TWI543814B - 氫化觸媒及其製造方法 - Google Patents

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TWI543814B
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陳志勇
王振乾
洪啓源
黃麟翔
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國立成功大學
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氫化觸媒及其製造方法
本發明係關於一種氫化觸媒及其製造方法,特別是關於一種具有磁性的氫化觸媒及其製造方法。
一般而言在芳香族化合物氫化系統中常採用金屬觸媒,相較於其他非金屬觸媒的催化反應,不僅乾淨且具有較低的經濟與環境衝擊,此外貴金屬如鈀、釕、銠以及白金,都已被證實在氫氣的環境下是具有高活性的催化觸媒。
舉例來說,拜耳公司在2005年發表的美國專利公告第6,841,626B1號中,使用貴金屬鉑(Pt)及鈀(Pd)作為觸媒,SiO2與Al2O3作為觸媒載體,使用環己烷為溶劑,對聚苯乙烯進行氫化反應,Pt/SiO2在壓力875巴(bar),溫度150℃下氫化率為98.4%,而Pd/Al2O3在壓力100巴,溫度200℃下氫化率為100%。
此外,拜耳公司在2010年發表的中國專利公告第101815575號提到,其觸媒應用於氣相反應中,可將硝基苯氫化為苯胺。該方法是將106.4毫克的氯化鈀(PdCl2)、6毫升的鹽酸(HCl)和294毫升的蒸餾水混合,得到300毫升的氯鈀酸(H2PdCl4)溶液。將15毫升的H2PdCl4溶液與31.5毫升的水 和3.5毫升的甲醇混合,添加33.25毫克的聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP-40),在80℃回流3小時,此為步驟(a)。將0.6毫升的矽酸四乙酯(Tetraethoxysilane,TEOS)與7毫升的乙醇混合。將步驟(a)的混合溶液劇烈攪拌,然後添加乙醇-氨水(NH3)混合物。然後快速添加乙醇-TEOS混合物,在室溫攪拌整晚,經無水乙醇清洗離心後獲得Pd-SiO2奈米顆粒,此為步驟(b)。將0.43克的醇-聚乙二醇醚(如Marlipal)溶解在11克的水製備Marlipal水溶液。將步驟(b)得到的Pd-SiO2奈米顆粒分散到40克乙醇中,並加熱到30℃,將Marlipal水溶液添加到30℃的Pd-SiO2中,加入0.45毫升正丁醇鋯,攪拌4小時後,用水置換該分散體的液相。之後,經900℃鍛燒,此為步驟(c)。將步驟(c)得到的Pd-SiO2-ZrO2顆粒在50毫升,1莫耳的氫氧化納(NaOH)溶液中攪拌3小時,離心分離再以1莫耳的NaOH溶液洗滌。最後室溫下乾燥,為Pd-ZrO2觸媒。
再者,朱月香等人在2011年發表的中國專利編號CN101289365中,將0.12克硝酸四氨合鉑(Pt(NH3)4(NO3)2)和7.4克六水硝酸鈷(Co(NO3)2.6H2O)溶於200毫升去離子水,加入3.5克的SiO2載體,攪拌2小時後,於95℃水浴中乾燥,經550℃高溫鍛燒4小時後得到觸媒。將觸媒置入反應器中,反應器中為氫氮混合氣氛,流量分別為10毫升/分(mL/min)和40毫升/分(mL/min),苯進料流速0.5毫升/小時(mL/hr),反應溫度84℃時,苯的轉換率為63%。
然而,上述氫化觸媒都是將貴金屬附載於氧化鋁(Al2O3)或二氧化矽(SiO2)上,反應後需經過濾程序分離觸媒及產物,當顆粒太細則有不易過濾之缺點。此外,由於白金對於普遍的化學反應是一種非常少見且 昂貴的金屬觸媒,為了增進效益以及節省資源,對於貴金屬觸媒的回收及其回收效率對於製程成本來說是很重要的。
故,有必要提供一種氫化觸媒及其製造方法,可輕易回收具有貴金屬的奈米觸媒,解決習用技術所存在的問題。
本發明之主要目的在於提供一種氫化觸媒,具有貴金屬觸媒高比表面積的奈米鎳線,藉由貴金屬奈米微粒的導入,提高氫化觸媒的催化能力。利用此一具有磁性的氫化觸媒於石化、高分子或特化品之高值化關鍵材料的生產製程中,能夠輕易利用觸媒本身具有的磁性來回收奈米觸媒,解決奈米觸媒難以重複利用的問題,大幅降低材料成本。
本發明之次要目的在於提供一種氫化觸媒的製造方法,先利用化學還原反應,以簡單的磁場誘導配合無電鍍還原之方式,使奈米鎳晶體自組裝排列成一維奈米線結構,形成一具有磁性的載體。隨後,再透過還原劑添加或鎳的自身氧化還原在其表面成長貴金屬奈米微粒。以本發明的氫化觸媒的製造方法,其製造程序單純,不需要複雜的前處理步驟,節省製程成本。
為達上述之目的,本發明的一實施例提供一種氫化觸媒,其包含:一奈米鎳載體;以及一貴金屬奈米微粒,選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合物,其中該貴金屬奈米微粒係連接於該奈米鎳載體的表面上。
在本發明之一實施例中,該奈米鎳載體係具有一維奈米線結構。
在本發明之一實施例中,該奈米鎳載體之比表面積大於或 等於0.2平方米/克(m2/g)。
在本發明之一實施例中,該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的重量百分比為2.5~7%。
在本發明之一實施例中,該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的原子百分比為1.5~2.5%。
在本發明之一實施例中,該氫化觸媒的比表面積係大於或等於3.0平方米/克(m2/g)。
本發明的一實施例另提供一種氫化觸媒的製造方法,其包括步驟:(1)配製一鎳離子水溶液;(2)在該鎳離子水溶液中加入一第一還原劑,以形成一反應溶液;(3)施加一磁場於該反應溶液,進行一第一預設時間的反應,獲得一奈米鎳載體;(4)配製一貴金屬離子水溶液,其包含一貴金屬離子選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合離子;以及(5)將該奈米鎳載體置入該貴金屬離子水溶液中,進行一第二預設時間的反應,使該奈米鎳載體的表面上連接一貴金屬奈米微粒。
在本發明之一實施例中,該步驟(1)係以氯化鎳和去離子水配製該鎳離子水溶液。
在本發明之一實施例中,該第一還原劑為聯胺。
在本發明之一實施例中,該鎳離子水溶液另包含一輔助劑,其選自於酸甲基纖維素、檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。
在本發明之一實施例中,該甲基纖維素相對於該鎳離子水溶液的重量百分比為4~6%。
在本發明之一實施例中,該步驟(1)另包含一步驟(1a):加熱 並攪拌至該輔助劑完全溶解於該鎳離子水溶液中。
在本發明之一實施例中,該磁場為500~5000高斯(G)。
在本發明之一實施例中,該第一預設時間為1~3小時。
在本發明之一實施例中,該步驟(4)係以該貴金屬離子的氯化物和鹽酸配製該貴金屬離子水溶液。
在本發明之一實施例中,該鹽酸的濃度為10N(莫耳/公斤)。
在本發明之一實施例中,該貴金屬離子水溶液另包含一添加劑,其選自於檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。
在本發明之一實施例中,該步驟(4)另包含一步驟(4a):加熱並攪拌至該添加劑完全溶解於該貴金屬離子水溶液。
在本發明之一實施例中,該步驟(5)另包含添加一第二還原劑,以加速該貴金屬奈米微粒的形成。
在本發明之一實施例中,該第二還原劑為聯胺。
在本發明之一實施例中,該第二預設時間為1~3小時。
第1a至1c圖:本發明一實施例所製備之奈米鎳線以掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)觀察的照片(10kV,10,000、50,000、100,000X)。
第2a至2b圖:本發明一實施例之氫化觸媒以掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)觀察的照片(10kV,1,000~100,000X)。其中第2a圖:奈米鎳線成長白金觸媒(從右至左,從 下到上各為1,000、30000、50000、100,000X);第2b圖:奈米鎳線成長鈀觸媒(從右至左,從下到上各為1,000、30000、50000、100,000X)。
第3圖:Pd/Ni氫化觸媒在不同壓力下對甲苯的催化效果比較圖。(■:70公斤氫氣;●:50公斤氫氣;▽:70公斤氫氣,純奈米鎳線催化之實驗對照組)
第4圖:本發明一實施例之氫化觸媒對於對苯二甲酸二甲酯(Dimethyl Terephthalate,DMT)的催化產物以氣相層析質譜儀(GC)分析之圖譜。
第5圖:發明一實施例之氫化觸媒對於鄰苯二甲酸二辛酯(Dioctyl Phthalate,DOP)的催化產物以氣相層析儀(GC)分析之圖譜。
為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂,下文將特舉本發明較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。再者,本發明所提到的單數形式“一”、“一個”和“所述”包括複數引用,除非上下文另有明確規定。例如,術語“一化合物”或“至少一種化合物”可以包括多個化合物,包括其混合物;本發明文中提及的「%」若無特定說明皆指「重量百分比(wt%)」;數值範圍(如10%~11%的A)若無特定說明皆包含上、下限值(即10%≦A≦11%);數值範圍若未界定下限值(如低於0.2%的B,或0.2%以下的B),則皆指其下限值可能為0(即0%≦B≦0.2%);各成份的「重量百分比」之比例關係亦可置換為「重量份」的比例關係。上述用語是用以說明及理解本發明,而非用以限制本發明。
本發明之一實施例提供一種氫化觸媒,其包含:一奈米鎳(Ni)載體;以及一貴金屬奈米微粒,選自於鈀(Pd)、鉑(Pt)、釕(Ru)、銠(Rh) 或其混合物。其中,該貴金屬奈米微粒係連接於該奈米鎳載體的至少一部分表面上。該貴金屬奈米微粒可具有氫化反應的催化能力,因此在氫氣環境中,能使不飽和的碳鏈鍵結(主要為兩碳原子間雙鍵)被轉變為飽和的碳-碳單鍵。該奈米鎳載體可例如是具有一維奈米線(nanowire)結構的奈米鎳線。該奈米鎳載體為奈米鎳線時,其比表面積可大於或等於0.29平方米/克(m2/g),例如0.30、0.32或0.35m2/g,然不限於此。較佳的,該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的重量百分比為2.5~7%,可例如是2.9、3.5或6.4%,然不限於此。較佳的,該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的原子百分比為1.5~2.5%,可例如是1.6、2.1或2.3,然不限於此。此外,該氫化觸媒可具有大於或等於3.0m2/G的比表面積,較佳的具有介於3.5~4.5m2/g的高比表面積,例如3.7或4.3%,然不限於此。
再者,本發明之再一實施例提供一種氫化觸媒的製造方法,其主要包括步驟:(S1)配製一鎳離子水溶液;(S2)在該鎳離子水溶液中加入一第一還原劑,以形成一反應溶液;(S3)施加一磁場於該反應溶液,進行一第一預設時間的反應,獲得一奈米鎳載體;(S4)配製一貴金屬離子水溶液,其包含一貴金屬離子選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合離子;以及(S5)將該奈米鎳載體置入該貴金屬離子水溶液中,進行一第二預設時間的反應,使該奈米鎳載體的一部分表面上連接一貴金屬奈米微粒。本發明將於下文逐一詳細說明該實施例之上述各步驟的實施細節及其原理。
本發明實施例之氫化觸媒的製造方法首先係:(S1)配製一鎳離子水溶液。在本步驟中,可用鎳離子鹽類和去離子水調製該鎳離子水溶液。該鎳離子鹽可例如是氯化鎳、硝酸鎳或氫氧化鎳。此外,該鎳離子 水溶液可另包含一輔助劑,選自於酸甲基纖維素(CMC)、檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。該酸甲基纖維素所添加的比例,以相對於該鎳離子水溶液而言,其重量百分比為4~6%,可例如是4.5、5或6%,然不限於此。該檸檬酸鈉所添加的比例,以相對於該鎳離子水溶液而言,其重量百分比5~9%。該氫氧化鈉所添加的比例,以相對於該鎳離子水溶液而言,其重量百分比0.5~2%。若所添加的該輔助劑為固體,則可另包含一步驟(S1a),加熱並攪拌至該輔助劑完全溶解於該鎳離子水溶液中。
本發明實施例之氫化觸媒的製造方法接著係:(S2)在該鎳離子水溶液中加入一第一還原劑,以形成一反應溶液。該第一還原劑可例如為聯胺或雙氧水。此外,所添加的比例相對於該鎳離子水溶液的重量百分比為3~9%,可例如是3、6或9%,然不限於此。
本發明實施例之氫化觸媒的製造方法接著係:(S3)施加一磁場於該反應溶液,進行一第一預設時間的反應,獲得一奈米鎳載體。在本步驟中,該磁場為500~5000高斯(G)。該第一預設時間為1~3小時,可例如是1、1.5、2或2.5小時,然不限於此。
本發明實施例之氫化觸媒的製造方法接著係:(S4)配製一貴金屬離子水溶液,其包含一貴金屬離子選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合離子。在本步驟中,可用該貴金屬離子鹽類和鹽酸配製該貴金屬離子水溶液。該貴金屬離子鹽可例如是氯化鈀、溴化鈀、硝酸鈀或六氯鉑酸。該鹽酸的濃度可例如是10N(重量莫耳濃度,莫耳/公斤),然不限於此。該貴金屬離子水溶液可另包含一添加劑,選自於檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。所添加的該檸檬酸鈉相對於該貴金屬離子水溶液的重量百分比係5~9%,所 添加的該氫氧化鈉相對於該貴金屬離子水溶液的重量百分比係0.5~2%。若所添加的該輔助劑為固體,則可另包含一步驟(S4a):加熱並攪拌至該添加劑完全溶解於該貴金屬離子水溶液。
本發明實施例之氫化觸媒的製造方法接著係:(S5)將該奈米鎳載體置入該貴金屬離子水溶液中,進行一第二預設時間的反應,使該奈米鎳載體的一部分表面上連接一貴金屬奈米微粒。在本步驟中,該貴金屬奈米微粒係藉由該奈米鎳載體還原該貴金屬離子而形成(即利用兩金屬氧化電位差自身氧化還原,而不用額外添加還原劑,但速度較慢),或可在該貴金屬離子水溶液中添加一第二還原劑,以加速該貴金屬奈米微粒的形成。該第二還原劑可例如為聯胺或雙氧水。此外,該第二還原劑所添加的比例相對於該貴金屬離子溶液,具有重量百分比為3~9%,可例如是3、6或9%,然不限於此。該第二預設時間為1~3小時,可例如是1、1.5、2或2.5小時,然不限於此。
為使本發明之氫化觸媒及其製造方法更明確,請參考下文所述之實際製造流程。然所述氫化觸媒之配製方式僅為範例,並非用於限制該氫化觸媒的組成及其製造方法。
在本發明一較佳實施例中,首先進行該奈米鎳載體的製備:以1.2克的氯化鎳與50毫升的去離子水配製成水溶液,加入2.5克的酸甲基纖維素(CMC),其占總量約為5%。接著在水溶液中依序加入3.5克的檸檬酸鈉和0.4克的氫氧化鈉,於80℃攪拌至固體部分完全溶解。接著加入2毫升的聯胺,形成混合液(a)。將該混合液(a)置入一固定磁場中,進行還原反應2小時。待反應完成後,以70℃去離子水移除CMC,獲得的奈米鎳線則保存 於乙醇中備用。所製造的奈米鎳線以掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)觀察,如第1a至1圖所示。該奈米鎳線以BET法(Stephen Brunauer、Paul Hugh Emmett、Edward Teller所提出的吸附理論,簡稱BET)計算後,具有比表面積約為0.298m2/g。
接著,在該奈米鎳線上成長奈米鉑金屬微粒,完成Pt/Ni氫化觸媒的製造,其流程步驟為:配置六氯鉑酸水溶液,鉑含量為0.4g/100ml。取7.5毫升的六氯鉑酸水溶液和20毫升的去離子水混合,加入0.5克的檸檬酸鈉和0.4克的氫氧化鈉,於60℃攪拌至溶解,形成混合液(b)。將1克的奈米鎳線加入混合液(b)中,並加入12毫升的聯胺,進行還原2小時。待反應完成後,以去離子水反覆清洗後,將奈米鎳線成長鉑觸媒保存於丙酮中。所製造的Pt/Ni氫化觸媒以SEM觀察其生長結構,如第2a圖所示。此外,經由BET法計算該Pt/Ni氫化觸媒的比表面積為4.36m2/g。鉑奈米微粒佔該Pt/Ni氫化觸媒的重量百分比約為6.4%,原子百分比約為2.02%。
可選擇的,在該奈米鎳線上成長奈米鈀金屬微粒,完成Pd/Ni氫化觸媒的製造,其流程步驟為:配置10N鹽酸水溶液100毫升,取1.77克的氯化鈀加入該鹽酸水溶液中,於70℃下攪拌至溶解,製備氯化鈀水溶液。接著取180毫升的氯化鈀水溶液,加入3克的檸檬酸鈉及2.4克的氫氧化鈉,於60℃下攪拌至溶解,形成混合液(c)。將1克的奈米鎳線加入混合液(c)中,並加入12毫升的聯胺,進行還原2小時。待反應完成後,以去離子水反覆清洗後,將奈米鎳線成長鈀觸媒保存於丙酮中。所製造的Pd/Ni氫化觸媒以SEM觀察其生長結構,如第2b圖所示。此外,經由BET法計算該Pd/Ni氫化觸媒的比表面積為3.77m2/g。鈀奈米微粒佔該Pd/Ni氫化觸媒的重量百分比約為 2.93%,原子百分比約為1.64%。
為驗證本發明所提供之氫化觸媒進行氫化反應的催化效果,進行了下述實驗及氫化產物分析。
請參考第3圖,其係Pd/Ni氫化觸媒在不同壓力下對甲苯的催化效果比較圖。其氫化反應式如下:
首先,取50克的甲苯至於反應容器中,加入Pd/Ni氫化觸媒或純奈米鎳線(對照組),含量為甲苯的5%。以每分鐘1000轉的轉速攪拌,通入氮氣曝氣(壓力30~40psi)10~15分鐘去除反應容器中的氧氣。氮氣曝氣後,通入氫氣曝氣(壓力30~40psi)10~15分鐘去除反應容器中的氮氣。氫氣壓力分別設定為70Kg/cm2、50Kg/cm2,反應溫度為180℃,在反應進行不同時間時進行取樣,以氣相層析儀(GC)分析氫化度。反應完成後降溫,洩除氫氣,通入氮氣曝氣(壓力30~40psi)10~15分鐘去除反應容器中的氫氣。隨後,以強力磁鐵分離觸媒與產物,回收率可達96%以上。
從第3圖可見,Pd/Ni氫化觸媒催化甲苯生成甲基環己烷反應,反應溫度在180℃時,當氫氣壓力在70Kg/cm2時,甲苯在100分鐘後可完全反應成甲基環己烷,而當氫氣壓力在50Kg/cm2時,亦可在反應150分鐘後達到完全氫化。而使用純奈米鎳線作為氫化觸媒時,反應幾乎沒有進行。
請繼續參考第4圖,其係Pd/Ni氫化觸媒催化對苯二甲酸二甲酯(Dimethyl Terephthalate,DMT)的催化產物以氣相層析儀(GC)分析之圖 譜。其氫化反應式如下:
除了反應物為7.5克的DMT與42.5克的乙酸乙酯,氫氣壓力設定為60Kg/cm2,反應溫度為200℃,其餘步驟及反應條件與上述甲苯氫化反應相同。在反應180分鐘後,氫化率90%,產物純度為97.36%。觸媒回收率可達96%以上。
請繼續參考第5圖,其係Pd/Ni氫化觸媒催化鄰苯二甲酸二辛酯(Dioctyl Phthalate,DOP)的催化產物以氣相層析儀(GC)分析之圖譜。其氫化反應式如下:
除了反應物為50克的DOP,氫氣壓力設定為60Kg/cm2,反應溫度為200℃,其餘步驟及反應條件與上述甲苯氫化反應相同。在反應完全後,氫化率亦可達到90%以上。觸媒回收率可達96%以上。
此外,利用Pd/Ni氫化觸媒催化聚苯乙烯(polystyrene),除了反應物為5克的聚苯乙烯和45克的環己烷,氫氣壓力設定為200psi,反應溫度為80℃,其餘步驟及反應條件與上述甲苯氫化反應相同。在反應30分鐘後,確認其氫化率為80%以上。
相較於習知技術,依照本發明所提供之氫化觸媒及其製造方法,由於藉由貴金屬奈米微粒的導入,提高氫化觸媒的催化能力,且能 輕易利用觸媒本身具有的磁性來回收奈米觸媒,解決奈米觸媒難以重複利用的問題,大幅降低材料成本。此外,氫化觸媒的製造步驟單純,不需要複雜的前處理,節省製程成本。
雖然本發明已以較佳實施例揭露,然其並非用以限制本發明,任何熟習此項技藝之人士,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種更動與修飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

  1. 一種氫化觸媒,其包含:一奈米鎳載體;以及一貴金屬奈米微粒,選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合物,其中該貴金屬奈米微粒係連接於該奈米鎳載體的表面上,且該奈米鎳載體係具有一維奈米線結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氫化觸媒,其中該奈米鎳載體之比表面積大於或等於0.2平方米/克。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氫化觸媒,其中該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的重量百分比為2.5~7%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氫化觸媒,其中該貴金屬奈米微粒佔該氫化觸媒的原子百分比為1.5~2.5%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之氫化觸媒,其中該氫化觸媒的比表面積係大於或等於3.0平方米/克。
  6. 一種氫化觸媒的製造方法,其包括步驟:(1)配製一鎳離子水溶液;(2)在該鎳離子水溶液中加入一第一還原劑,以形成一反應溶液;(3)施加一磁場於該反應溶液,進行一第一預設時間的反應,獲得一奈米鎳載體,該奈米鎳載體係具有一維奈米線結構;(4)配製一貴金屬離子水溶液,其包含一貴金屬離子選自於鈀、鉑、釕、銠或其混合離子;以及(5)將該奈米鎳載體置入該貴金屬離子水溶液中,進行一第 二預設時間的反應,使該奈米鎳載體的表面上連接一貴金屬奈米微粒。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該步驟(1)係以氯化鎳和去離子水配製該鎳離子水溶液。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該鎳離子水溶液另包含一輔助劑,其選自於酸甲基纖維素、檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該酸甲基纖維素相對於該鎳離子水溶液的重量百分比為4~6%。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該步驟(1)另包含一步驟(1a):加熱並攪拌至該輔助劑完全溶解於該鎳離子水溶液中。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該第一還原劑為聯胺。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該磁場為500~5000高斯。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該第一預設時間為1~3小時。
  14. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該步驟(4)係以該貴金屬離子的氯化物和鹽酸配製該貴金屬離子水溶液。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該鹽酸的濃度為10莫耳/公斤。
  16. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該貴金屬離子水溶液另包含一添加劑,其選自於檸檬酸鈉、氫氧化鈉或其混合物。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該步驟(4)另包含一步驟(4a):加熱並攪拌至該添加劑完全溶解於該貴金屬離子水溶液。
  18. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該步驟(5)另包含添加一第二還原劑,以加速該貴金屬奈米微粒的形成。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該第二還原劑為聯胺。
  20. 如申請專利範圍第6項所述之氫化觸媒的製造方法,其中該第二預設時間為1~3小時。
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