TWI486549B - 用以測量微小結構高度之裝置及方法 - Google Patents

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Description

用以測量微小結構高度之裝置及方法
本發明係一種測量微小結構之方法及系統，特別係指一種使用相位與振幅資訊以測量隆點之方法及系統。
電路通常包含許多為了能夠滿足各種不同目的之量測，電路通常包含許多微小結構，如隆點。圖一係一先前技術之半導體晶片上佈有複數個銲錫隆點。隆點之形狀可近似為一圓頂，該隆點之製造過程中具有其高度相對於直徑之比例的條件限制。
在許多已知的光學高度測量方法中，最靈敏的方法是根據許多相位偵測的干涉原理所得。熟知該項技藝之人士認為相位測量是一充滿雜訊的過程，且該相位資訊亦充滿雜訊。尤其當如量測隆點時，此雜訊會由於其形狀而更為嚴重。
數位全像微奈米顯微鏡，如瑞士洛桑Luncee Tec的DHM R1100TM，即使用兩道可同時或交互開啟之雷射光源，或連續開啟以照亮樣本。樣本與參考光束之光線用以提供相位與振幅資訊，DHM R1100TM的結構被形容為「數位全像反射」。在此以Optics Express Vol.18,No.4,15 February 2010作為先前技術之參考。
上述提及之干涉為基礎的光學高度測量方法可以測量高度被光波長所限制的最大範圍，此限制該範圍的光學現象稱之為「相位纏繞」，不少知名方法使用「相位重建」演算法，運用了相位連續上許多不同的假設。此些方法因為該相位幾何所導致的固有的相位不連續，並不適用於隆點測量。
該相位資訊顯示了相位的歧異，圖二A與二B係兩不同相位補償之相位高度歧異，圖二A的曲線20與圖二B的曲線22以該相位資訊代表微小結構相位資訊(y軸)與高度(x軸)的關係。相位資訊可定義在2pi的範圍內(相位範圍為正負pi之間)，作為相位補償(PO)定義在相位取出演算法的起始點。
圖二A展示相位資訊與將相位補償設為零時之干涉圖相計算高度關係，當圖二B係該關係在相位補償設為負pi的情況下。該關係在任何相位補特定償範圍下可被相似定義出來，最終該線性關係之斜率則特別為了光學的設置所定義。圖二A與圖二B顯示出於此種行為隱含固有的內部高度不確定存在，一個介於正負pi之間的相位範圍所測繪的每個高度範圍其各範圍大小為Hr。這種情況之下，相同的相位資訊數值卻可在不同的高度範圍之中位於相同位置的高度被測量成為不同高度(補償自該高度範圍的起點)。數學式中假設Hm為測得高度，則 Phase(Hm)=Phase(Hm+N*Hr)。
此外，圖二A與圖二B顯示出「相位纏繞」的不連續性，有一個正負pi之間的跳躍，當在此不連續區間操作時，該高度測量結果將會造成可能的誤差，如同會因小雜訊導致非常大的補償。舉例而言，當Po=0時，此不連續區間約略位於任何於數為½Hr的地方，所以任何高度可被表示為Hr*(0.5+N)，其中N為一正整數，提供快速且準確的量測微小結構方法需求量正逐漸增加。
一種測量微小結構高度裝置，其包含：一儲存電路，用以儲存振幅與相位資訊，其中該資訊用以表示該微小結構之形狀與尺寸；一光罩生成電路，用以選取該振幅資訊像素之閾值，以提供一包含光罩振幅像素之光罩；一相位資訊電路，用以將該光罩應用於該相位資訊上，以提供光罩相位像素，自該光罩相位像素中挑選出對應於相位標準之光罩相位像素，其中該已選之相位像素有其屬性數值，自該相位資訊中找出具有該已選相位像素屬性數值之所選相位像素；以及一高度計算電路，由該所選相位像素產生一高度測量結果。
其中該光罩生成電路係用以確認是否該光罩具有至少 高於一預設像素；其中若該光罩未達該預設像素，該光罩生成電路用於降低該振幅資訊，以提供一修正振幅閾值；以及其中該相位資訊電路係利用該修正振幅閾值以選取該振幅資訊像素之閾值。
該微小結構係一銲錫隆點。
該相位標準代表一統計結果，其可為一平均值、一標準差、一加權平均值或一中位數。
該高度計算電路係基於該微小結構之形狀與尺寸預先定義近似值以及該所選相位像素，產生一微小結構之形狀與尺寸近似值而產生一高度測量結果。
一種測量微小結構高度方法，其步驟包含：接受或產生含有振幅以及相位之資訊，其中該資訊用以表示該微小結構之形狀與尺寸；選取該振幅資訊像素之閾值以提供一包含光罩振幅像素之光罩；將該光罩應用於該相位資訊上，以提供光罩相位像素；自該光罩相位像素中挑選出對應於相位標準之光罩相位像素，其中該已選之相位像素有其屬性數值；以及由該所選相位像素產生一高度測量結果。
該步驟進一步包含：確認該光罩是否具有至少高於一預設像素；其中若該光罩未達該預設像素，則該光罩生成電路用於降低該振幅資訊，以提供一修正振幅閾值；以及用該修正振幅閾值以選取該振幅資訊像素之閾值。
一種測量微小結構高度裝置，其包含：一儲存電路， 用以儲存該微小結構之相圖與振幅圖像，其中該資訊用以表示該微小結構之形狀與尺寸；一提示高度計算電路，以該相圖像素計算提示高度估計值；一特徵分離器，用以在一物體表面上檢測該微小結構之邊緣；一尺寸屬性電路，用該微小結構邊緣定義形狀之尺寸以計算該微小結構之尺寸屬性；一選擇電路，基於該微小結構之尺寸屬性及一該微小結構之尺寸屬性與高度數值許可關係，自複數個高度範圍中選取一已選高度範圍；以及一高度計算電路，用該已選高度範圍以及該提示高度估計值以計算該微小結構之實際尺寸。
該裝置更包含一相位補償電路，用以設定一干涉儀之相位補償，其中該干涉儀用以取得對應於一微觀結構之預計高度的相圖以及振幅圖像。
其中該微小結構係一銲錫隆點，且該尺寸屬性係該銲錫隆點之直徑。
該高度計算電路係用該相圖之複數個相圖像素計算實際高度數值；再以該複數個相圖像素之實際高度數值提供該微小結構的實際高度。
該相位補償電路係用於設定一干涉儀之相位補償，使該預期隆點高度置於一相值連續範圍之中央。
該裝置更進一步包含：一光罩生成電路，用以選取該振幅資訊像素之閾值以提供一包含光罩振幅像素之光罩； 一相位資訊電路，用以將該光罩應用於該相位資訊上，以提供光罩相位像素；自該光罩相位像素中挑選出對應於相位標準之光罩相位像素，其中該已選之相位像素有其屬性數值；自該相位資訊中找出具有該已選相位像素屬性數值之所選相位像素；以及其中該提示高度計算電路係用該相圖像素之所選相位像素以計算該提示高度估計值。
一種測量微小結構高度方法，其步驟包含：接受或產生一微小結構之相圖或振幅圖形；以相圖像素計算提示高度預估值；在一物體表面上偵測該微小結構的邊緣；以該微小結構邊緣定義形狀之尺寸計算該微小結構之尺寸屬性；基於該微小結構之尺寸屬性及一該微小結構之尺寸屬性與高度數值許可關係，自複數個高度範圍中選取一已選高度範圍；以及用該已選高度範圍以及該提示高度估計值以計算該微小結構之實際尺寸。
該方法更進一步包含：對於一對應一該微小結構之預測高度而取得之像圖與振幅圖形之干涉儀，設定其之相位補償。
該微小結構係一銲錫隆點，且該尺寸屬性係該銲錫隆點之直徑。
該方法進一步包含：用該相圖之複數個相圖像素計算實際高度數值；再以該複數個相圖像素之實際高度數值提供該微小結構的實際高度。
該產生相圖與振幅圖形之步驟，更進一步包含：設定一干涉儀之相位補償，使該預期隆點高度置於一相值連續範圍之中央。
該方法進一步包含：選取該振幅資訊像素之閾值以提供一包含光罩振幅像素之光罩；將該光罩應用於該相位資訊上，以提供光罩相位像素；自該光罩相位像素中挑選出對應於相位標準之光罩相位像素，其中該已選之相位像素有其屬性數值；以及自該相位資訊中找出具有該已選相位像素屬性數值之所選相位像素，其中由該相圖像素之所選相位像素以計算該提示高度估計值。
下列詳述中之細節是為了提供對本發明更深之了解，然而熟知該項技藝之人所應理解的是，本發明可在此敘述的情況下被據以實施。在其他的例子裡，習知的方法、程序、與內容物雖未詳述於其中，然而其並非用於掩蓋本發明之實施。
以下文字係關於用以指隆點(尤其是指銲錫隆點)，但也可以用以指示任何具有一已知Z軸投影與XY平面關係的微小結構。該已知關係可表示一微小結構高度(沿Z軸方向)與其XY平面上之該微小結構面積、長度、半徑或寬度的許可關係。其可利用一隆點的幾何形狀來應用光學干涉方法(如雙波長數位全像攝影)以延長高度範圍超越上述提及的限制。
簡而言之，下列方法用以描述相位資訊與以DHM系統測得之振幅資訊關係，然而下列方法可用於任何使用相位偵測與計算演算法的干涉系統或方法。
請參考圖三，係本發明之方法其一具體實施例。其用以根據本發明之一具體實施例而決定一隆點之高度，步驟31為該方法之起始步驟，初始化。其包含接收一預期隆點高度與直徑和隆點高度的關係，此資訊通常由隆點製造商提供。
步驟31可進一步包含根據該預期隆點高度(Ho)設定一振幅之相位補償與相圖產生器，使得該預期隆點高度位於(或接近)一連續範圍相位值之中心。以減少坐落在相位資訊與高度之間不連續的高度測量次數。例如，若該預期高度約為範圍(Ho~Hr)，則理想相位補償應設為零；若該預期高度約為該範圍的一半(Ho~0.5*Hr)，則理想相位補償應設為負pi。
步驟31之後應接著步驟32自一全像顯微鏡接受一隆點之圖像，且依該振幅與相圖產生器轉換該圖像為一相圖與一振幅圖像。接著步驟33進行登錄該隆點之圖像。更進一步包含找出該與一已知隆點之圖像相關聯之座標。舉例而言，若該隆點的陣列表示其測量結果為該隆點位於該陣列(BUMP(i,j))中的第i行與第j列，應與該隆點之圖像吻合，此吻合即稱為登錄。接著步驟33，其後接著步驟37與步驟34。
步驟37根據相圖像素計算提示高度預測(Hm)，此預測用以做為提示高度預測之參考，由於該預測為靠近範圍大小(Hr)實 際高度之部分提示(可高於Hr)。數學上可表示成Hm=Ha modulo Hr。步驟33可包含以線性或非線性映射來計算該提示高度預測。其中一線性映射之例包含Hm=k*PHASE，其中k是使用一良好定義之高度標準所得的校正參數。
步驟34進行直徑計算。其更進一步包含偵測隆點之邊緣且將該邊緣對應成一圓形以計算其直徑，此一步驟可用於振幅圖像。
步驟35根據該隆點之直徑與隆點高度數值之許可關係所得之多重高度範圍中選定一高度範圍。該選定高度範圍代表一個整數的多重範圍大小(N)。
對於各個半導體裝置而言，都有一恰當的預期隆點直徑高度比，另一方面，該範圍大小(Hr)由有效的波長所定義。是故N(N為“模”乘數)與直徑之間的映射關係可被明確創造。例如以Ho~3/4D之隆點以下LUT是有效地：若Ho<D<2Ho，則N=1；若D<Ho，則N=0；若D>2Ho，則N=2。
步驟34與步驟35之後的步驟36，根據該選定高度範圍與該提示高度預測(Hm)計算該隆點之實際高度(Ha)。
Ha=N*Hr+Hm
步驟36更包含計算各相圖像素或其中幾個像素之實際高度且 計算其實際高度數值；依據該隆點的直徑應用一相位重建演算法，且其預先定義映射幫助選擇已選的高度範圍。例如假設上述之映射與相位補償依照步驟32中所定義：若隆點像素高度=Hm，且該隆點直徑D=0.8Ho，此謂Ha=Hm(小隆點)；若隆點像素高度=Hm，且該隆點直徑D=1.3Ho，此謂Ha=1*Hr+Hm(正常隆點)；若隆點像素高度=Hm，且該隆點直徑D=2.5Ho，此謂Ha=2*Hr+Hm(巨大隆點)。
對於這類的N值定義，此方法可提供相值讀數具有測量銲錫隆點高度的Hr介於0到3Hr的隆點高度範圍，而建議方法的實際範圍結果由於光學干涉的深度與直徑與高度的映射程度不同而有所差異。
圖四係本發明之系統其另一具體實施例之裝置40，其包含：一儲存電路41，用以儲存該微小結構之相圖與振幅圖像；一提示高度計算電路42，以該像圖像素計算提示高度估計值；一特徵分離器43，用以在一物體表面上檢測該微小結構之邊緣；一高度範圍電路44，用該微小結構邊緣定義形狀之尺寸以計算該微小結構之尺寸屬性，基於該微小結構之尺寸屬性及一該微小結構之尺寸屬性與高度數值許可關係，自複數個高度範圍中選取一已選高度範圍；以及一高度計算電路46，用該已選高度範圍以及該提示高 度估計值以計算該微小結構之實際高度，其中上述各電路可包含硬體組成。
裝置40可更包含一相位補償電路47，用以設定一干涉儀之相位補償，其中該干涉儀用以取得對應於一微小結構之預計高度的相圖以及振幅圖像。
該微小結構可為一隆點，且該尺寸屬性係該隆點之直徑。
該高度計算電路46係用該相圖之複數個相圖像素計算實際高度數值；再以該複數個相圖像素之實際高度數值提供該微小結構的實際高度。
該相位補償電路47係用於設定一干涉儀之相位補償，使該預期隆點高度置於一相值連續範圍之中央。
請參考圖五A與圖五B，其係描述相同隆點在不同相位資訊情況下(相圖52及相圖54)的相位雜訊，在相同的亮度與資料採集情況之下，其記錄於數個不同的時間點。相位資訊可用以分離含有較多雜訊的像素，或至少可被期望其包含過多雜訊，提供一方法並可能包含自相位資訊像素中單獨挑選出重要像素(或複數個像素)出於相位資訊像素。完整的隆點相位資訊可被用於選擇具有相同屬性數值或相似統計量值的相位資訊像素作為該重要像素，且該隆點之高度可基於該重要像素而決定。
請參考圖六，係本發明之方法又一具體實施例。此一方法首先需要定義或接收一振幅閾值62，該振幅閾質可由使用者設定或由框架習知自動設定，選擇的過程中可以一一套用每個隆點，且 包含步驟63到步驟68。步驟63接收振幅資訊；步驟64使用一相位閾值製造一光罩，該光罩之像素具有高於該振幅閾值之一振幅數值；步驟66確認光罩像素(包含在該光罩中)的數量是否低於一期望值，若光罩像素不足，則進入步驟68調整該振幅閾值，並進入步驟64；步驟70接收在振幅資訊上與相同隆點有關之相位資訊；步驟72應用該光罩於該相位資訊上，找出與該光罩像素對應之該相位資訊光罩像素；步驟74自該相位資訊之光罩像素中選擇已選相位像素對應於一相位標準，以及找出這些像素的屬性數值(已選像素屬性數值)。一屬性可能包含該已選相位像素之相位數值、一範圍或相位數值，其更包含了挑出一符合特定統計條件的像素(或一組像素)符合某些統計條件，其中該統計條件可為一最大值、平均值、中位數、或前x%等，且可由計算得知、手動設定或預先設定；步驟76自該相位資訊中找出具有已選相位屬性數值之相位資訊像素，以測試整個隆點的相位資訊，且基於有著相似統計條件的像素(步驟72中)創造一個新的光罩；以及根據步驟76中所找出具有該已選像素屬性數值之相位資訊像素；並由步驟78提供一測量結果，其包含忽略其他相位資訊像素，以及應用一個或多個操作在以找出之相位資訊像素上，此一過程包含計算已選像素的平均值或其他有效之方法。步驟78中進一步包含根據一預先定義的微小結構近似以及已選相位像素產生一個該微小結構的形狀與尺寸近似，舉例而言，若該物體為一隆點，則預先定義其近似於一半圓頂。
圖七顯示了本發明之方法又一具體實施例在步驟60中的不同圖像，其包含相圖81、振幅圖像82、光罩83以及已選定相位像素84，然該相位與振幅資訊可以表示為不同於圖式的其他資訊類型。
圖八係本發明之系統更一具體實施例之裝置90，其包含一儲存電路91，用以儲存振幅與相位資訊，其中該資訊用以表示該微小結構之形狀與尺寸；一光罩生成電路92，用以選取該振幅資訊像素之閾值，以提供一包含光罩振幅像素之光罩；一相位資訊電路93，用以將該光罩應用於該相位資訊上，以提供光罩相位像素，自該光罩相位像素中挑選出對應於相位標準之光罩相位像素，其中該已選之相位像素有其屬性數值，自該相位資訊中找出具有該已選相位像素屬性數值之所選相位像素；一高度計算電路94，由該所選相位像素產生一高度測量結果；以及一振幅與相圖產生器98，用以轉換由全像顯微鏡所得之圖像為一相圖與一振幅圖像。圖八亦繪示了一全像式顯微鏡(99)。
該光罩生成電路92係用以確認該光罩是否具有至少高於一預設數字像素；其中若該光罩未達該預設像素，則該光罩生成電路92將降低該振幅資訊，以提供一修正振幅閾值；以及其中該相位資訊電路93係利用該修正振幅閾值以選取該振幅資訊像素之閾值。
該微小結構可為一隆點，例如一銲錫隆點。
該相位標準代表一統計結果，其可為一平均值、一標準差、 一加權平均值或一中位數。
該高度計算電路94係基於該微小結構之形狀與尺寸預先定義近似值以及該所選相位像素，產生一微小結構之形狀與尺寸近似值而產生一高度測量結果。
在任何的半導體製造過程中，皆有預期的隆點高度(Ho)及其預期可容許範圍，該可容許範圍之最大及最小可容許高度可以Hmin和Hmax表示，此外隆點之直徑與其高度亦有一預期關係(寬高比例)的存在。值得注意的是，本發明之方法其一具體實施例與本發明之方法又一具體實施例是可結合並用的。舉例而言，本發明之方法其一具體實施例30可用於由步驟60中所選之像素；此外，圖四與圖八的儀器亦可結合使用。
上述各方法皆可以電腦執行，且執行指令所選儲存於一個非臨時性之電腦可讀媒體，這些裝置可作為部分的測量工具，亦可為獨立裝置，其功能為取得相位與振幅的資訊或是接收此類資訊。
本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。
10‧‧‧先前技術之半導體晶片上佈有複數個銲錫隆點
20、22‧‧‧曲線
30‧‧‧本發明之方法其一具體實施例
31‧‧‧初始化。例如根據預期隆點高度(Ho)設定一振幅之相位補償以及相圖產生器，使得該預期隆點高度位於(或接近)一連續範圍相值之中心
32‧‧‧自一全像顯微鏡接受一隆點之圖像，且依該振幅與相圖產 生器轉換該圖像為一相圖與一振幅圖像
33‧‧‧進行登錄該隆點之圖像
34‧‧‧進行直徑計算
35‧‧‧根據該隆點之直徑與隆點高度數值之許可關係所得之多重高度範圍中選定一高度範圍
36‧‧‧根據該選定高度範圍與該提示高度預測(Hm)計算該隆點之實際高度(Ha)。Ha=N*Hr+Hm
37‧‧‧根據相圖像素計算提示高度預測(Hm)，此預測用以做為提示高度預測之參考，由於該預測為靠近範圍大小(Hr)實際高度之部分提示(可高於Hr)。數學上可表示成Hm=Ha modulo Hr
40‧‧‧本發明之系統其另一具體實施例
41‧‧‧儲存電路
42‧‧‧提示高度計算電路
43‧‧‧特徵分離器
44‧‧‧高度範圍電路
46‧‧‧高度計算電路
47‧‧‧相位補償電路
60‧‧‧本發明之方法其一具體實施例
62‧‧‧定義或接收振幅閾值
63‧‧‧接收振幅資訊
64‧‧‧提供所有在振幅資訊中像素之閾值以提供一光罩
66‧‧‧是否有足夠的像素在光罩中
68‧‧‧降低振幅閾值
70‧‧‧接收相位資訊
72‧‧‧將光罩套用至相位資訊
74‧‧‧自相位資訊之光罩像素中挑選對應於一相位標準之相位像素以提供選定像素屬性數值
76‧‧‧找出具有該選定像素屬性數值之相位資訊像素
78‧‧‧根據步驟76中找出之相位像素提供一測量結果
80‧‧‧實施圖六實施例之方法時所得之不同圖像
81‧‧‧相圖
82‧‧‧振幅圖像
83‧‧‧光罩
84‧‧‧選定相位像素
90‧‧‧本發明之系統其一具體實施例
99‧‧‧全像式顯微鏡
98‧‧‧振幅與相圖產生器
93‧‧‧相位資訊電路
92‧‧‧光罩生成電路
91‧‧‧儲存電路
94‧‧‧高度計算電路
本發明之標的物特別指出，且獨特地在說明的結尾強調；然而本發明針對組織與操作之方法兩者，並以其物件、特色及優點加以說明，輔以詳加描述以及圖示，其圖示分別如下：圖一係一先前技術之半導體晶片上佈有複數個銲錫隆點。
圖二A與圖二B係兩種不同相位補償之相高。
圖三係本發明之方法其一具體實施例。
圖四係本發明之系統其另一具體實施例。
圖五A與圖五B係雜訊造成相同隆點所測得之不同相資訊。
圖六係本發明之方法又一具體實施例。
圖七係實施圖六實施例之方法時所得之不同圖像。
圖八係本發明之系統更一具體實施例。
60‧‧‧本發明之方法其一具體實施例
62‧‧‧定義或接收振幅閾值
63‧‧‧接收振幅資訊
64‧‧‧提供所有在振幅資訊中像素之閾值以提供一光罩
66‧‧‧是否有足夠的像素在光罩中
68‧‧‧降低振幅閾值
70‧‧‧接收相位資訊
72‧‧‧將光罩套用至相位資訊
74‧‧‧自相位資訊之光罩像素中挑選對應於一相位標準之
91‧‧‧儲存電路
94‧‧‧高度計算電路

Claims (12)

  1. 一種測量微小結構高度之裝置，其包含：一儲存電路，用以儲存該微小結構之相圖與振幅圖像；一提示高度計算電路，配置來基於該相圖之像素計算提示高度估計值；一形貌提取器，配置來檢測在一物體表面上的該微小結構之一邊緣；一尺寸屬性電路，配置來基於由該微小結構之邊緣界定的一形狀之尺寸來計算該微小結構之尺寸屬性；一選擇電路，配置來基於該微小結構之尺寸屬性及該微小結構之尺寸屬性與高度數值之間的一許可關係，自複數個高度範圍中選取一已選高度範圍；以及一高度計算電路，配置來基於該已選高度範圍以及該提示高度估計值以計算該微小結構之一實際高度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其更包含一相位補償電路，其係配置來設定一干涉儀之相位補償，其中該干涉儀配置來響應於該微小結構之預計高度而取得該相圖以及該振幅圖像。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該微小結構係一隆起點，且該尺寸屬性係該隆起點之直徑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該高度計算電路係配置來自該相圖之複數個相圖像素計算實際高度數值；且處理該等複數個相圖像素之實際高度數值以提供 該微小結構的實際高度。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該相位補償電路配置來設定干涉儀之一相位補償，使得該預計隆起點高度映射到一連續相位值範圍之中央。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其更進一步包含：一光罩生成電路，配置來把該振幅圖像之像素定限以提供包含受遮罩振幅像素之一光罩；及一相位資訊電路，配置來將該光罩施用於該相位資訊上，以提供受遮罩相位像素；自該等受遮罩相位像素中挑選出對應於一相位標準之選定相位像素，該等選定相位像素有選定相位像素屬性數值；自該相位資訊中找出具有該等選定相位像素屬性數值之所選相位像素；以及其中該提示高度計算電路配置來基於該等相圖像素之所選相位像素以計算該提示高度估計值。
  7. 一種測量微小結構高度之方法，其步驟包含：接受或產生一微小結構之相圖或振幅圖像；基於相圖像素計算提示高度估計值；檢測在一物體表面上的該微小結構的邊緣；基於該微小結構之邊緣所界定的形狀之尺寸計算該微小結構之尺寸屬性；基於該微小結構之尺寸屬性及該微小結構之尺寸屬性與高度數值之間的一許可關係，自複數個高度範圍中選取一已選高度範圍；以及 基於該已選高度範圍以及該提示高度估計值以計算該微小結構之實際高度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，包含：設定一干涉儀之相位補償，該干涉儀響應於該微小結構之一預計高度而取得該相圖與該振幅圖像。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該微小結構係一隆起點，且其中該尺寸屬性係該隆起點之直徑。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其包含：用該相圖之多個相圖像素計算實際高度數值；且處理該等多個相圖像素之該等實際高度數值以提供該微小結構的實際高度。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該產生相圖與該振幅圖像之步驟包含：基於該微小結構之一預計高度設定一干涉儀之相位補償，以使得該預計期隆起點高度映射於一連續相位值範圍之中央。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其包含：把該振幅資訊之像素定限以提供包含受遮罩振幅像素之一光罩；將該光罩施用於該相位資訊上，以提供受遮罩相位像素；自該等受遮罩相位像素中挑選出對應於一相位標準之選定相位像素，該等選定相位像素有選定相位像素屬性數值；自該相位資訊中找出具有該等選定相位像素屬性數 值之所選相位像素；其中計算該提示高度估計值係基於該相圖像素之該等所選相位像素。
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