TWI525309B - 發光元件封裝結構的檢測方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種檢測方法,且特別是有關於一種發光元件封裝結構的檢測方法。
在發光二極體封裝結構的生產流程中,包括許多測試步驟以測試產品的性能是否符合出廠規格,例如色溫的測試即為其中一種。以色溫的測試而言,通常會採用分光光譜儀進行檢測,其中檢測方式是先以電驅動發光二極體晶片所發出的第一單色光撞擊封裝膠體中的螢光粉而釋放出第二單色光,且第二單色光與第一單色光混合後而得到一混合光。接著,分光光譜儀接收此混合光,經運算單元分析後可得此混合光之黑體輻射色溫及在色座標上的相對位置,而得知混合光之混光色溫。然而,上述之測試方法僅能測出發光二極體封裝結構的色溫,無法同時測出其他光電效果,故無法有效提高檢測效率。
本發明提供一種檢測方法,適於同時檢測一發光元件封
裝結構的色溫及光型。
本發明的檢測方法,其包括以下步驟。提供一發光元件封裝結構。發光元件封裝結構包括一發光晶片以及一覆蓋發光晶片的波長轉換膠體。透過一光學檢測器,以檢測波長轉換膠體的體積,而獲得發光元件封裝結構的一色溫參數,以及同時檢測發光晶片與波長轉膠體之間的相對位置,而獲得發光元件封裝結構的一光型參數。
在本發明的一實施例中,上述的光學檢測器包括一自動光學檢測器(Auto Optic Inspection,AOI)、一互補金氧半導體(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)檢測器或X射線(X-ray)檢測器。
在本發明的一實施例中,上述的色溫參數為CIE色度座標。
在本發明的一實施例中,上述的發光晶片為一發光二極體晶片。
在本發明的一實施例中,上述的波長轉換膠體的材質至少包括一螢光粉以及一高分子材料。
基於上述,由於本發明的檢測方式是透過光學檢測器來檢測波長轉換膠體的體積以及發光晶片與波長轉膠體之間的相對位置,而獲得發光元件封裝結構的色溫參數以及光型參數。因此,本發明的檢測方法可有效提高發光元件封裝結構的檢測效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉
實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
S10、S20‧‧‧步驟
100‧‧‧發光元件封裝結構
110‧‧‧發光晶片
120‧‧‧波長轉換膠體
圖1繪示為本發明的一實施例的一種檢測方法的流程示意圖。
圖2繪示本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的剖面示意圖。
圖3繪示為圖2的發光元件封裝結構的俯視示意圖。
圖1繪示為本發明的一實施例的一種檢測方法的流程示意圖。圖2繪示本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的剖面示意圖。請先同時參考圖1與圖2,本實施例的檢測方法,首先,步驟S10,提供一發光元件封裝結構100。發光元件封裝結構100包括一發光晶片110以及一覆蓋發光晶片110的波長轉換膠體120。
詳細來說,本實施例的發光晶片110例如是一發光二極體晶片,其中波長轉換膠體120完全包覆發光晶片110。此處,波長轉換膠體120的材質至少包括一螢光粉以及一高分子材料,較佳地,高分子材料為環氧樹脂(epoxy)或是聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)。舉例來說,當發光晶片110
為一藍光發光二極體晶片時,此發光晶片110適於發出藍色光;而當波長轉換膠體120中的螢光粉為一黃色螢光粉時,發光晶片110所發出的藍色光撞擊波長轉換膠體120中的黃色螢光粉可激發出黃色光,而黃色光與藍色光混合即可產生白色的混合光。
之後,步驟S20,透過一光學檢測器,以檢測波長轉換膠體120的體積,而獲得發光元件封裝結構100的一色溫參數,以及同時檢測發光晶片110與波長轉膠體120之間的相對位置,而獲得發光元件封裝結構100的一光型參數。此處,光學檢測器包括一自動光學檢測器(Auto Optic Inspection,AOI)、一互補金氧半導體(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)檢測器或X射線(X-ray)檢測器。色溫參數具體化為CIE色度座標。
更具體來說,請參考圖3,透過光學檢測器可檢測波長轉換膠體120的體積,且當使用者得知波長轉換膠體120的體積時,可對照習知的經驗值,進而可推估發光元件封裝結構100的色溫參數。再者,同一時間,光學檢測器亦可檢測發光晶片110與波長轉膠體120之間的相對位置,進而可獲得發光元件封裝結構100的光型參數。如圖3所示,發光晶片110是位於波長轉換膠體120的正中央的位置上,但不以此為限。於其他實施例中,發光晶片110亦可位於波長轉換膠體120的任意位置。
需說明的是,本實施例的色溫參數與波長轉換膠體120的體積呈正比關係。也就是說,當波長轉換膠體120的體積越大時,所獲得的發光元件封裝結構100的色溫參數越大。而,本實
施例的光型參數是與發光晶片110相對於波長轉換膠體120的位置偏移量有關。因此,當發光晶片110是位於波長轉換膠體120的正中央的位置上時,發光元件封裝結構100具有最佳化的光型參數。
簡言之,本實施例的檢測方式是透過光學檢測器來同時檢測波長轉換膠體120的體積以及發光晶片110與波長轉膠體120之間的相對位置,進而同時獲得發光元件封裝結構100的色溫參數以及光型參數。因此,本實施例的檢測方法可有效提高發光元件封裝結構100的檢測效率。
綜上所述,由於本發明的檢測方式是透過光學檢測器來檢測波長轉換膠體的體積以及發光晶片與波長轉膠體之間的相對位置,而獲得發光元件封裝結構的色溫參數以及光型參數。因此,本發明的檢測方法可有效提高發光元件封裝結構的檢測效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S10、S20‧‧‧步驟
Claims (5)
- 一種發光元件封裝結構的檢測方法,包括:提供一發光元件封裝結構,該發光元件封裝結構包括一發光晶片以及一覆蓋該發光晶片的波長轉換膠體;以及透過一光學檢測器,以檢測該波長轉換膠體的體積,而獲得該發光元件封裝結構的一色溫參數,以及同時檢測該發光晶片與該波長轉膠體之間的相對位置,而獲得該發光元件封裝結構的一光型參數。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構的檢測方法,其中該光學檢測器包括一自動光學檢測器、一互補金氧半導體檢測器或X射線檢測器。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構的檢測方法,其中該色溫參數為CIE色度座標。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構的檢測方法,其中該發光晶片為一發光二極體晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構的檢測方法,其中該波長轉換膠體的材質至少包括一螢光粉以及一高分子材料。
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TW103122677A TWI525309B (zh) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 發光元件封裝結構的檢測方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI784316B (zh) * | 2020-09-11 | 2022-11-21 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 光學檢測模組 |
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- 2014-07-01 TW TW103122677A patent/TWI525309B/zh not_active IP Right Cessation
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