TWI550393B - 行動裝置散熱結構 - Google Patents

Description

行動裝置散熱結構

一種行動裝置散熱結構，尤指一種可提升手持裝置內部電子元件散熱效率的行動裝置散熱結構。

按，現行移動裝置(諸如薄型筆電、平板、智慧手機等)隨著運算速率越快，其內部計算執行單元所產生之熱量亦相對大幅提升，且其又為了具有能攜帶方便的前提考量下，該等裝置是越作越薄化；此外所述移動裝置為能防止異物及水氣進入內部，該等移動裝置除耳機孔或連接器之設置孔外，甚少具有呈開放之孔口與外界空氣形成對流，故因薄化的先天因素下，該等移動裝置內部因計算執行單元及電池所產生之熱量無法向外界快速排出，且又因為移動裝置之內部呈密閉空間，故甚難產生對流散熱，進而易於移動裝置內部產生積熱或聚熱等情事，嚴重影響移動裝置之工作效率或熱當等問題。

再者，由於有上述問題亦有欲於該等移動裝置內部設置被動式散熱元件諸如熱板、均溫板、散熱器等被動散熱元件進行解熱，但仍由於移動裝置薄化的原因致使裝置內部空間受限，亦此所設置之散熱元件勢必縮減至超薄之尺寸厚度，方可設置於有限之內部空間中，但隨著尺寸受限縮減之熱板、均溫板內部之毛細結構及蒸汽通道因為設置成超薄則因上述之要求受限縮減，令該等熱板、均溫板在整體熱傳導之工作效率上大打折扣，無法有效達到提升散熱效能；因此當移動裝置之內部計算單元功率過高時，習知熱板、均溫板均無法有效的因應對其進行解熱或散熱，故如何在狹窄之密閉空間內設置有效的解熱元件。又，因手持裝置內部第一容置空間狹窄且內部電子元件緊密堆疊設置不易 將電子元件所產生之熱量傳遞至外部散熱，容易積熱於手持式裝置的內部第一容置空間中，則如何進行解熱即為該項業者目前首重之待改良之技術。

爰此，為解決上述習知技術之缺點，本發明之主要目的，係提供一種行動裝置散熱結構，所述行動裝置散熱結構，係包含：一承載體係具有一第一容置空間，該第一容置空間得容設有複數電子元件，該等每一電子元件之一自由端面形成有一散熱層，其中散熱層透過微弧氧化(Micro Arc Oxidation,MAO)或電漿電解氧化(Plasma Electrolytic Oxidation,PEO)、陽極火花沉積(Anodic Spark Deposition,ASD)，火花沉積陽極氧化(Anodic Oxidation by Spark Deposition,ANOF)其中任一方式直接形成於該等每一電子元件之該自由端面，並透過該散熱層達到提升該等電子元件快速散熱之效果者。

1‧‧‧承載體

11‧‧‧第一容置空間

111‧‧‧開放側

112‧‧‧封閉側

12‧‧‧電子元件

121‧‧‧自由端面

13‧‧‧散熱層

第1圖係為本發明行動裝置散熱結構之第一實施例立體分解圖；第2圖係為本發明行動裝置散熱結構之第一實施例組合剖視圖；第3圖係為本發明行動裝置散熱結構之第二實施例剖視圖；第4圖係為本發明行動裝置散熱結構之第三實施例立體圖；第5圖係為本發明行動裝置散熱結構之第四實施例立體圖。

本發明之上述目的及其結構與功能上的特性，將依據所附圖式之較佳實施例予以說明。

請參閱第1、2圖，係為本發明行動裝置散熱結構之第一實施例立體圖 及剖視圖，如圖所示，所述手持裝置散熱結構，係包含一承載體1；所述承載體1係具有一第一容置空間11，該第一容置空間11可被容設有複數電子元件12，該等每一電子元件12之一自由端面121形成有一散熱層13，其中散熱層13透過微弧氧化(Micro Arc Oxidation，MAO)或電漿電解氧化(Plasma Electrolytic Oxidation,PEO)、陽極火花沉積(Anodic Spark Deposition,ASD)，火花沉積陽極氧化(Anodic Oxidation by Spark Deposition,ANOF)其中任一方式直接形成於該等每一電子元件12之該自由端面121；所述承載體1係為一金屬板體，如鋁板、鋁銅合金板體、不鏽鋼板體或其他粉末冶金與塑膠成型之板體者，所述電子元件12係為中央處理器或MCU。

所述第一容置空間11具有一開放側111及一封閉側112，該等電子元件12一側與該封閉側112相對應，另一側與該開放側111相對應，並該等電子元件12與該開放側111對應之一側為開放自由端面121，並所述散熱層13係形成於該側，並透過該散熱層13之設置係可令設置於該第一容置空間11內之該等電子元件12達到快速散熱之效果。

所述散熱層13係為一陶瓷材質或石墨材質或多孔結構或奈米結構體其中任一，所述散熱層12係呈黑色或亞黑色或深色系之顏色其中任一，本實施例係以陶瓷材質作為說明實施例，但並不引以為限，並該陶瓷材質亦可選擇為一種高輻射陶瓷結構或高硬度陶瓷結構其中任一。

請參閱第3圖，係為本發明行動裝置散熱結構之第二實施例剖視圖，如圖所示，本實施例部分結構係與前述第一實施例相同，故在此將不再贅述，惟本實施例與前述第一實施例之不同處為所述電子元件12係為一電池，並於該電池對應該開放側之該自由端面121形成所述散熱層13，並透過該散熱層13達到快速擴散散熱之功效者。

請參閱第4圖，係為本發明行動裝置散熱結構之第三實施例立體圖，如圖所示，本實施例部分結構係與前述第一實施例相同，故在此將不再贅述，惟本實施例與前述第一實施例之不同處為所述電子元件12係為一電晶 體，並於該電晶體對應該開放側之該自由端面121形成所述散熱層13，並透過該散熱層13達到快速擴散散熱之功效者。

請參閱第5圖，係為本發明行動裝置散熱結構之第四實施例立體圖，如圖所示，本實施例部分結構係與前述第一實施例相同，故在此將不再贅述，惟本實施例與前述第一實施例之不同處為所述電子元件12係為一快閃記憶體，並於該快閃記憶體對應該開放側之該自由端面121形成所述散熱層13，並透過該散熱層13達到快速擴散散熱之功效者。

本發明主要係欲解決行動裝置之內部容設會產生熱量之電子元件12之解熱問題，並透過於該等電子元件12對應該開放側之該自由端面121形成具有較佳輻射散熱效果之散熱層13，透過該散熱層13大幅增加該等電子元件12之散熱效率，進而減少該等電子元件12於行動裝置內部產生積熱之問題。

1‧‧‧承載體

11‧‧‧第一容置空間

111‧‧‧開放側

112‧‧‧封閉側

12‧‧‧電子元件

121‧‧‧自由端面

13‧‧‧散熱層

Claims (7)

1. 一種行動裝置散熱結構，係包含：一承載體，係具有一第一容置空間，該第一容置空間容設有複數電子元件，該等每一電子元件之一自由端面形成有一散熱層，其中散熱層透過微弧氧化(Micro Arc Oxidation,MAO)或電漿電解氧化(Plasma Electrolytic Oxidation,PEO)、陽極火花沉積(Anodic Spark Deposition,ASD)，火花沉積陽極氧化(Anodic Oxidation by Spark Deposition,ANOF)其中任一方式直接形成於該等每一電子元件之該自由端面，所述電子元件係為中央處理器或MCU，該散熱層係對該電子元件進行輻射散熱。
2. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述承載體係為一鋁板、鋁銅合金板體、不鏽鋼板體或其他粉末冶金與塑膠成型之板體者。
3. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述散熱層係為一陶瓷材質或石墨材質其中任一。
4. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述散熱層係為一種多孔結構或奈米結構體其中任一。
5. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述散熱層係呈黑色或亞黑色或深色系之顏色其中任一。
6. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述散熱層係為一種高輻射陶瓷結構或高硬度陶瓷結構其中任一。
7. 如申請專利範圍第1項所述之行動裝置散熱結構，其中所述第一容置空間具有一開放側及一封閉側，該等電子元件一側與該封閉側相對應，另一側與該開放側相對應，並該等電子元件與該開放側對應之一側為自由端面並所述散熱層係形成於該側。