TWI497040B - 檢測裝置 - Google Patents

Description

檢測裝置

本發明係關於一種檢測裝置，特別是一種檢測待測光源之特性之檢測裝置。

在製造發光電子元件之後，通常需要對發光電子元件進行檢測。若是有不符合標準的發光電子元件，則可藉由此檢測行為加以淘汰，以確保諸多發光電子元件中沒有故障的元件，也可確保此些發光電子元件的發光表現能夠達到預期的標準。

目前有業者利用積分球檢測發光電子元件之光學特性。然而，在同時大量檢測發光電子元件時，必須微型化積分球才能達成。而微型化之積分球容易造成檢測時光學特性的誤差。

有鑑於以上的問題，本發明提出一種檢測裝置，藉以在大量檢測待測光源時，能夠取得較小誤差之光學特性。

本發明揭露一種檢測裝置，用以量測一待測光源。檢測裝置包括一均光元件、多個檢測電極及一感光元件。均光元件具有一腔室。腔室具有一入光口及一出光口，入光口小於出光口。形成腔室之一內表面定義有一反射區及一散射區。內表面具有一中心軸。內表面於入光口之一入光端緣具有一第一端點。內 表面於出光口之一出光端緣具有一第二端點。內表面從第一端點延伸至第二端點具有一最短曲線。最短曲線以中心軸為旋轉軸旋轉360度而形成內表面。最短曲線具有一基準線及位於基準線之一端之一基準點。最短曲線上的各點位置至基準點之距離為r。最短曲線上的各點位置至基準點之連線與基準線之夾角為φ。第一端點至基準點之連線與基準線之夾角為φin。第二端點至基準點之連線與基準線之夾角為φout。最短曲線與基準線及基準點之間的關係符合r=2f/(1-cosφ)、φout≦φ≦φin、φout=arctan((Rout-y0)/(L+z0))-θr及φin=arctan((Rin-y0)/z0)-θr之條件。其中最短曲線上的各點位置遠離基準點及基準線之程度為f。基準線所在之一直線與中心軸之夾角為θr。基準點至中心軸之垂直距離為y0。基準點至入光口所在之平面之垂直距離為z0。第一端點至中心軸之垂直距離為Rin。第二端點至中心軸之垂直距離為Rout。入光口至出光口之最短距離為L。arctan為反正切函數。檢測電極設置於入光口，且用以供電至待測光源。感光元件設置於出光口。

根據本發明之檢測裝置，能夠藉由反射區之配置及內表面之形狀，在檢測裝置之尺寸不致過大便能令待測光源之光線從入光口順利引導至出光口，且藉由散射區之配置令被引導致出光口之光線能夠均勻分布。藉此，即使利用多個檢測裝置同時檢測大量的待測光源，感光元件也能夠檢測到均勻且強度充足之待測光源之光線，而能夠取得較小誤差之待測光源之光學特性。

以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。

1‧‧‧檢測系統

10、30、40‧‧‧檢測裝置

11、21、31、41‧‧‧均光元件

110、210‧‧‧腔室

110a、210a、310a、410a‧‧‧入光口

110b、210b‧‧‧出光口

1100、2100、3100、5100、6100、7100、8100、9100‧‧‧內表面

1100a、2100a、5100a、6100a、7100a、8100a、9100a‧‧‧反射區

1100b、2100b、3100b‧‧‧散射區

5100b、6100b、7100b、8100b、9100b‧‧‧散射區

1100c、5100c、6100c、7100c、8100c、9100c‧‧‧入光端緣

1100d、3100d、5100d、6100d、7100d、8100d、9100d‧‧‧出光端緣

121、321‧‧‧第一檢測電極

122、322‧‧‧第二檢測電極

13、33‧‧‧感光元件

2‧‧‧待測光源

2a、2b‧‧‧電極

3‧‧‧工作台

34、44‧‧‧基板

42‧‧‧檢測電極

42a‧‧‧連接端

42b‧‧‧接觸端

44a‧‧‧貫通孔

45‧‧‧反射層

B‧‧‧最短曲線

C‧‧‧中心軸

D‧‧‧方向

H、L、Rin、Rout、r、y0、z0‧‧‧距離

Lb‧‧‧基準線

Lb’‧‧‧直線

P1‧‧‧第一端點

P2‧‧‧第二端點

Pb‧‧‧基準點

Pc‧‧‧相交點

Pe‧‧‧各點位置

Sin、Sout‧‧‧平面

T1、T2、T31、T32、T4‧‧‧厚度

Wy‧‧‧寬度

θr、φ、φin、φout‧‧‧夾角

θ1、θ2‧‧‧角度

第1圖繪示依照本發明之實施例之檢測裝置檢測由工作台承載之待測光源之立體示意圖。

第2圖繪示第1圖之檢測裝置、待測光源及工作台之側視剖面圖。

第3圖繪示第2圖中沿III-III線剖面之俯視剖面圖。

第4圖繪示第2圖之內表面之側視示意圖。

第5圖繪示依照本發明之另一實施例之均光元件之側視剖面圖。

第6圖繪示依照本發明之另一實施例之檢測裝置、待測光源及工作台之側視剖面圖。

第7圖繪示第6圖中沿VII-VII線剖面之俯視剖面圖。

第8圖繪示第6圖之局部放大之側視剖面圖。

第9圖繪示依照本發明之另一實施例之檢測裝置、待測光源及工作台之側視剖面圖。

第10圖、第11圖、第12圖、第13圖及第14圖繪示依照本發明之另一實施例之均光元件之內表面之側視剖面示意圖。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

請參照第1圖，繪示依照本發明之實施例之檢測裝置10檢測由工作台3承載之待測光源2之立體示意圖。檢測裝置10用以量測待測光源2。多個檢測裝置10能夠排列成陣列而形成一檢測系統1，以利同時檢測由工作台3承載之多個待測光源2。待測光源2能夠為發光二極體(LED)等發光電子元件。

請參照第2圖及第3圖，第2圖繪示第1圖之檢測裝置10、待測光源2及工作台3之側視剖面圖，第3圖繪示第2圖中沿III-III線剖面之俯視剖面圖。檢測裝置10包括一均光元件11、一第一檢測電極121、一第二檢測電極122及一感光元件13。均光元件11具有一腔室110。腔室110具有一入光口110a及一出光口110b。入光口110a小於出光口110b。形成腔室110之一內表面1100定義有一反射區1100a及一散射區1100b。第一檢測電極121及第二檢測電極122皆設置於入光口110a，且用以供電至由工作台3承載之待測光源2的二個電極2a、2b。第一檢測電極121及第二檢測電極122可藉由金屬拉線之方式製成。感光元件13設置於出光口110b。

於本實施例中，反射區1100a相鄰於入光口110a，散射區1100b相鄰於出光口110b。散射區1100b之面積佔內表面1100之面積之比例為60%以上且小於100%。或者，散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之比例為60%以上且小於100%。此時，從出光口110b離開之光線的均勻度達60%以上。反射區1100a能夠將足夠的光線反射至散射區1100b及出光口110b，散射區1100b能將光線散射得較為均勻。藉此，設置於出光口110b的感光元件13能夠獲得充足且均勻的光線，而使感光元件13所取樣的數據較能準確反應待測光源2的情況。

請參照第2圖及第4圖，第4圖繪示第2圖之內表面1100之側視示意圖。內表面1100具有一中心軸C。內表面1100於入光口110a之位置具有一入光端緣1100c，入光端緣1100c具有一第一端點P1。內表面1100於出光口110b之位置具有一出光端緣1100d，出光端緣1100d具有一第二端點P2。內表面1100從第一端點P1延伸至第二端點P2具有一最短曲線B。最短曲線B以中心軸C為旋轉軸旋轉360度而形成內表面1100。最短曲線B具有一基準線Lb及位於基準線Lb之一端之一基準點Pb。最短曲線B上的各點位置Pe至基準點Pb之距離為r。最短曲線B上的各點位置Pe至基準點Pb之連線與基準線Lb之夾角為φ。第一端點P1至基準點Pb之連線與基準線Lb之夾角為φin。第二端點P2至基準點Pb之連線與基準線Lb之夾角為φout。最短曲線 B與基準線Lb及基準點Pb之間的關係符合r=2f/(1-cosφ)、φout≦φ≦φin、φout=arctan((Rout-y0)/(L+z0))-θr及φin=arctan((Rin-y0)/z0)-θr之條件。

其中，最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度為f，程度f愈大表示愈遠。基準線Lb所在之一直線Lb’與中心軸C之夾角為θr。基準點Pb至中心軸C之垂直距離為y0。基準點Pb至入光端緣1100c所在之平面Sin之垂直距離為z0。第一端點P1至中心軸C之垂直距離為Rin。第二端點P2至中心軸C之垂直距離為Rout。入光端緣1100c至出光端緣1100d之最短距離為L。

基準點Pb位於中心軸C時，距離y0為零。基準點Pb位於中心軸C及最短曲線B之間時，距離y0為正。中心軸C位於基準點Pb及最短曲線B之間時，距離y0為負。基準點Pb位於入光端緣1100c所在之平面Sin時，距離z0為零。入光端緣1100c所在之平面Sin位於基準點Pb及出光端緣1100d所在之平面Sout之間時，距離z0為正。基準點Pb位於入光端緣1100c所在之平面Sin及出光端緣1100d所在之平面Sout之間時，距離z0為負。

基準線Lb平行於中心軸C時，夾角θr為零。從入光端緣1100c朝向出光端緣1100d具有一方向D。基準線Lb所在之直線Lb’與中心軸C具有一相交點Pc時，自相交點Pc沿方向D延伸的範圍中，基準線Lb所在之直線Lb’位於中心軸C及 最短曲線B之間時夾角θr為正，中心軸C位於基準線Lb所在之直線Lb’及最短曲線B之間時夾角θr為負。

當待測光源2之尺寸愈大時，第一端點P1與中心軸C之垂直距離Rin會選擇愈大的尺寸。相反地，若是待測光源2之尺寸愈小時，第一端點P1與中心軸C之垂直距離Rin可以選擇愈小的尺寸。

此外，第一端點P1與中心軸C之垂直距離Rin還能取決於所要收集光線的多寡，即進入均光元件11之光通量。如下方關係式，待測光源2的尺寸為Wy，待測光源2之光強度分布為I(θ)，待測光源2之表面至入光口110a之間的距離為H，於待測光源2從入光口110a進入均光元件11之光通量為Φ。

當使用者欲收集指定光通量Φ的光線時，由於待測光源2的尺寸Wy、待測光源2之光強度分布I(θ)及待測光源2至入光口110a之間的距離H為已知，故可回推出第一端點P1與中心軸C之垂直距離Rin。

以下說明一示範例。

於本示範例中，距離z0為零，距離y0為-Rin，夾角θr為-φout/2。最短曲線B於出光端緣1100d之切線可與中心軸C平行。距離Rout符合Rout=Rin/sin(-θr)之條件。距離L符合 L=Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)之條件。

舉例而言，當距離Rin為1.5mm，距離Rout為2.0mm，程度f為0.125，以及距離L為3.5mm時，以散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之各種不同的比例，模擬第2圖之感光元件13所接收之光線的均勻度、光效率及二者相乘之總表現。光效率指的是感光元件13之中央部位所收到的光強度。當均勻度愈高，則在感光元件13的任意位置取樣，皆能獲得準確的結果。當光效率愈高，表示所需要的感光元件13的感光靈敏度的需求不必過高。總表現愈高，表示愈能夠兼顧取樣準確性及感光元件13的感光靈敏度需求。模擬結果如下之表一所述。

由上可知，於最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度f為0.125時，散射區1100b投影至中 心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之比例為80%~100%，總表現有顯著優良的現象。且於此比例為90%時，總表現高達4569.5。

另舉例而言，當距離Rin為1.5mm，距離Rout為2.0mm，程度f為0.05，以及距離L為8.75mm時，以散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之各種不同的比例，模擬第2圖之感光元件13所接收之光線的均勻度、光效率及總表現。模擬結果如下之表二所述。

由上可知，於最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度f為0.05時，散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之比例為70%~100%，總表現有顯著優良的現象。且於此比例為70%時，總表現高達3416.2。

另舉例而言，當距離Rin為1.5mm，距離Rout為2.0mm，程度f為0.025，以及距離L為14.0mm時，以散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之各種不同的比例，模擬第2圖之感光元件13所接收之光線的均勻度、光效率及總表現。模擬結果如下之表三所述。

由上可知，於最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度f為0.05時，散射區1100b投影至中心軸C的長度佔內表面1100投影至中心軸C的長度之比例為40%~100%，總表現有顯著優良的現象。且於此比例為70%~80%時，總表現大於2325.76。且於此比例為70%時，總表現高達2794.56。

因此，當最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度f愈大時，散射區1100b的範圍可增大， 以增進總表現。當最短曲線B上的各點位置Pe遠離基準點Pb及基準線Lb之程度f愈小時，散射區1100b的範圍可縮小，便具有足夠的總表現。

請參照第5圖，繪示依照本發明之另一實施例之均光元件21之側視剖面圖。於本實施例中，均光元件21之腔室210之內表面2100定義有多個反射區2100a及多個散射區2100b。此些反射區2100a及此些散射區2100b沿中心軸C之方向交錯排列。此些反射區2100a中之其中一反射區2100a相鄰於入光口210a，此些散射區2100b中之其中一散射區2100b相鄰於出光口210b。此些散射區2100b之面積總合佔內表面2100之面積之比例為60%以上且小於100%。此時，從出光口210b離開之光線的均勻度達60%以上。

請參照第6圖及第7圖，第6圖繪示依照本發明之另一實施例之檢測裝置30、待測光源2及工作台3之側視剖面圖，第7圖繪示第6圖中沿VII-VII線剖面之俯視剖面圖。本實施例與第2圖所示之實施例有部分元件相似，此些相似元件以相似的元件符號標示，且於此將不多加贅述。於本實施例中，檢測裝置30包括多個第一檢測電極321及多個第二檢測電極322。檢測裝置30更包括一基板34，設置於均光元件31及第一檢測電極321之間，且設置於均光元件31及第二檢測電極322之間。基板34能夠銜接均光元件31及第一檢測電極321，也能夠銜接均光元件31及第二檢測電極322。在多個檢測裝置30排列成陣列時， 多個檢測裝置30之基板34能夠彼此共用而相連。

基板34、第一檢測電極321及第二檢測電極322皆以透明的材料製成。基板34可例如以薄的透明玻璃板製成。第一檢測電極321及第二檢測電極322可例如以透明的氧化銦錫(ITO)製成。此外，基板34、第一檢測電極321及第二檢測電極322沿中心軸C之方向之最大厚度，能夠小於第2圖之實施例中以金屬拉線之方式製成之第一檢測電極121及第二檢測電極122之厚度，藉此有利於檢測裝置30之微型化。透明的基板34、第一檢測電極321及第二檢測電極322能夠通過較多的待測光源2之光線，而有利於檢測裝置30檢測待測光源2。

如第7圖所示，此些第一檢測電極321可同時與待測光源2之其中一電極2a電接觸，此些第二檢測電極322可同時與待測光源2之另一電極2b電接觸。藉此可降低此些第一檢測電極321及此些第二檢測電極322於量測時所產生的額外的阻抗值。

請參照第8圖，繪示第6圖之局部放大之側視剖面圖。待測光源2沿垂直於中心軸C之方向之寬度為Wy。此些第一檢測電極321及此些第二檢測電極322沿中心軸C之方向之最大厚度為T1。基板34沿中心軸C之方向之厚度為T2。

於檢測待測光源2所發出之光線時，通常會根據所欲收集之光通量的多寡，決定欲收集之光線的範圍。此範圍的邊緣至中心軸C之角度令其為θ1。而待測光源2沿著角度θ1所發 出之光線入射於基板34時之折射方向至中心軸C之角度為θ2。而且，符合2Rin=Wy+2(T1tanθ1+T2tanθ2)之條件。如此能夠在考量基板34的折射影響下，完整收集所欲檢測之光線的範圍。當所要檢測的光線範圍較廣時，則θ1會取得較大。當所要檢測的光線範圍較窄時，則θ1會取得較小。

以下說明一示範例。

於本示範例中，距離z0為零，距離y0為-Rin，夾角θr為-φout/2。最短曲線B於出光端緣3100d之切線可與中心軸C平行。距離Rout符合Rout=Rin/sin(-θr)之條件。距離L符合L=Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)之條件。

舉例而言，當距離Rin為1.5mm，距離Rout為2.0min，程度f為0.05，距離L為8.75mm，以及待測光源2至入光口310a之間的距離H為0.3mm時，以散射區3100b投影至中心軸C的長度佔內表面3100投影至中心軸C的長度之各種不同的比例，模擬第6圖之感光元件33所接收之光線的均勻度、光效率及總表現。模擬結果如下之表四所述。

由上可知，散射區3100b投影至中心軸C的長度佔內表面3100投影至中心軸C的長度之比例為60%~100%，總表現有顯著優良的現象。且於此比例為70%~80%時，總表現大於2570.4。且於此比例為70%時，總表現高達3118.85。

請參照第9圖，繪示依照本發明之另一實施例之檢測裝置40、待測光源2及工作台3之側視剖面圖。本實施例與第6圖所示之實施例有部分元件相似，此些相似元件以相似的元件符號標示，且於此將不多加贅述。於本實施例中，檢測裝置40更包括一基板44及一反射層45，設置於均光元件41及多個檢測電極42之間。基板44具有一貫通孔44a。此貫通孔44a係對應於入光口410a。反射層45設置於貫通孔44a之側壁面。各檢測電極42具有一連接端42a及一接觸端42b。各連接端42a藉由基板44與均光元件41相連。各接觸端42b較各連接端42a接近於中心軸C。各接觸端42b用以與待測光源2電性接觸。舉例而言，玻璃製的基板44沿中心軸C之方向之厚度T4可小於0.3mm，塑膠膜材製的基板44沿中心軸C之方向之厚度T4可小於0.07mm。各接觸端42b之厚度T32及各連接端42a之厚度T31，可達到微米或奈米等級，而可遠小於基板44之厚度。各接觸端42b之厚度T32可大於各連接端42a之厚度T31，於其他實施例中二 者亦可相等。此外，於其他實施例中，基板44本身可為不透明的板材，於貫通孔44a內亦可鑲嵌透明的板材。

以下說明一示範例。請參照第10圖、第11圖、第12圖、第13圖及第14圖，繪示依照本發明之另一實施例之均光元件之內表面5100、6100、7100、8100、9100之側視剖面示意圖。

於本示範例中，距離z0為零，距離y0為零，夾角θr為零，距離Rin為1.5mm，距離Rout為2.0mm，程度f為0.05，以及距離L為8.75mm。

如第10圖之左圖所示，內表面5100定義有五個反射區5100a及四個散射區5100b。此些反射區5100a及此些散射區5100b沿中心軸C之方向交錯排列。各散射區5100b投影至中心軸C的長度實質上相同，各反射區5100a投影至中心軸C的長度實質上相同。散射區5100b之其中之一及其中另一分別相鄰於入光端緣5100c及出光端緣5100d。當散射區5100b投影至中心軸C的長度總合佔內表面5100投影至中心軸C的長度之比例為70%時。感光元件所收到的光強度分布如第10圖中之右圖所示。

如第11圖之左圖所示，內表面6100定義有二個反射區6100a及二個散射區6100b。此些反射區6100a及此些散射區6100b沿中心軸C之方向交錯排列。散射區6100b之其中之一相鄰於出光端緣6100d。反射區6100a之其中之一相鄰於入光端緣6100c。從入光端緣6100c至出光端緣6100d，散射區6100b 投影至中心軸C的長度分別為0.525mm及6.65mm，反射區6100a投影至中心軸C的長度分別為0.7875mm及0.7875mm。散射區6100b投影至中心軸C的長度總合佔內表面6100投影至中心軸C的長度之比例為82%。感光元件所收到的光強度分布如第11圖中之右圖所示。

如第12圖之左圖所示，內表面7100定義有三個反射區7100a及三個散射區7100b。此些反射區7100a及此些散射區7100b沿中心軸C之方向交錯排列。散射區7100b之其中之一相鄰於出光端緣7100d。反射區7100a之其中之一相鄰於入光端緣7100c。從入光端緣7100c至出光端緣7100d，散射區7100b投影至中心軸C的長度分別為0.525mm、0.525mm及6.125mm，反射區7100a投影至中心軸C的長度分別為0.7875mm、0.525mm及0.2625mm。散射區7100b投影至中心軸C的長度總合佔內表面7100投影至中心軸C的長度之比例為82%。感光元件所收到的光強度分布如第12圖中之右圖所示。

如第13圖之左圖所示，內表面8100定義有三個反射區8100a及三個散射區8100b。此些反射區8100a及此些散射區8100b沿中心軸C之方向交錯排列。反射區8100a之其中之一相鄰於出光端緣8100d。散射區8100b之其中之一相鄰於入光端緣8100c。從入光端緣8100c至出光端緣8100d，反射區8100a投影至中心軸C的長度分別為0.525mm、0.525mm及6.125mm，散射區8100b投影至中心軸C的長度分別為0.7875mm、0.525mm 及0.2625mm。反射區8100a投影至中心軸C的長度總合佔內表面8100投影至中心軸C的長度之比例為82%，即散射區8100b投影至中心軸C的長度總合佔內表面8100投影至中心軸C的長度之比例為18%。感光元件所收到的光強度分布如第13圖中之右圖所示。

如第14圖之左圖所示，內表面9100定義有三個反射區9100a及三個散射區9100b。此些反射區9100a及此些散射區9100b沿中心軸C之方向交錯排列。散射區9100b之其中之一相鄰於出光端緣9100d。反射區9100a之其中之一相鄰於入光端緣9100c。從入光端緣9100c至出光端緣9100d，散射區9100b投影至中心軸C的長度分別為0.525mm、0.2625mm及6.125mm，反射區9100a投影至中心軸C的長度分別為0.7875mm、0.525mm及0.2625mm。散射區9100b投影至中心軸C的長度總合佔內表面9100投影至中心軸C的長度之比例為82%。感光元件所收到的光強度分布如第14圖中之右圖所示。

綜上所述，本發明之檢測裝置，能夠藉由反射區之配置及內表面之形狀，在檢測裝置之尺寸不致過大便能令待測光源之光線從入光口順利引導至出光口，且藉由散射區之配置令被引導致出光口之光線能夠均勻分布。藉此，即使利用多個檢測裝置同時檢測大量的待測光源，感光元件也能夠檢測到均勻且強度充足之待測光源之光線，而能夠取得較小誤差之待測光源之光學特性。

此外，本發明之檢測裝置可藉由使用透明的基板、第一檢測電極及第二檢測電極，而令較多的待測光源之光線得以通過諸些元件，有利於檢測裝置檢測待測光源。藉由數量較多的第一檢測電極及第二檢測電極，能夠降低檢測時所要供電的電壓，以減省能源。

再者，本發明之檢測裝置可藉由使用具有貫通孔的基板及設置於貫通孔之側壁面的反射層，而避免待測光源之光線從基板漏光，以利檢測裝置檢測待測光源。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

10‧‧‧檢測裝置

11‧‧‧均光元件

110‧‧‧腔室

110a‧‧‧入光口

110b‧‧‧出光口

1100‧‧‧內表面

1100a‧‧‧反射區

1100b‧‧‧散射區

121‧‧‧第一檢測電極

122‧‧‧第二檢測電極

13‧‧‧感光元件

2‧‧‧待測光源

3‧‧‧工作台

C‧‧‧中心軸

Claims (18)

1. 一種檢測裝置，用以量測一待測光源，該檢測裝置包括：一均光元件，具有一腔室，該腔室具有一入光口及一出光口，該入光口小於該出光口，形成該腔室之一內表面定義有至少一反射區及至少一散射區，該內表面具有一中心軸，該內表面於該入光口之一入光端緣具有一第一端點，該內表面於該出光口之一出光端緣具有一第二端點，該內表面從該第一端點延伸至該第二端點具有一最短曲線，該最短曲線以該中心軸為旋轉軸旋轉360度而形成該內表面，該最短曲線具有一基準線及位於該基準線之一端之一基準點，該最短曲線上的各點位置至該基準點之距離為r，該最短曲線上的各點位置至該基準點之連線與該基準線之夾角為φ，該第一端點至該基準點之連線與該基準線之夾角為φin，該第二端點至該基準點之連線與該基準線之夾角為φout，且該最短曲線與該基準線及該基準點之間的關係符合以下條件：r=2f/(1-cosφ)；φout≦φ≦φin；φout=arctan((Rout-y0)/(L+z0))-θr；以及φin=arctan((Rin-y0)/z0)-θr；其中，該最短曲線上的各點位置遠離該基準點及該基準線之程度為f，該基準線所在之一直線與該中心軸之夾角為θr，該基準點至該中心軸之垂直距離為y0，該基準點至該入 光端緣所在之平面之垂直距離為z0，該第一端點至該中心軸之垂直距離為Rin，該第二端點至該中心軸之垂直距離為Rout，該入光端緣至該出光端緣之最短距離為L；多個檢測電極，設置於該入光口，且用以供電至該待測光源；以及一感光元件，設置於該出光口。
2. 如請求項1所述之檢測裝置，更包括一基板，設置於該均光元件及該檢測電極之間。
3. 如請求項2所述之檢測裝置，其中該基板具有一貫通孔，該貫通孔係對應於該入光口。
4. 如請求項3所述之檢測裝置，更包括一反射層，設置於該貫通孔之側壁面。
5. 如請求項2所述之檢測裝置，其中該基板沿該中心軸之方向之厚度小於0.3mm。
6. 如請求項2所述之檢測裝置，其中該待測光源沿垂直於該中心軸之方向之寬度為Wy，該些檢測電極沿該中心軸之方向之最大厚度為T1，該基板沿該中心軸之方向之厚度為T2，欲檢測該待測光源所發出之光線之一範圍的邊緣至該中心軸之角度為θ1，該待測光源沿該範圍的邊緣所發出之光線入射於該基板時之折射方向至該中心軸之角度為θ2，且符合以下條件：2Rin=Wy+2(T1tanθ1+T2tanθ2)。
7. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該些檢測電極為透明的。
8. 如請求項1所述之檢測裝置，其中各該檢測電極具有一連接端及一接觸端，各該連接端與該均光元件相連，各該接觸端較各該連接端接近於該中心軸，各該接觸端用以與該待測光源電性連接，各該連接端沿該中心軸之厚度小於各該接觸端沿該中心軸之厚度。
9. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該至少一散射區相鄰於該出光口。
10. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該至少一反射區相鄰於該入光口。
11. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該至少一散射區佔該內表面之比例60%以上且小於100%。
12. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該至少一散射區之數量為多個，該至少一反射區之數量為多個，該些散射區及該些反射區沿該中心軸交錯排列。
13. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該基準點位於該中心軸時y0為零，該基準點位於該中心軸及該最短曲線之間時y0為正，該中心軸位於該基準點及該最短曲線之間時y0為負，該基準點位於該入光端緣時z0為零，該入光端緣位於該基準點及該出光端緣之間時z0為正，該基準點位於該入光端緣及該出光端緣之間時z0為負，該基準線平行於該中心軸時θr為零，從該入光端緣朝向該出光端緣具有一方向，該 基準線所在之該直線與該中心軸具有一相交點時，自該相交點沿該方向延伸的範圍中，該基準線所在之該直線位於該中心軸及該最短曲線之間時θr為正，該中心軸位於該基準線所在之該直線及該最短曲線之間時θr為負。
14. 如請求項13所述之檢測裝置，其中z0為零，y0為-Rin，θr為-φout/2。
15. 如請求項14所述之檢測裝置，其中該最短曲線於該出光端緣之切線與該中心軸平行。
16. 如請求項14所述之檢測裝置，其中該第二端點至該中心軸之垂直距離為Rout，且符合Rout=Rin/sin(-θr)。
17. 如請求項14所述之檢測裝置，其中該入光端緣至該出光端緣之最短距離為L，且符合L=Rin(1+1/sin(-θr))/tan(-θr)。
18. 如請求項13所述之檢測裝置，其中z0為零，y0為零，θr為零。