TWI498953B - 紫外線照射裝置 - Google Patents

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TWI498953B
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Masayuki Yamamoto
Masaru Irie
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Nitto Denko Corp
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Description

紫外線照射裝置
本發明係關於一種紫外線照射裝置,其係在對貼附於半導體晶圓表面之紫外線硬化型的保護膠帶進行剝離處理前,將紫外線照射於保護膠帶以降低其接著力。
就對半導體晶圓(以下,僅稱為「晶圓」)進行薄型加工之方法而言,有利用研削或研磨等機械方法、或利用蝕刻之化學方法等。藉由此等方法,對晶圓之背面進行加工以將其厚度薄化。又,在利用此等方法對晶圓進行加工時,為了保護已形成有配線圖案之晶圓表面,而於該晶圓的表面貼附保護膠帶。貼附有保護膠帶且進行研削處理後之晶圓,係透過支持用黏著膠帶從背面接著保持於環框(ring frame)。然後,再將保護膠帶從保持在環框之晶圓表面剝離。
就剝離此保護膠帶之方法而言,已知有一種在保護膠帶之表面貼附接著力較強之剝離膠帶,再將該剝離膠帶剝離。其結果,剝離膠帶會從晶圓表面與保護膠帶一體被剝離(參照日本特開平5-63077號公報)。
又,保護膠帶係使用一種紫外線硬化型者。在該保護膠帶剝離前照射紫外線,可減少其接著力。就照射該紫外線之裝置而言,係將附有保護膠帶之晶圓吸附保持於構成為可沿導軌來回移動之吸附座,在使該吸附座來回移動之期間,將紫外線從配置在上方之紫外線照射裝置照射於保護膠帶。該紫外線照射裝置係將複數個紫外線發光二極體排列於縱橫方向(以下,酌稱為「二極體」)而構成(日本特開2006-40944號公報)。
然而,上述習知裝置中有以下之問題。
亦即,上述紫外線照射裝置由於必需使吸附座在導軌上來回移動,因此有設置面積變大的不良情形。
又,必需將複數個二極體排列於縱橫方向至超過晶圓直徑之範圍,以使沿線移動於導軌上之晶圓整體照度固定。因此,亦有裝置大型化且重量變重等問題。
本發明之目的在於提供一種可將裝置小型化,可組裝於習知之保護膠帶剝離裝置且能廉價構成之紫外線照射裝置。
本發明為了達成此種目的,係採用以下構成。
一種紫外線照射裝置,係將紫外線照射在貼附於半導體晶圓表面之紫外線硬化型保護膠帶,該裝置係包含以下之構成要素:保持座,用以載置保持貼附有該保護膠帶之半導體晶圓;驅動機構,用以驅動該保持座使其旋轉;複數個紫外線發光二極體,係排列於至少該半導體晶圓之半徑方向;以及控制部,係構成為在一邊使載置保持附有該保護膠帶之半導體晶圓的保持座旋轉,一邊從紫外線發光二極體朝向保護膠帶表面照射紫外線時,使該保護膠帶之紫外線照射區域的累計光量固定。
根據本發明之紫外線照射裝置,至少沿晶圓之半徑方向排列複數個二極體。例如藉由將二極體配備成1列,並使保持座旋轉,可在貼附於晶圓表面之保護膠帶整體使紫外線之累計光量固定。亦即,無需使保持座沿導軌來回移動。又,亦無需擴及至超過晶圓直徑之範圍於縱橫方向配備複數個二極體。因此,可將裝置構成小型化。
此外,在使保持座旋轉的情況下,從中心愈朝向外側,圓周速度愈快。因此,上述構成中,以在保護膠帶整面使紫外線之累計光量固定之方式形成如次構成為佳。
例如,以愈朝向半導體晶圓之外側,來自二極體之紫外線強度愈強的方式控制供給電壓。
又,構成為愈朝向半導體晶圓之外側,從保護膠帶之表面至二極體的高度愈低。根據此構成,在高度較晶圓中心低且至保護膠帶表面之距離變短的外側部分,紫外線之照度會變高。亦即,紫外線強度亦變高。
此外,在設定二極體高度的情況下,係以進一步具備以下構成較佳。亦即,具備:感測器,用以測量複數個二極體之照度;升降驅動機構,係依該每個二極體分別使高度改變;以及高度控制部,係根據該感測器之檢測結果,以使保護膠帶表面之每單位面積之累計光量固定的方式,使升降驅動機構作動以調節各二極體之高度。
根據此構成,依據藉由感測器所測量之照度,以更良好的精度來調節保護膠帶表面每單位面積之紫外線的累計光量。
因此,無論紫外線照射時之環境變化為何,皆可隨時以穩定之狀態對保護膠帶照射紫外線。
又,就使保護膠帶整面之紫外線之累計光量固定之構成而言,亦可以愈朝向半導體晶圓之外側,二極體之排列間隔愈窄的方式構成。
根據此構成,愈朝向晶圓之外周,二極體之排列間隔愈窄,相鄰接之二極體所射出之紫外線的光點形狀成為彼此重疊。因此,即使是在圓周速度較中心側還快之外周側,其每單位面積之紫外線的強度亦較中心側高。其結果,在保護膠帶整面可使累計光量固定。
又,就其他構成而言,亦可具備用以控制該複數個二極體,使其可個別間歇點亮的點亮控制部,亦可構成為愈朝向該半導體晶圓之外側,二極體之點亮時間愈長。
又,上述各構成中,亦可具備形成有從半導體晶圓之中心朝向外側擴展之扇形縫隙的遮光板,亦可構成為透過該遮光板之縫隙從二極體朝向保護膠帶照射紫外線。
根據此構成,藉由使具有放射狀擴大之紫外線通過遮蔽板之縫隙,可僅將強度較高之部分照射於保護膠帶。因此,可使保護膠帶整面之紫外線的累計光量更均勻。
又,就其他構成而言,亦可具備愈朝向半導體晶圓之外側,紫外線之透射率愈高的濾光器,以經由濾光器將紫外線從二極體朝向保護膠帶照射之方式構成。
此構成中,亦可使保護膠帶整面之紫外線的累計光量更均勻。
再者,上述各構成中,以具備照射於該保護膠帶之周緣部的輔助用紫外線發光二極體較佳。
在將保護膠帶貼附於晶圓的情況下,有時紫外線硬化型黏著劑會超出晶圓之周緣部。在使用習知裝置使該黏著劑硬化的情況下,為了除去妨礙硬化之主要原因的氧,係在處理室內進行氮氣沖洗並照射紫外線。然而,得知藉由將強度較高之紫外線直接照射於黏著劑,即使不進行氮氣沖洗黏著劑亦可硬化。
因此,根據此構成,可將強度較照射於保護膠帶整面之紫外線還高的紫外線照射於晶圓端緣部分。亦即,可使所有的黏著劑大致同等地硬化,以降低其接著力。因此,在後續步驟之保護膠帶剝離處理時,可消除因晶圓端緣部分之黏著劑未硬化而產生之破損或晶圓端緣之黏著劑的殘渣。
為了說明發明,圖示幾種現在思及的最佳形態,惟應了解發明並非侷限於圖式所示之構成及方法。
以下,參照圖式說明具備有本發明之紫外線照射裝置之半導體晶圓安裝裝置的實施例。
第1圖係有關於本發明之一實施例,並表示半導體晶圓安裝裝置之整體構成的局部切斷立體圖。
此半導體晶圓安裝裝置1,係由晶圓供給部2、晶圓搬送機構3、對準台7、紫外線照射裝置9、夾盤座15、環框供給部16、環框搬送機構17、膠帶處理部18、環框升降機構26、安裝框製作部27、第1安裝框搬送機構29、剝離機構30、第2安裝框搬送機構35、旋轉座36、以及安裝框回收部37等所構成,其中該晶圓供給部2係裝填以多層收納實施背面研磨處理後之半導體晶圓W(以下,僅稱為「晶圓W」)的卡匣C,該晶圓搬送機構3係具備有機械臂4及按壓機構5,該對準台7係進行晶圓W之對準,該紫外線照射裝置9係朝向載置於對準台7之晶圓W照射紫外線,該夾盤座15係用以吸附保持晶圓W,該環框供給部16係以多層收納有環框f,該環框搬送機構17係將環框f移載至屬切割(dicing)用膠帶之黏著膠帶DT,該膠帶處理部18係從環框f之背面貼附黏著膠帶DT,該環框升降機構26係使貼附有黏著膠帶DT之環框f升降移動,該安裝框製作部27係製作將晶圓W貼合於貼附有黏著膠帶DT之環框f而一體化的安裝框MF,該第1安裝框搬送機構29係用以搬送製作後之安裝框MF,該剝離機構30係用以剝離貼附在晶圓W表面之保護膠帶PT,該第2安裝框搬送機構35係用以搬送保護膠帶PT被剝離機構30剝離後之安裝框MF,該旋轉座36係進行安裝框MF之方向轉換及搬送,該安裝框回收部37則以多層收納安裝框MF。
於晶圓供給部2具備有未圖示的卡匣台。於該卡匣台可載置卡匣C,該卡匣C則以多層收納有在圖案面(以下,酌稱為「表面」)貼附有保護膠帶PT之晶圓W。此時,晶圓W係以圖案面向上之水平姿勢保持。
晶圓搬送機構3係以藉由未圖示之驅動機構進行旋轉及升降移動的方式構成。亦即,進行後述機械臂4之晶圓保持部、或按壓機構5所具備之按壓板6的位置調整。又,晶圓搬送機構3係將晶圓W從卡匣C搬送至對準台7。
晶圓搬送機構3之機械臂4係於其前端具備有未圖示之呈馬蹄形的晶圓保持部。又,機械臂4係構成為晶圓保持部可進退於以多層收納在卡匣C之晶圓W彼此的間隙。此外,於機械臂4前端之晶圓保持部設有吸附孔,將晶圓W從背面真空吸附而保持。
晶圓搬送機構3之按壓機構5係於其前端具備有與晶圓W形成大致相同形狀之圓形按壓板6。臂部分係構成為可進退,以使該按壓板6可在載置於對準台7之晶圓W的上方移動。
按壓機構5係在晶圓W載置於後述對準台7之保持座8時產生吸附不良的情況下作動。具體而言,在晶圓W產生翹曲而無法吸附保持晶圓W時,按壓板6會按壓晶圓W之表面,以將翹曲矯正成平面狀態。保持座8係在該狀態下從背面真空吸附晶圓W。
對準台7係對所載置之晶圓W根據設於其周緣之定向平面或凹口等進行對準。又,於對準台7具備有用以覆蓋晶圓W之背面整體並予以真空吸附的保持座8、以及使保持座8旋轉的馬達M。
對準台7係以涵蓋載置晶圓W進行對準之初始位置、以及後述以多層配備於膠帶處理部18上方之夾盤座15與環框升降機構26的中間位置,吸附保持晶圓W之狀態下進行搬送移動的方式構成。亦即,對準台7係矯正晶圓W之翹曲並在保持於平面狀態下直接搬送至下一步驟。
紫外線照射裝置9係配備在位於初始位置之對準台7的上方。紫外線照射裝置9係朝向已貼附於晶圓W表面之屬紫外線硬化型黏著膠帶的保護膠帶PT照射紫外線。亦即,藉由紫外線之照射使保護膠帶PT之黏著劑硬化以使其接著力降低。其構造係如第2圖及第3圖所示。
亦即,於紫外線照射裝置9具備有紫外線照射單元12、以及照度感測器14,其中該紫外線照射單元12係以使複數個紫外線發光二極體11(以下,僅稱為「二極體11」)沿著從對準台7中心側之基部延伸至外側之支持板,隔著既定間隔配備成一維陣列狀的方式構成,該照度感測器14係移動至與紫外線照射單元12相對向之下方的位置以測量紫外線之照度。
紫外線照射單元12之各二極體11具備有功率放大器13。該功率放大器13係根據藉由照度感測器14所測量之測量結果,變更成藉由控制裝置56之運算處理部57所算出之輸出電壓。亦即,以從保持座8之旋轉速度求出之晶圓半徑方向之各紫外線照射位置的圓周速度與從各照射部位之紫外線強度求出之累計光量,如第4圖所示般在保護膠帶PT之表面整體成為固定的方式,調節各二極體11之輸出電壓。
照度感測器14係可將個別之照度感測器予以連續排列或以等間隔之排列來構成,亦可以線感測器來構成。該照度感測器14係在微幅偏離中心之圖中靠右的位置,安裝於可升降及旋轉的軸心Z,以使該照度感測器14之紫外線受光部可達到晶圓中心的位置。亦即,照度感測器14係以對準台7之保持座8接收晶圓W且為了進行對準而旋轉時之晶圓表面的高度,且與紫外線照射單元12相對向之位置,測量紫外線之照度的方式構成。
返回第1圖,夾盤座15係形成與晶圓W大致相同形狀之圓形,俾覆蓋晶圓W之背面並可進行真空吸附。又,夾盤座15係將晶圓W從膠帶處理部18上方之待機位置升降移動至貼合於環框f之位置。亦即,夾盤座15係將藉由保持座8矯正翹曲而保持成平面狀態之晶圓W加以吸附保持。
又,夾盤座15係收納於環框升降機構26之開口部,而晶圓W下降至接近於環框f中央之黏著膠帶DT的位置,其中該環框升降機構26係吸附保持從背面貼附黏著有膠帶DT之環框f。此時,夾盤座15與環框升降機構26係藉由未圖示之保持機構保持。
環框供給部16係於底部設有滑輪之推車(wagon)狀者。又,環框供給部16係裝填在裝置本體內。再者,其上部形成有開口以使內部收納有多層之環框f被滑動上升而送出。
環框搬送機構17係將收納在環框供給部16之環框f從上側逐片依序進行真空吸附,再將環框f依序搬送至未圖示之對準台與貼附黏著膠帶DT之位置。又,貼附黏著膠帶DT時,環框搬送機構17亦具有作為在黏著膠帶DT之貼附位置保持環框f之保持機構的作用。
膠帶處理部18係具備有膠帶供給部19、拉伸機構20、貼附單元21、刀具機構24、剝離單元23、以及膠帶回收部25,其中該膠帶供給部19係用以供給黏著膠帶DT,該拉伸機構20係將張力施加於黏著膠帶DT,該貼附單元21係將黏著膠帶DT貼附於環框f,該刀具機構24係將貼附於環框f之黏著膠帶DT裁斷,該剝離單元23係將藉由刀具機構24裁斷後之不要的膠帶從環框f剝離,該膠帶回收部25係回收裁斷後之不要的剩餘膠帶。
拉伸機構20係將黏著膠帶DT從寬度方向之兩端夾住,將張力施加於膠帶寬度方向。亦即,若使用柔軟之黏著膠帶DT,因施加於膠帶供給方向之張力,會沿其供給方向在黏著膠帶DT之表面產生縱向皺紋。為了避免該縱皺紋而將黏著膠帶DT均勻地貼附於環框f,係從膠帶寬度方向側施加張力。
貼附單元21係配備在保持於黏著膠帶DT上方之環框f之斜下方(第1圖中為左斜下方)的待機位置。於該貼附單元21設置有貼附滾輪22。藉由環框搬送機構17可將環框f搬送及保持於黏著膠帶DT之貼附位置,在開始從膠帶供給部19進行黏著膠帶DT之供給的同時,貼附滾輪22即移動至膠帶供給方向右側之貼附開始位置。
到達貼附開始位置後之貼附滾輪22,即上升並從貼附開始位置往待機位置方向轉動,一邊按壓黏著膠帶DT一邊貼附於環框f。
剝離單元23將藉由刀具機構24裁斷之黏著膠帶DT的不要部分從環框f剝離。具體而言,當黏著膠帶DT對環框f之貼附及裁斷完成時,即釋放拉伸機構20對黏著膠帶DT的保持。接著,剝離單元23即朝向膠帶供給部19側移動於環框f上,將裁斷後之不要的黏著膠帶DT予以剝離。
刀具機構24係配備在載置有環框f之黏著膠帶DT的下方。當黏著膠帶DT藉由貼附單元21貼附於環框f時,即釋放拉伸機構20對黏著膠帶DT的保持,該刀具機構24即上升。上升後之刀具機構24係沿環框f裁斷黏著膠帶DT。
環框升降機構26係配備在將黏著膠帶DT貼附於環框f之位置之上方的待機位置。該環框升降機構26在黏著膠帶DT對環框f之貼附處理完成後即下降,並吸附保持環框f。此時,曾保持環框f之環框搬送機構17返回環框供給部16上方之初始位置。
又,環框升降機構26在吸附保持環框f後,即朝向與晶圓W之貼合位置上升。此時,吸附保持有晶圓W之夾盤座15亦下降至晶圓W之貼合位置。
安裝框製作部27具備有周面可彈性變形之貼附滾輪28。貼附滾輪28係一邊按壓貼附在環框f背面之黏著膠帶DT的非接著面一邊轉動。
第1安裝框搬送機構29係將一體形成有環框f與晶圓W之安裝框MF真空吸附,並移載至剝離機構30。
剝離機構30係由未圖示之剝離座、膠帶供給部31、剝離單元32、以及膠帶回收部34等構成,其中該剝離座係用以載置晶圓W並使其移動,該膠帶供給部31係供給剝離膠帶Ts,該剝離單元32係進行剝離膠帶Ts之貼附及剝離,該膠帶回收部34則用以回收剝離後之剝離膠帶Ts與保護膠帶PT。
如第5圖所示,膠帶供給部31係將從原材滾輪導出之剝離膠帶Ts導引至剝離單元32之下端部。又,膠帶回收部34係將從剝離單元32送出之剝離膠帶Ts導引至上方且予以捲繞回收。
剝離單元32具備有前端銳利之端緣構件41、以及送出導引滾輪42,其中該端緣構件41係作為剝離膠帶Ts之貼附構件及剝離構件,該送出導引滾輪42則朝向膠帶回收部34導引在端緣構件41之前端部折返的剝離膠帶Ts。
返回第1圖,第2安裝框搬送機構35係將從剝離機構30移出之安裝框MF予以真空吸附並移載至旋轉座36。
旋轉座36係構成為用以進行安裝框MF之對準及對安裝框回收部37之收納。亦即,在藉由第2安裝框搬送機構35將安裝框MF載置於旋轉座36上之後,根據晶圓W之定向平面或環框f之定位形狀等進行對準。又,為了變更安裝框MF對安裝框回收部37之收納方向,旋轉座36進行旋轉。又,旋轉座36在收納方向固定後,即藉由未圖示之推進器推出安裝框MF,以將安裝框MF收納於安裝框回收部37。
安裝框回收部37係載置於未圖示之可升降的載置座。藉由該載置座進行升降移動將利用推進器推出之安裝框MF收納於安裝框回收部37之任意之層。
其次,針對上述實施例裝置說明一輪之動作。
首先,半導體晶圓安裝裝置1之各驅動機構的設定條件係透過操作面板等設定輸入至控制裝置56。例如,在本實施例的情況下,係輸入保護膠帶PT之種類等。輸入該種類後,即從控制裝置56內之記憶裝置等,讀取預先在記憶裝置中已資料庫化之對應之照射之紫外線的累計光量。又,同時使驅動機構作動以使照度感測器14移動至測量位置。
移動完成後,一邊使保持座8旋轉一邊使紫外線照射單元12作動以進行初始測量。藉由與各二極體11相對向之位置之照度感測器14所測量的測量結果,被送到控制裝置56。控制裝置56之運算處理部57即從預定之保持座8的旋轉速度求出與排列於半徑方向之二極體11相對向之位置的圓周速度。其次,依各二極體11之功率放大器13,分別求出可使對各照射位置之保護膠帶PT之紫外線的累計光量固定,且可在最短時間使保護膠帶PT之黏著劑硬化之輸出電壓。此外,測量完成後之照度感測器14係返回自測量區域離開之上方的待機位置。
紫外線照射條件決定後,使機械臂4作動,晶圓保持部被插入卡匣C之間隙。晶圓W係從下方被吸附保持且逐片被取出。所取出之晶圓W被搬送至對準台7。
晶圓W藉由機械臂4載置於保持座8並從背面被吸附保持。此時,藉由未圖示之壓力計,檢測晶圓W之吸附程度,與和正常動作時之壓力值相關而預設之基準值作比較。
在檢測到吸附異常的情況下,藉由按壓板6從表面按壓晶圓W,在翹曲矯正後的平面狀態下吸附保持晶圓W。又,晶圓W係根據定向平面或凹口進行對準。
此時,在檢測晶圓W之定向平面或凹口時之保持座8旋轉動作時,從具備有輸出分別變更後之二極體11的紫外線照射單元12,朝向保護膠帶PT照射紫外線。亦即,照射強度雖依保護膠帶PT之紫外線照射部位而不同,不過在照射區域整體使紫外線之累計光量固定,以均勻地降低黏著劑之接著力。
在對準台7上當位置對準及紫外線照射完成時,晶圓W即在被吸附保持於保持座8的狀態下直接與對準台7一起被搬送至下一個安裝框製作部27。亦即,對準台7係移動至夾盤座15與環框升降機構26之中間位置。
對準台7在既定位置待機後,位於上方之夾盤座15即下降,夾盤座15之底面抵接於晶圓W並開始真空吸附。當夾盤座15之真空吸附開始時,保持座8側之吸附保持即被釋放。因此,在保持座8矯正翹曲且以平面狀態保持之晶圓W係被移交至夾盤座15。移交出晶圓W後之對準台7即返回初始位置。
其次,以多層收納在環框供給部16之環框f,係藉由環框搬送機構17從上方逐片被真空吸附而取出。所取出之環框f在以未圖示之對準台進行位置對準之後,即搬送至黏著膠帶DT上方之黏著膠帶貼附位置。
在環框f藉由環框搬送機構17保持並位於黏著膠帶DT之貼附位置後,即從膠帶供給部19開始進行黏著膠帶DT之供給。同時,貼附滾輪22即移動至貼附開始位置。
貼附滾輪22到達貼附開始位置後,拉伸機構20即保持黏著膠帶DT寬度方向之兩端,將張力施加於膠帶寬度方向。
接著,貼附滾輪22上升,將黏著膠帶DT按壓貼附於環框f之端部。然後,貼附滾輪22朝向屬待機位置之膠帶供給部19側轉動。此時,貼附滾輪22從非接著面一邊按壓黏著膠帶DT一邊轉動,將黏著膠帶DT逐漸貼附於環框f。貼附滾輪22到達貼附位置之終端後,即釋放拉伸機構20對黏著膠帶DT之保持。
同時,刀具機構24上升,並沿環框f裁斷黏著膠帶DT。黏著膠帶DT之裁斷完成後,剝離單元23即朝向膠帶供給部19側移動,將不要之黏著膠帶DT剝離。
接著,膠帶供給部19作動,將黏著膠帶DT抽出,並且裁斷後不要部分之膠帶被送到膠帶回收部25。此時,貼附滾輪22移動至貼附開始位置,以將黏著膠帶DT貼附於下一個環框f。
貼附有黏著膠帶DT之環框f係藉由環框升降機構26吸附保持框部並往上方移動。此時,夾盤座15亦下降。亦即,夾盤座15與環框升降機構26彼此係移動至貼合晶圓W之位置。
各機構15,26到達既定位置後,即分別藉由未圖示之保持機構保持。接著,貼附滾輪28移動至黏著膠帶DT之貼附開始位置,一邊按壓已貼附在環框f底面之黏著膠帶DT的非接著面一邊轉動,而將黏著膠帶DT逐漸貼附於晶圓W。其結果,即可製作環框f與晶圓W一體化之安裝框MF。
安裝框MF製作後,夾盤座15與環框升降機構26係移動至上方。此時,未圖示之保持座移動至安裝框MF之下方,安裝框MF載置於該保持座。載置後之安裝框MF係藉由第1安裝框搬送機構29吸附保持並移載至剝離座。
載置有安裝框MF之剝離座係朝向剝離單元32之下方前進移動。在此過程中,以光感測器檢測保護膠帶PT之前端緣,並藉由脈衝馬達控制此時之剝離座的位置。控制脈衝馬達的作動,使剝離座從檢測位置前進移動至預先得知之光感測器至端緣構件41之前端位置的距離。在此,剝離座之前進移動暫時停止。亦即,當保護膠帶PT之前端緣到達端緣構件41前端之正下方位置時,前進移動即自動地暫時停止。
當剝離座暫時停止時,控制脈衝馬達的作動以使可動區塊下降,端緣構件41以捲掛有從膠帶供給部31供給之剝離膠帶Ts的狀態下降。亦即,在端緣構件41之前端,剝離膠帶Ts以既定按壓力被推壓貼附至保護膠帶PT之前端上面。
剝離膠帶Ts對保護膠帶PT前端之貼附完成後,在剝離膠帶Ts以端緣構件41按壓至保護膠帶PT之狀態,剝離座再次開始前進移動,且以與該移動速度同步之速度剝離膠帶Ts逐漸捲繞於膠帶回收部34。藉此,端緣構件41係一邊將剝離膠帶Ts按壓於晶圓W表面之保護膠帶PT一邊逐漸貼附。在此同時,一邊剝離已貼附之剝離膠帶Ts一邊將保護膠帶PT一起從晶圓W表面逐漸剝離。
控制脈衝馬達的作動,以使端緣構件41從下降作動後之剝離膠帶貼附開始位置前進相當於晶圓直徑之距離。亦即,在端緣構件41到達保護膠帶PT之後端緣且保護膠帶PT完全從晶圓W表面剝離之時點,控制端緣構件41使其上升,然後剝離單元32回到初始狀態。
保護膠帶PT之剝離處理完成後的安裝框MF,係藉由剝離座移動至第2安裝框搬送機構35之待機位置。
接著,從剝離機構30移出之安裝框MF,係藉由第2安裝框搬送機構35移載至旋轉座36。移載後之安裝框MF係藉由定向平面或凹口進行對準,並進行收納方向之調節。對準及收納方向固定後,安裝框MF即藉由推進器推出以收納於安裝框回收部37。
如以上般,藉由從晶圓W之中心側朝向外側將二極體11排列成一維陣列狀,愈朝向晶圓W之外側愈提高各二極體11之輸出電壓,並從與圓周速度之關係調節各二極體11之輸出電壓,可在保護膠帶PT之紫外線照射的整面使累計光量固定。因此,可消除因保護膠帶PT剝離時黏著劑之硬化不均而產生之黏著劑在晶圓表面的殘渣。
又,由於無需將二極體11配備成縱橫方向之二維陣列狀至超過晶圓W直徑之範圍,且僅使保持座8在既定位置旋轉即可,因此裝置可小型化。
本發明並非限制於上述實施形態,亦可如下述般變形實施。
(1) 上述實施例中,雖在使半導體晶圓安裝裝置1作動前,利用照度感測器14調節各二極體11之輸出,不過亦可在對準前對適當之處理片數或所有晶圓W測量照度,以調節各二極體11之輸出電壓。
(2) 上述實施例裝置中,雖將紫外線照射單元12與照度感測器14構成為一體,但作成分離之構成亦可。
(3) 上述實施例裝置中,雖一邊將從保護膠帶PT表面至各二極體11之高度設為一定,一邊藉由輸出電壓之調節使紫外線之累計光量固定,不過亦可以下述方式構成。一邊將各二極體11之輸出設為一定,一邊調節從保護膠帶PT表面至二極體11之高度。
例如,愈朝向晶圓W之外側,圓周速度愈快。因此,為了獲得與中心側相同之紫外線的累計光量,如第6圖所示,設置成愈朝向晶圓W之外側,保護膠帶PT至二極體11之高度愈低。
又,以另一實施例而言,如第7圖所示,將各二極體11以可藉由致動器60變更高度的方式進行調節。在此構成的情況下,係使照度感測器14移動至測量位置,並將各二極體11之輸出設為一定來照射紫外線。此時,求出各二極體11之高度,該高度係可獲得從保持座8之旋轉與紫外線之強度求出之累計光量在全部的照射區域成為固定的照度。根據該結果,操作各致動器60以使各二極體11移動至既定高度。根據此構成,亦可獲得與上述實施例相同之效果。
(4) 上述各實施例中,如第8圖及第9圖所示,亦可將遮光板62配備在紫外線照射單元12與晶圓W之間,其中該遮光板62形成有從晶圓W之中心朝向外側擴展的扇狀縫隙61。
根據此構成,在圓周轉速較慢之中心側,利用開口面積較窄的縫隙來縮小紫外線光點SP之直徑。相反地,在速度較快之晶圓W的外側則擴大開口面積,因此在保護膠帶PT之紫外線照射的全區可使累計光量固定。
(5) 如第10圖所示,亦可將濾光器63配備於紫外線照射單元12與保持座8之間,其中該濾光器63係愈朝向晶圓W之外側紫外線之透射率愈高。例如,可作成僅配備濾光器63,或在上述實施例之遮光板62的縫隙61部分配備濾光器63之構成。
(6) 如第11圖所示,亦可構成為藉由時序控制器64調節各二極體11之功率放大器13之開啟(on)/關閉(off)切換的時序,以使保護膠帶PT全區之累計光量固定。亦即,相較於圓周轉速較慢之中心側,以愈朝向晶圓W之外側,二極體11之點亮時間愈長的方式進行調節。
(7) 亦可以從晶圓W之中心愈朝向外側,二極體11之排列間隔愈窄的方式配備而構成。亦即,如第12圖所示,在圓周轉速較快之外側,藉由使二極體11之排列間隔變窄,以將擴展成放射狀之紫外線的光點形狀重疊而使紫外線之強度增加。
又,亦可構成為使各二極體11可經由連結至每個二極體11之致動器或個別之驅動機構等而沿著導件在半徑方向上移動。根據此構成,可任意地變更二極體彼此之間隔,並且在晶圓W尺寸變更的情況下亦可有效地發揮功能。
(8) 上述實施例裝置中,雖以將二極體11排列成一維陣列狀而構成的紫外線照射單元12為例作說明,不過亦可以下述方式構成。亦即,上述各實施例中,如第13圖所示,亦可將二極體11排列成扇狀而構成紫外線照射單元12。
(9) 上述實施例裝置中,雖僅於晶圓W之上方配備二極體11,不過亦可以下述方式構成。亦即,如第14圖所示,亦可作成配備有從晶圓W之端緣方向照射紫外線之二極體11a的構成。例如,在與對準台7一起收納於處理室內一邊進行氮氣沖洗一邊照射紫外線的情況下,只要構成以與位於晶圓W之最外周側之二極體11大致相同之輸出從二極體11a朝晶圓端緣照射紫外線即可。
在紫外線照射單元12不進行氮氣沖洗而以大氣開放之狀態照射紫外線時,由於大氣中之氧會阻礙黏著劑之硬化,因此調節成以光強度較晶圓W表面還高之方式照射紫外線。
根據此構成,可使所有的黏著劑均勻地硬化,降低其接著力。因此,在後續步驟之保護膠帶剝離處理時,可消除因晶圓端緣部分之黏著劑未硬化而產生之破損或在晶圓端緣之黏著劑的殘渣。
※本發明在不超出其思想或本質下亦可以其他具體形態來實施,因此,用以表示發明之範圍者,並非以上之說明,應參照附加之申請專利範圍。
1...半導體晶圓安裝裝置
2...晶圓供給部
3...晶圓搬送機構
4...機械臂
5...按壓機構
6...按壓板
7...對準台
8...保持座
9...紫外線照射裝置
11、11a...紫外線發光二極體
12...紫外線照射單元
13...功率放大器
14...照度感測器
15...夾盤座
16...環框供給部
17...環框搬送機構
18...膠帶處理部
19...膠帶供給部
20...拉伸機構
21...貼附單元
22、28...貼附滾輪
23...剝離單元
24...刀具機構
25...膠帶回收部
26...環框升降機構
27...安裝框製作部
29...第1安裝框搬送機構
30...剝離機構
31...膠帶供給部
32...剝離單元
34...膠帶回收部
35...第2安裝框搬送機構
36...旋轉座
37...安裝框回收部
41...端緣構件
42...送出導引滾輪
56...控制裝置
57...運算處理部
60...致動器
61...縫隙
62...遮光板
63...濾光器
64...時序控制器
f...環框
C...卡匣
M...馬達
W...半導體晶圓
Z...軸心
DT...黏著膠帶
MF...安裝框
PT...保護膠帶
SP...紫外線光點
Ts...剝離膠帶
第1圖係表示半導體晶圓安裝裝置整體的立體圖。
第2圖係紫外線裝置的正視圖。
第3圖係紫外線裝置的俯視圖。
第4圖係表示紫外線之照度變化與累計光量。
第5圖係表示剝離機構之動作的立體圖。
第6圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第7圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第8圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第9圖係通過遮光板之縫隙照射紫外線時的模式圖。
第10圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第11圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第12圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
第13圖係表示紫外線裝置之另一實施例之二極體排列的俯視圖。
第14圖係表示紫外線裝置之另一實施例的正視圖。
7...對準台
8...保持座
9...紫外線照射裝置
11...紫外線發光二極體
12...紫外線照射單元
13...功率放大器
14...照度感測器
56...控制裝置
57...運算處理部
M...馬達
W...半導體晶圓
Z...軸心

Claims (2)

  1. 一種紫外線照射裝置,係將紫外線照射在貼附於半導體晶圓表面之紫外線硬化型保護膠帶,該裝置係包含以下之構成要素:保持座,用以載置保持貼附有該保護膠帶之半導體晶圓;驅動機構,用以驅動該保持座使其旋轉;複數個紫外線發光二極體,係排列於至少該半導體晶圓之半徑方向;感測器,係旋轉移動到與該複數個紫外線發光二極體對向的位置,並且下降到半導體晶圓的載置位置為止,測量各紫外線發光二極體之照度;升降驅動機構,係改變該每個紫外線發光二極體的高度;以及高度控制部,係以根據該感測器之檢測結果,使保護膠帶表面之每單位面積之累計光量固定的方式,使升降驅動機構作動以調節各紫外線發光二極體之高度;構成為在一邊使載置保持附有該保護膠帶之半導體晶圓的保持座旋轉,一邊從紫外線發光二極體朝向保護膠帶表面照射紫外線時,使該保護膠帶之紫外線照射區域的累計光量固定。
  2. 如申請專利範圍第1項之紫外線照射裝置,其中該裝置係進一步包含以下之構成要素: 輔助用紫外線發光二極體,係照射於該保護膠帶之周緣部。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5965133B2 (ja) * 2011-11-17 2016-08-03 リンテック株式会社 光照射装置および光照射方法
CN104541356B (zh) * 2012-08-07 2018-05-25 积水化学工业株式会社 晶片的处理方法
CN103220850A (zh) * 2013-03-15 2013-07-24 深圳市润沃机电有限公司 一种使物体接受恒定辐照量的方法及装置
JP6314081B2 (ja) * 2014-12-15 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 光照射装置
DE102015000263A1 (de) * 2015-01-16 2016-07-21 Xylem Ip Management S.À.R.L. Verfahren zur Bestimmung des UV-Transmissionsgrades von Wasser
KR101880271B1 (ko) * 2015-05-07 2018-07-24 (주)퓨렉스 반도체 패키지 제조용 인라인 시스템의 uv광 측정방법
US10180248B2 (en) 2015-09-02 2019-01-15 ProPhotonix Limited LED lamp with sensing capabilities
FR3080554B1 (fr) * 2018-04-25 2021-03-12 Skf Ab Machine pour coller une piece sur un element de support avant les operations d'usinage et son procede
KR102101228B1 (ko) * 2018-06-20 2020-04-22 (주)에이피텍 Led 모듈 검사 및 포장 시스템
WO2023054318A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0992634A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003133301A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Tokyo Electron Ltd 半導体製造酸化膜生成装置及び方法、並びに紫外線照射装置
JP3742986B2 (ja) * 2000-07-25 2006-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2007026517A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Ushio Inc 紫外線照射装置
WO2008142975A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置およびダイシング方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01240681A (ja) * 1988-03-22 1989-09-26 Nippon Denso Co Ltd 光硬化炉における光量可変装置
JPH04107828U (ja) * 1991-03-04 1992-09-17 日東電工株式会社 紫外線照射装置
JP2877997B2 (ja) 1991-08-29 1999-04-05 日東電工株式会社 半導体ウエハの処理方法
JP2000218156A (ja) * 1998-11-25 2000-08-08 Hooya Shot Kk 紫外光照射装置
JP4311857B2 (ja) * 2000-04-05 2009-08-12 日東電工株式会社 紫外線照射装置
US20040134603A1 (en) * 2002-07-18 2004-07-15 Hideo Kobayashi Method and apparatus for curing adhesive between substrates, and disc substrate bonding apparatus
JP2004342920A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Seiko Epson Corp 基板処理装置、基板の製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器
JP4279738B2 (ja) * 2004-07-22 2009-06-17 リンテック株式会社 紫外線照射装置
JP4588645B2 (ja) * 2006-02-07 2010-12-01 オリジン電気株式会社 樹脂膜形成装置、方法およびプログラム
JP2007329300A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射装置および紫外線照射装置を備えた切削機

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0992634A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3742986B2 (ja) * 2000-07-25 2006-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2003133301A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Tokyo Electron Ltd 半導体製造酸化膜生成装置及び方法、並びに紫外線照射装置
JP2007026517A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Ushio Inc 紫外線照射装置
WO2008142975A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置およびダイシング方法

Also Published As

Publication number Publication date
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JP5386232B2 (ja) 2014-01-15
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CN101901745B (zh) 2014-06-18
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US8258490B2 (en) 2012-09-04

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