TWI496193B - 在隆起之特徵部上沉積高度保形之非晶碳膜的方法 - Google Patents

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Description

在隆起之特徵部上沉積高度保形之非晶碳膜的方法
本發明係關於製造半導體裝置的方法，且尤其關於在隆起之特徵部上沉積高度保形之非晶碳膜。
在半導體製造方面有對在先進裝置中發現之隆起之特徵部上低溫沉積保形之碳膜的新方法之需求。現有沉積碳膜的方法包含受到隆起之特徵部上之非保形沉積所苦之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)，其中該碳膜優先沉積在隆起之特徵部的頂部以及隆起之特徵部之間的區域，而少量碳膜沉積在隆起之特徵部的側壁上。
本發明之實施例提供用以在基板上的隆起之特徵部上沉積高度保形之非晶碳膜的處理方法。在一範例中，保形之碳膜可加以圖案化，並作為用以將特徵部蝕刻至下方材料層或基板之硬遮罩。
根據本發明之實施例，該方法包含在處理腔室中的基板支座上提供基板，其中該基板包含具有頂面及側壁表面的隆起之特徵部；使處理氣體流入處理腔室，其中該處理氣體包含碳氫氣體、含氧氣體、以及選擇性的氬或氦；在處理腔室中維持等於或大於1 Torr的處理氣體之氣壓；以及使用微波電漿源自處理氣體形成電漿。該方法更包含將基板曝露至電漿以在隆起之特徵部的頂面和側壁表面上沉積保形之非晶碳膜，其中在頂面上的保形之非晶碳膜的厚度與在側壁表面上的保形之非晶碳膜的厚度之比率(d(頂部)/d(側壁))小於2。
根據另一實施例，該方法包含在處理腔室中的基板支座上提供基板，其中該基板包含具有頂面及側壁表面的隆起之特徵部；流入包含連續流量的含氧氣體和可選擇性的氬或氦、以及脈波式流量的碳氫氣體之處理氣體；在處理腔室中維持至少1 Torr 的處理氣體壓力；以及使用包含面朝基板之輻射線槽孔天線(RLSA)的微波電漿源自處理氣體形成電漿，其中該碳氫氣體包含不被電漿激發打斷之碳-碳三化學鍵。該方法更包含將基板曝露至電漿以便在隆起之特徵部的表面上沉積保形之非晶碳膜，其中在頂面上的保形之非晶碳膜的厚度與在側壁表面上的保形之非晶碳膜的厚度之比率(d(頂部)/d(側壁))小於2。
本發明之實施例將參考其中顯示本發明之示範實施例的隨附圖式加以說明。接下來的敘述並非要限制揭露事項的範圍、可應用性、或配置。反之，接下來數個示範實施例的敘述將提供使本領域中具有通常技術者得以實施本發明之示範實施例的敘述。應注意到本發明之實施例能在不離開如隨附之請求項中所提出之本發明的精神及範圍內的情況下以不同的形式體現。
本發明之實施例涉及用以在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜的處理方法。用以在隆起之特徵部上沉積非晶碳膜的習知電漿沉積方法(例如PECVD)為非保形沉積特性所苦。非保形沉積導致在隆起之特徵部的頂面上以及在隆起之特徵部之間的表面上之視線上優先的碳沉積、及在隆起之特徵部的側壁上減少的碳沉積。
圖1A至1C示意地顯示根據本發明之實施例在基板上的隆起之特徵部上的保形之非晶碳膜的沉積以及隨後的圖案化之碳硬遮罩的形成，並且圖2描述根據本發明之實施例在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜的方法之流程圖200。
步驟202中，在處理腔室中的基板支座上提供結構100，其包含具有區域表面107的基板104、以及具有頂面105和側壁表面103的隆起之特徵部106。根據本發明之實施例，處理腔室可為圖5所述之包含輻射線槽孔天線(RLSA)電漿源之電漿處理系統的一部份。基板104可包含例如矽(Si)。隆起之特徵部106可包含例如Si，並且可使用本領域中具有通常技術者熟知之各種微影及蝕 刻方法來形成。根據一些範例，隆起之特徵部106可具有例如小於100 nm、小於50 nm、小於30 nm、或小於20 nm的寬度。在一些範例中，隆起之特徵部可具有例如大於0.5、大於1、大於2、大於3、大於5、或大於10的高寬比(高度/寬度)。
步驟204中，使包含碳氫氣體、含氧氣體、並選擇性地包含氬或氦之處理氣體流入處理腔室。碳氫氣體具有通式Cx Hy ，並可包含C4 H4 、C4 H6 、C6 H6 、或其組合。根據一實施例，碳氫氣體可包括含有碳-碳三鍵(C≡C)之分子，例如C4 H6 (1-丁炔(1-butyne)或2-丁炔(2-butyne))。在一些實施例中，碳-碳三化學鍵不被電漿激發破壞，且被認為增加等向沉積為非晶碳膜的程度。含氧氣體可包含O2 、H2 O、或O2 及H2 O兩者。在一範例中，處理氣體可包含或由C4 H6 氣體、O2 、以及選擇性的氬或氦組成。在一些範例中，氬或氦氣的流速可介於100每分鐘標準立方公分(standard cubic centimeter per minute,sccm)及500 sccm之間、介於500 sccm及1000 sccm之間、介於1000 sccm及2000 sccm之間、介於2000 sccm及3000 sccm之間、介於3000 sccm及4000 sccm之間、或大於4000 sccm。在一些範例中，碳氫氣體的流速可介於10 sccm及200 sccm之間，例如介於40 sccm及60 sccm之間、介於60 sccm及80 sccm之間、介於80 sccm及100 sccm之間、或大於100 sccm。在一些範例中，含氧氣體的流速可介於10 sccm及100 sccm之間，例如介於10 sccm及40 sccm之間、或介於40 sccm及100 sccm之間。
步驟206中，在處理腔室中維持至少1 Torr的處理氣體壓力。發明人已發現到使用大於300 mTorr(例如至少1 Torr)之處理氣體壓力，可避免在側壁表面103的底部附近之非晶碳膜中形成裂縫，並且導致側壁表面103上的膜沉積速率改善。又，在包含碳-碳三鍵(例如C4 H6 )之碳氫氣體的情況中，據推測將含氧氣體添加至處理氣體增加在處理腔室中藉由電漿之碳氫化合物基的形成。在處理腔室中所增加之碳氫化合物基的形成被認為增強膜沉積製程的等向特性，並因此增進所沉積之非晶碳膜的保形性。處理腔室中的處理氣體壓力可藉由連結至排氣管線及真空泵之壓力控制 閥加以精準控制。在一些範例中，處理氣體壓力可介於1 Torr及10 Torr之間、介於1 Torr及5 Torr之間、介於2 Torr及4 Torr之間、介於1 Torr及2 Torr之間、介於2 Torr及3 Torr之間、介於3 Torr及4 Torr之間、介於4 Torr及5 Torr之間、或大於5 Torr。
步驟208中，電漿係在處理腔室中使用微波電漿源自處理氣體形成。電漿源可包含設置於處理腔室中、且能產生介於1000 W及5000 W之間(例如介於1000 W及2000 W之間、介於2000 W及3000 W之間、介於3000 W及4000 W之間、或介於4000 W及5000 W之間)的微波功率之RLSA電漿源。
步驟210中，將基板104及隆起之特徵部106曝露至電漿以便在隆起之特徵部106的表面上沉積保形之非晶碳膜。圖1B顯示包含沉積在圖1A中結構100上的保形之非晶碳膜108之結構101。保形之非晶碳膜108具有基板104之區域表面107上的厚度113、隆起之特徵部106之側壁表面103上的厚度111、以及隆起之特徵部106之頂面105上的厚度109。在一些範例中，厚度109、111、及113之一或多者可介於5 nm及100 nm之間，例如介於5 nm及10 nm之間、介於20 nm及30 nm之間、介於30 nm及50 nm之間、或介於50 nm及100 nm之間。根據本發明之實施例，厚度109和111的比率(d(頂部)/d(側壁))小於2、小於1.5、或小於1.3(例如約1.2)。
圖1C顯示藉由非等向蝕刻圖1B中之結構101而形成之結構102。在此範例中，保形之非晶碳膜108係使用非等向電漿蝕刻製程加以圖案化，並且圖案化之非晶碳膜110可作為用以蝕刻特徵部至下方的基板104之硬遮罩。之後，可使用熟知的灰化製程輕易地將圖案化之非晶碳膜110移除。
圖3A及3B顯示根據本發明之實施例用以在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜的氣體流量圖。圖3A中的氣體流量圖包含固定或實質上固定之碳氫氣體及含氧氣體的各別氣體流量402及404。雖然未顯示在圖3A中，亦可使用固定或實質上固定之Ar或He氣體流量。膜沉積開始於時間t0 並結束於時間t1 。 示範性的沉積時間可介於約10秒及約120秒之間，例如介於約10秒及約30秒之間、介於約30秒及約60秒之間、或介於約60秒及約120秒之間。圖3B中的氣體流量圖包含固定或實質上固定之含氧氣體的氣體流量414，以及碳氫氣體的連續脈波412a1 、412a2 、412a3 、...、412an 。在一些範例中，碳氫氣體的脈波數可介於約10及約50之間、介於約50及約100之間、介於約100及約200之間、或大於200。在一些範例中，脈波長度可介於約0.1秒及約30秒之間、或介於約1秒及約20秒之間。
圖4顯示作為O2 氣體流量的函數之碳膜保形性。往回參考圖1A及1B，碳膜保形性數值的程度表示為d(頂部)/d(側壁)，其中1.0的保形性表示在隆起之特徵部106的頂面105上、以及在隆起之特徵部106的側壁表面103上之非晶碳膜108的厚度相等。非晶碳膜具有介於約10 nm及約20 nm之間的厚度，並且沉積在具有寬度及高度約80 nm的隆起之特徵部上。處理氣體由C4 H6 、O2 、及Ar組成。C4 H6 的氣體流速約為80 sccm、Ar的氣體流速約為2500 sccm、並且O2 的氣體流速從約0 sccm變化至約90 sccm。隆起之特徵部上的碳膜保形性數值範圍在O2 流量為0 sccm時大於2、低O2 氣體流量(30 sccm)時為大於1.5、中等O2 氣體流量(60 sccm)時為約1.2、以及高O2 氣體流量(90 sccm)時為大於2。
圖4中，低和高O2 氣體流量時之高碳膜保形性數值顯示在隆起之特徵部上的不佳碳膜保形性。在零或低O2 氣體流量，不佳的碳膜保形性被認為是因為碳氫氣體的低度氧輔助分解。在高O2 氣體流量，不佳的碳膜保形性被認為是因為擇一性的膜沉積和膜蝕刻而導致非晶碳膜的淨沉積速率低。相較之下，中等O2 氣體流量提供碳氫氣體的高度分解以及低度的膜蝕刻，其導致優越的碳膜保形性。
圖5係根據本發明之實施例用以在基板上沉積保形之非晶碳膜之包含輻射線槽孔天線(RLSA)電漿源的電漿處理系統之示意圖。如此圖所示，電漿處理系統10包含處理腔室20(真空腔室)、天線單元50(RLSA)、以及基板支座21。處理腔室20的內部大致 上區分為位於電漿氣體供應單元30下方的電漿產生區域R1、以及在基板支座21側邊的電漿擴散區域R2。產生在電漿產生區域R1中的電漿可具有數電子伏特(eV)之電子溫度。當電漿擴散進入膜形成製程所執行之電漿擴散區域R2時，基板支座21附近之電漿的電子溫度降至低於約2 eV的值。基板支座21係設置在處理腔室20的底部中央上，並作為用以安裝基板W之安裝單元。基板支座21中，提供有用以控制基板溫度之隔熱構件21a、冷卻套21b、以及溫度控制單元(未顯示於此圖中)。
處理腔室20的頂部為開端式。電漿氣體供應單元30係相對於基板支座21而設置，並且經由如O形環之密封件(未顯示於圖中)附接至處理腔室20的頂部。也可作為介電窗功能之電漿氣體供應單元30係由例如氧化鋁或石英之材料製成，並且其具有實質上圓盤狀之平面表面朝向基板支座21。複數氣體供應孔31係相對於基板支座21設置在電漿氣體供應單元30的平面表面上。複數氣體供應孔31經由氣體流通管道32連通電漿氣體供應口33。電漿氣體供應源34及45提供例如氬(Ar)氣、氦(He)氣、氪(Kr)氣、或其他惰性氣體之電漿氣體進入電漿氣體供應口33。電漿氣體然後經由複數氣體供應孔31均勻地供應進入電漿產生區域R1。
電漿處理系統10更包含處理氣體供應單元40，其實質上設置在介於電漿產生區域R1及電漿擴散區域R2之間的處理腔室20中央。處理氣體供應單元40係由例如包含鎂(Mg)之鋁合金或不銹鋼的傳導材料製成。類似於電漿氣體供應單元30，複數氣體供應孔41係設置在處理氣體供應單元40的平面表面上。處理氣體供應單元40的平面表面係相對於基板支座21而設置，並具有實質上圓盤形狀。
處理腔室20更包含連結至處理腔室20的底部之排氣管線26，以及將該排氣管線連結至壓力控制閥28及真空泵29之真空管線27。壓力控制閥28可用以在處理腔室20中達到期望之氣體壓力。
圖6顯示處理氣體供應單元40之平面圖。如此圖所示， 格狀之氣體流通管道42(也稱為噴淋板)係形成在處理氣體供應單元40內。格狀之氣體流通管道42與在垂直方向形成之複數氣體供應孔41的上端連通。複數氣體供應孔41的下端係朝向基板支座21之開口。類似於先前情況，複數氣體供應孔41經由網格圖案化之氣體流通管道42與處理氣體供應口43連通。
又，複數開口44係形成在處理氣體供應單元40之上，使得複數開口44在垂直方向貫穿處理氣體供應單元40。複數開口44傳送電漿氣體(例如氬(Ar)氣、氦(He)氣、或其他惰性氣體)進入在基板支座21側之電漿擴散區域R2。如圖6所示，複數開口44係形成於相鄰的氣體流通管道42之間。
處理氣體係例如從二獨立的處理氣體供應源46-47供應到處理氣體供應口43。處理氣體供應源46-47各別對應至碳氫氣體(例如C4 H6 )，以及含氧氣體(例如O2 )。電漿氣體(例如Ar氣體)的流速可為從約100 sccm至約4000 sccm的範圍。含氧氣體(例如O2 )的流速可為從約10 sccm至約100 sccm的範圍。碳氫氣體(例如C4 H6 )的流速可在約20 sccm及約200 sccm之間的範圍。可用作電漿氣體和處理氣體之氣體的更詳細列表係參考圖2敘述於上。又，可使用之製程參數(包含處理腔室壓力和基板溫度)的更詳細敘述係參考圖2而描述於上。
電漿氣體、碳氫氣體、以及含氧氣體之一或更多者流過格狀之氣體流通管道42，並且經由複數氣體供應孔41均勻地供應進入電漿擴散區域R2。電漿處理系統10更包含用以各別控制電漿氣體、碳氫氣體、以及含氧氣體之供應的四閥門(V1至V4)以及四流速控制器(MFC1至MFC4)。
外部微波產生器55經由同軸波導54提供預定頻率(例如2.45 GHz)之微波信號至天線單元50。同軸波導54可包含內導體54B及外導體54A。來自微波產生器55的微波能量在電漿氣體供應單元30的正下方、電漿產生區域R1中產生電場，因此在處理腔室20內造成電漿氣體(例如Ar氣體、He氣體、或其他惰性氣體)的激發。
圖7說明天線單元50(RLSA)之部份橫剖面圖。如此圖所示，天線單元50可包含平面天線主體51、輻射線槽孔板52、以及介電板53以縮短微波信號的波長。平面天線主體51呈圓形並具有開端式底面。輻射線槽孔板52係形成為封閉平面天線主體51之開端式底面。平面天線主體51及輻射線槽孔板52係由傳導材料製作成平面中空圓形波導。
複數槽孔56係設置在輻射線槽孔板52上以產生圓形極化波。複數槽孔56係以其間具有細縫、沿圓周方向呈同心圓圖案或螺旋圖案的實質上T狀形式來配置。由於槽孔56a及56b互相垂直，故使包含二正交極化分量之圓形極化波如平面波般從輻射線槽孔板52發射出來。
介電板53係由低損介電材料(例如氧化鋁(Al2 O3 )或氮化矽(Si3 N4 ))製成，其設置於輻射線槽孔板52與平面天線主體51之間。如圖5所示，輻射線槽孔板52係使用密封構件(未顯示於圖5)安裝在處理腔室20之上，以使輻射線槽孔板52與蓋板23緊密接觸。蓋板23係設置在電漿氣體供應單元30的上表面之上，且由如氧化鋁(Al2 O3 )之微波傳輸介電材料形成。
參考圖5，外部高頻電力供應源22係經由匹配網路25電性連接至基板支座21。外部高頻電力供應源22產生用以控制被吸引到基板W的離子能量之預定頻率(例如13.56 MHz)的RF偏壓功率。電力供應源22更配置為選擇性地提供RF偏壓功率之脈波，脈波頻率可高於1 Hz，例如2 Hz、4 Hz、6 Hz、8 Hz、10 Hz、20 Hz、30 Hz、50 Hz、或更高。示範性的RF偏壓功率可介於約100 W及約200 W之間、介於約200 W及約300 W之間、介於約300 W及約400 W之間、或介於約400 W及約500 W之間。注意到本領域中具有通常技術者將瞭解電力供應源22之功率位準和欲處理之基板的尺寸有關。舉例而言，300 mm Si晶圓在處理期間需要比200 mm晶圓更大的功率消耗。電漿處理系統10更包含能選擇性地供應介於約-5 kV及約+5 kV之間的DC偏壓至基板支座21之DC電壓產生器35。
於保形之非晶碳膜的形成期間，電漿氣體(例如Ar氣)可使用電漿氣體供應單元30導入處理腔室20。另一方面，碳氫氣體、含氧氣體、以及作為氣體載體之Ar可使用處理氣體供應單元40導入處理腔室20。如圖7所示，碳氫氣體及含氧氣體亦可使用電漿氣體供應單元30導入處理腔室20。
已敘述提供用以在隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜的處理方法之複數實施例。先前描述之本發明之實施例已提出作為說明及敘述的用途。其目的並非要詳盡無遺或將本發明限制於所揭露的精確形式。此說明書及以下申請專利範圍包含僅作為敘述用途且不應解釋為限制性的用語。舉例而言，在此處(包含申請專利範圍)使用的用語「之上」(“on”)，並非要求膜直接在基板之上且與基板直接接觸；可以有第二膜或其他結構介於膜與基板之間。
相關領域中具有通常技術者可瞭解依照以上教示能做許多修改及變化。本領域中具有通常技術者將察覺圖式中所示各種元件之各種均等組合及替代物。因此，欲使本發明之範圍非由此詳細說明書限制，而是由其隨附之申請專利範圍所限制。
10‧‧‧電漿處理系統
20‧‧‧處理腔室
21‧‧‧基板支座
21a‧‧‧隔熱構件
21b‧‧‧冷卻套
22‧‧‧電力供應源
23‧‧‧蓋板
25‧‧‧匹配網路
26‧‧‧排氣管線
27‧‧‧真空管線
28‧‧‧壓力控制閥
29‧‧‧真空泵
30‧‧‧電漿氣體供應單元
31‧‧‧氣體供應孔
32‧‧‧氣體流通管道
33‧‧‧電漿氣體供應口
34、45‧‧‧電漿氣體供應源
35‧‧‧DC電壓產生器
40‧‧‧處理氣體供應單元
41‧‧‧氣體供應孔
42‧‧‧氣體流通管道
43‧‧‧處理氣體供應口
44‧‧‧開口部
46、47‧‧‧處理氣體供應源
50‧‧‧天線單元
51‧‧‧平面天線主體
52‧‧‧輻射線槽孔板
53‧‧‧介電板
54‧‧‧同軸波導
54A‧‧‧外導體
54B‧‧‧內導體
55‧‧‧微波產生器
56、56a、56b‧‧‧槽孔
100、101、102‧‧‧結構
103‧‧‧側壁表面
104‧‧‧基板
105‧‧‧頂面
106‧‧‧隆起之特徵部
107‧‧‧區域表面
108‧‧‧非晶碳膜
109、111、113‧‧‧厚度
110‧‧‧圖案化之非晶碳膜
200‧‧‧流程圖
202、204、206、208、210‧‧‧步驟
402、404、414‧‧‧氣體流量
412a1 、412a2 、412a3 、412an ‧‧‧氣體連續脈波
MFC1、MFC2、MFC3、MFC4‧‧‧流速控制器
R1‧‧‧電漿產生區域
R2‧‧‧電漿擴散區域
V1、V2、V3、V4‧‧‧閥門
W‧‧‧基板
圖1A至1C示意地顯示根據本發明之實施例在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜以及隨後形成圖案化碳硬遮罩。
圖2描述根據本發明之實施例在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之非晶碳膜的方法之流程圖。
圖3A及3B顯示根據本發明之實施例用以在基板上的隆起之特徵部上沉積保形之碳膜的氣體流量圖。
圖4顯示作為O2 氣體流量的函數之碳膜保形性。
圖5係根據本發明之實施例用以在基板上沉積保形之非晶碳膜之包含輻射線槽孔天線(RLSA)電漿源的電漿處理系統之示意圖。
圖6說明圖5中電漿處理系統的氣體供應單元之平面圖。
圖7說明圖5中電漿處理系統的天線部之部份橫剖面圖。
202、204、206、208、210‧‧‧步驟

Claims (19)

  1. 一種用以形成半導體裝置的方法，包含：在處理腔室中的基板支座上提供基板，其中該基板包含具有頂面及側壁表面的隆起之特徵部；使處理氣體流入該處理腔室中，其中該處理氣體包含碳氫氣體及含氧氣體，且其中流入該處理氣體包括該含氧氣體之連續流量、以及包含該碳氫氣體之連續脈波的該碳氫氣體之流量；在該處理腔室中維持至少1Torr之處理氣體壓力；使用微波電漿源自該處理氣體形成電漿；以及將該基板曝露至該電漿，以在該隆起之特徵部的表面上沉積保形之非晶碳膜，其中在該頂面上的該保形之非晶碳膜的厚度與在該側壁表面上的該保形之非晶碳膜的厚度之比率小於2。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，更包含：於該曝露期間施加射頻(RF)偏壓功率至該基板支座。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該處理腔室中之該處理氣體的該處理氣體壓力介於1Torr及5Torr之間。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，更包含：使該基板支座的溫度維持低於200℃。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中形成該電漿包括藉由包含面朝該基板之輻射線槽孔天線(RLSA)的該微波電漿源激發該處理氣體。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該碳氫氣體包含不被電漿激發破壞之碳-碳三化學鍵。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該碳氫氣體包含C4 H4 、C4 H6 、C6 H6 、或其組合。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該含氧氣體包含O2 、H2 O、或O2 及H2 O兩者。
  9. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該處理氣體包含C4 H6 及O2 。
  10. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該比率小於1.4。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，更包含：蝕刻該保形之非晶碳膜以形成圖形化之硬遮罩。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以形成半導體裝置的方法，其中該處理氣體更含有氬、氦、或氬及氦兩者。
  13. 一種用以形成半導體裝置的方法，包含：在處理腔室中的基板支座上提供基板，其中該基板包含具有頂面及側壁表面的隆起之特徵部；使處理氣體流入該處理腔室中，其中該處理氣體包括含氧氣體之連續流量、以及包含碳氫氣體之連續脈波的該碳氫氣體之流量；在該處理腔室中維持至少1Torr之處理氣體壓力；使用包含面朝該基板之輻射線槽孔天線(RLSA)的微波電漿源自該處理氣體形成電漿，其中該碳氫氣體包含不被電漿激發破壞之碳-碳三化學鍵；以及將該基板曝露至該電漿，以在該隆起之特徵部的表面上沉積保形之非晶碳膜，其中在該頂面上的該保形之非晶碳膜的厚度與 在該側壁表面上的該保形之非晶碳膜的厚度之比率小於2。
  14. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，更包含：於該曝露期間施加射頻(RF)偏壓功率至該基板支座。
  15. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，其中該處理腔室中之該處理氣體的該處理氣體壓力介於1Torr及5Torr之間。
  16. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，更包含：使該基板支座的溫度維持低於200℃。
  17. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，其中該 含氧氣體包含O2 、H2 O、或O2 及H2 O兩者。
  18. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，其中該處理氣體包含C4 H6 及O2 。
  19. 如申請專利範圍第13項之用以形成半導體裝置的方法，其中該比率小於1.4。
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