TWI506392B - 具有用於調整電壓的積體電路之處理器與系統 - Google Patents

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Description

具有用於調整電壓的積體電路之處理器與系統
本發明關係於根據晶粒上網的線性電壓調整器。
電壓調整器(VR)被用以提供調整電源給負載。當VR被整合在處理器時，提供調整的電源給處理器的各個部份變成一項挑戰。例如，當沒有主要電壓源可供電給處理器的電路(例如，當處理器醒來時)，可能需要一輔助內部產生的電源，以喚醒在該處理器上的各種電路。然而，當此本地產生的電源被全面地分佈於處理器上以供電各種電路時可能忍受有動態電壓下垂的問題，這可能造成在處理器的各種電路的在速測試或時序故障。
100‧‧‧系統
101‧‧‧處理器
102‧‧‧電源單元
103‧‧‧金屬/導電層
104‧‧‧電力網
1051 -105N ‧‧‧電壓調整器
200‧‧‧晶粒上的網
2011 -2012 ‧‧‧放大器
2021 -2022 ‧‧‧源極跟隨器
300‧‧‧系統
3051 -305N ‧‧‧源極跟隨器
2023 ‧‧‧源極跟隨器
500‧‧‧電壓調整器
501‧‧‧源極跟隨器
600‧‧‧電壓調整器
601‧‧‧源極跟隨器
602‧‧‧輸出
603‧‧‧電壓升壓器
604‧‧‧輸出
MP1-MP2‧‧‧p-型電晶體
MN1-MN2‧‧‧n-型電晶體
MP3，MP4‧‧‧p-型電晶體
1600‧‧‧計算裝置
1610‧‧‧處理器
1620‧‧‧音訊子系統
1630‧‧‧顯示子系統
1632‧‧‧顯示介面
1640‧‧‧I/O控制器
1650‧‧‧電力管理
1660‧‧‧記憶體子系統
1670‧‧‧連接性
1672‧‧‧胞狀連接性
1674‧‧‧無線連接性
1680‧‧‧週邊連接
1682‧‧‧週邊裝置
1684‧‧‧週邊裝置
1690‧‧‧處理器
C1-C3‧‧‧電容
本案的實施例將由以下所給的詳細說明及本案的各種實施例的附圖加以更完全地了解，然而，這些不應被認為限制本發明至此特定實施例，而只是作解釋及了 解用而已。
圖1為一系統，其具有依據本案實施例之具有積集電壓調整器(VR)分散在晶粒上的金屬網上的處理器。
圖2為依據本案實施例之具有分散VR的晶粒上網的一部份。
圖3為依據本案實施例之分散在晶粒上的金屬網上的積集VR及源極跟隨器的處理器的系統。
圖4為依據本案實施例之具有VR及分散源極跟隨器的晶粒上網的一部份。
圖5為依據本案實施例之分散在晶粒上網的VR。
圖6為依據本案實施例之具有電壓升壓器的VR。
圖7為依據本案實施例之源極跟隨器。
圖8為依據本案實施例之電壓升壓器。
圖9為包含有依據本案實施例之具有分散於晶粒上網的VR的處理器的智慧裝置的系統級示意圖。
 【發明內容及實施方式】
當電源分散於處理器上，以供電各種電路時，電源可能忍受可能造成各種電路在速測試或時序故障的動態電壓下垂。動態電壓下垂可能由一些在啟動時需要較其他為多之電路所造成，使得電源的整個網經歷電壓下 垂。此電壓下垂可能造成在處理器中之電路的時序故障。
在於此所討論的實施例中，一分散式線性電壓調整器(LVR)網路提供電源給整個處理器至多數負載。分散式LVR網路的非限定類比為吊橋，其中分散於整個處理器的LVR動作如同保持被懸吊在空中之橋面甲板的鋼纜塔。在此類比中，在網路中之LVR在電力網上維持在電力網上的電壓位準，剛好如同鋼纜維持橋相對於地面的水平。在此類比中，在兩LVR間之距離係被決定為使得在電力網上的電壓(具有分散LVR耦接至其上)並未下陷超出為電路效能有效要求所設定的可接受的範圍之外。例如，耦接至橋路面的垂直鋼纜係被分開一距離，使得當車輛通過越過鋼纜的路面時，鋼纜維持該路面的水平，即，在鋼纜中之張力並不允許路當車輛通過該路時下陷。
在一實施例中，提供電力給電力網的分散於處理器上的LVR一起動作。例如，由於在電力網的電壓變動及分散於整個處理器的LVR電路中之本地隨機偏移，所以，於分散LVR間的LVR可能在其輸出節點經歷較LVR被定目標以傳送者為高的電壓，因此，將本身關斷，即，不與其他被導通並提供電力的LVR一起動作。當此一LVR本身關斷時，電力網的交流(AC)回應可能經歷一劇烈衝擊。例如，在電力網的一些區域的動態電壓下垂可能超出可接受的電壓範圍並且建立接收該下垂電壓電源的電路的在速測試或時序故障。
在一實施例中，源極跟隨器為主的LVR電路拓樸係用於該分散式LVR網路。在一實施例中，源極跟隨器為主的LVR電路提供高電流效率及具有良好負載調整的低靜態電流。
於此所稱之用語“效率”係表示電壓調整器的輸出功率對輸入功率的比值。例如，‘1’的效率係高於‘0.7’的效率。用語“效率”也可以表示為“電流效率”，其係為輸送至負載的電流除以所消耗的電流的比值。在一些實施例中，可以以源極跟隨器為基之LVR拓樸完成99%或更高電流效率，同時，維持良好負載調整及PSRR(電源拒斥比)。LVR的電力效率典型係由輸入電壓對輸出電壓的比值所決定。
在一實施例中，在分散式LVR網路中之LVR的輸出節點為電短路，即，耦接至LVR的輸出的電力網係為短路電力網。在一實施例中，耦接至LVR的源極跟隨器的閘極的節點係與耦接至另一源極跟隨器的閘極的另一類似節點短路。於此之節點也被稱為“opout”節點或“opnode”。
在一實施例中，“opout”節點對應於驅動LVR的源極跟隨器輸出級的閘極之LVR的放大器的輸出。在一實施例中，源極跟隨器為n-型源極跟隨器。例如，源極跟隨器包含NMOS電晶體，其閘極耦接至“opout”節點，其汲極端耦接至輸入電源(例如，由另一源接收的電源)。在其他實施例中，也可以使用p-型源極跟隨器。
本案實施例之技術作用很多。例如，於此之實施例防止在分散式LVT網路中之LVR因為偏移及網下垂(在網的各種部件上的電壓下垂)而關斷。於此實施例降低直流(DC)偏移並允許電源輸送資源的加入，其中需要連接輸出級電晶體至分散式“opout”節點。其他技術作用將由於此所討論的各種實施例所明顯得知。
於此所稱之用語“電力域”通常表示在一積體電路(IC)晶片中接收特定電源的邏輯區域。在IC晶片中之不同邏輯區域可以以不同電源操作。此等邏輯區域被稱為電力域。例如，IC晶片的輸入-輸出(I/O)可以以與IC晶片的處理核心不同的電源操作，其中I/O及處理核心形成兩個不同電力域。在一實施例中，不同電力域具有不同分散式LVR電力網。
於此，用語“實質”、“接近”、“大約”表示在目標值的+/-20%內。
在以下的說明中，各種細節係被討論，以提供對本案的實施例之更完整之解釋。然而，明顯地，對於熟習於本技藝者，本案的實施例可以在沒有這些細節下加以實現。在其他例子中，已知結構及裝置係以方塊圖形式加以顯示，而不詳細顯示，以避免模糊本案的實施例。
注意在實施例之對應附圖中，信號係以線表示。一些線可能較粗，以表示更多構成信號路徑，及/或在一或更多端具有箭頭，以表示主要資訊流向。此等表示並不是作為限制。相反地，這些線係用以配合一或更多例 示性實施例，以促成對電路或邏輯單元的更容易了解。為設計需求或喜好所表示的任何代表信號可能實際包含可以以任一方向行進之一或更多信號並可以以任何適當類型的信號設計加以實施。
於整個說明書中，及在申請專利範圍中，用語“連接”表示連接在一起之事物的直接電連接，而沒有任何中間裝置。用語“耦接”表示連接在一起之事物的直接電連接，或透過一或更多被動或主動中間裝置的間接連接。用語“電路”表示一或更多被動及/或主動元件，其被安排以彼此配合，以提供想要功能。用語“信號”表示至少一電流信號、電壓信號或資料/時鐘信號。“一”及“該”的意義包含多數。“在”的意義包含“在...之中”及“在...之上”。
如於此所用，除非特別指明一般形容詞“第一”、“第二”及“第三”等的使用係描述同一物，只表示相同物的不同實例，並不暗示所述該等物在時間或空間上必須以所述順序排列，或以任何其他方式排列。
為了於此所述實施例之目的，電晶體為金屬氧化物半導體(MOS)電晶體，其包含汲極、源極、閘極及體端。源極及汲極端可為相同端並於此可以交換使用。熟習於本技藝者將了解也可以使用例如雙極性接面電晶體-BJT PNP/NPN、BiCOMS、CMOS、eFET等之其他電晶體，而不脫離本案的範圍。於此之用語“MN”表示n-型電晶體(例如，NMOS、NPN BJT等)且用語“MP”表示p-型電晶體(例如，PMOS、PNP BJT等)。
圖1為具有處理器101的系統100，該處理器101具有依據本案一實施例的分散於晶粒上的金屬網104上的多數積集電壓調整器(VR)1051-N ，其中‘N’為正整數，在一實施例中，系統100包含電源單元102，以提供輸入電源VccIn。在一實施例中，電源單元102為電池。例如，電源單元102為可充電電池。在另一實施例中，電源單元102為外部電源。在一實施例中，電源單元102被定位在與處理器101相同的封裝上。在其他實施例中，電源單元102在處理器101的封裝外部。在一實施例中，電源單元102被積集於處理器101的晶粒內。
在一實施例中，處理器101包含一網路的分散式VR1051-N ，以提供電源VccO1-N 給電力網104。在一實施例中，電力網104提供電力至一或更多負載1-N，其中N為整數。在一實施例中，VR1051-N 的內部節點opn1-N (即，“opnode”或“opout”)被電短路在一起。例如，內部節點opn1-N 係由金屬/導電層103而被電短路。在一實施例中，電壓調整器1051-N 為線性電壓調整器(LVR)。在一實施例，電壓調整器1051-N 為線性，並為低下降輸出調整器。
圖2為依據本案一實施例之具有分散式VR的晶粒上網200的一部份。圖2參考圖1而加以描述。在此例子中，顯示兩個VR1051 及1052 。實施例係可應用至任意數目的VR。為不模糊這些實施例，討論VR1 1051 。相 同討論可以應用至VR2 1052 及其他VR上。
在一實施例中，VR1 1051 包含放大器2011 耦接至源極跟隨器(SF)2021 。在一實施例中，放大器2011 為差動放大器，其以回授模式電耦接至SF2021 ，其中放大器2011 接收參考電壓Vref及自SF2021 接收回授信號VccO。在一實施例中，SF2021 包含n-型裝置，其閘極端耦接至opnode1，源極端耦接至VccO、及汲極端耦接至VccIn。在其他實施例中，也可以使用其他SF電路，其接收控制輸入信號opnode1並產生電源VccO，其係被使用作為放大器2011 的回授。
在一實施例中，放大器2011 為差動放大器。在一實施例中，放大器2011 為單級放大器。在其他實施例中，也可以使用多級作為放大器2011 。
在一實施例中，Vref被產生於VR1 1051 內。在其他實施例中，Vref被產生於VR1 1051 外部。在一實施例中，Vref為帶隙電路所產生。任何已知參考產生器可以使用以產生Vref。在一實施例中，Vref為單一源所產生並供給或分散至其他VR。在其他實施例中，幾個VR共享相同Vref，即，一Vref產生器用於一組VR及另一Vref產生器用於另一組VR。
在一實施例中，放大器2011 的輸出opnode1控制SF2021 的閘極，以使得其輸出VccO實質上等於Vref。在一實施例中，放大器2011 及SF2021 以來自電源單元102的相同電源VccIn操作。在另一實施例中，放大 器2011 及SF2021 分別以不同電源VccIn’及VccIn操作。在一實施例中，VccIn’為藉由濾波VccIn所產生之濾波電源。在另一實施例中，VccIn’及VccIn為具有實質相等電源位準的不相關電源。
在一實施例中，放大器2011 的輸出opnode1與為VR2 2012 的放大器2012 所產生之輸出opnode2電短路，其中opnode2控制SF2022 的輸入。在一實施例中，放大器2011 的輸出opnode1與為放大器2012 所產生之輸出opnode2經由opnode網103電短路。在opnode網103中之電阻‘R’代表電阻性網。也可以使用實質非電阻性網。
在一實施例中，SF2021 及SF2022 的輸出VccO1 及VccO2 分別透過電力網104而電短路，該電力網提供電源給多數負載(例如負載1及負載2)。
在一實施例中，放大器2011 為單級放大器，其可操作以驅動SF2022 。在此實施例中，opnode1提供主極給VR。輸出節點VccO為低阻抗節點，因為其係為SF2022 所驅動。在此實施例中，有一為opnode1節點所設定之單一主極，使得此VR電路拓樸穩定。在一實施例中，在多LVR間共享opnode及輸出節點VccO使得所有這些LVR實例作動為來自類比透視圖的單一LVR(即作動為單一類比控制迴路)，提供電力給多數負載。
在一實施例中，VccOut104作為數位電源。此數位電源的電壓下垂可以為VccOut晶粒上的金屬網104 的電阻所主宰，而不是該等LVR電路本身。此架構的很多優點之一為不需要封裝資源或凸塊。例如，也可以只使用晶粒級金屬。在一實施例中，放大器2011-N 及SF2021-N 也可以使用VccIn封裝凸塊，其係晶粒上或晶粒外電壓調整器的輸入供給電壓。在多核心晶片中，凸塊通常很少，因此，VccIn凸塊的再使用可以藉由允許分散式LVR網拓樸，而提供在此拓樸的優點。
圖3為具有處理器301的系統300，其具有依據本案一實施例之積集VR及源極跟隨器分散在晶粒上金屬網上。圖3的實施例類似於圖1的實施例。因此，為不模糊圖3的實施例，系統100與系統300間之差異被討論，且先前討論的其他電路在此討論中將不再重覆。
在此實施例中，單一VR1 3051 係耦接至一分散式網路的SF3052-N 。在一實施例中，VR1 3051 的放大器的輸出opn1 係電短路至SF3052-N 的閘極(其被耦接至opn2-N )。在此實施例中，因為VR的數目降低，即，有關於該電力網的放大器數目較少，所以，有關於該網的電力消耗被降低。
雖然圖3的實施例顯示單一VR1 3051 耦接至很多源極跟隨器，但也可以使用多個VR，使得各個VR與所有其他源極跟隨器及其他VR共享一opnode。在一實施例中，圖1及圖3的架構可以組合於單一處理器內。
圖4為具有依據本案一實施例之VR與分散式源極跟隨器的晶粒上網的一部份。為了不模糊本案實施 例，在圖2及圖4的實施例間之差異被討論。在此實施例中，來自VR1 1051 的opnode係與耦接至opnode網103的其他源極跟隨器2022-N 所共享(為簡明起見，只有兩源極跟隨器被顯示於圖4)。在此實施例中，VR1 1051 的源極跟隨器及其他源極跟隨器係分散於opnode網103與電力網104上。
圖5為VR500，其係依據本案一實施例分散於晶粒上網上。在一實施例中，VR500包含放大器201及源極跟隨器501。在此實施例中，源極跟隨器501為n-型裝置MNSF，其閘極端耦接至差動放大器201的輸出，其汲極端耦接至輸入電源VccIn，及其源極端(輸出節點)係耦接至電力網104並同時作為至差動放大器201的回授。在一實施例中，差動放大器201以與源極跟隨器501相同的電源，即，VccIn電源操作。在其他實施例中，放大器201以與耦接至源極跟隨器501的汲極端的電源VccIn不同的電源VccIn’操作。
雖然圖5的實施例顯示單一n-型電晶體MNSF被架構為源極跟隨器501，但多數n-型電晶體也可以並聯於MNSF耦接，這些可以操作以在其個別閘極端接收放大器201的輸出。在一實施例中，源極跟隨器501包含p-型裝置，而不是n-型裝置。
在一實施例中，放大器201為單級放大器，其係可操作以驅動SF501。在此實施例中，放大器201的輸出opnode提供主極給VR500。輸出節點VccO為低阻 抗節點，因為其係為源極跟隨器501所驅動。在此實施例中，有為該opnode所設定的單一主極，使得VR500穩定。
圖6為依據本案一實施例的具有電壓升壓器的VR600。在一實施例中，VR600包含放大器201、具有輸入“In”及輸出“Out”的電壓升壓器603、及源極跟隨器601。在此實施例中，放大器201的輸出602被耦接至電壓升壓器603的輸入節點“In”。在此實施例中，電壓升壓器603的輸出604被耦接至源極跟隨器601的閘極端。輸出節點604功能上等於圖5的opnode。在此實施例中，源極跟隨器601的汲極端係耦接至輸入電源VccIn。在此實施例中，源極跟隨器601的源極端VccO係耦接至網104同時提供回授給放大器201。
在一實施例中，電壓升壓器603係為如圖8所示之倍壓器。回來參考圖6，在一實施例中，電壓升壓器603為三倍電壓器。在另一實施例中，電壓升壓器603為充電泵提供任何電壓比率，即在節點604的輸出電壓對在節點602的輸入電壓的比率。在一實施例中，電壓升壓器可以為任何電路，其允許耦接至源極跟隨器601的閘極的節點604上的電壓在電壓位準上高於耦接至源極跟隨器601的汲極端的供給電壓VccIn。在一實施例中，電壓升壓器603接收與源極跟隨器601相同的電源，即電源VccIn。
在一實施例中，藉由相對於電源VccIn升壓 節點604的電壓，VR600作動如同低下降電壓調整器(LDOVR)。此LDOVR提供較圖5的VR500為高的效率。藉由升壓(即，上升)閘極電壓高於汲極電壓，NMOS源極跟隨器601被偏壓以低於電晶體MNSF的臨限電壓的汲極至源極電壓(Vds)。這建立低下降調整器(LDO)。在一實施例中，當閘極電壓不能被驅動超出汲極電壓時，則LVR600可以輸送的最高電壓為汲極電壓減去輸出電晶體MNSF的臨限。
圖7為依據本案實施例之源極跟隨器700。在一實施例中，源極跟隨器包含p-型電晶體MP3及MP4。在此實施例中，p-型電晶體MP3在其閘極端接收偏壓電壓，在其源極端接收電源VccIn，及在其汲極端耦接至輸出節點VccOut。在一實施例中，p-型電晶體MP4在其閘極端接收來自放大器201的opnode。在此實施例中，p-型電晶體MP4的源極端係耦接至輸出節點VccOut。在一實施例中，p-型電晶體MP4的汲極端係在地端上偏壓於偏壓位準。
在一實施例中，電晶體的偏壓網路可操作以提供偏壓給p-型電晶體MP3的閘極及p-型電晶體MP4的汲極端。在一實施例中，偏壓網路包含p-型電晶體MP1、p-型電晶體MP2、n-型電晶體MN1、及n-型電晶體MN2。在一實施例中，MP1係串聯耦接至MP2，及MP2係串聯連接至MN1、及MN1係串聯連接至MN2。在此實施例中，MN1及MN2的共同耦接端，即MN1的源極端及 MN2的汲極端提供偏壓給MP4的汲極端。在此實施例中，MP1及MN1的共同耦接端，即MP2的汲極端及MN1的汲極端，提供偏壓給MP3的閘極端。
在一實施例中，MP1、MP2、MN1及MN2的閘極端係分別為電壓Vb1、Vb2、Vb3及Vb4所偏壓。在一實施例中，Vb1、Vb2、Vb3及Vb4係由包含帶隙電路的偏壓產生器(未示出)所產生。在另一實施例中，Vb1、Vb2、Vb3及Vb4係由分壓器電路，例如電阻分壓器所產生。在其他實施例中，也可以使用其他形式之參考電壓產生器。在一實施例中，偏壓產生器係定位於接近具有源極跟隨器700的VR。在其他實施例中，偏壓產生器係被分享於多個VR之間。在另一實施例中，單一偏壓產生器也可以用以提供偏壓給多個源極跟隨器。偏壓產生器的以上位置與使用模型的任意組合係在此加以想出。
圖8為依據本案一實施例的電壓升壓器800。在此實施例中，電壓升壓器800係為倍壓器，其在輸出節點“Out”雙倍於輸入電壓“In”。在一實施例中，節點“Out”係耦接至源極跟隨器的閘極，而節點“In”係耦接至放大器201的輸出。
在一實施例中，倍壓器為切換電容為主的電路，其包含電容C1、C2及C3。電容C3於此也稱為“浮動”電容，因為當開關S1及S2電切換時，電容C3經常被上下“移動”，使得其不是並聯於電容C1就是並聯於電容C2。在一實施例中，開關S1及S2的切換頻率係於幾 MHz至1GHz的範圍內。在其他實施例中，也可以使用其他頻率範圍。在一實施例中，開關S1及S2係為非重疊時脈產生器所控制。
在一實施例中，電容C1及C2為相同大小，而電容C3為不同大小(以電容值表示)。在其他實施例中，電容C1、C2及C3為不同電容值。在一實施例中，倍壓器800包含開關S1及S2，其耦接C3的終端至C1及C2的終端。在一實施例中，開關S1及S2係被實施為電晶體。在一實施例中，電容C1、C2及C3為金屬電容。在其他實施例中，電容C1、C2及C3被實施為電晶體。在另一實施例中，組合在一起作為電容的金屬電容與電晶體係被用以實施電容C1、C2及C3。
在一實施例中，倍壓器800也可以被架構以操作為分壓器，以替代倍壓器。在此一實施例中，節點“In”及“Out”被功能上切換，使得輸入電壓被施加至在圖8中標示為“Out”的節點，其接收輸入電壓，而分壓過的電壓係在被標示為“In”的節點被接收。電路800的雙態作為允許電路800被在此的各種實施例中被使用作為倍壓器及分壓器。
圖9為智慧裝置的系統級圖1600，其包含有依據本案一實施例的具有VR及/或源極跟隨器分佈於晶粒上網的處理器。圖9同時也顯示行動裝置的實施例之方塊圖，其中可以使用平面介面連接器。在一實施例中，計算裝置1600代表行動計算裝置，例如，計算平板、行動電 話或智慧手機、有無線功能的電子讀取器、或其他無線行動裝置。應了解的，某些元件被大致顯示，並非此裝置的所有元件均被顯示於裝置1600中。
在一實施例中，計算裝置1600包含依據於此所討論的實施例的具有分散式LVR網路101/301的第一處理器1610及具有分散式LVR網路101/301的第二處理器1690。本案的各種實施例也可以包含在例如1670內的網路介面，例如無線介面，使得系統實施例可以加入無線裝置中，例如行動手機或個人數位助理中。
在一實施例中，處理器1610可以包含一或更多實體裝置，例如微處理器、應用處理器、微控制器、可程式邏輯裝置或其他處理裝置。為處理器1610所執行之處理操作包含作業平台或作業系統的執行，其上執行有應用程式及/或裝置功能。處理操作包含有關於與人類使用者或與其他裝置的I/O(輸入/輸出)的操作、有關於電源管理的操作、及/或有關於連接計算裝置1600至另一裝置的操作。處理操作也可以包含有關於音訊I/O及/或顯示I/O的操作。
在一實施例中，計算裝置1600包含音訊子系統1620，其表示與提供音訊功能給計算裝置有關的硬體(例如音訊硬體及音訊電路)及軟體(例如驅動程式、編解碼器)元件。音訊功能也可以包含喇叭及/或耳機輸出，及麥克風輸入。用於此等功能的裝置也可以整合入裝置1600，或連接至計算裝置1600。在一實施例中，藉由 提供為處理器1600所接收與處理的音訊命令，使用者與該計算裝置1600互動。
顯示子系統1630表示硬體(例如顯示裝置)及軟體(例如，驅動程式)元件，其提供視覺及/或觸覺顯示給使用者，以與計算裝置互動。顯示子系統1630包含顯示介面1632，其包含特定螢幕或硬體裝置，用以提供顯示給使用者。在一實施例中，顯示介面1632包含與處理器1610分開的邏輯，以執行有關於顯示的至少一部份處理。在一實施例中，顯示子系統1630包含觸控螢幕(或觸控墊)裝置，其提供輸出與輸入給使用者。
I/O控制器1640表示與使用者互動有關的硬體裝置與軟體元件。I/O控制器1640可操作以管理為音訊子系統1620及/或顯示子系統1630一部份的硬體。另外，I/O控制器1640例示用於其他裝置的連接點，該等其他裝置透過該連接點可連接至裝置1600，使用者可以藉此與系統互動。例如，可以附接至計算裝置1600的裝置可以包含麥克風裝置、喇叭或音響系統、視訊系統或其他顯示裝置、鍵盤或按鈕裝置、或其他I/O裝置，與特定應用，例如讀卡機或其他裝置一起使用。
如上所述，I/O控制器1640可以與音訊子系統1620及/或顯示子系統1630互動。例如，經由麥克風或其他音訊裝置的輸入可以提供輸入或命令給計算裝置1600的一或更多應用或功能。另外，音訊輸出也可以替代或除了顯示輸出之外另被提供。在另一例子中，如果顯 示子系統包含觸控螢幕，則顯示裝置也作動為輸入裝置，其可以至少部份為I/O控制器1640所管理。在計算裝置1600上也有其他按鈕或開關，以提供為I/O控制器1640所管理的I/O功能。
在一實施例中，I/O控制器1640管理例如加速計、攝影機、光感應器或其他環境感應器的裝置或其他可以包含在計算裝置1600中之硬體。輸入可以為直接使用者互動的一部份，也可以提供環境輸入給系統，以影響其操作(例如過濾雜訊、調整顯示器作亮度檢測、於攝影機應用閃光或其他特性)。
在一實施例中，計算裝置1600包含電力管理1650，其管理電池電力使用、電池充電及有關於省電操作的特性。記憶體子系統1660包含記憶體裝置，用以儲存資訊於裝置1600中。記憶體可以包含非揮發(如果給記憶體裝置的電力中斷，狀態不會改變)及/或揮發(如果給記憶體裝置的電力中斷，則狀態不確定)記憶體裝置。記憶體1660可以儲存應用資料、使用者資料、音樂、相片、文件或其他資料、及有關於計算裝置1600的應用及功能執行的系統資料(不論長期或暫時)。
實施例的元件也提供作為機器可讀取媒體(例如記憶體1660)，用以儲存電腦可執行指令(例如，實施任何於此所討論的其他程序的指令)。機器可讀取媒體(例如，記憶體1660)可以包含但並不限於快閃記憶體、光碟、CD-ROM、DVD ROM、RAM、EPROM、 EEPROM、磁或光學卡、或適用以儲存電子或電腦可執行指令的其他類型的機器可讀取媒體。例如，本案的實施例可以下載為電腦程式(例如，BIOS)，其可以經由通訊鏈路(例如遠端或網路連接)，以資料信號由遠端電腦(例如伺服器)被轉移至要求電腦(例如，客戶)。
連接性1670包含硬體裝置(例如無線及/或有線連接器及通訊硬體)及軟體元件(例如，驅動程式、協定堆疊)，以使得計算裝置1600與外部裝置作通訊。裝置1600可以為分開裝置，例如，其他計算裝置、無線接取點或基地台，及例如耳機、印表機或其他裝置的週邊。
連接性1670可以包含多數不同類型的連接性。總括來說，計算裝置1600被顯示為具有胞狀連接性1672及無線連接性1674。胞狀連接性1672通常表示為無線載波所提供之胞狀網路連接性，例如經由GSM(行動通訊用全球系統)或變化或衍生所提供、CDMA(分碼多工接取)或變化或衍生所提供、TDM(分時多工)或變化或衍生所提供或其他胞狀服務標準所提供者。無線連接性1674表示不是胞狀的無線連接性，並可以包含個人區域網路(例如藍芽、近場等)、區域網路(例如Wi-Fi)、及/或廣域網路(例如WiMax)或其他無線通訊。
週邊連接1680包含硬體介面與連接器，及軟體元件(例如驅動程式、協定堆疊)，以完成週邊連接。可以了解的是，計算裝置1600可以為至(“至”1682)其他計算裝置的週邊裝置，及具有週邊裝置(“來自”1684) 連接至其他。計算裝置1600共同具有“停放”連接器，以連接至其他計算裝置，作例如管理(例如，下載及/或上載、變更、同步化)在裝置1600上的內容的目的。另外，停放連接器可以允許裝置1600連接至某些週邊，其允許計算裝置1600控制內容輸出至例如音訊視訊或其他系統。
除了專屬停放連接器或其他專屬連接硬體外，計算裝置1600可以經由共同或標準為主連接器完成週邊連接1680。共同類型可以包含通用串列匯流排(USB)連接器(其可以包含任意數量的不同硬體介面)、包含MiniDisplayPort(MDP)的顯示埠、高解析度多媒體介面(HDMI)、Firewire(傳輸壓縮影像檔的標準)或其他類型。
在說明書所稱之“實施例”、“一實施例”、“一些實施例”或“其他實施例”表示包含在至少一些實施例，但並不必然所有實施例中之實施例有關所述的一特定特性、結構、或特徵。“實施例”、“一實施例”或“一些實施例”的各種出現並不必然都表示相同實施例。如果說明書描述一元件、特性、結構或特徵“可以”、“可能”或“可”包含，該特定元件、特性、結構或特徵並不需要被包含。如果說明書或申請專利範圍表示“一”元件，並不表示該等元件的只有一個。如果說明書或申請專利範圍表示“其他”元件，並不排除有一個以上之其他元件。
再者，特定特性、結構、功能或特徵可以以 任何適當方式組合於一或更多實施例中。例如，第一實施例可以組合第二實施例，而有關於該兩實施例的該等特定特性、結構、功能或特徵並不互相排除。
雖然本案已經結合其特定實施例加以描述，但此等實施例的很多替換、修改及變化可以在前述說明下而為熟習於本技藝者所了解。本案的實施例係想要包含落在隨附申請專利範圍的廣大範圍內的所有此等替換、修改及變化。
另外，為了簡化顯示與討論及並為了不模糊本案起見，已知至積體電路(IC)晶片及其他元件的電源/地端可以或可不顯示在所示圖中。再者，配置可以以方塊圖形式顯示，以避免模糊了本案，及針對此方塊圖配置的實施的特定細節係被高度依附於本案可以被實施的平台，即，此等細節係為熟習於本技藝者的範圍內。雖然特定細節(例如電路)係被描述，以說明本案的例示實施例，但為熟習於本技藝者所知，本案可以在沒有這些特定細節或以其變化加以實施。因此，該說明係被視為例示而非限定。
以下例子屬於其他實施例。在這些例子中之細節可以用於一或更多實施例的任何地點。於此所述之所有選用特性可以相對於一方法或製程被實施。
例如，在一實施例中，一積體電路包含：第一電壓調整器，包含耦接至第一源極跟隨器的閘極之第一節點；及耦接至第二源極跟隨器的閘極的第二節點，其中 第一及第二節點係被電短路。在一實施例中，第二節點為與第一電壓調整器不同的第二電壓調整器的一部份。在一實施例中，第一與第二電壓調整器為線性電壓調整器。在一實施例中，第一及第二電壓調整器包含對應第一與第二差動放大器，其具有個別輸出，以驅動對應的第一及第二源極跟隨器。
在一實施例中，第一電壓調整器包含電壓升壓器，耦接於差動放大器及第一源極跟隨器之間，該電壓升壓器產生高於輸入電壓的輸出電壓。在一實施例中，第一節點係為電壓升壓器的輸出。在一實施例中，電壓升壓器包含切換電容電路。在一實施例中，電壓升壓器包含倍壓器。
在一實施例中，第一及第二源極跟隨器提供電源給一或更多負載。在一實施例中，第一及第二源極跟隨器包含對應第一及第二源極/汲極端，耦接至第一電源。在一實施例中，第一電壓調整器包含第一差動放大器，操作於與第一電源不同的電源。在一實施例中，第一電壓調整器包含操作於第一電源的第一差動放大器。
在另一例子中，積體電路包含：第一電壓調整器，包含第一源極跟隨器，其具有第一節點，提供第一電源，及與第一節點不同的第二節點；及第二電壓調整器，包含第二源極跟隨器，其具有第一節點，以提供第二電源，及與第一節點不同的第二節點，其中該第一及第二電壓調整器的第二節點電短路。
在一實施例中，第一及第二電壓調整器的第一節點係耦接至電力網，以供電給一或更多負載。在一實施例中，第一電壓調整器的第二節點耦接至第一源極跟隨器的閘極，及其中該第二源極跟隨器的第二節點係耦接至第二源極跟隨器的閘極。在一實施例中，第一電壓調整器包含電壓升壓器，耦接於第一電壓調整器的第一差動放大器與該第一源極跟隨器之間。
在另一例子中，系統包含電源單元；及處理器，可操作以自電源單元接收第一電源，該處理依據於此所討論的積體電路。在一實施例中，電源單元為電池。在一實施例中，該系統更包含顯示單元。在一實施例中，顯示器為觸控螢幕。在一實施例中，該系統更包含無線介面，以通訊地耦該處理器與另一裝置。
在另一例子中，該積體電路包含第一電壓調整器，其包含：第一差動放大器；電壓升壓器，耦接至該第一差動放大器，該電壓升壓器，在第一節點產生升壓電壓；及第一源極跟隨器，耦接至該第一節點。在一實施例中，積體電路更包含耦接至第二源極跟隨器的閘極之第二節點，其中該第一及第二節點係電短路。在一實施例中，該第二節點係為與第一電壓調整器不同的第二電壓調整器的一部份。在一實施例中，電壓升壓器包含倍壓器。
摘要被提供以允許讀者確保本案技術揭示的本質及要點。摘要被提出並了解其將不是用以限制申請專利範圍與其意義。以下申請專利範圍係被併入詳細說明 中，各個申請專利範圍獨立作為不同實施例。
100‧‧‧系統
101‧‧‧處理器
102‧‧‧電源單元
103‧‧‧金屬/導電層
104‧‧‧電力網
1051 -105N ‧‧‧電壓調整器

Claims (15)

  1. 一種用於調整電壓的積體電路，該積體電路包含：第一電壓調整器，包含第一放大器，其具有耦接至第一源極跟隨器的閘極的第一輸出節點；第二電壓調整器，包含第二放大器，其具有耦接至第二源極跟隨器的閘極的第二輸出節點，及其中該第一源極跟隨器與該第二源極跟隨器的相同的個別輸出端係電短路；第一負載緊鄰地耦接至該第一源極跟隨器的該輸出端；第二負載緊鄰地耦接至該第二源極跟隨器的該輸出端以至於介於該第一負載與該第二負載的第一電阻係大於介於該第一負載與該第一源極跟隨器的該輸出端的第二電阻並且係大於介於該第二負載與該第二源極跟隨器的該輸出端的第三電阻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路，其中該第一及第二電壓調整器為線性電壓調整器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路，其中該第一及第二電壓調整器的個別放大器係分別以第一及第二差動放大器實現，及其中該第一及第二差動放大器包含個別輸出，以驅動該對應第一及第二源極跟隨器。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路，其中該第一電壓調整器包含耦接在該第一放大器及該第一源極跟隨器之間的電壓升壓器，該電壓升壓器產生高於輸入電壓的 輸出電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之積體電路，其中該電壓升壓器包含切換電容電路。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之積體電路，其中該電壓升壓器包含倍壓器。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之積體電路，其中該第一及第二源極跟隨器包含耦接至第一電源的對應其他個別端。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之積體電路，其中該第一電壓調整器包含操作於與該第一電源不同的電源的第一差動放大器。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之積體電路，其中該第一電壓調整器包含操作於該第一電源的第一差動放大器。
  10. 一種用於調整電壓的積體電路，該積體電路包含：第一電壓調整器，包含第一源極跟隨器，其具有第一節點，以提供用於第一負載的第一電源，及介於該第一節點與第一放大器輸出的第二節點；及第二電壓調整器，包含第二源極跟隨器，其具有第一節點，以提供用於第二負載的第二電源，及介於該第一節點與第二放大器輸出的第二節點，其中該第一及第二電壓調整器的該等第一節點被電短路，其中該第一及第二電壓調整器的該等第二節點被電短路，其中該第一負載緊鄰地耦接至該第一源極跟隨器的該第一節點並且該第二負載緊 鄰地耦接至該第二源極跟隨器的該第一節點以至於介於該第一負載與該第二負載的第一電阻係大於介於該第一負載與該第一源極跟隨器的該第一節點的第二電阻並且係大於介於該第二負載與該第二源極跟隨器的該第一節點的第三電阻。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之積體電路，其中該第一電壓調整器的該第二節點係耦接至該第一源極跟隨器的閘極，及其中該第二源極跟隨器的該第二節點係耦接至該第二源極跟隨器的閘極。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之積體電路，其中該第一電壓調整器的該第一放大器係第一差動放大器，及其中該第一電壓調整器包含電壓升壓器，其耦接在該第一差動放大器及該第一源極跟隨器之間。
  13. 一種具有用於調整電壓的積體電路之系統，包含：電源單元；顯示單元；記憶體；及處理器，耦接至該記憶體，並可操作以自該電源單元接收第一電源，該處理器包含：第一電壓調整器，包含第一放大器，其具有耦接至第一源極跟隨器的閘極的第一輸出節點；第二電壓調整器，包含第二放大器，其具有耦接至第二源極跟隨器的閘極的第二輸出節點，其中該第一輸出節點與該第二輸出節點係電短路，並且其中該第一源極跟隨器與第二源極跟隨器的 相同的輸出端係電短路；第一負載緊鄰地耦接至該第一源極跟隨器的該輸出端；第二負載緊鄰地耦接至該第二源極跟隨器的該輸出端以至於介於該第一負載與該第二負載的第一電阻係大於介於該第一負載與該第一源極跟隨器的該輸出端的第二電阻並且係大於介於該第二負載與該第二源極跟隨器的該輸出端的第三電阻；及無線介面，以通訊地耦接該處理器與另一裝置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之系統，其中該電源單元為電池。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之系統，更包含顯示單元，以顯示由該處理器處理的內容。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9746866B2 (en) * 2014-05-22 2017-08-29 Mediatek Inc. Control circuit and control system
KR101809787B1 (ko) * 2015-03-10 2017-12-15 엘에스산전 주식회사 배터리 전력 공급 시스템을 포함하는 전력 공급 시스템
US10126766B2 (en) * 2016-01-26 2018-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Low dropout voltage (LDO) regulator including a dual loop circuit and an application processor and a user device including the same
US9645590B1 (en) * 2016-01-26 2017-05-09 Solomon Systech Limited System for providing on-chip voltage supply for distributed loads
US9778672B1 (en) 2016-03-31 2017-10-03 Qualcomm Incorporated Gate boosted low drop regulator
US10069409B2 (en) 2016-09-13 2018-09-04 International Business Machines Corporation Distributed voltage regulation system for mitigating the effects of IR-drop
US10033270B2 (en) 2016-10-26 2018-07-24 International Business Machines Corporation Dynamic voltage regulation
CN108932003B (zh) * 2017-05-22 2020-01-31 敦宏科技股份有限公司 智能型低压降稳压器与智能型稳压方法
US10411599B1 (en) 2018-03-28 2019-09-10 Qualcomm Incorporated Boost and LDO hybrid converter with dual-loop control
US11353900B2 (en) * 2018-06-27 2022-06-07 Intel Corporation Integrated cross-domain power transfer voltage regulators
US10745023B2 (en) * 2018-06-28 2020-08-18 Intel Corporation Functional safety power supply framework for real-time automotive systems
US10444780B1 (en) 2018-09-20 2019-10-15 Qualcomm Incorporated Regulation/bypass automation for LDO with multiple supply voltages
US10591938B1 (en) 2018-10-16 2020-03-17 Qualcomm Incorporated PMOS-output LDO with full spectrum PSR
CN111065187B (zh) * 2018-10-17 2022-04-26 戴洛格半导体（英国）有限公司 电流调节器
US10545523B1 (en) 2018-10-25 2020-01-28 Qualcomm Incorporated Adaptive gate-biased field effect transistor for low-dropout regulator
CN110707923B (zh) * 2019-08-29 2022-03-25 广东工业大学 一种升降压电荷泵
US11372436B2 (en) 2019-10-14 2022-06-28 Qualcomm Incorporated Simultaneous low quiescent current and high performance LDO using single input stage and multiple output stages
US11171562B1 (en) * 2020-07-07 2021-11-09 Nxp Usa, Inc. Multi-sense point voltage regulator systems and power-regulated devices containing the same
US11223280B1 (en) * 2020-07-08 2022-01-11 Cisco Technology, Inc. Multiphase voltage regulator with multiple voltage sensing locations
US11709515B1 (en) 2021-07-29 2023-07-25 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Voltage regulator with n-type power switch
TWI782780B (zh) * 2021-11-05 2022-11-01 美商矽成積體電路股份有限公司 低功率雙資料速率記憶體之電源管理電路及其管理方法
CN114442729B (zh) * 2022-01-17 2024-02-13 杭州深谙微电子科技有限公司 一种抑制过冲的分布式线性稳压器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7119606B2 (en) * 2003-07-10 2006-10-10 Qualcomm, Incorporated Low-power, low-area power headswitch
US20070139101A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Power supply circuit
TWI317056B (en) * 2006-08-01 2009-11-11 Novatek Microelectronics Corp Voltage regulator
US7750611B2 (en) * 2006-12-13 2010-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Internal voltage controllers including multiple comparators and related smart cards and methods
TWI334072B (en) * 2007-01-04 2010-12-01 Elite Semiconductor Esmt Level shifter
TWI342992B (en) * 2004-01-28 2011-06-01 Seiko Instr Inc Voltage regulator
TWI348084B (en) * 2004-05-17 2011-09-01 Seiko Instr Inc Voltage regulator
US20110285456A1 (en) * 2009-02-06 2011-11-24 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Four-terminal soi mesfet based low dropout regulator
TWI354195B (en) * 2004-07-05 2011-12-11 Seiko Instr Inc Voltage regulator

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336986A (en) 1992-02-07 1994-08-09 Crosspoint Solutions, Inc. Voltage regulator for field programmable gate arrays
FR2811090B1 (fr) * 2000-06-28 2002-10-11 St Microelectronics Sa Integration d'un regulateur de tension
JP2004047810A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Renesas Technology Corp 半導体集積回路
US6881900B2 (en) 2003-07-03 2005-04-19 Alan P. Halbert Ceiling box safety mounting bracket
US7019495B2 (en) 2003-08-28 2006-03-28 C.E. Neihoff & Co. Inter-regulator control of multiple electric power sources
US7362079B1 (en) * 2004-03-03 2008-04-22 Cypress Semiconductor Corporation Voltage regulator circuit
DE602004004597T2 (de) 2004-10-28 2007-11-15 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Spannungs-Abwärts-Wandler mit reduzierter Welligkeit
US7528619B2 (en) 2005-06-30 2009-05-05 Intel Corporation 0th droop detector architecture and implementation
US7504808B2 (en) 2005-06-30 2009-03-17 Intel Corporation Multiphase transformer for a multiphase DC-DC converter
US7248531B2 (en) * 2005-08-03 2007-07-24 Mosaid Technologies Incorporated Voltage down converter for high speed memory
US7564299B2 (en) 2005-08-22 2009-07-21 Intel Corporation Voltage regulator
US7646108B2 (en) 2006-09-29 2010-01-12 Intel Corporation Multiple output voltage regulator
US7728688B2 (en) 2006-12-07 2010-06-01 Intel Corporation Power supply circuit for a phase-locked loop
US20090079406A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Chaodan Deng High-voltage tolerant low-dropout dual-path voltage regulator with optimized regulator resistance and supply rejection
US7675273B2 (en) 2007-09-28 2010-03-09 Qualcomm Incorporated Wideband low dropout voltage regulator
JP4971970B2 (ja) * 2007-12-27 2012-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 降圧回路及び半導体装置並びに降圧回路制御方法
US7973518B2 (en) 2008-06-05 2011-07-05 Intel Corporation Low noise voltage regulator
JP4565283B2 (ja) 2008-06-10 2010-10-20 マイクロン テクノロジー， インク． 電圧調整系
US20100109435A1 (en) 2008-09-26 2010-05-06 Uti Limited Partnership Linear Voltage Regulator with Multiple Outputs
US8054658B2 (en) * 2008-10-06 2011-11-08 Himax Technologies Limited Convertible charge-pump circuit for generating output voltage level according to voltage level selected from predetermined voltage and potential difference stored in charging capacitor and method thereof
US8231233B2 (en) * 2009-06-17 2012-07-31 Motorola Mobility, Inc. Portable electronic device and method of power management for same to accommodate projector operation

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7119606B2 (en) * 2003-07-10 2006-10-10 Qualcomm, Incorporated Low-power, low-area power headswitch
TWI342992B (en) * 2004-01-28 2011-06-01 Seiko Instr Inc Voltage regulator
TWI348084B (en) * 2004-05-17 2011-09-01 Seiko Instr Inc Voltage regulator
TWI354195B (en) * 2004-07-05 2011-12-11 Seiko Instr Inc Voltage regulator
US20070139101A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Power supply circuit
TWI317056B (en) * 2006-08-01 2009-11-11 Novatek Microelectronics Corp Voltage regulator
US7750611B2 (en) * 2006-12-13 2010-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Internal voltage controllers including multiple comparators and related smart cards and methods
TWI334072B (en) * 2007-01-04 2010-12-01 Elite Semiconductor Esmt Level shifter
US20110285456A1 (en) * 2009-02-06 2011-11-24 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Four-terminal soi mesfet based low dropout regulator

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