CN102983051B - 可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明说明了一种用于均匀加工控制的等离子处理装置的多重甚高频射频频率的混频处理方法，该方法包含以下步骤：1、可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置启动，下电极接收若干路甚高频射频信号和低频射频信号；2、射频比率控制器根据在待处理工件表面的等离子浓度分布要求调整各路甚高频射频信号的射频功率比率。本发明采用多重甚高频射频频率的混频，通过调节多路甚高频射频的输出比率，调节晶圆表面等离子体的密度分布，消除由于各种条件所造成的等离子体分布不均匀，改善晶圆表面刻蚀速率的均匀性加工控制，或实现按工艺要求通过调节甚高频频率的参数获得不同的等离子分布。

Description

可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法

技术领域

本发明涉及一种半导体领域的晶圆制备技术，具体涉及一种用于均匀加工控制的等离子处理装置及其多重甚高频射频频率的混频处理方法。

背景技术

目前，半导体产业领域中，晶圆（wafer）的生产流程中包含晶圆刻蚀工艺。

如图1所示，图中说明了一种晶圆刻蚀加工工艺设备的结构，该设备中包含一个等离子处理装置，该等离子处理装置包含有等离子反应腔，等离子反应腔为一个密封内腔，保证晶圆刻蚀环境的密封性，防止晶圆刻蚀工艺过程中过多受外界环境影响，而降低晶圆刻蚀工艺质量。同时防止刻蚀采用的等离子体散逸到外界环境，造成工艺材料浪费，并降低刻蚀工艺的质量。等离子反应腔内还包含有基座2和聚焦环3，用于放置晶圆1等待处理工件。等离子反应腔内还设有一对电极：上电极和下电极4，上电极设置在等离子反应腔的上部，下电极4设置在基座2中。

晶圆1进行刻蚀工艺时，将晶圆1放置在基座2上，晶圆1的侧边外环绕套设聚焦环3（focus ring），在对晶圆1进行刻蚀时，在晶圆1和聚焦环3上方分布用于刻蚀晶圆1的含氟的反应气体。基座2中设有下电极4，该下电极4电路连接有混频器（mixer）5，该混频器5分别电路连接有高频射频和低频射频，高频射频和低频射频在混频器5中混频并传输至下电极4。同样，上电极也连接射频。下电极4和上电极在等离子处理装置内的基座2周围产生高频射频和低频射频，高频射频将反应气体内的粒子转化为等离子体，同时低频射频对等离子体作电场力作用，调整等离子体的运动方向，将等离子体打在晶圆1表面上，辅助对晶圆1进行的刻蚀。其中，聚焦环3的内侧壁与晶圆1的外侧壁紧密贴合，该聚焦环3的外径等于或大于基座2上表面的半径，晶圆1和聚焦环3将基座2上表面完全遮蔽，防止等离子体打在基座2的上表面上对基座2表面进行刻蚀，保护基座2免受刻蚀损耗。

根据驻波效应，射频源有效影响晶圆1表面等离子体的密度分布。由于等离子体的密度分布和晶圆1的刻蚀速率成正比，等离子体的密度越高刻蚀速率越高，等离子体的密度越低刻蚀速率越低。

同时，晶圆1表面的等离子体的密度分布还受刻蚀工艺环境下温度和气流的影响。在温度和气流的影响下，晶圆1中央部分的密度减小，晶圆1的边缘部分的密度增大，导致晶圆1表面中央部分刻蚀速率下降，边缘部分刻蚀速率上升，使得晶圆1表面刻蚀速率不均匀，对晶圆1的刻蚀工艺造成影响。

如图2所示，等离子处理装置中，下电极4与混频器5的输出端电路连接，混频器5的输入端电路连接有一个带通滤波器6和一个低通滤波器7，带通滤波器6的输入端连接有一个甚高频信号发生器8，该甚高频生成甚高频射频VHF输入带通滤波器6，低通滤波器7的输入端连接有一个低频信号发生器9，该低频信号发生器9生成低频射频LF输入低通滤波器7。该甚高频射频VHF是用来控制等离子体分布的，只需要有一个就可以工作。低频射频LF主要用于控制等离子体入射的能量，LF必须存在否则没法进行方向性刻蚀。

现有技术中，其工作原理如下：将一个甚高频射频VHF和低频射频信号LF输入混频器5。通过混频器5将甚高频射频VHF和低频射频信号LF混合并传输至下电极4，通过下电极4发射射频，将等离子体打在晶圆1表面上，辅助对晶圆1进行的刻蚀。

甚高频射频VHF可采用两种甚高频射频RF1和RF2，其中，RF2的频率取值范围大于40MH_Z小于100MH_Z，而RF1的频率范围也是大于40MH_Z小于100MH_Z，且RF1频率取值小于RF2。低频射频LF为低频，其频率为2MH_Z。

射频混合的组合有两种：RF和RF1，或者RF和RF2。根据晶圆1刻蚀工艺的需要，在该两种射频频率中选取需要的射频频率，并采用相应组合的混频。

如图3所示，为RF和RF1，或者RF和RF2两种混频的射频下，晶圆1表面上刻蚀速率的分布图。RF和RF1的混频中，RF取2MH_Z，RF1取40MH_Z，如图所示，刻蚀速率的分布图为中部突起的曲线，说明为晶圆1中部凸起程度低的分布。RF和RF2的混频中，RF取2MH_Z，RF2取100MH_Z，刻蚀速率的分布图为中部突起的曲线，说明晶圆1中部凸起程度高的分布。上述两种混频的方法，其射频输出固定，不能按生产需要调节输出。

两种混频驱动下晶圆1表面刻蚀速率的分布曲线图，如图3中对比可见，甚高频射频的频率高的RF和RF2的混频，晶圆1表面刻蚀速率分布不均匀，晶圆1中部的刻蚀速率远快于晶圆1边缘的刻蚀速率。甚高频射频的频率低的RF和RF1的混频，刻蚀速率分布曲线较平缓，晶圆1中部的刻蚀速率略快于晶圆1边缘的刻蚀速率。由此可见，甚高频射频的频率高，晶圆1表面的等离子体浓度中间凸起程度高；甚高频射频的频率低，晶圆1表面的等离子体浓度中间凸起程度低。

现有技术用一种甚高频（大于40Mhz）可以获得中间高边缘低的等离子浓度分布，但是由于刻蚀除了和等离子浓度相关外也和化学反应物浓度及自由基的浓度分布相关，通常由于气流都是向晶片边缘的约束环流的，所以边缘区域化学反应物浓度更高，为了获得更均一的刻蚀效果需要一个中间高边缘低的等离子浓度分布来补偿其它因素引起的刻蚀速率边缘高中间低的分布。传统的高频电源也能产生中间高边缘低的分布，但是其缺点在于，实际生产工艺中，需要按具体要求对晶圆实施多种不同刻蚀速率分布的刻蚀，但现有技术在适应不同刻蚀工艺时，由于只采用一种甚高频射频，其射频的频率固定，所以很难调整，难以满足生产不同刻蚀速率的晶圆的工艺要求。

发明内容

本发明提供一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法，通过采用多重甚高频射频混频产生等离子，调制甚高频射频频率的参数并获得不同的等离子分布，提高晶圆表面刻蚀速率均匀性，改善晶圆刻蚀工艺。

为实现上述目的，本发明提供了一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置，该装置包含一个等离子反应腔，该反应腔内包含一对电极，一对该电极之间设有待处理工件，一对电极中包含一个下电极，该下电极的输入端电路连接的混频器；其特点是，该装置还包含分别与混频器的输入端电路连接的若干个带通滤波器和一个低通滤波器；

每个上述的带通滤波器的输入端还电路连接有甚高频信号发生器，该甚高频信号发生器输出甚高频射频信号至带通滤波器；

上述的低通滤波器的输入端还电路连接有低频信号发生器，该低频信号发生器输出低频射频信号至低通滤波器；

该装置还包含有射频比率控制器，该射频比率控制器分别与若干个上述的甚高频信号发生器电路连接，控制若干路甚高频射频信号的输出功率比率。

各路上述的甚高频射频信号之间具有从低到高不同频率；

上述的甚高频射频信号的频率取值范围大于40MHZ小于120MHZ。

一种用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，该等离子处理装置包含一个等离子反应腔，反应腔内设有一对电极，一对该电极之间设有待处理工件；一对电极中包含一个下电极，该下电极输入端电路连接有混频器，该混频器输入端电路连接有低通滤波器和若干个带通滤波器；

其特点是，该方法包含以下步骤：

步骤1、可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置启动，下电极接收若干路甚高频射频信号和低频射频信号；

步骤1.1、待处理工件设置在等离子反应腔中，等离子反应腔内充入反应气体后等离子处理装置启动；

步骤1.2、若干路甚高频射频信号分别传输至若干个带通滤波器，该带通滤波器对甚高频射频信号进行滤波，低频射频信号传输至低通滤波器，该低通滤波器对低频射频信号进行滤波；

步骤1.3、经过滤波的甚高频射频信号和低频射频信号传输至混频器，混频器对输入的甚高频射频信号及低频射频信号进行混频；

步骤1.4、混频后的射频信号传输至下电极，下电极接收混频的甚高频射频信号及低频射频信号；

步骤2 、射频比率控制器根据在待处理工件表面的等离子浓度分布要求调整各路甚高频射频信号的射频功率比率；其中多路甚高频射频信号的频率大于40MHZ小于120MH_Z；

步骤2.1、若需要提高等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.2，若需要降低等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.3；

步骤2.2、射频比率控制器提高若干路所述的甚高频射频信号中第二甚高频射频信号的输出功率比率；

步骤2.3、射频比率控制器提高若干路所述的甚高频射频信号中第一甚高频射频信号的输出功率比率，其中第二甚高频射频信号的频率大于第一甚高频射频信号的频率。

上述的甚高频射频信号包含第一甚高频射频信号和第二甚高频射频信号；第一甚高频射频信号的频率大于40MH_Z小于60MH_Z，第二甚高频射频信号的频率大于60MH_Z小于120MH_Z；第二甚高频射频信号在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度比率大于第一甚高频射频信号在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率。

上述的待处理工件包含硅材料层。

本发明可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法与现有技术的晶圆刻蚀方法相比，其优点在于，本发明设有若干路甚高频射频信号输出至下电极，采用多重高频射频频率的混频，通过调节该若干路高频射频的输出功率比率，调节晶圆表面等离子体的密度分布，消除由于各种条件所造成的，晶圆表面等离子体分布不均匀，改善晶圆表面刻蚀速率的均匀性加工控制，提高晶圆刻蚀工艺的质量。同时通过给出多个甚高频射频频率产生等离子体，按工艺要求，通过调节甚高频频率的参数获得不同的等离子分布。

附图说明

图1为现有技术中晶圆刻蚀工艺的设备结构示意图；

图2为现有技术中晶圆刻蚀工艺的等离子处理装置的结构示意图；

图3为现有技术中晶圆刻蚀工艺的不同射频频率下晶圆表面刻蚀速率示意图；

图4为适用于本发明一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的结构示意图；

图5为本发明一种用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的多重甚高频射频频率的混频处理方法的方法流程图。

具体实施方式

以下结合附图，说明本发明的具体实施方式。

本发明公开了一种用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其多重甚高频射频频率的混频处理方法，适用于在晶圆刻蚀工艺中，调节多重甚高频射频的发射功率比率，对晶圆表面等离子体的密度分布进行调制，获得不同的等离子分布，以提高晶圆表面刻蚀速率的均一性。

本发明提供的一种用于均匀加工控制的多重甚高频射频频率的混频控制方法适用于晶圆刻蚀设备，本实施例中，采用如背景技术中介绍的一种晶圆刻蚀加工工艺设备（如图1所示的），以及设置在该设备中的等离子处理装置。

本发明中晶圆刻蚀加工工艺设备中的等离子处理装置与现有技术的等离子处理装置相比，添加了一路甚高频射频的输入。如图4所示，下电极4与混频器5的输出端电路连接，混频器5的输入端电路连接有两个带通滤波器6和一个低通滤波器7，两个带通滤波器6分别连接有两个甚高频信号发生器8，两个甚高频信号发生器8分别生成频率不同的甚高频射频：第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2，低通滤波器7连接有一个低频信号发生器9，该低频信号发生器9生成射频RF。其中，第二甚高频射频信号RF2的频率取值范围大于60MH_Z小于120MH_Z，而第一甚高频射频信号RF1的频率范围是大于40MH_Z小于60MH_Z，第一甚高频射频信号RF1频率取值小于第二甚高频射频信号RF2，该甚高频的RF1，RF2用于控制等离子分布，RF1，RF2中只要有一个就可以工作，其中第二甚高频射频信号RF2在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度比率大于第一甚高频射频信号RF1在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率。RF为低频，其频率为2MH_Z，2Mhz的低频功率RF主要用于控制等离子体入射的能量，RF必须存在否则没法进行方向性刻蚀。上述的两个甚高频信号发生器8还分别电路连接有射频比率控制器10，该射频比率控制器10控制两个甚高频信号发生器8分别所输出的第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2的功率比率。

第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2，以及低频射频频率RF传输至混频器5混合，混合后的射频频率传输至下电极4，由下电极4发射射频，同时通过射频比率控制器10调节甚高频射频频率RF1和RF2的输出功率比率，使得调节最终下电极4发射射频可调。本发明通过用两个具有不同程度中间高等离子浓度分布的电源，通过调节两个频率的输出功率比率来最终达到刻蚀速率均一。

以下结合图5，具体说明本发明一种用于等离子处理装置的多重甚高频射频频率的混频处理方法，该方法包含以下步骤：

步骤1、晶圆刻蚀加工工艺设备及其等离子处理装置启动，下电极4接收两路甚高频射频信号和一路低频射频信号。

步骤1.1、等离子处理装置对待处理工件进行处理，该待处理工件含硅材料层，本实施例中对晶圆1进行刻蚀。晶圆1平稳安置在基座2上表面上，并在晶圆1外侧壁上套设聚焦环3，在晶圆1上方分布含氟的反应气体后，密封室闭合，保证晶圆刻蚀设备处在一个密封环境中，上述的预备工作完成后刻蚀设备启动。

步骤1.2、等离子处理装置中，两个甚高频信号发生器8分别生成第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2，该第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2分别传输至两个带通滤波器6，该两个带通滤波器6分别对甚高频射频信号RF1和RF2进行滤波。

低频信号发生器9生成低频射频信号RF，该低频射频信号RF传输至低通滤波器7，该低通滤波器7对低频射频信号RF进行滤波。

步骤1.3、经过滤波的第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2输出至混频器5，同时经过滤波的低频射频信号RF至混频器5。混频器5对输入的第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2及低频射频信号RF进行混频。

输入的第一甚高频射频信号RF1小于第二甚高频射频信号RF2，该甚高频射频RF1、RF2的频率在40-60MHZ之间，或者60-89Mhz之间，或者90-120Mhz之间。本实施例中，第二甚高频射频信号RF2的频率取值范围是大于60MH_Z小于120MH_Z，而第一甚高频射频信号RF1的频率范围是大于40MH_Z小于60MH_Z，第二甚高频射频信号RF2在等离子反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度比率大于第一甚高频射频信号RF1在等离子反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率。

步骤1.4、混频后的射频信号输出至下电极4，下电极4接收经过混频的甚高频射频信号RF1和RF2，以及低频射频信号RF。

步骤2、射频比率控制器根据在晶圆1表面的等离子浓度分布要求调整甚高频射频信号RF1和RF2的射频功率比率，实现调节等离子体浓度分布，其中多个甚高频射频信号的频率范围大于40MH_Z小于120MH_Z。

刻蚀除了和等离子浓度相关外也和化学反应物浓度及自由基的浓度分布相关，其中化学反应物浓度受晶圆1所处环境下的气流影响，通常由于气流都是向晶圆1边缘的约束环流的，所以晶圆1边缘区域化学反应物浓度更高，导致晶圆1边缘区域刻蚀速率较快。

在通过调节等离子体浓度，来调节晶圆1表面刻蚀状况的同时，也需要通过调节等离子体浓度，来去除化学反应物浓度分布和自由基的浓度分布所导致的刻蚀速率不均一。

根据除了等离子体浓度之外化学反应物浓度及自由基的浓度分布下晶圆1表面刻蚀情况与工艺需求所要达到的晶圆1表面刻蚀情况之间的差距，确定打在晶圆1表面上等离子体浓度的分布，实现弥补了化学反应物浓度分布和自由基的浓度分布所造成影响，并达成生产工艺要求的晶圆1表面刻蚀结果。

根据晶圆1表面所需要的等离子体浓度分布，确定第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2的射频功率比率。然后按照具体工艺需求，调节第一甚高频射频信号RF1和第二甚高频射频信号RF2输入混频器5的比率。

由于第二甚高频射频信号RF2在等离子反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度比率大于第一甚高频射频信号RF1在等离子反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率。即第一甚高频射频信号RF1形成的等离子浓度中间高两边低的程度小，第二甚高频射频信号RF2形成的等离子浓度中间高两边低的程度大。

步骤2.1、根据调整前晶圆表面等离子体浓度分布情况，判断甚高频信号调整在等离子反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率要求，若是调整前晶圆1表面等离子体分布两边高中间低的程度大，需要提高调节等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.2，若是调整前晶圆1表面等离子体分布两边高中间低的程度小，需要降低调节等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.3。

步骤2.2、射频比率控制器10提高第二甚高频射频信号RF2的输出功率比率，并跳转到步骤3。

步骤2.3、射频比率控制器10提高第一甚高频射频信号RF1的输出功率比率，并跳转到步骤3。

步骤3、下电极4向反应气体发射射频，对晶圆1进行刻蚀工艺。

步骤3.1、下电极4向反应气体发射甚高频射频信号RF1和RF2及低频射频信号RF混频后的射频，甚高频射频RF1和RF2电离反应气体产生等离子体，控制晶圆1表面等离子体浓度分布。

其中，在其他外界影响晶圆1刻蚀的因素（例如：化学反应物浓度及自由基的浓度分布）相同的情况下，晶圆1表面刻蚀速率随着等离子体浓度的升高而提高。

步骤3.2、下电极4发射甚高频射频信号RF1和RF2及低频射频信号RF混频后的射频，低频射频RF在电极周围产生电场，该电场对等离子体产生电场力作用，控制等离子体入射的能量，驱动等离子体打向晶圆1和聚焦环3，，对晶圆1表面进行方向性刻蚀。

对晶圆1刻蚀完成后，需要对刻蚀完成的晶圆1进行刻蚀结果的检测。通常该工艺流程在晶圆刻蚀的研发过程中进行，以便在晶圆1的生产中确定甚高频射频信号RF1和RF2的输出功率比率，标准化刻蚀工艺。

由于只有完成部分区域刻蚀后，才能检测到光学信号。晶圆刻蚀加工工艺设备对晶圆刻蚀停止后，将晶圆1取出，通过专用的晶圆刻蚀速率检测设备对晶圆1表面的刻蚀速率进行检测。根据检测结果调整甚高频射频信号RF1和RF2的输出功率比率。

若检测晶圆1表面的刻蚀速率与工艺目标所要求的刻蚀速率相比，中间较高边缘较低，需要降低晶圆1表面中间凸起程度。则在甚高频射频RF1和RF2之间，提高甚高频射频信号RF1的射频功率比率。

若检测晶圆1表面的刻蚀速率与工艺目标所要求的刻蚀速率相比，中间较低边缘较高，需要提升晶圆1表面中间凸起程度。则在甚高频射频RF1和RF2之间，提高甚高频射频信号RF2的射频功率比率。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (7)

1.一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置，该装置包含一个等离子反应腔，该反应腔内包含一对电极，一对该电极之间设有待处理工件，一对该电极中包含一个下电极（4），所述的下电极（4）的输入端电路连接的混频器（5）；其特征在于，该装置还包含分别与所述的混频器（5）的输入端电路连接的若干个带通滤波器（6）和一个低通滤波器（7）；

每个所述的带通滤波器（6）的输入端还电路连接有甚高频信号发生器（8），该甚高频信号发生器（8）输出甚高频射频信号至带通滤波器（6）；

所述的低通滤波器（7）的输入端还电路连接有低频信号发生器（9），该低频信号发生器（9）输出低频射频信号至低通滤波器（7）；

该装置还包含有射频比率控制器（10），该射频比率控制器（10）分别与若干个所述的甚高频信号发生器（8）电路连接，控制若干路甚高频射频信号的输出功率比率。

2.如权利要求1所述的可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置，其特征在于，各路所述的甚高频射频信号之间具有从低到高不同频率；

所述的甚高频射频信号的频率取值范围大于40MH_Z小于120MH_Z。

3.一种用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，所述等离子处理装置包含一个等离子反应腔，反应腔内设有一对电极，一对该电极之间设有待处理工件；一对电极中包含一个下电极（4），该下电极（4）输入端电路连接有混频器（5），该混频器（5）输入端电路连接有低通滤波器（7）和若干个带通滤波器（6）；

其特征在于，该方法包含以下步骤：

步骤1、可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置启动，下电极（4） 接收若干路甚高频射频信号和低频射频信号；

步骤2、射频比率控制器根据在待处理工件表面的等离子浓度分布要求调整各路甚高频射频信号的射频功率比率；其中各路甚高频射频信号的频率大于40MH_Z小于120MH_Z。

4.如权利要求3所述的用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，其特征在于，所述的步骤1还包含以下步骤：

步骤1.1、待处理工件设置在等离子反应腔中，等离子反应腔内充入反应气体后等离子处理装置启动；

步骤1.2、若干路甚高频射频信号分别传输至若干个带通滤波器（6），该带通滤波器（6）对甚高频射频信号进行滤波，低频射频信号传输至低通滤波器（7），该低通滤波器（7）对低频射频信号进行滤波；

步骤1.3、经过滤波的甚高频射频信号和低频射频信号传输至混频器（5），混频器（5）对输入的甚高频射频信号及低频射频信号进行混频；

步骤1.4、混频后的射频信号传输至下电极（4），下电极（4）接收混频的甚高频射频信号及低频射频信号。

5.如权利要求4所述的用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，其特征在于，所述的甚高频射频信号包含第一甚高频射频信号和第二甚高频射频信号；第一甚高频射频信号的频率大于40MH_Z小于60MH_Z，第二甚高频射频信号的频率大于60MH_Z小于120MH_Z；第二甚高频射频信号在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度比率大于第一甚高频射频信号在反应腔中间区域与边缘区域产生的等离子密度的比率。

6.如权利要求5所述的用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，其特征在于，所述的步骤2还包含以下步骤：

步骤2.1、若需要提高等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.2，若需要降低等离子体浓度分布中间高两边低的程度，则跳转到步骤2.3；

步骤2.2、射频比率控制器提高若干路所述的甚高频射频信号中第二甚高频射频信号的输出功率比率；

步骤2.3、射频比率控制器提高若干路所述的甚高频射频信号中第一甚高频射频信号的输出功率比率，其中第二甚高频射频信号的频率大于第一甚高频射频信号的频率。

7.如权利要求3所述的用于可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置的处理方法，其特征在于，所述的待处理工件包含硅材料层。