TWI514472B - - Google Patents
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CN103792842B (zh) * | 2014-01-22 | 2016-08-17 | 清华大学 | 一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法 |
CN106611691B (zh) * | 2015-10-26 | 2018-10-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 多频脉冲等离子体处理装置及其处理方法和清洗方法 |
CN107154332B (zh) * | 2016-03-03 | 2019-07-19 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置及方法 |
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CN108074787A (zh) * | 2016-11-10 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极结构及半导体加工设备 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200845138A (en) * | 2007-01-17 | 2008-11-16 | Lam Res Corp | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
TW200904261A (en) * | 2007-06-19 | 2009-01-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
TW201222635A (en) * | 2010-08-04 | 2012-06-01 | Lam Res Corp | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
TWM432139U (en) * | 2010-06-30 | 2012-06-21 | Lam Res Corp | A consumable isolation ring of an adjustable gap capacitively-coupled plasma processing chamber |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0570957A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-03-23 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
AU2003303538A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Northeastern University | Low power plasma generator |
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JP5554047B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200845138A (en) * | 2007-01-17 | 2008-11-16 | Lam Res Corp | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
TW200904261A (en) * | 2007-06-19 | 2009-01-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
TWM432139U (en) * | 2010-06-30 | 2012-06-21 | Lam Res Corp | A consumable isolation ring of an adjustable gap capacitively-coupled plasma processing chamber |
TW201222635A (en) * | 2010-08-04 | 2012-06-01 | Lam Res Corp | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
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