TWI492015B - 能帶隙參考電壓產生電路與使用其的電子系統 - Google Patents

Description

能帶隙參考電壓產生電路與使用其的電子系統

本發明乃是關於一種能帶隙參考電壓產生電路，特別是指一種獨立於系統電壓與溫度的能帶隙參考電壓產生電路。

在高科技不斷的創新改進下，消費性電子產品已逐漸普及於人們的生活中，尤其各種手持式電子裝置，例如：手機、數位相機、個人數位助理或平板電腦等，因其輕薄短小，可隨身攜帶的特性深受人們的喜愛。然而，手持式電子裝置在使用上須考量電源能量供應時間長短的問題，目前多利用如鎳氫電池及鋰電池等電池裝置，加上額外搭配符合電池裝置規格之充電器使用。

先前技藝下，能帶隙參考電壓源電路的設計是該領域中眾所周知的，這些電路被設計以提供一獨立於電路中溫度變化的電壓標準。能帶隙參考電壓源的參考電壓是一個雙載子接面電晶體(雙載子電晶體)的基極與射極間所發展的電壓Vbe和另外兩個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe之差(△Vbe)的函數。第一個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe具有一個負的溫度係數，或者當溫度升高時基極-射極電壓Vbe將會減少。另外兩個雙載子電晶體的差分電壓△Vbe將會具有一個正的溫度係數，這就意味著當溫度升高時該差分基極-射極電壓△Vbe也隨之升高。獨立於能帶隙電壓參考電壓源之溫度的參考電壓通過縮放差分基極-射 極電壓△Vbe以及求其與第一個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe的和而得到調整。然而，一般的參考電壓產生電路通常都可能會遭遇到環境溫度的改變或系統電壓變異而影響到參考電壓的穩定度之相關問題。

本發明實施例提供一種能帶隙參考電壓產生電路，用以提供一參考電壓。能帶隙參考電壓產生電路包括三端電流源電路、緩衝器、差動放大電路、回授電路、第一電晶體、第二電晶體、第三電阻與第四電阻。三端電流源電路接收系統電壓並且當系統電壓之電壓值大於第一門檻值時，則輸出第一電流，其中三端電流源電路用以提高能帶隙參考電壓產生電路之電源拒斥比，以穩定第一電流。緩衝器電性連接系統電壓與三端電流源電路並且接收三端電流源電路所輸出之第一電壓，其中第一電壓之幅值被緩衝器予以鎖定。差動放大電路電性連接三端電流源電路，所述差動放大電路接收第一輸入電壓、第二輸入電壓與第一電流，並且據此輸出參考電壓，其中第一電流用以偏壓差動放大電路。回授電路接收參考電壓並且根據分壓比值輸出回授電壓。第一電晶體之集極透過第一電阻電性連接至參考電壓，第一電晶體之基極接收回授電壓以偏壓在主動區。第二電晶體之集極透過第二電阻電性連接至參考電壓，第二電晶體之基極接收回授電壓以偏壓在主動區。第三電阻之一端連接第一電晶體之射極，其中透過調整第三電阻之阻值以補償參考電壓之溫度曲線。第四電阻之一端連接第三電阻之另一端與第二電晶體之射極，第四電阻之另一端連接接地電壓。

在本發明其中一個實施例中，回授電壓為參考電壓與分壓比值之乘積。

在本發明其中一個實施例中，第一電晶體之射極面積大於第 二電晶體之射極面積。

在本發明其中一個實施例中，三端電流源電路包括第三電晶體、第四電晶體、第五電阻與第六電阻。第三電晶體之汲極連接系統電壓。第四電晶體之汲極連接第三電晶體之源極。第五電阻之一端連接第四電晶體之源極，第五電阻之另一端連接第三電晶體之閘極。第六電阻之一端連接第五電阻之另一端，第六電阻之另一端連接第四電晶體之閘極。第三電晶體、第四電晶體與第五電晶體為空乏型電晶體。

在本發明其中一個實施例中，緩衝器包括第五電晶體。第五電晶體之汲極連接系統電壓，第五電晶體之閘極連接第五電阻之另一端，第五電晶體之源極輸出參考電壓，其中第五電晶體為空乏型電晶體。

在本發明其中一個實施例中，差動放大電路包括第六電晶體、第七電晶體與第七電阻。第六電晶體之集極連接第六電阻之另一端以接收第一電流，第六電晶體之基極接收第一輸入電壓。第七電晶體之集極連接第五電晶體之源極，第七電晶體之基極接收第二輸入電壓，第七電晶體之射極連接第六電晶體之射極。第七電阻之一端連接第七電晶體之射極，第七電阻之另一端連接接地電壓。

在本發明其中一個實施例中，差動放大電路更包括第八電晶體。第八電晶體之汲極連接第七電晶體之射極，第八電晶體之閘極連接第三電阻之一端，其中第八電晶體為空乏型電晶體，其中第八電晶體與第七電阻形成一電流槽。

在本發明其中一個實施例中，差動放大電路更包括第九電晶體。第九電晶體之汲極連接第七電晶體之射極，第九電晶體之閘極連接第七電阻之另一端，第九電晶體之源極連接第七電阻之一端，其中第九電晶體為空乏型電晶體並且第九電晶體與第七電阻形成電流槽。

在本發明其中一個實施例中，回授電路為電阻分壓電路，並且回授電路包括第八電阻與第九電阻。第八電阻之一端連接第五電晶體之源極，第八電阻之另一端連接至第一及第二電晶體之基極。第九電阻之一端連接第八電阻之另一端，第九電阻之另一端連接接地電壓。分壓比值為第九電阻之阻值除以第八電阻與第九電阻之阻值的總和，並且透過分壓比值之調整來適應性地調整參考電壓之電壓值。

本發明實施例提供一種電子系統，電子系統包括能帶隙參考電壓產生電路與負載。能帶隙參考電壓產生電路包括三端電流源電路、緩衝器、差動放大電路、回授電路、第一電晶體、第二電晶體、第三電阻與第四電阻。三端電流源電路接收系統電壓並且當系統電壓之電壓值大於第一門檻值時，則輸出第一電流，其中三端電流源電路用以提高能帶隙參考電壓產生電路之電源拒斥比，以穩定第一電流。緩衝器電性連接系統電壓與三端電流源電路並且接收三端電流源電路所輸出之第一電壓，其中第一電壓之幅值被緩衝器予以鎖定。差動放大電路電性連接三端電流源電路，所述差動放大電路接收第一輸入電壓、第二輸入電壓與第一電流，並且據此輸出參考電壓，其中第一電流用以偏壓差動放大電路。回授電路接收參考電壓並且根據分壓比值輸出回授電壓。第一電晶體之集極透過第一電阻電性連接至參考電壓，第一電晶體之基極接收回授電壓以偏壓在主動區。第二電晶體之集極透過第二電阻電性連接至參考電壓，第二電晶體之基極接收回授電壓以偏壓在主動區。第三電阻之一端連接第一電晶體之射極，其中透過調整第三電阻之阻值以補償參考電壓之溫度曲線。第四電阻之一端連接第三電阻之另一端與第二電晶體之射極，第四電阻之另一端連接接地電壓。負載電性連接能帶隙參考電壓產生電路以接收參考電壓。

綜上所述，本發明實施例所提出之能帶隙參考電壓產生電路 與電子系統，透過三端電流源電路與來使得能帶隙參考電壓產生電路提供一個能獨立於系統電壓的參考電壓。再者，能帶隙參考電壓產生電路所產生之參考電壓具有良好之溫度效應。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

100、200、300、400‧‧‧能帶隙參考電壓產生電路

900‧‧‧電子系統

910‧‧‧能帶隙參考電壓產生電路

920‧‧‧負載

110‧‧‧三端電流源電路

120‧‧‧緩衝器

130‧‧‧差動放大電路

140‧‧‧回授電路

GND‧‧‧接地電壓

Q1‧‧‧第一電晶體

Q2‧‧‧第二電晶體

Q3‧‧‧第三電晶體

Q4‧‧‧第四電晶體

Q5‧‧‧第五電晶體

Q6‧‧‧第六電晶體

Q7‧‧‧第七電晶體

Q8‧‧‧第八電晶體

Q9‧‧‧第九電晶體

R1‧‧‧第一電阻

R2‧‧‧第二電阻

R3‧‧‧第三電阻

R4‧‧‧第四電阻

R5‧‧‧第五電阻

R6‧‧‧第六電阻

R7‧‧‧第七電阻

R8‧‧‧第八電阻

R9‧‧‧第九電阻

I‧‧‧第一電流

V1‧‧‧第一電壓

VIN1‧‧‧第一輸入電壓

VIN2‧‧‧第二輸入電壓

VF‧‧‧回授電壓

VSS‧‧‧系統電壓

VREF‧‧‧參考電壓

圖1為根據本發明例示性實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之區塊示意圖。

圖2為根據本發明之另一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。

圖3為根據本發明之一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。

圖4為根據本發明之一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。

圖5為根據本發明實施例之參考電壓相對於系統電壓之模擬曲線圖。

圖6為根據本發明實施例之參考電壓相對於負載電流之模擬曲線圖。

圖7為根據本發明實施例之參考電壓相對於溫度之模擬曲線圖。

圖8為根據本發明實施例之參考電壓的偏移量相對於溫度之模擬曲線圖。

圖9為根據本發明實施例之電子系統之示意圖。

在下文將參看隨附圖式更充分地描述各種例示性實施例，在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明概念可能以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文中所闡述之例示性實施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。在諸圖式中，可為了清楚而誇示層及區之大小及相對大小。類似數字始終指示類似元件。

應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件，但此等元件不應受此等術語限制。此等術語乃用以區分一元件與另一元件。因此，下文論述之第一元件可稱為第二元件而不偏離本發明概念之教示。如本文中所使用，術語「及/或」包括相關聯之列出項目中之任一者及一或多者之所有組合。

〔能帶隙參考電壓產生電路的實施例〕

請參照圖1，圖1為根據本發明例示性實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之區塊示意圖。如圖1所示，能帶隙參考電壓產生電路100包括三端電流源電路110、緩衝器120、差動放大電路130、回授電路140、第一電晶體Q1、第二電晶體Q2、第三電阻R3與第四電阻R4。三端電流源電路110電性連接系統電壓VSS。緩衝器120電性連接系統電壓VSS與三端電流源電路110。差動放大電路130電性連接三端電流源電路110。回授電路140電性連接差動放大電路130與緩衝器120。第一電晶體Q1之集極透過第一電阻R1電性連接至參考電壓VREF，並且第一電晶體Q1之基極電性連接回授電路140。第二電晶體Q2之集極透過第二電阻R2電性連接至參考電壓VREF，並且第二電晶體Q2之基極電性連接回授電路140。第三電阻R3之一端電性連接第一電晶體Q1之射極。第四電阻R4之一端電性連接第三電阻R3之另一端與第二電晶體Q2之射極。

關於三端電流源電路110，三端電流源電路110用以接收系統電壓VSS並且當系統電壓VSS之電壓值大於第一門檻值(例如一工 作電壓下限值)時，則三端電流源電路110會輸出第一電流I。再者，三端電流源電路110用以提高能帶隙參考電壓產生電路100之電源拒斥比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)，以穩定第一電流I。此外，三端電流源電路110會輸出一第一電壓V1至緩衝器120。在一實施例中，當系統電壓VSS之電壓值大於3.2伏特時，三端電流源電路110所產生之電流I會開始進入穩定狀態，並且在系統電壓VSS為3.2伏特至4.2伏特之間都能夠提供穩流至差動放大電路130，以使得差動放大電路130與其輸出之參考電壓VREF不隨著系統電壓VSS之變異而產生大幅的變化。

關於緩衝器120，緩衝器120用以接收三端電流源電路110所輸出之第一電壓V1，並且作為輸出電流之驅動器(driver)。此外，透過緩衝器來將第一電壓V1之幅值予以鎖定。

關於差動放大電路130，差動放大電路130接收第一輸入電壓VIN1、第二輸入電壓VIN2與第一電流I，並且據此操作在主動區(active region)，其中第一電流I為用以偏壓所述差動放大電路130。

關於回授電路140，回授電路140具有一分壓比值，用以接收參考電壓VREF並且根據分壓比值來輸出回授電壓VF，其中回授電壓VF為參考電壓VREF與分壓比值之乘積。

關於第一電晶體Q1、第二電晶體Q2、第三電阻R3與第四電阻R4，其中第一電晶體Q1、第二電晶體Q2用以接收回授電路140所產生之回授電壓VF以偏壓在主動區(active region)。此外，在一環境溫度範圍內(例如攝氏負55度~攝氏125度)，透過第一電晶體Q1、第二電晶體Q2、第三電阻R3與第四電阻R4來使得能帶隙參考電壓產生電路100所產生之參考電壓VREF為接近或等於零溫度係數之電壓，並且透過調整第三電阻R3之阻值以補償參考電壓VREF之溫度曲線。

在本實施例中，第一電晶體Q1之射極面積大於第二電晶體Q2之射極面積，並且在一例示性實施例，第一電晶體Q1之射極面積 為第二電晶體Q2之射極面積的八倍，以使得能帶隙參考電壓產生電路100之效能更為優良，但並不以此為限。

為了更詳細地說明本發明所述之能帶隙參考電壓產生電路100的運作流程，以下將舉多個實施例中至少之一來作更進一步的說明。

在接下來的多個實施例中，將描述不同於上述圖1實施例之部分，且其餘省略部分與上述圖1實施例之部分相同。此外，為說明便利起見，相似之參考數字或標號指示相似之元件。

〔能帶隙參考電壓產生電路的另一實施例〕

請參照圖2，圖2為根據本發明之另一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。與上述圖1實施例不同的是，在圖2實施例的能帶隙參考電壓產生電路200，三端電流源電路110包括第三電晶體Q3、第四電晶體Q4、第五電阻R5與第六電阻R6。緩衝器120包括第五電晶體Q5。差動放大電路130包括第六電晶體Q6、第七電晶體Q7、第八電晶體Q8與第七電阻R7。回授電路140包括第八電阻R8與第九電阻R9，且回授電路140為電阻分壓電路。

第三電晶體Q3之汲極電性連接系統電壓VSS。第四電晶體Q4之汲極電性連接第三電晶體Q3之源極。第五電阻R5之一端電性連接第四電晶體Q4之源極，第五電阻R5之另一端電性連接第三電晶體Q3之閘極。第六電阻R6之一端電性連接第五電阻R5之另一端，第六電阻R6之另一端電性連接第四電晶體Q4之閘極。須說明的是，在本實施中的第三電晶體Q3、第四電晶體Q4與第五電晶體Q5為一空乏型電晶體。第五電晶體Q5之汲極電性連接系統電壓VSS，第五電晶體Q5之閘極電性連接第五電阻R5之另一端，並且第五電晶體Q5之源極輸出參考電壓VREF，其中在本實施例中，第五電晶體Q5為空乏型電晶體。第六電晶體Q6之集極電性連接第六電阻R6之另一端以接收第一電流I，並且第六電晶體Q6之基極接收 第一輸入電壓VIN1。第七電晶體Q7之集極電性連接第五電晶體Q5之源極，第七電晶體Q7之基極接收第二輸入電壓VIN2，第七電晶體Q7之射極連接第六電晶體Q6之射極。第八電晶體Q8之汲極電性連接第七電晶體Q7之射極，第八電晶體Q8之閘極電性連接第三電阻R3之一端，第八電晶體Q8之源極電性連接第七電阻R7之一端。第七電阻R7之一端電性連接第八電晶體Q8之源極，並且第七電阻R7之另一端電性連接接地電壓GND，其中第八電晶體Q8為空乏型電晶體並且第八電晶體Q8與第七電阻R7形成一電流槽(current sink)。第八電阻R8之一端電性連接至第五電晶體Q5之源極，第八電阻R8之另一端電性連接至第一及第二電晶體Q1、Q2之基極。第九電阻R9之一端電性連接第八電阻R8之另一端，並且第九電阻R9之另一端連接接地電壓GND。

接下來要教示的，是進一步說明能帶隙參考電壓產生電路200的工作原理。

本揭露內容之能帶隙參考電壓產生電路200不需要任何的啟動電路(start-up circuit)，而只是透過具有電源抑制能力之三端電流源電路110來提供穩定之電流I。進一步來說，當系統電壓VSS大於第一門檻值時，例如3.2伏特(在本實施例中)，則能帶隙參考電壓產生電路200會透過第三電晶體Q3、第四電晶體Q4、第五電阻R5與第六電阻R6之組態，來提供穩定之第一電流，其中值得注意的是，第三及第四電晶體Q3、Q4都是空乏型電晶體，並且在本實施例中，第三及第四電晶體Q3、Q4為假型高速電子移動電晶體(Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)。在一實施例中，由於能夠提供良好的電壓脈動抑制，因此當系統電壓VSS在3.2伏特至4.2伏特之間，能帶隙參考電壓產生電路200能夠使得參考電壓VREF具有良好的電源供應抑制比。

接下來，第六電晶體Q6與第七電晶體Q7會分別接收第一及第二輸入電壓VIN1、VIN2，並且接收來自於三端電流源電路110所 傳送之第一電流I，據此以使整個差動放大電路130進入到主動區(active region)，其中在本實施例中，第八電晶體Q8與第七電阻R7被組態為一電流槽(current sink)。此外，第八電阻R8與第九電阻R9所組態而成之回授電路140會偵測且接收參考電壓VREF，並且根據分壓比值與參考電壓VREF之電壓值的乘積來產生一回授電壓VF，其中分壓比值為第九電阻R9之阻值除以第八電阻R8與該第九電阻R9之阻值的總和。值得注意的是，本揭露內容能夠透過分壓比值之調整來適應性地調整參考電壓VREF之電壓值。接著，在本實施例中，第一電晶體Q1與第二電晶體Q2會接收回授電壓VF並且據此進入主動區。在本實施例中，第一電晶體Q1、第二電晶體Q2、第三電阻R3與第四電阻R4會為回授電壓VF與參考電壓VREF提供良好的溫度補償效應，並且能夠進一步地透過調整第三電阻R3之阻值來補償參考電壓之溫度曲線。在一實施例中，在攝氏負25度至攝氏125度之間的能帶隙參考電壓產生電路200，其參考電壓VREF為具有接近或等於零溫度係數之特性。簡單來說，本揭露內容之能帶隙參考電壓產生電路200所產生之參考電壓VREF具有良好之溫度效應與電源拒斥比(PSRR)。

為了更詳細地說明本發明所述之能帶隙參考電壓產生電路200的運作流程，以下將舉多個實施例中至少之一來作更進一步的說明。

在接下來的多個實施例中，將描述不同於上述圖2實施例之部分，且其餘省略部分與上述圖2實施例之部分相同。此外，為說明便利起見，相似之參考數字或標號指示相似之元件。

〔能帶隙參考電壓產生電路的一實施例〕

請同時參照圖2與圖3，圖3為根據本發明之一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。與上述圖2不同的是，在本實施例之能帶隙參考電壓產生電路300中，差動放大電路130之電流槽具有另一電路組態，即第九電晶體與第七電阻形成一 電流槽，並且第九電晶體為空乏型電晶體，且如圖3所示，第九電晶體Q9之閘極連接至接地電壓GND，其餘細節與上述圖2實施例相同，在此不再贅述。請同時參照圖2與圖4，圖4為根據本發明之一實施例所繪示之能帶隙參考電壓產生電路之細部電路示意圖。相較於圖2實施例，圖4中的差動放大電路130可以不需要第八電晶體Q8，亦即差動放大電路130之電流槽(current sink)只需要第七電阻R7即可，其餘細節與上述圖2實施例相同，在此不再贅述。

接下來，要進一步說明圖2實施例之能帶隙參考電壓產生電路200之各種模擬曲線圖，藉此以驗證本揭露內容之優良功效。請同時參照圖2，圖5~圖8，圖5為根據本發明實施例之參考電壓相對於系統電壓之模擬曲線圖。圖6為根據本發明實施例之參考電壓相對於負載電流之模擬曲線圖。圖7為根據本發明實施例之參考電壓相對於溫度之模擬曲線圖。圖8為根據本發明實施例之參考電壓的偏移量相對於溫度之模擬曲線圖。在PSRR方面，如圖5所示，橫軸表示系統電壓(單位為伏特)並且縱軸表示參考電壓(單位為伏特)，當系統電壓VSS在3.2伏特至4.2伏特之間變動時，參考電壓VREF僅有0.1毫伏特(mV)之變化，因此能帶隙參考電壓產生電路200具有良好的電壓脈動抑制。另外，如圖6所示，橫軸表示負載電流(單位為毫安培)並且縱軸表示參考電壓(單位為伏特)，當負載電流從1毫安培變化至10毫安培時，參考電壓僅有0.08毫伏特之變化。接下來，在溫度補償效應方面，如圖7所示，橫軸表示溫度(單位為攝氏)並且縱軸表示參考電壓(單位為伏特)。在本揭露內容中，能帶隙參考電壓產生電路200在環境溫度於攝氏負55度~攝氏125度之間變化時，參考電壓VREF之電壓值僅有±0.085毫伏特(mV)之變化。從另一觀點來看，如圖8所示，橫軸表示溫度(單位為攝氏)並且縱軸表示參考電壓的偏移量(單位為百分比)，當環境溫度在攝氏負55度~攝氏125度之間變化時，參考電壓VREF之偏移量僅有±0.003%的變化。因此，本揭露內容之能帶隙參考電壓產生電 路200在溫度效應方面具有相當優良的效能。

〔電子系統的一實施例〕

請參照圖9，圖9為根據本發明實施例之電子系統之示意圖。電子系統900包括能帶隙參考電壓產生電路910與連接至能帶隙參考電壓產生電路910之負載920。能帶隙參考電壓產生電路910可以是上述實施例中之能帶隙參考電壓產生電路100、200、300與400的其中之一，且用以提供一參考電壓VREF至負載920或下一級電路。電子系統900可以是各種類型的電子裝置內的系統，電子裝置可以是例如手持裝置或行動裝置等。

〔實施例的可能功效〕

綜上所述，本發明實施例所提出之能帶隙參考電壓產生電路與電子系統，透過三端電流源電路與來使得能帶隙參考電壓產生電路提供一個能獨立於系統電壓的參考電壓。再者，能帶隙參考電壓產生電路所產生之參考電壓具有良好之溫度效應。

在本揭露內容多個實施例中至少一實施例，能帶隙參考電壓產生電路在面對負載電阻之變化下(對應至不同的輸出電流)能夠提供穩定的之參考電壓。

以上所述僅為本發明之實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍。

200‧‧‧能帶隙參考電壓產生電路

110‧‧‧三端電流源電路

120‧‧‧緩衝器

130‧‧‧差動放大電路

140‧‧‧回授電路

GND‧‧‧接地電壓

Q1‧‧‧第一電晶體

Q2‧‧‧第二電晶體

Q3‧‧‧第三電晶體

Q4‧‧‧第四電晶體

Q5‧‧‧第五電晶體

Q6‧‧‧第六電晶體

Q7‧‧‧第七電晶體

Q8‧‧‧第八電晶體

R1‧‧‧第一電阻

R2‧‧‧第二電阻

R3‧‧‧第三電阻

R4‧‧‧第四電阻

R5‧‧‧第五電阻

R6‧‧‧第六電阻

R7‧‧‧第七電阻

R8‧‧‧第八電阻

R9‧‧‧第九電阻

I‧‧‧第一電流

V1‧‧‧第一電壓

VIN1‧‧‧第一輸入電壓

VIN2‧‧‧第二輸入電壓

VF‧‧‧回授電壓

VSS‧‧‧系統電壓

VREF‧‧‧參考電壓

Claims (10)

1. 一種能帶隙參考電壓產生電路，用以提供一參考電壓，該能帶隙參考電壓產生電路包括：一三端電流源電路，接收一系統電壓並且當該系統電壓之電壓值大於一第一門檻值時，則輸出一第一電流，其中該三端電流源電路用以提高該能帶隙參考電壓產生電路之電源拒斥比，以穩定該第一電流；一緩衝器，電性連接該系統電壓與該三端電流源電路並且接收該三端電流源電路所輸出之一第一電壓，其中該第一電壓之幅值被該緩衝器予以鎖定；一差動放大電路，電性連接該三端電流源電路，該差動放大電路接收一第一輸入電壓、一第二輸入電壓與該第一電流，並且據此輸出該參考電壓，其中該第一電流用以偏壓該差動放大電路；一回授電路，接收該參考電壓並且根據一分壓比值輸出一回授電壓；一第一電晶體，其集極透過一第一電阻電性連接至該參考電壓，其基極接收該回授電壓以偏壓在一主動區；一第二電晶體，其集極透過一第二電阻電性連接至該參考電壓，其基極接收該回授電壓以偏壓在該主動區；一第三電阻，其一端連接該第一電晶體之射極，其中透過調整該第三電阻之阻值以補償該參考電壓之溫度曲線；以及一第四電阻，其一端連接該第三電阻之另一端與該第二電晶體之射極，其另一端連接一接地電壓。
2. 如請求項1所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該回授電壓為該參考電壓與該分壓比值之乘積。
3. 如請求項1所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該第一電晶體之射極面積大於該第二電晶體之射極面積。
4. 如請求項1所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該三端電流源電路包括：一第三電晶體，其汲極連接該系統電壓；一第四電晶體，其汲極連接該第三電晶體之源極；一第五電阻，其一端連接該第四電晶體之源極，其另一端連接該第三電晶體之閘極；以及一第六電阻，其一端連接該第五電阻之另一端，其另一端連接該第四電晶體之閘極，其中該第三電晶體與該第四電晶體為一空乏型電晶體。
5. 如請求項4所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該緩衝器包括：一第五電晶體，其汲極連接該系統電壓，其閘極連接該第五電阻之另一端，其源極輸出該參考電壓，其中該第五電晶體為該空乏型電晶體。
6. 如請求項5所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該差動放大電路包括：一第六電晶體，其集極連接該第六電阻之另一端以接收該第一電流，其基極接收該第一輸入電壓；一第七電晶體，其集極連接該第五電晶體之源極，其基極接收該第二輸入電壓，其射極連接該第六電晶體之射極；以及一第七電阻，其一端連接該第七電晶體之射極，其另一端連接該接地電壓。
7. 如請求項6所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該差動放大電路更包括：一第八電晶體，其汲極連接該第七電晶體之射極，其閘極連接該第三電阻之一端，其源極連接該第七電阻之一端，其中該第八電晶體為該空乏型電晶體並且該第八電晶體與該第七電阻形成一電流槽。
8. 如請求項6所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該差動放大電路更包括：一第九電晶體，其汲極連接該第七電晶體之射極，其閘極連接該第七電阻之另一端，其源極連接該第七電阻之一端，其中該第九電晶體為該空乏型電晶體並且該第九電晶體與該第七電阻形成一電流槽。
9. 如請求項6所述之能帶隙參考電壓產生電路，其中該回授電路為一電阻分壓電路，並且該回授電路包括：一第八電阻，其一端連接該第五電晶體之源極，其另一端連接至該第一及該第二電晶體之基極；以及一第九電阻，其一端連接該第八電阻之另一端，其另一端連接該接地電壓，其中該分壓比值為該第九電阻之阻值除以該第八電阻與該第九電阻之阻值的總和，並且透過該分壓比值之調整來適應性地調整該參考電壓之電壓值。
10. 一種電子系統，包括：一能帶隙參考電壓產生電路，用以提供一參考電壓，該能帶隙參考電壓產生電路包括：一三端電流源電路，接收一系統電壓並且當該系統電壓之電壓值大於一第一門檻值時，則輸出一第一電流，其中該三端電流源電路用以提高該能帶隙參考電壓產生電路之電源拒斥比，以穩定該第一電流；一緩衝器，電性連接該系統電壓與該三端電流源電路並且接收該三端電流源電路所輸出之一第一電壓，其中該第一電壓之幅值被該緩衝器予以鎖定；一差動放大電路，電性連接該三端電流源電路，該差動放大電路接收一第一輸入電壓、一第二輸入電壓與該第一電流，並且據此輸出該參考電壓，其中該第一電流用 以偏壓該差動放大電路；一回授電路，接收該參考電壓並且根據一分壓比值輸出一回授電壓；一第一電晶體，其集極透過一第一電阻電性連接至該參考電壓，其基極接收該回授電壓以偏壓在一主動區；一第二電晶體，其集極透過一第二電阻電性連接至該參考電壓，其基極接收該回授電壓以偏壓在該主動區；一第三電阻，其一端連接該第一電晶體之射極，其中透過調整該第三電阻之阻值以補償該參考電壓之溫度曲線；以及一第四電阻，其一端連接該第三電阻之另一端與該第二電晶體之射極，其另一端連接一接地電壓；以及一負載，電性連接該能帶隙參考電壓產生電路以接收該參考電壓。