TWI480513B - 光學同調斷層檢測裝置及其運作方法 - Google Patents

光學同調斷層檢測裝置及其運作方法 Download PDF

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Description

光學同調斷層檢測裝置及其運作方法
本發明係與光學檢測有關，特別是關於一種無需透過機械架構即可提供光程差以及光頻變化之效果的光學同調斷層檢測裝置及其運作方法。
近年來，隨著光學檢測技術不斷地演進，光學影像掃描技術提供一個非侵入式的方法來了解待測物組織的構造及組成，由於其快速而且非侵入式的特性使得這類的技術有相當廣泛的應用，特別是應用於醫療診斷上。當光入射到組織結構中，隨著不同深度介質的變化，光的吸收特性及散射特性亦會隨之改變，而光學影像掃描就是利用各種不同光學方法去取得在組織內部以及散射光子所攜帶的資訊藉此得到高解晰影像。
一般而言，醫學造影技術係藉由量測物理場源施加於生物組織後，所產生的物理特性變化，加以轉換為視覺圖像，幫助臨床醫學定性定量的研判生物組織的結構異常狀態和動態的功能性評估，提供快速且正確的病情診斷與治療，對於醫療品質的提升有莫大的助益。在醫學造影技術的發展趨勢中，希望朝著使用非游離化能量場源，以非侵入方式量測造影，能夠擁有高空間解析度與對比解析度，以及即時顯像能力等方向發展。
於已知的各種醫學造影技術中，一種稱為光學同調斷層 掃描術(Optical Coherence Tomography,OCT)的醫學造影技術，又稱做光學切片，以其低同調性(low coherence)光源加上變動光程差干涉儀(interferometer)量測架構，用以測量生物組織背向散射光場強度的同調特性，進而組成圖像，可得到二維甚至三維的影像，先天性的符合上述醫學造影技術的發展需求，引起全球許多研究團隊的注意目光，使其快速發展，如今已有許多應用領域的發展研究。
於實際應用中，由於光學同調斷層掃描同時兼具有高解析度、高靈敏度、非游離性能量場源以及造價便宜等優點，並且能夠同時量測代測物內部組織橫切面的結構以及流速分佈圖，故能提供微米等級的解析度影像，對於幫助組織疾病的診斷和細胞結構的定位有非常大的助益，例如眼球視網膜的檢測。
請參照圖一，圖一係繪示傳統的光學同調斷層檢測裝置之示意圖。如圖一所示，該光學同調斷層檢測裝置係利用麥克森干涉儀(Michelson interferometer)將同調光源所發出的同調光經由分光器分成二道，一道光射向參考端並被參考端反射回來，另一道光則射向待測物端並被待測物端反射回來，這兩道反射光再次經過分光器到達光感測器，電腦裝置再利用兩者所產生的干涉得到關於待測物之垂直斷面的光學資料。實際上，該光感測器可以是光譜儀、光學鏡組或其他任何具有光感測功能的光感測器，並無一定之限制。
請參照圖二，傳統的光學同調斷層檢測裝置1係透過改變反射鏡14之位置(平行於圖二中之z方向的移動或進行旋轉)得到不同的光程差，藉以達到光程調製之目的，以實現縱 向掃瞄反射鏡之機制，待測物16內部反射回來的光與參考端的反射鏡14的反射光產生干涉(稱之為麥克森光干涉效應)，並利用資料處理單元18對干涉訊號進行運算，配合縱向掃瞄的機制後，就可以組合出待測物16內部在深度方向(即為圖二中之z方向)上的切面影像。
無論是圖一或圖二中之光學同調斷層檢測裝置，均需依靠一平移或旋轉之機械架構來實現縱向掃瞄反射鏡位置的機制，以量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間，不僅會增加光學同調斷層檢測裝置的成本，亦使得光學同調斷層檢測裝置之架構變得較為複雜，且其體積亦可能變得較為龐大。因此，本發明提出一種光學同調斷層檢測裝置及其運作方法，以解決上述問題。
根據本發明之第一具體實施例為一種光學同調斷層檢測裝置。於此實施例中，該光學同調斷層檢測裝置包含一光源、一光耦合模組及一光程差產生模組。該光程差產生模組包含至少一光學元件。該光源用以發出一同調光。該光耦合模組係用以將該同調光分成一第一入射光及一第二入射光。該第一入射光射向一待測物而產生一第一反射光；該第二入射光射向該光程差產生模組，該光程差產生模組透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質的方式分別根據該第二入射光產生不同的第二反射光。
於實際應用中，該至少一光學元件可以是多層排列的液晶(liquid crystal)單元、多層排列的電變色(electrochromic)材料、多層排列的電濕(electro-wetting)結構單元、導光(light guide)單元或光開關(light switch)單元等，該光程差產生模組係透過該至少一光學元件之透光/反射性質的切換，達到不需透過機械架構即能產生不同的第二反射光之效果。
根據本發明之第二具體實施例為一種光學同調斷層檢測裝置運作方法。於此實施例中，該光學同調斷層檢測裝置包含一光源、一光耦合模組及一光程差產生模組。該光程差產生模組包含至少一光學元件。該方法包含下列步驟：(a)該光源發出一同調光；(b)該光耦合模組將該同調光分成一第一入射光及一第二入射光；(c)該第一入射光射向一待測物而產生一第一反射光；(d)該第二入射光射向該光程差產生模組，該光程差產生模組透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質的方式分別根據該第二入射光產生不同的第二反射光。
於實際應用中，該至少一光學元件可以是多層排列的液晶單元、多層排列的電變色材料、多層排列的電濕結構單元、導光單元或光開關單元，該方法係透過該至少一光學元件之透光/反射性質的切換，進而達到不需透過機械架構即能產生不同的第二反射光之效果。
相較於先前技術，由於根據本發明之光學同調斷層檢測裝置及其運作方法係採用光程差產生模組取代傳統的反射鏡，並透過改變其光學元件(例如液晶單元、電變色材料、電濕結構單元、導光單元及光開關單元等)之透光/反射性質而產生不同的第二反射光的方式取代傳統透過機械架構改變反射鏡位置而產生不同的第二反射光之方式，以達到相當於傳統的縱向掃瞄反射鏡位置之效果，故亦能量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間，使得該光學同調斷層檢測裝置 之架構能夠大幅簡化，並且其製造成本亦能降低，甚至還可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果，故極具市場潛力。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
根據本發明之第一具體實施例為一種光學同調斷層檢測裝置。於此實施例中，該光學同調斷層檢測裝置係用以對一待測物進行檢測，藉以得到關於該待測物之垂直斷面的光學資料。請參照圖三，圖三係繪示該光學同調斷層檢測裝置之功能方塊圖。
如圖三所示，光學同調斷層檢測裝置2包含光源20、光耦合模組22、光程差產生模組24、待測物模組26、光感測模組28及處理模組30。其中，光耦合模組22係耦接至光感測模組28；光感測模組28係耦接至處理模組30。此外，光源20為一同調光源；光耦合模組22為一分光器或任何具有分光功能的裝置；待測物模組26係用以置放該待測物；光程差產生模組24包含至少一光學元件，並且該至少一光學元件可以是多層排列的液晶單元、多層排列的電變色材料、多層排列的電濕結構單元、導光單元或光開關單元，並無一定之限制。
需說明的是，本發明之光學同調斷層檢測裝置2係透過光程差產生模組24取代傳統的參考端之反射鏡，並透過改變其至少一光學元件(例如多層排列的液晶單元、多層排列的電 變色材料、多層排列的電濕結構單元、導光單元或光開關單元等)之透光/反射性質而產生不同的第二反射光的方式取代傳統透過機械架構改變反射鏡位置而產生不同的第二反射光之方式，以達到相當於傳統的縱向掃瞄反射鏡位置之效果，故光學同調斷層檢測裝置2亦能量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間，而又不必設置有複雜的機械架構，可降低其製造成本，並可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果。
於此實施例中，光源20係用以發出一同調光。光耦合模組22係用以將光源20所發出之該同調光分成一第一入射光及一第二入射光，其中，該第一入射光係用以射向待測物模組26，該第二入射光係用以射向光程差產生模組24。當該第一入射光射向設置於待測物模組26之該待測物而產生時，該待測物即會將該第一入射光反射為一第一反射光。當該第二入射光射向光程差產生模組24時，光程差產生模組24將會透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質的方式將第二入射光反射為不同的第二反射光，並藉由此一改變光學元件之透光/反射性質來反射出不同的第二反射光之方式達到相當於傳統上透過機械架構改變反射鏡位置來反射出不同的第二反射光之縱向掃瞄反射鏡位置的效果，故光學同調斷層檢測裝置2亦能量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間。
值得注意的是，當光程差產生模組24改變該至少一光學元件之透光/反射性質以產生不同的第二反射光時，由於該至少一光學元件中之每一個光學元件對於該第二入射光之透光或反射程度的大小均可預先測得，亦即每一個光學元件對於 該第二入射光之透光或反射程度均為已知之資訊，並且光程差產生模組24中之每一個光學元件所設置的位置亦為已知。
因此，無論光程差產生模組24係如何改變該至少一光學元件之透光/反射性質，光程差產生模組24所產生之不同的第二反射光亦均為已知，並且該至少一光學元件中之每一個光學元件的透光/反射性質與不同第二反射光之間的對應關係可以被紀錄於一對照表中，以供後續查找對照之用，但不以此為限。
相較於先前技術，本發明的光程差產生模組24中之每一個光學元件的位置均為固定且為已知，並不需如同先前技術一般透過繁複的機械方式移動光學元件以達到產生不同的第二反射光之功效，故可有效地簡化該光學同調斷層檢測裝置原本複雜的架構，並可縮減該光學同調斷層檢測裝置的體積。
由於本發明與先前技術最大之區別特徵在於光程差產生模組24，因此，接下來，將就光程差產生模組24的不同結構以及該第二入射光射向光程差產生模組24之不同反射情形進行詳細之說明。請參照圖四A，圖四A係繪示光程差產生模組24包含多層排列的液晶單元層240之示意圖。如圖四A所示，由於液晶單元層240係垂直第二入射光LI排列，因此，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，大部分的第二入射光LI將會被液晶單元層240反射而產生第二反射光LR，僅有少部分的第二入射光LI能夠穿過液晶單元層240而產生第二穿透光LT。
接著，請進一步參照圖四B，圖四B係繪示圖四A 中之液晶單元層240包含垂直於第二入射光LI排列的液晶單元240a~240c之示意圖。如圖四B所示，由於液晶單元層240中之液晶單元240a~240c均垂直於第二入射光LI排列，故大部分的第二入射光LI將會被液晶單元層240反射而產生第二反射光LR，僅有少部分的第二入射光LI能夠穿過液晶單元層240而產生第二穿透光LT。
相反地，請參照圖四C，圖四C係繪示圖四A中之液晶單元層240包含平行於第二入射光LI排列的液晶單元240a~240c之示意圖。如圖四C所示，由於液晶單元層240中之液晶單元240a~240c均平行於第二入射光LI排列，故大部分的第二入射光LI能夠穿過液晶單元層240而產生第二穿透光LT，僅有少部分的第二入射光LI會被液晶單元層240反射而產生第二反射光LR。
需說明的是，無論是上述的圖四A至C之實施例，抑或是下列的所有實施例，當入射光射至不同形式的光程差產生模組時，均會有一部分的入射光能夠穿透，而另一部分的入射光則會被反射，故於下列的所有實施例中，不再就這一點另行贅述。
此外，請參照圖四D，圖四D係繪示圖四A中之液晶單元層240包含兩排平行於第二入射光LI排列的液晶單元240a~240e之示意圖。如圖四D所示，液晶單元層240的液晶單元240a~240e係分成兩排平行排列，其中液晶單元240a~240c為第一排且液晶單元240d~240e為第二排，但不以此為限。
請參照圖五A，圖五A係繪示光程差產生模組24包含複數個多層排列的電變色材料之示意圖。如圖五A所示，假設電變色材料240變為第一顏色(如圖中斜線所示)時，電變色材料240將會反射第二入射光LI，因此，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，呈現第一顏色的電變色材料240即會將第二入射光LI反射為第二反射光LR。
至於圖五B係繪示第二入射光LI穿過電變色材料240但被電變色材料242反射之示意圖。如圖五B所示，假設電變色材料240變為第二顏色(如圖中白色所示)時，第二入射光LI將可穿過電變色材料240。因此，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，第二入射光LI即會穿過呈現第二顏色的電變色材料240，但第二入射光LI隨後即會被呈現第一顏色的電變色材料242反射成第二反射光LR'。
比較圖五A及圖五B可知，光程差產生模組24透過切換其電變色材料240及242為第一顏色或第二顏色分別產生不同的第二反射光，亦即圖五B中之第二反射光LR'與圖五A中之第二反射光LR為不同的第二反射光。
請參照圖六A，圖六A係繪示光程差產生模組24包含複數個多層排列的電濕結構單元之示意圖。如圖六A所示，假設電濕結構單元240中央變為第一傳遞介質(如圖中斜線所示)時，電濕結構單元240中央將會反射第二入射光LI，因此，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，具有第一傳遞介質的電濕結構單元240即會將第二入射光LI反射為第二反射光LR。
至於圖六B係繪示第二入射光LI穿過電濕結構單元240但被電濕結構單元242反射之示意圖。如圖五B所示，假設電濕結構單元240變為第二傳遞介質(如圖中白色所示)時，第二入射光LI將可穿過電濕結構單元240。因此，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，第二入射光LI即會穿過具有第二傳遞介質的電濕結構單元240，但第二入射光LI隨後即會被具有第一傳遞介質的電濕結構單元242反射成第二反射光LR'。
比較圖六A及圖六B可知，光程差產生模組24透過切換其電濕結構單元240及242為第一傳遞介質或第二傳遞介質分別產生不同的第二反射光，亦即圖六B中之第二反射光LR'與圖六A中之第二反射光LR為不同的第二反射光。
請參照圖七A，圖七A係繪示光程差產生模組24包含複數個光開關單元之示意圖。於實際應用中，該些光開關單元可以是氣泡開關或其他具有改變折射角度之功能的開關元件，並無一定之限制。
如圖七A所示，光程差產生模組24包含光開關單元240、242、244及246。當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，第二入射光LI將會先遇到光開關單元240，由於光開關單元240處於關閉狀態，故第二入射光LI即會被光開關單元240折射至光開關單元242。此時，由於光開關單元242亦處於關閉狀態，故第二入射光LI即會被光開關單元242折射至光開關單元244。同理，第二入射光LI將會進一步被光 開關單元244折射至光開關單元246，然後，第二入射光LI將會被光開關單元246折射回到光開關單元240。此時，由於光開關單元240被切換為開啟狀態，故第二反射光LR即可順利射出光程差產生模組24之外。
請參照圖七B，圖七B係繪示光程差產生模組24之複數個光開關單元產生第二反射光之另一種情形的示意圖。如圖七B所示，當第二入射光LI射入光程差產生模組24時，由於光開關單元240處於開啟狀態，故第二入射光LI可穿過光開關單元240到達光開關單元246。若光開關單元246具有反射功能，則光開關單元246可將第二入射光LI反射回到光開關單元240。若此時光開關單元240仍處於開啟狀態，則第二反射光LR'即可順利射出光程差產生模組24之外。
根據本發明之第二具體實施例為一種光學同調斷層檢測裝置運作方法。於此實施例中，該光學同調斷層檢測裝置包含一光源、一光耦合模組及一光程差產生模組，並且該光程差產生模組包含至少一光學元件。實際上，該光源可以是一同調光源；該光耦合模組可以是一分光器或其他任何具有分光功能的裝置，並無一定之限制。
請參照圖八，圖八係繪示該光學同調斷層檢測裝置運作方法之流程圖。如圖八所示，首先，於步驟S10中，該光源發出一同調光。接著，於步驟S12中，該光耦合模組將該同調光分成一第一入射光及一第二入射光。之後，於步驟S14中，該第一入射光射向一待測物而產生一第一反射光。然後，於步驟S16中，該第二入射光射向該光程差產生模組， 該光程差產生模組將會透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質的方式分別將該第二入射光反射為不同的第二反射光。需說明的是，該方法更藉由此一改變光學元件之透光/反射性質來反射出不同的第二反射光之方式達到相當於傳統上透過機械架構改變反射鏡位置來反射出不同的第二反射光之縱向掃瞄反射鏡位置的效果，故該方法亦能量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間。
於一具體實施例中，該至少一光學元件可以是多層排列的複數個液晶單元，該光程差產生模組係藉由調整該些液晶單元的旋轉角度以改變該些液晶單元的透光/反射性質，致使該光程差產生模組能夠分別反射出不同的第二反射光。
於一具體實施例中，該至少一光學元件可以是多層排列的電變色材料，當該第二入射光射至該多層排列的電變色材料時，該光程差產生模組係藉由該多層排列的電變色材料對應於該第二入射光之不同色光呈現出不同的透光/反射性質，致使該光程差產生模組能夠分別反射出不同的第二反射光。值得注意的是，除了產生不同的第二反射光之外，該光程差產生模組亦可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果。
於一具體實施例中，該至少一光學元件可以是多層的電濕結構單元，該光程差產生模組係藉由該第二入射光所通過之該多層的電濕結構單元具有不同的傳遞介質，致使該光程差產生模組能夠分別反射出不同的第二反射光。
於一具體實施例中，該至少一光學元件可以是複數個導光單元，該光程差產生模組係藉由切換該些導光單元的方 向，致使該光程差產生模組能夠分別反射出不同的第二反射光。
於一具體實施例中，該至少一光學元件可以是複數個光開關單元，舉例而言，該些光開關單元可以是氣泡式開關，但不以此為限。實際上，該光程差產生模組係藉由切換該些光開關單元的開啟或關閉，致使該光程差產生模組能夠分別反射出不同的第二反射光。
接著，於步驟S18中，該方法接收待測物所反射的第一反射光與光程差產生模組所反射之不同的第二反射光，並判斷第一反射光與不同的第二反射光之間是否干涉。若步驟S18的判斷結果為是，該方法執行步驟S20，產生干涉訊號。於步驟S22中，利用資料處理單元對干涉訊號進行運算，以得到待測物在深度方向上的剖面影像。
相較於先前技術，由於根據本發明之光學同調斷層檢測裝置及其運作方法係採用光程差產生模組取代傳統的反射鏡，並透過改變其光學元件(例如液晶單元、電變色材料、電濕結構單元、導光單元及光開關單元等)之透光/反射性質而產生不同的第二反射光的方式取代傳統透過機械架構改變反射鏡位置而產生不同的第二反射光之方式，以達到相當於傳統的縱向掃瞄反射鏡位置之效果，故亦能量測到待測物所反射的反射光之振幅及延遲時間，使得該光學同調斷層檢測裝置之架構能夠大幅簡化，並且其製造成本亦能降低，甚至還可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚 描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
S10~S22‧‧‧流程步驟
1、2‧‧‧光學同調斷層檢測裝置
10、20‧‧‧光源
12、22‧‧‧光耦合單元
14‧‧‧反射鏡
16‧‧‧待測物
18‧‧‧資料處理單元
24‧‧‧光程差產生模組
26‧‧‧待測物模組
28‧‧‧光感測模組
30‧‧‧處理模組
LI‧‧‧第二入射光
LR、LR'‧‧‧第二反射光
LT‧‧‧第二穿透光
240a~240e‧‧‧液晶單元
240、242、244、246‧‧‧光學元件
圖一係繪示傳統的光學同調斷層檢測裝置之示意圖。
圖二係繪示傳統的光學同調斷層檢測裝置的基本架構示意圖。
圖三係繪示根據本發明之第一具體實施例的光學同調斷層檢測裝置之功能方塊圖。
圖四A係繪示光程差產生模組包含複數個多層排列的液晶單元之示意圖。圖四B係繪示液晶單元透過平行於第二入射光移動產生第二反射光。圖四C係繪示液晶單元透過旋轉之方式產生第二反射光的示意圖。圖四D係繪示液晶單元層包含兩排平行於第二入射光排列的液晶單元之示意圖。
圖五A係繪示光程差產生模組包含複數個多層排列的電變色材料之示意圖。圖五B係繪示第二入射光LI穿過電變色材料240但被電變色材料242反射之示意圖。
圖六A係繪示光程差產生模組包含複數個多層排列的電濕結構單元之示意圖。圖六B係繪示第二入射光LI穿過電濕結構單元240但被電濕結構單元242反射之示意圖。
圖七A係繪示光程差產生模組包含複數個光開關單元之示意圖。圖七B係繪示光程差產生模組之複數個光開關單 元產生第二反射光之另一種情形的示意圖。
圖八係繪示根據本發明之第二具體實施例的光學同調斷層檢測裝置運作方法之流程圖。
2‧‧‧光學同調斷層檢測裝置
20‧‧‧光源
22‧‧‧光耦合單元
24‧‧‧光程差產生模組
26‧‧‧待測物模組
28‧‧‧光感測模組
30‧‧‧處理模組

Claims (20)

  1. 一種光學同調斷層檢測裝置，包含：一光源，用以發出一同調光；一光耦合模組，用以將該同調光分成一第一入射光及一第二入射光，該第一入射光射向一待測物而產生一第一反射光；以及一光程差產生模組，包含至少一光學元件，該第二入射光射向該光程差產生模組，該光程差產生模組透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質之方式根據該第二入射光產生不同的第二反射光；其中，該至少一光學元件係為多層排列的複數個液晶單元、多層排列的電變色材料、多層的電濕結構單元、複數個導光單元或複數個光開關單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中若該至少一光學元件為該多層排列的複數個液晶單元，該光程差產生模組係藉由調整該些液晶單元的旋轉角度以改變該些液晶單元的透光/反射性質，致使該光程差產生模組分別反射出該些不同的第二反射光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中若該至少一光學元件為該多層排列的電變色材料，當該第二入射光射至該多層排列的電變色材料時，該光程差產生模組係藉由該多層排列的電變色材料對應於該第二入射光之不同色光呈現出不同的透光/反射性質，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中該光程差產生模組可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中若該至少一光學元件為該多層的電濕結構單元，該光程差產生模組係藉由該第二入射光所通過之該多層的電濕結構單元具有不同的傳遞介質，致使該光程差產生模組分別反射出該些不同的第二反射光。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中若該至少一光學元件為該複數個導光單元，該光程差產生模組係藉由切換該些導光單元的方向，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中若該至少一光學元件為該複數個光開關單元，該光程差產生模組係藉由切換該些光開關單元的開啟或關閉，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中該些光開關單元為氣泡式開關(bubble swotch)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，其中該光耦合模組為一分光器。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之光學同調斷層檢測裝置，進一步包含：一光感測模組，用以接收該待測物所反射的該第一反射光與該光程差產生模組所反射之該些不同的第二反射光， 並判斷該第一反射光與該些不同的第二反射光之間是否干涉，若是，產生一干涉訊號；以及一處理模組，耦接至該光感測模組，用以對該干涉訊號進行運算，以得到該待測物在深度方向上的剖面影像。
  11. 一種運作一光學同調斷層檢測裝置的方法，該光學同調斷層檢測裝置包含一光源、一光耦合模組及一光程差產生模組，該光程差產生模組包含至少一光學元件，該方法包含下列步驟：(a)該光源發出一同調光；(b)該光耦合模組將該同調光分成一第一入射光及一第二入射光；(c)該第一入射光射向一待測物而產生一第一反射光；以及(d)該第二入射光射向該光程差產生模組，該光程差產生模組透過改變該至少一光學元件之透光/反射性質根據該第二入射光產生不同的第二反射光；其中，該至少一光學元件係為多層排列的複數個液晶單元、多層排列的電變色材料、多層的電濕結構單元、複數個導光單元或複數個光開關單元。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中若該至少一光學元件為該多層排列的複數個液晶單元，該光程差產生模組係藉由調整該些液晶單元的旋轉角度以改變該些液晶單元的透光/反射性質，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中若該至少一光學元件為該多層排列的電變色材料，當該第二入射光射至該多層排列的電變色材料時，該光程差產生模組係藉由該多層排列的電變 色材料對應於該第二入射光之不同色光呈現出不同的透光/反射性質，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該光程差產生模組亦可藉由色光與波長的關係提供光變頻的效果。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中若該至少一光學元件為該多層的電濕結構單元，該光程差產生模組係藉由該第二入射光所通過之該多層的電濕結構單元具有不同的傳遞介質，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中若該至少一光學元件為該複數個導光單元，該光程差產生模組係藉由切換該些導光單元的方向，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中若該至少一光學元件為該複數個光開關單元，該光程差產生模組係藉由切換該些光開關單元的開啟或關閉，致使該光程差產生模組分別產生該些不同的第二反射光。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該些光開關單元為氣泡式開關。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該光耦合模組為一分光器。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之方法，進一步包含下列步驟：接收該待測物所反射的該第一反射光與該光程差產生模 組所反射之該些不同的第二反射光，並判斷該第一反射光與該些不同的第二反射光之間是否干涉，若是，產生一干涉訊號；以及對該干涉訊號進行運算，以得到該待測物在深度方向上的剖面影像。
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