TWI529443B - 曝光裝置及微透鏡陣列構造體 - Google Patents

Description

曝光裝置及微透鏡陣列構造體

本發明係關於曝光玻璃基板等之曝光裝置，該玻璃基板等係使用於行動電話用之液晶顯示面板等；尤其，本發明係關於，在遮罩與曝光對象的基板間配置複數微透鏡，並能夠以高解像力曝光遮罩圖案之曝光裝置及微透鏡陣列構造體。

以往，在曝光使用於大型液晶顯示面板等之例如玻璃基板等時，會使用透鏡掃描式，鏡投射式及近接式等曝光裝置。然後，使形成於大型遮罩上之圖案的透射光，入射到複數的投影光學系統(多透鏡)而於基板上分割而成像，並藉由一次的曝光，進行基板上複數的區域之曝光。這種曝光方法，採用於需要3μm以上的解像力之基板的曝光。

但是，例如使用於行動電話用之液晶顯示面板等的玻璃基板等，於使用之基板為小的場合，由於需要2μm以下之高解像力，無法採用如上述之使用多透鏡的曝光方法。從而，使用用於半導體用基板等的曝光之步進式曝光裝置(例如，專利文獻1及2)。

於步進式曝光裝置中，形成於遮罩之各圖案的透射光，於透射縮小光學系統後，照射於基板。以往，使用於行動電話用之液晶顯示面板等的玻璃基板，係由例如1.5m²之大型基板製造，在曝光時，於構成各個一或複數片個別的玻璃基板之區域進行複數次的曝光。然後，將藉由複數次的曝光而曝光了所有構成個別基板之區域的基板分割，而製造複數片玻璃基板。

又，於專利文獻3中亦揭示，於遮罩與基板之間配置微透鏡 陣列，並藉由微透鏡陣列提高形成之圖案的解像力之技術。即，如專利文獻3所記載，將形成要曝光之圖案的遮罩，依對應各個個別基板(面板)之大小而設置，並藉由以微透鏡的各微透鏡，使要曝光之圖案於基板上以正立等倍像成像，可以提高形成之曝光圖案的解像力。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1日本特開2006-235515號公報

專利文獻2國際公開第2005/038518號

專利文獻3日本特開2008-197226號公報

但是，於上述先前技術中，存在如以下之問題點。於專利文獻1及2所揭示之步進式曝光裝置中，有必要於構成各個一或複數片之個別的玻璃基板之區域重覆進行複數次曝光，存在曝光時程變長之問題點。

又，如專利文獻3所記載，即使在藉由微透鏡陣列得到高解像力時，與步進式曝光裝置之場合相同，於各個別基板，逐一複數次反覆進行藉由以各自對應之大小設置的遮罩及微透鏡陣列之曝光，並將基板上之正型光阻材料於構成各個個別基板之區域逐一進行曝光。從而，存在曝光時程極為冗長之問題點。

為解決此問題點，考量使用對應於複數片之個別基板而複數設置要曝光之圖案之遮罩。但是，成像遮罩圖案之微透鏡陣列，與遮罩之場合相異，難以使其對應於複數片之個別基板而大型化。因此，有必要使用接續複數個配合了各個別基板(面板)的寬 度之微透鏡陣列薄片的微透鏡陣列。此時，各微透鏡陣列薄片間之區域，係構成藉由支持部支持之遮光區域。從而，對應此遮光區域之個別基板(面板)間的區域不被曝光，而於後續之蝕刻步驟中，於個別基板間之區域電極材料會殘存，因此，存在各個別基板之邊緣部的回路短路的問題點。

本發明係有鑑於相關問題點，其目的為，在可以跨越複數片構成個別基板之區域曝光形成有正型光阻材料之基板的曝光裝置中，提供可以曝光構成個別基板之區域間的正型光阻材料之曝光裝置及曝光裝置用微透鏡陣列構造體。

關於本發明之曝光裝置，其包含：其以曝光光線於第1方向上掃描表面形成有正型光阻材料之基板，而形成曝光圖案，光源，用以射出曝光光線；遮罩，在垂直於該第1方向之第2方向上隔著預定之間隔設置要曝光之複數個圖案，來自於該光源之曝光光線透射該圖案；微透鏡陣列，配置有使該圖案之正立等倍像成像於該基板上之複數個微透鏡；框狀的支持部，用以支持該微透鏡陣列；以及驅動部，使該微透鏡陣列及該光源在該第1方向上對於該遮罩相對地移動；該微透鏡陣列，係由微透鏡薄片於該第2方向上接續而構成，該微透鏡薄片設置有複數個微透鏡；於該支持部，在對準該微透鏡陣列之該微透鏡薄片間的位置處，設有曝光光線透射用的開口。

關於本發明之曝光裝置用微透鏡陣列構造體，包含：光源，用以射出曝光光線；遮罩，在垂直於基板掃描方向的第1方向之第2方向隔著預定之間隔設置要曝光之複數個圖案，來自於該光源之曝光光線透射該圖案；微透鏡陣列，配置有使該圖案之正立等倍像成像於該基板上之複數個微透鏡；框狀的支持部，用以支持該微透鏡陣列；以及驅動部，其使該微透鏡陣列及該光源於該 第1方向上對於該遮罩相對地移動；且，一微透鏡陣列構造體使用於一曝光裝置，該曝光裝置以曝光光線於該第1方向上掃描表面形成了正型光阻材料之基板而形成曝光圖案，於該微透鏡陣列構造體中，該微透鏡陣列，係於該第2方向上接續設置有複數個微透鏡之微透鏡薄片而構成，在該支持部，在對準該微透鏡陣列的該微透鏡薄片間之位置處，設置有曝光光線透射用的開口。

於本發明中，例如該支持部的開口，係設置於該基板之掃描方向的前方及後方雙方的端部，或是，設置於該基板之掃描方向的前方及後方中之一方的端部。又，於該支持部，進而，在對準該微透鏡陣列之兩端部的微透鏡薄片各自之外側的邊緣部之位置亦以設置有曝光光線透射用的開口為佳。

上述曝光裝置中，例如，更具有一控制裝置，用以在停止了來自該光源之曝光光線的射出之狀態，控制在該第2方向中之該基板的位置，在位於該基板之該第2方向的要曝光之區域的數量比位於該遮罩之該第2方向的圖案數量多的場合，該控制裝置，可以在將對應該基板之該圖案數的區域曝光後，停止射出曝光光線，並使該基板於該第2方向上移動，而再次開始射出曝光光線，俾令該圖案之正立等倍像成像於該基板之未曝光的區域。

又，例如，該控制裝置在停止了來自該光源之曝光光線的射出之狀態下，也可以控制位於該第1方向之該基板的位置，在位於該基板之該第1方向的要曝光之區域的數量比位於該遮罩之該第1方向的圖案數量多的場合，亦可以在將對應該基板之該圖案數的區域曝光後，停止射出曝光光線，並使該基板於該第1方向上移動，而再次開始射出曝光光線，俾令該圖案之正立等倍像成像於該基板之未曝光的區域。

本發明之曝光裝置中，在遮罩上，要曝光之複數個圖案係於第1方向上隔著預定之間隔設置，來自光源的曝光光線係透射於並列在第1方向上之複數個圖案。然後，使圖案之正立等倍像成像於基板上之微透鏡陣列，係藉由框狀的支持部加以支持，並藉由驅動部，使微透鏡陣列及光源對於遮罩相對的在第1方向上移動。本發明中，微透鏡陣列，係於第2方向上接續設置有複數個微透鏡之微透鏡薄片而構成，但是，於支持微透鏡陣列之支持部，在對準於微透鏡薄片間之位置處，設置有曝光光線透射用的開口。從而，在使來自光源之曝光光線射出之狀態下，藉由驅動部，若使微透鏡陣列及光源對於遮罩相對的在第1方向上移動，則在基板上之圖案間的區域，照射透射支持部的開口之曝光光線，可以確實的曝光構成個別基板之區域間的正型光阻材料。

以下，參照隨付之圖式就本發明之實施形態具體的說明。圖1表示，藉由關於本發明之實施形態的曝光裝置之曝光的示意圖，圖2(a)表示，關於本發明之實施形態的曝光裝置中，微透鏡陣列及支持部之平面圖，圖2(b)表示，關於本發明之實施形態的曝光裝置中，微透鏡陣列及支持部之局部擴大立體圖。又，圖3(a)表示，關於本發明之第1實施形態的曝光裝置中，在微透鏡陣列中之曝光光線的透射區域之圖式，圖3(b)表示，形成於基板上之曝光區域的平面圖。關於本實施形態之曝光裝置1，係於第1方向上掃描於表面形成有正型光阻材料之基板2而形成曝光圖案，並係藉由以下構件而構成：光源11，用以射出曝光光線；遮罩12，形成了預定的複數個曝光圖案；微透鏡陣列13，配置了複數個微透鏡131a，該微透鏡131a係用以入射遮罩12之透射光，而使各圖案之正立等倍像成像於基板上；以及支持部130，用以支持微透鏡陣列13。

藉由本實施形態之曝光裝置1曝光的基板，為例如1500mm×1850mm之大型玻璃基板，複數片個別基板係由該大型玻璃基板切割出來而製造。即，如圖1所示之玻璃基板2，在被曝光為各個別基板之預定的圖案形狀後，經由顯像步驟及蝕刻步驟，而於表面形成透明電極，並於後續的步驟中，被分割而構成各個別基板。從而，在本實施形態中之玻璃基板2的表面，於構成個別基板之區域的全部領域，形成有例如ITO(Indium-Tin-Oxido)等之透明電極材料，並於該透明電極材料之上，形成有光阻層。於本發明中，以對應於遮罩12的圖案之形狀將曝光光線照射於光阻層，並藉由曝光光線使照射了曝光光線之區域的光阻層感光，其後，藉由施行顯像及蝕刻來除去之。從而，本發明中之光阻層，係藉由正型光阻材料而形成，該正型光阻材料，係組合了由光分解產生酸之化合物，以及由產生了的酸分解而提高於顯像液中之光阻層的溶解性之黏著劑樹脂。

於本實施形態中之光源11，為射出例如由紫外光所組成之雷射光的光源，在曝光時，可以連續的射出雷射光。光源11，係藉由未圖示之驅動部，與後述之微透鏡陣列一同於第1方向上移動，藉此，以使相對於遮罩12之曝光光線的照射位置於第1方向上移動。

遮罩12，其形成對應於在個別基板形成之透明電極的形狀之圖案12a。於本實施形態中，如圖1所示，遮罩12，係以對應於玻璃基板2之大小而設置。然後，於遮罩12，配合由玻璃基板2製造之個別基板的片數，而對應於各個別基板用的回路圖案之形狀的圖案12a，係在與婦描方向之第1方向垂直的第2方向隔著預定間隔排列而設置，又，於掃描方向之第1方向上隔著預定間隔而複數行設置。

如圖2所示，微透鏡陣列13設定了複數個微透鏡131a，於本 實施形態中，5片微透鏡薄片131係於第2方向上接續而構成。然後，各微透鏡薄片131係藉由托架133等來接續於框狀的支持部130，而支持於支持部130。微透鏡薄片131之各微透鏡131a，係每4個配列於曝光光線之光路上，並藉由入射透射過遮罩12之曝光光線，使圖案12a的正立等倍像成像於基板2上。

支持微透鏡陣列13之支持部130，係為了以其邊緣部支持各微透鏡薄片131而形成框狀。從而，如圖2所示，在微透鏡薄片131間，藉由支持部130，形成不透射曝光光線之遮光區域。然後，在對準於此微透鏡薄片131間之遮光區域的位置處，設置有曝光光線透射用的開口132。於本實施形態中，開口132係設置於比微透鏡薄片131位於掃描方向之後方側的位置。從而，如圖1所示，在從光源11照射曝光光線3的同時，若光源11及微透鏡陣列13藉由驅動部對於遮罩12相對的於第1方向上移動，則藉由遮罩12及微透鏡131a之透射光，在基板2上之構成個別基板之區域上，遮罩12之圖案12a的正立等倍像20a會成像，並且，對應圖案12a之形狀而曝光基板上之正型光阻材料，以形成曝光圖案2a。此時，曝光圖案2a間之區域，係藉由以支持部130遮光，構成不照射曝光光線之部分。於本實施形態中，在支持部130，由於在對準於微透鏡薄片131間之遮光區域的位置處，設有曝光光線透射用的開口132，所以，以射出了曝光光線之狀態下，藉由驅動部，若使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12在第1方向上移動，則照射透射過開口132之曝光光線於位在曝光圖案2a間之區域的正型光阻材料(圖1中之區域20b)。藉此，可以確實曝光構成個別基板之區域間的正型光阻材料。從而，可以於後續之蝕刻步驟中，確實的除去曝光後之正型光阻材料，並可以防止各個別基板的邊緣部之回路發生短路。

於本實施形態中，於支持部130設置有曝光光線透射用的開口132，在對準於微透鏡陣列13之兩端部的微透鏡薄片131之各 自外側的邊緣部之位置亦有設置，藉此，可以曝光基板2之邊緣部的正型光阻材料，並與上述之場合同樣的，於後續之蝕刻步驟中確實的除去曝光後之正型光阻材料，而可以防止個別基板之邊緣部的回路發生短路。

接著，對本實施形態之曝光裝置的動作加以說明。於本實施形態中，首先，在表面形成透明電極材料，進而將於其上形成有正型光阻材料之基板2，導入曝光裝置1內，並設置於曝光開始位置。

然後，使曝光光線從光源11射出。從光源11射出了之曝光光線，係如圖1所示，入射到遮罩12。曝光光線3之位於遮罩12的照射區域，在垂直掃描方向之第2方向之寬度，係略微大於並列於第2方向上之複數的構成個別基板之區域。

由於在遮罩12，形成對應於在個別基板形成之透明電極的形狀之圖案12a，使曝光光線之一部分被此圖案12a遮住，入射遮罩12之透射光至微透鏡陣列13。

然後，藉由微透鏡陣列13之各微透鏡131a，在基板2上成像圖案12a之正立等倍像20a，並對應圖案12a之形狀曝光正型光阻材料。於本實施形態中，如圖2所示，微透鏡陣列13，係藉由各自設置有複數個微透鏡131a之5片微透鏡薄片131構成，相互間接續於第2方向上。然後，由於各微透鏡薄片131係藉由支持部130以支持邊緣部，故在微透鏡薄片131間，形成不會透射曝光光線之遮光區域。

但是，於本實施形態中，如圖3(a)所示，在支持部130，比微透鏡薄片131更靠近掃描方向之後方側的位置，在對準微透鏡薄片131間之遮光區域的位置處，設有曝光光線透射用的開口 132。從而，透射過開口132之曝光光線，亦照射在基板2上的構成個別基板之區域間的(區域20b的)正型光阻材料。

以此狀態，在繼續射出曝光光線的同時，若藉由驅動部，使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12在第1方向上移動，則在遮罩12之曝光光線的照射位置會在第1方向上移動。從而，一面在第1方向上掃描圖案12a，一面藉由微透鏡陣列13在基板2上依序成像，形成曝光圖案2a。

此時，如圖3(b)所示，為追隨形成於基板上之圖案12a，亦於構成個別基板之區域間，於位在曝光圖案2a間之區域的正型光阻材料(圖1中之區域20b)照射透射過開口132之曝光光線，而形成曝光區域2b。於本實施形態中，由於開口132係在比微透鏡薄片131更靠近基板2之掃描方向的後方側之端部，在形成了曝光圖案2a時，在位於基板2之掃描方向前方側的曝光圖案2a間之區域，殘留未曝光之區域。但是，曝光圖案2a的形成結束後，一面照射曝光光線，一面藉由使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12進而於掃描方向上移動，也可以曝光在曝光圖案2a間殘留之未曝光的區域。藉此，可以確實使構成個別基板之區域間的全部正型光阻材料曝光，並可以將該曝光後之正型光阻材料，於後續之蝕刻步驟中，確實的除去，可以防止各個別基板的邊緣部之回路發生短路。

然後，若將曝光光線透射用的開口132，設置於對準微透鏡陣列13之兩端部的微透鏡薄片131之各個外側的邊緣部之位置，則亦可使基板2的邊緣部之正型光阻材料曝光，也可以防止位於該部分之個別基板的邊緣部回路發生短路，故為較佳之實施方式。

又，於本實施形態中，雖然設在支持部130之曝光光線透射用的開口132，係位於比微透鏡薄片131更靠近掃描方向之後方側 的位置，但是，如圖4所示，開口132，亦可設於比微透鏡薄片131更靠近掃描方向之前方側的位置。在這種情形下，形成於構成個別基板之區域圖案12a，係藉由對於遮罩12之光源11及微透鏡陣列13的移動，追隨著由開口132之透射光形成之曝光區域2b而形成。從而，曝光之開始位置，係決定於位在掃描方向之最後方的構成個別基板之區域間，在其最後端側之區域照射開口132之透射光的位置。藉此，與將開口132設置於比微透鏡薄片131更靠近位在掃描方向之後方側的端部之情況相同，不會於曝光圖案2a間殘留未曝光的區域，而可以使構成個別基板之區域間正型光阻材料確實地曝光。

又，也可以將開口132設置於比微透鏡薄片131更靠近基板2之掃描方向的前方側及後方側雙方之端部。此種場合，可以使曝光之開始位置配合於遮罩12的圖案12a，相較於上述場合，可以使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12相對地移動之行程縮短。

接著，就有關本發明之第2實施形態的曝光裝置加以說明。於第1實施形態中，雖然遮罩12係以對應於基板2之大小而設置，但是，於本實施形態中，基板2係比第1實施形態之場合大，於第2方向，基板2之要曝光之區域的數量係比位於第2方向之遮罩12的圖案數多。從而，無法藉由1次的掃描使基板2之要曝光之區域曝光。

於本實施形態中，曝光裝置具有控制裝置(不圖示)，該控制裝置係用以控制位在第2方向之基板2的位置。例如，曝光裝置中，載置有基板2之平台的位置，係藉由控制裝置加以控制，而可以使基板2的位置於第2方向上移動。從而，於本實施形態中，若對應形成於遮罩12之圖案12a的數量之區域的曝光結束，控制裝置，會暫時停止來自光源11之曝光光線的射出。然後，控制裝置，係如圖5所示，使平台移動，以令藉由微透鏡陣列13之圖案 12a的正立等倍像成像於基板2之未曝光之區域。其後，控制裝置，使來自光源11之曝光光線再度開始射出，並一面藉由驅動部使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12相對地於第1方向上移動，一面與第1實施形態同樣的進行連續曝光。又，掃描方向係如圖5所示，若與第1實施形態之場合為相反方向，則無需在停止射出曝光光線時，回復光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12之相對的位置，而可短縮曝光時程，故為較佳之實施方式。

本實施形態中，亦與第1實施形態相同，係藉由支持部130，在5片微透鏡薄片131間，形成有不透射曝光光線之遮光區域，但是，由於在支持部130，設有在對準微透鏡薄片131間之遮光區域的位置處之曝光光線透射用的開口132，故亦照射透射過開口132之曝光光線至基板2上的構成個別基板之區域間的(區域20b的)正型光阻材料。

若以此狀態，保持著繼續射出曝光光線，並藉由驅動部，使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12在第1方向上移動，則位在遮罩12之曝光光線的照射位置會向第1方向移動，並一面於第1方向掃描圖案12a，一面藉由微透鏡陣列13於基板2上依序成像，而形成曝光圖案2a。此時，為追隨於基板上形成之圖案12a，在構成個別基板之區域間，亦於位在曝光圖案2a間之區域的正型光阻材料(圖5中之區域20b)照射透射過開口132之曝光光線。但是，於本實施形態中，位於第1方向之開口132的位置，係位在比微透鏡薄片131更靠近婦描方向的前方側之位置，故進行與第1實施形態的變形例同樣之曝光。

如此，於本實施形態中，亦可以使構成個別基板之區域間的正型光阻材料確實地曝光，並可以於後續之蝕刻步驟中，確實地除去此曝光後之正型光阻材料，故可以防止各個別基板之邊緣部的回路發生短路。然後，若在對準微透鏡陣列13之兩端部的微透 鏡薄片131之各自外側的邊緣部之位置設置曝光光線透射用的開口132，亦可以使基板2之邊緣部的正型光阻材料曝光，並可以防止該部分中之個別基板的邊緣部回路發生短路，故為較佳之實施方式。

又，於本實施形態中，開口132亦可以設置於比微透鏡薄片131更靠近基板2之掃描方向的前方側及後方側雙方之端部，並藉由使曝光之開始位置配合於遮罩12之圖案12a，可縮短使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12相對地移動之行程。

接著，就有關本發明之第3實施形態的曝光裝置加以說明。於本實施形態中，基板2比第2實施形態之場合大，於掃描方向之第1方向上，基板2之要曝光之區域的數量比第2方向上遮罩12之圖案數量多。從而，無法藉由1次的掃描使基板2之要曝光之區域曝光。

於本實施形態中，在關於第2實施形態之曝光裝置中，控制裝置，亦可以在第1方向上控制基板2的位置。從而，於本實施形態中，在第2方向排列之預定的曝光對象區域之曝光結束後，控制裝置，會暫時停止來自光源11之曝光光線的射出。然後，控制裝置係如圖6所示，為了在基板2之未曝光的區域使藉由微透鏡陣列13之圖案12a的正立等倍像成像，使平台於第1方向上移動。其後，控制裝置，使來自光源11之曝光光線再度開始射出，並一面藉由驅動部使光源11及微透鏡陣列13相對於遮罩12在第1方向上移動，一面與第1實施形態及第2實施形態同樣的進行連續曝光。又，掃描方向係如圖6所示，若定為與第1實施形態的場合同一方向，則無需在停止曝光光線射出時，復原對於遮罩12之光源11及微透鏡陣列13之相對的位置，可以短縮曝光時程，故為較佳之實施方式。

在本實施形態中，亦與第1實施形態及第2實施形態相同，雖然在5片微透鏡薄片131間，形成有不透射曝光光線之遮光區域，但是，由於在支持部130，設有在對準微透鏡薄片131間之遮光區域的位置處曝光光線透射用的開口132，故亦照射透射過開口132之曝光光線至基板2上的構成個別基板之區域間的(區域20b的)正型光阻材料。從而，藉由與第1實施形態及第2實施形態相同的連續曝光，可使構成個別基板之區域間的正型光阻材料確實地曝光，並可以於後續之蝕刻步驟中，確實地除去該曝光後之正型光阻材料，故可以防止各個別基板之邊緣部的回路發生短路。然後，若在對準微透鏡陣列13之兩端部的微透鏡薄片131之各自外側的邊緣部之位置設置曝光光線透射用的開口132，亦可以使基板2之邊緣部的正型光阻材料曝光，並可以防止該部分中之個別基板的邊緣部回路發生短路，故為較佳之實施方式。

又，於本實施形態中，開口132亦可設置於比微透鏡薄片131更靠近基板2之掃描方向的前方側及後方側雙方之端部，藉由使曝光之開始位置配合遮罩12之圖案12a，可以縮短使光源11及微透鏡陣列13對於遮罩12相對地移動之行程。

又，就圖6中以雙點劃線表示之區域，在上述曝光結束後，藉由控制裝置，為了在基板2之未曝光區域使利用微透鏡陣列13之圖案12a的正立等倍像成像，而使平台於第2方向上移動，並藉由進行與上述同樣之曝光，可形成防止個別基板之邊緣部回發生短路的曝光區域。

於上述說明過之曝光裝置中，例如如圖7所示，設置有4台光源11，若對應各自之光源11，而設置遮罩12及微透鏡陣列13，則可以使更大型的基板2曝光，並可以得到縮短曝光時程之效果。

[產業利用上可能性]

本發明有益於，使用於行動電話用之小型液晶顯示面板等之製造上，以高解像力使遮罩之圖案曝光之曝光裝置。

1‧‧‧曝光裝置

11‧‧‧光源

12‧‧‧遮罩

13‧‧‧微透鏡陣列

130‧‧‧支持部

131‧‧‧微透鏡薄片

131a‧‧‧微透鏡

132‧‧‧曝光光線透射用的開口

133‧‧‧托架

2‧‧‧基板

2a‧‧‧曝光圖案

2b‧‧‧曝光區域

20a‧‧‧正立等倍像

3‧‧‧曝光光線

圖1表示藉由關於本發明之實施形態的曝光裝置之曝光的示意圖。

圖2(a)表示，關於本發明之實施形態的曝光裝置中，微透鏡陣列及支持部之平面圖，(b)表示，關於本發明之實施形態的曝光裝置中，微透鏡陣列及支持部之局部擴大立體圖。

圖3(a)表示，關於本發明之第1實施形態的曝光裝置中，在微透鏡陣列中之曝光光線的透射區域之圖式，(b)表示，形成於基板上之曝光區域的平面圖。

圖4(a)表示，關於第1實施形態之變形例的曝光裝置中，在微透鏡陣列中之曝光光線的透射區域之圖式，(b)表示，關於第1實施形態之變形例的曝光裝置中，形成於基板上之曝光區域的平面圖。

圖5表示藉由關於本發明之第2實施形態的曝光裝置，形成於基板上之曝光區域的平面圖。

圖6表示藉由關於本發明之第3實施形態的曝光裝置，形成於基板上之曝光區域的平面圖。

圖7表示作為關於本發明之實施形態的曝光裝置之一例的立體圖。

1‧‧‧曝光裝置

11‧‧‧光源

12‧‧‧遮罩

13‧‧‧微透鏡陣列

Claims (10)

1. 一種曝光裝置，其以曝光光線於第1方向上掃描表面形成有正型光阻材料之基板，而形成曝光圖案，包含：光源，用以射出曝光光線；遮罩，在垂直於該第1方向之第2方向上隔著預定之間隔設置要曝光之複數個圖案，來自於該光源之曝光光線透射該圖案；微透鏡陣列，配置有使該圖案之正立等倍像成像於該基板上之複數個微透鏡；框狀的支持部，用以支持該微透鏡陣列；以及驅動部，使該微透鏡陣列及該光源在該第1方向上對於該遮罩相對地移動；該微透鏡陣列，係由微透鏡薄片於該第2方向上接續而構成，該微透鏡薄片設置有複數個微透鏡；於該支持部，在對準該微透鏡陣列之該微透鏡薄片間的位置處，設有曝光光線透射用的開口。
2. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中，該支持部的開口，係設置於該基板之掃描方向的前方及後方雙方的端部。
3. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中，該支持部的開口，係設置於該基板之掃描方向的前方及後方中之一方的端部。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之曝光裝置，其中，於該支持部，更在對準該微透鏡陣列之兩端部的微透鏡薄片各自之外側的邊緣部之位置設置有曝光光線透射用的開口。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之曝光裝置，其中，更包含一控制裝置，用以在停止了來自該光源之曝光光線的射出之狀態，控制位於該第2方向之該基板的位置，在位於該基板之該第2方向的要曝光之區域的數量比位於該遮罩之該第2方向的圖案數量多的場合，該控制裝置，在將對應 該基板之該圖案數的區域曝光後，停止射出曝光光線，並使該基板於該第2方向上移動，而再次開始射出曝光光線，俾令該圖案之正立等倍像成像於該基板之未曝光的區域。
6. 如申請專利範圍第5項所述之曝光裝置，其中，該控制裝置，在停止了來自該光源之曝光光線的射出之狀態，也可以控制位於該第1方向之該基板的位置；在位於該基板之該第1方向的要曝光之區域的數量比位於該遮罩之該第1方向的圖案數量多的場合，在將對應該基板之該圖案數的區域曝光後，停止射出曝光光線，並使該基板於該第1方向上移動，而再次開始射出曝光光線，俾令該圖案之正立等倍像成像於該基板之未曝光的區域。
7. 一種曝光裝置用微透鏡陣列構造體，包含：光源，用以射出曝光光線；遮罩，在垂直於基板掃描方向的第1方向之第2方向隔著預定之間隔設置要曝光之複數個圖案，使來自該光源之曝光光線透射該圖案；微透鏡陣列，配置有使該圖案之正立等倍像成像於該基板上之複數個微透鏡；框狀的支持部，用以支持該微透鏡陣列；以及驅動部，其使該微透鏡陣列及該光源於該第1方向上對於該遮罩相對地移動；且一微透鏡陣列構造體使用於一曝光裝置，該曝光裝置以曝光光線於該第1方向上掃描表面形成了正型光阻材料之基板而形成曝光圖案，於該微透鏡陣列構造體中，該微透鏡陣列，係由微透鏡薄片於該第2方向上接續而構成，該微透鏡薄片設置有複數個微透鏡，在該支持部，在對準該微透鏡陣列的該微透鏡薄片間之位置處，設置有曝光光線透射用的開口。
8. 如申請專利範圍第7項所述之曝光裝置用微透鏡陣列構造體，其中， 該支持部的開口，係設置於該基板之掃描方向的前方及後方雙方的端部。
9. 如申請專利範圍第7項所述之曝光裝置用微透鏡陣列構造體，其中，該支持部的開口，係設置於該基板之掃描方向的前方及後方中之一方的端部。
10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項所述之曝光裝置用微透鏡陣列構造體，其中，於該支持部，更在對準該微透鏡陣列之兩端部的微透鏡薄片各自之外側的邊緣部之位置設置有曝光光線透射用的開口。