TWI512967B - 有機電激發光元件的畫素結構 - Google Patents

有機電激發光元件的畫素結構 Download PDF

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Description

有機電激發光元件的畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種有機電激發光元件的畫素結構。
作為一種發光元件，有機電激發光元件具有許多優點如無視角限制、低製造成本、高應答速度(較液晶的應答速度快約一百倍以上)、節省能源、適於在可攜式裝置中直接以電流驅動、使用溫度範圍廣泛、重量輕，且提供小型與薄型的設計。因此，有機電激發光元件具有高發展潛力且被預期是下一世代的平板顯示器。
此外，電子產品，例如手機、手提式個人電腦、個人數位助理與智慧型手機流行於我們的日常生活中。為了符合現今的需求如便於攜帶、小型、對使用者友善的資訊科技產品，觸控感測螢幕被用於輸入裝置而取代傳統的鍵盤與滑鼠。在眾多觸控感測螢幕中，一種兼具觸控與顯示功能的觸控感測面板是現今最流行的產品。
因此，需要發展具有觸控感測功能的有機電激發光元件。
本發明提供一種有機電激發光元件的畫素結構，其具有觸控感測的功能。
本發明的有機電激發光元件的畫素結構，包括在基板上的一掃描線、一資料線、一偏壓線以及一讀出線，以及一第一開關元件、一電容器、一驅動元件、一有機發光元件、一第二開關元件以及一光感測元件。第一開關元件電性連接於掃描線以及資料線。電容器電性連接於第一開關元件以及偏壓線。驅動元件電性連接於第一開關元件、電容器以及偏壓線。有機發光元件電性連接於驅動元件。第二開關元件電性連接於掃描線與讀出線。光感測元件電性連接於第二開關元件以及偏壓線。
本發明的有機電激發光元件包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一第三絕緣層、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一閘極、一第二閘極、一第三閘極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置在第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一汲極、一第二源極、一第二汲極、一第三源極、一第三汲極、一第四源極、一第四汲極以及一第二電極。第一閘極、第一通道層、第一源極以及第一汲極形成一第一開關元件。第二閘極、 第二通道層、第二源極以及第二汲極形成一驅動元件。第三閘極、第三通道層、第三源極以及第三汲極形成一第二開關元件。第一電極與及第二電極形成一電容器。第二絕緣層覆蓋第二導體層。第三導體層配置在第二絕緣層上且包括一第四閘極以及一下部電極。第四閘極、第四通道層、第四源極以及第四極汲極形成一光感測元件。下部電極電性連接於第二汲極。第三絕緣層配置在第三導體層上且暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。
一種有機電激發光元件的畫素結構包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一下部電極、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一閘極、一第二閘極、一第三閘極、一第四閘極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置於第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一汲極、一第二源極、一第二汲極、一第三源極、一第三汲極、一第四源極、一第四汲極以及一第二電極。第一閘極、第一通道層、第一源極以及第一汲極形成一第一開關元件。第二閘極、第二通道層、第二源極、第二汲極形成一驅動元件。第三閘極、第三通道層、第三源極以及第三汲極形成一第二開關元件。第四閘極、第四通道層、第四源極以及第四汲極形成一光感測元件。第一電極以及第二電極形成一電容器。第二絕 緣層覆蓋第二導體層。下部電極配置在第二絕緣層上且暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。
基於上述，由於畫素結構中具有有機發光元件與光感測元件，因此有機電激發光元件具有觸控感測功能。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧基板
102‧‧‧第一絕緣層
104‧‧‧第二絕緣層
106‧‧‧第三絕緣層
120‧‧‧下部電極
122‧‧‧連接圖案
130‧‧‧有機發光層
140‧‧‧上部電極
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
BL1‧‧‧第一偏壓線、偏壓線
BL2‧‧‧第二偏壓線、偏壓線
RL‧‧‧讀出線
C‧‧‧電容器
O‧‧‧有機發光元件
M1‧‧‧第一導體層
M2‧‧‧第二導體層
M3‧‧‧第三導體層
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
G3‧‧‧第三閘極
G4‧‧‧第四閘極
CH‧‧‧半導體層
CH1‧‧‧第一通道層
CH2‧‧‧第二通道層
CH3‧‧‧第三通道層
CH4‧‧‧第四通道層
S1‧‧‧第一源極
S2‧‧‧第二源極
S3‧‧‧第三源極
S4‧‧‧第四源極
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
D3‧‧‧第三汲極
D4‧‧‧第四汲極
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
T1‧‧‧第一開關元件
T2‧‧‧驅動元件
T3‧‧‧第二開關元件
T4‧‧‧光感測元件
V1、V2、V3‧‧‧接觸窗
SH、B‧‧‧遮光圖案
圖1繪示出根據本發明一實施例的畫素結構的等效電路圖。
圖2是根據本發明一實施例的畫素結構的剖面圖。
圖3是根據本發明一實施例的畫素結構的上視圖。
圖4與圖5是根據本發明其他的實施例的畫素結構的等效電路圖。
圖6是根據本發明另一實施例的畫素結構的上視圖。
圖7是根據本發明另一實施例的畫素結構的上視圖。
圖8至圖11是根據本發明的數個實施例的畫素結構的剖面圖。
圖12至圖13是根據本發明的數個實施例的畫素結構的上視圖。
圖1繪示出根據本發明一實施例的畫素結構的等效電路圖。請參考圖1，畫素結構包括一掃描線SL、一資料線DL、一第一偏壓線BL1、一第二偏壓線BL2、一讀出線RL、一第一開關元件T1、一電容器C、一驅動元件T2、一有機發光元件O、一第二開關元件T3以及一光感測元件T4。第一開關元件T1電性連接於掃描線SL與資料線DL。電容器C電性連接於第一開關元件T1與第一偏壓線BL1。驅動元件T2電性連接於第一開關元件T1、電容器C與第一偏壓線BL1。有機發光元件O電性連接於驅動元件T2。第二開關元件T3電性連接於掃描線SL與讀出線RL。光感測元件T4電性連接於第二開關元件T3與第二偏壓線BL2。
第一開關元件T1、驅動元件T2、第二開關元件T3與光感測元件T4可分別為一頂閘極式薄膜電晶體或一底閘極式薄膜電晶體。第一開關元件T1、驅動元件T2、第二開關元件T3與光感測元件T4可分別為一非晶矽薄膜電晶體或一低溫多晶矽(low temperature poly-silicon,LTPS)薄膜電晶體。有機發光元件O可以是一向下發光式有機發光元件、一向上發光式有機發光元件或是一雙重發光式有機發光元件。為了清楚地繪示本發明的畫素結構，本實施例中描述一個具有有機發光元件O(向下發光式)、第一開關元件T1(底閘極式薄膜電晶體)、驅動元件T2(底閘極式薄膜電晶體)，第二開關元件T3(底閘極式薄膜電晶體)與光感測元件T4(頂閘極式薄膜電晶體)，但並非用於限定本發明。
圖2是根據本發明一實施例的畫素結構的剖面圖。圖3繪示出本發明的畫素結構的上視圖，但並未繪示出畫素結構的有機發光層與上部電極層。請參考圖1、圖2與圖3，畫素結構包括一基板100、一第一導體層M1、一第一絕緣層102、一半導體層CH、一第二導體層M2、一第二絕緣層104、一第三導體層M3、一有機發光層130與一上部電極140。
基板100可以是一剛性基板，例如一玻璃基板或一矽基板。或者基板100可以是一可撓性基板，例如一聚合物基板或一塑膠基板。
第一導體層M1配置在基板100上且包括一第一閘極G1、一第二閘極G2、一第三閘極G3與一第一電極E1。第一導體層M1包括一金屬材料或其他適合的導體材料。在本實施例中，第一導體層M1更包括一掃描線SL(繪示於圖1)電性連接於第一閘極G1。
第一絕緣層102覆蓋第一導體層M1。第一絕緣層102包括一無機絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，或者其他有機絕緣材料。
半導體層CH配置第一絕緣層102上且包括一第一通道層CH1、一第二通道層CH2、一第三通道層CH3與一第四通道層CH4。第一通道層CH1在第一閘極G1上方，第二通道層CH2在第二閘極G2上方，且第三通道層CH3在第三閘極G3上方。在本實施例中，第一通道層CH1直接配置在第一閘極G1上方，第二 通道層CH2直接配置在第二閘極G2上方，第三通道層CH3直接配置在第三閘極G3上方。此外，半導體層CH包括一非晶矽、多晶矽、微晶矽或其他適合的半導體材料。
第二導體層M2配置在半導體層CH上且包括一第一源極S1、一第一汲極D1、一第二源極S2、一第二汲極D2、一第三源極S3、一第三汲極D3、一第四源極S4、一第四汲極D4與一第二電極E2。第一源極S1與第一汲極D1配置在第一通道層CH1上。第二源極S2與第二汲極D2配置在第二通道層CH2上。第三源極S3與第三汲極D3配置在第三通道層CH3上。第四源極S4與第四汲極D4配置在第四通道層CH4上。第二電極E2配置在第一電極E1上方。
因此，第一閘極G1、第一通道層CH1、第一源極S1與第一汲極D1形成一第一開關元件T1。第二閘極G2、第二通道層CH2、第二源極S2與第二汲極D2形成一驅動元件T2。第三閘極G3、第三通道層CH3、第三源極S3與第三汲極D3形成一第二開關元件T3。第一電極E1與第二電極E2形成一電容器C。在本實施例中，第一開關元件T1的第一汲極D1電性連接於電容器C的第一電極E1與驅動元件T2的第二源極S2。第二開關元件T3的第三汲極D3電性連接於第四源極S4。
此外，第二導體層M2更包括一資料線DL、一讀出線RL與一第一偏壓線BL1。資料線DL電性連接於第一開關元件T1的第一源極S1。讀出線RL電性連接於第二開關元件T3的第三源極 S3。第一偏壓線BL1電性連接於電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2。資料線DL、讀出線RL與第一偏壓線BL1交錯地配置於掃描線SL。在本實施例中，資料線DL、讀出線RL與第一偏壓線BL1彼此平行。換言之，資料線DL、讀出線RL與第一偏壓線BL1的延伸方向不平行於掃描線SL的延伸方向。在本實施例中，資料線DL、讀出線RL以及第一偏壓線BL1的延伸方向垂直於掃描線SL的延伸方向，但並非用於限定本發明。
此外，如圖3所繪示，讀出線RL配置在第一偏壓線BL1與光感測元件T4之間(以及第二開關元件T3)。換言之，光感測元件T4(以及第二開關元件T3)配置在讀出線RL與一鄰近的畫素結構的資料線(未繪示)之間。
第二絕緣層104覆蓋第二導體層M2。第二絕緣層104包括一無機絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，或者其他有機絕緣材料。
第三導體層M3配置在第二絕緣層104上且包括一第四閘極G4與一下部電極120。第四閘極G4配置在第四通道層CH4的上方，且第四閘極G4電性接於第四汲極D4。第四閘極G4、第四通道層CH4、第四源極S4與第四汲極D4形成一光感測元件T4。下部電極120經由第二絕緣層104的接觸窗V1電性連接於驅動元件T2的第二汲極D2。
在本實施例中，第三導體層M3更包括一連接圖案122以電性連接於第一開關元件T1的第一汲極D1與電容器C的第一 電極E1。詳細而言，連接圖案122配置在第二絕緣層104上且一接觸窗V2與一接觸窗V3形成於第二絕緣層104。第一開關元件T1的第一汲極D1與電容器C的第一電極E1經由連接圖案122、接觸窗V2與接觸窗V3彼此電性連接。
此外，第三導體層M3更包括一第二偏壓線BL2，電性連接於第四閘極G4與第四汲極D4(如圖1與圖3中所繪示)。第二偏壓線BL2交錯地配置於資料線DL、讀出線RL以及第一偏壓線BL1。在本實施例中，第二偏壓線BL2平行於掃描線SL且垂直於資料線DL、讀出線RL與第一偏壓線BL1。
第三導體層M3是一透明導體層包括例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。由於第三導體層M3是一透明導體層，下部電極120是一透明電極。
第三絕緣層106配置在第三導體層M3上，且暴露出下部電極120。第三絕緣層106包括一無機絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽，或者其他有機絕緣材料。
有機發光層130配置在暴露的下部電極120上，有機發光層130可包括一紅色有機發光材料、一綠色有機發光材料或一藍色有機發光材料。有機發光層130可包括一電子注入層、一電子傳輸層、一電洞注入層、一電洞傳輸層或其上述之組合。在本發明的其他實施例中，觸控感測光源(未繪示)可以被設計在有機發光層130內，或形成於一獨立的膜層。觸控感測光源的波長不同於其中一個有機發光材料的可見光，例如其可以是紅外光或 其他不可見光。
上部電極140配置在有機發光層130上，且上部電極140、有機發光層130與下部電極120形成一有機發光元件O。上部電極140包括一反射電極材料或一透明電極材料。若上部電極140為反射電極，由有機發光層130發出的光線L可通過下部電極120與基板100，以使有機發光元件O是一向下發光式有機發光元件。如果上部電極140是一透明電極，由有機發光層130發出的光線可通過下部電極120與基板100，且也可通過上部電極140，以使有機發光元件O是一雙重發光式有機發光元件。
因此，第一開關元件T1、驅動元件T2與有機發光元件O由掃描線SL、資料線DL與第一偏壓線BL1所控制，如此，畫素結構可被驅動以發射光線L或不發射光線L。此外，第二開關元件T3與光感測元件T4電性連接於讀出線RL與第二偏壓線BL2。當一光感測訊號由畫素結構的底部發出而通過基板100，其可被光感測元件T4感測或接收，並傳送至讀出線RL以使畫素結構具有觸控感測功能。
在此需說明的是，在圖2的實施例中，因為有機發光元件O是一向下發光式有機發光元件或一雙重發光式有機發光元件，由有機發光元件O發射的光線L可發射至光感測元件T4的第四通道層CH4。在本實施例中，第一導體層M1更可包括一遮光圖案SH，例如一黑矩陣，配置在光感測元件T4的下方。遮光圖案SH配置在光感測元件T4的下方可遮蔽光線L發射進入光感 測元件T4的第四通道層CH4(主動層)，以避免光線L干擾光感測元件T4的光感測功能。在本實施例中，遮光圖案SH配置在相應的光感測元件T4的第四通道層CH4，以僅允許由外部光源的瞄準光線，例如光筆的光感測訊號進入第四通道層CH4。因此，來自畫素結構底部且穿過基板100的光感測訊號仍然可被光感測元件T4的第四通道層CH4感測或接收。
圖4是根據本發明另一實施例的畫素結構的等效電路圖。請參考圖4，本實施例實質上與圖1的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖4的實施例與圖1的實施例的差別在於，圖4的畫素結構僅具有一條偏壓線BL1。偏壓線BL1平行地配置於資料線DL與讀出線RL。電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2電性連接於偏壓線BL1，且第四閘極G4與第四汲極D4也電性連接於偏壓線BL1。
圖5是根據本發明另一實施例的畫素結構的等效電路圖。請參考圖5，本實施例實質上與圖1的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖5的實施例與圖1的實施例的差別在於，圖5的畫素結構僅具有一條偏壓線BL2。偏壓線BL2平行地配置於掃描線SL。電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2電性連接於偏壓線BL2，且第四閘極G4與第四汲極D4也電性連接於偏壓線BL2。
圖6是根據本發明另一實施例的畫素結構的上視圖。請參考圖6，本實施例實質上與圖3的實施例相似。因此，相同的元 件會以相同的標號示意且不再贅述。圖6的實施例與圖3的實施例的差別在於，光感測元件T4(與第二開關元件T3)配置在第一偏壓線BL1與讀出線RL之間。
圖7是根據本發明另一實施例的畫素結構的剖面圖。請參考圖7，本實施例實質上與圖2的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。請參考圖7，有機發光元件O為一向上發光式有機發光元件(或雙重發光式有機發光元件)，且光感測元件T4為一底閘極式薄膜電晶體。
詳細而言，有機發光元件O的上部電極140包括一透明電極材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，且下部電極120包括一反射電極材料或一透明電極材料。若下部電極120是一反射電極，由有機發光層130發射的光線L可穿過上部電極140，以使有機發光元件O為一向上發光式有機發光元件。若下部電極120是一透明電極，由有機發光層130發射的光線L可穿過上部電極140，且也可穿過下部電極120與基板100，以使有機發光元件O為一雙重發光式有機發光元件。
此外，光感測元件T4是一底閘極式薄膜電晶體結構。也就是說，第四閘極G4是第一導體層M1在基板100上的一部分，第四通道層CH4配置在第四閘極G4的上方，且第四源極S4與第四汲極D4配置在第四通道層CH4上。由於第四閘極G4屬於第一導體層M1，電性連接於第四閘極G4與第四汲極D4的偏壓線也屬於第一導體層M1。當光感測訊號由畫素結構的上方穿過上部電 極140與第三絕緣層106，其會被光感測元件T4的第四通道層CH4感測或接收。在本實施例中，遮光圖案可以被省略，因為第四閘極G4是配置在第四通道層CH4的下方以遮蔽由有機發光層130而來的光線L。
圖8至圖11是根據本發明的數個實施例的畫素結構的剖面圖。如圖8中所繪示，本實施例與圖2的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖8的實施例與圖2的實施例的差別在於，遮光圖案B配置在基板100的一外表面。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100的外表面，且此外表面在光感測元件T4的下方。遮光圖案B可以例如是彩色濾光圖案或是一黑色樹脂。遮光圖案B被用於允許特定波長的光穿過且加強光感測元件T4的感光度。
如圖9所繪示，本實施例與圖8的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖9的實施例與圖8的實施例的差別在於，遮光圖案B配置在基板100的一內表面上。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100與光感測元件T4之間。遮光圖案B可以是一彩色濾光圖案，且遮蔽光感測元T4件由環境而來的反射光與有機發光元件O的光線L，以允許特定波長穿過且防止反射光的干擾。
如圖10所繪示，本實施例與圖9的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。在此需說明的是，除了三原色的有機發光二極體之外，有機發光元件O包括觸控感測 光源，例如紅外光或其他不可見光，且圖10的實施例與圖9的實施例的差別在於，遮光圖案B配置在光感測元件T4上。詳細而言，遮光圖案B覆蓋閘極G4與光感測元件T4。遮光圖案B可以是黑色樹脂，且遮蔽光感測元件T4由有機發光元件O的反射光線L，此反射光線L包括紅外光與不可見光。
如圖11所繪示，本實施例與圖10的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖11的實施例與圖10的實施例的差別在於，遮光圖案B配在基板100的一內表面，且在光感測元件上。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100與光感測元件T4之間，且覆蓋光感測元件T4的閘極G4。遮光圖案B可遮蔽光感測元件T4由環境而來的反射光與有機發光元件O的光線L。
圖12至圖13是根據本發明的數個實施例的畫素結構的上視圖。圖8、圖9、圖10或圖11中所繪示的遮光圖案B配置於相應的光感測元件T4，如圖12與圖13中所繪示。也就是說，遮光圖案B主要覆蓋光感測元件T4且暴露畫素結構的其他元件。
綜上所述，由於畫素結構中具有有機發光元件與光感測元件，有機電激發光元件具有觸控感測功能。此外，觸控感測元素的製程(包括光感測元件、第二開關元件、讀出線與偏壓線)可以以有機發光元素(包括第一開關元件、驅動元件、有機發光元件、掃描線與資料線)的製程完成，因此在畫素結構的製程中不需要額外的製程。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
BL1‧‧‧第一偏壓線
BL2‧‧‧第二偏壓線
RL‧‧‧讀出線
C‧‧‧電容器
O‧‧‧有機發光元件
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
G3‧‧‧第三閘極
G4‧‧‧第四閘極
S1‧‧‧第一源極
S2‧‧‧第二源極
S3‧‧‧第三源極
S4‧‧‧第四源極
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
D3‧‧‧第三汲極
D4‧‧‧第四汲極
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
T1‧‧‧第一開關元件
T2‧‧‧驅動元件
T3‧‧‧第二開關元件
T4‧‧‧光感測元件

Claims (24)

  1. 一種有機電激發光元件的畫素結構，包括：一掃描線，一資料線，至少一偏壓線以及一讀出線，配置在一基板上；一第一開關元件，電性連接於該掃描線與該資料線；一電容器，電性連接於該第一開關元件與該偏壓線；一驅動元件，電性連接於該第一開關元件、該電容器與該偏壓線；一有機發光元件，電性連接於該驅動元件；一第二開關元件，電性連接於該掃描線與該讀出線；以及一光感測元件，電性連接於該第二開關元件與該偏壓線，其中該光感測元件僅由一個薄膜電晶體構成，且該薄膜電晶體為一頂閘極式薄膜電晶體或一底閘極式薄膜電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該偏壓線包括：一第一偏壓線，平行於該資料線而配置且電性連接於該電容器與該驅動元件；以及一第二偏壓線，平行於該掃描線而配置且電性連接於該光感測元件。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該光感測元件配置在該第一偏壓線與該讀出線之間。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該讀出線配置在該第一偏壓線與該光感測元件之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該偏壓線平 行於該資料線而配置且電性連接於該電容器、該驅動元件與該光感測元件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該偏壓線平行於該掃描線而配置且電性連接於該電容器、該驅動元件與該光感測元件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一頂閘極式薄膜電晶體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案，覆蓋該光感測元件。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該遮光圖案配置在該基板的一外表面，該遮光圖案介於該基板與該光感測元件之間，該遮光圖案在該光感測元件上，或上述之組合。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該有機發光元件為一向上發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底閘極式薄膜電晶體。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一開關元件、該驅動元件與該第二開關元件分別為一底閘極式薄膜電晶體。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底閘極式薄膜電晶體。
  13. 一種有機電激發光元件的畫素結構，包括：一基板； 一第一導體層，配置在該基板上且包括一第一閘極、一第二閘極、一第三閘極以及一第一電極；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層；一半導體層，配置在該第一絕緣層上且包括一第一通道層、第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層；一第二導體層，配置在該半導體層上且包括一第一源極、一第一汲極、一第二源極、一第二汲極、一第三源極、一第三汲極、一第四源極、一第四汲極以及一第二電極，其中該第一閘極、該第一通道層、該第一源極以及該第一汲極形成一第一開關元件，該第二閘極、該第二通道層、第二源極以及該第二汲極形成一驅動元件，該第三閘極、第三通道層、第三源極以及該第三汲極形成一第二開關元件，且該第一電極以及該第二電極形成一電容器；一第二絕緣層，覆蓋該第二導體層；一第三導體層，配置在該第二絕緣層上且包括一第四閘極以及一下部電極，該第四閘極、該第四通道層、該第四源極以及該第四汲極形成一頂閘極式薄膜電晶體，且該下部電極電性連接於該驅動元件的該第二汲極，其中一光感測元件僅由該頂閘極式薄膜電晶體構成；一第三絕緣層，配置在該第三導體層上且暴露該下部電極；一有機發光層，配置在該下部電極上；以及一上部電極，配置在該有機發光層上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該下部電極包括一透明電極材料。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該上部電 極包括一反射電極材料或一透明電極材料。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該第一導體層更包括一掃描線以及一遮光圖案，該掃描線電性連接於該第一閘極，且該遮光圖案配置在該第四通道層的下方。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該第二導體層更包括一資料線、一讀出線以及一偏壓線，該資料線電性連接於該第一源極，該讀出線電性連接於該第三源極，且該偏壓線電性連接於該第二電極以及該第二源極。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，其中該第三導體層更包括一偏壓線，該偏壓線電性連接於該第四閘極以及該第四汲極。
  19. 如申請專利範圍第13項所述的畫素結構，更包括一遮光圖案，其中該遮光圖案配置在該基板的一外表面上，該遮光圖案介於該基板以及該光感測元件之間，該遮光圖案在該光感測元件上，或上述之組合。
  20. 一種有機電激發光元件的畫素結構，包括：一基板；一第一導體層，配置在該基板上且包括一第一閘極、一第二閘極、一第三閘極、一第四閘極以及一第一電極；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層；一半導體層，配置在該第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層；一第二導體層，配置在該半導體層上且包括一第一源極、一第一汲極、一第二源極、一第二汲極、一第三源極、一第三汲極、 一第四源極、一第四汲極以及一第二電極，其中該第一閘極、該第一通道層、該第一源極以及該第一汲極形成一第一開關元件，該第二閘極、該第二通道層、該第二源極以及該第二汲極形成一驅動元件，該第三閘極、該第三通道層、該第三源極以及該第三汲極形成一第二開關元件，該第四閘極、該第四通道層、該第四源極以及該第四汲極形成一底閘極式薄膜電晶體，且該第一電極以及該第二電極形成一電容器，其中一光感測元件僅由該底閘極式薄膜電晶體構成；一第二絕緣層，覆蓋該第二導體層；一下部電極，配置在該第二絕緣層上且電性連接於該驅動元件的該第二汲極；一第三絕緣層，配置在該第二絕緣層上且暴露該下部電極；一有機發光層，配置在該暴露的下部電極上；以及一上部電極，配置在該有機發光層上。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的畫素結構，其中該上部電極包括一透明電極材料。
  22. 如申請專利範圍第20項所述的畫素結構，其中該下部電極包括一反射電極材料或一透明電極材料。
  23. 如申請專利範圍第20項所述的畫素結構，其中該第一導體層更包括一掃描線以及一偏壓線，該掃描線電性連接於該第一閘極，且該偏壓線電性連接於該第四閘極以及該第四汲極。
  24. 如申請專利範圍第20項所述的畫素結構，其中該第二導體層更包括一資料線、一讀出線以及一偏壓線，該資料線電性連接於該第一源極，該讀出線電性連接於該第三源極，且該偏壓線電性連接於該第二電極以及該第二源極。
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