TWI543257B - 以可調整方式修復低介電常數介電損害之方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種藉由蝕刻低介電常數矽基有機介電層而在半導體晶圓上得到結構之方法。
在半導體電漿蝕刻應用中，通常使用電漿蝕刻機來將有機遮罩圖案(例如光阻遮罩圖案)轉印成矽晶圓上之所需薄膜和/或膜疊層(導體或介電絕緣體)的電路和佈線圖案。這是藉由在遮罩圖案之未遮蔽區域中將在光阻材料下層之薄膜(和膜疊層)蝕刻掉而達成。此蝕刻反應係藉由化學活性物種和帶電粒子(離子)所啟動，帶電粒子係藉由激發容納於真空圍場(亦稱為反應室)中之反應物混合物放電而產生。此外，此離子亦藉由氣體混合物和晶圓材料之間產生的電場而朝向晶圓材料加速，以稱為非等向性蝕刻之方式沿著離子軌道方向產生蝕刻材料的定向移除。完成蝕刻程序時，由剝除處理將遮罩材料移除，而留下原始預期遮罩圖案之側面圖案的副本於此位置上。
為依照本發明之目的而達成上述，提供了一種對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中此損害係以鍵結於矽之羥基來取代鍵結於矽之甲基。提供前驅物氣體，其包含：第一修復劑，以Si-(R)x(OR’)y表示，其中y1且x+y=4，而其中R為烷基或芳基且R’為烷基或芳基；以及第二修復劑，以Si-(R)x(OR’)yR”表示，其中y1且x+y=3，而其中R為烷基或芳基、R’為烷基或芳基、且R”為降低了濕式清理化學品與低介電常數介電層間之界面表面張力的取代基。將部份第一修復劑和第二修復劑鍵結至低介電常數介電層以形成第一修復劑和第二修復劑之單體層。
在本發明之另一體現中，提供一種對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中此損害係以鍵結於矽之羥基來取代鍵結於矽之甲基。在受損矽基低介電常數介電層之表面上形成修復層，其中係以Si-C或CH3鍵來取代矽醇(Si-OH)鍵。將修復層暴露於電漿，以用OH基來取代部份CH3基，其降低了濕式清理化學品與低介電常數介電層間之界面表面張力。
在本發明之又一體現中，提供一種修復含有機化合物之矽基低介電常數介電層損害之方法，其中此損害係以鍵結於矽之羥基來取代鍵結於矽之甲基。提供氣體混合物，其包含：催化劑氣體，含有路易士鹼氣體；以及含烷氧矽烷氣體。在矽基低介電常數介電層上鍵結烷氧矽烷之單體層。
以下將更加詳細描述本發明之此等及其它特徵於本發明之詳細敘述中，並連同其隨附之圖式。
本發明將參照如隨附圖式所說明之一些較佳實施例來詳加描述。在以下敘述中，提出許多特定細節以提供對本發明之完整了解。然而，熟悉本技藝者應當了解，本發明可在沒有部份或全部之此等特定細節下加以實施。在其它例子中，習知處理步驟和/或結構未被詳加敘述，以免不必要地混淆本發明。
隨著積體電路裝置之尺寸持續縮小，傳播延遲必須被減小，其可藉由降低周圍介電材料之電容而達成。在本案說明書及申請專利範圍中，低介電常數(low-k)材料被定義為具有小於3.0之介電常數k。此等低介電常數介電材料可為含有用以降低介電常數之有機化合物的矽基材(例如氧化矽)，例如有機矽酸鹽玻璃(organosilicate glass，OSG)和矽酸四乙酯(tetraethylorthosilicate，TEOS)。就矽基低介電常數介電材料而言，此等材料可藉由在低介電常數介電材料中形成奈米孔(nanopores)而產生超低介電常數(k<2.8)，其被稱為奈米孔超低介電常數介電材料。
在半導體先通孔後溝槽(via first trench last，VFTL)雙鑲嵌(dual damascene，DD)製程中，氧化矽基低介電常數材料(其添加有用以提供較低介電常數之有機成分)於蝕刻和阻劑剝除處理期間會暴露於各種反應物下。暴露之低介電常數介電材料經常會被蝕刻/剝除電漿和化學品所損害。一般來說，低介電常數損害包含在材料成分(例如耗盡碳鍵(carbon depletion))、形態(密度或多孔性)、和/或表面特性(例如疏水性到親水性)的改變。受損材料層不再具有所需之介電特性，且可造成裝置產率損失和/或可靠度失效。因此，於低介電常數介電蝕刻/剝除處理期間減低損害已成為半導體製程中最關鍵的挑戰之一。不同於原始(未受損)低介電常數材料，受損材料層可由稀釋HF溶液輕易地移除。藉由量測將樣品浸泡於稀釋HF溶液之後的材料損失，以量化蝕刻和剝除處理之後的低介電常數材料損害，係一常見做法。對於奈米孔超低介電常數介電材料而言，此等損害可能會增加，因為奈米孔增加了損害可能發生於其上之表面積，且會造成損害性自由基在介電膜內的增強擴散。
為減低於低介電常數介電蝕刻和剝除處理期間的損害已經做了努力。先前技術的方法主要是藉由最佳化處理化學、硬體配置、和/或電漿源(例如RF對微波)等等來最佳化蝕刻和剝除處理。這些先前技術的努力僅達成有限的成功。隨著介電常數(k值)持續減小、材料變得更多孔、且關鍵尺寸變得更小，在大部份先進積體電路製程中損害變成一個更加嚴重的問題。
另一先前技術的方法是在低介電常數介電材料的蝕刻和剝除處理之後修復受損材料層。雖然此方法可修復在低介電常數介電材料中的部份損害，此修復可能造成產生之材料層太過疏水，這會限制例如濕式清理處理期間的濕潤度，最終導致裝置失效。
PCT專利申請案第WO 2009/085098A1號(名稱為「Vapor Phase Repair and Pore Sealing of Low-k Dielectric Material」)以參考文獻之方式合併於此，其提供了一種修復處理係先施加催化劑接著施加烷氧矽烷(alkoxysilane)修復劑。
圖1為本發明實施例之高階流程圖，其提供一種調整式修復處理。調整式修復處理修復受損低介電常數介電材料，同時能夠調整出所需之疏水性和親水性的組合。在此實施例中，圖案化有機遮罩係形成於低介電常數介電層之上(步驟104)。圖2A為基板210之橫剖面示意圖，於基板210上配置有低介電常數介電層208，而於低介電常數介電層208之上形成有圖案化有機遮罩204。在基板(晶圓)210與低介電常數介電層208之間可配置一個以上的中間層。可在低介電常數介電層208和圖案化有機遮罩204之間配置一個以上的中間層，例如抗反射塗層。
將基板210放置於製程工具中(步驟108)。圖3為可用於本發明較佳實施例中之製程工具300的頂視示意圖。在此實施例中，製程工具300包含修復室304、複數個電漿處理室(例如蝕刻機308)、和傳輸模組312。將傳輸模組312放置於修復室304與蝕刻機308之間，以使晶圓能夠移進和移出修復室304與複數個蝕刻機308，同時維持真空狀態。
在此實施例中，將基板210放置於製程工具300之傳輸模組312中，其中係建立真空狀態。傳輸模組312將基板210移入蝕刻機308中。在蝕刻機308中，執行蝕刻以形成特徵部於低介電常數介電層中(步驟112)。在此實施例中，接著剝除有機遮罩(步驟116)。圖2B為在已蝕刻特徵部212於低介電常數介電層208中以及已剝除有機遮罩之後，基板210與低介電常數介電層208之橫剖面示意圖。在此實施例中，於蝕刻機308中執行剝除處理。在其它實施例中，剝除工具可與傳輸模組312相連接，在此傳輸模組312將基板210從蝕刻機308移到剝除工具而不會破壞真空狀態。
接著傳輸工具將基板210移到修復室304。在另一實施例中，製程工具300可為具有單一靜電吸盤(用以在蝕刻、剝除和修復處理期間夾住基板210)之單一腔室。
在修復工具中，提供前驅物氣體(步驟120)。前驅物氣體包含第一修復劑，以Si-(R)x(OR’)y表示，其中y1且x+y=4，而其中R為烷基或芳基且R’為烷基或芳基；以及第二修復劑，以Si-(R)x(OR’)yR”表示，其中y1且x+y=3，而其中R為烷基或芳基、R’為烷基或芳基、且R”為相較於R和R’降低了濕式清理化學品與低介電常數介電層間之界面表面張力的取代基。較佳是，R”為氨基、苯基、氰基、氯基、硫醇基、環氧基、乙烯基、或環氮矽基(cyclic azasiline group)。圖4A為靠近帶有OH基之介電層412的前驅物氣體(包含第一修復劑404與第二修復劑408)的示意圖。在修復工具中提供條件以造成部份第一修復劑與第二修復劑鍵結至低介電常數介電層，以形成第一修復劑與第二修復劑之單體層(步驟124)。圖4B為如何從前驅物氣體形成單體層之示意圖。第一和第二修復劑404、408與介電層412在OH基處鍵結。部份第一和第二修復劑404、408亦可形成強化此單體層之側鍵。然後可將基板從製程工具300中移出(步驟128)。
據信前驅物氣體中第一修復劑對第二修復劑之比例應該與形成單體層之第一修復劑對第二修復劑之比例有關。由於第一修復劑係提供疏水性單體層，而第二修復劑係提供較親水之單體層，並可控制第一修復劑對第二修復劑之比例，所以可將產生之單體修復層調整到所需之疏水性和親水性的組合。因此，本發明之此實施例提供了一種調整式修復處理。
實施例
本發明實施例之一較具體之例子為提供其低介電常數介電層208為奈米孔有機矽酸鹽玻璃之基板210。有機遮罩204為多層光阻遮罩，其含有193 nm光阻、有機抗反射塗層、和有機光極化層(步驟104)。
將基板210放置於製程工具300中(步驟108)。
在此例子中，將基板210放置在製程工具300之傳輸模組312中。傳輸模組312將基板210移入蝕刻機308中。在此例子中，於蝕刻機308內，蝕刻特徵部212(圖2B)於低介電常數介電層中(步驟112)並且剝除有機遮罩(步驟116)。可使用習知有機矽酸鹽玻璃蝕刻和光阻剝除處理。
在此例子中，傳輸模組312將基板210移入修復室304中，儘管在其它實施例中剝除、蝕刻和修復可在單一蝕刻機腔室內完成。在此例子中，前驅物氣體供應係提供了二甲基二甲氧基矽烷(dimethyldimethoxysilane)作為第一修復劑，及N-氨丙基三甲氧基矽烷(n-aminopropyltrimethoxysilane)作為第二修復劑。此外，將氨之催化劑氣體與前驅物氣體同時供應。在其它實施例中，催化劑氣體可為任何路易士鹼氣體。更佳是，此催化劑氣體為路易士鹼胺類。提供條件以促進第一修復劑和第二修復劑鍵結至低介電常數介電層。在此例子中，此等條件為140托耳之氣壓和60℃之晶圓溫度。對於較複雜且較高級之胺類，此溫度可較高。
傳輸模組312將基板210從修復室304移出製程工具(步驟128)。
電漿實施例
圖6為使用同步含催化劑之修復前驅物以及修復電漿之另一實施例的流程圖。如先前實施例，有機遮罩係形成於基板上之低介電常數介電層之上(步驟604)。有機遮罩、低介電常數介電層、和基板可與圖2A所示相同。將基板放置於製程工具中(步驟608)，其可為類似圖3之製程工具300的製程工具。將蝕刻特徵部蝕刻於低介電常數介電層中(步驟612)。此等特徵部可類似圖2B所示之特徵部212。剝除有機遮罩(步驟616)。修復介電層(步驟620)。在本實施例之此例子中，以兩個同時執行之步驟來實行修復處理。提供氣體混合物到修復室中(步驟624)。氣體混合物包含催化劑氣體(含有路易士鹼氣體)，且更含有含烷氧矽烷氣體。烷氧矽烷被定義為一個矽原子帶有兩種與其鍵結之基團而形成RnSiX(r-n)，其中R為非水解性有機基團(其可為烷基、芳基、有機官能基、或其組合)，而X為水解性烷氧矽烷基。提供條件以使得烷氧矽烷形成修復單體層於矽基低介電常數介電層上(步驟628)。在其它例子中，可使用其它修復處理以提供修復單體層。本發明此實施例中之此等修復處理係藉由以Si-C或CH3鍵來取代矽醇鍵(Si-OH)而形成修復層於受損矽基低介電常數介電層之表面上。然後使低介電常數介電層接觸非蝕刻性電漿，其利用OH基來取代部份CH3基。此電漿較佳是藉由提供離子轟擊或者是UV或VUV輻射來達成上述作用。可控制此電漿處理的時間和其它參數以控制由OH基所取代之CH3基的百分比。此控制手段提供了一個調整方式，以提供所需之疏水性和親水性之組合(步驟632)。接著將基板從製程工具中移出(步驟636)。
在本實施例之一例子中，使用催化劑氣體和烷氧矽烷氣體之同步混合物，催化劑氣體較佳是路易士鹼胺類。在此例子中，催化劑氣體更佳是胺類，例如氨。在此例子中，烷氧矽烷為二甲基二甲氧基矽烷。圖7A為含有氨氣之催化劑氣體與為二甲基二甲氧基矽烷704之含烷氧矽烷氣體(待提供到含有矽醇之羥基的低介電常數介電層712上)之氣體混合物的示意圖。提供條件以形成單體層。圖7B展示一個氨分子716如何作為催化劑以及與矽醇之羥基形成氫鍵，其增加了羥基之酸性，如δ+和δ-所示。圖7B亦展示另一個氨催化劑720如何與羥基之氫原子形成氫鍵，其增加了羥基之酸性而造成二甲基二甲氧基矽烷分子與羥基間的直接反應。圖7B亦展示烷氧矽烷分子724如何與矽醇鍵結，於此釋放一個氨催化劑且生成一個甲醇分子。因此，路易士鹼能夠物理吸附於與矽鍵結之羥基上，其造成烷氧矽烷之矽與羥基之氧相鍵結。圖7C展示與介電層表面鍵結之烷氧矽烷分子724。因為此鍵結受限於單層，所以這樣的處理會形成單體層。提供最佳條件以形成單體層，較佳是藉由提供條件以造成相鄰甲氧基鍵結相鄰前驅物，如圖7C所示。否則，沒有此等最佳條件，雙甲氧基可垂直聚合，因此形成比單體層厚的材料層。
較佳是在低於60℃之溫度來提供此處理。用於本發明實施例之實際配方為含有體積百分比為63%之二甲基二甲氧基矽烷、體積百分比為30%之NH3、及剩餘部份為N2之氣體組成，在130托耳之總氣壓及55℃之晶圓溫度。
然後將基板上之修復後低介電常數介電層放置於電漿室中以提供疏水性之電漿調整。圖8為電漿處理室800之示意圖，其可用於本發明之較佳實施例以處理修復層。在此實施例中，電漿處理室800包含圍束環802、上電極804、下電極808、氣體源810、和排氣泵820。氣體源810包含惰性氣體源812。可提供其它氣體源814、816以調整修復層或者是執行其它工作，例如剝除光阻。在電漿處理室800內，基板210被放置在下電極808之上。下電極808合併有適用之基板夾盤機構(例如靜電、機械夾持或其類似機構)以支托基板210。反應器頂部828合併有直接面對下電極808而配置之上電極804。上電極804、下電極808和圍束環802定義約束電漿區840。氣體由氣體源810經過進氣口843而被通入約束電漿區，並且藉由排氣泵820經過圍束環802與排氣口而從約束電漿區被排出。排氣泵820形成電漿處理室的氣體出口。第一RF源844與上電極804電性連接。第二RF源848與下電極808電性連接。腔室壁852定義了於其中配置有圍束環802、上電極804和下電極808之電漿圍場。第一RF源844和第二RF源848兩者可包含60 MHz電源、27 MHz電源、和2 MHz電源。RF電源與電極的連接可能有不同組合。由Lam Research CorporationTM製造的A 2300 Exelan Flex EL介電蝕刻系統可用於本發明之較佳實施例。將控制器835可操控式地連接於以下組件：第一RF源844、第二RF源848、排氣泵820、與惰性氣體源812連接之第一控制閥837、與第二氣體源814連接之第二控制閥839、以及與第三氣體源816連接之第三控制閥841。進氣口843將氣體從氣體源812、814、816送入電漿處理圍場。可將噴淋頭與進氣口843相連接。進氣口843可為各個氣體源的一個單一入口、或各個氣體源的一個各別入口、或各個氣體源的複數個入口、或其它可能組合。
圖5A和5B展示電腦系統500，其適合作為製程工具的控制器。此等控制器可用以在不同的處理室之間傳送基板以及在處理室中控制處理步驟。圖5A展示電腦系統的一個可能實體形式，其可作為控制器835。當然，電腦系統可有遍及積體電路、印刷電路板、和從小型手持裝置到大型超級電腦之多種實體形式。電腦系統500包含監視器502、顯示器504、外殼506、磁碟機508、鍵盤510、以及滑鼠512。磁碟514為用以將資料傳送進出電腦系統500的電腦可讀媒體。
[0038]圖5B為電腦系統500之方塊圖的一個例子。依附於系統匯流排520的是類型繁多的子系統。處理器522(通常稱為中央處理單元或CPU)與儲存元件(包含記憶體524)相連接。記憶體524包含隨機存取記憶體(RAM)和唯讀記憶體(ROM)。如在此技藝中所眾所周知，ROM用以將資料和指令單向地傳送到CPU，而RAM基本上以雙向的方式來傳送資料和指令。這兩種記憶體皆可包含以下所述之電腦可讀媒體的任何適當種類。固定磁碟526亦為雙向連接至CPU 522；其提供額外的資料儲存容量，且亦可包含任何以下所述之電腦可讀媒體。固定磁碟526可用以儲存程式、資料及其類似物，且其基本上是比主要儲存媒體慢的次要儲存媒體(例如硬碟)。吾人應當了解，在適當情況下，可將保留在固定磁碟526內的資料以如同虛擬記憶體之標準方式併入記憶體524中。卸除式磁碟514可採取任何如下所述之電腦可讀媒體的形式。
亦可將CPU 522與各種輸入/輸出裝置(例如顯示器504、鍵盤510、滑鼠512和麥克風530)相連接。一般來說，輸入/輸出裝置可為以下任一種：影像顯示器、軌跡球、滑鼠、鍵盤、麥克風、觸控式顯示器、轉換器讀卡機、磁或紙帶讀取機、寫字板、觸控筆、聲音或手寫辨識器、生物測定讀取機、或其它電腦。CPU 522可選擇性地使用網路介面540而連接至另一電腦或電信網路。藉由此等網路介面，吾人可預期到，在執行上述方法步驟的過程中，CPU可從網路接收資料，或可輸出資料到網路。再者，本發明之方法實施例可僅僅在CPU 522上執行或透過網路(例如與分擔部份處理之遠端CPU相連接之網際網路)而執行。
此外，本發明實施例更關於電腦儲存產品，帶有具電腦編碼於其上之電腦可讀媒體，用以執行各種電腦實施之操作。此媒體和電腦編碼可依據本發明之目的而特別設計和製造，或者可以是熟悉電腦軟體技藝者可購得或知悉的類型。實體電腦可讀媒體的例子包含，但不限定於：磁性媒體(例如硬碟、軟磁碟、和磁帶)、光學媒體(例如CD-ROM和全像元件)、磁光學媒體(例如軟磁光碟)、以及特別用以儲存和執行程式碼之硬碟元件(例如特用積體電路(ASIC)、可程式邏輯元件(PLD)、以及ROM與RAM元件)。電腦編碼之例子包含機械碼(例如由編譯器所產生)、和含有由使用翻譯程式之電腦來執行之較高階編碼的檔案。電腦可讀媒體亦可為由體現於載波之電腦資料信號所傳送並且代表處理器可執行之指令序列的電腦編碼。在本發明之一實施例中，可使用相同之電漿處理室來進行蝕刻、剝除和調整修復層。在另一實施例中，亦可使用相同之電漿處理室來進行修復介電層。在另一實施例中，可使用不同的電漿處理室來進行蝕刻和調整修復層。
用於修復層電漿調整處理之一配方例子為在50毫托耳的壓力下對500 sccm之氣流施加50瓦27 MHz之RF功率15秒。較佳是此電漿調整使用主要由惰性氣體組成之調整氣體，其有助於消除化學蝕刻。在另一實施例中，調整氣體主要由惰性氣體和氧氣組成。圖7D展示，就與矽醇鍵結之一烷氧矽烷分子728而言，一個CH3基已由一個OH基732所取代。此等取代的數量可由電漿暴露的時間和其它參數來調整。
在另一實施例中，於剝除有機遮罩之前提供修復層。
在另一實施例中，修復層的形成可使用含有體積流百分比大於50%之CH4的修復氣體，其被詳加描述於美國專利申請案第12/604,224號，名稱為「METHOD FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRIC DAMAGE」，申請日與本案優先權案相同，其全文係以參考文獻之方式合併於此。
儘管本發明已經依數個較佳實施例而加以描述，其可有屬於本發明之範疇的變化、置換、以及各種替代均等物。吾人亦應了解，有許多替代之方法來實施本發明之方法與設備。因此，以下隨附之申請專利範圍應解釋為包含屬於本發明之真實精神與範疇的所有此等變化、置換、以及各種替代均等物。
104．．．提供有機遮罩於低介電常數介電層之上
108．．．放置於製程工具中
112．．．蝕刻特徵部於低介電常數介電層中
116．．．剝除有機遮罩
120．．．提供前驅物氣體
124．．．由前驅物氣體形成單體層
128．．．從製程工具中移出
204．．．有機遮罩
208．．．低介電常數介電層
210．．．基板
212．．．特徵部
300．．．製程工具
304．．．修復室
308．．．蝕刻機
312．．．傳輸模組
404．．．第一修復劑
408．．．第二修復劑
412．．．介電層
500．．．電腦系統
502．．．監視器
504．．．顯示器
506．．．外殼
508．．．磁碟機
510．．．鍵盤
512．．．滑鼠
514．．．卸除式磁碟
520．．．系統匯流排
522．．．處理器
524．．．記憶體
526．．．固定磁碟
530．．．麥克風
540．．．網路介面
604．．．提供有機遮罩於低介電常數介電層之上
608．．．放置於製程工具中
612．．．蝕刻特徵部於低介電常數介電層中
616．．．剝除有機遮罩
620．．．修復介電層
624．．．提供氣體混合物
628．．．鍵結烷氧矽烷單體層於介電層上
632．．．電漿調整修復層
636．．．從製程工具中移出
704．．．二甲基二甲氧基矽烷
712．．．介電層
716．．．氨分子
720．．．氨催化劑
724．．．烷氧矽烷分子
728．．．烷氧矽烷分子
732．．．OH基
800．．．電漿處理室
802．．．圍束環
804．．．上電極
808．．．下電極
810．．．氣體源
812．．．惰性氣體源
814．．．第二氣體源
816．．．第三氣體源
820．．．排氣泵
828．．．反應器頂部
835．．．控制器
837．．．第一控制閥
839．．．第二控制閥
840．．．約束電漿區
841．．．第三控制閥
843．．．進氣口
844．．．第一RF源
848．．．第二RF源
852．．．腔室壁
本發明係依例示方式而非限定方式而於隨附之圖式中加以說明，其中相同元件符號表示相同之元件，其中：
圖1為本發明實施例之流程圖。
圖2A-B為使用本發明處理之特徵部形成的示意圖。
圖3為可用於實施本發明之系統的示意圖。
圖4A-B為修復處理之示意圖。
圖5A-B為可用於實施本發明之電腦系統的示意圖。
圖6為本發明蝕刻處理之另一實施例的流程圖。
圖7A-D為另一修復處理的示意圖。
圖8為可用於實施本發明之系統的示意圖。
104．．．提供有機遮罩於低介電常數介電層之上
108．．．放置於製程工具中
112．．．蝕刻特徵部於低介電常數介電層中
116．．．剝除有機遮罩
120．．．提供前驅物氣體
124．．．由前驅物氣體形成單體層
128．．．從製程工具中移出
Claims (12)
- 一種對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中該損害係以鍵結於矽之一羥基來取代鍵結於矽之一甲基，該方法包含下列步驟：提供一前驅物氣體，該前驅物氣體包含：一第一修復劑，以Si-(R)x(OR’)y表示，其中y1且x+y=4，而其中R為一烷基或芳基且R’為一烷基或芳基；以及一第二修復劑，以Si-(R)x(OR’)yR”表示，其中y>1且x+y=3，而其中R為一烷基或芳基、R’為一烷基或芳基、且R”為降低了一濕式清理化學品與該低介電常數介電層間之界面表面張力的一取代基；以及將部份該第一修復劑和該第二修復劑鍵結至該低介電常數介電層以形成該第一修復劑和該第二修復劑之一單體層。
- 如申請專利範圍第1項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中R”為一氨基、苯基、氰基、氯基、硫醇基、環氧基、乙烯基、或環氮矽基(cyclic azasiline group)。
- 如申請專利範圍第2項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中該矽基低介電常數介電層之上形成有一光阻遮罩，而該方法更包含在將部份該第一修復劑和該第二修復劑鍵結至該低介電常數介電層以形成該第一修復劑和該第二修復劑之該單體層之後，剝除該光阻遮罩。
- 如申請專利範圍第2項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中該矽基低介電常數介電層之上形成有一光阻遮罩，而該方法更包含在提供該前驅物氣體之前，剝除該光阻遮罩。
- 如申請專利範圍第4項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，更包含在形成該光阻遮罩之後和剝除該光阻遮罩之前，將特徵部蝕刻於該矽基低介電常數介電層中。
- 如申請專利範圍第1項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中該鍵結步驟包含提供含有一路易士鹼氣體之一催化劑氣體。
- 如申請專利範圍第6項所述之對含有機化合物之矽基低介電常數介電層提供調整式損害修復之方法，其中該鍵結步驟更包含提供一不含電漿之環境。
- 一種修復含有機化合物之矽基低介電常數介電層損害之方法，其中該損害係以鍵結於矽之一羥基來取代鍵結於矽之一甲基，該方法包含下列步驟：藉由一光阻遮罩來蝕刻該矽基低介電常數介電層；提供一氣體混合物，該氣體混合物包含：一催化劑氣體，含有一路易士鹼氣體；以及一含烷氧矽烷氣體；以及在該矽基低介電常數介電層上鍵結烷氧矽烷之一單體層；以及在鍵結該單體層之後，剝除該光阻遮罩。
- 如申請專利範圍第8項所述之修復含有機化合物之矽基低介電常數介電層損害之方法，其中該鍵結該單體層之步驟包含：提供條件以造成一路易士鹼物理吸附於與矽鍵結之一羥基上，且造成該烷氧矽烷之矽與該羥基之氧相鍵結。
- 如申請專利範圍第9項所述之修復含有機化合物之矽基低介電 常數介電層損害之方法，其中該路易士鹼氣體係一胺類氣體。
- 如申請專利範圍第10項所述之修復含有機化合物之矽基低介電常數介電層損害之方法，其中於提供該氣體混合物期間，晶圓溫度係維持於60℃以下。
- 如申請專利範圍第11項所述之修復含有機化合物之矽基低介電常數介電層損害之方法，其中從該蝕刻步驟之前直到鍵結該單體層之後維持真空狀態。
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| US9397004B2 (en) * | 2014-01-27 | 2016-07-19 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating FinFET integrated circuits with simultaneous formation of local contact openings |
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| KR102328108B1 (ko) | 2015-05-08 | 2021-11-17 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조물, 배선 구조물의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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| KR20180030280A (ko) | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조체를 갖는 반도체 소자 |
| US10655217B2 (en) * | 2018-05-01 | 2020-05-19 | Spts Technologies Limited | Method of forming a passivation layer on a substrate |
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| US7011868B2 (en) | 2000-03-20 | 2006-03-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials |
| KR100797202B1 (ko) | 2000-06-23 | 2008-01-23 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 손상된 실리카 유전 필름에 소수성을 부여하는 방법 및 손상된 실리카 유전 필름 처리 방법 |
| US7541200B1 (en) * | 2002-01-24 | 2009-06-02 | Novellus Systems, Inc. | Treatment of low k films with a silylating agent for damage repair |
| US7005390B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Replenishment of surface carbon and surface passivation of low-k porous silicon-based dielectric materials |
| US6962869B1 (en) | 2002-10-15 | 2005-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | SiOCH low k surface protection layer formation by CxHy gas plasma treatment |
| KR100683416B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-02-20 | 피에스케이 주식회사 | 플라즈마 챔버 시스템 및 이를 이용하여 저유전막을 갖는기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 애싱하는 방법 |
| US7135402B2 (en) | 2005-02-01 | 2006-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy |
| US7678712B2 (en) * | 2005-03-22 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Vapor phase treatment of dielectric materials |
| US7482281B2 (en) * | 2005-09-29 | 2009-01-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
| US20070287301A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-12-13 | Huiwen Xu | Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics |
| US7807219B2 (en) | 2006-06-27 | 2010-10-05 | Lam Research Corporation | Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials |
| US7500397B2 (en) | 2007-02-15 | 2009-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films |
| US20090140418A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Li Siyi | Method for integrating porous low-k dielectric layers |
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