TWI536271B - 感應鑰匙校正系統及校正方法 - Google Patents

Description

感應鑰匙校正系統及校正方法

本發明涉及一種感應鑰匙校正系統及校正方法。

基於人們對汽車安全保護方面要求之提高，PKE(Passive Keyless Entry，被動無匙進入)技術應運而生。先前之PEK系統中，駕駛員需要通過按鈕來遙控開、鎖車門等功能，使用新型PKE系統，駕駛員無須進行任何操作，只需隨身攜帶一感應鑰匙。

當駕駛者進入指定範圍時，PEK感應鑰匙能夠感測汽車發出之低頻低頻信號，並將低頻信號經過認證處理後通過UHF高頻信號發射器發回給汽車以實現開、鎖車門等功能。為了保證PKE感應鑰匙之電池壽命不至於在短時間內過度消耗，其只有接受到具有足夠之磁場強度之低頻低頻信號時才能被喚醒。因此，感應鑰匙對低頻信號磁場之感應穩定性及準確性顯得尤為重要，然而，由於受硬體設計架構之影響，PKE感應鑰匙之磁場感應常會出現偏差，導致對汽車發出之低頻信號感應不穩定，出現誤操作。

鑒於以上內容，有必要提供一種感應鑰匙校正系統及校正方法，以提高感應鑰匙對信號感應之準確性及穩定性。

一種感應鑰匙校正系統，其應用於感應鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元、高頻發射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設存儲第一標準磁場強度及第二標準磁場強度；所述感應鑰匙校正系統包括：低頻發射控制模塊，用於控制所述低頻發射單元依次發送第一低頻信號及第二低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值，所述第二低頻信號包含所述第二標準磁場強度值；所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值不相同；所述感應鑰匙依次接收所述第一低頻信號及所述第二低頻信號，並識別接收到之所述第一低頻信號之磁場強度為第一接收磁場強度值，且識別接收到之所述第二低頻信號之磁場強度為第二接收磁場強度值；高頻發射控制模塊，用於控制所述高頻發射單元依次發送第一高頻信號及第二高頻信號，所述第一高頻信號及所述第二高頻信號分別包含所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；分析運算模塊，用於控制所述運算單元依次讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，及所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；並計算出補償所述低頻接收單元所接收之接收磁場強度值及所述低頻發射單元所發射之標準磁場強度值間之誤差所需要之誤差補償演算法；及校正模塊，用於控制所述傳輸單元向所述感應鑰匙發送所述補償演算法，以允許所述感應鑰匙在接收到下一低頻信號時運用所述 補償演算法對其接收到的接收磁場強度值進行補償運算；其中，所述低頻發射控制模塊還用於在判斷所述誤差未落入一預設之誤差範圍時，控制所述低頻發射單元繼續發送另一低頻信號，以允許感應鑰匙校正系統再次對所述智慧鑰匙進行校正，直至所述誤差落入所述預設之誤差範圍。

一種感應鑰匙校正方法，其應用於感應鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元高頻發射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設存儲第一標準磁場強度、第二標準磁場強度及第三標準磁場強度；所述感應鑰匙校正方法包括步驟：控制所述低頻發射單元發送第一低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值；所述感應鑰匙接收所述第一低頻信號，並識別接收到之所述第一低頻信號之磁場強度為第一接收磁場強度值；控制所述高頻發射單元發送第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值；控制所述通訊單元接收所述第一高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，並計算所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值間之第一差值；判斷若所述第一差值若未落入一預設之誤差範圍，則控制所述低頻發射單元發送第二低頻信號，所述第二低頻信號包含所述第二 標準磁場強度值；所述第二標準磁場強度值與所述第一標準磁場強度值不相同；所述感應鑰匙接收所述第二低頻信號並識別接收到之所述第二低頻信號之磁場強度為第二接收磁場強度值；控制所述高頻發射單元發送第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值；控制所述通訊單元接收所述第二高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，並計算出補償所述低頻接收單元所接收之接收磁場強度值及所述低頻發射單元所發射之標準磁場強度值間之誤差所需要之誤差補償演算法；控制所述傳輸單元向所述感應鑰匙發送所述補償演算法；控制所述低頻發射單元發送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含所述第三標準磁場強度值；所述感應鑰匙接收所述第三低頻信號並識別接收到之所述第三低頻信號之磁場強度為第三接收磁場強度值；控制所述處理單元運用所述映射函數關係將所述第三接收磁場強度值重新計算後，得到一近似標準磁場強度值；控制所述高頻發射單元發射第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述似標標準磁場強度值；控制所述運算單元讀取所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值，並計算所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值間之第二差值； 判斷若所述第二差值若未落入所述預設之誤差允許範圍，則繼續上述校正步驟，直至所述第一差值或所述第二差值落入所述預設之誤差允許範圍。

本發明之感應鑰匙校正系統及校正方法，利用信號源依次發射二次低頻信號並同時打出相應強度之磁場，感應鑰匙將二次接收到之磁場資訊發送至運算裝置以與磁場強度標準值做比較運算得出用於校正之映射函數關係，當信號源再次打出磁場時，該校正系統允許感應鑰匙根據該映射函數關係得出校正後之磁場強度，從而提高感應鑰匙對信號感應之準確性及穩定性。

S1‧‧‧感應鑰匙校正系統

102‧‧‧低頻發射控制模塊

104‧‧‧高頻發射控制模塊

106‧‧‧分析運算模塊

108‧‧‧校正模塊

300‧‧‧感應鑰匙

302‧‧‧第一存儲單元

304‧‧‧低頻接收單元

306‧‧‧高頻發射單元

308‧‧‧處理單元

10‧‧‧信號源

11‧‧‧第二存儲單元

13‧‧‧低頻發射單元

15‧‧‧亥姆霍茲線圈

20‧‧‧運算裝置

201‧‧‧第三存儲單元

202‧‧‧傳輸單元

204‧‧‧運算單元

圖1為本發明一實施方式中感應鑰匙校正系統之功能模塊圖。

圖2為本發明一實施方式中車輛感應鑰匙校正系統之運行環境之功能模塊圖。

圖3及圖4為本發明一實施方式中感應鑰匙校正方法之流程圖。

請一併參考圖1和圖2，圖1為一種感應鑰匙校正系統S1之功能模塊圖，感應鑰匙校正系統S1運行於圖2所示之信號源10、運算裝置20以及感應鑰匙300中。感應鑰匙300具有儲存及運算功能，感應鑰匙校正系統S1用於校正感應鑰匙300所接收之外部信號，以提高感應鑰匙300對磁場感應之穩定性及準確性。

具體而言，感應鑰匙300能夠接收信號源10所發射之外部信號並識別所述外部信號之強度，所述外部信號在發送與接收之過程中，所述信號源10所發射之信號強度及感應鑰匙300所接收到之信 號強度之間可能存在一定誤差值，所述感應鑰匙校正系統S1控制運算裝置20檢測並計算所述誤差值，並對感應鑰匙300所接收到之信號強度進行補償，使所述感應鑰匙300能夠準確地感應所述信號源10所發射之信號之強度。

感應鑰匙校正系統S1包括低頻發射控制模塊102、高頻發射控制模塊104、分析運算模塊106以及校正模塊108。

低頻發射控制模塊102用於控制信號源10向感應鑰匙300發射一低頻信號，所述低頻信號包含磁場強度值資訊。高頻發射控制模塊104用於控制感應鑰匙300向運算裝置20發射一高頻信號，所述高頻信號包含所述感應鑰匙300所接收之所述低頻信號之磁場強度值資訊。分析運算模塊106用於計算分析信號源10所發射之低頻信號磁場強度及感應鑰匙300所接收到之低頻信號磁場強度間之誤差值。所述校正模塊108用於向感應鑰匙300發送消除所述誤差值所需要之磁場強度誤差補償演算法或磁場強度誤差補償值。

在本實施方式中，感應鑰匙300包括第一存儲單元302、低頻接收單元304、高頻發射單元306和處理單元308。

處理單元308用於為感應鑰匙300提供運算功能。第一存儲單元302用於為感應鑰匙300提供存儲功能，並用於存儲高頻發射控制模塊104。低頻接收單元304用於感測感應鑰匙300周圍之低頻信號並啟動感應鑰匙300接收所述低頻信號，所述低頻信號中包含磁場強度值。高頻發射單元306用於向運算裝置20發射一高頻信號，所述高頻信號中包含低頻接收單元304所接收之低頻信號之磁場強度值。

信號源10包括第二存儲單元11、低頻發射單元13及與低頻發射單元13相連接之亥姆霍茲線圈15。

第二存儲單元11用於為信號源10提供存儲功能，並用於存儲低頻發射控制模塊102。低頻發射單元13用於間隔地產生低頻信號並向所述之亥姆霍茲線圈15輸出相應電壓。亥姆霍茲線圈15與低頻發射單元13連接後打出均勻之標準磁場，使得低頻發射單元13向周邊發出一低頻信號以允許感應鑰匙300之低頻接收單元304接收。所述低頻信號包含所述標準磁場之標準磁場強度。在本實施方式中，亥姆霍茲線圈15之軸中心附近用於放置感應鑰匙300，所述低頻信號及磁場信號能夠被感應鑰匙300所感測以啟動感應鑰匙300，以使感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述低頻信號，從而允許高頻發射單元306發射所述高頻信號，所述高頻信號中包含低頻接收單元304所接收之低頻信號之磁場強度值。

運算裝置20包括第三存儲單元201、傳輸單元202及運算單元204。運算裝置20可以為電腦、手機等電子裝置，也可以為集成在感應鑰匙300內之運算程式。

第三存儲單元201用於為運算裝置20提供存儲功能，並用於存儲分析運算模塊106及校正模塊108。本實施方式中，在感應鑰匙300進行校正前，第三存儲單元201預先存儲信號源10產生之磁場之磁場強度標準值。傳輸單元202與感應鑰匙300之高頻發射單元306建立無線通訊，其用於接收感應鑰匙300發送之高頻信號，同時用於將運算裝置20所計算之所述誤差補償演算法或誤差補償值發送至感應鑰匙300中。在本實施例中，傳輸單元202為UHF高頻信號發射/接收器。運算單元204用於從感應鑰匙300之高頻發射 單元306發射之高頻信號中獲取低頻接收單元304所接收之低頻信號之磁場強度值，並將所述磁場強度值第三存儲單元201中預存之磁場強度標準值進行比較運算以得出消除所述磁場強度值及磁場強度標準值間之誤差所需之誤差補償演算法。

請再次參閱圖1，感應鑰匙校正系統S1之各模塊為存儲在第一存儲單元302或/及第二存儲單元11或/及第三存儲單元201中、並可被第一存儲單元302或/及第二存儲單元11或/及第三存儲單元201執行之可程式化之模塊。在本實施方式中，低頻發射控制模塊102存儲在第二存儲單元11中並可被低頻發射單元13執行；高頻發射控制模塊104及校正模塊108存儲在第一存儲單元302中，並可被高頻發射單元306執行；分析運算模塊106存儲在第三存儲單元201中，並可被運算單元204執行。

上述各模塊之程式執行具體如下：

低頻發射控制模塊102控制信號源10之低頻發射單元13發射第一低頻信號，同時與低頻發射單元13連接之亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第一低頻信號包含第一發射磁場強度值，所述第一發射磁場強度值為第一標準磁場強度值。

感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第一低頻信號，並識別其接收之第一低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第一低頻信號之磁場強度值為第一接收磁場強度值。

高頻發射控制模塊104控制感應鑰匙300之高頻發射單元306向運算裝置20發送一第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值。

運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第一標準磁場強度值。運算裝置20之傳輸單元202接收所述第一高頻信號，並從所述第一高頻信號中獲取所述第一接收磁場強度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，並計算所述第一接收磁場強度值與所述第一標準磁場強度值間之差值。若判斷所述差值為零或落入允許之誤差範圍內，則感應鑰匙300之感應靈敏度符合要求，不需校正，則流程結束。若所述差值未落入誤差允許之範圍內，則需對感應鑰匙300繼續校正。

低頻發射控制模塊102再次控制信號源10之低頻發射單元13發射一第二低頻信號，同時與低頻發射單元13連接之亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第二低頻信號包含第二發射磁場強度值，所述第二發射磁場強度值為第二標準磁場強度值，所述第二標準磁場強度值不同於所述第一標準磁場強度值。

感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第二低頻信號，並識別其接收之第二低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第二低頻信號之磁場強度值為第二接收磁場強度值。

高頻發射控制模塊104控制感應鑰匙300之高頻發射單元306向運算裝置20發送一第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值。

運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第二標準磁場強度值。運算裝置20之傳輸單元202接收所述第二高頻信號，並從所述第二高頻信號中獲取所述第二接收磁場強度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第二標準磁場強度值及所述第二接 收磁場強度值，並計算所述第二接收磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之差值。

分析運算模塊106控制運算單元204建立一第一函數關係及一第二函數關係，所述第一函數關係為所述第一標準磁場強度值及所述第二標準磁場強度值間之線性函數關係；所述第二函數關係為所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值間之線性函數關係。

運算單元204繼續計算，建立所述第一函數關係及所述一第二函數關係間之映射函數關係。所述映射函數關係應用於所述第二函數關係中時，能夠使得所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值經過換算後，分別無限地接近所述第一標準磁場強度值及所述第二標準磁場強度值。換言之，所述第一接收磁場強度值在套用所述映射函數關係後，能夠得到一第一近似標準磁場強度值，所述第一近似標準磁場強度值相較於所述第一接收磁場強度值更為接近所述第一標準磁場強度值；所述第二接收磁場強度值在套用所述映射函數關係後，能夠得到一第二近似標準磁場強度值，所述第二近似標準磁場強度值相較於所述第二接收磁場強度值更為接近所述第二標準磁場強度值。可以理解，所述第一近似標準磁場強度值及所述第二近似標準磁場強度值可以分別無限地接近所述第一標準磁場強度值及所述第二標準磁場強度值。在本實施方式中，所述映射函數關係由所述第一函數關係相對於所述第二函數關係之偏移量及斜率差確定。

校正模塊108控制傳輸單元202將所述映射函數關係傳輸並存儲至感應鑰匙300之第一存儲單元302中。

低頻發射控制模塊102再次控制信號源10之低頻發射單元13發射一第三低頻信號，同時與低頻發射單元13連接之亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第三低頻信號包含第三發射磁場強度值，所述第三發射磁場強度值為第三標準磁場強度值。

感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第三低頻信號，並識別其接收之第三低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第三低頻信號之磁場強度值為第三接收磁場強度值。

感應鑰匙300之處理單元308將所述第三接收磁場強度值應用所述映射函數關係重新計算後，得到一第三近似標準磁場強度值。高頻發射單元306向運算裝置20發送一第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標準磁場強度值。

運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第三標準磁場強度值。運算裝置20之傳輸單元202接收所述第三高頻信號，並從所述第三高頻信號中獲取所述第三近似標準磁場強度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第三標準磁場強度值及所述第三近似標準磁場強度值，並計算所述第三近似標準磁場強度值與所述第三標準磁場強度值間之差值。若所述差值在誤差允許之範圍之內，則上述之校正流程結束，若所述差值未落入誤差允許之範圍，則重複上述感應鑰匙校正流程。

本發明實施方式之感應鑰匙校正系統S1可以應用於感應鑰匙300之生產中，通過所述映射函數關係對感應鑰匙300接收到之信號進行磁場強度補償，提高感應鑰匙300之靈敏度。可以理解，感應鑰匙校正系統S1也可以應用在感應鑰匙300之品質檢測或檢修中。

甚至，感應鑰匙校正系統S1還可以應用在一車輛控制系統中。具體而言，信號源10可以設置在一車輛上，運算裝置20可以集成在感應鑰匙300中，可以設置在所述車輛上，也可以集成在信號源10內。當用戶發現感應鑰匙300之靈敏度下降時，可以啟動感應鑰匙校正系統S1，採用上述校正流程獲取一新之映射函數關係，對感應鑰匙300重新校正，以提高其感應靈敏度。感應鑰匙300經過校正後，首先對其所接收之低頻信號之磁場強度進行補償計算，再根據補償後之磁場強度執行下一步作業。例如，若補償後之磁場強度落入一預設範圍，感應鑰匙300可以控制所述車輛車門之開啟或關閉。因此，應用感應鑰匙校正系統S1之感應鑰匙300之靈敏度較高，能夠預防因接收之磁場強度誤差而導致誤操作。

請參照圖3及圖4，圖3及圖4示出了本發明一實施方式中感應鑰匙校正方法之流程圖。所述感應鑰匙之校正方法，包括如下步驟：步驟S101：信號源10發射第一低頻信號，所述第一低頻信號包含第一標準磁場強度值；感應鑰匙300接收所述第一低頻信號。具體地，低頻發射控制模塊102控制信號源10之低頻發射單元13發射所述第一低頻信號，所述第一低頻信號包含第一標準磁場強度值；感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第一低頻信號，並識別其接收之第一低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第一低頻信號之磁場強度值為第一接收磁場強度值。

步驟S103：感應鑰匙300向運算裝置20發射第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值；運算裝置20接收所述第一高頻信號。具體地，高頻發射控制模塊104控制感應鑰匙 300之高頻發射單元306向運算裝置20發送所述第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值。運算裝置20之傳輸單元202接收所述第一高頻信號，並從所述第一高頻信號中獲取所述第一接收磁場強度值。

步驟S105：運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第一標準磁場強度值。運算裝置20計算所述第一接收磁場強度值與所述第一標準磁場強度值間之差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，並計算所述第一接收磁場強度值與所述第一標準磁場強度值間之差值。若判斷所述差值為零或落入允許之誤差範圍內，則感應鑰匙300之感應靈敏度符合要求，不需校正，則流程結束。若所述差值未落入誤差允許之範圍內，則需對感應鑰匙300繼續校正，進入步驟S107。

步驟S107：信號源10發射第二低頻信號，所述第二低頻信號包含第二標準磁場強度值；感應鑰匙300接收所述第二低頻信號。具體地，低頻發射控制模塊102控制信號源10之低頻發射單元13發射所述第二低頻信號，所述第二低頻信號包含一與所述第一標準磁場強度值不相同之第二標準磁場強度值；感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第二低頻信號，並識別其接收之第二低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第二低頻信號之磁場強度值為第二接收磁場強度值。

步驟S109：感應鑰匙300向運算裝置20發射第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值；運算裝置20接收所述第二高頻信號。具體地，高頻發射控制模塊104控制感應鑰匙 300之高頻發射單元306向運算裝置20發送所述第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值。運算裝置20之傳輸單元202接收所述第二高頻信號，並從所述第二高頻信號中獲取所述第二接收磁場強度值。

步驟S111：運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第二標準磁場強度值。運算裝置20計算所述第二接收磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，並計算所述第二接收磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之差值。

步驟S113：運算裝置20根據所述第一接收磁場強度值與所述第一標準磁場強度值間之差值及第二接收磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之差值，計算感應鑰匙300接收磁場信號之誤差程度及消除所述誤差所需之誤差補償演算法。

具體地，分析運算模塊106控制運算單元204建立所述第一標準磁場強度值及所述第二標準磁場強度值間之第一函數關係，及所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值間之第二函數關係，同時建立所述第一函數關係及所述一第二函數關係間之映射函數關係。所述映射函數關係即消除所述誤差所需之誤差補償演算法。在本實施方式中，所述映射函數關係由第一函數關係相對於所述第二函數關係之偏移量及斜率差確定。

步驟S115：運算裝置20繼續將所述誤差補償演算法回傳至感應鑰匙300，感應鑰匙300接收並存儲所述誤差補償演算法。具體地，校正模塊108控制傳輸單元202將所述映射函數關係傳輸並存儲至 感應鑰匙300之第一存儲單元302中。

步驟S117：信號源10發送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含第三標準磁場強度值；感應鑰匙300接收所述第三低頻信號。具體地，低頻發射控制模塊102再次控制信號源10之低頻發射單元13發射一第三低頻信號，同時與低頻發射單元13連接之亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第三低頻信號包含第三發射磁場強度值，所述第三發射磁場強度值為第三標準磁場強度值。感應鑰匙300之低頻接收單元304接收所述第三低頻信號，並識別其接收之第三低頻信號之磁場強度值。記低頻接收單元304接收到之所述第三低頻信號之磁場強度值為第三接收磁場強度值。

步驟S119：感應鑰匙300應用所述誤差補償演算法對所述第三接收磁場強度值進行補償計算後，得到第三近似標準磁場強度值；感應鑰匙300繼續向運算裝置20發送第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標準磁場強度值。具體地，感應鑰匙300之處理單元308將所述第三接收磁場強度值應用所述映射函數關係重新計算後，得到一第三近似標準磁場強度值。高頻發射單元306向運算裝置20發送一第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標準磁場強度值。

步驟S121：運算裝置20之第三存儲單元201中預存有所述第三標準磁場強度值。運算裝置20計算所述第三近似磁場強度值與所述第三標準磁場強度值間之差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標準磁場強度值及所述第三近似磁場強度值，並計算所述第三近似磁場強度值與所述第三標準磁場強度值間之差值。若判斷所述差值為零或落入允許之誤差範圍內， 則感應鑰匙300之感應靈敏度符合要求，本次校正流程結束。若所述差值未落入誤差允許之範圍內，則需對感應鑰匙300繼續校正，進入步驟S101-S121。

本發明之感應鑰匙校正系統及校正方法，利用信號源10依次發射二次低頻信號並同時打出相應強度之磁場，感應鑰匙300將二次接收到之磁場資訊發送至運算裝置20以與磁場強度標準值做比較運算得出用於校正之映射函數關係，當信號源10再次打出磁場時，該校正系統允許感應鑰匙300根據該映射函數關係得出校正後之磁場強度，從而提高感應鑰匙300對信號感應之準確性及穩定性。

可以理解，該校正系統100可同時校正複數具有存儲及運算功能之感應鑰匙300。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

S1‧‧‧感應鑰匙校正系統

102‧‧‧低頻發射控制模塊

104‧‧‧高頻發射控制模塊

106‧‧‧分析運算模塊

108‧‧‧校正模塊

Claims (10)

1. 一種感應鑰匙校正系統，其應用於感應鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元、高頻發射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設存儲第一標準磁場強度及第二標準磁場強度；所述感應鑰匙校正系統包括：低頻發射控制模塊，用於控制所述低頻發射單元依次發送第一低頻信號及第二低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值，所述第二低頻信號包含所述第二標準磁場強度值；所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值不相同；所述感應鑰匙依次接收所述第一低頻信號及所述第二低頻信號，並識別接收到之所述第一低頻信號之磁場強度為第一接收磁場強度值，且識別接收到之所述第二低頻信號之磁場強度為第二接收磁場強度值；高頻發射控制模塊，用於控制所述高頻發射單元依次發送第一高頻信號及第二高頻信號，所述第一高頻信號及所述第二高頻信號分別包含所述第一接收磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；分析運算模塊，用於控制所述運算單元依次讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，及所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值；並計算出補償所述低頻接收單元所接收之接收磁場強度值及所述低頻發射單元所發射之標準磁場強度值間之誤差所需要之誤差補償演算法；及校正模塊，用於控制所述傳輸單元向所述感應鑰匙發送所述補償演算法，以允許所述感應鑰匙在接收到下一低頻信號時運用所述補償演算法對 其接收到的接收磁場強度值進行補償運算；其中，所述低頻發射控制模塊還用於在判斷所述誤差未落入一預設之誤差範圍時，控制所述低頻發射單元繼續發送另一低頻信號，以允許感應鑰匙校正系統再次對所述智慧鑰匙進行校正，直至所述誤差落入所述預設之誤差範圍。
2. 如申請專利範圍第1項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，所述分析運算模塊還用於在判斷所述誤差落入所述預設之誤差範圍時，控制所述低頻發射單元停止發送低頻信號。
3. 如申請專利範圍第1項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，所述分析運算模塊根據所述第一標準磁場強度值、所述第一接收磁場強度值、所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，建立所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之第一函數關係，及建立所述第一接收磁場強度值與所述第二接收磁場強度值間之第二函數關係，並建立所述第一函數關係與所述第二函數關係間之映射函數關係，所述映射函數關係為所述誤差補償演算法。
4. 如申請專利範圍第3項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，所述映射函數關係由所述第一函數關係相對於所述第二函數關係之偏移量及斜率差確定。
5. 如申請專利範圍第1項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，所述高頻發射控制模塊及所述校正模塊為存儲在所述第一存儲單元中，並可被所述第一存儲單元執行之可程式化之模塊。
6. 如申請專利範圍第1項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，所述低頻發射控制模塊為存儲在所述第二存儲單元中並可被所述第二存儲單元執行之可程式化之模塊。
7. 如申請專利範圍第1項所述之感應鑰匙校正系統，其改良在於，元執行之 可程式化之模塊。
8. 一種感應鑰匙校正方法，其應用於感應鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元高頻發射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預設存儲第一標準磁場強度、第二標準磁場強度及第三標準磁場強度；所述感應鑰匙校正方法包括步驟：控制所述低頻發射單元發送第一低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標準磁場強度值；所述感應鑰匙接收所述第一低頻信號，並識別接收到之所述第一低頻信號之磁場強度為第一接收磁場強度值；控制所述高頻發射單元發送第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強度值；控制所述通訊單元接收所述第一高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值，並計算所述第一標準磁場強度值及所述第一接收磁場強度值間之第一差值；判斷若所述第一差值若未落入一預設之誤差範圍，則控制所述低頻發射單元發送第二低頻信號，所述第二低頻信號包含所述第二標準磁場強度值；所述第二標準磁場強度值與所述第一標準磁場強度值不相同；所述感應鑰匙接收所述第二低頻信號並識別接收到之所述第二低頻信號之磁場強度為第二接收磁場強度值；控制所述高頻發射單元發送第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強度值；控制所述通訊單元接收所述第二高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強 度值，並計算出補償所述低頻接收單元所接收之接收磁場強度值及所述低頻發射單元所發射之標準磁場強度值間之誤差所需要之誤差補償演算法；控制所述傳輸單元向所述感應鑰匙發送所述補償演算法；控制所述低頻發射單元發送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含所述第三標準磁場強度值；所述感應鑰匙接收所述第三低頻信號並識別接收到之所述第三低頻信號之磁場強度為第三接收磁場強度值；控制所述處理單元運用所述映射函數關係將所述第三接收磁場強度值重新計算後，得到一近似標準磁場強度值；控制所述高頻發射單元發射第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述似標標準磁場強度值；控制所述運算單元讀取所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值，並計算所述第三標準磁場強度值及所述近似標準磁場強度值間之第二差值；判斷若所述第二差值若未落入所述預設之誤差允許範圍，則繼續上述校正步驟，直至所述第一差值或所述第二差值落入所述預設之誤差允許範圍。
9. 如申請專利範圍第8項所述之感應鑰匙校正方法，其改良在於，判斷若所述第一差值或第二差值若落入所述預設之誤差範圍時，結束上述校正步驟。
10. 如申請專利範圍第8項所述之感應鑰匙校正方法，其改良在於，所述分析運算模塊根據所述第一標準磁場強度值、所述第一接收磁場強度值、所述第二標準磁場強度值及所述第二接收磁場強度值，建立所述第一標準磁場強度值與所述第二標準磁場強度值間之第一函數關係，及建立所述第一接收磁場強度值與所述第二接收磁場強度值間之第二函數關係，並 建立所述第一函數關係與所述第二函數關係間之映射函數關係，所述映射函數關係為所述誤差補償演算法。