TWI541176B - 用於半導體物件儲存裝置之箱體結構及製造半導體物件儲存裝置的箱體結構的方法 - Google Patents

Description

用於半導體物件儲存裝置之箱體結構及製造半導體物件儲 存裝置的箱體結構的方法

本發明涉及一種半導體物件儲存裝置及其製造方法，尤指一種於一第一側邊形成一進氣通道，且於一第二相對側邊形成一出氣通道，在該第一側邊具一進氣口，且在該第二相對側邊具一出氣口之半導體物件儲存裝置及其製造方法。

在半導體物件儲存裝置中，因儲存著例如光罩、基板與晶圓等半導體物件，因此對其中氣體的純淨度有其一定的要求；以避免在置入與取出半導體物件時，因開啟該半導體物件儲存裝置，導致外在之氣體滲入，或因使用諸如機械手臂等裝置存取該半導體物件，而使所不欲存在之雜質或化學物質被帶入該半導體物件儲存裝置。

通常在完成對該半導體物件儲存裝置中所儲存之半導體物件的存/取動作後，會以純淨氣體輸入該半 導體物件儲存裝置中，以便將在該半導體物件儲存裝置中所包含的不欲存在之雜質、微粒與化學物質等之舊氣體予以排除。

在習知技藝中，常因在半導體物件儲存裝置中的某些處所，例如角落區域，因有渦流等氣流之產生，致使上述該舊有氣體無法被完全排除。因此，如何更徹底地排除上述之該半導體物件儲存裝置中之舊有氣體，以改善該半導體物件儲存裝置中氣體之純淨度，俾能符合半導體物件之儲存標準，是一個值得深思之問題。

職是之故，發明人鑒於習知技術之缺失，乃思及改良發明之意念，終能發明出本案之「半導體物件儲存裝置及其製造方法」。

本案之主要目的在於提供一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括一頂層、一底層以及複數中間層框架，其中該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一進氣通道，且於一第二相對側邊形成一出氣通道，以及各該中間層框架用於儲存一半導體物件，在該第一側邊具一進氣口，而在該第二相對側邊具一出氣口，以確保內部半導體物件安全，維持內部溫度、濕度與潔淨度，使用機械手臂進行開關該箱體結構動作及具有靜電放電(ESD)防護功能，俾能更有 效率地排除半導體物件儲存裝置中的舊有氣體。

本案之又一主要目的在於提供一種半導體物件儲存裝置，包含一箱體結構，該箱體結構包括一頂層，複數中間層框架，各該中間層框架包括一半導體物件放置區、一進氣開口部、一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部被配置於各該中間層框架之外緣且彼此對向配置，俾於該等中間層框架彼此堆疊時分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道，複數進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間，複數出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，俾使一氣體以水平方向進出於各該進氣口及各該出氣口，以及一嵌合構造，用於嵌合上下相鄰的中間層框架，以及一底層。

本案之另一主要目的在於提供一種半導體物件儲存裝置，包括一箱體結構，其中該箱體結構包含複數中間層框架，各該中間層框架包括一半導體物件放置區、一進氣開口部、一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部用以在該等中間層框架彼此堆疊而形成該箱體結構時，分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道，一進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間，以及一出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，其中一氣體以水平方向進出於該進氣口及該出氣口。

本案之下一主要目的在於提供一種半導體物件儲存裝置，包含複數中間層框架，各該中間層框架包括一半導體物件放置區、一進氣開口部、一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部用以在該等中間層框架彼此堆疊時，分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道，一進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間，一出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，其中一氣體以水平方向進出於該進氣口及該出氣口，以及一嵌合構造，用於嵌合上下相鄰的中間層框架。

本案之再一主要目的在於提供一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括複數中間層框架，各該中間層框架包括一半導體物件放置區，佔據各該中間層框架之內緣及各該中間層框架容設的空間，一進氣開口部、一出氣開口部，與該進氣開口部對向配置於該框架之外緣，一進氣口，被配置於貫通該半導體物件放置區與該進氣開口部，一出氣口，被配置於貫通該半導體物件放置區與該出氣開口部，俾使一氣體水平地進出該進氣口及該出氣口，以及一嵌合構造，用於嵌合相鄰的中間層框架。

本案之又一主要目的在於提供一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括一頂層、一底層以及複數中間層框架，其中該頂層、該底層及該等中間層框架 組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一密閉進氣通道，且於一第二相對側邊形成一密閉出氣通道；以及各該中間層框架用於儲存一半導體物件，在該第一側邊具一進氣口，而在該第二相對側邊具一出氣口。

本案之另一主要目的在於提供一種製造一半導體物件儲存裝置的箱體結構的方法，包括提供一頂層；提供一底層；提供複數中間層框架，俾使該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一密閉進氣通道且於一第二相對側邊形成一密閉出氣通道；以及使各該中間層框架在該第一側邊形成一進氣口，且在該第二相對側邊形成一出氣口。

本案之下一主要目的在於提供一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括一頂層、一底層以及複數中間層框架，各該中間層框架係中間鏤空，以增加相鄰兩中間層框架間之氣流流通空間。

1‧‧‧半導體物件儲存裝置

11‧‧‧箱體結構

111‧‧‧頂層

112‧‧‧中間層框架

1120‧‧‧邊框

1121‧‧‧嵌合構造

11211‧‧‧第一嵌合構造

11212‧‧‧第二嵌合構造

1122‧‧‧空隙處

1123‧‧‧進氣開口部

1124‧‧‧出氣開口部

1125‧‧‧進氣口

1126‧‧‧出氣口

1125a‧‧‧上層進氣口

1125b‧‧‧下層進氣口

1125c‧‧‧上層進氣口

1125d‧‧‧下層進氣口

1126a‧‧‧上層出氣口

1126b‧‧‧下層出氣口

1126c‧‧‧上層出氣口

1126d‧‧‧下層出氣口

1127‧‧‧機器手臂抬取位置

1128‧‧‧簍空處

1129‧‧‧半導體物件支撐架

113‧‧‧底層

1131‧‧‧總進氣口

1132‧‧‧總出氣口

1133‧‧‧半導體物件支撐架

1134‧‧‧第三嵌合構造

114‧‧‧垂直進氣通道

115‧‧‧垂直出氣通道

2‧‧‧半導體物件

第一圖：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之示意圖。

第二圖(a)：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之頂層的示意圖。

第二圖(b)：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例 的半導體物件儲存裝置之中間層框架的示意圖。

第二圖(c)：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之底層的示意圖。

第三圖：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之某一中間層框架及其以上部分被向上抬舉時的剖面圖。

第四圖：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上放置一半導體物件時的示意圖。

第五圖：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置當一氣體流經其垂直進氣通道、複數進氣口、複數出氣口及垂直出氣通道時的剖面圖。

第六圖(a)：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上的各該複數進氣口/出氣口皆為一孔穴，且分為上下兩層時的側面圖。

第六圖(b)：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上的各該進氣口/出氣口皆為一長方形開口，且分為上下兩層時的側面圖。

第七圖：其係顯示一依據本發明構想之較佳實施例的 半導體物件儲存裝置當一氣體流經其垂直進氣通道、複數進氣口、複數出氣口及垂直出氣通道且進氣口/出氣口分為上下兩層時的剖面圖。

為了讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：第一圖是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之示意圖。在第一圖中，該半導體物件儲存裝置1中包含一箱體結構11，該箱體結構11包括一頂層111、複數中間層框架112與一底層113。

第二圖(a)是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之頂層111的示意圖。

第二圖(b)是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架112的示意圖。該中間層框架112包括四個半導體物件支撐架1129。

第二圖(c)是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之底層的示意圖。該底層113包括一總進氣口1131、一總出氣口1132與四個半導體物件支撐架1133。

第三圖是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之某一中間層框架及其以上部 分被向上抬舉時的剖面圖。在第三圖中，該半導體物件儲存裝置1之該頂層111、該等中間層框架112與該底層113組成如第一圖所示之該箱體結構11。各該中間層框架112除該半導體物件支撐架1129外，更包括一嵌合構造1121，該嵌合構造1121包括一第一嵌合構造11211及一第二嵌合構造11212。該頂層111亦包括該嵌合構造1121，該底層包括一第三嵌合構造1134。該第一嵌合構造11211與該第二嵌合構造11212被配置於各該中間層框架112與該頂層111之外緣。該第一嵌合構造11211可與一相鄰的上層中間層框架112或該頂層111的第二嵌合構造11212嵌合，且該第二嵌合構造11212可與一相鄰的下層中間層框架112的第一嵌合構造11211或該底層113的該第三嵌合構造1134嵌合。該第一嵌合構造11211與該第二嵌合構造11212間有一空隙處1122是用於讓一機具(例如一機械手臂)或人手抬舉該半導體物件儲存裝置1在該空隙處1122(含)以上之部分。各該中間層框架112更包括一邊框1120。在該邊框1120所示的兩個縫隙是分為上下兩層的進氣口。在該邊框1120的對應左側所示的兩個縫隙則是分為上下兩層的出氣口。在第三圖中，可注意到該頂層111亦具有分為上下兩層的進/出氣口。有關該等進/出氣口容後細述。該底層113亦包括該半導體物件支撐架1133，複數半導體物件2分別放置於該半導體物件 支撐架1129/1133上。

第四圖是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上放置一半導體物件時的示意圖。在第四圖中，該半導體物件2放置於該四個半導體物件支撐架1129上，且一半導體物件放置區是佔據各該中間層框架之內緣及各該中間層框架容設的空間(請參看該半導體物件2所涵蓋之一區域)。此外，如第四圖所示，該中間層框架112更包括一進氣開口部1123、一出氣開口部1124、一進氣口1125、一出氣口1126(亦可有複數進氣口與複數出氣口)與一機器手臂抬取位置1127。另，該中間層框架112在該半導體物件放置區的中間下方為一簍空處1128。

第五圖是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置當一氣體流經其垂直進氣通道、複數進氣口、複數出氣口及垂直出氣通道時的剖面圖。該半導體物件儲存裝置1包括一如第一圖所示之該箱體結構11，該箱體結構11由該頂層111、該等中間層框架112與該底層113堆疊形成，各該進氣口水平地貫通該垂直進氣通道114，且各該出氣口水平地貫通該垂直出氣通道115，該底層113包括一如第二圖(c)所示之總進氣口1131與一總出氣口1132，該氣體經由該總進氣口1131輸 入該箱體結構11，經由該底層113而流至該垂直進氣通道114，並流經該等進氣口、各該半導體物件放置區、該等出氣口與該垂直出氣通道115，而後該氣體經由該總出氣口1132自該箱體結構11排出。該等進氣口與該等出氣口各自為均勻或分散之直線分佈，該等進氣口皆為水平方向進氣口，該等出氣口皆為水平方向出氣口，且當一半導體物件2被放置於該半導體物件放置區時，該氣體流經該半導體物件2的上層空間及下層空間而進出該等進氣口及該等出氣口。

第六圖(a)是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上的各該進氣口/出氣口皆為一孔穴，且分為上下兩層時的側面圖。在第六圖(a)中，每一如第五圖所示之中間層框架112均各包含6個進氣口(在該垂直進氣通道114的一側)或6個出氣口(在該垂直出氣通道115的一側)，在該半導體物件2的上下兩側，分為上下兩層各3個進/出氣口。其中，在該垂直進氣通道114一側的上層為3個上層進氣口1125a，下層為3個下層進氣口1125b；在該垂直出氣通道115一側的上層為3個上層出氣口1126a，下層為3個下層出氣口1126b，但不限於此，進/出氣口之數量可依實際需求而定。第六圖(b)是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置之中間層框架上的各該進氣 口/出氣口皆為一長方形開口，且分為上下兩層時的側面圖。在第六圖(b)中，每一如第五圖所示之中間層框架112均各包含2個進氣口(在該垂直進氣通道114一側)或2個出氣口(在該垂直出氣通道115一側)，在該半導體物件2的上下兩側，分為上下兩層各1個進/出氣口。其中，在該垂直進氣通道114一側的上層為1個上層進氣口1125c，下層為1個下層進氣口1125d；在該垂直出氣通道115一側的上層為1個上層出氣口1126c，下層為1個下層出氣口1126d，但不限於此，進/出氣口之數量可依實際需求而定。

第七圖是顯示一依據本發明構想之較佳實施例的半導體物件儲存裝置當一氣體流經其垂直進氣通道、複數進氣口、複數出氣口及垂直出氣通道且進氣口/出氣口分為上下兩層時的剖面圖。如第七圖所示，在該半導體物件2的上下兩側，分為上下兩層進/出氣口。其中，在如第五圖所示之該垂直進氣通道114一側的上層為上層進氣口1125a，下層為下層進氣口1125b；在如第五圖所示之該垂直出氣通道115一側的上層為上層出氣口1126a，下層為下層出氣口1126b。在第七圖中，值得注意的是，在如第五圖所示之該頂層111中，亦包括上層進氣口1125a及下層進氣口1125b和上層出氣口1126a及下層出氣口1126b，且該頂層111亦包括如第三圖所示之該嵌 合構造1121。

實施例：

1.一種半導體物件儲存裝置，包含一箱體結構，該箱體結構包括：一頂層；複數中間層框架，各該中間層框架包括：一半導體物件放置區；一進氣開口部；一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部被配置於各該中間層框架之外緣且彼此對向配置，俾於該等中間層框架彼此堆疊時分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道；複數進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間；複數出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，俾使一氣體以水平方向進出於各該進氣口及各該出氣口；以及一嵌合構造，用於嵌合上下相鄰的中間層框架；以及一底層。

2.根據實施例1所述之半導體物件儲存裝置，其中該半導體物件放置區位於各該中間層框架中央， 該嵌合構造包括一第一嵌合構造及一第二嵌合構造，該頂層亦包括該嵌合構造，該第一嵌合構造與該第二嵌合構造被配置於各該中間層框架或該頂層之外緣，該中間層框架之該第一嵌合構造可與一相鄰的該頂層或上層中間層框架的該第二嵌合構造嵌合，該底層包括一第三嵌合構造，該中間層框架之該第二嵌合構造可與一相鄰的下層中間層框架的第一嵌合構造或該底層之該第三嵌合構造嵌合，且該箱體結構依序由該頂層、該等中間層框架與該底層堆疊形成，各該進氣口水平地貫通該垂直進氣通道，且各該出氣口水平地貫通該垂直出氣通道，該底層包括一總進氣口與一總出氣口，該氣體經由該總進氣口輸入該箱體結構，經由該底層而流至該垂直進氣通道，並流經該等進氣口、各該半導體物件放置區、該等出氣口與該垂直出氣通道，而後該氣體經由該總出氣口自該箱體結構排出。

3.根據實施例1或2所述之半導體物件儲存裝置，其中該半導體物件放置區包括一半導體物件支撐件，配置於各該中間層框架之內緣，用以支撐一半導體物件之邊緣，該嵌合構造更包括一空隙，以便抬取或移動各該中間層框架。

4.根據以上任一實施例所述之半導體物件儲存裝置，其中該等進氣口與該複數出氣口各自為均勻或分散之直線分佈，該等進氣口皆為水平方向進氣口，該等出 氣口皆為水平方向出氣口，且當一半導體物件被放置於該半導體物件放置區時，該氣體流經該半導體物件的上層空間及下層空間而進出該等進氣口及該等出氣口。

5.根據以上任一實施例所述之半導體物件儲存裝置，其中該氣體由該垂直進氣通道之下方注入，由該等進氣口排入該半導體物件放置區，再經由該等出氣口流入該垂直出氣通道，且各該進氣口與各該出氣口為一孔穴。

6.根據以上任一實施例所述之半導體物件儲存裝置，其中該半導體物件放置區被配置於放置一半導體物件，且該半導體物件是選自由一光罩、一基板與一晶圓所組成的群組其中之一。

7.一種半導體物件儲存裝置，包括一箱體結構，其中該箱體結構包含複數中間層框架，各該中間層框架包括：一半導體物件放置區；一進氣開口部；一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部用以在該等中間層框架彼此堆疊而形成該箱體結構時，分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道；一進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間；以及 一出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，其中一氣體以水平方向進出於該進氣口及該出氣口。

8.根據實施例7所述之半導體物件儲存裝置，其中該箱體結構更包含一頂層與一底層，該箱體結構依序由該頂層、該等中間層框架與該底層堆疊形成，各該中間層框架更包括一嵌合構造，用於嵌合上下相鄰的中間層框架，該進氣開口部以及該出氣開口部位於該半導體物件放置區之外側兩端，且該進氣口與該出氣口為一孔穴或一長方形開口。

9.一種半導體物件儲存裝置，包含複數中間層框架，各該中間層框架包括：一半導體物件放置區；一進氣開口部；一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部用以在該等中間層框架彼此堆疊時，分別形成一垂直進氣通道及一垂直出氣通道；一進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間；一出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，其中一氣體以水平方向進出於該進氣口及該出氣口；以及 一嵌合構造，用於嵌合上下相鄰的中間層框架。

10.根據實施例9所述之半導體物件儲存裝置，更包括一頂層及一底層，其中該頂層、該等中間層框架及該底層依序堆疊形成一箱體結構。

11.一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括複數中間層框架，各該中間層框架包括：一半導體物件放置區，佔據各該中間層框架之內緣及各該中間層框架容設的空間；一進氣開口部；一出氣開口部，與該進氣開口部對向配置於該框架之外緣；一進氣口，被配置於貫通該半導體物件放置區與該進氣開口部；一出氣口，被配置於貫通該半導體物件放置區與該出氣開口部，俾使一氣體水平地進出該進氣口及該出氣口；以及一嵌合構造，用於嵌合相鄰的中間層框架。

12.一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括：一頂層；一底層；以及複數中間層框架， 其中該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一進氣通道，且於一第二相對側邊形成一出氣通道；以及各該中間層框架用於儲存一半導體物件，在該第一側邊具一進氣口，而在該第二相對側邊具一出氣口。

13.一種製造一半導體物件儲存裝置的箱體結構的方法，包括：提供一頂層；提供一底層；提供複數中間層框架，俾使該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一進氣通道且於一第二相對側邊形成一出氣通道；以及使各該中間層框架在該第一側邊形成一進氣口，且在該第二相對側邊形成一出氣口。

14.一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括：一頂層；一底層；以及複數中間層框架，各該中間層框架係中間鏤空，以增加相鄰兩中間層框架間之氣流流通空間。

綜上所述，本發明提供提供一種用於一半導體物件儲存裝置的箱體結構，包括一頂層、一底層以及複 數中間層框架，其中該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊形成一進氣通道，且於一第二相對側邊形成一出氣通道，以及各該中間層框架用於儲存一半導體物件，在該第一側邊具一進氣口，而在該第二相對側邊具一出氣口，以確保內部半導體物件安全，維持內部溫度、濕度與潔淨度，使用機械手臂進行開關該箱體結構動作及具有靜電放電(ESD)防護功能，俾能更有效率地排除半導體物件儲存裝置中的舊有氣體，故其確實具有進步性與新穎性。

是以，縱使本案已由上述之實施例所詳細敘述而可由熟悉本技藝之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

1‧‧‧半導體物件儲存裝置

111‧‧‧頂層

112‧‧‧中間層框架

113‧‧‧底層

114‧‧‧垂直進氣通道

115‧‧‧垂直出氣通道

Claims (12)

1. 一種用於半導體物件儲存裝置之箱體結構，包含：一頂層；複數中間層框架，各該中間層框架包括：一半導體物件放置區；一進氣開口部；一出氣開口部，其中該進氣開口部以及該出氣開口部係配置於各該中間層框架之外緣且彼此對向配置，俾於該等中間層框架彼此堆疊時，由各該進氣開口部彼此緊密接合以形成一垂直進氣通道及由各該出氣開口部彼此緊密接合以形成一垂直出氣通道；至少一進氣口，位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間；至少一出氣口，位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，俾使一氣體以水平方向進出於該至少一進氣口及該至少一出氣口；以及一底層，其中該複數中間層框架設置於該頂層與該底層之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之箱體結構，其中該底層包含一總進氣口以及一總出氣口，該氣體經由該總進氣口輸入該箱體結構，經由該底層流至該垂直進氣通道，並經由該至少一進氣口流經各該半導體放置區，再經由該至少一 出氣口流至該垂直出氣通道，而後經由該總出氣口自該箱體結構排出。
3. 如申請專利範圍第1項所述之箱體結構，其中該至少一進氣口以及該至少一出氣口為一孔穴或一方形開口。
4. 如申請專利範圍第1項所述之箱體結構，其中各該中間層框架更包括一嵌合構造，用以嵌合上下相鄰之中間層框架。
5. 如申請專利範圍第1項所述之箱體結構，其中各該半導體物件放置區包括一半導體物件支撐件，配置於各該中間層框架之內緣，用以支撐一半導體物件之邊緣。
6. 如申請專利範圍第1項所述之箱體結構，其中各該中間層框架係中間鏤空，俾使一半導體物件被放置於該半導體物件放置區時，該氣體流經該半導體物件之上層空間及下層空間而進出該至少一進氣口及該至少一出氣口，且該底層包括一總進氣口。
7. 一種半導體物件儲存裝置，包括：一頂層；一底層；以及複數中間層框架，設置於該頂層與該底層之間，其中各該中間層框架係中間鏤空，以增加相鄰兩中間層框架間之氣流流通空間，且各該中間層框架包括一進氣開口部與一出氣開口部，俾於該等中間層框架彼此堆疊時，由各該 進氣開口部彼此緊密接合以形成一垂直進氣通道及由各該出氣開口部形成一垂直出氣通道。
8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體物件儲存裝置，其中各該中間層框架更包括：一半導體物件放置區，其中該進氣開口部以及該出氣開口部係配置於各該中間層框架之外緣且彼此對向配置；一進氣口或複數進氣口，其中各該進氣口位於該半導體物件放置區與該進氣開口部之間；以及一出氣口或複數出氣口，其中各該出氣口位於該半導體物件放置區與該出氣開口部之間，俾使一氣體以水平方向進出於各該進氣口及各該出氣口，且該底層包括一總出氣口。
9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體物件儲存裝置，其中該等進氣口與該等出氣口各自為均勻或分散之直線分佈。
10. 如申請專利範圍第8項所述之半導體物件儲存裝置，其中各該進氣口以及各該出氣口為一孔穴或一方形開口。
11. 一種製造一半導體物件儲存裝置的箱體結構的方法，包括：提供一頂層； 提供一底層；提供複數中間層框架，其中各該中間層框架包括一進氣開口部與一出氣開口部，且該複數中間層框架設置於該頂層與該底層之間，俾使該頂層、該底層及該等中間層框架組合形成該箱體結構後，於一第一側邊由各該進氣開口部形成一進氣通道且於一第二相對側邊由各該出氣開口部彼此緊密接合以形成一出氣通道；以及使各該中間層框架在該第一側邊形成至少一進氣口，且在該第二相對側邊形成至少一出氣口。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括：提供一半導體物件放置區；以及當一半導體物件被放置於該半導體物件放置區時，使一氣體流經該半導體物件之上層空間及下層空間而進出該至少一進氣口及該至少一出氣口。