TWI520915B - 鈣垢之防止方法 - Google Patents

Description

鈣垢之防止方法 發明領域

本發明係有關於一種鈣垢之防止方法，特別是有關於一種在最終處置場或水泥製造工程中防止起因於鈣之積垢(scale)發生的方法。

發明背景

垃圾處置場等最終處置場係用於處置難以回收之廢棄物等的設施，有鑑於枯竭化之疑慮，正朝迄今在最終處置場所處理之廢棄物等的有效利用方面推進。

都市垃圾等焚燒後所產生的焚燒灰係有鑑於最終處置場的枯竭之虞，近年係回收作為水泥原料。在都市垃圾焚燒灰中，與氣體一起被運送之由集塵裝置所回收之飛灰，因含有10至20%的氯份之故，使用水洗脫氯設備，將包含於飛灰內之水溶性氯化合物經水洗除去後，利用作為水泥原料(例如，參照專利文獻1)。

另一方面，在水泥製造設備中，使用除去氯的氯旁通管(chloride bypass)設備，該設備係除去引起預熱器閉塞等問題之原因的氯。近年，正推進利用含有上述焚燒灰的廢棄物之水泥原料化或燃料化的回收，隨著廢棄物的處理量增加，被帶進水泥窯之氯等揮發成分的量亦增加，氯旁通管灰的產生量也會增加。因此，氯旁通管灰無法完全利用在水泥粉碎步驟中，氯旁通管灰亦經水洗處理(例如，參照專利文獻2)。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-100243號公報

專利文獻2：日本特開2001-129513號公報

然而，在最終處置場，由包含於該浸出水之鈣離子(Ca²⁺)與SO₄ ^2-產生硫酸鈣(CaSO₄)，在過濾裝置或後段的排水步驟中以積垢的形式附著於裝置上，而有阻礙安定運轉的問題。又，在水泥製造工程中，關於焚燒灰或氯旁通管灰之水洗濾液，也有與上述最終處置場的浸出水相同的問題。

因此，例如第12圖所示，在最終處置場50，為了從貯存於沉砂/調整池51之浸出水W除去成為積垢產生原因之鈣及有害的重金屬，在藥液反應槽52添加藥劑，再以過濾裝置53將其沉澱除去，其後，經COD處理及懸濁物質(SS)的除去，在消毒後放流。

然而，在上述鈣的去除中，必須添加大量的碳酸鈉或碳酸鉀，因此有藥劑成本累積、運轉成本飆升等問題。

在此，本發明係有鑑於上述習知技術中的問題點而完成者，以提供一種鈣垢之防止方法為目的，其係將最終處置場的積垢附著對運轉所造成之壞影響限制到最小，並可壓低包含藥劑成本在內之運轉成本的方法。

為了達成上述目的，本發明為一種鈣垢之防止方法，其特徵在於：使用兩性離子交換樹脂將導致鈣垢產生的排水分離成鈣離子濃度低而有害物質濃度高的第1溶液，與鈣離子濃度高而有害物質濃度低的第2溶液，並分別處理第1及第2溶液。

在此，有害物質係指鉛、硒、鎘、銅等的重金屬；涉及COD、BOD的被氧化物質；氨性氮等的氮；磷酸等的磷等電離度低、通過兩性離子交換樹脂的速度比鈣快的物質。

又，依據本發明，由於係利用兩性離子交換樹脂，將鈣離子濃度低的溶液與鈣離子濃度高的溶液分離，並各別處理各溶液之故，可不必如習知為了去除鈣而添加碳酸鈉等卻仍能將CaSO₄所造成的積垢產生抑制到最小限度，而可大幅地減低運轉成本。

又，由於鈣離子濃度高之第2溶液有害物質的濃度低，故可進行直接放流等。

進一步，若使用一般的離子交換樹脂，例如強氧性陽離子交換樹脂，則必須使用強酸等進行樹脂再生，相對於此，兩性離子交換樹脂則可僅使用水來使樹脂再生，因此不需要繁雜的再生處理。

在上述鈣垢之防止方法中，前述導致鈣垢產生的排水可含有選自於碳酸離子、硫酸離子、亞硫酸離子、磷酸離子及矽酸離子之一種以上，藉由該等離子與鈣離子可去除已生成之鈣垢的原因物質。

在上述鈣垢之防止方法中，從前述兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換時機，係可基於選自於下述之一種以上來進行控制：從兩性離子交換樹脂所排出之溶液的COD濃度、鈣離子濃度、氯離子濃度及導電度。藉此，可高精度地防止鈣垢的產生，且能控制從鈣離子濃度低之第1溶液所回收之有害物質的量。

在上述鈣垢之防止方法中，前述從兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係可在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的COD濃度呈50mg/l以下之任意值以下時進行。

又，前述從兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係可在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的鈣離子濃度成為供給至該兩性離子交換樹脂之溶液的鈣離子濃度的1/300以上時進行。

進一步，前述從兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係可在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的氯離子濃度成為供給至該兩性離子交換樹脂之溶液的氯離子濃度的2/3以下時進行。

在上述鈣垢之防止方法中，對前述兩性離子交換樹脂之前述排水供給量與對該兩性離子交換樹脂之再生水供給量的比可為1：1至1：5。藉由使該比例變化，可變化排水處理設備的規模及兩性離子交換樹脂的分離性能。

在上述鈣垢之防止方法中，可去除包含於前述第2溶液之有害物質，在除去有害物質後，可進行放流等。

在上述鈣垢的防止方法中，前述有害物質可為重金屬、NO₃ ^-、被氧化物質，而在第2溶液中含有NO₃ ^-時，可添加硫代硫酸鈉使其變化成氮氣體再去除。

前述第1溶液可與前述第2溶液合流再放流，藉此，第1溶液與第2溶液之放流可使用一個設備來進行。又，將前述第1溶液與前述第2溶液與稀釋水一起合流後，通過濾砂器，藉以抑制可能因合流而產生之積垢的生成。

在上述鈣垢的防止方法中，導致鈣垢產生的排水可為最終處置場的浸出水、水洗焚燒灰所得之濾液或水洗氯旁通管灰所得濾液、從海水回收鹽之鹽回收設備的排水、垃圾焚燒場的排水、排煙脫硫設備的排水，而可解決消除該等排水處理中關於鈣垢的問題。

如上所述，依據本發明，可將最終處置場等之積垢附著對運轉所造成之壞影響限制在最小限度，且可壓低包含藥劑成本之運轉成本。

圖式簡單說明

第1圖係表示使用本發明之鈣垢的防止方法之最終處置場的浸出水處理系統之一例。

第2(a)圖至第2(d)圖係說明在第1圖所示之處理系統所使用之離子交換樹脂的動作之概略圖。

第3圖係表示在第1圖所示之處理系統之第1實施例中的離子交換樹脂的運轉例。

第4圖係表示在第1圖所示之處理系統之第1實施例的流程圖。

第5圖係表示在第1圖所示之處理系統之第2實施例中的離子交換樹脂的運轉例。

第6圖係表示在第1圖所示之處理系統之第2實施例的流程圖。

第7圖係表示在第1圖所示之處理系統之第3實施例的流程圖。

第8圖係表示在第1圖所示之處理系統之第4實施例的流程圖。

第9圖係表示在第1圖所示之處理系統之第5實施例的流程圖。

第10圖係表示在第1圖所示之處理系統之第實施例的流程圖。

第11圖係表示在第1圖所示之處理系統之第7實施例的流程圖。

第12圖係表示習知的最終處置場之處理系統之一例的流程圖。

用以實施發明之最佳形態

以下，就用於實施本發明之形態，一邊參照圖示進行詳細地說明。再者，在以下的說明中，係舉將本發明用於最終處置場之鈣垢的防止之場合作為例子來進行說明。

第1圖係表示使用本發明之鈣垢的防止方法之最終處置場的浸出水處理系統(以下簡稱為「處理系統」)，該處理系統1具備：調整槽3，貯存來自最終處置場2的浸出水W1；兩性離子交換樹脂4，將來自調整槽3的浸出水W2分離成鈣離子濃度高的溶液(以下稱為「含鈣水」)L3與鈣離子濃度低而SO₄ ^2-濃度高的溶液(以下稱為「含SO₄水」)L4；再生水槽，貯存供給至兩性離子交換樹脂4的再生水L5；含鈣水槽6及含SO₄水槽7，各貯存從兩性離子交換樹脂所排出之含鈣水L3及含SO₄水L4；重金屬去除裝置8；及COD處理設備9。

調整槽3係設置來收集浸透了最終處置場2的垃圾層之雨水等浸出水W1，用於抑制水量變化而謀求均一化，在其前段具備有將砂土沉降分離之沉砂槽等。

兩性離子交換樹脂4係設置用來去除從調整槽3所排出之浸出水W2所含有的鈣。兩性離子交換樹脂係指以交聯聚苯乙烯等作為母體、在同一官能基鏈中具備四級銨基與羧基等，而具有與陽離子陰離子兩者進行離子交換的離子交換樹脂。例如，可使用三菱化學股份公司製的兩性離子交換樹脂DIAION(註冊商標)、AMP03。該兩性離子交換樹脂4可進行水溶液中之電解質與非電解質的分離，且亦可進行電解質的相互分離。

重金屬去除裝置8係設置用來除去含SO₄水L4所含有之鉛等重金屬，可利用壓濾機等一般所使用的裝置。

COD處理裝置9係設置用來降低在重金屬去除裝置8中重金屬經去除之含SO₄水L4的COD，一般而言可利用淨化槽等。

以下，就具有上述結構的處理系統1的動作，一邊參照第1圖一邊進行說明。

將最終處置場2的浸出水W1聚集至調整槽3並抑制水質、水量的變化後，供給至兩性離子交換樹脂4，並將浸出水W2分離成含鈣水L3及含SO₄水L4。如第2圖所示，該兩性離子交換樹脂4亦可為連續進行批次處理者，預先填充水(第2(a)圖)，其後，藉由調整槽3將浸出水2導入兩性離子交換樹脂4，接著再導入用於進行兩性離子交換樹脂之再生的再生水L5(第2(b)圖)。然後，如第2(c)圖所示，首先排出含SO₄水L4，其後，隨著時間經過而依此順序排出含鈣水L3。

在此，該含SO₄水L4及含鈣水L3的切換時機係可依據選自於下述之一種以上來進行控制：從兩性離子交換樹脂4所排出之溶液的COD濃度、鈣離子濃度、氯離子濃度及導電度。從兩性離子交換樹脂4所排出之含SO₄水L4及含鈣水L3係各暫時貯存於含SO₄水槽7及含鈣水槽6中。

接著，將已貯存於含鈣水槽6中的含鈣水L3放流。另一方面，貯存於含SO₄水槽7中的含SO₄水係使用重金屬去除裝置8將重金屬去除，並進一步以COD處理裝置9減低COD，視需要將氮或磷等有機物質去除後，進行放流。

如上所述，依據本實施形態，將浸出水W2透過兩性離子交換樹脂4分離成含鈣水L3與含SO₄水L4後，因各分別進行處理，可在無需如習知為了去除鈣而添加碳酸鈉等的情況下，將因CaSO₄所造成之鈣垢的產生抑制在最小限度，而可大幅地減低運轉成本。

接著，就上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第1實施例進行說明。兩性離子交換樹脂4係使用上述之三菱化學股份公司製的兩性離子交換樹脂DIAION AMP03；原水係將具有表1所表示之化學成分之最終處置場2的浸出水W2對兩性樹脂4進行通水；再生水L5係將浸出水W2三倍量的新水進行通水。通水量與通過兩性離子交換樹脂4之處理液中所包含之各成分的濃度與關係及當時處理系統1中的水平衡系各表示於表2、第3圖及第4圖。在第4圖中，橢圓中的數字係表示各水的重量比。再者，表1、表2及第3圖之Ca²⁺與Cl^-濃度係藉由化學分析所測定之值。COD係表示以紫外線吸光法所測定之值。

第3圖所表示之圖表中，通水量/原水量0.101.81為止係含SO₄水L4，通水量/原水量1.81以後為含鈣水L3。如同表及圖表所明示，就含SO₄水L4而言，除了SO₄ ^2-還可回收Cl^-，且關於COD濃度亦為含SO₄水L4之分布較高之故，針對含鈣水L3便不需要該等的去除設備及處理設備，而可壓低設備成本及運轉成本。

如表2及第3圖所明示，利用COD濃度高的溶液與鈣離子之兩性離子交換樹脂內的通過速度慢的現象，將含鈣水L3與含SO₄水L4的切換時機設為從兩性離子交換樹脂4所排出之溶液的COD的濃度成為5.5mg/l的時候，可藉以精確地防止鈣垢。再者，COD濃度係可使用藉由紫外線吸光法所測定之值來控制。

又，此時的水平衡係如第4圖所示，若將重量1之浸出水W2與重量3之再生水L5供給至兩性離子交換樹脂4，則會產生重量2.2的含鈣水L3與重量1.8的含SO₄水L4，個別獨立處理並放流。

接著，就上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第2實施例進行說明。兩性離子交換樹脂4係使用上述之三菱化學股份公司製的兩性離子交換樹脂DIAION AMP03；原水係將具有表3所表示之化學成分之最終處置場2的浸出水W2對兩性樹脂4進行通水；再生水L5係將浸出水W2兩倍量的新水進行通水。通水量與通過兩性離子交換樹脂4之處理液中所包含之各成分的濃度與關係及當時處理系統1中的水平衡系各表示於表4、第5圖及第6圖。在第6圖中，橢圓中的數字係表示各水的重量比。再者，在表3、表4及第5圖中，Cl^-濃度係表示從測定出之導電度換算成的值，Ca²⁺濃度係表示藉由離子電極所測定之值。

在第5圖所表示之圖表中，通水量/原水量0.14至1.43為止係含SO₄水L4，通水量/原水量1.43以後為含鈣水L3。如同表及圖表所明示，就含SO₄水L4而言除了SO₄ ^2-外還可回收Cl^-及Na⁺，且就Pb²⁺而言亦可於含SO₄水L4中進行分離，故針對含鈣水L3便不需要該等的去除設備，而可壓低設備成本及運轉成本。

如表4及第5圖所明示，利用氯化鈣(Ca²⁺及Cl^-)在兩性離子交換樹脂內之通過速度慢的現象，可基於從兩性離子交換樹脂4所排出溶液的鈣離子濃度來控制含鈣水L3及含SO₄水L4的切換時機，而可避免鉛等有害物質混入含鈣水L3。在此，將切換時機設為從兩性離子交換樹脂4所排出之溶液為導入兩性離子交換樹脂4之浸出水W2的鈣離子濃度3000mg/l的1/20以上，即150mg/l以上，宜為1/100之30mg/l以上，更宜為1/300以上之10mg/l以上時，藉此可精確地防止鈣垢。再者，鈣離子濃度係可使用以離子電極所測定之值來進行控制。

或者，設為從兩性離子交換樹脂4所排出之溶液為導入兩性離子交換樹脂4之浸出水W2的氯離子濃度13400mg/l的1/4以下，即3350mg/l以下，宜為1/2以下即6700mg/l以下，更宜為2/3以下即8930mg以下，同樣地可藉此精確地防止鈣垢。再者，由於氯離子濃度與導電度呈比例關係，故除了氯離子濃度亦可控制導電度。

又，此時水的平衡係如第6圖所示，若將重量0.67之浸出水W2與重量1.33之再生水L5供給至兩性離子交換樹脂4，則會產生重量1之含鈣水L3與重量1之含SO₄水L4，各別獨立進行處理後放流。

第7圖係表示上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第3實施例中水的平衡，本實施例係表示，由於處理系統1的排水處理設備小規模化，而壓低再生水L5的使用量的情形。在第7圖中，橢圓中的數字係表示各水的重量比。在本實施例中，將與最終處置場2之浸出水W2等量的再生水L5進行通水，將重量1之含鈣水L3與重量1之含SO₄水L4各別獨立進行處理後放流。

第8圖係表示上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第4實施例，在本實施例中，除了第6圖所示之結構外，在含鈣水槽6的下流側，設有有害物質處理裝置10，其係用於處理從含鈣水槽6所排出之含鈣水L3中僅含的有害物質，在除去有害物質後，進行放流。又，在此，所處理之有害物質係指鎘及其化合物、氰化合物、有機磷化合物、鉛及其化合物、六價鉻化合物、砷及其化合物、汞及烷基汞其他的汞化合物、烷基汞化合物、聚氯乙烯、三氯乙烯、四氯乙烯、二氯甲烷、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、1,1-二氯乙烷烯、順-1,2-二氯乙烯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、1,3-二氯丙烷、甲硫碳醯胺、草滅淨(Simazine)、苯硫卡(benthiocarb)、苯、硒及其化合物、硼及其化合物、氟及其化合物、氨、銨化合物亞硝酸化合物及硝酸化合物等健康相關的有害物質之外，還有COD相關被氧化物物質、浮游性物質等、酚類、銅、鋅、磷等生活環境相關的有害物質、戴奧辛類等。

第9圖係表示上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第5實施例，在本實施例中，在第6圖所示之結構中，使從含鈣水槽6所排出之含鈣水L3與從含SO₄水槽7所排出之含SO₄水L4合流後，進行放流。藉此，含鈣水L3與含SO₄水L4之放流可使用一個設備來進行。

第10圖係表示上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第6實施例，在本實施例中，除了第9圖所示結構之外，在使從含鈣水槽6所排出之含鈣水L3與從含SO₄水槽7所排出之含SO₄水L4合流並通過濾砂器後，進行放流。藉此，可去除可能因含鈣水L3與含SO₄水L4之合流而產生之CaSO₄的懸濁物質。

第11圖係表示上述處理系統1所使用之鈣垢防止方法的第7實施例，在本實施例中，在第6圖所示之結構中，使從含鈣水槽6所排出之含鈣水L3回到最終處置場2，以利用於最終處置場2之安定化的促進。最終處置場2的安定化係指在環境中呈現無更進一步的變化，成為不會對環境造成影響的狀態，更具體而言，在被掩埋的廢棄物中，分解性廢棄物係經為生物的作用而分解並減容/安定化，其他的廢棄物係經物理/化學的壓縮/分解/劣變而安定化。

又，雖例示有將上述本發明之鈣垢的防止方法適宜使用於最終處置場的浸出水處理系統，但在該浸出水處理系統之外，亦適用於在水洗焚燒灰或水泥製造工程所獲得之氯旁通管灰所得的濾液、從海水回收鹽之鹽回收設備的排水、垃圾焚燒場的排水、排煙脫硫設備的排水、鍋爐排水(蒸餾水、軟水氣再生排水)、離子交換樹脂再生排水、鋼鐵集塵排水、水泥製品(成形)洗淨排水、肥料(石灰氮)製造排水、無機工業製造(使用碳化鈣)排水、垃圾浸出水、氟排水處理水(CaF生成處理)等含有鈣離子與選自於碳酸離子、硫酸離子、亞硫酸離子、磷酸離子及矽酸離子之一種以上的溶液，只要是有起因於鈣離子之鈣垢產生之疑慮的溶液就可適用本發明。

1．．．最終處置場的浸出水處理系統

2．．．最終處置場

3．．．調整槽

4．．．兩性離子交換樹脂

5．．．再生水槽

6．．．含鈣水槽

7．．．含SO₄水槽

8．．．重金屬去除裝置

9．．．COD處理裝置

W1．．．來自最終處置場2的浸出水

W2．．．來自調整槽3的浸出水

L3．．．含鈣水

L4．．．含SO₄水

L5．．．再生水

第1圖係表示使用本發明之鈣垢的防止方法之最終處置場的浸出水處理系統之一例。

第2(a)圖至第2(d)圖係說明在第1圖所示之處理系統所使用之離子交換樹脂的動作之概略圖。

第3圖係表示在第1圖所示之處理系統之第1實施例中的離子交換樹脂的運轉例。

第4圖係表示在第1圖所示之處理系統之第1實施例的流程圖。

第5圖係表示在第1圖所示之處理系統之第2實施例中的離子交換樹脂的運轉例。

第6圖係表示在第1圖所示之處理系統之第2實施例的流程圖。

第7圖係表示在第1圖所示之處理系統之第3實施例的流程圖。

第8圖係表示在第1圖所示之處理系統之第4實施例的流程圖。

第9圖係表示在第1圖所示之處理系統之第5實施例的流程圖。

第10圖係表示在第1圖所示之處理系統之第實施例的流程圖。

第11圖係表示在第1圖所示之處理系統之第7實施例的流程圖。

第12圖係表示習知的最終處置場之處理系統之一例的流程圖。

1．．．最終處置場的浸出水處理系統

2．．．最終處置場

3．．．調整槽

4．．．兩性離子交換樹脂

5．．．再生水槽

6．．．含鈣水槽

7．．．含SO₄水槽

8．．．重金屬去除裝置

9．．．COD處理裝置

W1．．．來自最終處置場2的浸出水

W2．．．來自調整槽3的浸出水

L3．．．含鈣水

L4．．．含SO₄水

L5．．．再生水

Claims (19)

1. 一種鈣垢之防止方法，其特徵在於：將導致鈣垢產生的排水、與用以使兩性離子交換樹脂再生的再生水交互供給至兩性離子交換樹脂，並將隨時間經過而自該兩性離子交換樹脂逐漸連續排出之排出液選擇性地分離成鈣離子濃度低而有害物質濃度高的第1溶液，與鈣離子濃度高而有害物質濃度低的第2溶液，並分別處理第1及第2溶液。
2. 如申請專利範圍第1項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水係含有選自於碳酸離子、硫酸離子、亞硫酸離子、磷酸離子及矽酸離子之一種以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中從前述兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換時機，係基於選自於下述之一種以上來進行控制：從兩性離子交換樹脂所排出之溶液的COD濃度、鈣離子濃度、氯離子濃度及導電度。
4. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中從前述兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的COD濃度呈50mg/l以下之任意值以下時進行。
5. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述從兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的鈣離子濃度成為供給至該兩性離子交換樹脂之溶液 的鈣離子濃度的1/300以上時進行。
6. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述從兩性離子交換樹脂所排出之前述第1溶液與前述第2溶液之切換，係在從該兩性離子交換樹脂所排出之溶液的氯離子濃度成為供給至該兩性離子交換樹脂之溶液的氯離子濃度的2/3以下時進行。
7. 如申請專利範圍第1項之鈣垢之防止方法，其中對前述兩性離子交換樹脂之前述排水供給量與對該兩性離子交換樹脂之再生水供給量的比為1：1至1：5。
8. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其係去除包含於前述第2溶液之有害物質。
9. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述有害物質為重金屬。
10. 如申請專利範圍第8項之鈣垢之防止方法，其中前述有害物質為NO₃ ^-，且前述第2溶液中所包含之NO₃ ^-係藉由添加硫代硫酸鈉去除。
11. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述有害物質為被氧化物質。
12. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其係令前述第1溶液與前述第2溶液合流再進行放流。
13. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其係藉由將前述第1溶液與前述第2溶液和稀釋水一起合流後，通過濾砂器來抑制鈣垢的生成。
14. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述 導致鈣垢產生的排水為最終處置場的浸出水。
15. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水為水洗焚燒灰所得之濾液。
16. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水為水洗氯旁通管灰所得濾液。
17. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水為從海水回收鹽之鹽回收設備的排水。
18. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水為垃圾焚燒場的排水。
19. 如申請專利範圍第1或2項之鈣垢之防止方法，其中前述導致鈣垢產生的排水為排煙脫硫設備的排水。