TWI540034B - 混練脫氣裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種脫氣裝置。
已知有藉由樹脂製密封材料將半導體晶片(半導體元件)密覆(密封)而成之半導體組件。此半導體組件之密封材料係為將樹脂組成物例如藉由轉移成型等成型者，若樹脂組成物之脫氣不充分，則有在其密封材料中產生孔隙的問題。
做為防止像這樣的孔隙之產生的方法，專利文獻1中揭示在2軸型混練擠出機的中途設置與其內部連通之減壓用孔埠(脫氣室)，於該孔埠內減壓，對樹脂組成物進行脫氣。
但是以前述專利文獻1中所記載之方法，若孔埠內之壓力降的太低，則2軸型混練擠出機內之材料會在孔埠側被拉伸，因此在此孔埠內之壓力不能太低。因此脫氣不充分，使用所製造之樹脂組成物密封半導體晶片時，於此密封材料有產生孔隙之虞。
又，亦提案有在2個混練擠出機的途中設置脫氣室之方法。於此方法中第1混練擠出機的排出口連接於脫氣室的入口，脫氣室的出口連接於第2混練擠出機的投入口。經第1混練擠出機混練的材料於脫氣室中脫氣，其後在第2混練擠出機中混練。又，脫氣室之減壓可使脫氣室的入口側被第1混練擠出機內的材料密封、且脫氣室的出口側被第2混練擠出機內的材料密封。
但是，在前述2個混練擠出機的中途設置脫氣室的方法中，一旦將脫氣室減壓，則第2混練擠出機內的材料會自與該第2混練擠出機運送之運送方向相反的方向被拉
伸，穩定性不良。
專利文獻1 日本特開2001-81284號公報
本發明之目的為提供能容易且確實的對經混練的材料進行脫氣之脫氣裝置。
為了達成上述目的，本發明之脫氣裝置的特徵為，構成為具備：具有將經混練的材料導入之入口、對前述材料進行脫氣之脫氣室、及將經脫氣的前述材料排出之出口的殼體、將前述脫氣室減壓之減壓手段、及將前述出口與前述脫氣室之間密封之密封手段，在藉由前述密封手段將前述出口與前述脫氣室之間密封的密封狀態下，藉由前述減壓手段將前述脫氣室減壓而成為減壓狀態，並對前述脫氣室內之前述材料進行脫氣。
於本發明之脫氣裝置中，前述殼體具有被設置在前述入口與前述出口之間而形成筒狀的筒狀部，前述密封手段具備具有將前述筒狀部內分隔成複數空間的複數隔板的轉子，而前述轉子被設置成可於前述筒狀部內自由旋轉，較佳為藉由旋轉前述轉子，利用前述隔板，以將前述材料搬送至前述出口。
本發明之脫氣裝置中，前述脫氣室較佳為設置於前述入口與前述筒狀部之間。
本發明之脫氣裝置較佳構成為：前述減壓手段具有與前述脫氣室連通之管路，前述脫氣室具有前述複數個空間，
藉由旋轉前述轉子以旋轉前述各個空間，於前述各個空間之中，連通前述管路之前述空間係經由前述管路而被減壓。
本發明之脫氣裝置較佳構成為：前述空間為不連通前述入口及前述出口之非連通狀態，並在前述非連通狀態之時進行上述脫氣。
本發明之脫氣裝置較佳於前述筒狀部的內周面與前述隔板前端之間，形成有間隙距離為0.2mm以下的間隙。
本發明之脫氣裝置中，較佳為前述轉子至少表面是以非金屬構成。
本發明之脫氣裝置中，較佳為前述筒狀部之至少內周面是以非金屬構成。
本發明之脫氣裝置中，前述材料在前述脫氣裝置內的滯留時間較佳為1分鐘以下。
本發明之脫氣裝置中，在脫氣時的前述脫氣室內的壓力較佳為設定在60kPa以下。
本發明之脫氣裝置中較佳為前述入口連接至混練裝置的排出口。
[實施發明之形態]
以下基於附圖所示較佳實施型態詳細說明本發明。
<第1實施型態>
圖1為樹脂組成物之製造步驟圖，圖2為顯示本發明之脫氣裝置的第1實施型態之剖面圖。
又，以下將圖2中的上側做為「上(上游)」、下側做為
「下(下游)」、左側做為「左」、右側做為「右」來進行說明。
圖2所示之脫氣裝置1為在製造成形體(壓粉體)即樹脂組成物時的脫氣步驟所使用的裝置。在說明此脫氣裝置1之前，首先說明由原料起、到製造樹脂組成物為止的整體製造步驟。
首先，準備樹脂組成物之原料的各種材料。
原料有樹脂、硬化劑、及填充材料(微粒)，接著依需要具有硬化促進劑、及偶合劑等。樹脂較佳為環氧樹脂。
環氧樹脂可列舉例如甲酚酚醛清漆型、聯苯型、雙環戊二烯型、三酚基甲烷型、多芳香族環型等。
硬化劑可列舉例如苯酚酚醛清漆型、芳烷基酚型、三酚基甲烷型、多芳香族環型等。
填充材料可列舉例如熔融矽石(破碎狀、球狀)、結晶矽石、氧化鋁等。
硬化促進劑劑可列舉例如磷化合物、胺化合物等。
偶合劑可列舉例如矽烷化合物等。
再者，原料亦可省略前述材料中之指定材料，又，亦可含有前述以外的材料。其他材料可列舉例如著色劑、脫模劑、低應力劑、阻燃劑等。
阻燃劑例如舉例有溴化環氧樹脂、氧化銻、無鹵/無銻系等。無鹵/無銻系之阻燃劑可列舉例如有機磷、金屬水合物、含氮樹脂等。
(微粉碎)
如圖1所示，首先，將原料中指定的材料藉由粉碎裝置粉碎(微粉碎)成指定的粒度分布。此粉碎之原料例如為樹脂、硬化劑、硬化促進劑等填充材料以外之原料，亦可添
加一部分的填充材料。又，粉碎裝置可使用例如連續式旋轉球磨機等。
(表面處理)
可對原料中指定的材料，例如全部或一部分(剩餘部分)的填充材料施予表面處理。此表面處理為例如將偶合劑等附著於填充材料的表面。再者，前述微粉碎與表面處理可同時進行，又，亦可先進行任一方。
(混合)
接著，藉由混合裝置將前述各材料完全混合。此混合裝置可使用例如具有旋轉葉片之高速混合機等。
(混練)
接著，藉由混練裝置100混練前述混合後的材料。此混練裝置100可使用例如1軸型混練擠出機、2軸型混練擠出機等擠出混練機及攪拌輥等輥式混練機。
(脫氣)
接著，藉由脫氣裝置1對前述經混練的材料進行脫氣。再者，關於脫氣裝置1，係於之後進行詳述。
(片狀化)
接著，藉由片狀化裝置將前述經脫氣塊狀的材料成形為片狀，得到片狀材料。此片狀化裝置可使用例如製板輥機(sheeting roll)等。
(冷卻)
接著，藉由冷卻裝置將前述片狀材料冷卻。藉此，可容易且確實地進行材料的粉碎。
(粉碎)
接著，藉由粉碎裝置將片狀材料粉碎成指定的粒度分
布，得到粉末狀材料。此粉碎裝置可使用例如鎚磨機等。
再者，做為得到顆粒狀或粉末狀之樹脂組成物的方法，亦可不經過上述之片狀化、冷卻、粉碎步驟，而使用例如在混練裝置之出口設置具有小直徑之模頭，將自模頭吐出之熔融狀態的樹脂組成物以切割器等切斷成指定長度來得到顆粒狀之樹脂組成物的熱切法。於此情形，藉由熱切法得到顆粒狀的樹脂組成物後，較佳為趁樹脂組成物之溫度還不太降低時進行脫氣。
(錠化)
接著，藉由成形體製造裝置(打錠裝置)將前述粉末狀材料壓縮成形，可得到樹脂組成物之成形體。
此樹脂組成物係用於例如半導體晶片(半導體素子)的被覆(密封)等。亦即，將樹脂組成物例如藉由轉移成型等成形、做為密封材料來被覆於半導體晶片、製造半導體組件。
再者，亦可省略前述錠化步驟，以粉末狀材料做為樹脂組成物。於此情形，可藉由例如壓縮成形、射出成形等，成形為密封材料。
接著，針對脫氣裝置1進行說明。
如圖2所示，脫氣裝置1係連接於混練裝置100之排出口101來使用。
脫氣裝置1具有殼體2、於殼體2內設置成自由旋轉之轉子(密封手段)3、將殼體2的後述脫氣室22減壓之減壓機構(減壓手段)4。
殼體2具有管路21、設置於前述管路21之中途，並對經混練裝置100混練之材料進行脫氣之脫氣室22、及呈現圓筒狀(筒狀)的筒狀部23。筒狀部23係位於脫氣室22之
下側。再者，管路21上側的端部係構成將經混練裝置100混練的材料導入之入口24，下側的端部係構成將經脫氣的材料排出之出口25。
脫氣室22設置於入口24及筒狀部23之間，於圖式的結構中為其剖面為四角形之筒狀。又，脫氣室22內剖面的面積設定成比管路21內剖面的面積還大。再者，當然脫氣室22內剖面之面積亦可設定為與管路21內剖面之面積相等。
筒狀部23設置於脫氣室22(入口24)與出口25之間，於圖式的結構中為一圓筒狀，且其兩端部塞住的形狀。於此筒狀部23內，轉子3設置成於圖2中之順時針方向自由旋轉。藉由此轉子3來密封出口25及脫氣室22之間。藉此，可容易且確實的對脫氣室22進行減壓。再者，殼體2的入口24側係以位於前述入口24附近之混練裝置100內經混練之材料予以密封。
轉子3具有將筒狀部23內分隔成複數個空間(於圖式的結構中為4個空間231、232、233及234)之複數(於圖式的結構中為4個)個隔板31。又，各隔板31以等間隔(等角度間隔)，亦即在圖式的結構中為以90°之間隔配置。此轉子3係以未圖示之馬達(驅動源)的動作來旋轉。然後，此轉子3藉由旋轉，以隔板31將材料往出口25運送。
又，筒狀部23之內周面與隔板31的前端之間形成間隙。藉此，轉子3旋轉時可防止隔板31的前端擦到筒狀部23的內周面，使構成隔板31及筒狀部23之材料的粉體(異物)混入樹脂組成物的材料中。
隔板31的前端部經R處理(倒角)，亦可帶有圓度。於
此情形，隔板31之前端部的曲率半徑(R)較佳為0.2mm以上、2mm以下，更佳為0.2mm以上、1mm以下。前述曲率半徑過大則材料會附著在隔板31的前端與筒狀部23的內周面，在作業上不佳。
前述間隙的大小，亦即筒狀部23之內周面與隔板31的前端之間的間隙距離較佳為0.2mm以下，更佳為0.01~0.1mm左右。藉此，防止洩漏的同時可防止隔板31擦到筒狀部23。
又，隔板31與筒狀部23可進行冷卻。藉由冷卻來抑制材料的附著，可潤滑的進行脫氣作業。
殼體2之構成材料未特別限定，但較佳筒狀部23之至少內周面是以非金屬構成，更佳為殼體2至少內周面是以非金屬構成。於此情形，亦可以非金屬構成筒狀部23之整體。又，亦可以非金屬構成殼體2之整體。
又，轉子3之構成材料未特別限定，但較佳至少轉子3之表面是以非金屬構成。於此情形，亦可以非金屬構成轉子3之整體。
藉此，脫氣時可防止金屬製的異物(金屬異物)混入材料中，使用所製造之樹脂組成物密封半導體晶片時可防止短路等的發生。具體而言，藉脫氣裝置1經脫氣之材料中的金屬含有率増加量可為1.0wtppm以下，特別是0.1wtppm以下。
前記非金屬材料未特別限定，可列舉例如氧化鋁、氧化鋯等陶瓷材料及樹脂材料，其中較佳為陶瓷材料。
減壓機構4具有連接於脫氣室22之(與脫氣室22內連通)管路43、藉著管路43將脫氣室22內減壓之幫浦41、設
置在脫氣室22與幫浦41之間的閥門42。
對材料進行脫氣時，開啟閥門42、驅動幫浦41、將脫氣室22內減壓。
此脫氣時的減壓程度(真空度)，亦即脫氣室22內的壓力(氣壓)未特別限定，較佳為設定在60kPa以下，更佳為設定在50kPa以下，還要更佳為設定在30~50kPa左右。
藉此，可更確實的進行脫氣。
接著基於圖2說明脫氣步驟中脫氣裝置1的作用。
如前所述，脫氣裝置1之殼體2藉由筒狀部23中之轉子3的隔板31將出口25與脫氣室22之間密封成為密封狀態。
對經混練裝置100混練之材料進行脫氣時，開啟脫氣裝置1之閥門42、使幫浦4驅動、將脫氣室22內減壓成減壓狀態的同時，驅動未圖示之馬達來旋轉轉子3。再者，將脫氣室22內減壓時不僅前述脫氣室22內成為減壓狀態，脫氣室22上側之管路21內亦被減壓成為減壓狀態，又，脫氣室22下側之管路21內及以連通至前述管路21之筒狀部23內的隔板31分隔之空間231亦被減壓成為減壓狀態。
於混練裝置100中經混練的材料自前述混練裝置100之排出口101排出，自脫氣裝置1之入口24導入(供給)前述脫氣裝置1。然後，前述材料藉由自身重量(重力)向下方移動，通過管路21、脫氣室22及管路21，並存放於與前述管路21(脫氣室22)連通之筒狀部23內的空間231，在前述空間231連通至管路21時進行脫氣。藉此，自材料去除氣體(例如空氣等)及水分。藉此，使用製造之樹脂組成物密封半導體晶片時，可防止孔隙的產生，可提升半導體組件
之信賴性。
空間231內之材料藉由轉子3之旋轉，藉隔板31向出口25運送，自其出口25排出。
此處，材料於脫氣裝置1之滯留時間較佳為1分鐘以下、更佳為3~30秒左右、還要更佳為5~15秒左右。
藉由將滯留時間設為前述上限值以下之值，可防止受熱歷程(thermal history)所造成之材料特性的劣化，且不會抑制吐出物之冷卻而妨礙下個步驟的片狀化。又，藉由將滯留時間設為前述下限值以上之值，可進行更確實之脫氣。
再者，前述滯留時間為自脫氣裝置1之入口24供給材料起、到材料從脫氣裝置1之出口25排出為止之時間。
此滯留時間可以控制轉子3之驅動來自由調整。例如，藉由將轉子3的旋轉速度(旋轉數)設定在指定值，可將滯留時間設定在目標值。又，亦可藉由將轉子3於中途以停止指定的時間來將滯留時間設定在目標值。做為具體實例，例如舉例有下述方法1及方法2。
(方法1)
連續旋轉轉子3，將前述轉子3的旋轉速度設定在指定值。於此情形轉子3的旋轉速度較佳設定在1~10rpm左右的範圍內之值、更佳設定在2~6rpm左右的範圍內之值。
(方法2)
使轉子3依指定角度間歇的旋轉，並將轉子3每1次旋轉動作的停止時間設定在指定值。於此情形轉子3之停止時間係按照轉子3的旋轉速度、轉子3每1次旋轉動作之旋轉角度、隔板31的數目等各種條件來適當設定，較佳為設定於1~60秒左右的範圍內之值、更佳為設定於1~15
秒左右的範圍內之值。
又，轉子3之旋轉速度係按照轉子3之停止時間、轉子3每1次的旋轉動作之旋轉角度、隔板31的數目等各種條件來適當設定，較佳為設定於1~13rpm左右的範圍內、更佳為設定於2~8rpm左右的範圍內。
又，轉子3每1次旋轉動作之旋轉角度，係按照隔板31之數目等各種條件來適當設定，例如較佳為設定於45~120°左右，更佳為設定於90~120°左右。舉例來說，當轉子3之隔板31數目為N時，轉子3每1次旋轉動作的旋轉角度設定為360/N(°)。於此情形，在圖式之構造中因隔板31的數目為4個，故轉子3每1次的旋轉動作的旋轉角度設定為90°。
如以上說明，以此脫氣裝置1，可確實的對經混練之材料進行脫氣。藉此，使用所製造之樹脂組成物密封半導體晶片之時，可防止孔隙產生，可提升半導體組件之信賴性。
又，脫氣之時可防止對混練裝置100之處理產生不良影響。
<第2實施型態>
圖3為顯示本發明之脫氣裝置的第2實施型態之剖面圖，圖4及圖5分別為圖3中所示之脫氣裝置的剖面圖。再者，以下將圖3~圖5中的上側做為「上(上游)」、下側做為「下(下游)」、左側做為「左」、右側做為「右」來進行說明。
以下，針對第2實施型態，以與前述第1實施型態相異點做為中心進行說明，對於相同事項則省略其說明。
如圖3所示，第2實施型態之脫氣裝置1中，脫氣室
26係藉由筒狀部23及轉子3構成。亦即，筒狀部23內的4個空間231~234各自構成脫氣室26之空間。
又，減壓機構4之管路43係連接至筒狀部23，即脫氣室26之右側(連通至脫氣室26內)。
然後，藉由轉子3之旋轉來旋轉各空間231~234，各空間231~234之中，連通至管路43之空間(於圖3為空間232)配置成藉由前述管路43減壓而成為減壓狀態。
此脫氣裝置1係如圖3所示，由脫氣裝置1之入口24導入至前述脫氣裝置1之經混練的材料係藉自身重量向下方移動、通過管路21，存放至連通於前述管路21之筒狀部23內的空間231。
然後，由圖4所示之狀態起至圖5所示之狀態為空間231不連通至入口24及出口25之非連通狀態，在此非連通狀態時對存放於空間231內之材料進行脫氣。
以此脫氣裝置1可得到與前述第1實施型態相同之效果。
<第3實施型態>
圖6為顯示本發明之脫氣裝置的第3實施型態之剖面圖，圖7及圖8分別為圖6中所示之脫氣裝置的剖面圖。再者，以下將圖6~圖8中的上側做為「上(上游)」、下側做為「下(下游)」、左側做為「左」、右側做為「右」來進行說明。
以下，針對第3實施型態，以與前述第2實施型態相異點做為中心進行說明，對於相同事項則省略其說明。
如圖6所示，第3實施型態之脫氣裝置1中，轉子3之隔板31的數目設定成比第2實施型態為多。亦即，轉子
3具有將筒狀部23內分隔成6個空間231、232、233、234、235及236的隔板31，前述6個空間231~236各自構成脫氣室26之空間。
藉此，空間(於圖6為空間232)連通於管路43時，前述空間232不連通至入口24及出口25。亦即，空間232連通至入口24時及連通至出口25時，前述空間232不連通至管路43。
換言之如圖7所示，空間232不連通於入口24後，前述空間232連通至管路43(轉子3由圖7再稍微旋轉之狀態)。又，如圖8所示，空間232不連通於管路43後，前述空間232連通至出口25(轉子3由圖8再稍微旋轉之狀態)。藉此可確實對各空間231~236減壓。
以此脫氣裝置1可得到與前述之第2實施型態相同的效果。
<第4實施型態>
圖9為顯示本發明之脫氣裝置的第4實施型態之剖面圖，圖10及圖11分別為圖9中所示之脫氣裝置的剖面圖。再者，以下將圖9~圖11中的上側做為「上(上游)」、下側做為「下(下游)」、左側做為「左」、右側做為「右」來進行說明。
以下，針對第4實施型態，以與前述第2實施型態相異點做為中心進行說明，對於相同事項則省略其說明。
依圖9所示，於第4實施型態之脫氣裝置1中管路21係屈曲或彎曲，其上側管路211係連接(連通)在較筒狀部23的正上方偏左側的位置，又，下側之管路212係連接在較筒狀部23的正下方偏左側的位置。於此情形，管路211、
管路212、與管路43以等間隔(等角度間隔)，即圖式之構成中係以120°之間隔配置。
藉此，空間(於圖9為空間232)連通至管路43時，前述空間232不連通至入口24及出口25。亦即，空間232連通至入口24時及連通至出口25時，前述空間232不連通至管路43。
換言之如圖10所示，空間232變得不連通於入口24之後，前述空間232係連通至管路43(轉子3由圖10再稍微旋轉之狀態)。又，依圖11所示，空間232變得不連通於管路43之後，前述空間232係連通至出口25(轉子3由圖11再稍微旋轉之狀態)。藉此可確實對各空間231~234減壓。
依據此脫氣裝置1，可得到與前述第2實施型態之相同效果。
以上，以基於圖式之實施型態說明了本發明之脫氣裝置，但本發明不限定於此，各部位之構成可以置換為具有相同功能的任意構成。又，本發明亦可附加其他任意組成物及步驟。
又，本發明亦可組合前述各實施型態之中的任意2個以上的構成(特徵)。
產業利用性
按照本發明，由於具有密封手段、可在對混練裝置之處理無不良影響之下，對經混練的材料容易且確實的進行脫氣。因此具有產業利用性。
1‧‧‧脫氣裝置
2‧‧‧殼體
3‧‧‧轉子
4‧‧‧減壓機構
21‧‧‧管路
22‧‧‧脫氣室
23‧‧‧管狀部
24‧‧‧入口
25‧‧‧出口
26‧‧‧脫氣室
31‧‧‧隔板
41‧‧‧幫浦
42‧‧‧閥門
43‧‧‧管路
100‧‧‧混練裝置
101‧‧‧混練裝置之排出口
231~236‧‧‧空間
圖1係樹脂組成物之製造步驟圖。
圖2係本發明之脫氣裝置的第1實施型態的剖面圖。
圖3係本發明之脫氣裝置的第2實施型態的剖面圖。
圖4係圖3中所示之脫氣裝置的剖面圖。
圖5係圖3中所示之脫氣裝置的剖面圖。
圖6係本發明之脫氣裝置的第3實施型態的剖面圖。
圖7係圖6中所示之脫氣裝置的剖面圖。
圖8係圖6中所示之脫氣裝置的剖面圖。
圖9係本發明之脫氣裝置的第4實施型態的剖面圖。
圖10係圖9中所示之脫氣裝置的剖面圖。
圖11係圖9中所示之脫氣裝置的剖面圖。
1‧‧‧脫氣裝置
2‧‧‧殼體
3‧‧‧轉子
4‧‧‧減壓機構
21‧‧‧管路
22‧‧‧脫氣室
23‧‧‧管狀部
24‧‧‧入口
25‧‧‧出口
31‧‧‧隔板
41‧‧‧幫浦
42‧‧‧閥門
43‧‧‧管路
100‧‧‧混練裝置
101‧‧‧混練裝置之排出口
231~234‧‧‧空間
Claims (11)
- 一種混練脫氣裝置，具備：混練裝置，係混練材料，並具有將經混練的該材料排出的出口；及脫氣裝置，具有：殼體，該殼體具有：入口，在連接於該混練裝置的連接狀態下，連通該混練裝置的該出口，將經該混練裝置混練的該材料導入；脫氣室，用以對該材料進行脫氣；及出口，在該連接狀態下朝外部開放，將經脫氣的該材料排出；減壓手段，將該脫氣室內減壓；及密封手段，將該殼體的該出口與該脫氣室之間密封；該脫氣裝置構成為：在藉由該密封手段將該殼體的該出口與該脫氣室之間密封的密封狀態下，藉由該減壓手段將該脫氣室內減壓而成為減壓狀態，並對該脫氣室內之該材料進行脫氣。
- 如申請專利範圍第1項之混練脫氣裝置，其係構成為：該殼體具有被設置在該入口與該出口之間而形成的筒狀的筒狀部；該密封手段具備具有將該筒狀部內分隔成複數空間的複數隔板的轉子，而該轉子被設置成可於該筒狀部內自由旋轉；藉由旋轉該轉子利用該隔板，以將該材料搬送至該出口。
- 如申請專利範圍第2項之混練脫氣裝置，其中該脫氣室係設置於該入口與該筒狀部之間。
- 如申請專利範圍第2項之混練脫氣裝置，其係構成為：該減壓手段具有與該筒狀部連通之管路；藉由旋轉該轉子以旋轉該筒狀部內的各個空間，於該筒狀部內的各個空間之中，連通該管路之該空間係作為該脫氣室而發揮功能，該脫氣室經由該管路而被減壓。
- 如申請專利範圍第4項之混練脫氣裝置，其係構成為：該筒狀部內的該脫氣室為不連通至該殼體的該入口及該出口之非連通狀態，並在該非連通狀態之時進行該脫氣。
- 如申請專利範圍第2至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中於該筒狀部的內周面與該隔板前端之間形成有間隙距離為0.2mm以下的間隙。
- 如申請專利範圍第2至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中該轉子至少表面是以非金屬構成。
- 如申請專利範圍第2至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中該筒狀部至少內周面是以非金屬構成。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中該材料在該脫氣裝置內的滯留時間為1分鐘以下。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中在脫氣時的該脫氣室內的壓力係設定在60kPa以下。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之混練脫氣裝置，其中該材料含有樹脂與微粒。
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