TWI533323B - 電子裝置及其操作方法 - Google Patents

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TWI533323B
TWI533323B TW103140178A TW103140178A TWI533323B TW I533323 B TWI533323 B TW I533323B TW 103140178 A TW103140178 A TW 103140178A TW 103140178 A TW103140178 A TW 103140178A TW I533323 B TWI533323 B TW I533323B
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晶相光電股份有限公司
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Description

電子裝置及其操作方法
本發明有關於一種電子裝置，且特別有關於在電子裝置內可直接讀取唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)的操作方法。
一般而言，電子裝置係由不同電子元件所組成，以執行特定功能。在電子裝置中，主機(host)元件可藉由控制從屬(slave)元件與記憶體之間的操作來完成特定功能，其中主機元件與從屬元件大多為積體電路晶片。舉例來說，主機晶片(例如微處理器或是中央處理器(CPU))可依據不同操作條件來設定從屬晶片內的控制暫存器，即設置(configure)符合目前需求的設定值至從屬晶片內的控制暫存器。若從屬晶片內之控制暫存器的設定值不正確時，則該從屬晶片的操作會錯誤，使得電子裝置會無法正常工作。
第1圖係顯示傳統電子裝置100。電子裝置100包括主機晶片110、唯讀記憶體120以及從屬晶片130。在電子裝置100中，主機晶片110是根據事先已編程好且儲存在唯讀記憶體120內的唯讀記憶體碼CROM進行運作。首先，當電子裝置100的電力開啟時，主機晶片110內的處理器114會將儲存在唯讀記憶體120內的唯讀記憶體碼CROM載入至靜態隨機存取記憶體 (Static Random Access Memory，SRAM)112內。在某些情況下，主機晶片110必須要能在一設定時間範圍內立即將從屬晶片130的控制暫存器設定到正確的數值，否則將導致電子裝置100會操作不正常。換言之，主機晶片110的工作效能亦會影響電子裝置100執行特定功能的正確性。例如，對可執行影像處理功能的電子裝置而言，若需要在連續之影像處理過程中來更新影像的解析度，則主機晶片110需要在兩連續畫面之間的空白(blanking)區間對相關的控制暫存器進行設定。傳統上，電子裝置100會使用陰影暫存器(shadow register)132來避免上述問題。因此，主機晶片110的處理器114可在任何時間內根據靜態隨機存取記憶體112所儲存的設定值來對屬晶片130之陰影暫存器132內的第一階(level-1)暫存單元131進行更新。然後，陰影暫存器132會根據控制信號Ctr1在影像的空白區間將第一階暫存單元131內的設定值更新至第二階(level-2)暫存單元133，其中第二階暫存單元133所儲存的設定值才是控制暫存器的真正設定值。於是，主要電路134便能根據正確的設定值來執行操作。
在電子裝置的製造過程中，具有靜態隨機存取記憶體以及處理器的主機晶片會佔用掉較高的生產成本。因此，需要一種不需經由處理器並可直接讀取唯讀記憶體的晶片。
本發明提供一種電子裝置。上述電子裝置包括：一唯讀記憶體，包括複數區塊；以及一晶片。上述晶片包括：一偵測單元，用以根據一事件而得到一觸發信號；一組態暫存 單元，用以提供一讀取位址；以及一存取介面，用以相應於上述觸發信號，根據上述讀取位址，而從上述唯讀記憶體載入上述複數區塊之一特定區塊。上述組態暫存單元係根據上述特定區塊的資料來更新上述讀取位址。每一上述區塊係對應於上述事件之一個別狀態。
再者，本發明提供一種操作方法，適用於一電子裝置，上述電子裝置包括一唯讀記憶體以及一晶片。根據一事件，得到一觸發信號。相應於上述觸發信號，根據一讀取位址，從上述唯讀記憶體之複數區塊中載入一特定區塊至上述晶片。根據上述特定區塊的資料，更新上述讀取位址。每一上述區塊係對應於上述事件之一個別狀態。
100、200、400、600‧‧‧電子裝置
110‧‧‧主機晶片
112‧‧‧靜態隨機存取記憶體
114‧‧‧處理器
120、220、420、620‧‧‧唯讀記憶體
130‧‧‧從屬晶片
131‧‧‧第一階暫存單元
132‧‧‧陰影暫存器
133‧‧‧第二階暫存單元
134、218‧‧‧主要電路
210、410、610‧‧‧晶片
212、412、612‧‧‧偵測單元
214、414、614‧‧‧存取介面
216、416、616‧‧‧組態暫存單元
230、430、630‧‧‧電源管理單元
Cinitial、Cond1-Condn‧‧‧區塊
Cond1_end-Condn_end、Pdn_end‧‧‧結束位址
Cond1_start-Condn_start、Pon_start、Saddr‧‧‧起始位址
CROM‧‧‧唯讀記憶體碼
Cstop‧‧‧停止碼
Ctr1‧‧‧控制信號
Sevent‧‧‧事件
Strigger‧‧‧觸發信號
SPO‧‧‧電力開啟信號
Sync‧‧‧同步信號
第1圖係顯示傳統電子裝置；第2A與2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之電子裝置；第3圖係顯示第2A與2B圖之電子裝置之操作方法；第4A與4B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之電子裝置；第5圖係顯示第4A與4B圖之電子裝置之操作方法；第6A與6B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之電子裝置；第7圖係顯示第6A與6B圖之電子裝置之操作方法。
為讓本發明之該和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
第2A與2B圖係顯示根據本發明一實施例所述之電子裝置200。電子裝置200包括晶片210、唯讀記憶體220以及電源管理單元230。晶片210包括偵測單元212、存取介面214、組態暫存單元216以及主要電路218，其中主要電路218可執行具有兩種狀態的特定功能。例如，主要電路218可控制影像的顯示亮度為高亮度或低亮度等。此外，組態暫存單元216包括複數控制暫存器。當電子裝置200上電時，電源管理單元230會提供電力開啟信號SPO至晶片210。偵測單元212包括觸發器211，其可根據來自電源管理單元230的電力開啟信號SPO以及來自電子裝置200外部或是內部其他元件的事件Sevent而提供觸發信號Strigger至存取介面214，其中觸發信號Strigger係指示電子裝置200將操作在特定狀態下。接著，相應於觸發信號Strigger，存取介面214會根據來自組態暫存單元216之起始位址Saddr而從唯讀記憶體220依序載入特定區塊的資料，其中儲存在特定區塊內的唯讀記憶體碼係包括對應於觸發信號Strigger之控制暫存器的設定值。接著，存取介面214會將唯讀記憶體碼內的設定值依序寫入至組態暫存單元216內的控制暫存器。於是，主要電路218便可根據組態暫存單元216內的正確設定，來完成對應於觸發信號Strigger的功能設定。再者，偵測單元212亦可根據同步信號Sync來對觸發信號Strigger進行同步觸發。例如，假設同步信號Sync係用來指示兩連續畫面之間的空白區間，則偵測單元212會在接收到事件Sevent且處於兩連續畫面之間的空白區間(即同 步信號Sync成立)時，才會提供觸發信號Strigger至存取介面214。
在第2A與2B圖中，唯讀記憶體220內唯讀記憶體碼的排列係對應於晶片210的控制暫存器的位址以及設定值而儲存，其中控制暫存器的位址以及設定值的存放位置係根據不同應用以及唯讀記憶體220的尺寸而決定。例如，控制暫存器的位址以及其設定值係儲存在唯讀記憶體220內的相同位址內。此外，控制暫存器的位址以及其設定值係儲存在唯讀記憶體220內的不同位址內。在第2A與2B圖中，唯讀記憶體220包括複數區塊，其中每一區塊的資料包括控制暫存器的位址以及設定值。在此實施例中，區塊Cinitial係用來儲存當電子裝置200上電時晶片210內全部暫存器的位址以及該暫存器的初始值(initial value)，其中區塊Cinitial係安排在唯讀記憶體220的起始位址，且區塊Cinitial的起始位址Pon_start為唯讀記憶體220的起始位址(例如0x0000)。此外，區塊Cond1係用來儲存當電子裝置200操作在第一狀態(預設狀態)時，晶片210內控制暫存器的位址以及控制暫存器的預設值(default value)。值得注意的是，區塊Cond1係安排在區塊Cinitial之後的位置，其中區塊Cond1的起始位址Cond1_start係區塊Cinitial的結束位址Pon_end的下一個位址。此外，區塊Cond1的結束位址Cond1_end係由停止碼Cstop所決定。相似地，區塊Cond2係用來儲存當電子裝置200操作在第二狀態時，晶片210內控制暫存器的位址以及控制暫存器的設定值。區塊Cond2係安排在區塊Cond1之後的位置，以及區塊Cond2的結束位址Cond2_end亦係由停止碼Cstop所決定。值得注意的是，除了初始區塊之外，在 每一區塊內至少會儲存另一區塊的起始位址。例如，在區塊Cond1中，區塊Cond2的起始位址係儲存在區塊Cond1之結束位址Cond1_end的前一個位址內，而在區塊Cond2中，區塊Cond1的起始位址係儲存在區塊Cond2之結束位址Cond2_end的前一個位址內。值得注意的是，對每一區塊來說，用來儲存另一區塊之結束位址的位置係根據實際應用而決定。
第3圖係顯示第2A與2B圖之電子裝置200之操作方法。同時參考第2A與2B圖與第3圖，首先，在步驟S310，當電子裝置200上電時，電源管理單元230會提供電力開啟信號SPO至晶片210。接著，偵測單元212會根據電力開啟信號SPO而提供觸發信號Strigger。當觸發信號Strigger指示電力開啟信號SPO成立時，組態暫存單元216會將用來讀取唯讀記憶體220之起始位址Saddr設為區塊Cinitial的起始位址Pon_start，以便控制存取介面214從唯讀記憶體220的起始位址0x0000開始讀取區塊Cinitial(步驟S320)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元216內的暫存器設定成初始值。在讀取完區塊Cinitial之後，存取介面214會繼續對區塊Cond1進行讀取(步驟S330)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元216內的控制暫存器設定成預設值，直到讀取到儲存在結束位址Cond1_end的停止碼Cstop。於是，主要電路218便可根據組態暫存單元216內對應於區塊Cond1之設定值來執行符合預設狀態(即第一狀態)的操作，例如將影像亮度設定為低亮度。同時地，儲存在區塊Cond1內之區塊Cond2的起始位址Cond2_start亦會被儲存在組態暫存單元216內，以作為下一次讀取唯讀記憶體220之起始位址Saddr， 即起始位址Saddr會更新為區塊Cond2的起始位址Cond2_start。接著，在步驟S340，偵測單元212會偵測是否有事件Sevent存在/成立。在一實施例中，事件Sevent可以是雙態觸變(toggle)信號。若事件Sevent不成立，則組態暫存單元216內控制暫存器的設定不會被更新，而電子裝置200會繼續執行目前狀態的操作(步驟S350)。若事件Sevent成立，則偵測單元212會提供觸發信號Strigger。當觸發信號Strigger指示事件Sevent成立時，組態暫存單元216會提供起始位址Saddr至存取介面214，其中起始位址Saddr係被設定為區塊Cond2的起始位址Cond2_start。接著，控制存取介面214會根據起始位址Saddr而從唯讀記憶體220讀取出區塊Cond2(步驟S360)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元216內的暫存器設定成區塊Cond2內的設定值，直到讀取到儲存在結束位址Cond2_end的停止碼Cstop。於是，主要電路218便可根據組態暫存單元216內對應於區塊Cond2之設定值來執行符合第二狀態的操作，例如將影像亮度設定為高亮度。同時地，儲存在區塊Cond2內之區塊Cond1的起始位址Cond1_start亦會被儲存在組態暫存單元216內，以作為下一次讀取唯讀記憶體220之起始位址Saddr，即起始位址Saddr會更新為區塊Cond1的起始位址Cond1_start。因此，在此實施例中，當晶片210遇到事件觸發時，組態暫存單元216內所有需要更新之控制暫存器的設定值將會透過存取介面214自動地從唯讀記憶體220的另一區塊的起始位址開始載入，直到讀取到停止碼Cstop。
第4A與4B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之電子裝置400。電子裝置400包括晶片410、唯讀記憶體420以及 電源管理單元430。晶片410包括偵測單元412、存取介面414、組態暫存單元416以及主要電路418，其中主要電路418可執行n種狀態的特定功能。在唯讀記憶體420中，區塊Cinitial係用來儲存當電子裝置400上電時晶片410內全部暫存器的位址以及該暫存器的初始值，其中區塊Cinitial係安排在唯讀記憶體420的起始位址。此外，區塊Cond1係用來儲存當電子裝置400操作在第一狀態(預設狀態)時，晶片410內控制暫存器的位址以及控制暫存器的預設值。值得注意的是，區塊Cond1係安排在區塊Cinitial之後的位置。相似地，區塊Cond2係用來儲存當電子裝置400操作在第二狀態時的控制暫存器的位址以及其設定值、區塊Cond(n-1)係用來儲存當電子裝置400操作在第(n-1)狀態時的控制暫存器的位址以及其設定值，以及區塊Condn係用來儲存當電子裝置400操作在第n狀態時的控制暫存器的位址以及其設定值。值得注意的是，區塊Cond2至區塊Condn的位置可根據實際應用而決定。如先前所描述，當電子裝置400上電之後，唯讀記憶體420內的區塊Cinitial以及區塊Cond1會依序載入至晶片410。接著，相應於事件Sevent，晶片410會以第一順序或是第二順序在第一狀態至第n狀態之間進行切換。在此實施例中，第一順序為順向(forward)，而第二順序為反向(backward)。因此，每個區塊包括具有對應之順向起始位址Saddr_F以及對應之反向起始位址Saddr_F。例如，當晶片410操作在第一狀態時，則晶片410可依順向順序切換至第二狀態，或依反向順序繼續維持在第一狀態。因此，在區塊Cond1內，順向起始位址Saddr_F係設定為區塊Cond2的起始位址 Cond2_start，而反向起始位址Saddr_B係設定為區塊Cond1的起始位址Cond1_start。再者，當晶片410操作在第二狀態時，則晶片410可依順向順序切換至第三狀態，或依反向順序切換至第一狀態。因此，在區塊Cond2內，順向起始位址Saddr_F係設定為區塊Cond3的起始位址Cond3_start，而反向起始位址Saddr_B係設定為區塊Cond1的起始位址Cond1_start。
第5圖係顯示第4A與4B圖之電子裝置400之操作方法。同時參考第4A與4B圖與第5圖，首先，在步驟S510，當電子裝置400上電時，電源管理單元430會提供電力開啟信號SPO至晶片410。接著，偵測單元412會根據電力開啟信號SPO而提供觸發信號Strigger。當觸發信號Strigger係指示電力開啟信號SPO成立時，組態暫存單元416會將用來讀取唯讀記憶體420之起始位址Saddr設為區塊Cinitial的起始位址Pon_start，以便控制存取介面414從唯讀記憶體420的起始位址0x0000開始讀取區塊Cinitial(步驟S520)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元416內的暫存器設定成初始值。在讀取完區塊Cinitial之後，存取介面414會繼續對區塊Cond1進行讀取(步驟S530)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元416內的暫存器設定成預設值，直到讀取到儲存在結束位址Cond1_end的停止碼Cstop。於是，主要電路418便可根據組態暫存單元416內對應於區塊Cond1之設定值來執行符合預設狀態(即第一狀態)的操作，例如將影像亮度設定為第一位準。同時地，儲存在區塊Cond1內之順向起始位址Saddr_F以及反向起始位址Saddr_B亦會被儲存在組態暫存單元416內，以作為下一次讀取唯讀記憶體420之 起始位址Saddr。再者，組態暫存單元416會根據第一狀態來設定目前狀態值Current_state(例如Current_state=1)。接著，在步驟S540，偵測單元412會偵測是否有事件Sevent成立，其中事件Sevent具有目標狀態值Target_state。若事件Sevent不成立，則組態暫存單元416內控制暫存器的設定不會被更新，而電子裝置400會繼續執行目前狀態的操作(步驟S550)。若偵測到事件Sevent成立，則偵測單元412會提供具有目標狀態值Target_state之觸發信號Strigger。接著，在步驟560，組態暫存單元416會將目標狀態值Target_state與目前狀態值Current_state進行比較。當目標狀態值Target_state等於目前狀態值Current_state(即Target_state=Current_state)時，則組態暫存單元416內控制暫存器的設定不會被更新，而電子裝置400會繼續執行目前狀態的操作(步驟S550)。此外，當目標狀態值Target_state大於目前狀態值Current_state(即Target_state>Current_state)時，組態暫存單元416會根據順向起始位址Saddr_F來提供起始位址Saddr至存取介面414，於是控制存取介面414可根據起始位址Saddr而從唯讀記憶體420讀取出對應於順向起始位址Saddr_F的區塊(步驟S570)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元416內的暫存器設定成該區塊的設定值，直到讀取到儲存在該區塊之結束位址的停止碼Cstop。同時地，組態暫存單元416會根據該區塊的資料來更新目標狀態值Target_state、反向起始位址Saddr_B以及順向起始位址Saddr_F。接著，流程會回到步驟S560，繼續將目標狀態值Target_state與已更新之目前狀態值Current_state進行比較，並進行後續步驟，直到目標狀態值 Target_state等於目前狀態值Current_state。此外，當目標狀態值Target_state小於目前狀態值Current_state(即Target_state<Current_state)時，組態暫存單元416會根據反向起始位址Saddr_B來提供起始位址Saddr至存取介面414，於是控制存取介面414可根據起始位址Saddr而從唯讀記憶體420讀取出對應於反向起始位址Saddr_B的區塊(步驟S580)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元416內的暫存器設定成該區塊的設定值，直到讀取到儲存在該區塊之結束位址的停止碼Cstop。同時地，組態暫存單元416會根據該區塊來更新目標狀態值Target_state、反向起始位址Saddr_B以及順向起始位址Saddr_F。接著，流程會回到步驟S560，繼續將目標狀態值Target_state與已更新之目前狀態值Current_state進行比較，並進行後續步驟，直到目標狀態值Target_state等於目前狀態值Current_state。舉例來說，假設目前狀態值Current_state為1而目標狀態值Target_state為3，則晶片410會依序載入區塊Cond2以及區塊Cond3並執行所對應之狀態的操作(例如影像亮度會從第一位準、第二位準依序增加至第三位準)，直到目前狀態值Current_state切換為3。因此，在此實施例中，當晶片410遇到事件觸發時，組態暫存單元416內所有需要更新之控制暫存器的設定值將會透過存取介面414依序從唯讀記憶體420的載入所需要的區塊，並執行所對應的操作。
第6A與6B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之電子裝置600。電子裝置600包括晶片610、唯讀記憶體620以及電源管理單元630。晶片610包括偵測單元612、存取介面614、 組態暫存單元616以及主要電路618，其中主要電路618可執行四種狀態的特定功能。如先前所描述，當電子裝置600上電之後，唯讀記憶體620內的區塊Cinitial以及區塊Cond1會依序載入至晶片610。接著，根據事件Sevent所指定的狀態，晶片610會直接從唯讀記憶體620內載入所對應的區塊。因此，在每個區塊中，會具有其他區塊之起始位址Saddr。例如，在唯讀記憶體620內，區塊Cond1會包括區塊Cond2之起始位址.Cond2_start、區塊Cond3之起始位址Cond3_start及區塊Cond4之起始位址Cond4_start，而區塊Cond2會包括區塊Cond1之起始位址Cond1_start、區塊Cond3之起始位址Cond3_start及區塊Cond4之起始位址Cond4_start。
第7圖係顯示第6A與6B圖之電子裝置600之操作方法。同時參考第6A與6B圖與第7圖，首先，在步驟S610，當電子裝置600上電時，電源管理單元630會提供電力開啟信號SPO至晶片610。接著，偵測單元612會根據電力開啟信號SPO而提供觸發信號Strigger。當觸發信號Strigger係指示電力開啟信號SPO成立時，組態暫存單元616會將用來讀取唯讀記憶體620之起始位址Saddr設為區塊Cinitial的起始位址Pon_start，以便控制存取介面614從唯讀記憶體620的起始位址0x0000開始讀取區塊Cinitial(步驟S720)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元616內的暫存器設定成初始值。在讀取完區塊Cinitial之後，存取介面614會繼續對區塊Cond1進行讀取(步驟S730)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元616內的暫存器設定成預設值，直到讀取到儲存在結束位址Cond1_end的停止碼Cstop。於 是，主要電路618便可根據組態暫存單元616內對應於區塊Cond1之設定值來執行符合預設狀態(即第一狀態)的操作，例如將影像亮度設定為第一位準。同時地，儲存在區塊Cond1內之其他區塊的起始位址(例如Saddr_C2、Saddr_C3與Saddr_C4)亦會被儲存在組態暫存單元616內，以作為下一次讀取唯讀記憶體620之起始位址Saddr。接著，在步驟S740，偵測單元612會偵測是否有事件Sevent成立，其中事件Sevent會指示欲切換至哪一狀態。若事件Sevent不成立，則組態暫存單元616內控制暫存器的設定不會被更新，而電子裝置600會繼續執行目前狀態的操作(步驟S750)。若偵測到事件Sevent成立，則偵測單元612會提供觸發信號Strigger。接著，在步驟760，組態暫存單元616會根據事件Sevent所指定的狀態，而從其他區塊之起始位址中來提供所對應之區塊的起始位址Saddr至存取介面614，以便控制存取介面614從唯讀記憶體620讀取出該區塊(步驟S760)，並根據所讀取的資料來將組態暫存單元616內的暫存器設定成該區塊的設定值，直到讀取到儲存在該區塊之結束位址的停止碼Cstop。同時地，根據該區塊的資料，組態暫存單元616內的其他區塊之起始位址Saddr亦會更新。舉例來說，當晶片610目前係操作在第一狀態且事件Sevent係指示欲切換至第三狀態時，組態暫存單元616會根據先前所載入之區塊Cond1內的資料(Saddr_C3=Cond3_start)來提供區塊Cond3的起始位址Saddr至存取介面614，以便控制存取介面614從唯讀記憶體620讀取出區塊Cond3。因此，在此實施例中，當晶片610遇到事件觸發成立時，組態暫存單元616內所有需要更新之控制暫存器的設定 值將會透過存取介面614自動地從唯讀記憶體620載入所需要的區塊，並執行所對應的操作。
根據本發明之實施例，任何需要根據不同狀態/條件來設定晶片內控制暫存器之設定值的晶片皆可不透過微處理器或中央處理器來完成電子裝置的功能，且不需增加晶片內控制暫存器的數量，於是可降低電子裝置的生產成本。例如，在監控系統中，電子裝置可依照目前的亮度條件來觸發晶片，以便從唯讀記憶體中載入預先定義的曝光值、增益值或其他影像處理的數值，以達到最佳錄像效果。
此外，在不複雜的應用系統之下，藉由省去微處理器或中央處理器的需求，可以整個系統的電路更為簡單與省電。根據本發明之實施例，控制暫存器的更新可完全由晶片自行完成。
再者，所有控制暫存器的更新亦可同步於系統需求，並在合理的時間範圍內完成，於是可不需使用到陰影暫存器，於是可降低晶片尺寸。再者，唯讀記憶體內區塊的排列係對應於晶片內控制暫存器的位址與設定值而安排，因此對開發者而言容易理解且易於修改。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中包括通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧電子裝置
210‧‧‧晶片
212‧‧‧偵測單元
214‧‧‧存取介面
216‧‧‧組態暫存單元
218‧‧‧主要電路
220‧‧‧唯讀記憶體
230‧‧‧電源管理單元
Cinitial、Cond1、Cond2‧‧‧區塊
Cond1_end、Cond2_end、Pon_end‧‧‧結束位址
Cond1_start、Cond2_start、Pon_start、Saddr‧‧‧起始位址
Cstop‧‧‧停止碼
Sevent‧‧‧事件
Strigger‧‧‧觸發信號
SPO‧‧‧電力開啟信號
Sync‧‧‧同步信號

Claims (24)

  1. 一種電子裝置，包括：一唯讀記憶體，包括複數區塊；以及一晶片，耦接於上述唯讀記憶體，包括：一偵測單元，用以根據對應於一影像亮度之一事件而得到一觸發信號；一組態暫存單元，用以提供一讀取位址；以及一存取介面，用以相應於上述觸發信號，根據上述讀取位址，而從上述唯讀記憶體載入上述複數區塊之一特定區塊，其中上述組態暫存單元係根據上述特定區塊的資料來更新上述讀取位址，其中每一上述區塊係對應於上述事件之一個別狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中當上述觸發信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值以及對應於上述事件的一第二狀態之上述區塊的一起始位址，其中上述組態暫存單元係根據上述起始位址來更新上述讀取位址。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電子裝置，其中上述晶片更包括：一主要電路，用以根據上述第一暫存器設定值來執行對應於上述第一狀態之一特定功能，以便將上述影像亮度設定為上述第一狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，更包括： 一電源管理單元，用以當上述電子裝置上電時，提供一電力開啟信號，其中上述偵測單元更根據上述電力開啟信號以及上述事件而得到上述觸發信號。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電子裝置，其中當上述觸發信號係指示上述電力開啟信號成立時，上述特定區塊的資料包括一初始暫存器設定值、對應於上述事件的一預設狀態之一預設暫存器設定值以及對應於上述事件的一下一狀態之上述區塊的一起始位址，其中上述組態暫存單元係根據上述起始位址來更新上述讀取位址。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子裝置，其中上述晶片更包括：一主要電路，用以根據上述初始暫存器設定值以及上述預設暫存器設定值來執行對應於上述預設狀態之一特定功能，以便將上述影像亮度設定為上述預設狀態。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中當上述觸發信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值、對應於上述事件的一第二狀態之上述區塊的一第一起始位址以及對應於上述事件的一第三狀態之上述區塊的一第二起始位址。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中上述事件的上述第二狀態係上述第一狀態的下一狀態，而上述事件的上述第三狀態係上述第一狀態的前一狀態。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中上述組態暫存單元係根據一下一觸發信號而選擇上述第一起始位址與上述第二起始位址之一者來更新上述讀取位址。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中當上述觸發信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值以及對應於上述事件中除了上述第一狀態之外的其他狀態之每一上述區塊的一起始位址。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電子裝置，其中上述組態暫存單元係根據一下一觸發信號而選擇上述起始位址之一者來更新上述讀取位址。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中每一上述區塊的一結束位址係由一停止碼所決定。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中上述偵測單元更根據一同步信號而提供上述觸發信號至上述存取介面。
  14. 一種操作方法，適用於一電子裝置，上述電子裝置包括一唯讀記憶體以及耦接於上述唯讀記憶體之一晶片，上述操作方法包括：根據對應於一影像亮度之一事件，得到一觸發信號；相應於上述觸發信號，根據一讀取位址，從上述唯讀記憶體之複數區塊中載入一特定區塊至上述晶片；以及根據上述特定區塊的資料，更新上述讀取位址；其中每一上述區塊係對應於上述事件之一個別狀態。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中當上述觸發 信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值以及對應於上述事件的一第二狀態之上述區塊的一起始位址，其中上述讀取位址係根據上述起始位址而更新。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之操作方法，更包括：根據上述第一暫存器設定值，經由上述晶片執行對應於上述第一狀態之一特定功能，以便將上述影像亮度設定為上述第一狀態。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中當上述觸發信號係指示上述電子裝置上電時，上述特定區塊的資料包括一初始暫存器設定值、對應於上述事件的一預設狀態之的一預設暫存器設定值以及對應於上述事件的一下一狀態之上述區塊的一起始位址，其中上述讀取位址係根據上述起始位址而更新。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之操作方法，更包括：根據上述初始暫存器設定值以及上述預設暫存器設定值，經由上述晶片執行對應於上述預設狀態之一特定功能，以便將上述影像亮度設定為上述預設狀態。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中當上述觸發信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值、對應於上述事件的一第二狀態之上述區塊的一第一起始位址以及對應於上述事件的一第三狀態之上述區塊的一第二起始位址，其中上述事件的上述第二狀態係上述第一狀態 的下一狀態，而上述事件的上述第三狀態係上述第一狀態的前一狀態。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之操作方法，更包括：根據一下一觸發信號，選擇上述第一起始位址與上述第二起始位址之一者來更新上述讀取位址；以及根據上述第一暫存器設定值，經由上述晶片執行對應於上述第一狀態之一特定功能。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中當上述觸發信號係指示上述事件的一第一狀態成立時，上述特定區塊的資料包括對應於上述第一狀態的一第一暫存器設定值以及對應於上述事件中除了上述第一狀態之外的其他狀態之每一上述區塊的一起始位址。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之操作方法，更包括：根據一下一觸發信號而選擇上述起始位址之一者來更新上述讀取位址；以及根據上述第一暫存器設定值，經由上述晶片執行對應於上述第一狀態之一特定功能。
  23. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中每一上述區塊的一結束位址係由一停止碼所決定。
  24. 如申請專利範圍第14項所述之操作方法，其中上述根據上述事件，得到上述觸發信號之步驟更包括：根據一電力開啟信號，得到上述觸發信號；或根據上述事件以及一同步信號，得到上述觸發信號。
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