TWI499562B

TWI499562B - Wastewater treatment process of semiconductor manufacturing method

Info

Publication number: TWI499562B
Application number: TW100134476A
Authority: TW
Inventors: Kon Tsu Kin; Chiou Mei Chen
Original assignee: Kon Tsu Kin
Priority date: 2011-09-23
Filing date: 2011-09-23
Publication date: 2015-09-11
Also published as: CN103011492A; TW201313625A

Description

半導體製程廢水之處理方法

本發明係關於一種半導體製程廢水之處理方法，提供一種含有氧化劑、有機物、無機物、及氨氮等雜質並由數股半導體製程廢水匯集而成的綜合廢水的處理方法，並可包含NH₄ OH淋洗廢水處理、TMAH黃光製程廢水處理、或NH₄ F/F^- 廢水處理等個別處理。

水的回收再利用在目前氣候異常變遷的時代對高耗水工業成為必須的方案；工廠對外來的水源依賴必須大幅的降低，以降低生產上不確定的因素。水回收率高解決了生產上不確定因素的問題，但也製造另一個議題：環保排放超標問題。工廠使用的化學藥品量是固定的，一旦水的回收率高，導致排放的水量減少；相同的化學藥品用量造成了廢水排放濃度過高的問題，因而超標。針對環境的議題，國家環保的單位也針對一些因最新研究結果而發現對環境有不好影響的物種加以嚴格管制，諸如氨氮、總氮(TN)、總磷(TP)。還有一些放流水質標準雖已有管制，但在未來仍可能需要更嚴格的管制，諸如生化需氧量(BOD)、化學需氧量(COD)、及懸浮固體(SS)。因此水資源的回收再利用，也牽動了環保的議題；這回收與兼顧環保的議題是國家發展的重要課題。

半導體工業廢水所含污染物的種類複雜(含有機、無機、氧化物、氨氮及氟化物等)，目前的半導體廠對於水處理的策略是先將經製程使用過的水進行精準的分類，目前最極端的作法是將其分作22類廢水。含雜質濃度較低的直接收集回收作水源；有的雜質高一點的經RO、離子交換或混凝沉澱處理後再回收用作為水源；其餘的水就直接作廢水排放。現行半導體廠的廢水排放是半導體廠內部不同製程廢水逐步匯集成為一至三股大量複雜性廢水，再總匯集成一股排出工廠。這幾股大量廢水或上游小量群組的廢水名稱眾多紛擾，但大都依其水質內容物被命名如下，諸如綜合廢水、NH₄ F/F^- 廢水、F^- 廢水、高濃度氨氣淋洗廢水、中央淋洗廢水、TMAH黃光廢水、臭氧洗淨水、純水系統反洗水等。由於各家電子產品製程不同、所使用之藥品不同，加上在建廠時規劃前段廢水回收情況和製程廢水水質分類不同，故各廠各大量及小量群組廢水的內容、水質的變化相當大。表一是舉例說明綜合廢水之水質範圍。此綜合廢水為一般習慣上認知總匯集後排出工廠的那一股。回收水按其水質可以用作為超純水的水源或次級用水的水源。如此對經製程使用過的廢水細心的分類安排，大部分工廠的回收率實質上仍然難以達到法律上規定之85%的回收率，原因是根據這樣的分類並無這麼多的水量可被收集作回收，也因此無法達到85%的回收率。同時全廠的用水量也並未實質的降低，原因是目前的作法為將回收水多用為次級用水之用。這是因為目前尚無有效處理技術，為擔心回收水回收作為超純水水源而影響超純水的水質，進而影響晶片的製造良率，因此僅少數百分比的回收水用於超純水系統之水源；而超純水的用水量是達全廠用水量的70~80%，因此回收水若不移作此用，整廠的用水量難以降低。同時為了處理和環保排放之故，有必要了解廢水中含有之製程用的化學藥品諸如：有機物(異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)、丙酮(acetone)、醋酸(acetic acid)、EKC、NMP、TMAH、界面活性劑)、酸鹼(HCl、H₂ SO₄ 、HNO₃ 、NH₄ OH、NH₃ 氣體、H₃ PO₄ 、HF、NH₄ F)、強氧化劑(H₂ O₂ 、臭氧水)，與矽晶片與化學藥品反應後的SiO₂ 。另外超純水系統的反洗水(含Ca和Mg硬度離子及反洗藥劑如NaOH、HCl)，及洗氣器(Scrubber)的排水也被排入廢水而排出工廠。其中異丙醇又與強氧化劑反應產生環保法規有限制的丙酮(濃度必須小於3 ppm(mg/L))，製造新的問題。除了目前環保法規規定異丙醇和丙酮的排放要小於3 ppm，硝酸氮(NO₃ ^- -N)小於50 ppm；新的環保法規趨勢是預計廢水排放的濃度要氨氮<10~30 ppm，總氮要小於50 ppm，總磷小於10 ppm，COD小於60 ppm。雖然新法規草案仍在探詢工業的接受度，但是這些物質對環境是有害的，且這是世界的潮流，最終勢不可擋。因此在確實執行回收率，確實降底整廠用水量，同時兼顧環保排放，兼顧工廠用水自主，從廢水作安全排放及作回收是必然的趨勢。

我國發明313187專利揭示一種含有機污染物之廢水處理系統，包含一厭氧反應槽，一有氧反應槽，及一薄膜分離槽；其中前述有氧反應槽係設置於厭氧反應槽之後，前述薄膜分離槽係設置於前述有氧反應槽之後，該系統係利用生物處理法去除廢水中的有機污染物，並以薄膜分離固液兩相。此前案發明之重點在於解決薄膜表面結垢與積垢問題，其中特別提及該有氧反應槽可提高其中被處理水的pH值，使其中的金屬離子形成碳酸結晶顆粒，並藉生物膠凝作用將此碳酸金屬結晶顆粒嵌入有氧微生物的膠羽中，以減少金屬結晶物在薄膜分離槽之薄膜上形成結垢之傾向。此前案的實施例僅以含葡萄糖及醋酸鈉為人工基質進行實驗，並未提及對含氧化劑、有機及氨氮污染物之半導體製程廢水的處理方法。

本發明的一主要目的即在提供一種針對半導體製程之複雜廢水進行處理以達排放標準及回收再使用的技術。

本發明所提供的一種半導體製程廢水的處理方法，包含下列步驟：

a)將由數股半導體製程廢水匯集而成含有氧化劑、有機物雜質及無機物雜質的綜合廢水進行去氧化劑處理，該綜合廢水實質上不含NH₄ F/F^- 廢水；

b)以無氧微生物分解方式處理來自步驟a)的氧化劑含量被降低的廢水，使得其中所含的雜質部份分解；及

c)以有氧微生物分解方式處理來自步驟b)的雜質含量被降低的廢水，使得殘留於其中的雜質被進一步分解，而得到一第一回收或排放水。

本發明方法進一步包含對NH₄ OH淋洗廢水、TMAH黃光製程廢水、或NH₄ F/F^- 廢水進行個別處理的步驟。

該NH₄ OH淋洗廢水被進行一脫氣/吸收處理，其包含調整NH₄ OH廢水的pH值至大於等於10；持續對廢水打入氣泡一段時間，於是從廢水中吹出NH₃ ，而得到氨氮含量降低的一第一部份處理水；及將從液面冒出的氣體導入一內含吸收劑的吸氣區，於是將氣體中所含有的NH₃ 吸收於該吸收劑上。

當該NH₄ OH淋洗廢水的污染量(濃度x水量)相對於該綜合廢水者小至步驟b)的無氧微生物分解方式可以承擔時，其可以被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)。

該TMAH黃光製程廢水被進行一生物厭氧處理，包含將該TMAH黃光製程廢水導入一生物厭氧槽，並滯留於其中5-48小時而使TMAH被其中的厭氧微生物所分解，而排出一第二部份處理水，其中該槽中的廢水的氧化還原電位為-200至-500 mV。

當該TMAH黃光製程廢水的污染量相對於該綜合廢水者小至步驟b)的無氧微生物分解方式可以承擔時，其可以被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)。

該第一部份處理水及第二部份處理水被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)。

該NH₄ F/F^- 廢水被進行一脫氣/吸收處理，包含調整NH₄ F/F^- 廢水的pH值至大於等於10；持續對廢水打入氣泡一段時間，於是從廢水中吹出NH₃ ；將從液面冒出的氣體導入一內含吸收劑的吸氣區，於是將氣體中所含有的NH₃ 吸收於該吸收劑上；脫去部份氨氮的廢水接著被進行去F^- 處理，包含逆滲透或加入CaCl₂ ，而得到一第二回收或排放水。如果F^- 濃度>400 ppm，則該去F^- 處理包含加入CaCl₂ ，產生CaF₂ 的沉澱；固液分離，直接排放除去CaF₂ 沉澱的廢水，此時其F^- 濃度<15 ppm。如果F^- 濃度不大於400 ppm，則該去F^- 處理包含逆滲透處理，得到的逆滲透水被視為一第三回收或排放水，以被導入一精鍊系統進行回收為較佳；而該逆滲透所產生的含F^- 離子的濃排端廢水可藉由加入CaCl₂ 方式除去其中的F^- 離子，再排出。

製程中如果有其它含F^- 的廢水，其可以與NH₄ F/F^- 廢水被進行脫氣/吸收處理所得到該脫去NH₃ 的廢水一同進行該去F^- 處理。

NH₃ 吸收劑的合適例子有磷酸、硫酸或水。

由前述步驟c)流出的第一回收或排放水的可被分流一部份用來稀釋該NH₄ F/F^- 廢水，使其適合進行該脫氣/吸收處理。

由前述步驟c)流出的第一回收或排放水若是回收作為超純水之水源之用，則其水質必須經過逆滲透及選自下列群組的至少一方式地精鍊處理而得到超純水之水源，該群組係由紫外線加臭氧，紫外線加H₂ O₂ ，及活性碳吸附方式所組成。較佳的，該精鍊處理為紫外線加臭氧。該第一回收或排放水的逆滲透處理所產生的濃排端廢水可以經生物脫硝系統處理以除去其中高濃度之硝酸氮再以廢水排放；或者當其硝酸氮濃度不高時也可部分被引導至該NH₄ F/F^- 廢水以將其稀釋而令其適合進行該脫氣/吸收處理。該第一回收或排放水的逆滲透處理所產生的逆滲透水也可部分被引導至該NH₄ F/F^- 廢水以將其稀釋而令其適合進行該脫氣/吸收處理。

較佳的，步驟c)的有氧微生物分解係於一污泥槽中進行，更佳地，該污泥槽後設有污泥截留槽例如沉澱槽，單體截流裝置及薄膜生物反應槽，其中來自步驟b)的雜質含量被降低的廢水在該污泥槽及污泥截留槽滯留一段時間，於是廢水中的殘留雜質在該滯留時間中為該污泥中的微生物所分解，並由該污泥截留槽排出該第一回收或排放水同時將污泥截留於該污泥截留槽內。

該污泥截留槽被設置於緊接於污泥槽之後，由前述污泥槽流出的廢水被導入該污泥截留槽。該污泥截留槽內滯留的污泥的一部份被再循環用作為步驟b)的無氧微生物分解方式的無氧微生物污泥的一部份來源。

本發明之處理系統若是為廢水排放目的之用，見圖一，則主要包括一去氧化劑系統、一生物無氧/有氧系統、一脫氣/吸收系統、及一去F^- 系統。去氧化劑系統的目的是避免氧化劑會降低後續生物的活性。該去氧化劑系統必須視使用氧化劑的種類而有不同：一般氧化劑是使用雙氧水(H₂ O₂ )，我們測試的結果則可使用還原劑諸如亞硫酸鈉(Na₂ SO₃ )、亞硫酸氫鈉(NaHSO₃ )、及偏重亞硫酸鈉(Na₂ S₂ O₅ )等加藥還原，或是用催化劑二氧化錳、氧化鐵、活性碳去除雙氧水；若是使用臭氧水為氧化劑，則該臭氧水氧化劑的去除可以使用活性碳、加鹼及使用紫外線去除。

前述生物有氧系統的部分，為增加有氧微生物的濃度，可以使用單體，使得微生物得以聚集在孔隙內，增加廢水生物池內微生物的濃度；另一則可使用薄膜過濾而增加微生物在生物池內的濃度。雖然本系統命名廢水處理排放系統，但經該生物無氧/有氧系統處理後的水可排放，亦可回收；而能回收的原因端看回收點的使用水質而定。

NH₄ F/F^- 的廢水應先使用脫氣/吸收系統進行處理。在鹼性狀態下pH>10，NH₄ ⁺ 大多處在分子態下，利用脫氣將NH₃ 從廢水中吹出去除。在此脫氣系統中用於吸收NH₃ 氣的化學藥品為磷酸(H₃ PO₄ )、硫酸(H₂ SO₄ )或水，所生成的產物可作為肥料的原料或氨水再使用。圖一中有一些的處理水可視情況從生物無氧/有氧系統的出水端引入脫氣/吸收系統，以稀釋NH₄ F/F^- 的廢水令其適合該脫氣/吸收系統的處理。由於脫氣/吸收系統處理過的水仍含有相當濃度的F^- 離子，故需再經過去F^- 系統處理。去F^- 系統可為逆滲透系統或加藥(CaCl₂ )處理系統，去F^- 系統的處理過的水可排放和回收，端看回收水質之需求。製程中其它F^- 的廢水也可在此去F^- 系統一併處理。若該去F^- 系統是選擇逆滲透系統，則此逆滲透系統的濃排(concentrate discharge)端的出流水會視情況而被加藥(CaCl₂ )處理，避免F^- 離子排放過高的環保法規。

如圖二所示，若氨氮廢水的污染量大時可單獨收集，並使用脫氣/吸收系統單獨處理之，再導入生物無氧/有氧系統。若氨氮廢水的污染量小時，則可直接導入生物無氧/有氧系統。若TMAH廢水的污染量大時可單獨收集，並使用生物厭氧系統單獨處理之再導入生物無氧/有氧系統。若TMAH廢水的污染量小時，則可直接導入生物無氧/有氧系統。

若經過該生物無氧/有氧系統處理的出流水是要被作為超純水的前端作為水源，則其水質必須經過進一步地處理，包括於該無氧/有氧系統處理後，接上一逆滲透系統，再加上一精鍊系統。該精鍊系統可為AOP，包括紫外線加臭氧系統或紫外線加H₂ O₂ 系統；及選擇性地一活性碳裝置再置於最後。見圖三、圖四流程方塊圖。此逆滲透系統視情況其濃縮端的水被送入一生物脫硝系統處理以除去其中高濃度之硝酸氮。若硝酸氮濃度不高也可視情況將該逆滲透系統濃排端廢水引入到處理該NH₄ F/F^- 廢水的脫氣/吸收系統，以稀釋NH₄ F/F^- 的廢水令其適合該脫氣/吸收系統的處理。此逆滲透系統的出流水也可視情況被引入到處理該NH₄ F/F^- 廢水的脫氣/吸收系統，以稀釋NH₄ F/F^- 的廢水令其適合該脫氣/吸收系統的處理。

本發明將藉以下實施例被進一步瞭解，該實施例僅作為說明之用，而非用於限制本發明範圍。

實施例一、去氧化劑系統測試

1.　H₂ O₂ 以加藥亞硫酸鈉去除測試數據

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表二。模廠測試流程及操作參數：加藥亞硫酸鈉，加藥量為理論值之1.2倍，使得H₂ O₂ 降至<5 ppm(測試時間200小時)。去氧化劑系統處理後水質說明如表二。

由表二之數據可看出加藥之去氧化劑系統可被用於此複雜性廢水有效地去除H₂ O₂ 氧化劑。

2.　H₂ O₂ 以催化劑去除測試數據

a.以MnO₂ 測試

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表三。模廠測試流程及操作參數：以MnO₂ 作為催化劑測試，停留時間5分鐘，測試時間200小時，使得H₂ O₂ 降至<5 ppm，水質說明如表三。

由表三之數據可看出以MnO₂ 作催化劑之去氧化劑系統可被用於此分流之廢水有效地去除H₂ O₂ 氧化劑。

b.　以活性碳測試

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表四。模廠測試流程及操作參數：以活性碳作為催化劑測試，停留時間5分鐘，測試時間200小時，使得H₂ O₂ 降至<5 ppm，水質說明如表四。

由表四之數據可看出以活性碳作催化劑之去氧化劑系統可被用於此分流之廢水有效地去除H₂ O₂ 氧化劑。

3.　氧化劑臭氧水去除測試數據

a.　加鹼去除測試

10%(w/w) 200 l/h臭氧氣體流量注入超純水中，其流速為100 l/h，臭氧的壓力維持在1.5 Bar，以此模擬上游臭氧水的產生。利用pH的改變以使臭氧的濃度變化。當pH在調到偏鹼條件時，臭氧水的濃度會大幅降低，故可以用此來作為臭氧水氧化劑的去除方法，見表五。

b.　紫外線去除測試

對於高濃度的臭氧水濃度，我們選擇中壓的紫外線反應器對其作反應。模擬的臭氧水以上述a的方式產生，濃度在25 ppm；經2.4 kw中壓紫外線，流速3 T/h，停留時間18秒，臭氧的濃度可降至小於2 ppm。

實施例二、去氧化劑系統、生物有氧/無氧系統及逆滲透系統的流程測試

1.　去氧化劑系統+生物有氧系統(以單體進行測試)測試數據

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表六。模廠測試流程及操作參數：先經過加藥亞硫酸鈉，使得H₂ O₂ 降至<40 ppm，及調整pH值至6.8；生物有氧槽內有單體(停留時間12小時)。生物有氧槽處理後水質如表六。

2.　去氧化劑系統+生物無氧/有氧系統(以生物薄膜進行測試)+逆滲透系統測試數據

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表七。模廠測試流程及操作參數：先經過加藥亞硫酸鈉，使得H₂ O₂ 降至<40 ppm，及調整pH值至11.3；生物無氧槽(停留時間2.5小時)；生物有氧槽加薄膜過濾模組(停留時間10小時)；再經過逆滲透系統。處理單元薄膜過濾模組處理後水質、及逆滲透系統之出流水水質說明如表七。

在此完整系統組合下，薄膜過濾模組處理後水質如IPA和丙酮的濃度分別為小於個位數的ppb，遠小於環保法規的要求<3 ppm；COD水質也在個位數ppm；氨氮也完全地從廢水中去除，其濃度趨近於零。因此既使逆滲透的濃排端的出流水其雜質濃度為進流水濃度的4至6倍，其IPA、丙酮和氨氮濃度也是趨近於零。同時以TOC而言，逆滲透系統的出水水質和新竹市自來水水質作比較，其水質比自來水優3~6倍；此水質可以安心作為超純水之水源，可以提高水之使用率。由此可知，本發明方法/系統可將半導體製程廢水處理至一定程度使得廢水可以回收使用，同時也可使工廠之排放符合更嚴苛之環保法規要求。

3.　系統整合性測試

主要測試去氧化劑系統和生物無氧/有氧系統之間的先後依存度。在上述去氧化劑系統+生物無氧/有氧系統(以薄膜過濾模組進行測試)+逆滲透系統測試中，系統穩定產水如上述數據後，突然停止去氧化劑系統之加藥。經三日後，NH₄ ⁺ -N數據升回至93.5 ppm，表示當氧化劑存在時，氨氮菌會受到傷害；再過7日之後，生物無氧/有氧系統後之出水水質COD上升至100 ppm，表示當氧化劑持續存在時，習以有機物為食物的菌亦會受到傷害。故去氧化系統有其必要，且必須於生物系統之前對氧化劑去除進行一定的處理。

實施例三、脫氣/吸收系統測試

以連續操作進行測試，進流之廢水濃度見表八。模型工廠測試流程及操作參數：首先廢水於一pH槽中被調整pH值至11.5，接著導入一脫氣槽於其中以空氣對水流量比為1000:1之比例由底部進行吹氣，脫氣槽的廢水停留時間1.2小時。NH₄ OH廢水的氨氮脫氣效率為80%。出流水水質說明如表八。由液面出來的含氨氣的空氣被送入一吸收槽，以磷酸水溶液吸收其中的氨氣(產物磷酸銨)。

表八數據說明了該廢水中的其他物種並不會和氨氮的分子起牽引作用而降低脫氣效率。

實施例四、精鍊系統測試

1. AOP系統(UV/O₃ )去除測試效率

以連續操作進行測試，進流之逆滲透系統處理後水質見表九。模廠測試流程及操作參數：臭氧濃度2 ppm；2.4 kw中壓紫外線；流速3 T/h；停留時間18秒；回流比5:1，出流水水質TOC有70%的效率，水質說明如表九。

實施例五、生物厭氧系統測試

本實施例進行TMAH廢水的生物厭氧處理。以連續操作進行測試，進流之TMAH廢水濃度136 ppm，其被導入一生物厭氧槽的底部，於該槽中滯留24小時經其中厭氧生物分解其所含的有機物。厭氧氧化還原電位為-200至-500 Mv。分解效率為60%。

圖一、本發明之綜合廢水處理排放系統(廢水排放)流程方塊圖。

圖二、本發明之綜合廢水處理排放系統(廢水排放)流程方塊圖。

圖三、本發明之綜合廢水回收處理系統(水回收)流程方塊圖。

圖四、本發明之綜合廢水回收處理系統(水回收)流程方塊圖。

Claims

一種半導體製程廢水的處理方法，包含下列步驟：a)將由數股半導體製程廢水匯集而成含有氧化劑、有機物雜質及無機物雜質的綜合廢水進行去氧化劑處理，該綜合廢水實質上不含NH₄ OH淋洗廢水、TMAH黃光製程廢水及NH₄ F/F^- 廢水；b)以無氧微生物分解方式處理來自步驟a)的氧化劑含量被降低的廢水，其中來自步驟a)的氧化劑含量被降低的廢水被導入一含有無氧微生物污泥的生物無氧槽並於其中滯留一段時間，使得其中所含的雜質為該無氧微生物污泥所部份分解；及c)以有氧微生物分解方式處理來自步驟b)的雜質含量被降低的廢水，使得殘留於其中的雜質被進一步分解，而得到一第一回收或排放水，其中步驟c)的有氧微生物分解係於一污泥槽中進行，且該污泥槽後設有污泥截留槽，其中來自步驟b)的雜質含量被降低的廢水在該污泥槽及污泥截留槽滯留一段時間，於是廢水中的殘留雜質在該滯留時間中為該污泥中的微生物所分解，並由該污泥截留槽排出該第一回收或排放水同時將污泥截留於該污泥截留槽內，其中該污泥截留槽內滯留的污泥的一部份被再循環用作為步驟b)的無氧微生物分解方式的無氧微生物污泥的一部份來源。
如申請專利範圍第1項的方法，其進一步包含對 NH₄ OH淋洗廢水或TMAH黃光製程廢水進行個別處理，其中該NH₄ OH淋洗廢水被進行一脫氣/吸收處理，其包含調整NH₄ OH廢水的pH值至大於等於10；持續對廢水打入氣泡一段時間，於是從廢水中吹出NH₃ ，而得到氨氮含量降低的一第一部份處理水；及將從液面冒出的氣體導入一內含吸收劑的吸氣區，於是將氣體中所含有的NH₃ 吸收於該吸收劑上；該TMAH黃光製程廢水被進行一生物厭氧處理，包含將該TMAH黃光製程廢水導入一生物厭氧槽，並滯留於其中5-48小時而使TMAH被其中的厭氧微生物所分解，而排出一第二部份處理水，其中該槽中的廢水的氧化還原電位為-200至-500mV；該第一部份處理水及第二部份處理水被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)。
如申請專利範圍第1項的方法，其進一步包含對NH₄ OH淋洗廢水或TMAH黃光製程廢水進行處理，其中該NH₄ OH淋洗廢水被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)；該TMAH黃光製程廢水被與前述步驟a)流出的氧化劑含量被降低的廢水合併一同進行步驟b)及c)。
如申請專利範圍第2項的方法，其進一步包含對NH₄ F/F^- 廢水進行處理，其中該NH₄ F/F^- 廢水被進行一脫氣/吸收處理，包含調整NH₄ F/F^- 廢水的pH值至大於等於10；持續對廢水打入氣泡一段時間，於是從廢水中吹出NH₃ ；將從液面冒出的氣體導入一內含吸收劑的吸氣區，於是將氣體中所含有的NH₃ 吸收於該吸收劑上；脫去部份氨氮的廢水接著被進行去F^- 處理，包含逆滲透或加入CaCl₂ ，而得到一第二回收或排放水。
如申請專利範圍第4項的方法，其中如果F^- 濃度>400ppm，則該去F^- 處理包含加入CaCl₂ ，產生CaF₂ 的沉澱；固液分離，直接排放除去CaF₂ 沉澱的廢水，此時其F^- 濃度<15ppm；如果F^- 濃度不大於400ppm，則該去F^- 處理包含逆滲透處理，得到的逆滲透水被視為一第三回收或排放水，而所產生的含F^- 離子的逆滲透濃排端廢水則藉由加入CaCl₂ 方式除去其中的F^- 離子，再排出。
如申請專利範圍第4項的方法，其中該半導體製程中其它含F^- 的廢水與該脫去氨氮的廢水一同進行該去F^- 處理。
如申請專利範圍第4項的方法，其中由前述步驟c) 流出的第一回收或排放水的被分流一部份用來稀釋該NH₄ F/F^- 廢水，使其適合進行該脫氣/吸收處理。
如申請專利範圍第2或4項的方法，其中的NH₃ 吸收劑為磷酸、硫酸或水。
如申請專利範圍第1或4項的方法，其進一步包含將步驟c)流出的第一回收或排放水經過一逆滲透處理；及接著經過選自下列群組的至少一方式的精鍊處理，該群組係由紫外線加臭氧，紫外線加H₂ O₂ ，及活性碳吸附方式所組成。
如申請專利範圍第9項的方法，其中該精鍊處理為紫外線加臭氧。
如申請專利範圍第9項的方法，其中該第一回收或排放水的逆滲透處理所產生的濃排端廢水被進行生物脫硝處理以除去其中高濃度之硝酸氮再以廢水排放；或者當其硝酸氮濃度不高時，其一部分被引導至該NH₄ F/F^- 廢水以將其稀釋而令其適合進行該脫氣/吸收處理。
如申請專利範圍第9項的方法，該第一回收或排放水的逆滲透處理所產生的逆滲透水一部分被引導至該NH₄ F/F^- 廢水以將其稀釋而令其適合進行該脫氣/吸收處理。
如申請專利範圍第5項的方法，其中該第三回收或排放水被導入一精鍊系統進行回收。