TWI509610B - 電壓產生裝置 - Google Patents

Description

電壓產生裝置

一種電壓產生裝置，特別有關於一種適於隨機存取記憶體的電壓產生裝置。

在目前電腦系統或伺服器中，需要提供隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)所需的參考電壓，使得隨機存取記憶體可正常運作。一般來說，在提供隨機存取記憶體所需的參考電壓的電路設計上，藉由一處理晶片透過內部積體電路(Inter Integrated Circuit,I2C)匯流排接收一電壓訊號，並對此電壓訊號進行處理後，以產生隨機存取記憶體所需的參考電壓。

然而，利用內部積體電路匯流排傳送電壓訊號，則內部積體電路匯流排的訊號質量會影像到隨機存取記憶體的工作狀態，使得隨機存取記憶體在工作上較不穩定。並且，在提供參考電壓的電路設計上，還需要使用前述的處理晶片，如此將增加電路設計的複雜度。

鑒於以上的問題，本揭露在於提供一種電壓產生裝置，藉以提供準確的參考電壓，以增加隨機存取記憶體的工作穩定度，並降低電路設計的複雜度。

本揭露之一種電壓產生裝置，包括第一分壓調整單元與控制單元。第一分壓調整單元用以對工作電壓進行調整，並輸出第一 參考電壓給隨機存取記憶體單元。第一分壓調整單元包括第一分壓電路、第二分壓電路與第一參考電壓輸出端。第二分壓電路與第一分壓電路串聯從而對工作電壓進行分壓。第一參考電壓輸出端耦接於第一分壓電路與第二分壓電路之間。其中，第二分壓電路接收第一控制訊號，並依據第一控制訊號，調整第二分壓電路的阻值，從而改變第一參考電壓輸出端的第一參考電壓值，且第一分壓調整單元提供回應於第一參考電壓的第一回授電壓。控制單元耦接第一分壓調整單元，用以提供第一控制訊號，且控制單元接收第一回授電壓，並依據第一回授電壓，調整第一控制訊號。

在一實施例中，前述第一分壓電路包括第一電阻。第一電阻的第一端接收工作電壓，第一電阻的第二端耦接第一參考電壓輸出端。

在一實施例中，前述第二分壓電路包括第一電容、第二電阻、第三電阻與第四電阻。第一電容的第一端接收第一控制訊號，並提供回授電壓。第二電阻的第一端耦接第一電容的第二端，第二電阻的第二端耦接接地端。第三電阻的第一端耦接第一電容的第一端，第三電阻的第二端耦接第一參考電壓輸出端。第四電阻的第一端耦接第三電阻的第二端，第四電阻的第二端耦接接地端。

在一實施例中，前述電壓產生裝置更包括第二分壓調整單元。第二分壓調整單元耦接控制單元，用以對工作電壓進行分壓調整，並輸出第二參考電壓給隨機存取記憶體單元。第二分壓調整單元包括第三分壓電路、第四分壓電路與第二參考電壓輸出 端。第四分壓電路與第三分壓電路串聯從而對工作電壓進行分壓。第二參考電壓輸出端耦接於第三分壓電路與第四分壓電路之間。其中，第四分壓電路接收第二控制訊號，並依據第二控制訊號，調整第四分壓電路的阻值，從而改變第二參考電壓輸出端的第二參考電壓值，且第三分壓調整單元提供回應於第二參考電壓的第二回授電壓，控制單元更接收第二回授電壓，並依據第二回授電壓，調整第二控制訊號。

在一實施例中，前述第三分壓電路包括第五電阻。第五電阻的第一端接收工作電壓，第五電阻的第二端耦接第二參考電壓輸出端。

在一實施例中，前述第四分壓電路包括第二電容、第六電阻、第七電阻與第八電阻。第二電容的第一端接收第二控制訊號，並提供第二回授電壓。第六電阻的第一端耦接第二電容的第二端，第六電阻的第二端耦接接地端。第七電阻的第一端耦接第二電容的第一端，第七電阻的第二端產生耦接第二參考電壓輸出端。第八電阻的第一端耦接第七電阻的第二端，第八電阻的第二端耦接接地端。

在一實施例中，前述電壓產生裝置更包括第三分壓調整單元。第三分壓調整單元耦接控制單元，用以對工作電壓進行分壓調整，並輸出第三參考電壓給另一隨機存取記憶體單元。第三分壓調整單元包括第五分壓電路、第六分壓電路與第三參考電壓輸出端。第六分壓電路與第五分壓電路串聯從而對工作電壓進行分 壓。第三參考電壓輸出端耦接於第五分壓電路與第六分壓電路之間。其中，第六分壓電路接收第三控制訊號，並依據第三控制訊號，調整第六分壓電路的阻值，從而改變第三參考電壓輸出端的第三參考電壓值，且第五分壓調整單元提供回應於第三參考電壓的第三回授電壓，控制單元更接收第三回授電壓，並依據第三回授電壓，調整第三控制訊號的電壓準位，第二分壓調整單元更輸出第二參考電壓給另一隨機存取記憶體單元。

在一實施例中，前述第五分壓電路包括第九電阻。第九電阻的第一端接收工作電壓，第九電阻的第二端耦接第三參考電壓輸出端。

在一實施例中，前述第六分壓電路包括第三電容、第十電阻、第十一電阻與第十二電阻。第三電容的第一端接收第三控制訊號，並提供第三回授電壓。第十電阻的第一端耦接第三電容的第二端，第十電阻的第二端耦接接地端。第十一電阻的第一端耦接第三電容的第一端，第十一電阻的第二端耦接第三參考電壓輸出端。第十二電阻的第一端耦接第十一電阻的第二端，第十二電阻的第二端耦接接地端。

在一實施例中，前述第一參考電壓為隨機存取記憶體單元之命令與位址訊號服務的參考電壓，第二參考電壓為隨機存取記憶體單元之資料匯流排服務的參考電壓，第三參考電壓為隨機存取記憶體單元之命令與位址訊號服務的參考電壓。

本揭露之電壓產生裝置，藉由控制單元產生控制訊號，且控 制訊號經由分壓調整單元調整後，產生參考電壓給隨機存取記憶體單元。並且，控制單元更依據分壓調整單元所提供的回授訊號，調整控制訊號的電壓準位。如此一來，提供給隨機存取記憶體單元的參考電壓較為準確，進而提高隨機存取記憶體單元的工作穩定度，並降低電路的設計複雜度。

有關本揭露的特徵與實作，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。

以下所列舉的各實施例中，將以相同的標號代表相同或相似的元件。

請參考「第1圖」所示，其為本揭露之電壓產生裝置的示意圖。本實施例之電壓產生裝置100適於隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)單元150。也就是說，電壓產生裝置100用以提供隨機存取記憶體單元150所需的參考電壓，以進行相應的運作。其中，隨機存取記憶體單元150可包括單一隨機存取記憶體或一對隨機存取記憶體，而隨機存取記憶體例如為第三代雙倍數據率(Double Data Rate Three，以下簡稱DDR3)記憶體。

電壓產生裝置100包括第一分壓調整單元110與控制單元130。第一分壓調整單元110用以接收工作電壓VIN，並對工作電壓VIN進行調整，且輸出第一參考電壓VREF1給隨機存取記憶體單元150。

第一分壓調整單元110包括第一分壓電路111、第二分壓電路 112與第一參考電壓產生端113。第二分壓電路112串聯耦接第一分壓電路111，以便第一分壓電路111與第二分壓電路112可對工作電壓VIN進行分壓。第一參考電壓輸出端113耦接於第一分壓電路111與第二分壓電路112之間，用以輸出第一參考電壓VREF1。

其中，第二分壓電路112接收第一控制訊號CS1，並依據第一控制訊號CS1，調整第二分壓電路112的阻值，從而改變第一參考電壓輸出端113的第一參考電壓VREF1。並且，第一分壓調整單元110提供回應於第一參考電壓VREF1的第一回授電壓VFB1。

控制單元130耦接第一分壓調整單元110，用以提供第一控制訊號CS1，且控制單元130接收第一回授電壓VFB1，並依據第一回授電壓VFB1，調整第一控制訊號CS1的電壓準位。在本實施例中，控制單元130例如為中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)或微控制器(Micro Controller Unit,MCU)。

當控制單元130開始工作後，提供第一控制訊號CS1給第一分壓調整單元110的第二分壓電路112。接著，第二分壓電路112依據第一控制訊號CS1，調整第二分壓電路112內部的阻值，使得第一分壓電路111與第二分壓電路112進一步依據改變後的阻值對工作電壓VIN(例如1.5V)進行分壓，以改變第一參考電壓輸出端113的第一參考電壓VREF1，而此第一參考電壓VREF1例如為0.75V。並且，此第一參考電壓VREF1輸出給隨機存取記 憶體單元150，使得隨機存取記憶體單元150進行工作。

另外，第一分壓調整單元110除了產生第一參考電壓VREF1之外，還會回應於第一參考電壓VREF1而提供一第一回授電壓VFB1給控制單元130，使控制單元130進一步監控第一回授電壓VFB1的電壓準位，並進行相應的處理。

舉例來說，由於控制單元130、第一分壓調整單元110與隨機存取記憶體單元150工作後，會產生熱，而影響第一參考電壓VRFE1的穩定度。因此，控制單元130藉由讀取第一回授電壓VFB1的電壓準位，而判斷所提供的第一參考電壓VREF1是否受到溫度影響。

假設，當控制單元130讀取到第一回授電壓VFB1的電壓準位例如為0.7V或0.8V時，表示第一參考電壓VREF1已受到溫度影響，而第一參考電壓VREF1的電壓準位並非為0.75V，則控制單元130會依據第一回授電壓VFB1，調整第一控制訊號CS1的電壓準位，使得第二分壓電路112據以改變其組值，進而使得第一參考電壓VREF1可維持在0.75V的電壓準位。如此一來，本實施例之電壓產生裝置100可提高第一參考電壓VREF1的準確性，進而增加隨機存取記憶體單元150的工作穩定度。

在本實施例中，第一參考電壓VREF1可為隨機存取記憶體單元150之命令與位址訊號服務的參考電壓或隨機存取記憶體單元150之資料匯流排服務的參考電壓。

另外，前述第一控制訊號CS1可為控制單元(即中央處理器) 130所產生的電壓訊號，例如VREF_DQ_A、VREF_DQ_B與VREF_CA其中之一。

進一步來說，第一分壓電路111包括第一電阻R1。第一電阻R1的第一端接收工作電壓VIN，第一電阻R1的第二端耦接第一參考電壓輸出端113。

第二分壓電路112包括第一電容C1、第二電阻R2、第三電阻R3與第四電阻R4。第一電容C1的第一端接收第一控制訊號CS1，並提供第一回授電壓VFB1。第二電阻R2的第一端耦接第一電容C1的第二端，第二電阻R2的第二端耦接接地端GND。第三電阻R3的第一端耦接第一電容C1的第一端，第三電阻R3的第二端耦接第一參考電壓輸出端113。第四電阻R4的第一端耦接第三電阻R3的第二端，第四電阻R4的第二端耦接接地端GND。

在本實施例中，第二分壓電路112藉由第一控制訊號CS1對第一電容C1進行充電或放電，以調整第一電容C1上之壓降的電壓準位，進而改變第二分壓電路112之第一電容C1、第二電阻R2、第三電阻R3及第四電阻R4所產生的阻值。接著，藉由第三電阻R3與第二分壓電路112之內部所產生的阻值以分壓的方式，對工作電壓VIN進行分壓及調整，以由第一參考電壓輸出端113產生隨機存取記憶體單元150所需的第一參考電壓VREF1，例如0.75V。

請參考「第2圖」所示，其為本揭露之另一電壓產生裝置的示意圖。本實施例之電壓產生裝置200適於隨機存取記憶體單元 150。也就是說，電壓產生裝置200用以提供隨機存取記憶體單元150所需的參考電壓，以進行相應的運作。

電壓產生裝置200包括第一分壓調整單元110、控制單元130與第二分壓調整單元210。其中，第一分壓調整單元110仍包括第一分壓電路111、第二分壓電路112與第一參考電壓輸出端113。並且，第一分壓調整單元110、第一分壓電路111、第二分壓電路112與第一參考電壓輸出端113與控制單元130的耦接關係、內部電路元件與其相關操作，可參考「第1圖」之實施例的說明，故在此不再贅述。

在本實施例中，第二分壓調整單元210耦接控制單元130，用以接收第二控制訊號CS2與工作電壓VIN，並對工作電壓VIN進行調整，且輸出第二參考電壓VREF2給隨機存取記憶體單元150。

第二分壓調整單元210包括第三分壓電路211、第四分壓電路212與第二參考電壓產生端213。第四分壓電路212串聯耦接第三分壓電路211，以便第三分壓電路211與第四分壓電路212可對工作電壓VIN進行分壓。第二參考電壓產生端213耦接於第三分壓電路211與第四分壓電路212之間，用以輸出第二參考電壓VREF2。

其中，第四分壓電路212接收第二控制訊號CS2，並依據第二控制訊號CS2，調整第四分壓電路212的阻值，從而改變第二參考電壓產生端213的第二參考電壓VREF2。並且，第二分壓調整單元210提供回應於第二參考電壓VREF2的第二回授電壓 VFB2。並且，控制單元130更接收第二回授電壓VFB2，並依據第二回授電壓VFB2，調整第二控制訊號CS2。

並且，第二分壓調整單元210的實施方式，可參考「第1圖」之第一分壓調整單元110的實施方式，故在此不再贅述。如此一來，本實施例之電壓產生裝置200可提高第一參考電壓VREF1與第二參考電壓VREF2的準確性，進而增加隨機存取記憶體單元150的工作穩定度。

進一步來說，第三分壓電路211包括第五電阻R5。第五電阻R5的第一端接收工作電壓VIN，第五電阻R5的第二端耦接第二參考電壓輸出端213。

第四分壓電路212包括第二電容C2、第六電阻R6、第七電阻R7與第八電阻R8。第二電容C2的第一端接收第二控制訊號CS2，並提供第二回授電壓VFB2。第六電阻R6的第一端耦接第二電容C2的第二端，第六電阻R6的第二端耦接接地端GND。第七電阻R7的第一端耦接第二電容C2的第一端，第七電阻R7的第二端耦接第二參考電壓輸出端213。第八電阻R8的第一端耦接第七電阻R7的第二端，第八電阻R8的第二端耦接地端GND。

在本實施例中，第四分壓電路212藉由第二控制訊號CS2對第二電容C2進行充電或放電，以調整第二電容C2上之壓降的電壓準位，進而改變第四分壓電路212之第二電容C2、第六電阻R6、第七電阻R7及第八電阻R8所產生的阻值。接著，藉由第五電阻R5與第四分壓電路212之內部所產生的阻值以分壓的方式，對工 作電壓VIN進行分壓及調整，以由第二參考電壓輸出端213產生隨機存取記憶體單元150所需的第二參考電壓VREF2，例如0.75V。

另外，前述第一參考電壓VREF1可為隨機存取記憶體單元150之命令與位址訊號服務的參考電壓，第二參考電壓VREF2可為隨機存取記憶體單元150之資料匯流排服務的參考電壓。

另外，前述第一控制訊號CS1可為控制單元(即中央處理器)130所產生的電壓訊號，例如VREF_DQ_A、VREF_DQ_B其中之一，第二控制訊號CS2可為控制單元(即中央處理器)130所產生的電壓訊號，例如VREF_CA。

請參考「第3圖」所示，其為本揭露之又一電壓產生裝置的示意圖。本實施例之電壓產生裝置300適於隨機存取記憶體單元150與330(即另一隨機存取記憶體單元)。也就是說，電壓產生裝置300用以提供隨機存取記憶體單元150與330所需的參考電壓，以進行相應的運作。其中，隨機存取記憶體單元330亦可包括單一隨機存取記憶體或一對隨機存取記憶體，而記憶體例如為DDR3記憶體。

電壓產生裝置300包括第一分壓調整單元110、控制單元130、第二分壓調整單元210與第三分壓調整單元310。其中，第一分壓調整單元110仍包括第一分壓電路111、第二分壓電路112與第一參考電壓輸出端113，第二分壓調整單元210仍包括第三分壓電路211、第四分壓電路212與第二參考電壓輸出端213。

並且，第一分壓調整單元110、第一分壓電路111、第二分壓電路112、第一參考電壓輸出端113、控制單元130、第二分壓調整單元210、第三分壓電路211、第四分壓電路212、第二參考電壓輸出端213的耦接關係、內部電路元件與其相關操作可參考「第1圖」及「第2圖」之實施例的說明，故在此不再贅述。

在本實施例中，第三分壓調整單元310耦接控制單元130，用以接收第三控制訊號CS3與工作電壓VIN，並對工作電壓VIN進行調整，且輸出第三參考電壓VREF3給隨機存取記憶體單元330。

第三分壓調整單元310包括第五分壓電路311、第六分壓電路312與第三參考電壓產生端313。第六分壓電路312串聯耦接第五分壓電路311，以便第五分壓電路311與第六分壓電路312可對工作電壓VIN進行分壓。第三參考電壓產生端313耦接於第五分壓電路311與第六分壓電路312之間，用以輸出第三參考電壓VREF3。

其中，第六分壓電路312接收第三控制訊號CS3，並依據第三控制訊號CS3，調整第六分壓電路312的阻值，從而改變第三參考電壓產生端313的第三參考電壓VREF3。並且，第三分壓調整單元310提供回應於第三參考電壓VREF3的第三回授電壓VFB3。並且，控制單元130更接收第三回授電壓VFB3，並依據第三回授電壓VFB3，調整第三控制訊號CS3。

另外，第二分壓調整單元210除了提供第二參考電壓VREF2給隨機存取記憶體單元150外，還提供第二參考電壓VREF2給隨 機存取記憶體單元330。並且，第三分壓調整單元310的實施方式，可參考「第1圖」之第一分壓調整單元110的實施方式，故在此不再贅述。如此一來，本實施例之電壓產生裝置300可提高第一參考電壓VREF1、第二參考電壓VREF2與第三參考電壓VREF3的準確性，進而增加隨機存取記憶體單元150的工作穩定度。

進一步來說，第五分壓電路311包括第九電阻R9。第九電阻R9的第一端接收工作電壓VIN，第九電阻R9的第二端耦接第三參考電壓輸出端313。

第六分壓電路312包括第三電容C3、第十電阻R10、第十一電阻R11與第十二電阻R12。第三電容C3的第一端接收第三控制訊號CS3，並提供第三回授電壓VFB3。第十電阻R10的第一端耦接第三電容C3的第二端，第十電阻R10的第二端耦接接地端GND。第十一電阻R11的第一端耦接第三電容C3的第一端，第十一電阻R11的第二端耦接第三參考電壓輸出端313。第十二電阻R12的第一端耦接第十一電阻R11的第二端，第十二電阻R12的第二端耦接地端GND。

在本實施例中，第六分壓電路312藉由第三控制訊號CS3對第三電容C3進行充電或放電，以調整第三電容C3上之壓降的電壓準位，進而改變第六分壓電路312之第三電容C3、第十電阻R10、第十一電阻R11與第十二電阻R12所產生的阻值。接著，藉由第九電阻R9與第六分壓電路312之內部所產生的阻值以分壓 的方式，對工作電壓VIN進行分壓及調整，以由第三參考電壓輸出端313產生隨機存取記憶體單元330所需的第三參考電壓VREF3，例如0.75V。

另外，前述第一參考電壓VREF1為隨機存取記憶體單元150之命令與位址訊號服務的參考電壓，第二參考電壓VREF2為隨機存取記憶體單元150與330之資料匯流排服務的參考電壓，第三參考電壓VREF3為隨機存取記憶體單元330之命令與位址訊號服務的參考電壓。

另外，前述第一控制訊號CS1可為控制單元(即中央處理器)130所產生的電壓訊號，例如VREF_DQ_A，第二控制訊號CS2可為控制單元(即中央處理器)130所產生的電壓訊號，例如VREF_CA，第三控制訊號CS3可為控制單元(即中央處理器)130所產生的電壓訊號，例如VREF_DQ_B。

本揭露之實施例的電壓產生裝置，藉由控制單元產生控制訊號(即第一控制訊號、第二控制訊號與第三控制訊號)，且控制訊號經由分壓調整單元(即第一分壓調整單元、第二分壓調整單元與第三分壓調整單元)調整後，產生參考電壓(即第一參考電壓、第二參考電壓與第三參考電壓)給隨機存取記憶體單元及/或另一隨機存取記憶體單元。並且，控制單元更依據分壓調整單元所提供的回授訊號(即第一回授電壓、第二回授電壓與第三回授電壓)，調整控制訊號的電壓準位。如此一來，提供給隨機存取記憶體單元的參考電壓較為準確，進而提高隨機存取記憶體單元的工 作穩定度，並降低電路的設計複雜度。

雖然本揭露以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習相像技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本揭露之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300‧‧‧電壓產生裝置

110‧‧‧第一分壓調整單元

111‧‧‧第一分壓電路

112‧‧‧第二分壓電路

113‧‧‧第一參考電壓輸出端

130‧‧‧控制單元

150、330‧‧‧隨機存取記憶體單元

210‧‧‧第二分壓調整單元

211‧‧‧第三分壓電路

212‧‧‧第四分壓電路

213‧‧‧第二參考電壓輸出端

310‧‧‧第三分壓調整單元

311‧‧‧第五分壓電路

312‧‧‧第六分壓電路

313‧‧‧第三參考電壓輸出端

C1‧‧‧第一電容

C2‧‧‧第二電容

C3‧‧‧第三電容

R1‧‧‧第一電阻

R2‧‧‧第二電阻

R3‧‧‧第三電阻

R4‧‧‧第四電阻

R5‧‧‧第五電阻

R6‧‧‧第六電阻

R7‧‧‧第七電阻

R8‧‧‧第八電阻

R9‧‧‧第九電阻

R10‧‧‧第十電阻

R11‧‧‧第十一電阻

R12‧‧‧第十二電阻

CS1‧‧‧第一控制訊號

CS2‧‧‧第二控制訊號

CS3‧‧‧第三控制訊號

VIN‧‧‧工作電壓

VFB1‧‧‧第一回授電壓

VFB2‧‧‧第二回授電壓

VFB3‧‧‧第三回授電壓

VREF1‧‧‧第一參考電壓

VREF2‧‧‧第二參考電壓

VREF3‧‧‧第三參考電壓

GND‧‧‧接地端

第1圖為本揭露之電壓產生裝置的示意圖。

第2圖為本揭露之另一電壓產生裝置的示意圖。

第3圖為本揭露之又一電壓產生裝置的示意圖。

100‧‧‧電壓產生裝置

110‧‧‧第一分壓調整單元

111‧‧‧第一分壓電路

112‧‧‧第二分壓電路

113‧‧‧第一參考電壓輸出端

130‧‧‧控制單元

150‧‧‧隨機存取記憶體單元

CS1‧‧‧第一控制訊號

VFB1‧‧‧第一回授電壓

VIN‧‧‧工作電壓

VREF1‧‧‧第一參考電壓

C1‧‧‧第一電容

R1‧‧‧第一電阻

R2‧‧‧第二電阻

R3‧‧‧第三電阻

R4‧‧‧第四電阻

GND‧‧‧接地端

Claims (10)

1. 一種電壓產生裝置，包括：一第一分壓調整單元，用以對一工作電壓進行分壓調整，並輸出一第一參考電壓給一第一隨機存取記憶體單元，該第一分壓調整單元包括：一第一分壓電路；一第二分壓電路，與該第一分壓電路串聯從而對該工作電壓進行分壓；以及一第一參考電壓輸出端，耦接於該第一分壓電路與該第二分壓電路之間；其中該第二分壓電路接收一第一控制訊號，並依據該第一控制訊號，調整該第二分壓電路的阻值，從而改變該第一參考電壓輸出端的該第一參考電壓，且該第一分壓調整單元提供回應於該第一參考電壓的一第一回授電壓；以及一控制單元，耦接該第一分壓調整單元，用以提供該第一控制訊號，且該控制單元接收該第一回授電壓，並依據該第一回授電壓，調整該第一控制訊號。
2. 如請求項1所述之電壓產生裝置，其中該第一分壓電路包括：一第一電阻，其第一端接收該工作電壓，其第二端耦接該第一參考電壓輸出端。
3. 如請求項1所述之電壓產生裝置，其中該第二分壓電路包括：一第一電容，其第一端接收該第一控制訊號，並提供該第 一回授電壓；一第二電阻，其第一端耦接該第一電容的第二端，其第二端耦接一接地端；一第三電阻，其第一端耦接該第一電容的第一端，其第二端耦接該第一參考電壓輸出端；以及一第四電阻，其第一端耦接該第三電阻的第二端，其第二端耦接該接地端。
4. 如請求項1所述之電壓產生裝置，更包括：一第二分壓調整單元，耦接該控制單元，用以對該工作電壓進行分壓調整，並輸出一第二參考電壓給該第一隨機存取記憶體單元，該第二分壓調整單元包括：一第三分壓電路；一第四分壓電路，與該第三分壓電路串聯從而對該工作電壓進行分壓；以及一第二參考電壓輸出端，耦接於該第三分壓電路與該第四分壓電路之間；其中，該第四分壓電路接收一第二控制訊號，並依據該第二控制訊號，調整該第四分壓電路的阻值，從而改變該第二參考電壓輸出端的該第二參考電壓，且該第三分壓調整單元提供回應於該第二參考電壓的一第二回授電壓，該控制單元更接收該第二回授電壓，並依據該第二回授電壓，調整該第二控制訊號。
5. 如請求項4所述之電壓產生裝置，其中該第三分壓電路包括：一第五電阻，其第一端接收該工作電壓，其第二端耦接該第二參考電壓輸出端。
6. 如請求項4所述之電壓產生裝置，其中該第四分壓電路包括：一第二電容，其第一端接收該第二控制訊號，並提供該第二回授電壓；一第六電阻，其第一端耦接該第二電容的第二端，其第二端耦接一接地端；一第七電阻，其第一端耦接該第二電容的第一端，其第二端耦接該第二參考電壓輸出端；以及一第八電阻，其第一端耦接該第七電阻的第二端，其第二端耦接該接地端。
7. 如請求項4所述之電壓產生裝置，更包括：一第三分壓調整單元，耦接該控制單元，用以對該工作電壓進行分壓調整，並輸出一第三參考電壓給一第二隨機存取記憶體單元，該第三分壓調整單元包括：一第五分壓電路；一第六分壓電路，與該第五分壓電路串聯從而對該工作電壓進行分壓；以及一第三參考電壓輸出端，耦接於該第五分壓電路與該第六分壓電路之間；其中，該第六分壓電路接收一第三控制訊號，並依據該第 三控制訊號，調整該第六分壓電路的阻值，從而改變該第三參考電壓輸出端的該第三參考電壓，且該第五分壓調整單元提供回應於該第三參考電壓的一第三回授電壓，該控制單元更接收該第三回授電壓，並依據該第三回授電壓，調整該第三控制訊號的電壓準位，該第二分壓調整單元更輸出該第二參考電壓給該第二隨機存取記憶體單元。
8. 如請求項7所述之電壓產生裝置，其中該第五分壓電路包括：一第九電阻，其第一端接收該工作電壓，其第二端耦接該第三參考電壓輸出端。
9. 如請求項7所述之電壓產生裝置，其中該第六分壓電路包括：一第三電容，其第一端接收該第三控制訊號，並提供該第三回授電壓；一第十電阻，其第一端耦接該第三電容的第二端，其第二端耦接一接地端；一第十一電阻，其第一端耦接該第三電容的第一端，其第二端耦接該第三參考電壓輸出端；以及一第十二電阻，其第一端耦接該第十一電阻的第二端，其第二端耦接該接地端。
10. 如請求項7所述之電壓產生裝置，其中該第一參考電壓為該第一隨機存取記憶體單元之命令與位址訊號服務的參考電壓，該第二參考電壓為該第一隨機存取記憶體單元與該第二隨機存取記憶體單元之資料匯流排服務的參考電壓，該第三參考電壓 為該第一隨機存取記憶體單元之命令與位址訊號服務的參考電壓。