TWI532111B - 用於扇出晶圓之製程控制及製造方法 - Google Patents

用於扇出晶圓之製程控制及製造方法 Download PDF

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Description

用於扇出晶圓之製程控制及製造方法 相關申請案
此專利申請案係請求2010年3月18日提申之美國臨時專利申請案第61/315,072號之優先權,在此併入其之全部內容以供參考。
本發明係有關用於監測一扇出晶圓之一製造製程的方法、一電腦程式產品與一檢驗系統。
發明背景
嵌入式晶圓級封裝(eWLP)與扇出式晶圓級球閘陣列(eWLB)(亦習知為”扇出”製程)係藉由下列程序而建立:
i. 切(切割)一矽晶圓成單獨的矽晶片;
ii. 藉由一選取與置放裝置,置放每一矽晶粒呈”倒裝”(或”覆晶晶片”)至一模具(諸如一膠帶)之上。該膠帶係形成一模具,一鑄件將於該模具內部被模製;
iii. 模製一鑄造材料(可選擇地-於固化之後),該鑄造材料係提供一圍繞每一矽晶粒之框架,以提供形成一再製晶圓(亦習知為扇出晶圓或一模製晶圓)之模製晶粒,其中每一模製晶粒係具有一較大面積以用於置放交互連結-該面積包括該矽晶粒之表面以及該圍繞該矽晶粒之框架;
iv. 一再分布層(RDL)之施用(圖案化),其包括被預期用以電連結矽晶粒座之數個導體,以及該應形成於該模製晶粒之整個表面的交互連結(諸如一銲料凸塊);
v. 執行一凸塊製程以完成該製造製程,且提供可連結至印刷電路板或至任何其他元件的交互連結。
許多錯誤可能包括:矽晶粒的未校準(沿著任何軸線,且包括相對於整個晶圓或另一晶粒至一未知位置的旋轉),矽晶粒與框架之間的高度差異,矽晶粒與框架之間的未校準,導體的未校準,以及交互連結的未校準。
此等扇出晶圓可能表現一位置的不確定、每一單獨晶粒之偏移與傾斜,因此使該製造製程變得複雜(以及產生錯誤)-通常為再分布層之圖案化、施用凸塊、TSV及其等之。此可能在其使用期間造成製程產出損失或是最終產品的最後品質與可靠度問題。
此產出損失或元件品質與可靠度可能來自有關該矽晶粒與該框架以及該晶粒與其他在該扇出晶圓上之晶粒之間之界面的主要校準問題:
(a) 在每一單獨矽晶粒之選取、覆晶與置放時造成的位移與旋轉錯誤-導致在每一矽晶粒上之晶粒座之間的水平(X,Y)錯置與旋轉(Θ)問題(依照其當下所在),以及RDL影像之定位,其應在圖案化與其他製造製程時被施用至每一矽晶粒與該框架;以及
(b) 該矽晶粒與該框架之間的表面高度差異,其可能導致在RDL圖案化製程時的圖案變形,以及在RDL與更多製造步驟時的製造問題。
每一製造階段係假定在扇出晶圓上之所有晶片係在單一、固定且可預測的晶粒指數(delta-X與delta-Y)下完美地被校準,且係具有零度之旋轉與Z軸傾斜/滾動。
此種無缺失假設可來自於使用被設計用於完整且無晶粒之晶圓之製造的製造設備(尤其用於圖案化、探測、測試與凸塊)。每一單獨晶粒之位置與其他特徵之認定或調整的失敗係造成不可回復的產出損失。
發明概要
一種用於監測一扇出晶圓之一製造製程的方法,該方法可包括:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作。
該第一製造階段可包括定位該矽晶粒於一模具內,該第一組影像可包括該矽晶粒之影像,該第一組影像之處理可包括找尋該矽晶粒之未校準;且該至少一校正操作之執行可包括改變至少一矽晶粒之一位置。
該第一製造階段可包括模製鑄造材料;該第一組影像可包括該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括移除該框架與模製一新框架。
該第一製造階段可包括模製鑄造材料;該第一組影像可包括該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括移除該框架之一部分。
該第一製造階段可包括模製鑄造材料;該第一組影像可包括該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括以該矽晶粒與該框架之間的未校準更新一製造實體。
該第二製造階段可包括模製鑄造材料;該第二組影像可包括該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括移除該框架與模製一新框架。
該第二製造階段可包括模製鑄造材料;該第二組影像可包括該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括移除該框架之一部分。
該第二製造階段可包括模製鑄造材料;該第二組影像可包括該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理可包括找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作可包括以該矽晶粒與該框架之間的未校準更新一製造實體。
該第一製造階段可包括施用一再分布層;該第一組影像可包括具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第一組影像之處理可包括找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作可包括修改該再分布層導體缺陷。
該第一製造階段可包括施用一再分布層;該第一組影像可包括具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第一組影像之處理可包括找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作可包括以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用一製造製程以接續該第一製造階段。
該第二製造階段可包括施用一再分布層;該第二組影像可包括該構成該再分布層之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理可包括找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作可包括以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
該第二製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第二組影像可包括該構成該交互連結之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
該第二製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第二組影像可包括該構成該交互連結之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括修改至少一交互連結缺陷。
該方法可包括於該扇出晶圓之該製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第三組影像而檢測所得之缺陷執行至少一校正操作。
該第三製造階段可包括施用一再分布層;該第三組影像可包括具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理可包括找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作可包括以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
該第三製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第三組影像可包括具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
該第三製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第三組影像可包括具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括修改至少一交互連結缺陷。
該方法亦可包括於該扇出晶圓之該製造製程之一第四製造階段完成後,取得晶粒之一第四組影像,該第四製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第四組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第四組影像而檢測所得之缺陷執行至少一校正操作。
該第四製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第四組影像可包括具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第四組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
該第四製造階段可包括產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第四組影像可包括具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第四組影像之處理可包括找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作可包括修改至少一交互連結缺陷。
一種電腦程式產品,其包括一儲存指令之非暫時電腦可讀取媒體,該指令係用於:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作。
一種檢驗系統,包含:一影像感測器,用於:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;一影像處理器,用於:處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之一執行;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之一執行。
圖式簡單說明
被視為本發明之主題係明確地被指出且清楚地被主張於本說明書的最後部分。然而,本發明,及於系統與操作方法二者,連同其等之物件、特徵與優點,可參考以下詳細說明書而被最佳地了解,該說明書係伴隨圖式一起被閱讀,其中:
第1A-1D圖闡述缺陷;
第2A-2F圖闡述一矽晶粒與一框架之間的空間關係;
第3圖闡述一產品晶粒與二測試晶粒之間的空間關係;
第4圖係一根據本發明之一具體實施例之一方法的流程圖;
第5圖係一根據本發明之一具體實施例之一方法的流程圖;以及
第6圖係根據本發明之一具體實施例闡述一系統與其之環境。
為了說明的簡單和清楚,顯示於圖式中的元件係較佳地不需要符合比例。例如,為了清楚,一些元件的尺寸可相對於其他元件被擴大。再者,當被視為適當時,參考標號可於該等圖式中被重複,以表明對應的或類似的元件。
詳細說明
於下例詳細說明書中,許多具體細節將被提出以提供對本發明之一完善了解。然而,熟習此技藝者係應了解,此發明可在無此等具體細節下被實施。在其他情況下,為了不混淆此發明,已知的方法、步驟與構件係未被詳細描述。
一監測程序與一回應該監測程序之結果的製造製程係被提供。數次反覆之檢測、晶粒資訊之獲得以及選擇地執行校正量測係被提供。
該名詞缺陷可包括源自該製造製程之一期望結果的任何偏差。其可包括未校準、破裂、過量模製材料、刮痕、外界粒子、該模製晶粒之任何元件的錯置、電氣短路、電氣斷路、機械缺陷、來自一期望位置之晶粒的錯置、與其等之。一缺陷可藉由使用度量衡與附加的或替代的檢驗技術而被檢測。
第1A-1D圖闡述缺陷。
第1A圖闡述晶粒未校準的可能方向-包括沿X軸之位移24、對X軸之旋轉21、沿Y軸之位移25、對Y軸之旋轉20、沿Z軸之位移26、對Z軸之旋轉23,其中該晶粒10係定位於一X-Y平面上。
第1B圖闡述一該框架20與該矽晶粒10之間的高度差異90。
第1C圖闡述過量模製91-模製材料係位置於該晶粒10的底表面-該表面係應被曝露。
第1D圖闡述一該框架20與該矽晶粒10之間的未校準92。
第2A-2F圖闡述一矽晶粒與一框架之間的空間關係。該矽晶粒10應與該框架20校準且定位於該框架的中心。典型地,一些源自中心的偏差與一些未校準係被允許-如第2B、2C與2F圖所闡述。
有一些源自中心的偏差以及一些未校準係不可容忍-尤其若其係造成來自每一晶粒之一必須數量之凸塊的偏差故障。例如-若假設一應被定位在該矽晶粒之每一側之框架上之凸塊的最小數量-則若該來自中心之未校準與/或偏差阻礙如此一期望數量之凸塊的設置-則係表示為一缺陷。
例如-第2D圖闡述一矽晶粒10,其係未校準且亦位於接近該框架20之左側,藉此於一區域21(被定義為在該框架20之左側與該矽晶粒10之間)中,其係無足夠空間以置放一最小允許數量之凸塊。作為另一個範例,第2E圖闡述一矽晶粒10係校準於該框架20,但係過於接近該框架20的上邊緣與左邊緣,藉此於每一區域21與22(分別被定義為在該框架20之左邊緣與該矽晶粒10之間以及在該框架20之上邊緣與該矽晶粒10之間),其係無足夠空間置放一最小允許數量之凸塊。
該建議之方法與系統可於一模製晶粒之許多製造製程期間獲得許多形式之資訊。此等形式之資訊係被視為晶粒資訊。其可包括量測、缺陷資訊等等。晶粒資訊亦可被視為晶圓資訊。
該晶粒資訊可包括在該晶圓內每一晶粒之一確切位置(包括但不限制於X,Y,Θ)、於該圍繞框架內之該晶粒的一傾斜、用於精確凸塊定位之RDL與襯墊的確切位置、凸塊高度量測、以及晶圓凸塊共平面性。
該製造製程可受益於此等資訊。該製造製程可藉由任何工具而被執行,該工具包括但不限制於,一微影術步進器、一掃描器、一步進與重複器、一諸如雷射直接影像或電子束直接寫入工具等的直接寫入元件、電氣探測器、以及凸塊化工具。
在整個eWLB製程的先前步驟中,該FAB只製造諸如矽之晶圓。
第3圖闡述一產品晶粒300與二測試晶粒310與320之間的空間關係。
一切割晶圓350包括數個諸如晶粒300(其係一”一般的”晶粒且可被視為產品晶粒)的晶粒與二個測試晶粒310與320。
晶粒300的座標可被安排為任何適當的形式,包括但不限制於KLARF。
每一晶粒的精確位置(X,Y,Θ)可依照該晶圓中心380、在晶圓上的一基準點(或數點)(未顯示)、切口390的位置、或任何預先定義之基準以及軸AB360和CD370而被提供,或替代地可依照該連接該測試晶粒310與320之中心314與324之線330的中心、測試晶粒312、316、322與326之基準點(或數點)、基準晶粒、平板/切口而被提供,或替代地可依照任何藉由任何形式(諸如KLARF或其他)定義的原始點而被提供。
依照本發明之一具體實施例,其係有至少二次檢驗反覆。其可被執行,例如,(a)在RDL圖案化之前,以及(b)在RDL圖案化之後。
該第一檢驗步驟(a)之產出可提供前授資訊,該資訊係關於每一晶粒就X,Y,Θ而言自其原始位置之偏差,以及相對於該模製表面的高度與入射角。
一圖案化製程工作可使用此資訊,且藉由依照該選取與置放錯誤而補償該RDL圖案化印刷,而確保相對於該偏移晶粒之圖案校準。在eWLP情況下,其將改善該晶粒之結合襯墊與該RDL圖案之間的校準。
圖案化製程之後,還有一次檢驗步驟(b),於其中該RDL圖案化製程的品質係被評估。此可包括評估整個元件上之尺寸、校準、與缺陷,亦特別著重於RDL圖案化及主要地係該RDL與該結合襯墊之間的校準。
此檢驗工具可回饋此資訊至二種來源:(a)該圖案化製程工具-如一工具監測與如一標記,以免校正作用係被要求;以及(b)一製程控制、缺陷管理系統與/或產出管理系統,為了使圖案化製程再加工以及用於製程控制與產出分析之目的成為可能。
第4圖係一根據本發明之一具體實施例之一方法400的一流程圖。方法400包括前饋與回饋階段。
方法400包括一連串的階段202、204、206、208、210、212、214、218、220、222與224。方法400亦包括前饋階段216(自階段210與階段214至階段218)、前饋階段226(自階段218至階段222)與回饋階段224(自階段222至階段218)。其係應註明該於任何檢驗階段(階段202、206、210、214、220與224)期間獲得之資訊係可被供給至一製造實體。第4圖亦闡述執行一校正階段230之階段230。其係應註明該校正係可為一產出增加階段、提供資訊(因此階段230可包括階段216、226與228)、於前饋與/或回饋階段時回應被提供的晶粒資訊等等。
階段202包括製造未切割矽晶圓。此階段可包括於該製造製程期間檢驗、獲得晶粒資訊、校正缺陷、去除不合格晶粒等等。
階段204包括切割該晶圓。
階段206包括檢驗該被切割晶圓與獲得晶粒資訊。
階段208包括晶圓之重建(重建)。
階段206係在該晶圓於其上被切割的框架上實行,且該晶粒之間的間距/指數係微小的。該被重建之晶圓係於該晶粒被放置在一新框架上之後被提供,該新框架係於一較高之指數-彼此更互相遠離-以允許該重建製程。
階段210包括檢驗該重建晶圓與獲得晶粒資訊。
階段212包括晶圓模製。
階段214包括檢驗該模製晶圓與獲得晶粒資訊。
階段216包括前饋關於每一晶粒之位置特性(X、Y、Θ、傾斜等)之資訊。
階段218包括在模製晶圓上RDL之圖案化與製造。
階段220包括檢驗該帶有RDL之模製晶圓與獲得晶粒資訊。
階段222包括在模製晶圓上之圖案化與凸塊之製造。
階段224包括來自圖案化與凸塊製造之回饋。
階段226包括有關確切RDL與襯墊位置之前饋。
第5圖闡述根據本發明之數個具體實施例之用於監測一扇出晶圓之一製造製程的方法500。
方法500由階段510開始,該階段510係於該扇出晶圓之該製造製程之一第一製造階段完成後取得晶粒之一第一組影像。
階段510係由處理該第一組影像以檢測缺陷的階段520接續。
階段520係由對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作的階段530接續。
階段530係由在該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後取得晶粒之一第二組影像的階段540接續。該第二製造製程係接續該第一製造製程。
階段540係由處理該第二組影像以檢測缺陷的階段550接續。
階段550係由對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作的階段560接續。
階段560係由在該扇出晶圓之該製造製程之一第三製造階段完成後取得晶粒之一第三組影像的階段570接續。該第三製造製程係接續該第一製造製程。
階段570係由處理該第三組影像以檢測缺陷的階段580接續。
階段580係由對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得的缺陷執行至少一校正操作的階段590接續。
階段590係由在該扇出晶圓之製造製程之一第四製造階段完成後取得晶粒之一第四組影像的階段600接續。該第四製造製程係接續該第一製造製程。
階段600係由處理該第四組影像以檢測缺陷的階段610接續。
階段610係由對至少一藉由處理該第四組影像檢測所得的缺陷執行至少一校正操作的階段620接續。
第五圖闡述四反覆:(a)於一製造階段完成後取得一組影像,(b)處理該組影像以檢測缺陷,以及(c)對至少一藉由處理該組影像檢測所得的缺陷執行至少一校正操作。
其係應註記該方法可包括至少二反覆,而非必要四反覆。不同的反覆可於下列製造階段之後被執行:(i)於一模具上定位該矽晶粒;(ii)模製鑄造材料;(iii)施用一再分布層;(iv)產生交互連結,或任何其他製造階段。其係應註記不同的反覆可於連續製造階段之後或非連續製造階段之後被施用。根據本發明之一具體實施例,一反覆可於該晶圓被切割之後但於一重建晶圓的供應之前一階段(i)之前被執行。此將被稱為階段(0)。
該第一製造製程可為,例如,階段(0)-(iii)之任一階段,因此該第一反覆可於階段(0)、(i)、(ii)與(iii)之任一階段完成後被執行。該第二製造階段係接續該第一製造階段,且可為,例如,階段(ii)-(iv)之任一階段,因此該第二反覆可於階段(i)、(ii)、(iii)與(iv)之任一階段完成後被執行。
該第三製造階段係接續該第二製造階段且可為,例如,階段(i)-(iv)之任一階段,因此該第三反覆可於階段(ii)、(iii)與(iv)之任一階段完成後被執行。
該第四製造階段係接續該第一至第三製造階段,且可為階段(iii)或(iv)。該第四反覆可於階段(iii)或階段(iv)完成之後被執行。
該至少一校正操作可包括修復一缺陷、由另一晶粒取代一有缺陷晶粒、重複一有關該晶圓之一或多個晶粒的製造製程、更新一有關缺陷之製造實體、調諧或以其他方式調整一製造階段,諸如補償或至少部分地解決一降低產出的問題以及停止一應被修復或不應被修復之有缺陷晶粒的製造。
一旦一或多個缺陷係被檢測,其係可被報告至一對於剛被完成之製造階段負責的製造實體,至一對於在最後製造階段之前被完成之製造階段負責的製造實體,至一對於未開始之製造階段負責的製造實體,或至兩個或多個如此之製造實體的結合。
下列表格係提供不同製造階段、取得之不同影像、與不同校正操作之一例子。
根據本發明之另一具體實施例,該製造製程可前繼該上述提及之製造製程-且可包括製造該矽晶圓以及甚至切割該矽晶圓。因此,有缺陷之晶粒可被去除或修復。
該錯誤之報告以及附加地或替代地如此錯誤的修正可包括資訊之前饋或回饋。缺陷之檢測可包括特徵之量測,且此可被視為度量衡。回饋係包括提供該晶粒資訊至一參與一已完成之製造階段的製造實體,而前饋係包括提供該晶粒資訊至一參與一未開始之製造階段的製造實體。
任何以上被提及之方法或任何以上被闡述之該方法之任何階段之任何結合係可藉由一電腦而被操作,該電腦係操作儲存在一電腦程式產品內之非暫時電腦可讀取媒體的指令。
例如,該非暫時電腦可讀取媒體係可儲存指令用於:於該扇出晶圓之一製造製程之一第一製造階段完成後取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作。
第6圖根據本發明之一具體實施例闡述一檢驗系統700與其之環境。
該檢驗系統700包括一影像感測器710,其用於在該扇出晶圓之一製造製程之一第一製造階段完成後取得晶粒之一第一組影像,以及用於在該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程。該影像感測器710可取得在此說明書中提及之任何影像,包括該第三與第四組影像。
該檢驗系統700亦包括一影像處理器720,其用於:處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之執行;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之執行。該影像處理器720可處理在此說明書中提及之任何影像,包括該第三與第四組影像。該協助可包括檢測缺陷、產生晶粒資訊、提供晶粒資訊至製造實體、提供一警示至一使用者、引發一校正量測等等。
第6圖亦闡述製造實體,諸如產出控制器740、置放工具742、模製工具744、與分布層工具746、交互連結工具748、晶圓切割工具750、晶圓製造工具752、或任何其他可協助製造該晶圓之實體。
當本發明之一些特徵係於此被闡述與描述、許多修改、替換、改變、與相等物將可被該領域之習知技術者聯想。因此,其係應被了解,該附加之申請專利範圍係意欲包含落於本發明之真實精神範圍內的所有此類修改與改變。
AB360...軸
CD370...軸
10...矽晶粒
20...框架
20...旋轉
21...旋轉
21...區域
22...區域
23...旋轉
24...位移
25...位移
26...位移
90...高度差異
91...未校準
92...未校準
300...產品晶粒
310...測試晶粒
312...測試晶粒
314...中心
316...測試晶粒
320...測試晶粒
330...線
322...測試晶粒
324...中心
326...測試晶粒
350...切割晶圓
380...晶圓中心
390...切口
202...階段
204...階段
206...階段
208...階段
210...階段
212...階段
214...階段
216...前饋階段
218...階段
220...階段
222...階段
224...回饋階段
226...前饋階段
228...階段
230...階段
400...方法
500...方法
510...階段
520...階段
530...階段
540...階段
550...階段
560...階段
570...階段
580...階段
590...階段
600...階段
610...階段
620...階段
700...檢驗系統
710...影像感測器
720...影像處理器
740...產出控制器
742...置放工具
744...模製工具
746...分布層工具
748...交互連結工具
750...晶圓切割工具
752...晶圓製造工具
第1A-1D圖闡述缺陷。
第2A-2F圖闡述一矽晶粒與一框架之間的空間關係。
第3圖闡述一產品晶粒與二測試晶粒之間的空間關係。
第4圖係一根據本發明之一具體實施例之一方法的流程圖。
第5圖係一根據本發明之一具體實施例之一方法的流程圖。
第6圖係根據本發明之一具體實施例闡述一系統與其之環境。
510~620...階段

Claims (24)

  1. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架。
  2. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成 後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含定位該矽晶粒於一模具內,該第一組影像包含該矽晶粒之影像,該第一組影像之處理包含找尋該矽晶粒之未校準;且該至少一校正操作之執行係包含改變至少一矽晶粒之位置。
  3. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作; 其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含模製鑄造材料;該第一組影像包含該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作係包含移除該框架並模製一新框架。
  4. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含模製鑄造材料;該第一組影像包含該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中 該至少一校正操作係包含移除該框架之一部分。
  5. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含模製鑄造材料;該第一組影像包含該矽晶粒之影像;該第一組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作係包含以該矽晶粒與該框架之間的未校準更新一製造實體。
  6. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成 後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含模製鑄造材料;該第二組影像包含該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作係包含移除該框架與模製一新框架。
  7. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成 後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含模製鑄造材料;該第二組影像包含該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作係包含移除該框架之一部分。
  8. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作; 其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含模製鑄造材料;該第二組影像包含該矽晶粒之影像;該第二組影像之處理包含找尋一矽晶粒與一框架之間的未校準,該框架係圍繞該矽晶粒以提供一模製晶粒;且其中該至少一校正操作係包含以該矽晶粒與該框架之間的未校準更新一製造實體。
  9. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含施用一再分布層;該第一組影像包含具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第一組影像之處理包含找尋再分布層導 體缺陷,且該至少一校正操作係包含修改該再分布層導體缺陷。
  10. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段包含施用一再分布層;該第一組影像包含具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第一組影像之處理包含找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作係包含以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用一製造製程以接續該第一製造階段。
  11. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含: 於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含施用一再分布層;該第二組影像包含該構成該再分布層之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理包含找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作係包含以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
  12. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執 行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第二組影像包含具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
  13. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程; 處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第二製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第二組影像包含該構成該交互連結之模製晶粒的影像;該第二組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含修改至少一交互連結缺陷。
  14. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同 於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架。
  15. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執 行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第三製造階段包含施用一再分布層;該第三組影像包含具有該再分布層之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理包含找尋再分布層導體缺陷,且該至少一校正操作係包含以該再分布層導體缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
  16. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程; 處理該第三組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第三製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第三組影像包含具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
  17. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成 後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第三製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第三組影像包含具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第三組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含修改至少一交互連結缺陷。
  18. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作; 於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第四製造階段完成後,取得晶粒之一第四組影像,該第四製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第四組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第四組影像而檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架。
  19. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程; 處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第四製造階段完成後,取得晶粒之一第四組影像,該第四製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第四組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第四組影像而檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第四製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第四組影像包含具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第四組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含以該交互連結缺陷更新一製造實體,該製造實體係施用至一製造製程。
  20. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含: 於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第三製造階段完成後,取得晶粒之一第三組影像,該第三製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第三組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第三組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之製造製程之一第四製造階段完成後,取得晶粒之一第四組影像,該第四製造製程係不同於該第一與第二製造製程;處理該第四組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第四組影像而檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每 一晶粒模製一獨立框架,其中該第四製造階段包含產生耦合至一再分布層之導體的交互連結;該第四組影像包含具有該交互連結之模製晶粒的影像;該第四組影像之處理包含找尋交互連結缺陷,且該至少一校正操作係包含修改至少一交互連結缺陷。
  21. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中該第一製造階段及該第二製造階段中的一個階段包含模製模鑄材料,藉此對該扇出晶圓之每一晶粒提供該獨立框架。
  22. 一種用於監測一扇出晶圓之製造製程的方法,該方法包含: 於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架,其中在該第一製造階段及該第二製造階段中的至少一個階段之前模製模鑄材料,藉此對該扇出晶圓之每一晶粒提供該獨立框架。
  23. 一種電腦程式產品,其包括一儲存指令之非暫時電腦可讀取媒體,該指令係用於:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續 該第一製造製程;處理該第二組影像以檢測缺陷;以及對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷執行至少一校正操作;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架。
  24. 一種檢驗系統,包含:一影像感測器,用於:於該扇出晶圓之製造製程之一第一製造階段完成後,取得晶粒之一第一組影像;於該扇出晶圓之該製造製程之一第二製造階段完成後,取得晶粒之一第二組影像,該第二製造製程係接續該第一製造製程;一影像處理器,用於處理該第一組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第一組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之執行;處理該第二組影像以檢測缺陷;對至少一藉由處理該第二組影像檢測所得之缺陷,協助至少一校正操作之執行;其中該扇出晶圓之製造製程包含對該扇出晶圓之每一晶粒模製一獨立框架。
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