TWI536693B - 光纖雷射與抗反射裝置及其製法 - Google Patents

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Description

光纖雷射與抗反射裝置及其製法
一種光纖雷射與抗反射裝置及其製法，尤指能夠應用於光纖雷射之抗反射裝置。
現有的光纖雷射，其具有一種子雷射(Seed Laser)與多個雷射放大器。種子雷射係耦接多個雷射放大器。雷射放大器內包含增益介質，增益介質能夠為一光纖。
種子雷射係提供一雷射光束，雷射光束係透過雷射放大器內增益介質的反射傳波，以增加雷射光束的功率。
但隨著工業應用的需求增加，現有的光纖雷射係趨向高能量與高峰值功率發展。然高能量與高峰值功率係代表著高功率之光纖雷射。現有的高功率之光纖雷射會有兩個問題，一為使用高功率之光纖雷射加工，其會有遇到加工物件的反射光問題；另一為在高功率情況下雷射放大器的受激布裏淵散射(Stimulated Brillouin Scattering，SBS)之非線性現象而嚴重影像雷射系統的穩定性。所謂受激布裏淵散射為入射光功率很高，由光波產生的電磁伸縮效應在物質內激起超聲波，入射光受超聲波散射而產生的。
上述之該些問題會導致下述之缺點，一為雷射輸出功率下降；二為雷射輸出光線端面損毀；三為放大器的光學元件損壞；以及四為種子雷射損毀。承前所述，如何克服前述之缺點就成為各廠商研究的課題。
本揭露係提供一種抗反射裝置之製法，其包含有：一熔接機係針對至少一光纖進行一參數的設定，以進行一熔接，並於熔接該光纖時，進行一光纖對位、一光纖端面預熱、一光纖熔接與一光纖熔接拉伸。
本揭露係提供一種抗反射裝置，其包含有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；一第二光纖，其具有一第二光纖核；該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核。
本揭露係提供一種光纖雷射，其包含有：一種子雷射；一第一抗反射裝置，其係耦接該種子雷射，該第一抗反射裝置具有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；以及一第二光纖，其具有一第二光纖核，該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核；以及一第一放大器，其係耦接該第一抗反射裝置。
本揭露係提供一種光纖雷射，其包含有：一第一放大器；一第一抗反射裝置，其係耦接該第一放大器，該第一抗反射裝置具有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；以及一第二光纖，其具有一第二光纖核，該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核；一第一光頻隔絕器，其係耦接該第一抗反射裝置；以及一種子雷射，其係耦接該第一光頻隔絕器。
10‧‧‧第一光纖
100‧‧‧第一光纖核
11‧‧‧第一光纖纖殼
12‧‧‧第二光纖
120‧‧‧第二光纖核
13‧‧‧第二光纖纖殼
14‧‧‧熔接點光纖核
15‧‧‧第三光纖纖殼
20‧‧‧種子雷射
21‧‧‧第一抗反射裝置
22‧‧‧第一放大器
30‧‧‧種子雷射
31‧‧‧第一放大器
32‧‧‧第一抗反射裝置
33‧‧‧第二放大器
34‧‧‧第二抗反射裝置
35‧‧‧第三抗反射裝置
36‧‧‧第一泵浦雷射
37‧‧‧第四抗反射裝置
38‧‧‧第二泵浦雷射
40‧‧‧種子雷射
41‧‧‧第四光頻隔絕器
42‧‧‧第四雷射光纖
43‧‧‧第四放大器
44‧‧‧第四泵浦雷射
45‧‧‧第三光頻隔絕器
46‧‧‧第三雷射光纖
47‧‧‧第三放大器
48‧‧‧第三泵浦雷射
49‧‧‧第二光頻隔絕器
50‧‧‧光纖結合器
51‧‧‧反向監視器
52‧‧‧正向監視器
53‧‧‧第二放大器
54‧‧‧第二泵浦雷射
55‧‧‧第二雷射光纖
56‧‧‧第一光頻隔絕器
57‧‧‧第一抗反射裝置
58‧‧‧第一放大器
59‧‧‧第一泵浦雷射
60‧‧‧第一雷射光纖
A‧‧‧熱累積區
B~Q‧‧‧曲線
圖1為本揭露之一種抗反射裝置之製作流程示意圖。
圖2為一熔接之一第一光纖、一第二光纖與一熔接點光纖核之局部示意圖。
圖3為本揭露之一種光纖雷射之第一實施例之示意圖。
圖4為本揭露之一種光纖雷射之第二實施例之示意圖。
圖5為本揭露之一種光纖雷射之第三實施例之示意圖。
圖6為一背向監測功率與一功率設定之曲線圖。
圖7為一正向監測功率與一功率設定之曲線圖。
圖8為一電場與一直徑之曲線圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本揭露之實施方式，所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書所揭示之內容，輕易地瞭解本揭露之其他優點與功效。
請配合參考圖1與圖2所示，本揭露係一種抗反射裝置，其具有一第一光纖10、第一光纖核100、第二光纖12與一第二光纖核120。
第一光纖10的外周側包覆有一第一光纖纖殼11。第一光纖核100係位於第一光纖10之中。
第二光纖12的外周側包覆有一第二光纖纖殼13。第二光纖核120係位於第二光纖12之中。
第一光纖核100係耦接第二光纖核120，以形成一熔接點光纖核14，熔接點光纖核14的外周側包覆有一第三光纖纖殼15。熔接點光纖核14係分別耦接第一光纖10的一端與第二光纖12的一端。
請再配合參考圖1與圖2所示，本揭露係一種抗反射裝置之製法，其包含有：一熔接機係針對至少一光纖的材質、種類、規格進行一參數的設定，以進行一熔接。該光纖係能夠為上述之第一光纖10與第二光纖12，但非限制。
該參數包含有一光纖纖核尺寸、一光纖纖殼尺寸、一光纖模場直徑、一熔接接放電清潔時間、一熔接機放電清潔電流、一光纖對位距離、一光纖熔接重疊距離、一熔接績預融時間、一熔接機預融功率、一熔接機放電時間、一熔接機放電功率、一熔接機光纖對位型式、一熔接拉伸時間、一熔接拉伸速度、一熔接拉伸距離。並於熔接光纖時，進行一光纖對位、一光纖端面預熱、一光纖熔接與一光纖熔接拉伸。該熔接光纖之動作係詳述如下。
第一光纖10的一端部係相對第二光纖12的一端部。第一光纖10與第二光纖12之相對對位的方式為一纖核對位模式、一纖殼對位模式、一功率對位系統(Power Alignment System，PAS)或一端面成像法(End View，EV)。一般的光纖係分為兩個部份，一為內徑的纖核(Core)，另一為外徑的纖殼(Cladding)。前述之纖核能夠視為上述之第一光纖核100、第二光纖核120或熔接點光纖核14；前述之纖殼係能夠被視為上述之第一光纖殼11、第二光纖殼13或第三光纖殼15。
上述之纖核對位，其係將第一光纖核100與第二光纖核120相互對位。上述之纖殼對位，其係將二纖殼相互對位。
上述之功率對位系統，其亦被稱為纖維影像對位系統，該系統係利用光學影像，以使二光纖對位。
上述之端面成像法，其係將二光纖的端面分別成像，再將二端面予以對準。
預熱該兩相對端部，以使該兩相對端部達到一熔融接狀態，而使第一光纖10與第二光纖12得以相互熔接。更進一步說明，即第一光纖核100與第二光纖核120係相互熔接。
相互熔接之第一光纖核100與第二光纖核120係形成為一熔接點光纖核14。
拉伸第一光纖10或第二光纖12於一預定之拉伸距離，以使熔接點光纖核14亦被拉伸。於拉伸第一光纖10或第二光纖12時，能夠僅拉伸第一光纖10或第二光纖12，或者同時拉伸第一光纖10與第二光纖12。10μm<該預定之拉伸距離<2mm。
承上所述，第一光纖10與第二光纖12分別具有一光纖模場直徑(DMFD)，4μm<DMFD<105μm。
第一光纖10與第二光纖12分別具有一光纖殼直徑(DCA)，經過拉伸之第一光纖10或第二光纖12分別具有一拉伸光纖殼直徑(DSCA)，DSCA<DCA；第一光纖核100或第二光纖核120具有一光纖核直徑(DCO)，經過拉伸之熔接點光纖核14具有一拉伸光纖核直徑(DSCO)，DCO>DSCO。4μm<DCO<105μm；125μm< DCA<450μm。
經拉伸之該第一光纖核100具有一主雷射功率(Psi)，經拉伸之該第二光纖核120具有一反向雷射功率(Psr)，經拉伸之該熔接點光纖核14具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，Psr>Pthreshold>Psi。
若更進一步論述，如圖2所示，假設雷射光束由第一光纖10方向朝向第二光纖12方向行進，反射光由第二光纖12方向朝向第一光纖10方向行進。只有低階模態的光可通過光纖核14，高階模態的光被光纖核14阻擋住形成熱累積區A。
第一光纖核100具有一主雷射光率(Psi)，該主雷射功率係為輸入通過熔接拉伸之熔接點處光纖之主雷射功率。第二光纖核120具有一反向雷射功率(Psr)，該反向雷射光率為反向輸入通過熔接拉伸之熔接點處光纖之反向雷射功率。熔接點光纖核14具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，該功率損壞閥值為熔接拉伸之熔接點處光纖之功率損壞閥值。
當Psr>Pthreshold時，熔接拉伸之熔接點處光纖則會燒毀，如上所述，即熔接點光纖核14會燒毀。
如圖2所示，當雷射光束由第一光纖10朝向第二光纖12方向行進，並且一反射之雷射光束由第二光纖12朝向第一光纖10方向行進時，熱能係累積於熱累積區A。當符合Psr>Pthreshold時，熔接點光纖核14就會燒毀，以阻斷反射之雷射光束的行進路線。
若進行上述之熔接時，熔接機的型號與廠牌不計，以下係為本揭露於進行抗反射裝置之製程的數個成功與失敗的參數，其係為了便於說明本揭露，而不限制。該些參數係能夠依據光纖的種類或尺寸，而予以變更。
夾具隔離距離為250mm。電弧條的距離為1mm。每10秒清潔。
纖核(Core)的直徑為4~20μm，此處所論述之纖核為上述之第一光纖10或第二光纖12。
纖殼(Cladding)的直徑為125μm，此處所論述之纖殼為上述之第一光纖殼11或第二光纖殼13。
以下所述之加工參數為本實驗機器型號之表示單位。該加工 參數會隨著不同型號的熔接機而有變更，故以下係為了便於論述本揭露，而非限制該參數之表示單位。
光纖模場直徑(Mode Field Diameter，MFD)為4~20μm或4~105μm。XY軸向定位為纖殼定位。清潔電弧(Cleaning Arc)為150ms。間距為10μm。重疊率(Overlap)為15μm。預融合功率(Prefuse Power)為20bit。預融合時間為180ms。電弧功率為20bit。電弧時間為2000ms。拉伸等待時間為500ms。拉伸速度為100bit。拉伸時間為100ms。前述之參數係為成功之抗反射裝置之製法，但不限制。以下所述之數個參數係將前述之參數予以部份變更，而導致失敗之抗反射裝置之製法的範例。
失敗範例一，預融合功率為40~100bit。其餘參數如上所述，該製法係無法製出抗反射裝置。
失敗範例二，預融合時間為250~700ms。其餘參數如上所述，該製法係無法製出抗反射裝置。
失敗範例三，電弧功率為40~100bit。其餘參數如上所述，該製法係無法製出抗反射裝置。
失敗範例四，電弧時間為2200~4600ms。其餘參數如上所述，該製法係無法製出抗反射裝置。
失敗範例五，拉伸等待時間為550~750ms。其餘參數如上所述，該製法係無法製出抗反射裝置。
以上所述之數組參數，其係為了便於論述本揭露於製造抗反射裝置之過程，並說明本揭露係經過多次反覆實驗才成功，且可實施。該些參數非用於限制本階露，特先陳明。
請配合圖3所示，本揭露之一種光纖雷射之第一實施例，其具有一種子雷射20、一第一抗反射裝置21與一第一放大器22。
種子雷射20係耦接第一抗反射裝置21。第一抗反射裝置21係論述於上述之圖1與圖2，故不再此贅述。
第一抗反射裝置21係耦接第一放大器22，第一放大器22為一主振式功率放大器(Master Oscillator Power Amplifier，MOPA)。
如圖3所示，種子雷射20係提供一雷射光束，該雷射光束係 通過第一抗反射裝置21，並進入第一放大器22，以增強雷射光束之功率。
經過增強功率的雷射光束係可能反射至第一抗反射裝置21，該反射的原因為一雷射光束之反射、一瑞利散射(Rayleigh Scattering)、一受激拉曼散射(Stimulated Raman Scattering)、一受激布理淵散射(Stimulated Brillouin Scattering)、一折射率介質之菲涅耳反射(Fresnel Reflection)或一雷射加工物件之反射。
當反射之雷射光束反射至第一抗反射裝置21時，若反向雷射功率大於功率損壞閥值，則上述之熔接點光纖核會瞬間燒斷，以防止反射之雷射光束反射回至種子雷射20。
請配合參考圖4所示，本揭露為一種光纖雷射之第二實施例，本實施利為上述之光纖雷射之第一實施例的進一步衍生，該光纖雷射具有一種子雷射30、一第一放大器31、一第一抗反射裝置32、一第二放大器33、一第二抗反射裝置34、一第三抗反射裝置35、一第一泵浦雷射36、一第四抗反射裝置37與一第二泵浦雷射38。
第一放大器31係分別耦接第一抗反射裝置32與第三抗反射裝置35。第三抗反射裝置35係耦接第一泵浦雷射36。第二放大器33係耦接第二抗反射裝置34與第四抗反射裝置37。第四抗反射裝置37係耦接第二泵浦雷射38。
種子雷射30係產生一主雷射光束，該主雷射裝束係依序通過第二抗反射裝置34、第二放大器33、第一抗反射裝置32與第一放大器31，以產生一輸出雷射光束。
第一泵浦雷射36與第二泵浦雷射38係分別提供一雷射光束，以提升主雷射光束之功率。該主雷射光束與該雷射光束係經第一放大器31或第二放大器33增加其功率。
若該輸出雷射光束、該主雷射光束與該雷射光束因上述之反射因素，而產生反射時，第一至第四抗反射裝置32、34、35、37會分別燒毀，以保護種子雷射30、第一泵浦雷射36、第二泵浦雷射38或第二放大器33。藉以避免種子雷射30、第一泵浦雷射36、 第二泵浦雷射38或第二放大器33因增大功率之雷射光束反射，而造成其毀損的情況產生。
此外，第三抗反射裝置35設於第一泵浦雷射36與第一放大器31之間，以及第四抗反射裝置37設於第二放大器33與第二泵浦雷射38之間，其係避免泵浦雷射瞬間提供功率超過放大器無法負荷的雷射光束時，造成放大器的毀損。若泵浦雷射瞬間提供功率較大的雷射光束時，位於泵浦雷射與放大器之間的抗反射裝置會瞬間燒毀，藉以保護放大器。於本實施例所述之第一至第四抗反射裝置32、34、35、37與上述之圖1與圖2相同，故不再此贅述。
請配合參考圖5所示，本揭露之一種光纖雷射之第三實施例，其具有一種子雷射40、一第四光頻隔絕器41、一第四雷射光纖42、一第四放大器43、一第四泵浦雷射44、一第三光頻隔絕器45、一第三雷射光纖46、一第三放大器47、一第三泵浦雷射48、一第二光頻隔絕器49、一光纖耦合器50(Coupler)、一反向監視器51、一正向監視器52、一第二放大器53、一第二泵浦雷射54、一第二雷射光纖55、一第一光頻隔絕器56、一第一抗反射裝置57、一第一放大器58、一第一泵浦雷射59與一第一雷射光纖60。
種子雷射40係耦接第四光頻隔絕器41。第四光頻隔絕器41係耦接第一光纖42，第四光頻隔絕器41的數量為至少一個。第四光纖42係耦接第四放大器43。第四放大器43係分別耦接第四泵浦雷射44與第三光頻隔絕器45。第三光頻隔絕器45係耦接第三雷射光纖46。第三雷射光纖46係耦接第三放大器47。第三放大器47係分別耦接第二光頻隔絕器49與第三泵浦雷射48。第二光頻隔絕器49係耦接光纖耦合器50。光纖耦合器50係分別耦接反向監視器51、正向監視器52與第二放大器53。第二放大器53係耦接第二雷射光纖55與第二泵浦雷射54。第一光頻隔絕器56係分別耦接第二雷射光纖55與第一抗反射裝置57。第一抗反射裝置57係耦接第一放大器58。第一放大器58係分別耦接第一泵浦雷射59與第一雷射光纖60。
如同上述之光纖雷射之第二實施例，另一抗反射裝置能夠設於第四泵浦雷射44與第四放大器43之間，或者第三泵浦雷射48與第三放大器47之間，或者第二放大器53與第二泵浦雷射54之間，或者第一放大器58與第一泵浦雷射59之間。
種子雷射40係產生一主雷射光束，第四至第一泵浦雷射44、48、54、59係分別產生一雷射光束，該主雷射光束與該雷射光束係依序被第四至第一放大器43、47、53、58增強其功率，以產生一輸出雷射光束。
若該輸出雷射光束因上述之反射因素，而產生反射時，第一抗反射裝置57會燒毀，以保護種子雷射40、光纖結合器50、第一至第四光隔離器56、49、45、41或第一至第四放大器58、53、47、43，或者種子雷射50至第一雷射光纖60之間所有元件。如上所述，若至少一抗反射裝置設於放大器與泵浦雷射之間，假設泵浦雷射瞬間提供較大功率之雷射光束，或者已增強功率之雷射光束反射回泵浦雷射，該抗反射裝置係具有大功率之雷射光束所燒毀，藉以保護泵浦雷射或放大器。
反向監視器51與正向監視器52係用於監測雷射光束之反射與正向的狀態。上述之第一至第四光頻隔絕器56、49、45、41係用於確保雷射光束僅能單向行進，即遵循正向方向。上述之第一至第四光纖60、55、46、42係用於傳導及放大雷射光束。
並請參閱圖6與圖7所示，其係論述將本揭露之抗反射裝置設於一光纖雷射，並且使雷射光束處於一不反射的情況與反射請況，再以正向監測與反向監測該雷射光束所得之結論。
於圖6所示，曲線B、C係為背向監測，並且處於未反射的情下，故曲線B、C係為維持於一水平狀態。曲線D係表示一反射狀態，並且增強功率之雷射光束反射的情況。
於圖7所示，曲線E、F係為正向監測，並對應上述之曲線B、C，由圖7可知悉，於未反射的情況下，雷射光束之功率係為維持於一水平狀態。曲線G係對應上述之曲線D，因反射之雷射光束為一增強功率之雷射光束，所以抗反射裝置無法承受反射之雷射 光束，故抗反射裝置係瞬間被反射之雷射光束所燒毀， 若更進一步說明，請參閱圖8與下述之公式，光纖內部會因區域與尺寸而有多種電場分布。
電場於光纖內的存在公式如下：
其中，E為電場。φ為光纖內特定點之方位角。r為光纖半徑。 Z為電場於光纖內沿著Z軸之位置。v為電場速度。
若以馬克斯威爾(Maxwell)以上述之公式解出下述之柱座標公式，則可解出多種尺寸之纖核(Core)的電場分布。即上述之光纖。
其中，β為一特定介質下之傳播常數。β 0為真空之傳播常數。
請參閱圖8所示，曲線H至Q係表示多種不同直徑的纖核之電場的變化。曲線H為直徑2μm。曲線I為直徑5.1111μm。曲線J為直徑8.222μm。曲線K為直徑11.333μm。曲線L為直徑14.444μm。曲線M為直徑17.5556μm。曲線N為直徑20.667μm。曲線O為直徑23.778μm。曲線P為直徑26.889μm。曲線Q為直徑30μm。由圖8可知悉，各種直徑的纖核皆有對應其所能負荷的電場，若超過此一電場，就會形成熱累積區，纖核就有機會燒毀，故本揭露係利用此一特性，當雷射光束之功率超過本揭露之光纖核所能負荷，該光纖核就燒毀，藉以保護種子雷射、放大器、泵浦雷射、光纖結合器、光頻隔離器或分波多工器。本揭露亦能夠避免雷射輸出功率下降、雷射輸出光線端面損毀、放大器的光學元件損壞或種子雷射損毀。
以上所述之具體實施例，僅係用於例釋本揭露之特點及功效，而非用於限定本揭露之可實施範疇，於未脫離本揭露上揭之精神與技術範疇下，任何運用本揭露所揭示內容而完成之等效改 變及修飾，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。
10‧‧‧第一光纖
100‧‧‧第一光纖核
12‧‧‧第二光纖
120‧‧‧第二光纖核
14‧‧‧熔接點光纖核
A‧‧‧熱累積區

Claims (29)

  1. 一種抗反射裝置之製法，其包含有：一熔接機係針對至少一光纖進行一參數的設定，以進行一熔接，並於熔接該光纖時，進行一光纖對位、一光纖端面預熱、一光纖熔接與一光纖熔接拉伸；該光纖為一第一光纖與一第二光纖；該第一光纖具有一第一光纖核，該第二光纖具有一第二光纖核，該第一光纖核係耦接該第二光纖核，以形成一熔接點光纖核，並拉伸該第一光纖或該第二光纖，以使該熔接點光纖核亦被拉伸；該第一光纖核具有一主雷射功率(Psi)，該第二光纖核具有一反向雷射功率(Psr)，該熔接點光纖核具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，Psr>Pthreshold>Psi。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其中該參數包含有一光纖纖核尺寸、一光纖纖殼尺寸、一光纖模場直徑、一熔接接放電清潔時間、一熔接機放電清潔電流、一光纖對位距離、一光纖熔接重疊距離、一熔接績預融時間、一熔接機預融功率、一熔接機放電時間、一熔接機放電功率、一熔接機光纖對位型式、一熔接拉伸時間、一熔接拉伸速度、一熔接拉伸距離；該熔接機係針對該光纖的材質、種類、規格進行該參數的設定。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其更包含有：該第一光纖與該第二光纖的兩相對端部係相互對位；以及預熱該兩相對端部，以使該兩相對端部達到一熔接狀態，而使該第一光纖與該第二光纖相互熔接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其中該第一光纖之外周側包覆有一第一光纖纖殼，該第二光纖之外周側包覆有一第二光纖纖殼，該光纖核之外周側包覆有一第三光纖纖殼，該第一光纖與該第二光纖分別具有一光纖殼直徑(DCA)，經過拉伸之該第一光纖或該第二光纖分別具有一拉伸光纖殼直徑(DSCA)，DSCA<DCA；該第一光纖核或該第二光纖核具有一光纖核直徑(DCO)，該熔接點光纖核具有一拉 伸光纖核直徑(DSCO)，DCO>DSCO。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之抗反射裝置之製法，其中4μm<DCO<105μm；125μm<DCA<450μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其中該第一光纖與該第二光纖分別具有一光纖模場直徑(DMFD)。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之抗反射裝置之製法，其中4μm<DMFD<105μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其中該第一光纖或該第二光纖係拉伸一預定之拉伸距離。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射裝置之製法，其中10μm<該預定之拉伸距離<2mm。
  10. 如申請專利範圍第3項所述之抗反射裝置之製法，其中該對位方式為一纖核對位模式、一纖殼對位模式、一功率對位系統或一端視法。
  11. 一種抗反射裝置，其包含有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；一第二光纖，其具有一第二光纖核，該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核；其中，該第一光纖核具有一主雷射功率(Psi)，該第二光纖核具有一反向雷射功率(Psr)，該熔接點光纖核具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，Psr>Pthreshold>Psi。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之抗反射裝置，其中該第一光纖之外周側包覆有一第一光纖纖殼，該第二光纖之外周側包覆有一第二光纖纖殼，該光纖核之外周側包覆有一第三光纖纖殼，該第一光纖與第二光纖分別具有一光纖殼直徑(DCA)，經過拉伸之該第一光纖與該第二光纖分別具有一拉伸光纖殼直徑(DSCA)，DSCA<DCA；該第一光纖核或該第二光纖核具有一光纖核直徑(DCO)，該熔接點光纖核具有一拉伸光纖核直徑(DSCO)，DCO>DSCO。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之抗反射裝置，其中4μm<DCO <105μm；125μm<DCA<450μm。
  14. 、如申請專利範圍第11項所述之抗反射裝置，其中該第一光纖與該第二光纖分別具有一光纖模場直徑(DMFD)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之抗反射裝置，其中4μm<DMFD<105μm。
  16. 一種光纖雷射，其包含有：一種子雷射；一第一抗反射裝置，其係耦接該種子雷射，該第一抗反射裝置具有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；以及一第二光纖，其具有一第二光纖核，該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核；以及一第一放大器，其係耦接該第一抗反射裝置；其中，該第一光纖核具有一主雷射功率(Psi)，該第二光纖核具有一反向雷射功率(Psr)，該熔接點光纖核具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，Psr>Pthreshold>Psi。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之光纖雷射，其中該第一光纖之外周側包覆有一第一光纖纖殼，該第二光纖之外周側包覆有一第二光纖纖殼，該光纖核之外周側包覆有一第三光纖纖殼，該第一光纖與第二光纖分別具有一光纖殼直徑(DCA)，經過拉伸之該第一光纖與該第二光纖分別具有一拉伸光纖殼直徑(DSCA)，DSCA<DCA；該第一光纖核或該第二光纖核具有一光纖核直徑(DCO)，該熔接點光纖核具有一拉伸光纖核直徑(DSCO)，DCO>DSCO。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之光纖雷射，其中4μm<DCO<105μm；125μm<DCA<450μm。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之光纖雷射，其中該第一光纖與該第二光纖分別具有一光纖模場直徑(DMFD)。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之光纖雷射，其中4μm<DMFD<105μm。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之光纖雷射，其進一步具有一第一泵浦雷射與一第三抗反射裝置，該第一泵浦雷射係耦接該第三抗反射裝置，該第三抗反射裝置係耦接該第一泵浦雷射。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之光纖雷射，其更具有一第二放大器、一第二抗反射裝置、一第四抗反射裝置與一第二泵浦雷射，該第二放大器係分別耦接該第一抗反射裝置、該第二抗反射裝置與該第四抗反射裝置，該第四抗反射裝置係耦接該第二泵浦雷射，該第二抗反射裝置係耦接該種子雷射。
  23. 一種光纖雷射，其包含有：一第一放大器；一第一抗反射裝置，其係耦接該第一放大器，該第一抗反射裝置具有：一第一光纖，其具有一第一光纖核；以及一第二光纖，其具有一第二光纖核，該第二光纖核係耦接該第一光纖核，以形成一熔接點光纖核；一第一光頻隔絕器，其係耦接該第一抗反射裝置；以及一種子雷射，其係耦接該第一光頻隔絕器；其中，該第一光纖核具有一主雷射功率(Psi)，該第二光纖核具有一反向雷射功率(Psr)，該熔接點光纖核具有一功率損壞閥值(Pthreshold)，Psr>Pthreshold>Psi。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之光纖雷射，其中該第一光纖之外周側包覆有一第一光纖纖殼，該第二光纖之外周側包覆有一第二光纖纖殼，該光纖核之外周側包覆有一第三光纖纖殼，該第一光纖與第二光纖分別具有一光纖殼直徑(DCA)，經過拉伸之該第一光纖與該第二光纖分別具有一拉伸光纖殼直徑(DSCA)，DSCA<DCA；該第一光纖核或該第二光纖核具有一光纖核直徑(DCO)，該熔接點光纖核具有一拉伸光纖核直徑(DSCO)，DCO>DSCO。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之光纖雷射，其中4μm<DCO<105μm；125μm<DCA<450μm。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之光纖雷射，其中該第一光纖與該第二光纖分別具有一光纖模場直徑(DMFD)。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之光纖雷射，其中4μm<DMFD<105μm。
  28. 如申請專利範圍第23項所述之光纖雷射，其進一步具有一第一雷射光纖、一第一泵浦雷射、一第二雷射光纖、一第二泵浦雷射、一第二放大器、一光纖耦合器、一正向監視器、一反向監視器、一第二光頻隔絕器、一第三放大器、一第三泵浦雷射、一第三雷射光纖、一第三光頻隔絕器、一第四泵浦雷射、一第四放大器與一第四光頻隔絕器；該第一雷射光纖係耦接該第一放大器；該第一泵浦雷射係耦接該第一放大器；該第二雷射光纖係耦接該第一光頻隔絕器；該第二放大器係耦接該第二雷射光纖；該第二泵浦雷射係耦接該第二放大器；該光纖結合器係耦接該第二放大器；該正向監視器係耦接該光纖結合器；該反向監視器係耦接該光纖結合器；該第二光頻隔絕器係耦接該光纖結合器；該第三放大器係耦接該第二光頻隔絕器；該第三泵浦雷射係耦接該第三放大器；該第三雷射光纖係耦接該第三放大器；該第三光頻隔絕器係耦接該第三雷射光纖；該第四放大器係耦接該第三雷射光纖；該第四泵浦雷射係耦接該第四放大器；該第四雷射光纖係耦接該第四放大器；該第四光頻隔絕器係耦接該第四雷射光纖，並且該第四光頻隔絕器係更耦接該種子雷射。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之光纖雷射，其更具有一另一抗反射裝置，該另一抗反射裝置係設於該第四泵浦雷射與該第四放大器之間，或者該第三泵浦雷射與該第三放大器之間，或者該第二放大器與該第二泵浦雷射之間，或者該第一放大器與該第一泵浦雷射之間。
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