TWI552672B - 中央處理器外殼、電子設備、可攜式電子裝置及其降低電磁干擾及散熱的方法 - Google Patents

中央處理器外殼、電子設備、可攜式電子裝置及其降低電磁干擾及散熱的方法 Download PDF

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Description

中央處理器外殼、電子設備、可攜式電子裝置及其降低 電磁干擾及散熱的方法
本發明係有關於一種電子設備，特別是一種降低電磁干擾及散熱的電子設備、可攜式電子裝置及方法。
由電子裝置內件或部件產生之電磁(EM)輻射可中斷電子操作並且致使電子裝置發生故障。此情形正是電磁干擾(EMI)。隨著工作頻率增加並且電子裝置變得更加複雜，電子裝置可能更容易被電磁干擾(EMI)影響。
EMI遮罩通常使用於某個設計中，將電子裝置之一個內件或區段與另一個內件或區段隔離，或者保護電子裝置內件之電路免受外部(包括其他電子部件)的影響。EMI遮罩可焊接至或者夾緊至部件上之觸點上。
為了確保可靠且穩健之電磁密封，EMI遮罩圍起電子裝置之整個電磁輻射內件，例如，中央處理器(CPU)或積體電路。由內件例如CPU產生之熱量將積聚在EMI遮罩中，並且不利地影響內件之效能。EMI遮罩上之開口或孔能用來通風，從而解決了熱量積聚的問題。然而，此些特徵可能會削弱遮蔽效果。因此，需要具有改良之散熱特性以及遮罩EMI效果的EMI遮罩。
一些實施例提供一種EMI遮罩，其中該遮罩經組態以使得屏蔽之一側暴露於熱源中時，整個遮罩大體上均勻地分佈熱量，當該熱源在遮罩的較多暴露於熱源之側與遮罩的較少暴露於熱源之相對側之間產生溫度失衡。在一個示例性實施例中，EMI遮罩包括經組態以遮蔽EMI之第一層以及經組態以散熱之第二層。
一些實施例提供一種包括EMI遮罩之電子設備。
一些實施例涉及一種電子設備，該電子設備包括：用於遮蔽電磁干擾(EMI)並且大體上均勻地散熱之構件；以及電子部件，該電子部件中之至少一者由該遮蔽EMI之構件進行遮蔽EMI或該電子部件發出之EMI被該遮蔽EMI之構件進行遮蔽EMI。構件之一側暴露於產生熱能之電子部件時，該構件大體上均勻地散熱，當該電子部件在構件的較多暴露於電子部件中之側與構件的較少暴露於電子部件中之相對側之間產生溫度失衡。
另一實施例提供一種可攜式電子裝置，例如，膝上型電腦、桌上型電腦、手持式通信裝置等，該電子裝置包括：主機板；中央處理器(CPU)，該中央處理器支撐在該主機板之第一側上；以及EMI遮罩，該EMI遮罩圍繞未被該主機板圍繞之CPU側面，該遮罩包括：經組態以遮蔽EMI之第一層；以及經組態以散熱之第二層，其中該遮罩經組態以遮罩之一側暴露於熱源中時，整個遮罩上大體上均勻地分佈熱量，當該熱源在遮罩較多暴露於熱源之側與遮罩的較少暴露於熱源中之相對側之間產生溫度失衡，其中該遮罩經組態，使得當CPU在一段時間內輸出2.5瓦特的熱能時，其中自CPU傳遞至遮罩的熱量已達到飽和，並且使得CPU在距離遮罩約0.5mm之第一位置處具有攝氏68.5度的表面溫度，遮罩的溫度分佈使得在60×60mm2的遮罩之相對側上 距離第一位置的最近點約為攝氏50度，該遮罩之相對側在幾何學上以第一位置為中心並且背朝遮罩，並且遮罩中在距離最近點最遠的側面上之位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
實施例亦涉及用於降低電子部件之外表面溫度以及減少從電子部件進出之EMI(的EMI遮罩方法。該方法包括以下動作：(a)將熱量自部件傳遞至EMI遮罩，其中該EMI遮罩與該部件處於傳熱連通；(b)在EMI遮罩之平面方向上大體上均勻地驅散自部件傳遞至EMI遮罩的熱量；(c)相對於沒有EMI遮罩之情況，減少自部件進入周圍環境中的EMI。
1‧‧‧EMI遮罩
2‧‧‧EMI遮蔽層
3‧‧‧散熱層
4A‧‧‧界面
5‧‧‧電子部件/熱源
6‧‧‧主機板
8‧‧‧EMI遮罩之主表面
9‧‧‧EMI遮罩之側壁
10‧‧‧外殼
11‧‧‧開口
12‧‧‧絕緣膜
藉由參考附圖，一些實施例之其他功用將在該等實施例之以下詳細描述中變得清晰明白，在附圖中：圖1示意性地圖示了EMI遮罩1之一個實施例的截面圖。該EMI遮罩1包括以下各層：經組態以遮蔽EMI之第一層2以及用於散熱之第二層3，它們在4處接合。
圖2示意性地圖示了EMI遮罩1之另一實施例的截面圖。該EMI遮罩1包括以下各層：經組態以遮蔽EMI之第一層2以及用於散熱之第二層3，它們藉由界面4A接合。
圖3圖示了EMI遮罩1之一個實施例的俯視圖。
圖4示意性地圖示了圖3中之EMI遮罩1以及電氣部件5的截面圖。
圖5示意性地圖示了圖4中的EMI遮罩之一個示例性散熱路徑的截面圖。
圖6示意性地圖示了支撐在主機板6上之EMI遮罩1的截面圖，示出了EMI遮罩1圍繞電子部件5，但未被主機板6圍繞之側面的情況以及工作實例1中的各個檢測點(H、L、M、R及O)。
圖7A至圖7E示意性地圖示了EMI遮罩1之各個實施例。
定義
除非另外指明，否則上文及本發明全文使用的以下術語應理解為具有以下含義。
此處所用之單數形式“一”、“一個”及“該”包括複數引用，除非上下文另有明確指示。
EMI遮罩
如圖1所示，EMI遮罩1之示例性實施例包括經組態以遮蔽EMI之第一層2(或EMI遮蔽層)以及經組態以散熱之第二層3(或散熱層)。
如圖2所示，在另一示例性實施例中，一個或多個界面4A介於EMI遮蔽層2與散熱層3之間。
在一些實施例中，EMI遮蔽層2與散熱層3藉由以下製程中之一種在4處連接：層壓、塗覆(需要一個或多個界面4A)以及電鍍(需要一個或多個界面4A)。在一些實施例中，EMI遮罩1之厚度至少為約10.5μm。在一個實施例中，EMI遮罩1之EMI遮蔽層2與散熱層3之厚度為相同的。在另一實施例中，EMI遮罩1之EMI遮蔽層2與散熱層3之厚度為不同的。
在一個實施例中，如圖7A至7C及圖7D所示，EMI遮罩1包含兩層或多於兩層之EMI遮蔽層2。在一個實施例中，此兩層 EMI遮蔽層2為相同的金屬或材料。在另一個實施例中，此兩層EMI遮蔽層2為不同之金屬或材料。在另一個實施例中，如圖7D及圖7E所示，EMI遮罩1進一步包含一或多層絕緣膜12。在一個實施例中，絕緣膜12面對電子部件/熱源5。
在一個實施例中，藉由以此方式形成EMI遮罩1，EMI遮蔽層2與各向同性散熱層3之並置會達成各向異性導熱性。
如圖3所示，在一個示例性實施例中，EMI遮罩1包括一大體上平坦之主表面8及一個或多個側壁9。在一些實施例中，如圖3所示，在EMI遮罩1之側壁9上具有開口11。在一個示例性實施例中，此等開口用於將EMI遮罩1支撐在主機板6上。在另一示例性實施例中，EMI遮罩1的大體上平坦之主表面8大體上不存在孔或開口11，因此，與在大體上平坦之主表面8上具有孔或開口的EMI遮罩相比，在EMI遮蔽方面更加有效。
參考圖4，在一些實施例中，EMI遮罩1在7處與主機板6直接實體接觸，圍繞未被主機板6圍繞之電子部件5之側面(亦即，為了圍住熱源或電子裝置5之內部部件)。在其他實施例中，EMI遮罩在7處與主機板6間接接觸(亦即，EMI遮罩1定位在與主機板6相距預定間隔處)，並且圍繞未被主機板6圍繞之電子部件5之側面。EMI遮罩1藉由焊接或者藉由夾持構件與主機板6接觸。在一個示例性實施例中，EMI遮罩1之內表面與熱源5之上表面之間的距離(在圖4中用*表示)至少為0.05mm，以避免EMI遮罩1壓塌被圍起之熱源5。
參考圖6，一些實施例在外殼10之內表面與EMI遮罩1之外表面之間的間隙中，於EMI遮罩1之外表面上提供一個或多個加強肋，從而加固了EMI遮罩1。
在一組實施例中，當遮罩1之一側暴露於熱源中時，EMI遮罩1在遮罩1上均勻地分佈熱量，當該熱源在遮罩較多暴露於熱源之側與遮罩較少暴露於熱源之相對側之間產生溫度失衡。
在一個實施例中，EMI遮罩1經組態，一熱源輸出2.5瓦特的熱能並且在距離EMI遮罩1最近，約0.5mm之位置處具有攝氏68.5度的表面飽和溫度，該溫度分佈使得60×60mm2的EMI遮罩1之距離該位置的最近點之相對側約為攝氏50度，該EMI遮罩1之相對側在幾何學上以該位置為中心並且背朝EMI遮罩1，並且EMI遮罩1中在距離該最近點最遠的側面上之位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
在一些實施例中，EMI遮罩1對在約50MHz至約4.2GHz範圍內之EMI具有遮蔽效果，該EMI遮蔽效果處在約88dB至約75dB範圍內。
在一個示例性實施例中，存在一種可攜式電子裝置，例如膝上型電腦，該電子裝置具有殼體/外殼，該殼體/外殼之內部高度小於2吋、小於1.5吋、小於1.0吋、小於0.75吋、小於0.5吋或者在其之間以0.1吋遞增的任何值或值範圍(例如，1.8吋、0.7吋、0.6吋至1.2吋等)，並且具有較大尺寸之寬度及長度，此處詳述之任何或所有部件位於該殼體中，其中各自的高度、寬度及長度以相同方式至少大體上對齊。此種殼體或外殼之實例為具有鍵盤或其他使用者介面的膝上型電腦之底座，其中，在此種示例性殼體之一示例性實施例中，該底座以可拆卸之方式附接至液晶顯示器。
EMI遮蔽層
在一個示例性實施例中，EMI遮蔽層2遮蔽EMI並且大 體上為平坦的。
此處用於描述EMI遮蔽層2或散熱層3之表面的術語“大體上平坦的”指不接觸被EMI遮罩1圍繞的電子部件5之側面的表面。大體上平坦之表面可包括具有各種表面特性之平坦表面，該平坦表面不接觸被EMI遮罩1圍繞的電子部件5之側面。另外，大體上平坦之表面可具有輕微曲度，只要此種曲度不會致使EMI遮罩1接觸被EMI遮罩1圍繞的電子部件5之側面。EMI遮蔽層2或散熱層3的大體上平坦之表面可具有確定的或圓形的邊緣。
在一示例性實施例中，EMI遮蔽層2之厚度等於或大於約0.5μm。在另一示例性實施例中，EMI遮蔽層2具有以下特性中之一者或多者：散熱性、延展性、彈性、成形性或自旋性。
在一個示例性實施例中，EMI遮蔽層2自以下各項中選擇：不鏽鋼、鋁、鎳銀、馬口鐵、鍍錫鋼、黃銅、合金或上述各項之組合。在另一示例性實施例中，EMI遮蔽層2為不鏽鋼。
散熱層
在一個示例性實施例中，散熱層3在整個EMI遮罩1上大體上均勻地散熱並且大體上為平坦的。在一些實施例中，散熱層3在各向異性方向上散熱，亦即，在與散熱層3之主面平行的方向上導熱性較高(平面中導熱性)，並且在與散熱層3之主面垂直的方向上導熱性明顯較低(穿透平面之導熱性)。
在一示例性實施例中，散熱層3之厚度等於或大於約10μm。
在一個示例性實施例中，散熱層3自以下各項中選擇：銅、鋁、鎳銀、馬口鐵、鍍錫鋼、黃銅、合金或上述各項的組合。在另 一示例性實施例中，散熱層3為銅。
界面
界面4A設置在EMI遮蔽層2與散熱層3之間。合適之界面4A包括，但不限於，黏合劑及石墨。該黏合劑為雙面黏合帶，包括壓敏黏合塗層以及防黏襯裡。在至少一些實施例中適用的合適黏合劑之實例包括，但不限於，3M 6T16黏合劑及3M 6602黏合劑，兩者均可自美國的3M公司購得。
在一些實施例中，石墨界面4A可用天然的、合成的或者熱解的石墨顆粒來製備。至少一些實施例中所使用之天然石墨的實例包括，但不限於，可撓性脫層石墨/flexible exfoliated graphite(藉由使用插入該石墨之晶體結構中的物質處理天然之片狀石墨而製成)。石墨片的導熱性為各向異性的。在一示例性實施例中，石墨片之各向異性比率被定義為平面中導熱性與穿透平面導熱性之比率，介於約2至約800之間。石墨片可為約0.01mm至約0.5mm。
絕緣膜
在一示例性實施例中，如參考圖7D及7E，EMI遮罩1進一步包含一絕緣膜12。用於絕緣膜12之適宜材料包括但不限於樹脂、聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯或PET)及聚醯亞胺材料。例示性材料為PET，其厚度大於約0.001mm。可使用所屬領域中所知之各種方法來將該絕緣膜施加到金屬層上，諸如藉由使用熱層壓製程來塗佈，或者藉由黏接。
降低電子部件之外表面溫度以及減少EMI的方法
在一些實施例中，提供降低電子部件之外表面溫度以及使用EMI遮罩1減少自電子部件中產生之EMI的方法。該方法包括以 下動作：(a)將熱量自部件傳遞至EMI遮罩，其中該EMI遮罩與該部件處於傳熱連通；(b)通過EMI遮罩之平面方向，大體上均勻地驅散自部件傳遞之熱量；(c)相對於不存在EMI遮罩之情況，減少自部件進入周圍環境中之EMI。
在一些實施例中，該方法進一步包括以下動作：相對於不存在EMI遮罩之情況，減少自周圍環境進入部件中之EMI。
圖5圖示了EMI遮罩1之一個示例性傳熱路徑，以在EMI遮罩1上均勻地分佈熱量。在一個示例性實施例中，EMI遮罩1在7處與主機板6直接實體接觸，並且圍繞不與主機板6接觸之內部部件5的側面(亦即，為了圍住電子裝置5的內部部件)。在另一示例性實施例中，EMI遮罩1在7處與主機板6間接接觸，並且圍繞未被主機板6圍繞之內部部件5的之側面。主機板6之非限制性實例包括印刷電路板(PCB)，或者由PCB以機械方式支撐並以導電路徑連接之電子部件，亦即，自層壓至非導電基板上之銅片蝕刻出的跡線或信號跡線，將各電子部件電連接。內部或電子部件之非限制性實例包括CPU、GPU、Wifi、功率積體電路、3G或具有100mw以上熱功率之其他晶片組驅動器。
在一個實施例中，內部部件5產生之熱量隨後被傳遞至EMI屏蔽1，其中熱量在EMI屏蔽1之平面方向(亦即，各向異性方向)上傳播。在另一實施例中，內部部件5產生之熱量隨後被傳遞至EMI遮罩1，其中熱量在散熱層3之平面方向(亦即，各向異性方向)上傳播(圖5所示路徑A)。
在一個示例性實施例中，藉由將EMI遮蔽層2與各向同性之散熱層3(例如，銅)並置，散熱變成各向異性的，由此熱量可在散熱層3之平面方向上傳播(圖5所示路徑A)。
在一個示例性實施例中，當EMI遮罩1之一側暴露於具有60℃或更高表面溫度的電子部件中，並且EMI遮罩之另一側暴露於不多於電子部件之50%的熱量中時，，如果EMI遮罩1之溫度分佈比率小於約15%，則EMI屏蔽1均勻地分佈熱量。在另一示例性實施例中，若EMI遮罩1之溫度分佈比率等於或小於約14%、13%、12%、11%、10%、9%、8%、7%、6%、5%、4%、3%、2%或1%或者在其之間以0.1%遞增的任何值或值範圍(例如，約2.5%、約4.5%、約2.6%至約4.6%等)，則EMI遮罩1均勻地分佈熱量。溫度分佈比率定義(基於6cm×6cm之EMI遮罩)如下：(EMI遮罩1之最大測得溫度-EMI遮罩1之最小測得溫度)/EMI遮罩1之最小測得溫度。
在另一示例性實施例中，若EMI遮罩1之最大測得溫度與EMI遮罩1之最小測得溫度的差值等於或小於約10℃、9℃、8℃、7℃、6℃、5℃、4℃、3℃、2℃、1℃及/或在其之間以0.1℃遞增的任何值或值範圍(例如，約2.2℃、約4.4℃、約2.2℃至約3.3℃等)，則EMI遮罩1在遮罩1上均勻地分佈熱量。
以下實例進一步說明了一些實施例。此等實例僅僅意欲為說明性的，而不應被理解為限制性的。
實例1：使用EMI遮罩之熱模型化研究
在此研究中，熱源5被放置成與主機板6直接接觸，並且使用三種類型之EMI遮罩1：1.不具有任何開口之不鏽鋼EMI遮罩(厚度=0.2mm)； 2.不具有任何開口之銅EMI遮罩(厚度=0.2mm)；以及3.不具有任何開口之EMI遮罩，該EMI遮罩包括不鏽鋼層(厚度為以下各項中之至少一者：0.5mm、0.45mm、0.4mm、0.35mm、0.3mm、0.25mm、0.2mm、0.15mm、0.1mm或0.05mm)以及銅層(厚度為以下各項中之至少一者：0.3mm、0.25mm、0.2mm、0.15mm、0.1mm、0.09mm、0.08mm、0.07mm、0.06mm、0.05mm、0.04mm、0.03mm、0.02mm或0.01mm)。
圖6圖示了在此研究中EMI遮罩1相對於熱源5及外殼10的放置。
在此研究中，熱源5為約25.4mm(長度)×25.4mm(寬度)×0.5mm(高度)並且熱功率為約2.5瓦特。EMI遮罩1為約60mm(長度)×60mm(寬度)×1mm(高度)並且介於熱源5與外殼10之間。EMI遮罩1之內表面與熱源5之外表面之間的距離為約0.5mm，並且EMI遮罩1之外表面與外殼10之內表面之間的距離為約2mm。
在研究開始之前，熱源5被預熱至80℃。2小時之後，使用溫度計(YOKOGAWA DX-2048，日本東京)量測溫度。溫度係在圖6中之點H、L、M、R及O點處測得的。研究結果總結於表1至表4中。
表1.使用3種不同EMI遮罩之情況下點H處的熱源溫度。
表2.使用3種不同EMI遮罩之情況下點L、M及R處的 EMI遮罩的溫度。
表3.使用3種不同EMI遮罩之情況下點O處的外殼溫度。
表4.在各種電磁頻率下的3種不同EMI遮罩之EMI遮蔽效果。
結果顯示，根據一個實施例之不鏽鋼+銅EMI遮罩具有約4.6%之溫度分佈比率，並且與不鏽鋼EMI遮罩或銅EMI遮罩相比，在散熱方面更加有效。另外，使用根據一個實施例之不鏽鋼+銅EMI遮罩，熱量在EMI遮罩上均勻地分佈。此情形藉由2小時時在EMI遮罩上之較小溫差(自約0.7℃至約2.3℃)來說明。另外，根據一個實施例之不鏽鋼+銅EMI遮罩能夠有效地遮蔽EMI。
1‧‧‧EMI遮罩
2‧‧‧EMI遮蔽層
3‧‧‧散熱層
4‧‧‧接合處

Claims (25)

  1. 一種電子部件外殼，其包括：一電磁干擾(EMI)遮罩，該EMI遮罩包括：經組態以遮蔽EMI之一第一層；以及經組態以散熱之一第二層，該第二層包含一大體上平坦之表面及由其延伸之一個或多個側壁；其中該遮罩經組態以使得在對應該第二層之該遮罩之一側暴露於一熱源時，整個該遮罩大體上均勻地分佈熱量，當該熱源於該遮罩較多暴露於該熱源之側與該遮罩較少暴露於該熱源之一相對側之間產生溫度失衡，而該第二層之該一個或多個側壁由該平坦之表面朝該熱源延伸，且設置得比該第一層更接近該熱源。
  2. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該EMI遮罩包括一大體上平坦之主表面及一個或多個側壁。
  3. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該第一層為大體上平坦的。
  4. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該第一層為一不鏽鋼層。
  5. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該第二層經組態以各向異性地散熱。
  6. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該第二層為一銅層。
  7. 如請求項2所述之電子部件外殼，其中該EMI遮罩的該大體上平坦之主表面大體上不存在開口。
  8. 如請求項1所述之電子部件外殼，其進一步包括該第一層與該第二層之間的一個或多個界面。
  9. 如請求項2所述之電子部件外殼，其中當該遮罩之一側暴露於具有至少60℃或更高之表面溫度的熱源中，並且該遮罩之另一側暴露於不多於自該熱源產生的50%之熱能中時，該EMI遮罩具有小於約15%之溫度分佈比率。
  10. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該遮罩經組態使得該遮罩之一側暴露於一熱源時，該遮罩大體上均勻地分佈熱量，當該熱源於該遮罩面對該熱源之一側與該遮罩之一相對側之間產生溫度失衡。
  11. 如請求項1所述之電子部件外殼，其中該遮罩經組態，使得一熱源輸出2.5瓦特之熱能並且在距離該遮罩最近且距離該遮罩約0.5mm之一位置處具有攝氏68.5度的表面溫度，該溫度分佈使得60×60mm2的該遮罩之一相對側上距離該位置的最近點約為攝氏50度，該遮罩之相對側在幾何學上以該位置為中心並且背朝該遮罩，並且該遮罩中在距離該最近點最遠的側面上之位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
  12. 如請求項11所述之電子部件外殼，其中攝氏68.5度之該表面溫度為該電子設備之飽和溫度。
  13. 如請求項11所述之電子部件外殼，其中對在約50MHz至約4.2GHz範圍內之EMI產生的遮蔽效果處在約88dB至約75dB之範圍內。
  14. 如請求項11所述之電子部件外殼，其中該遮罩之平均厚 度為約0.2mm。
  15. 如請求項11所述之電子部件外殼，其中該熱源面向該遮罩之表面區域為約25mm×25mm。
  16. 一種電子設備，其包括：用於遮蔽電磁干擾(EMI)並且大體上均勻地散熱之一電磁干擾遮罩；以及一電子部件，該電子部件之至少一者藉由該遮蔽之電磁干擾遮罩進行遮蔽EMI或該電子部件發出之EMI被該電磁干擾遮罩遮蔽EMI；其中，用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散熱之該電磁干擾遮罩包括經組態以遮蔽EMI之一第一層以及用於散熱之一第二層，該第二層包含一大體上平坦之表面及由其延伸之一個或多個側壁，該電磁干擾遮罩經組態以使得在對應該第二層之該電磁干擾遮罩之一側暴露於一熱源時，整個該電磁干擾遮罩大體上均勻地分佈熱量，當該熱源於該電磁干擾遮罩較多暴露於該熱源之側與該電磁干擾遮罩較少暴露於該熱源之一相對側之間產生溫度失衡，而該第二層之該一個或多個側壁由該平坦之表面朝該熱源延伸，且設置得比該第一層更接近該熱源。
  17. 如請求項16所述之電子設備，其進一步包括該第一層與該第二層之間的一個或多個界面。
  18. 如請求項16所述之電子設備，其中該用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散熱之電磁干擾遮罩包括一大體上平坦之主表面以及一個或多個側壁。
  19. 如請求項18所述之電子設備，其中該大體上平坦之主表面大體上不存在開口。
  20. 如請求項16所述之電子設備，其中當該電磁干擾遮罩之一側暴露於具有60℃或更高表面溫度之該電子部件中，並且該電磁干擾遮罩之另一側暴露於與不多於該電子部件發出之50%熱能中時，該用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散熱之電磁干擾遮罩具有小於約15%之溫度分佈比率。
  21. 一種降低電磁干擾及散熱的方法，其包括：降低一電子部件之外表面溫度並且減少自該部件產生之EMI，其包括以下動作：(a)將熱量自該部件傳遞至一EMI遮罩，其中該EMI遮罩與該部件處於傳熱連通；(b)在該EMI遮罩之平面方向上大體上均勻地驅散自該部件傳遞至該EMI遮罩的熱量；以及(c)相對於不存在該EMI遮罩之情況，減少自該部件進入周圍環境中的EMI；其中，該EMI遮罩係包含經組態以遮蔽EMI之一第一層及經組態以散熱之一第二層，該第二層包含一大體上平坦之表面及由其延伸之一個或多個側壁，該EMI遮罩經組態以使得在對應該第二層之該EMI遮罩之一側暴露於一熱源時，整個該EMI遮罩大體上均勻地分佈熱量，當該熱源於該EMI遮罩較多暴露於該熱源之側與該EMI遮罩較少暴露於該熱源之一相對側之間產生溫度失衡，而該第二層之該 一個或多個側壁由該平坦之表面朝該熱源延伸，且設置得比該第一層更接近該熱源。
  22. 如請求項21所述之方法，其中該EMI遮罩與一主機板接觸，並且圍繞未被該主機板圍繞之該電子部件的側面。
  23. 如請求項21所述之方法，其中當該EMI遮罩之一側暴露於具有60℃或更高表面溫度之該電子部件中，並且該EMI遮罩之另一側暴露於不多於該電子部件的50%之熱量中時，該EMI遮罩具有小於約15%之溫度分佈比率。
  24. 如請求項21所述之方法，其進一步包括以下動作：相對於不存在該EMI遮罩之情況，減少自周圍環境進入該部件中的EMI。
  25. 一種可攜式電子裝置，其包括：一主機板；一中央處理器(CPU)，該中央處理器支撐在該主機板之一第一側上；以及一電磁干擾(EMI)遮罩，該EMI遮罩圍繞未被該主機板圍繞之該CPU之側面，該遮罩包括：經組態以遮蔽EMI之一第一層；以及經組態以散熱之一第二層；其中該遮罩經組態以在該遮罩之一側暴露於一熱源中時，在整個該遮罩上大體上均勻地分佈熱量，該熱源在該遮罩較多暴露於該熱源之側與該遮罩較少暴露於該熱源中之一相對側之間產生溫度失衡，其中該遮罩經組態，使得當該CPU 在一段時間內輸出2.5瓦特的熱能時，其中自該CPU傳遞至該遮罩的熱量已達到飽和，並且使得該CPU在距離該遮罩約0.5mm的一第一位置處具有攝氏68.5度之表面溫度，該遮罩之一溫度分佈使得在60×60mm2的該遮罩之一相對側上距離該第一位置的最近點約為攝氏50度，該遮罩之相對側在幾何學上以該第一位置為中心並且背朝該遮罩，並且該遮罩中在距離該最近點最遠的側面上之位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
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