TWI477939B - 降低湧浪電流電路系統及方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及穩壓器,更具體地說,本發明涉及一種用於減小浪湧的電路和方法。
開關穩壓器通常運行於一個開關導通、一個開關關斷的狀態。為此,典型的開關穩壓器一般包括具有上電晶體(如MOS管)和下電晶體的輸出級,上下電晶體的門極互聯在一起做為輸入端,漏極互聯在一起做為輸出端。通常,為了防止啟動時輸入電流過大,開關穩壓器往往採用一個浪湧電流限制器。
如第1圖所示的現有技術為這樣一個浪湧電流102的時序圖100。如圖所示,浪湧電流102接收從電流比較器來的特定信號後,在多個觸發點106開始上升,電流上升過程一直持續到隨後的時鐘信號104的上升沿到達。
如圖所示,浪湧電流102的上升時間接近一個完整的時鐘週期。這種情況下,浪湧電流將會達到非常大的值,而我們希望能夠限制浪湧電流102。
本發明的目的在於解決現有技術浪湧電流太大的問題,提供
一種用於減小浪湧電流的電路和方法。
為實現上述目的,本發明公開了一種用於減小浪湧電流的電路,包括一輸出級,該輸出級包括一對電晶體;一與所述輸出級進行通信的控制電路,所述控制電路能夠控制至少所述一個電晶體的導通持續時間,從而減小浪湧電流。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路包括一個控制電路比較器。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器包括一個運算放大器。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路包括一個控制電路比較器與一個與所述輸出級進行通信的振盪比較器相匹配來產生振盪信號。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器通過一個反及閘來控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器包括接收一沿著斜坡下降信號的第一輸入端。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器包括接收鋸齒波信號的第二輸入端。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述鋸
齒波由一個電容和所述振盪比較器產生。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述輸出級是一個穩壓器的一個組成部件。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述穩壓器包括一個開關穩壓器。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述穩壓器包括一個直流開關穩壓器。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述一對電晶體中至少一個是MOS管。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述一對電晶體中至少一個是P型電晶體。
如本發明所述的一種用於減小浪湧電流的電路,其中所述一對電晶體中至少一個是N型電晶體。
為實現上述目的,本發明還公開了一種用於減小浪湧電流的方法,包括:驅動包括一對電晶體的輸出級;控制至少一個電晶體的導通持續時間,從而減小浪湧電流。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中控制電路是一個控制電路比較器。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器包括一個運算放大器。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器與一個與所述輸出級進行通信的振盪比較器相匹配來產生振盪信
號。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器通過一個反及閘來控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器包括接收沿著斜坡下降的信號的第一輸入端。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器包括接收鋸齒波信號的第二輸入端。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述鋸齒波由一個電容和所述振盪比較器產生。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述輸出級是一個穩壓器的一個組成部件。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述穩壓器包括一個開關穩壓器。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述穩壓器包括一個直流開關穩壓器。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述一對電晶體中至少一個是MOS管。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述一對電晶體中至少一個是P型電晶體。
如本發明所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述一對電晶體中至少一個是N型電晶體。
為實現上述目的,本發明還公開了一種用於減小浪湧電流的電路,包括:一包括第一比較器和一輸出級的穩壓器電路,所述輸出級具有一對電晶體;以及一控制電路,所述控制電路與所述穩壓器電路進行通信並且包括一第二比較器,所述控制電路能夠控制至少一個電晶體的導通持續時間,從而減小浪湧電流。
由上述技術方案可知,本發明具有以下有益效果:
本發明提出的電路和方法通過減小浪湧電流的上升持續時間來減小浪湧電流。
通過以下參照附圖對優選實施例的說明,本發明的上述以及其他目的、特徵和優點將更加明顯。
102‧‧‧浪湧電流
104‧‧‧時鐘信號
106‧‧‧觸發點
200‧‧‧電路
202‧‧‧輸出級
204‧‧‧第一電晶體
206‧‧‧第二電晶體
208‧‧‧電路
210‧‧‧控制電路
302‧‧‧浪湧電流
303‧‧‧信號
304‧‧‧時鐘信號
306‧‧‧獨立觸發信號
310‧‧‧上升持續時間段
312‧‧‧上升起始點
400‧‧‧電路
401‧‧‧輸出級
402‧‧‧鎖存器
404‧‧‧電感
410‧‧‧控制電路
412‧‧‧電流鏡
M1~M7‧‧‧MOS管
INV1~INV3‧‧‧反相器
R1~R3‧‧‧電阻
AMP1~AMP3‧‧‧運算放大器
VFB‧‧‧參考電壓
PWM‧‧‧比較器
SB‧‧‧鎖存器置位端
Q‧‧‧輸出器
第1圖為現有技術浪湧電流的時序圖。
第2圖為根據本發明一個實施例用於減小浪湧電流的電路圖。
第3圖浪湧電流在時鐘信號和獨立觸發信號作用下的時序圖。
第4圖為根據本發明另一個實施例用於減小浪湧電流的電路圖。
第5圖為第4圖所示電路的多個信號時序圖。
下面將詳細描述本發明的具體實施例。應當注意,這裡描述的實施例只用於舉例說明,並不用於限制本發明。
第2圖示出了根據本發明一個實施例用於減小浪湧電流的電路圖。如第2圖所示,輸出級202包括第一電晶體204和第二電晶體206。本領域的技術人員應該認識到,第一電晶體204和第二電晶體206可以是任意形式的電晶體。如第一電晶體204和/或第二電晶體206可以是P型電晶體或N型電晶體。或者,在一個實施例中,電晶體204和206為MOS管,但在其他實施例中,它們可以是其他形式的電晶體。同時,電晶體204和206可以以任意所需方式互聯。例如,第一電晶體204可以是連接於電壓源的上電晶體,第二電晶體206可以是下電晶體。電晶體204和206的門極可以互聯在一起做為輸入端,其漏極可以互聯在一起做為輸出端。當然,電晶體204和206可以有其他形式的連接結構。而且在一個實施例中,輸出級202可以是更大一級電路208的一個組成部件,而電路208可以用來驅動輸出級202。例如,在一個實施例中,輸出級202可以是穩壓器的一個組成部件(如直流開關穩壓器)。當然,輸出級202可以用於其他任意需要減小浪湧電流的電路。
繼續參看第2圖,控制電路210與輸出級202進行通信。這種通信可以是直接或者間接的通信,包括或者不包括電路208的多個部件。在一個實施例中,控制電路210獨立於電路208,但是在其他實施例中,控制電路210可以是電路208的一個組成部件,甚至可以是輸出級202的一個組成部件。
應用中,為了減小浪湧電流,控制電路210通常可以控制電晶體204和206中的至少一個的導通時間。在一個實施例中,控制電路210控制第一電晶體204的導通時間。本發明中,這種浪湧電流可以指被電晶體204和206的至少一個吸收的最大輸入電流,而電晶體204和206在輸出級202
中。在一個實施例中,電路208包括一個開關穩壓器,此時浪湧電流指對輸出級202進行開關動作所需的電流。為了減小此浪湧電流,可以應用“軟啟動”技術。在一個實施例中,對這種浪湧電流的控制減輕了系統壓力,並解決了系統要求。
本發明的技術人員應該認識到,浪湧電流可以用任意可行的方式減小。在一個實施例中,可以通過減小浪湧電流的上升持續時間來減小浪湧電流的大小。這可以通過減小電晶體204和206中至少一個電晶體的導通持續時間來實現。
第3圖示出了浪湧電流302在時鐘信號304和獨立觸發信號306作用下的時序圖300。做為一個實施例,時序第圖300表徵了第2圖所示電路200的工作狀態。當然,時序圖300可以在其他電路環境裏實現。本實施例中,浪湧電流302的上升不必起始於來自比較器的信號303,而是可以用獨立觸發信號306來定義其上升的起始時間,從而縮短浪湧電流的上升時間。如圖所示,此浪湧電流的上升時間終止於隨後的時鐘脈衝304的上升沿,並且上升持續時間段310的長度隨獨立觸發信號306的上升沿和隨後的時鐘信號脈衝304而改變。例如,隨著浪湧電流302上升起始點312沿著斜坡增大,浪湧電流上升持續時間段310也增大,來相應控制浪湧電流302。
為了實現上述功能,控制電路可以包括一個控制電路比較器,該控制電路比較器與輸出級進行通信的獨立振盪比較器相匹配來產生振盪信號。通常,這個控制電路比較器用於控制振盪比較器何時與輸出級進行通信。這個控制電路比較器可以用一個反及閘或者相關邏輯電路實現。
第4圖示出了根據本發明另一個實施例用於減小浪湧電流的
電路400。電路400的實現功能如第2圖和第3圖所示。當然,電路400可以以其他電路環境來實現。
如圖所示,電流源Iosc連接至振盪電容Cosc的第一端和運算放大器AMP3的反相輸入端,該運算放大器AMP3可以做為振盪比較器,參考電壓Vref連接至運算放大器AMP3的同相輸入端,運算放大器AMP3被配置成用作一個比較器,開關S1的第一端連接至振盪電容Cosc的第一端,開關S1的第二端和振盪電容Cosc的第二端接地。開關S1的控制端連接至運算0放大器AMP3的輸出端。這種配置下,運算放大器AMP3將產生負脈衝信號,如第3圖所示的時鐘信號304。這是因為,當開關S1斷開時,電流源Iosc對振盪電容Cosc充電,直至達到參考電壓Vref,運算放大器AMP3輸出低電平,將開關S1閉合,振盪電容Cosc兩端電壓被迅速釋放,運算放大器AMP3重新輸出高電平,將開關S1斷開,從而在運算放大器AMP3的輸出端得到這樣的負脈衝信號。運算放大器AMP3的輸出端連接至鎖存器402的置位端SB,鎖存器402的輸出端Q連接至反相器INV1的一個輸入端。反相器INV1的輸出端連接至反及閘NAND1的第一個輸入端,反及閘NAND1的輸出端連接至兩個串聯連接的反相器INV2和INV3的輸入端。反相器INV3的輸出端連接至輸出級401。本實施例中,反相器INV3的輸出端連接至MOS管M6和M7的門極,MOS管M6和M7的漏極連接至電感404,MOS管M6的源極連接至電壓源VIN。
運算放大器AMP3輸出的負脈衝信號將鎖存器402的輸出Q置位為“1”,於是在反相器INV1的輸出端得到邏輯“0”。無論反及閘NAND1的第二個輸入端為何值,這個邏輯“0”通過反及閘NAND1後,在
反及閘NAND1的輸出端得到邏輯“1”。於是在反相器INV2的輸出端得到邏輯“0”,進而在反相器INV3的輸出端得到邏輯“1”。反相器INV3輸出端的這個邏輯“1”,即高電平,將輸出級的MOS管M7導通,而將輸出級的MOS管M6關斷。在輸出級401的MOS管M7導通前,電流流經MOS管M6和電感404。而在MOS管M7導通後,電流流經MOS管M7和電感404,並且電感404的電流開始下降,該電感電流的下降情況即是如第3圖所示的浪湧電流302的下降情況。
繼續參看第4圖,MOS管M7的源極連接至採樣電阻Rs的第一端和電流檢測放大器AMP4的反相輸入端。在一個實施例中,電流檢測放大器AMP4為跨導放大器。電流檢測放大器AMP4的同相輸入端和採樣電阻Rs的第二端接地。電流檢測放大器AMP4的輸出端連接至電阻R2的第一端和PWM比較器PWM COMP的同相輸入端。電阻R3的第一端和誤差放大器AMP5的輸出端連接至PWM比較器PWM COMP的反相輸入端,電阻R2和R3的第二端均接地。參考電壓Vref連接至誤差放大器AMP5的同相輸入端,參考電壓VFB連接至誤差放大器AMP5的反相輸入端。PWM比較器PWM COMP的輸出端連接至鎖存器402的復位端RB。
如前所述,當輸出級401的MOS管M7導通時,電流流經MOS管M7和電感404。電流同時流經採樣電阻Rs,在採樣電阻Rs兩端形成電壓降,於是電流檢測放大器AMP4輸出一電流,相應地,在電阻R2兩端得到電壓Vr2。PWM比較器PWM COMP將電阻R2兩端的電壓Vr2和電阻R3兩端的電壓VEA,也即誤差放大器AMP5的輸出電壓進行比較。而如前所述,流經MOS管M7和電感404的電流在MOS管M7導通後下降,當電流下降至致使
Vr2<VEA時,PWM比較器PWM COMP將輸出低電平,進而復位鎖存器402,使鎖存器輸出Q為“0”。此時,輸出級401的狀態將保持不變直至反及閘NAND1的第二輸入端變高。
於是,為了在MOS管M7斷開、MOS管M6導通時達到控制的目的,控制電路410將被用於控制反及閘NAND1的第二輸入端。因此,通過控制MOS管M6的導通持續時間,控制電路410可以減小浪湧電流。為此,如第4圖所示,控制電路410將包括一系列部件。
如第4圖所示,控制電路410包括運算放大器AMP2,該運算放大器AMP2可以做為第2圖中控制電路210的控制電路比較器,運算放大器AMP2與運算放大器AMP3相匹配。運算放大器AMP2的同相輸入端(即第二輸入端)連接至振盪電容Cosc的第一端,運算放大器AMP2的反相輸入端(即第一輸入端)連接至控制電路410用於產生門限電流Ith的部分。運算放大器AMP2的輸出端連接至反及閘NAND1的第二輸入端。應用中,運算放大器AMP3做為一個比較器。控制電路410還包括連接至運算放大器AMP1第一同相輸入端的電壓源Vss。運算放大器AMP1的第二同相輸入端連接至一參考電壓源(如0.6V),運算放大器AMP1的反相輸入端連接至採樣電阻Rss的第一端。採樣電阻Rss的另一端接地。運算放大器AMP1的輸出端連接至MOS管M5的門極,MOS管M5的源極連接至採樣電阻Rss的第一端,MOS管M5的漏極連接至電流鏡412。本實施例中,MOS管M5的漏極連接至MOS管M1的門極和漏極,以及MOS管M2的門極。MOS管M1和M2的源極連接至電壓源Vsupply。MOS管M2的漏極連接至電流源Iss。MOS管M3的門極和漏極,以及MOS管M4門極也連接至電流源Iss。MOS管M3和M4的源極連接至
電壓源Vsupply。MOS管M4的漏極連接至電阻R1的第一端和運算放大器AMP2的反相輸入端。
以下闡述電路400的整個工作過程和控制電路410如何減小浪湧電流。如前所述,時鐘信號由運算放大器AMP3、振盪電容Cosc、電流源Iosc以及開關S1產生。電流源Iosc給振盪電容Cosc充電。當運算放大器AMP3反相端的電壓達到同相端的參考電壓Vref時,其輸出端變低,將開關S1開通。開通後的開關S1將振盪電容Cosc兩端接地,於是振盪電容Cosc迅速放電,使得兩端電壓為零。於是運算放大器AMP3的輸出變高,將開關S1斷開。給振盪電容Cosc充放電的過程如此重複,因此運算放大器AMP3反相端的電壓表現為鋸齒波的形式(由振盪電容Cosc產生),而運算放大器AMP3的輸出端則週期性的出現低脈衝,用以作為電路400的時鐘信號。運算放大器AMP3的輸出用來置位鎖存器402,每當運算放大器AMP3輸出一個低脈衝,即鎖存器置位端SB變低,其輸出Q變高,使得反相器INV1的輸出變低,從而可以忽略反及閘NAND1第二輸入端的狀態,使反相器INV1輸出的邏輯“0”經過反及閘NAND1以及反相器INV2和INV3後,變為邏輯“1”,而將MOS管M7導通。
MOS管M7導通後,電流流經電感和MOS管M7,此時在採樣電阻Rs兩端形成壓降,此壓降連接至電流檢測放大器AMP4。因為電流檢測放大器AMP4是一個跨導型放大器,所以其輸出是正比於電阻Rs兩端降壓的電流,此電流流經電阻R2後,形成壓降Vr2。Vr2被用來與誤差放大器AMP5的輸出電壓VEA進行比較。起初,MOS管M7剛剛導通,電壓Vr2高於電壓VEA,隨著電感電流的減小,電壓Vr2也減小,直至減小至低於VEA時,PWM
比較器PWM COMP的輸出變低,而復位鎖存器402,使鎖存器402的輸出Q變低,INV1輸出高電平。如果運算放大器AMP2的輸出為高,經由反及閘NAND1後為低,進而經由反相器INV2和INV3到達輸出級401時,信號為低。於是這個信號將MOS管M7關斷而將MOS管M6導通。此時,電流從電源VIN流入,從電感流出。MOS管M6保持導通狀態直至時鐘信號置位元鎖存器402,上述過程繼續重複。時鐘信號啟動MOS管M7,從流經採樣電阻Rs的電流可以知道MOS管M7的導通和MOS管M6的關斷的時刻。應該認識到,這個運行方式的前提是運算放大器AMP2的輸出為高。
接下來看控制電路410的工作狀態,即它怎麼減小浪湧電流來實現“軟啟動”。為了實現“軟啟動”,MOS管M6的導通時間將被控制為逐漸增大直至達到電路400所需的導通時間。這通過首先產生從參考電壓Vref對應值往下沿著斜坡下降的門限電流Ith,然後將門限電流Ith對應值與振盪電容Cosc兩端的振盪電壓Vcosc進行比較來實現。門限電流Ith的斜率由軟啟動電壓源Vss控制,並且變化趨勢與軟啟動電壓源Vss相反。運算放大器AMP2將門限電流Ith與振盪電壓Vcosc的比較結果以信號Itrip_ok的形式輸出,用來強制MOS管M7保持導通。如果振盪電壓Vcosc小於門限電流Ith對應值(門限電流Ith與電阻R1的乘積),運算放大器AMP2輸出為低。這種情況下,MOS管M7被強制保持導通,儘管此時鎖存器已經被PWM比較器PWM COMP複位置低。即此時電路400保持MOS管M7導通而MOS管M6斷開。當振盪電壓Vcosc大於門限電流Ith(門限電流Ith與電阻R1的乘積)時,運算放大器AMP2輸出為高,電路400的工作狀態變為MOS管M6導通而MOS管M7斷開。
應用中,控制電路410用來產生門限電流Ith和信號Itrip_ok。軟啟動過程中,運算放大器AMP1第一同相輸入端的電壓源Vss從零開始增大。當其小於運算放大器AMP1第二同相輸入端的電壓(本實施例中,其值為0.6V)時,電阻Rss兩端的電壓與電壓源Vss呈現相同的變化。因此,一個值為Vss/Rss的電流流經MOS管M5和MOS管M1。當電壓源Vss達到運算放大器AMP1第二同相輸入端的電壓(例如0.6V)時,電阻Rss兩端的壓降被鉗位在運算放大器AMP1第二同相輸入端的電壓,於是相應電流被鉗位在0.6/Rss。流經Rss的電流被MOS管M2鏡像並流向電流源Iss,電流源Iss和流經Rss電流的差值流入MOS管M3,即MOS管M3的電流為Iss-0.6/Rss。MOS管M3的電流再次被MOS管M4鏡像,形成流經電阻R1的門限電流Ith。因此門限電流Ith與電壓源Vss成負向關係:即隨著電壓源Vss增大,門限電流Ith減小。
第5圖為第4圖所示電路的多個信號時序圖500,即時序圖500可以表現電路400的工作狀態。當然,本領域的技術人員應該認識到,時序圖500可以用其他電路來實現,而不僅限於電路400。如第5圖所示,門限電流Ith朝著與電壓源Vss變化趨勢相反的方向下降。可以看到,當振盪電壓Vcosc超過門限電流Ith時,信號Itrip_ok被觸發為高,當振盪電壓Vcosc掉至低於門限電流Ith時,信號Itrip_ok被觸發為低。由於門限電流Ith如圖方式下降,信號Itrip_ok的高電平持續時間相應慢慢增大。
信號Itrip_ok由低變高時,MOS管M6導通,MOS管M7關斷。隨著信號Itrip_ok高電平持續時間的增大,MOS管M7的導通持續時間相應減小,直至達到電路400所需的時間。由於MOS管M7的導通持續時間以這種
方式減小,所以減小了浪湧電流。
本發明還提出了一種用於減小浪湧電流的方法,該方法包括以下步驟:驅動包括一對電晶體的輸出級;控制至少一個電晶體的導通持續時間,從而減小浪湧電流。
以上這些,是為了本領域技術人員理解本發明,而對本發明所進行的詳細描述,但可以想到,在不脫離本發明的權利要求所涵蓋的範圍內還可以做出其他的變化和修改,這些變化和修改均在本發明的權利要求所保護的範圍內。
200‧‧‧電路
202‧‧‧輸出級
204‧‧‧第一電晶體
206‧‧‧第二電晶體
208‧‧‧電路
210‧‧‧控制電路
Claims (19)
- 一種用於減小浪湧電流的電路,其特徵在於,包括:一輸出級,所述輸出級包括一對電晶體;一與所述輸出級進行通信的控制電路,其中所述控制電路包括一控制電路比較器,所述控制電路比較器包括接收一沿著斜坡下降信號的第一輸入端和接收鋸齒波信號的一第二輸入端,所述控制電路能夠控制至少一個所述電晶體的導通持續時間變小,從而減小浪湧電流。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器與一個與所述輸出級進行通信的振盪比較器相匹配來產生振盪信號。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器包括一個運算放大器。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述控制電路比較器連接一個反及閘,以控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其還包括一個電容,所述電容與所述振盪比較器連接產生所述鋸齒波。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述輸出級是一個穩壓器的一個組成部件。
- 如申請專利範圍第6項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述穩壓器包括一個開關穩壓器。
- 如申請專利範圍第7項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述穩壓 器包括一個直流開關穩壓器。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於減小浪湧電流的電路,其中所述一對電晶體中至少一個是MOS管、P型電晶體或N型電晶體。
- 一種用於減小浪湧電流的方法,其特徵在於,包括:驅動包括一對電晶體的輸出級;使用一控制電路控制至少一個電晶體的導通持續時間變小,從而減小浪湧電流,其中所述控制電路包括一控制電路比較器,所述控制電路比較器包括接收一沿著斜坡下降信號的第一輸入端和接收鋸齒波信號的一第二輸入端。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器與一個與所述輸出級進行通信的振盪比較器相匹配來產生振盪信號。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器包括一個運算放大器。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述控制電路比較器連接一個反及閘,以控制所述振盪比較器何時與所述輸出級進行通信。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述鋸齒波由一個電容和所述振盪比較器產生。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述輸出級是一個穩壓器的一個組成部件。
- 如申請專利範圍第15項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述穩壓 器包括一個開關穩壓器。
- 如申請專利範圍第16項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述穩壓器包括一個直流開關穩壓器。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於減小浪湧電流的方法,其中所述一對電晶體中至少一個是MOS管、P型電晶體或N型電晶體。
- 一種用於減小浪湧電流的電路,其特徵在於,包括:一包括第一比較器和一輸出級的穩壓器電路,所述輸出級具有一對電晶體;以及一控制電路,所述控制電路與所述穩壓器電路進行通信並且包括一第二比較器,所述第二比較器包括接收一沿著斜坡下降信號的第一輸入端和接收鋸齒波信號的一第二輸入端,所述控制電路能夠控制至少一個電晶體的導通持續時間變小,從而減小浪湧電流。
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