基準大於50 wt%的量存在之適合的溶劑，較佳為以該組成物的總重量為基準介於60和95 wt%之間。
於再另一個較佳具體例中，一種或更多種額外的組成物組份可存在於有機半導體組成物內。適合的額外組成物組份包括，但不限於，一種聚合物添加劑、一種流變修飾劑、一種界面活性劑、該聚并苯化合物之互補的電洞傳送夥伴(hole transfer partner)之另一種半導體或其等之組合。於一些例示性具體例中，組成物包含一種選自於以下所構成的群組之聚合物添加劑：聚苯乙烯、聚(α-甲苯乙烯)、聚(五氟苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(4-氰甲苯乙烯)、聚(4-乙烯苯酚)，或是U.S.專利申請案公開號2004/0222412 A1或U.S.專利申請案公開號2007/0146426 A1中揭示之任何其他適合的聚合物。於一些所欲的具體例中，聚合物添加劑包含聚苯乙烯、聚(α-甲苯乙烯)、聚(五氟苯乙烯)或是聚(甲基丙烯酸甲酯)。於一些例示性具體例中，組成物包含一種選自於氟化的界面活性劑或是氟界面活性劑之界面活性劑。當存在時，各個額外的組成物組份以該組成物的總重 量為基準係分別以大於0至大約50 wt%的量存在。較佳為，各個額外的組成物組份以該組成物的總重量為基準係分別以範圍落在由大約0.0001至大約10.0 wt%的量存在。舉例而言，當該組成物內存在一種聚合物時，聚合物添加劑以該組成物的總重量為基準典型以大於0至大約5.0 wt%的量存在，較佳為由大約0.5至大約3.0 wt%。舉例而言，當該組成物內存在一種界面活性劑時，界面活性劑較佳為以該組成物的總重量為基準以大於0至大約1.0 wt%，更典型地，由大約0.001至大約0.5 wt%的量存在。
依據本發明之有機半導體組成物較佳為具有至少0.5 cm2V-1s-1的電荷移動率值，較佳為介於0.5和8.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於0.5和6.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於0.8和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於之間1和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於1.5和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於2和5.0 cm2V-1s-1之間。半導體組成物的電荷移動率值可以使用熟悉此藝者知道的任何標準方法予以測量，例如於J.Appl.Phys.,1994，第75冊，第7954頁以及WO 2005/055248中揭示的技術，較佳為WO 2005/055248中說明的該等。
依據本發明之有機半導體組成物可以藉由熟悉此藝者的普通一般知識內任何已知的方法予以製備。於較佳具體例中，有機半導體組成物係藉由WO 2005/055248中揭示的方法或藉由使用本文所揭示的方法予以製備，較佳為藉由使用本文所揭示的方法予以製備。
依據本發明之有機半導體組成物較佳為於1000 Hz具 有3.4和8之間的介電係數之半導體組成物。於較佳具體例中，組成物於1000 Hz具有4.0和7之間的介電係數，更佳為介於4.0和6.5之間，更佳為介於4.0和6之間以及甚至更佳為介於3.4和4.5之間。
依據本發明之有機半導體組成物較佳為具有每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率，較佳為介於500至10-7西門子之間，更佳為介於300至10-6之間，更佳為介於250至10-5之間，更佳為介於每公分10至10-5西門子之間，更佳為大於每公分10-4或10-3西門子。
有機半導體層
依據本發明之有機半導體組成物可以使沉積至種種的基材之上，以形成有機半導體層。
依據本發明之有機半導體層可以使用一種包含以下步驟的方法予以製備：(i)混合依據本發明之有機半導體組成物與一種溶劑以形成一種半導體層配方；(ii)沉積該配方至一種基材之上；以及(iii)選擇性地移去該溶劑以形成一種有機半導體層。
有用的基材材料包括，但不限於，聚合性膜，例如聚醯胺、聚碳酸酯、聚醯亞胺、多酮、聚對酞酸乙二酯(PET)與聚2,6萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)(PEN)，以及無機的基材，例如矽石、氧化鋁、矽晶圓與玻璃。一種假定的基材之表面可以，舉例而言藉由表面固有的化學官能性與化學試劑的反應，例如矽烷或是表面暴露於電 漿，予以處理俾以改變表面特徵。
在沉積有機半導體組成物至基材上之前，組成物可以組合以一種或更多種溶劑俾以促進沉積步驟。適合的溶劑包括任何的溶劑，其能夠溶解有機黏結劑與聚并苯化合物二者，以及和且其一旦從溶液摻合物蒸發會提供相參、無缺陷的層。用於有機黏結劑及/或聚并苯化合物之適合的溶劑可藉由以該濃度以所使用的混合物如同於ASTM方法D 3132中所說明的製備該材料之等高線圖來決定。該材料係添加至如同於ASTM方法中所說明的廣泛種類的溶劑。
適合的溶劑包括，但不限於，四氫呋喃、苯基甲基醚、嗎福啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,4-二氧陸圜、丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、四氫萘、十氫萘、及/或其等之混合物。較佳為，沒有使用氯化的溶劑。
依據本發明之半導體層配方內之有機黏結劑對聚并苯化合物的比例典型為20：1至1：20以重量計，較佳為10：1至1：10，更佳為5：1至1：5，還更佳為3：1至1：3，進一步較佳為2：1至1：2以及尤其為1：1。
依據本發明已經進一步發現有機半導體層配方內之固形物含量的位準也為達成電子裝置，例如OFETs之改善的移動率值方面之一個因子。配方的固形物含量通常表達如下：
其中：a=聚并苯的質量、b=黏結劑的質量以及c=溶劑的質量。
配方的固形物含量較佳為0.1至10%以重量計，更佳為0.5至5%以重量計。
適合的常見沉積方法包括，但不限於，旋轉塗佈、刮刀塗佈、捲軸式網模塗佈(roll-to-roll web-coating)，及浸塗，以及印刷方法，例如噴墨印刷、網板印刷，及平版印刷。於一所欲的具體例中，產生的組成物為一種可印刷的組成物，甚至更合意的為一種可噴墨印刷的組成物。
一旦組成物沉積於一種基材表面之上，可以移去溶劑以形成一種有機半導體層。可以使用任何適合的方法來移去溶劑。舉例而言，溶劑可以藉由蒸發或乾燥予以移去。典型地，移去至少大約80百分比的溶劑以形成該半導體層。舉例而言，移去至少大約85重量百分比，至少大約90重量百分比，至少大約92重量百分比，至少大約95重量百分比，至少大約97重量百分比，至少大約98重量百分比，至少大約99重量百分比，或至少大約99.5重量百分比的溶劑。
溶劑通常可以於任何適合的溫度下蒸發。於一些方法中，溶劑混合物係於環境的溫度下蒸發。於其他方法中，溶劑係於比環境溫度更高或更低的溫度下蒸發。舉例而言，一種支撐基材的平台可以加熱或是冷卻至比環境溫度更高或更低的之溫度。於還有其他的較佳方法中，一些或多數的溶劑可以於環境的溫度下蒸發，以及任何剩餘的溶 劑可以於比環境溫度更高的溫度下蒸發。在於比環境溫度更高的溫度下蒸發溶劑之方法中，蒸發可以於一種惰性的氛圍，例如氮的氛圍，內進行。
任擇地，溶劑可以透過應用減壓(亦即，於低於大氣壓力的壓力下)，例如經由使用真空，而移去。在應用減壓的整個期間，可以於任何適合的溫度，例如以上說明的溫度，移去溶劑。
移去溶劑的速率可以影響產生的半導體層。舉例而言，設若移去方法太快速，半導體分子在結晶作用的整個期間可發生堆砌不良。半導體分子之堆砌不良對半導體層之電氣性能可能會有害。溶劑可以以不受控制的方式(亦即，無時間限制)完全靠其自身來蒸發，或是可以控制條件俾以控制蒸發的速率。為了使堆砌不良減到最少，溶劑可以予以蒸發同時藉由覆蓋沉積層而放慢蒸發的速率。此等條件可以導致一種具有相對高的結晶度之半導體層。
在移去所欲量的溶劑以形成半導體層之後，該半導體層可以藉由透過暴露至熱或是溶劑蒸汽予以退火，亦即，透過熱退火或溶劑退火。
依據本發明之有機半導體層較佳為具有至少0.5 cm2V-1s-1的電荷移動率值，較佳為介於0.5和8.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於0.5和6.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於0.8和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於1和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於1.5和5.0 cm2V-1s-1之間，更佳為介於2和5.0 cm2V-1s-1之間。半導體層的電荷移動率值可以使用熟悉此藝者知道 的任何標準方法予以測量，例如J.Appl.Phys.,1994，第75冊，第7954頁以及WO 2005/055248中揭示的技術，較佳為由WO 2005/055248中說明的該等。
本發明之有機半導體層較佳為於1000 Hz具有3.4和8之間的介電係數之半導體層。於較佳具體例中，該(等)層於1000 Hz具有4.0和7之間的介電係數，更佳為介於4.0和6.5之間，以及甚至更佳為介於3.4和4.5之間。
依據本發明之有機半導體層組成物較佳為具有於每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率，較佳為介於500至10-7西門子之間，更佳為介於300至10-6之間，更佳為介於250至10-5之間，更佳為介於每公分10至10-5西門子之間，更佳為大於每公分10-4或10-3西門子。
電子裝置
本發明同時提供一種包含依據本發明之有機半導體組成物的電子裝置。組成物可以，舉例而言，以半導體層或膜的形式來使用。此外，本發明較佳為提供一種包含依據本發明之有機半導體層的電子裝置。
層或膜的厚度可以介於0.2和20微米之間，較佳為介於0.5和10微米之間，介於0.5和5微米之間以及介於0.5和2微米之間。
電子裝置可以包括，沒有限制，有機場效電晶體(OFETS)、有機發光二極體(OLEDS)、光偵測器、有機光伏打(OPV)電池、感測器、雷射、記憶體元件和邏輯電路。
本發明之例示性電子裝置可以藉由溶液沉積以上說明 的有機半導體組成物至一種基材之上來製造。
圖式簡單說明
第1圖為頂接觸/底閘極之圖；第2圖為底接觸/底閘極之圖；第3圖為頂接觸/頂閘極之圖；第4圖為底接觸/頂閘極之圖。
發明之詳細說明 一般
術語“大約”關於一數值x意指，舉例而言，x+10%。
字語“實質”不排除“完全地”，舉例而言一種“實質沒有”Y之組成物可以為完全沒有Y。於必須之後，字語“實質”可以在本發明之定義省略。
當使用於本文中，一種聚合性材料(包括單體或是巨分子材料)之“分子量”除非以另外方式明確指出或是除非以另外方式指示試驗條件，否則係提及數目平均分子量。
一種“聚合物”意指一種藉由聚合化及/或交聯一種或更多種單體、巨分子及/或寡聚物所形成的材料，以及其具有二個或更多個重覆單元。
當使用於本文中一種“半導體黏結劑”係提及一種有機黏結劑，於其之傳導電流的能力方面係介於導體和絕緣體之間。較佳為，依據本發明，一種半導體材料、組成物或是層為具有於每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率的一者，更佳為介於500至10-7西門子之間，更佳為介於300 至10-6之間，更佳為介於250至10-5之間，更佳為介於每公分10至10-5西門子之間，更佳為大於每公分10-4或10-3西門子。材料或組成物之傳導性係依據ASTM D4308-10予以測量。可以使用相同的試驗來測量本發明之組成物、層和聚并苯化合物的傳導性。
當使用於本文中，術語“烷基”基團係提及一種具有如同指出的碳原子數量之直鏈或支鏈飽和的單價烴根基(radical)。作為非限制性的實例，適合的烷基基團包括，甲基、乙基、丙基、正丁基、三級丁基、異丁基和十二基。
當使用於本文中，術語“烷氧基”基團沒有限制地包括甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、三級丁氧基，等等。
當使用於本文中，術語“胺基”基團包括，沒有限制，二甲胺基、甲胺基、甲苯胺基、苯胺基，等等。
術語“二價碳基”係提及任何單價或多價有機根基部份，其包含至少1個碳原子其他無(other without)任何非碳原子(-C≡C)，或選擇性組合以至少1個非碳原子，例如N、O、S、P、SI、Se、As、Te或Ge(舉例而言羰基，等等)。
術語“烴基”基團意思是一種二價碳基基團，其額外含有一個或更多個H原子以及選擇性含有一個或更多個雜原子。
含有3個或更多個碳原子之二價碳基或烴基基團可以為直鏈、支鏈及/或環狀的，包括螺環及/或稠合環。
較佳的二價碳基或烴基基團包括烷基、烷氧基、烷基羰基、烷基羰基氧基、烷氧基羰基氧基，其之各者係被選 擇性取代且具有1至40個碳原子，較佳為1至18個碳原子，再者選擇性取代的芳基、芳基衍生物或芳基氧基，其具有6至40，較佳為6至18個碳原子，再者烷基芳基氧基、芳基羰基、芳基氧基羰基、芳基羰基氧基和芳基氧基羰基氧基，各者或其(each or which)係被選擇性取代且具有7至40個，更佳為7至25個碳原子。
二價碳基或烴基基團可以為飽和的或未飽和的鏈基團，或是飽和的或未飽和的環狀基團。未飽和的鏈基團或環狀基團為較佳的，尤其為烯基和炔基基團(尤其為乙炔基)。
於本發明之聚并苯方面，於該C1-C40二價碳基或烴基基團上R1-R14等等選擇性取代基較佳為選自於：矽烷基、磺酸基、磺醯基、甲醯基、胺基、亞胺基、氮基、巰基、氰基、硝基、鹵(halo)、C1-4烷基、C6-12芳基、C1-4烷氧基、羥基及/或其等之所有化學上可能的組合。此等之中更優選的選擇性取代基為矽烷基和C6-12芳基以及矽烷基為最優選的。
“經取代的烷基”係提及一種其上具有一個或更多個取代基之烷基基團，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其單獨含有除了碳與氫之外的一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F)或是含有除了碳與氫之外組合以碳原子(舉例而言，氰基)及/或氫原子(舉例而言，羥基基團或羧酸基團)之一個或更多個原子。
“烯基”係提及係提及一種單價基團，其為烯類，具有至少1個碳-碳雙鍵之烴，的根基。烯基可以為直鏈、支鏈、 環狀的，或其等之組合以及典型含有2至30個碳原子。於一些具體例中，烯基含有2至20、2至14、2至10、4至10、4至8、2至8、2至6，或2至4個碳原子。例示性炔基包括，但不限於，乙炔基、丙炔基，和丁炔基。
“經取代的烯基”係提及一種烯基基團，其具有(i)一個或更多個C-C雙鍵，以及和且(ii)一個或更多個取代基於其上，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其單獨含有除了碳與氫之外的一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F)或是含有除了碳與氫之外組合以碳原子(舉例而言，氰基)及/或氫原子(舉例而言，羥基基團或羧酸基團)之一個或更多個原子。
“炔基”係提及一種單價基團，其為炔類，具有至少1個碳-碳三鍵之烴，的根基。炔基可以為直鏈、支鏈、環狀的，或其等之組合以及典型含有2至30個碳原子。於一些具體例中，炔基含有2至20、2至14、2至10、4至10、4至8、2至8、2至6，或2至4個碳原子。例示性炔基包括，但不限於，乙烯基、丙烯基，和丁烯基。
“經取代的炔基”係提及一種炔基基團，其具有(i)一個或更多個C-C三鍵，以及(ii)一個或更多個取代基於其上，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其單獨含有除了碳與氫之外的一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F)或是含有除了碳與氫之外組合以碳原子(舉例而言，氰基)及/或氫原子(舉例而言，羥基基團或羧酸基團)之一個或更多個原子。
“環烷基”係提及一種單價基團，其為一個環結構之根基，該環結構內係由3個或更多個碳原子所組成(亦即，環結構內只有碳原子且環結構的碳原子之一為根基)。
“經取代的環烷基”係提及一種其上具有一個或更多個取代基之環烷基基團，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“環烷基伸烷基”係提及一種單價基團，其為一個環結構，該環結構內係由3個或更多個碳原子所組成(亦即，環結構內只有碳原子)，其中該環結構附接至鏈烷基基團(典型地，由1至3個碳原子，更典型地，1個碳原子)且鏈烷基基團的碳原子之一為根基。“經取代的環烷基伸烷基”係提及一種其上具有一個或更多個取代基之環烷基伸烷基基團，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“芳基”係提及一種單價基團，其為一個芳族碳環化合物之根基。芳基可以具有一個芳族環或可以包括連接或稠合至芳族環之高至5個碳環結構。其他的環結構可以為芳族、非芳族，或其等之組合。較佳芳基基團之實例包括，但不限於，苯基、2-甲苯基、3-甲苯基、4-甲苯基、聯苯4-苯氧基苯基、4-氟苯基、3-甲氧羰基苯基、4-甲氧羰基苯基、聯三苯、蒽基(anthryl)、萘基、二氫苊(acenaphthyl)、蒽醌基、菲基、蒽基(anthracenyl)、芘基、苝基，以及茀基。
“經取代的芳基”係提及一種其上具有一個或更多個取代基之芳基基團，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“芳基伸烷基(Arylalkylene group)”係提及一種單價基團，其為一個芳族環結構，該環結構內係由6個至10個碳原子所組成(亦即，環結構內只有碳原子)，其中該芳族環結構附接至一個具有一個或更多個碳原子之鏈烷基基團(典型地，由1至3個碳原子，更典型地，1個碳原子)且鏈烷基基團的碳原子之一為根基。
“經取代的芳基伸烷基”係提及一種其上具有一個或更多個取代基之芳基伸烷基基團，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“乙醯基”係提及一個單價根基，其具有式-C(O)CH3。
“雜環”係提及一種飽和的、部份飽和的，或未飽和的環結構，該環結構內包含O、N、S和Se之至少一者。
“經取代的雜環”係提及一種雜環，其具有結合至該環結構的一個或更多個成員之一個或更多個取代基，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“碳環”係提及一種飽和的、部份飽和的，或未飽和的 環結構，環結構內僅包含碳。
“經取代的碳環”係提及一種碳環，其具有結合至該環結構的一個或更多個成員之一個或更多個取代基，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其含有一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F、烷基、氰基、羥基基團，或羧酸基團)。
“醚基團”係提及一個-Ra-O-Rb根基，其中Ra為一個支鏈或無支鏈的伸烷基、伸芳基、烷基伸芳基或芳基伸烷基烴以及Rb為一個支鏈或無支鏈的烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基烴。
“經取代的醚基團”係提及一種醚基團，其具有一個或更多個取代基於其上，其中該一個或更多個取代基之各者包含一個單價部份，其單獨含有除了碳與氫之外的一個或更多個原子(舉例而言，鹵素，例如F)或是含有除了碳與氫之外組合以碳原子(舉例而言，氰基)及/或氫原子(舉例而言，羥基基團或羧酸基團)之一個或更多個原子。
除非以另外方式定義，一種“取代基”或“選擇性取代基”較佳為選自於以下所構成的群組：鹵(halo)(I、Br、Cl、F)、CN、NO2、NH2、-COOH以及OH。
本發明之實例
下列之本發明實例僅僅為例示性的以及不應被視為限制本發明的範疇。
聚合物黏結劑的電容之測量
聚合物黏結劑係以四氫萘稀釋俾以減低其之黏性以及 使得當旋轉塗佈達轉速範圍1000-2000 rpm/s旋轉塗佈可能獲得~1微米之膜厚度。聚合物黏結劑的溶液係以500 rpm歷時10秒，接著1500 rpm歷時30秒，予以旋轉塗佈至ITO塗佈且清潔的1 x 1英吋的玻璃基材之上。
為了清潔ITO塗佈的基材，把其等浸沒於3%的溶液DECon 90之內且放置於超音波清洗器(水溫>65℃)之內、用去離子水清洗、浸沒於去離子水之內且放置於超音波清洗器(水溫>65℃)之內、用去離子水清洗另外的時間、浸沒於異丙醇之內於且接而放置於超音波清洗器(水溫>65℃)之內，以及接而旋轉乾燥。
在聚合物黏結劑的沉積之後，基材於加熱板上在120℃退火歷時5分鐘。
基材接而以一電容陰影遮罩予以覆蓋，以及和且上電極s係藉由使用熱沉積方法的金之蒸鍍來沉積。為了決定聚合物黏結劑層之確切厚度，厚度係使用一種Dektak 3030表面測平儀(可得自於Veeco，Plainview NY)於3個不同的位置測量以及算出平均數；此等數值隨後使用來計算聚合物黏結劑的介電常數。
接而使用阻抗分析儀Agilent 43961A和探針台進行電容的測量。為了改善介於ITO背電極和外部探針電極之間的電連接，塗覆一種導電性銀膠。將待測量的樣本放置在金屬板上於一金屬盒內以確保來自外部環境最低的影響。
在獲得各組測量之前，分析儀係使用43961A阻抗測試套組校正因補償程序予以進行以說明分析儀的內電容和測 試設備。測量校正係以開路和短路進行；介電常數係使用下列的方程式來計算：C=ε x εo x(A/d)。
其中C為電容(Farads)，A為面積(m2)，d為塗層厚度(m)，ε為介電常數(介電係數)，以及εo為自由空間的介電係數以及當作8.8854 x 10-12 F/m。
一種具有1 μm的厚度之聚苯乙烯樣本(Mw~350,000)係予以試驗作為參考樣本。聚苯乙烯參考之測量及計算的介電常數為於10,000 Hz ε=2.55，其與報導的數值(ε~2.5)有良好的一致性，參照J.R.Wunsch,Polystyrene-Synthesis,Production and Applications,Rapra Review Reports,2000，第10冊，第4號，第32頁。
OTFT製造方法
一種基材(玻璃基材或是一種聚合物基材，例如PEN)係藉由經由陰影遮罩之熱蒸鍍的方法或者藉由光刻法而使Au源汲極予以圖案化(一種Cr或Ti之黏合層係在沉積Au之前沉積於該基材之上)。Au電極可選擇性使用一種O2電漿清除法來清潔。黏結劑內之有機半導體的溶液接而藉由旋轉塗佈(溶液淹沒樣本以及基材接而以500 rpm歷時5秒然後1500 rpm歷時1分鐘來旋轉)而予以塗覆。經塗佈的基材接而在高溫載台上於空氣中乾燥。介電材料，舉例而言溶解於FC-43之內的3 wt% PTFE-AF 1600(Sigma-Aldrich cat # 469610)接而藉由旋轉塗佈(樣本被淹沒接而以500 rpm歷時5秒然後1500 rpm歷時30秒來旋轉)而塗覆至基材。基材接而 在高溫載台上於空氣中(100℃歷時1分鐘)乾燥。一個閘極(Au)接而藉由經由陰影遮罩之蒸鍍法而界定於通道區域上。
OTFT關於黏結劑之移動率係藉由放置於連接至Keithley SCS 4200半導體分析儀之手動探針台上來特徵化。源極汲極電壓(VDS)設定在-2V(線性的)或-40V(飽合)以及閘極電壓(VG)由+20V掃描至-60V。測量汲極電流以及由跨導來計算移動率。
OTFT關於該配方之移動率係藉由放置於連接至Keithley SCS 4200半導體分析儀之半自動探針台上來特徵化。源極汲極電壓(VDS)設定在-2V(線性的)或-40V(飽合)以及閘極電壓(VG)由+20V掃描至-40V。測量汲極電流以及由跨導來計算移動率。
於線性的轄域，當|VG|>|VDS|時，源極-汲極電流隨VG線性變化。因而場效移動率(μ)能由方程式1(Ci為每單位面積之電容，W為通道寬度以及L為通道長度)提供之IDS之梯度(S)VS.VG來計算：
於飽合的轄域，移動率係藉由找出IDS 1/2之斜率VS.VG以及解答移動率(方程式2)來決定
判定分子量和分子量分布的方法
凝膠滲透層析(GPC)分析進行於一種Waters Alliance 2695儀器連同一種Waters 2414折射指數(RI)偵測器，其使用 一種用四氫呋喃洗提之Agilent PL gel 5μm Mixed-D 300 x 7.5mm管柱。校正係使用Agilent “EasiVial”聚苯乙烯標準(PL2010-0400)來執行
實施例 1.製備雙(Preparation of bi) 2. s(N-4-氯苯)-2-甲氧苯胺(化合物1)(s(N-4-chlorophenyl)-2-methoxyphenylamine(Compound 1))
2-甲氧苯胺(Sigma-Aldrich A88182，20.0 g，162 mmol，1 equiv)、1-氯-4-碘苯(96.8 g，406 mmol，2.5 equiv)、銅粉(31.0 g，488 mmol，3.0 equiv)、碳酸鉀(80.8 g，585 mmol，3.6 equiv)、18-冠-6(10.7 g，0.25 equiv，40.6 mmol)和鄰二氯苯(40 mL)的混合物裝入一種經氮氣沖洗的安裝有迪安-斯脫克裝置(包括冷凝器)與溫度計之500 mL圓底燒瓶。將反應混合物加熱至190℃伴隨攪拌。反應係藉由薄層層析法來監控(苯胺的消耗/產品的出現)。當反應完成(48 hrs)時，允許混合物冷卻至室溫。接而混合物係經由惠特曼(Whatman)GF/F濾紙予以過濾以移去無機固體。濾餅係用二氯甲烷(200 mL)清洗。接而將濾液添加至含水(100 mL)的分液漏斗。接而攪動混合物以及分離有機層和含水層。有機層於MgSO4上乾燥、過濾以及濃縮以提供深棕色黏稠 的油。混合物係藉由急速管柱層析法(梯度沖提：20%-50%二氯甲烷配於庚烷內)予以純化以提供灰白色固體。由甲醇再結晶提供產物如無色固體之產物。(25.1 g，73.0 mmol，45%)。1H NMR(500 MHz，CDCl3)7.37-7.00(12H，m，芳族)，3.79(3H，s，OC H 3)。
2.高分子量黏結劑之製備(寡聚物1)
一種安裝有冷凝器、溫度計與氮氣入口之經火焰乾燥的500 mL圓底燒瓶裝入氯化鎳(II)(0.20 g，1.54 mmol)、鋅粉(10.80 g，165 mmol)、2,2’-聯吡啶(0.35 g，2.24 mmol)、三苯膦(7.80 g，29.7 mmol)及無水N,N-二甲基乙醯胺(200 mL)。將混合物加熱至70℃，反應混合物於該溫度顏色變成為深棕色/紅色(形成鎳(0)物種之特徵)。混合物係於70℃攪拌歷時另外的30分鐘。然後以單一裝填方式添加雙(N-4-氯苯)-2-甲氧苯胺(化合物1，20.0 g，58.1 mmol)。在approx.90分鐘之後固體材料開始由反應混合物沉澱。添加甲苯(70 mL)和另一次裝入氯化鎳(II)(0.2 g，1.54 mmol)且於70℃攪拌反應混合物過夜。允許反應混合物冷卻以及接而經由惠特曼第1級濾紙予以過濾。接而將過濾的固體溶解於甲苯(100 mL)之內的。接而逐滴地添加濃鹽酸以毀壞過量的 鋅。接而使相分離以及濃縮有機相以提供淡黃色的半固體。將此溶解於THF(100 mL)之內以及傾注至MeOH(100 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而收集以及乾燥(16.1 g，nav=35，Mn=9555)。
2.1純化
以上所獲得的固體係藉由管柱層析法(矽膠60；洗提液50%二氯甲烷配於庚烷)予以純化。經管柱的餾份接而予以濃縮，溶解於THF(60 mL)之內以及傾注至MeOH(150 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而收集以及乾燥(14.0 g，nav=42，Mn=11466)。層析法/沉澱再重複二次(13.5 g，nav=48，Mn=13104)。
2.2還原(寡聚物2)
甲酸銨(45.0 g)、Pd/C(10% Pd，14.0 g)和水(60 mL)係裝入一種500 mL圓底燒瓶。接而添加配於甲苯(120 mL)內之寡聚物1且將混合物逐步地加熱至85℃歷時8小時。允許混合物冷卻至室溫過夜。添加更多的甲酸銨(20.0 g)和Pd/C(7.0 g)且將混合物加熱至85℃歷時8小時。接而允許混合物冷卻至室溫過夜。催化劑接而係藉由經由矽藻土的塞子而過濾予以移去。將有機層分離、於MgSO4上乾燥、過濾以 及濃縮。混合物係藉由循序的管柱層析法(矽膠60；洗提液50%二氯甲烷配於庚烷)予以純化以及沉澱(溶解於60 mL THF之內，傾注至150 mL MeOH內且過濾)3次。乾燥最終的固體(12.8 g，nav=48，Mn=13104)。
3.低分子量黏結劑之製備(寡聚物3)
一種安裝有冷凝器、溫度計與氮氣入口之經火焰乾燥的500 mL圓底燒瓶裝入氯化鎳(II)(0.20 g，1.54 mmol)、鋅粉(10.80 g，165 mmol)、2,2’-聯吡啶(0.35 g，2.24 mmol)、三苯膦(7.80 g，29.7 mmol)及無水N,N-二甲基乙醯胺(150 mL)。將混合物加熱至70℃，反應混合物於該溫度顏色變成為深棕色/紅色(形成鎳(0)物種之特徵)。混合物係於70℃攪拌歷時另外的30分鐘。然後以單一裝填方式添加雙(N-4-氯苯)-2-甲氧苯胺(化合物1，20.0 g，58.1 mmol)。在2小時之後添加甲苯(200 mL)且使反應冷卻至室溫。逐滴地添加濃鹽酸以毀壞過量的鋅。將有機層分離以及於真空中移去溶劑。所獲得的粗製油接而溶解於THF(60 mL)之內且傾注至MeOH(150 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而收集以及乾燥(15.5 g，nav=11，Mn=3003)。材料接而如以下說明的予以純化。
3.1純化
以上所獲得的固體係藉由管柱層析法(矽膠60；洗提液50%二氯甲烷配於庚烷)予以純化。經管柱的餾份接而予以濃縮，溶解於THF(60 mL)之內以及傾注至MeOH(150 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而收集以及乾燥(12.4 g，nav=14)。層析法/沉澱再重複二次(11.5 g，nav=14，Mn=3822)。
寡聚物3於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數。
配方1
寡聚物3和聚并苯1,(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於1,2,3,4-四氫萘之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s然後1500 rpm歷時20s)。最後Au閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來沉積。
移動率為2.5 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度L=30 μm)。
3.2還原(寡聚物4)
甲酸銨(45.0 g)、Pd/C(10% Pd,14.0 g)和水(60 mL)係裝入一種500 mL圓底燒瓶。接而添加配於甲苯(120 mL)之寡聚物4且將混合物逐步地加熱至85℃歷時8小時。允許混合物冷卻至室溫過夜。添加更多的甲酸銨(20.0 g)和Pd/C(7.0 g)且將混合物加熱至85℃歷時8小時。接而允許混合物冷卻至室溫過夜。催化劑接而係藉由經由矽藻土的塞子而過濾予以移去。將有機層分離、於MgSO4上乾燥、過濾以及濃縮。混合物係藉由循序的管柱層析法(矽膠60；洗提液50%二氯甲烷配於庚烷)予以純化以及沉澱(溶解於60 mL THF之內，傾注至150 mL MeOH內且過濾)3次。乾燥最終的固體(10.2 g，nav=14，Mn=3822)。
4.藉由聚合化2-甲氧苯胺與4,4’-二溴聯苯而製備2-甲氧聚三芳基胺寡聚物(寡聚物5)
2-甲氧苯胺(Sigma-Aldrich A88182，1.54g，12.5 mmol)、4,4’-聯苯(Sigma-Aldrich 229237，7.80g，25 mmol，2eq.)配於甲苯(50 mL)之三級丁醇鈉(NaOtBu)(5.05 g，105 mmol)的混合物係藉由使氮流通經溶液歷時15分鐘而除氣。接而添加Pd2dba3(Sigma-Aldrich 328774，0.06 g，0.15 mol%)和P(tBu)2-o-聯苯(Sigma-Aldrich 638439，0.07 g， 0.65mol%)且將混合物加熱至85℃。在approx.1小時之後HPLC確認寡聚物之存在。添加另一次裝入2-甲氧苯胺(3.08 g，25.0 mmol)和NaOtBu(5.05 g，105 mmol)。在另外的2小時之後添加4,4’-聯苯(7.80g)、Pd2dba3(0.06g)和P(tBu)2-o-聯苯(0.07 g)且使混合物於85℃攪拌過夜。在21小時之總反應時間之後允許混合物冷卻至室溫。混合物係傾注至水(150 mL)內且經由GF/A濾紙予以過濾以及濾餅係用THF(50 mL)予以清洗。將濾液的有機層分離以及用THF(3x30 mL)萃取含水層。將有機層組合、乾燥(MgSO4)、過濾以及濃縮以提供棕色的半固體(15.37 g)。粗產物係溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納(Buchner)漏斗過濾而收集、用甲醇(20 mL)清洗以及吸乾(12.3 g)。固體係藉由用二氯甲烷洗提之乾式管柱層析法予以純化。含產物的餾份係予以濃縮(11.7 g)，使產物溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係藉由使用布赫納漏斗予以過濾而收集以及接而於真空烘箱(40℃)中乾燥過夜來提供如淡黃色非晶形固體之產物(9.35 g)，其係特徵如下：GPC：Mn=2036道耳頓，Nav=7。
寡聚物5於1000 Hz具有3.4 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40 μm為6.3 x 10-6 cm2V-1s-1(線性移動率)和2.4 x 10-5 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率。
4.1：藉由聚合化4-甲氧苯胺與4,4’-二溴聯苯而製備4-甲氧聚三芳基胺寡聚物(2)(寡聚物6)
4-甲氧苯胺(Sigma-Aldrich A88255，3.08 g，25.0 mmol)、4,4’-聯苯(15.60 g，50 mmol，2 eq.)配於甲苯(50 mL)之三級丁醇鈉(10.10 g，105 mmol)的混合物係藉由使氮流通經溶液歷時15分鐘而除氣。接而添加Pd2dba3(0.12 g，0.3 mol%)和P(tBu)2-o-聯苯(0.14 g，1.3 mol%)且將混合物加熱至85℃。在approx.1小時之後，HPLC確認寡聚物之存在。然後添加另一次裝入2-甲氧苯胺(6.16g，50.0 mmol)和NaOtBu(10.10 g，105 mmol)。在另外的2小時之後，添加4,4’-聯苯(15.6 g)、Pd2dba3(0.12 g)和P(tBu)2-o-聯苯(0.14g)且使混合物於85℃攪拌過夜。在18小時之總反應時間之後，允許混合物冷卻至室溫。混合物接而傾注至水(~300 mL)內，經由GF/A濾紙予以過濾，以及濾餅係用THF(50 mL)予以清洗。將濾液的有機層分離以及用THF(3x30 mL)萃取含水層。將有機層組合、乾燥(MgSO4)、過濾以及濃縮以提供棕色的半固體(19.79 g)。使粗產物溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗過濾而收集且用甲醇(30 mL)清洗(16.41 g)。固體係藉由乾式管柱層析法(洗提液：二氯甲烷/THF)予以純化。含產物的餾份係予以濃縮(14.4 g)，使產物 溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係藉由使用布赫納漏斗予以過濾而收集。材料係藉由使用以二氯甲烷(DCM；7.30 g)洗提之乾式管柱層析法予以純化。繼而將產物溶解於THF(50 mL)之內以及沉澱至甲醇(100 mL)內。固體係藉由過濾而收集以及接而於真空烘箱(40℃)中乾燥過夜來提供如淡黃色非晶形固體之產物(6.40 g)，其係特徵如下：GPC Mn=1307道耳頓，Nav=5。
寡聚物6於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40 μm為4.2 x 10-5 cm2V-1s-1(線性移動率)以及1.0 x 10-4 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率。
配方2
寡聚物6和聚并苯1,(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於1,2,3,4-四氫萘之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s然後1500 rpm歷時20s)。最後Au閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來沉積。
移動率為4.00 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度L=30 μm)。
6.還原4-甲氧聚三芳基胺寡聚物以提供寡聚物7
4-甲氧聚合物(寡聚物6,2.50 g)係於一種安裝有冷凝器之3頸圓底燒瓶中溶解於甲苯(20 mL)之內。添加甲酸銨(10.0 g，159 mmol)和活性碳上的Pd(10% Pd，2.5g)且將混合物加熱至65℃。在14小時之後添加另一次裝入甲酸銨(10.0 g，159 mmol)和活性碳上的Pd且使混合物於65℃攪拌歷時另外的6小時。允許混合物冷卻，添加水(20 mL)以及將有機層分離。將有機層於MgSO4上乾燥、過濾以及濃縮以提供變奶油色的半固體(2.31 g)。固體係溶解於THF(30 mL)之內以及寡聚物係藉由緩慢地傾注至甲醇(60 mL)之內伴隨攪拌而沉澱。沉澱的固體係藉由過濾而收集。固體接而藉由乾式管柱層析法(洗提液1：1 DCM：THF)予以純化3次。混合物接而溶解於THF(30 mL)之內且沉澱至甲醇(60 mL)之內以及藉由過濾而收集。(2.20 g)，其係特徵如下：GPC Mn=1313道耳頓，Nav=5。
寡聚物7於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數。
配方3
寡聚物7和聚并苯1(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於1,2,3,4-四氫萘之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然 後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時20s)。最後Au閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來沉積。
移動率為4.5 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度L=30 μm)以及4.1 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度L=4 μm)。
7.雙(N-4-氯苯)-4-甲氧苯胺(化合物2)之製備
4-甲氧苯胺(60.50 g，491 mmol)、1-氯-4-碘苯(292.87 g，1228 mmol)、無水碳酸鉀(244.40 g，1770 mmol)、銅粉(93.66 g，1474 mmol)、18-冠-6醚(32.46 g，123 mmol)和無水鄰二氯苯(o-DCB,100 mL)的混合物裝入安裝有迪安-斯脫克分離器(Dean-Stark trap)、溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之700 mL凸緣燒瓶，以及用氮氣沖洗歷時10 mins。將混合物加熱至170℃以及攪拌(stirred for)。在72小時之後允許混合物冷卻至室溫以及接而經由GF/A濾紙予以過濾。濾餅係用DCM(800mL以及組合的濾液係用水清洗(HPLC等級，250 mL x 2)清洗。組合的含水層係用DCM(200 mL x 2)反萃取、組合以及於MgSO4上乾燥。濾餅係用DCM(150 mL x 2)清洗以及組合的濾液係於真空中濃縮以提供棕色半固體(227.12 g)。粗產物係溶解於庚烷(200 mL)之內以及藉由乾式管柱層析法(梯度沖提：庚烷-10% DCM：庚烷)予以純化提供淡黃色黏稠的油，101.87g。1H NMR(500 MHz，CDCl3)7.16(4H，d，J=8.8 Hz)，7.02(2H，d，J=8.8 Hz)，6.93(4H，d，J=8.8 Hz)，6.84(2H，d，J=8.8 Hz)，3.80(3H，s，OC H 3)。
8.藉由聚合化胺單體而製備4-甲氧聚三芳基胺寡聚物8(如實施例中所製備的2(c))
一種安裝有溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之500 mL凸緣燒瓶係於氮氣沖洗下予以火焰烘乾至100℃，接而允許冷卻至環境溫度。裝入氯化鎳(II)(0.098 g，0.76 mmol)、鋅粉(5.92g，90.61 mmol)、2’-聯吡啶(0.18g，1.13 mmol)、三苯膦(3.94g，15.03 mmol)及無水DMAc(90 mL)以及灰色懸浮液係於20℃攪拌歷時15 mins。接而將混合物加熱至70℃。勃艮地葡萄酒(burgundy)色的催化劑隨著溫度增加而形成。於70℃持續攪拌歷時另外的20 mins以允許催化劑穩定，接而添加配於無水DMAc(10 mL)之4-甲氧單體(實施例2(c)，10 g)的溶液至凸緣燒瓶且持續攪拌歷時4.5 h。在4h之後，固體開始沉澱。允許混合物冷卻至25℃。添 加甲苯(210 mL)且接而使經攪拌的混合物於冰/水浴內冷卻至15℃，繼而逐滴添加濃鹽酸(37%，35 mL)(放熱至30℃)。攪拌混合物歷時10 mins、過濾以及將濾液轉移至分液漏斗。於THF(300 mL)內攪拌濾餅且過濾。此濾液係與來自分液漏斗之有機層組合以及於真空中濃縮以提供黃色半固體(20.33 g)。材料係溶解於THF(60 mL)之內接而緩慢地傾注至甲醇(180 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而單離(6.33 g)以及藉由乾式管柱層析法予以純化(洗提液：THF)。在最終的管柱之後所獲得的固體係溶解於THF(20 mL)之內以及緩慢地傾注至甲醇(60 mL)內，沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗過濾而收集、用甲醇清洗以及吸乾。固體接而於真空烘箱中乾燥來提供如黃色粉末之產物(5.42 g)，其係特徵如下：GPC Mn=2405道耳頓，Nav=9。
寡聚物8於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40 μm有6.0 x 10-5 cm2V-1s-1(線性移動率)以及4.5 x 10-4 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
配方4
寡聚物8和聚并苯1(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於1,2,3,4-四氫萘之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時20s)。最後Au閘極係藉 由陰影遮罩蒸鍍來描繪(described)。
移動率為2.6 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度L=30 μm)。
9. 4-乙氧聚三芳基胺寡聚物(寡聚物9) 藉由聚合化4-乙氧苯胺與4,4’-二溴聯苯而製備4-乙氧聚三芳基胺寡聚物
4-乙氧苯胺(Sigma-Aldrich P14815，1.71g，12.5 mmol)、4,4’-聯苯(7.80 g，25.0 mmol)配於甲苯(50 mL)之三級丁醇鈉(5.05 g，52.6 mmol)的混合物係藉由使氮流通經溶液歷時15分鐘而除氣。接而添加Pd2dba3(0.06 g，0.15 mol%)和P(tBu)2-o-聯苯(0.07 g，0.65 mol%)且將混合物加熱至85℃。在approx.1小時之後HPLC確認寡聚物之存在。然後添加另外量的4-乙氧苯胺(3.42 g，24.9 mmol)和NaOtBu(5.05g，52.6 mmol)。在另外的2小時之後添加4,4’-聯苯(7.80g，25.0 mmol)、Pd2dba3(0.06 g，0.15 mol%)以及P(tBu)2-o-聯苯(0.07 g，0.65 mol%)且使於85℃攪拌混合物過夜。在20小時之總反應時間之後允許混合物冷卻至室溫。混合物接而傾注至水(~300 mL)內。混合物係經由GF/A濾紙予以過濾以及濾餅係用甲苯(50 mL)予以清洗。將濾液 的有機層分離以及用甲苯(3 x 30 mL)萃取含水(aqueous)。將有機層組合、於MgSO4上乾燥、過濾以及濃縮以提供棕色的半固體(18.20 g)。粗產物係溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗過濾而收集以及吸乾(13.56 g)。固體係藉由乾式管柱層析法予以純化(洗提液：二氯甲烷)。含產物的餾份係予以濃縮，產物(10.92 g)係溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾(惠特曼1號濾紙)而收集。固體接而於真空烘箱(40℃)中乾燥過夜來提供如奶油色的非晶形固體之產物(8.10 g)，其係特徵如下：GPC Mn=1539道耳頓，Nav=5。。
寡聚物9於1000 Hz具有3.7 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40=μm有6.2 x 10-6 cm2V-1s-1(線性移動率)以及1.0 x 10-6 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
配方5
寡聚物9和聚并苯1(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於溴之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s然後1500rpm歷時20s)。最後Au閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來描繪(described)。
移動率為3.1 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度100 μm)。
10.雙(N-4-氯苯)-2,4-二甲氧苯胺(化合物3)之製備
2,4-二甲氧苯胺(TCI Europe D1982，60.00g，391 mmol)、1-氯-4-碘苯(233.51g，979 mmol)、無水碳酸鉀(194.89g，1410 mmol)、銅粉(71.48g，1.12 mmol).22g，1089、18-冠-6醚(25.88g，97.9 mmol)及無水o-DCB(100 mL)的混合物裝入安裝有迪安-斯脫克分離器(Dean-Stark trap)、溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之700 mL凸緣燒瓶，以及用氮氣沖洗歷時10 mins。將混合物加熱至170℃之間。在3 hr之後允許混合物冷卻至室溫，添加DCM(500 mL)以及混合物係經由GF/A濾紙予以過濾。濾餅係用DCM(200 mL)予以清洗。組合的濾液係用水(250 mL x 2)清洗以及組合的含水層係用DCM(200 mL x 2)反萃取。將有機層組合、於MgSO4上乾燥(30 mins)以及過濾。濾餅係用另外的DCM(150 mL x 2)清洗以及組合的濾液係於真空中濃縮以提供棕色半固體(181.11 g)。粗產物係乾燥裝填於矽膠之上以及藉由乾式急速管柱層析法(梯度沖提：庚烷-15% DCM：庚烷)予以純化以提供無色固體(72.95 g)。產物係由庚烷予以再結晶以提供無色結晶固體(62.89 g，43%)。1H NMR(500 MHz)7.13(2H，d，J=8.8 Hz)，7.06(2H，d，J=9.0 Hz)，6.89(2H，d， J=8.8 Hz)，6.54(1H，d，J=2.5 Hz)，6.49(2H，m)，3.83(3H，s)，3.65(3H，s)。
11.藉由聚合化胺單體化合物3而製備2,4-Di甲氧聚三芳基胺寡聚物(10)
一種安裝有溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之500 mL凸緣燒瓶係於氮氣沖洗下予以火焰烘乾至100℃，接而允許冷卻至環境溫度。裝入氯化鎳(II)(0.10 g，0.76 mmol)、鋅粉(5.91 g，90.6 mmol)、2’-聯吡啶(0.18 g，1.13 mmol)、三苯膦(3.93 g，15.03 mmol)及無水DMAc(90mL)以及灰色懸浮液係於20℃攪拌歷時15 mins。接而將混合物加熱至70℃，在15 mins的期間反應混合物顏色變成勃艮地葡萄酒色(形成Ni(0)物種之指示)。於70℃持續攪拌歷時另外的20 mins以允許催化劑穩定，接而添加2,4-二甲氧單體(實施例4(a))(10.94 g，29.2 mmol)的溶液至凸緣燒瓶且持續攪拌歷時5.5h。允許混合物冷卻至25℃。添加甲苯(100 mL)且使經攪拌的混合物於冰/水浴內冷卻至15℃，繼而逐滴添加濃鹽酸，37%(35 mL)(放熱至30℃)。攪拌混合物歷時10 mins、過濾以及將濾液轉移至分液漏斗。將有機層分離以及接而於真空下濃縮以提供綠色的半固體(13.91 g)。此係溶 解於THF(40 mL)之內以及沉澱至MeOH(120 mL)之內。固體係於抽吸下使用布赫納漏斗過濾而單離以及濾餅係用MeOH(60 mL)清洗。固體接而於真空烘箱中乾燥(9.37 g)。固體係藉由乾式管柱層析法(洗提液THF)予以純化3次以提供如黃色粉末之產物(8.05 g)，其係特徵如下：GPC Mn=4643道耳頓，av=15。
寡聚物10於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40 μm有3.9 x 10-5 cm2V-1s-1(線性移動率)以及2.3 x 10-4 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
12.藉由聚合化3,4,5-三甲氧苯胺與4,4’-二溴聯苯而製備3,4,5-三甲氧聚三芳基胺寡聚物(寡聚物11)
3,4,5-三甲氧苯胺(Fluorochem 008860，2.28g，12.6 mmol)、4,4’-聯苯(7.80 g)配於甲苯(50 mL)之三級丁醇鈉(5.05g)的混合物係藉由氮流通經溶液歷時15分鐘而除氣。接而添加Pd2dba3(0.06 g)和P(tBu)2-o-聯苯(0.07 g)且將混合物加熱至85℃。在approx.1小時之後，HPLC確認寡聚.物之存在。然後添加另外量的4-乙氧苯胺(3.42 g)和NaOtBu(5.05 g)。在另外的2小時之後添加4,4’-聯苯(7.8 g)、Pd2dba3(0.06 g)和P(tBu)2-o-聯苯(0.07 g)且使混合物於85℃攪拌過夜。在 20小時之總反應時間之後允許混合物冷卻至室溫以及傾注至水(~300 mL)內。混合物係經由GF/A濾紙予以過濾以及濾餅係用甲苯與THF予以清洗。將濾液的有機層分離以及用THF(3 x 30 mL)萃取含水(aqueous)。將有機層組合、乾燥(MgSO4)、過濾以及濃縮以提供棕色的半固體(21.23 g)。粗產物係溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾(惠特曼1號濾紙)而收集以及吸乾(15.17 g)。固體係藉由管柱層析法(洗提液：二氯甲烷接著THF)予以純化。THF餾份係予以濃縮(10.0 g)。產物係溶解於THF(50 mL)之內以及逐滴地添加至甲醇(100 mL)內。沉澱的固體係藉由過濾而收集(9.6 g)。此材料再次藉由乾式管柱層析法(洗提液THF)予以純化，所收集的餾份係予以濃縮，溶解於THF(50 mL)之內以及傾注至甲醇(100 mL)內。固體係藉由過濾而收集以及接而於真空烘箱(40℃)中乾燥過夜來提供如奶油色的非晶形固體之產物(7.3g)，其係特徵如下：GPC Mn=2502道耳頓，Nav=8。
寡聚物11於1000 Hz具有3.9 Fm-1的介電係數；於通道長度，L=40 μm有6.0 x 10-6 cm2V-1s-1(線性移動率)以及1.4 x 10-6 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
配方6
寡聚物11和聚并苯1(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於四氫萘之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s然後1500 rpm歷時20s)。最後Al閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來描繪(described)。
移動率為2.0 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度35 μm)。
13.雙(4-氯苯)-4-胺(化合物4)
4-氯苯硼酸(45.00 g，287 mmol)、羥胺鹽酸鹽(23.99 g，345 mmol)、無水碳酸鉀(59.66g，432 mmol)、溴化銅(I)(8.23 g，57 mmol)以及MeCN(500 mL)係裝入一種安裝有雙向適配器、溫度計、頂置式攪拌器與空氣冷凝器之1L 3頸圓底燒瓶。將變藍色的反應混合物加熱至70℃(在大約40 mins之後變成棕色)。在66 h之後，允許棕色的混合物冷卻至室溫，以及接而使用布赫納漏斗予以過濾。濾餅係用乙腈(acetonitrrile)(MeCN，100 mL)和DCM(200 mL)清洗。濾餅接而於DCM(200 mL)內淤漿化歷時10 mins以及經由抽吸使用布赫納漏斗予以過濾。組合的濾液係於真空中蒸.發以提供棕色半固體(22.28 g)。粗產物係溶解於DCM之內以及乾燥裝填於矽膠之上接而藉由乾式管柱層析法，(梯度沖提：10% DCM：庚烷然後20% DCM：庚烷)予以純化提供如棕色固體之產物(10.37 g)。由甲醇再結晶提供產物如黃色 固體之產物(9.29 g，14%)。1H NMR(500 MHz)7.22(4H，d，J=8.7 Hz)，6.96(4H，d，J=8.7 Hz)，5.63(1H，b，NH)。
14.雙(N-4-氯苯)-2-氰基苯胺之製備
雙(4-氯苯)-4-胺(化合物4，3.07g，12.89 mmol)及無水NMP(32 mL)裝入一種安裝有攪拌器(stirrer flea)、氮氣入口/起泡器、水冷凝器、溫度計，與2M NaOH水溶液洗氣器之100mL、3頸圓底燒瓶，接著2-氟苯甲腈與氟化銫。紅色的混合物予以除氣歷時30 mins，以及接而加熱至175℃(反應混合物緩慢地變成為深棕色)。在16 h之後，經由液相層析法(LC)之分析指示反應完成。允許反應混合物冷卻至室溫，以甲苯(190 mL)稀釋於錐形燒瓶內、於硫酸鎂上乾燥(30 mins)以及經由抽吸予以過濾。濾餅係用另外的甲苯(50 mL)清洗以及吸乾。組合的濾液係於真空中蒸發(48℃)，接而在94℃於高真空歷時6.5h，以提供以提供留下(to give to leave)棕色油(4.77 g)。粗產物係由甲醇(45 mL，10 vols)緩慢地再結晶、冷卻至6℃、過濾以及用冷的(-18℃)甲醇(30 mL)清洗。此於真空中乾燥(真空烘箱，40℃，69 h)以提供如棕色針狀物之所欲的產物(3.75g，85%)。1H NMR(600 MHz，CDCl3)7.60(1H，dd，J=7.8 Hz，1.6 Hz)，7.52-7.50(1H， m)，7.24(4H，d，J=8.9 Hz)，7.22-7.17(2H，m)，6.94(4H，d，J=8.9 Hz)。
15.藉由聚合化胺單體(化合物5)而製備2-氰基聚三芳基胺寡聚物(寡聚物12)
一種安裝有溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之250 mL凸緣燒瓶係於氮氣沖洗下予以火焰烘乾至100℃，接而允許冷卻至環境溫度。裝入氯化鎳(II)(0.05 g，0.39 mmol)、鋅粉(3.02 g，46.13 mmol)、2,2’-聯吡啶(0.090 g，0.58 mmol)、三苯膦(2.00 g，7.65 mmol)及無水DMAc(80 mL)以及灰色懸浮液係於20℃攪拌歷時25 mins。接而將混合物加熱至70℃(勃艮地葡萄酒色的催化劑隨著加熱混合物而形成)以及保持於70℃歷時另外的30 mins以允許催化劑穩定。添加單體(5.02 g，14.80 mmol)至凸緣燒瓶、用無水DMAc(10 mL)沖洗且持續攪拌歷時22 h。允許混合物冷卻至45℃，接而添加甲苯(90 mL)且使經攪拌的混合物於冰/水浴內冷卻至10℃，繼而逐滴添加濃鹽酸，37%(35 mL)(放熱至25℃；紅色消失，轉成灰色/綠色)。添加THF(80 mL)，攪拌懸浮液歷時15 mins以及接而轉移至分液漏斗。將有機層分離、含水層用THF萃取且濃縮以提供棕色的半固體 (11.21 g)。殘餘物佔去THF(taken up in THF)(56 mL)接而將溶液逐滴添加至快速攪拌的甲醇(260mL)以及沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗予以過濾，濾餅係用甲醇(2 x 40 mL)清洗以及吸乾。濾餅(22.78 g)係於真空烘箱中乾燥以留下黃色粉末(3.66 g)。材料係藉由乾式管柱層析法(洗提液：THF)予以純化3次。所獲得的產物(3.52 g)係溶解於THF(11 mL)之內以及緩慢地傾注至甲醇(33 mL)內。沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗予以過濾，濾餅係用甲醇清洗以及吸乾。固體接而於真空烘箱中乾燥來提供如黃色固體之產物(2.94 g)，其係特徵如下：GPC Mn=2688道耳頓，Nav=8。
寡聚物12於1000 Hz具有3.5 Fm-1的介電係數。於通道長度，L=40 μm有1.9 x 10-6 cm2V-1s-1(線性移動率)以及3.2 x 10-6 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
16.雙(N-4-氯苯)-4-氰基苯胺之製備(化合物6)
一種安裝有溫度計、頂置式攪拌器、雙向適配器氮氣入口/起泡器與水冷凝器之500 mL 3頸圓底燒瓶，係用氮氣沖洗歷時30 mins，接而裝入雙(4-氯苯)-4-胺(實施例6(a)，6.22 g，26.13 mmol)、4-溴苯甲腈(5.23 g，28.75 mmol)、 NaOtBu(3.19g，33.18 mmol)、1,1’-雙(二苯膦)二茂鐵(0.78 g，1.41 mmol)及無水甲苯(280 mL)。紅色/棕色的混合物予以除氣歷時38 mins，以及接而添加Pd2(dba)3(0.43 g，0.47 mmol)且將混合物於氮氣下加熱至80℃。在18hrs之後，添加額外的0.5 equiv.4-溴苯甲腈(2.38 g)。在另外的2小時之後，添加另一次裝入催化劑(Pd2(dba)3，0.43 g)、1,1’-雙(二苯膦)二茂鐵)(0.78 g 1.41 mmol)和NaOtBu(1.27 g)以及加熱持續過夜。在總計41h之後，LC指示反應完成以及允許其冷卻至室溫，以水(250 mL)稀釋，使攪拌歷時10 mins，接而轉移至分液漏斗且允許相分離。移去底部水相且用甲苯(200 mL)反萃取，以及組合的有機萃取物係用鹽水(250 mL)予以清洗、於MgSO4上乾燥(15 mins)且於抽吸下使用布赫納漏斗予以過濾及濾餅係用甲苯(200 mL)清洗。組合的濾液係於真空中蒸發(50℃)以提供紅色/棕色粉末(14.87g)。粗產物係藉由乾式急速管柱層析法(梯度沖提：10% DCM/庚烷至50% DCM/庚烷)予以純化以提供如黃色固體之產物(7.99 g，90%)。1H NMR(600 MHz，CDCl3)7.44(2H，d，J=8.6 Hz)，7.28(4H，d，J=8.6 Hz)，7.04(4H，d，J=8.6 Hz)，6.95(2H，d，J=8.6 z)。
17.藉由聚合化胺單體(化合物6)而製備4-氰基聚三芳基胺寡聚物(寡聚物13)
一種安裝有溫度計、頂置式攪拌器與水冷凝器之250 mL凸緣燒瓶係於氮氣沖洗下予以火焰烘乾至100℃，接而允許冷卻至環境溫度。裝入氯化鎳(II)(0.09 g，0.69 mmol)鋅粉(5.38 g，82.38 mmol)、2,2’-聯吡啶(0.16g，1.03 mmol)、三苯膦(3.58 g，13.66 mmol)及無水DMAc(80 mL)以及灰色懸浮液係於20℃攪拌歷時25 mins。勃艮地葡萄酒色的催化劑於環境的溫度下在15 mins之後形成。接而將混合物加熱至70℃以及保持於70℃歷時另外的30 mins以允許催化劑穩定。添加單體(實施例7(a)，8.96 g)至凸緣燒瓶、用無水DMAc(10 mL)沖洗且持續攪拌歷時5h。允許混合物冷卻至45℃，接而添加甲苯(90 mL)且使經攪拌的混合物於冰/水浴內冷卻至10℃，繼而逐滴添加濃鹽酸，37%(35 mL)(放熱至25℃；混合物的顏色變成灰色/綠色)。添加THF(80 mL)；攪拌懸浮液歷時15 mins以及接而轉移至分液漏斗。將有機層分離、含水層用THF(2 x 40 mL)萃取。將組合的有機萃取物濃縮提供綠色的半固體(21.25 g)。殘餘物佔去THF(taken up in THF)(90 mL)接而將溶液逐滴添加至快速攪拌的甲醇(260 mL)以及沉澱的固體係使用布赫納漏斗予以過濾而收集且用甲醇(2 x 40 mL)清洗。濾餅(40.04 g)係於真空烘箱中 乾燥來提供深黃色粉末(7.11g)。材料係藉由乾式管柱層析法(洗提液：THF)予以純化3次。所獲得的產物(3.52 g)係溶解於THF(11 mL)之內以及緩慢地傾注至甲醇(33 mL)之內。沉澱的固體係於抽吸下使用布赫納漏斗過濾而收集且濾餅用甲醇(30 mL)清洗。固體(10.09 g)接而於真空烘箱中乾燥來提供如黃色固體之產物(5.38 g)，其係特徵如下：GPC Mn=3341道耳頓，Nav=10。
寡聚物13於1000 Hz具有3.4 Fm-1的介電係數。於通道長度，L=40 μm有9.1 x 10-7 cm2V-1s-1(線性移動率)以及8.4 x 10-7 cm2V-1s-1(飽和移動率)的移動率
配方7
寡聚物13和聚并苯1(1,4,8,11-四甲基-6,13-雙(三乙基矽基乙烯基)稠五苯)(1：1比率以重量計)係以2%總固形物溶解於1,2-二氯苯之內以及旋轉塗佈(500 rpm歷時5s，然後1500 rpm歷時60s)於圖案化的Au源/汲極之上(用配於異丙醇之10 mM五氟硫酚溶液處理之50 nm厚的Au)。氟聚合物介電質Cytop(Asahi Chemical Co.)係旋轉塗佈於頂部上(500 rpm歷時5s然後1500 rpm歷時20s)。最後Al閘極係藉由陰影遮罩蒸鍍來描繪(described)。
移動率為0.6 cm2V-1s-1(線性移動率，通道長度35 μm)。
比較實施例1 2,4二甲基聚三芳基胺寡聚物
2,4-二甲基聚三芳基胺(Nav=18)係從High Force Research Ltd(Durham,UK)獲得。比較實施例1於1000Hz具 有3.0 Fm-1的介電係數。
A‧‧‧基材
B‧‧‧閘極
C‧‧‧介電層
D‧‧‧半導體層
E‧‧‧源極
F‧‧‧閘極
第1圖為頂接觸/底閘極之圖；第2圖為底接觸/底閘極之圖；第3圖為頂接觸/頂閘極之圖；第4圖為底接觸/頂閘極之圖。
A‧‧‧基材
B‧‧‧閘極
C‧‧‧介電層
D‧‧‧半導體層
E‧‧‧源極

Claims (23)

  1. 一種有機半導體組成物，其包含一聚并苯(polyacene)化合物和一有機黏結劑，其中該有機黏結劑為於1000Hz具有3.4和8.0之間的介電係數(permittivity)之半導體黏結劑；其中該聚并苯化合物為式(4)及(5)化合物： 其中R25、R26和R27係獨立地選自於以下所構成的群組：甲基、乙基和異丙基；且其中R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11係獨立地選自於以下所構成的群組：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基和C6-C20芳基氧基；以及其中該有機黏結劑包含式(6)之單元： 其中Ar1、Ar2和Ar3，其可以為相同的或不同的，設若於不同的重覆單元內各自獨立地代表一個經選擇性取代的C6-40芳族基團(單核或多核)，其中Ar1、Ar2和Ar3 之至少一者係以至少一個極性或更多個極性化基團來取代，並且n=1至20。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該黏結劑於1000Hz具有4.0和6.0之間的介電係數。
  3. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該黏結劑於1000Hz具有3.4和4.5之間的介電係數。
  4. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11獨立地選自於：甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基基團。
  5. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中R1、R4、R8和R11為相同的且為甲基或甲氧基基團且R25、R26和R27為相同的且為乙基或異丙基基團。
  6. 如申請專利範圍第5項之組成物，其中R1、R4、R8和R11為甲基基團且R25、R26和R27為乙基基團，或是其中R1、R4、R8和R11為甲基基團且R25、R26和R27為異丙基基團，或是其中R1、R4、R8和R11為甲氧基基團且R25、R26和R27為乙基基團，或是其中R1、R4、R8和R11為甲氧基基團且R25、R26和R27為異丙基基團。
  7. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中R2、R3、R9和R10係相同且為甲基或甲氧基基團，且R25、R26和R27係相同且為乙基或異丙基基團。
  8. 如申請專利範圍第7項之組成物，其中R2、R3、R9和R10為甲基基團且R25、R26和R27為乙基基團，或是其中R2、R3、R9和R10為甲基基團且R25、R26和R27為異丙基基團，或是其中R2、R3、R9和R10為甲氧基基團且R25、R26和R27為乙基基團，或是其中R2、R3、R9和R10為甲氧基基團且R25、R26和R27為異丙基基團。
  9. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中在該黏結劑上的一個或更多個極性或極性化基團係獨立地選自於以下所構成的群組：硝基、腈基、選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40烷基；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40烷氧基；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C1-C40羧酸基團；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的C2-C40羧酸酯；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的磺酸；選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的磺酸酯；氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基、硫異氰酸基；及選擇性地被硝基、腈基、氰酸基、異氰酸基、硫氰酸基或硫異氰酸基所取代的胺基；以及其等之組合。
  10. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中該一個或更多個極性或極性化基團係獨立地選自於以下所構成的群組：C1-C4氰基烷基、C1-C10烷氧基、腈基、胺基以及其等之組合。
  11. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中該極性或極性化基團係選自於以下所構成的群組：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰甲基、氰乙基、腈基、NH2以及其等之組合。
  12. 如申請專利範圍第9項之組成物，其中Ar1、Ar2和Ar3獨立地選自於以下所構成的群組：C6-10芳基、C7-12芳烷基和C7-12烷芳基，其之任一者可以以獨立地選自於以下的1、2或3個基團來取代：C1-2烷氧基、C1-3氰烷基、CN和其等之混合物，且n=1至10。
  13. 如申請專利範圍第9項之組成物，其中Ar1、Ar2和Ar3均為苯基，該苯基可獨立地以選自於以下的1或2個基團來取代：甲氧基、氰甲基及CN和其等之混合物，以及n=1至10。
  14. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中該有機黏結劑包含選自於下列的結構(G)至(J)之至少一單元：
  15. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該有機黏結劑具有於每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率。
  16. 如申請專利範圍第1項之組成物，其於1000Hz具有3.4和8之間的介電係數。
  17. 如申請專利範圍第1項之組成物，其具有於每公分103至10-8西門子的範圍內之導電率。
  18. 如申請專利範圍第1-3項中任一項之組成物，其中該組成物具有至少0.5cm2V-1s-1的電荷移動率值。
  19. 如申請專利範圍第18項之組成物，其中該組成物具有1.5和8.0cm2V-1s-1之間的電荷移動率值。
  20. 一種形成半導體層的方法，其包含以下步驟：a.混合如申請專利範圍第1-19項中任一項之有機半導體組成物與溶劑以形成半導體層配方； b.沉積該配方至一基材之上；以及c.選擇性地移去該溶劑以形成有機半導體層。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該基材係選自於由聚合性膜及無機的基材所構成之群組。
  22. 一種電子裝置，其包含如申請專利範圍第1至19項中任一項之有機半導體組成物。
  23. 如申請專利範圍第22項之電子裝置，其中該裝置係選自於以下所構成的群組：有機場效電晶體(OFETS)、積體電路、有機發光二極體(OLEDS)、光偵測器、有機光伏打(OPV)電池、感測器、雷射、記憶體元件和邏輯電路。
TW101119304A 2011-05-31 2012-05-30 有機半導體組成物 TWI554542B (zh)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201108864D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Transistors and methods of making them
GB201108865D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Semiconductor compounds
GB201203159D0 (en) 2012-02-23 2012-04-11 Smartkem Ltd Organic semiconductor compositions
KR102091906B1 (ko) 2013-08-28 2020-03-20 스마트켐 리미티드 고분자 유기 반도체 조성물
US9444060B2 (en) 2014-04-29 2016-09-13 Sabic Global Technologies B.V. Synthesis of new small molecules/oligomers with high conductivity and absorption for optoelectronic application
EP3032599A1 (en) 2014-12-12 2016-06-15 Solvay SA Organic semiconductor composition
US10991894B2 (en) 2015-03-19 2021-04-27 Foundation Of Soongsil University-Industry Cooperation Compound of organic semiconductor and organic semiconductor device using the same
EP3070755B1 (en) 2015-03-19 2022-10-12 Soongsil University Research Consortium Techno-Park Method for manufacturing an organic semiconductor composition
CN108780845A (zh) 2016-04-27 2018-11-09 武汉新驱创柔光电科技有限公司 半导体组合物
EP3257849A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-20 Solvay SA Organic semiconductor composition and semiconducting layer obtained therefrom
CN107628924A (zh) * 2017-09-25 2018-01-26 中国科学院化学研究所 一种蒽类衍生物及其制备方法与应用
GB201810710D0 (en) 2018-06-29 2018-08-15 Smartkem Ltd Sputter Protective Layer For Organic Electronic Devices
CN111416039A (zh) 2019-01-07 2020-07-14 纽多维有限公司 制剂和层
GB201919031D0 (en) 2019-12-20 2020-02-05 Smartkem Ltd Sputter protective layer for organic electronic devices
GB202017982D0 (en) 2020-11-16 2020-12-30 Smartkem Ltd Organic thin film transistor
GB202209042D0 (en) 2022-06-20 2022-08-10 Smartkem Ltd An integrated circuit for a flat-panel display

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101346808A (zh) * 2005-12-28 2009-01-14 3M创新有限公司 底栅电极薄膜晶体管
WO2009155106A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 3M Innovative Properties Company Silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE671046A (zh) 1964-10-19 1900-01-01
FR1516746A (fr) 1966-04-20 1968-02-05 Rhone Poulenc Sa Nouveaux dérivés de la phénoxazine et leur préparation
GB1205022A (en) 1966-12-15 1970-09-09 C E Moore & Sons Ltd Improvements relating to printer's make-up tables
US3557233A (en) 1968-03-14 1971-01-19 American Cyanamid Co Aromatic hydrocarbons substituted by phenylethynyl groups
EP1262469B1 (en) 2000-02-29 2012-01-11 Japan Science and Technology Agency Polyacene derivatives and production thereof
GB0028867D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
US6690029B1 (en) 2001-08-24 2004-02-10 University Of Kentucky Research Foundation Substituted pentacenes and electronic devices made with substituted pentacenes
US7098525B2 (en) 2003-05-08 2006-08-29 3M Innovative Properties Company Organic polymers, electronic devices, and methods
US7279777B2 (en) 2003-05-08 2007-10-09 3M Innovative Properties Company Organic polymers, laminates, and capacitors
EP1687830B1 (en) * 2003-11-28 2010-07-28 Merck Patent GmbH Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers
US20070146426A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Nelson Brian K All-inkjet printed thin film transistor
JP2009524226A (ja) * 2006-01-21 2009-06-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機半導体配合物を備える電子短チャネル装置
US8318048B2 (en) * 2007-04-19 2012-11-27 Merck Patent Gmbh Process for preparing substituted pentacenes
GB201108865D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Semiconductor compounds
GB201108864D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Transistors and methods of making them

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101346808A (zh) * 2005-12-28 2009-01-14 3M创新有限公司 底栅电极薄膜晶体管
WO2009155106A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 3M Innovative Properties Company Silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same

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TWI608030B (zh) 2017-12-11

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