TWI476860B - 晶圓狀物件之表面處理用裝置 - Google Patents

晶圓狀物件之表面處理用裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI476860B
TWI476860B TW101119162A TW101119162A TWI476860B TW I476860 B TWI476860 B TW I476860B TW 101119162 A TW101119162 A TW 101119162A TW 101119162 A TW101119162 A TW 101119162A TW I476860 B TWI476860 B TW I476860B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
annular
wafer
collet
annular collet
liquid processing
Prior art date
Application number
TW101119162A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201301435A (zh
Inventor
Otto Lach
Ulrich Tschinderle
Markus Junk
Original Assignee
Lam Res Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Ag filed Critical Lam Res Ag
Publication of TW201301435A publication Critical patent/TW201301435A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI476860B publication Critical patent/TWI476860B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

晶圓狀物件之表面處理用裝置
一般而言,本發明關於晶圓狀物件(例如半導體晶圓)之表面處理用裝置,其中一或多處理流體可以從封閉的製程腔室被回收。
半導體晶圓受到各種表面處理製程,例如蝕刻、清潔、研磨及材料沉積。為了採用此類製程,藉由與可旋轉載具連接之一夾頭,單一晶圓被支托以相對於一或多處理流體噴嘴,例如,如美國專利第4,903,717及5,513,668號中所述。
或者,環狀夾頭形式、用於支托晶圓之夾頭可能位於封閉的製程腔室內,且其藉由主動式磁浮軸承加以驅動、並無實體接觸,例如,如國際公開案WO 2007/101764及美國專利第6,485,531號所述。由於離心作用從旋轉中晶圓之邊緣向外流動之處理流體被傳送至共同排水用於處理。
共同擁有的美國專利申請案第12/787,196號(申請日為2010年5月25日)及12/842,836(申請日為2010年7月23日)及WO 2010/113089揭露環狀夾頭之改良構造,其中,藉由向下突出的夾持銷,晶圓被懸吊於環狀夾頭之底側。
本案發明人已經發現,在上述的夾頭種類中,由晶圓表面所排出之處理液體並未完全如所需的路線傳送。具體而言,即使環狀夾頭被製做以將處理流體導向晶圓及環狀夾頭之下及之外,本案發明人已經發現,一部分的處理液體傾向於向上移動進入在環狀夾頭與周圍的圓柱壁之間的極窄間隙。
因此,本發明提出一種晶圓狀物件之液體處理用裝置,包括一封閉的製程腔室,一環狀夾頭,位於封閉的製程腔室中,環狀 夾頭係在無實體接觸下藉由磁浮軸承加以驅動,一磁性定子,圍繞封閉的製程腔室,封閉的製程腔室包括一圓柱壁,在一晶圓狀物件之液體處理時配置在環狀夾頭及磁性定子之間,環狀夾頭具有一形式,用於防止製程液體向上進入在環狀夾頭及圓柱壁之間所界定之間隙。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括朝下吊掛之一擾流板,延伸自環狀夾頭之一朝下表面。
在本發明之較佳實施例中,相較於環狀夾頭之朝下表面(擾流板自此延伸出),擾流板以更垂直的方位自環狀夾頭延伸。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括一朝下的流體導向表面,相對於環狀夾頭之旋轉軸以一傾斜角度延伸,環狀夾頭更包括至少一朝下環形凹面,形成在環狀夾頭之朝下的流體導向表面之徑向外側區域中。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括二朝下環形凹面,形成在環狀夾頭之朝下的流體導向表面之徑向外側區域,其中該二朝下環形凹面係彼此鄰近的,且彼此被在環狀夾頭之朝下的流體導向表面中之一不連續所分隔。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括一朝下及朝內的流體導向表面,相對於環狀夾頭之旋轉軸以一傾斜角度延伸,環狀夾頭更包括一環形狹縫,形成在環狀夾頭之朝下及朝內的流體導向表面中,該狹縫之尺寸係形成以便打斷越過環狀夾頭之朝下及朝內的流體導向表面之一液體流。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括一朝下的流體導向表面,相對於環狀夾頭之旋轉軸以一傾斜角度延伸,環狀夾頭更包括一系列開口,形成在環狀夾頭之朝下的流體導向表面之徑向外側區域中。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括一朝下的流體導向表面,相對於環狀夾頭之旋轉軸以一傾斜角度延伸,環狀夾頭更包括一環形凹形流體捕捉器,形成在環狀夾頭之徑向朝外表面中,徑向朝外表面在徑向上位於環狀夾頭之朝下的流體導向表面 之外、軸向上位於環狀夾頭之朝下的流體導向表面之上。
在本發明之較佳實施例中,該裝置為用於單晶圓溼式處理之製程模組中之一旋轉夾頭。
在本發明之較佳實施例中,環狀夾頭包括由環狀夾頭向下突出之一系列接觸元件,用於維持一晶圓狀物件懸吊於環狀夾頭之底側。
在本發明之較佳實施例中,該等接觸元件係一系列銷,該等銷可一起在一徑向內側位置與一徑向外側位置之間移動,在徑向內側位置中該等銷與一晶圓狀物件接觸,在徑向外側位置該等銷釋放該晶圓狀物件。
在本發明之較佳實施例中,該等銷係配置為一環形系列,每一銷由一個別樞座沿著一軸突出,該軸係平行及偏離樞座之樞軸。
在本發明之較佳實施例中,該裝置更包括一垂直移動致動器,操作性地連接至定子。
在本發明之較佳實施例中,垂直移動致動器係經由一磁耦合以操作性地連接至定子。
在本發明之較佳實施例中,磁浮軸承係一主動式磁浮軸承。
在閱讀下文中的實施方式、並且參考伴隨的圖式後,本發明之其它目的、特徵、及優點將更為清楚。
參考圖1,封閉的製程腔室係由具有開放式底部區域之上腔室所界定,上腔室係位於具有開放式頂部區域之較大下腔室之上。上腔室之邊緣係由圓柱形腔室壁(105)所界定。圓柱形腔室壁(105)包括具有上端、垂直朝向的圓柱壁、及在其下端、向外延伸的徑向凸緣。
內蓋板(131)係位於圓柱形腔室壁(105)之上端之上,以提供上腔室之封閉上表面,在圓柱形腔室壁(105)之內側延伸。內蓋板(131)也從圓柱形腔室壁(105)之上端徑向地向外延伸。因此,封閉的製程腔室之上腔室包括在內蓋板(131)下、圓柱形 腔室壁(105)內所形成之內部區域。
封閉的製程腔室之下腔室係藉由底板(136)而形成,且下腔室大於上腔室。框體(138)包含直立壁,直立壁係接合於底板(136)之周緣附近,以便形成下腔室之直立延伸側壁。晶圓裝卸載出入門(134)係設置於框體(138)之一壁中,且維修出入門係設置於框體(138)之另一壁中。
在底板(136)對面,框體(138)被接合於向內延伸的環形蓋板(132),以形成下腔室之環形上表面。因此,封閉的製程腔室之下腔室包括在底板(136)上、框體(138)內、及環形蓋板(132)下所形成之內部區域。
環形蓋板(132)之內周緣係靠著圓柱形腔室壁(105)之下端之水平延伸凸緣,以便使上及下腔室接合而形成封閉的製程腔室。
環狀夾頭(102)位於上腔室內。環狀夾頭(102)用於以可旋轉的方式支托基板(W)。較佳地,環狀夾頭(102)包括可旋轉的驅動環,可旋轉的驅動環具有複數可偏心移動的夾持構件,用於選擇性地接觸或釋放晶圓之周緣。
在圖1所示之實施例中,環狀夾頭(102)包括環狀轉子(103),設置為毗鄰於圓柱形腔室壁(105)之內表面。定子(104)係設置為在環狀轉子之對面、且毗鄰於圓柱形腔室壁(105)之外表面。轉子(103)及定子(104)係做為馬達,藉此,環狀夾頭(且因此受支托的晶圓)可藉著主動式磁浮軸承而旋轉。例如,定子(104)可包括複數電磁線圈或繞組,其可被主動地控制,而藉由設置於轉子(103)上之對應的永久磁鐵、以可旋轉的方式驅動環狀夾頭(102)。環狀夾頭(102)之軸向及徑向的軸承也可藉由定子之主動式控制或藉由永久磁鐵而加以實現。因此,可以在沒有機械接觸的狀況下,使環狀夾頭(102)懸浮及以可旋轉的方式加以驅動。
或者,環狀夾頭可以藉由被動式軸承加以支承,其中環狀夾頭之磁鐵係藉由對應的高溫超導磁鐵(HTS-磁鐵)加以支承,高 溫超導磁鐵係周圍地排列在腔室外之外部環狀夾頭上。根據此替代實施例,環狀夾頭之每一磁鐵被釘於外部轉子之對應HTS-磁鐵。因此,在沒有實體連接的狀況下,內部轉子做出與外部轉子相同的移動。
內蓋板(131)被中間入口(110)所貫穿。類似地,底板(136)被中間入口(109)所貫穿。在晶圓處理時,處理流體可經由中間入口(109)及/或(110)導向旋轉中的晶圓,以實施各種製程,例如蝕刻、清潔、沖洗、及任何其它想要的晶圓表面處理。
在封閉的製程腔室之下腔室中,設置有一或多個可垂直移動的防濺檔板(111,115)。在圖1中顯示兩個環形的防濺檔板(111及115),然而,應當了解,可以設置任何想要數量之防濺檔板,或者省略所有的防濺檔板。
排放口(117)延伸穿過底板(136)、並且打開至由防濺檔板(115)所界定之內流體收集器,而排放口(108)延伸穿過底板(136)、並且打開至由防濺檔板(111)所界定之外流體收集器。較佳地,底板(136)相對於水平面是傾斜朝向排放口(108)及(117)每一者,俾使由內或外流體收集器所收集之流體沿著底板(136)流向排放口(117)及(108)。
通到封閉的製程腔室之排氣口(106)也被設置,以促進空氣及/或其它氣體及煙之流動。
每一防濺檔板在垂直方向係可獨立移動的。因此,每一防濺檔板可相對於環狀夾頭(102)及相對於任何其它防濺檔板而選擇性地上昇及/或下降,俾使從環狀夾頭之尾緣(122)所散發出之過量的製程流體被導向所選擇的流體收集器。
一或多個致動器被設置於封閉的製程腔室之外,以促進每一防濺檔板之選擇性及獨立的移動。例如,致動器(113)係以可操作的方式與外防濺檔板(111)結合,另一致動器(116)係以可操作的方式與內防濺檔板(115)結合。較佳地,三個致動器被提供給每一防濺檔板,但是,所使用的致動器之數目在某種程度上將取決於所結合的防濺檔板之幾何形狀。
致動器(113,116)設置有永久磁鐵,其對應於防濺檔板(111,115)所帶著之永久磁鐵。因此,藉由相對的永久磁鐵組所形成之磁耦合,致動器可提供每一防濺檔板之選擇性的垂直移動。
現在參考圖2(a),環狀夾頭也包括齒輪環(30),齒輪環(30)係安裝於環狀夾頭結構內,其將更加詳細地描述於圖3之實施例中。
環狀夾頭(102)更包括尾緣(122),尾緣(122)係以一朝下角度加以定位,由環狀夾頭(102)之旋轉軸徑向地指向外,如圖2(a)所示。因此,由旋轉的晶圓所產生之離心作用導致已經經由中間入口(109)或(110)被施加之過量製程流體被迫使靠著環狀夾頭(102)之具有角度的表面、並且由尾緣(122)導向朝下且朝外的方向。
然而,本案發明人已經發現,在製程液體已經停駐在晶圓W之表面之後,如圖2(a)所示之結構無法使得所有製程液體被朝下且朝外地導離環狀夾頭(102)。反而,使用過的製程液體之液滴或液流L也朝上且朝外地移動,在此,它們進入介於轉子(103)及圓柱形腔室壁(105)之間的間隙G。
在介於旋轉的夾頭(102)及周圍的腔室壁(105)之間的間隙G所累積之處理液體對馬達性能有不利的影響,並且也可能改變晶圓上效能(製程結果)。
因此,如圖2(b)所示,根據本發明之實施例之裝置包括擾流板(125),擾流板(125)為圓柱形擋板之形式,其從尾部表面(122)吊掛朝下。在此例中,擾流板(125)係垂直地加以定位,但其亦可以一傾斜角度加以定位。然而,擾流板(125)應定位為比尾部表面(122)更為垂直。
如圖2(b)所示,擾流板(125)防止液滴L之朝上移動,而將液滴L導向收集腔室,或者,在具有複數收集腔室之裝置中,導向適當的收集腔室。
圖2(b)中之元件符號(126)代表一孔,其容納用於連接齒輪環(30)之一螺栓。複數個這種孔(126)被形成在環狀夾頭(102) 上。齒輪環(30)包括一系列對應的狹縫,這些螺栓將穿過該等狹縫,在打開或關閉夾持鞘時,該等狹縫使齒輪環(30)與環狀夾頭(102)之間得以相對旋轉一限定的角度範圍。
現在參考圖2(c),在此實施例中,藉由在尾緣(122)之較低及徑向最外面的區域所形成之一對凹面表面,可防止製程液體之朝上進入。尤其是,凹面表面(127)及凹面表面(128)係形成為彼此相鄰,且在尾緣表面(122)被一不連續所分隔。該等表面(127)及(128)一起在尾緣(122)之外周緣上佔據一徑向距離d。因此,以類似於圖2(b)之實施例之方式,圖2(c)之環狀夾頭結構更確實地將使用過的製程液體導向預計的路徑。
在圖2(d)之實施例中,藉由在尾緣(122)之較低及徑向最外面的區域形成一系列開口(129),以防止製程液體之朝上進入。開口(129)穿過環狀夾頭(102)之下部,因此將使用過的製程液體徑向地導向外、並且離開在環狀夾頭(102)與腔室壁(105)之間的間隙G。
如本發明之其它揭示實施例之結構一般,開口(129)也用於打斷由晶圓表面徑向地朝外排出之使用過的製程液體之流動、促進液滴之形成、及打斷任何層流。因此,所揭示的實施例不僅使得使用過的製程液體轉向,而且也減少其速度及流動能量。由本裝置所形成之使用過的製程液體之液滴較不易在最外面的夾頭邊緣行進,而且可以更容易被旋轉去除。
現在參考圖2(e),根據本發明之又一實施例之裝置包括環狀狹縫(135),環狀狹縫形成在尾部表面(122)中。在此例中,狹縫(135)延著表面(122)之整個周邊連續地延伸;然而,狹縫(135)亦可能形成為一系列斷續的拱形狹縫。狹縫(135)在尾部表面(122)之面上是打開的,其寬度及其深度係選擇以中斷液體沿著尾部表面(122)徑向朝外地流動。
如圖2(e)所示,狹縫(135)防止液滴L之向上移動,而將它們導向收集腔室、或導向適當的收集腔室(在裝置具有複數收集腔室之例子中)。
現在參考圖2(f),在此實施例中,凹形捕捉器(130)防止製程液體之向上進入,凹形捕捉器(130)係形成在環狀夾頭之徑向朝外表面中,環狀夾頭之徑向朝外表面係徑向地配置於尾緣表面(122)之外、且軸向地配置於尾緣表面(122)之上。較佳地,凹面捕捉器(130)是環狀的,延伸遍及環狀夾頭(102)之整個周邊。
熟悉此項技術者能夠了解,在圖2(b)至2(f)中所揭露之結構並不必然是非此即彼的,其亦可利用任何適當的結合一起被使用。
圖3描繪環狀夾頭之另一實施例,本發明可被應用於此。圖3之夾頭(100)包括一腔室、用於夾持及旋轉晶圓狀物件W之環形夾頭(20)、及一定子(80)。該腔室包括圓柱壁(60)、底板(65)及頂板(未顯示)。上分配管(63)被引導穿過頂板,下分配管(67)穿過底板(65)。
定子(80)係裝設於定子基板(5),且與圓柱壁(60)是同心的。定子基板(5)可沿著圓柱壁(60)之軸在軸向方向上移動,例如,隨著氣動升降裝置。定子基板(5)及裝設於其之定子(80)具有中央開口,其直徑大於圓柱壁(60)之外徑。頂板(未顯示)亦可軸向地移動以打開腔室。在其關閉位置,頂板係靠著圓柱壁(60)被閉緊。
如圖4所示,定子(80)包括數個線圈(84)用於軸向及徑向定位以及用於驅動轉子(85),轉子(85)係環形夾頭之一部分。環形夾頭(20)之直徑係小於圓柱壁之內徑,俾使它可以在圓柱壁(60)中自由地升高及旋轉。環形夾頭(20)包括內側夾頭基體(21),具有在周圍環繞著內側夾頭基體(21)之外側之環形溝槽,且環形溝槽接收齒輪環(30)。較佳地,齒輪環(30)由PEEK、鋁、或不鏽鋼所形成。齒輪環(30)包括朝內的齒狀物,其驅動銷桿(27)之齒狀物(見圖5)。
此實施例具有六個朝下的銷桿(27),其每一者具有一小齒輪,被齒輪環(30)所驅動。銷桿(27)之裝設係使它們能繞著軸A旋轉,軸A係平行於環形夾頭之旋轉軸。
在與銷桿(27)之旋轉軸A不同心之位置,銷(28)被裝設至每一銷桿(27)或與銷桿(27)一體成形。
因此,當齒輪環(30)使銷桿(27)轉動時,銷(28)在徑向上離開夾頭。因為銷及齒輪環(30)兩者被夾頭基體(21)所支托,只有當齒輪環(30)相對於夾頭基體旋轉時,齒輪環(30)使銷桿(27)旋轉。
銷(28)係配置以便接觸晶圓W於其周緣。因為銷(28)也支托晶圓W之重量,所以銷(28)可能是圓柱形狀、或在其與晶圓邊緣接觸之徑向朝內側上具有凹入部份,以防止當晶圓被抓住時、晶圓相對於銷(28)之軸向移位。
為了安裝齒輪環(30)在夾頭基體(21)之環形溝槽中,齒輪環(30)由兩個不同的部分所構成,當被插入在環形溝槽內的時候,其被固定在一起。
二個永久磁鐵(33)(見圖4)係裝設於齒狀齒輪環(30)。至少二十四個複數之轉子磁鐵(85)為永久磁鐵,其圍繞著夾頭基體(21)而均勻地排列。這些轉子磁鐵(85)是驅動及定位單元之部分,亦即環狀夾頭之部分(主動軸承之元件),其係裝設於夾頭基體(21)。
該複數個轉子磁鐵(85)及帶著永久磁鐵(33)之齒輪環(30)被封入在由夾頭基體(21)、外側下夾頭封蓋(22)及轉子磁鐵封蓋(29)所界定之中空環形空間內。這種轉子磁鐵封蓋(29)可以是不鏽鋼套。
封蓋(22)及(29)是環形的,並且與夾頭基體(21)是同心的。
在組裝夾頭(20)時,銷桿(27)由上方被插入在其個別的位置,俾使銷桿靠著夾頭基體21而緊閉,如圖5所示。每一銷桿(27)利用螺栓(24)加以固定在位置。此外,可藉由在銷桿及螺栓之間之螺旋彈簧將每一銷桿壓入其位置。
連接於定子基板(5)的是定子及主動定位單元(80),主動定位單元(80)係設置為與圓柱壁(60)是同心的。定位單元(80) 與轉子磁鐵(85)對應,因而使夾頭(20)升高、定位、及旋轉。
在主動定位單元(80)下,有兩個氣壓缸(50)裝設至定子基板(5)。在氣壓缸(50)之桿體之遠端上,設置著鎖定磁鐵(55)(永久磁鐵)。鎖定磁鐵對應至齒輪環(30)之永久磁鐵(33)。氣壓缸(50)係設置為使得鎖定磁鐵(55)可相對於圓柱壁(60)之軸而徑向地移動。
當銷將被打開以,例如,釋放晶圓時,下列的程序被實施:定子基板(5)被抬高,隨之升高夾頭(20),俾使圓柱壁(60)不再位於在鎖定磁鐵(55)與夾頭(20)之間的間隙中(見圖5)。
隨後,氣壓缸(50)移動鎖定磁鐵(55)以非常靠近夾頭(20),且夾頭被轉動,俾使永久磁鐵(33)及隨之的齒輪環(30)被鎖定磁鐵(55)所固定。現在,夾頭被轉動,然而齒輪環保持不動,因此銷(28)打開。或者,夾頭基體可保持不動,然而氣壓缸被移動,俾使鎖定磁鐵切線地轉動(沿著夾頭之周邊),藉此齒輪環被轉動。
如圖4及5所示,此實施例之夾頭基體(21)係設置著擾流板(25),其結構及功能如圖2(b)之實施例之擾流板(125)所述。
類似地,如圖3-5所述之夾頭可替代地或額外地配置著如圖2(c)、2(d)、及2(e)所述之結構之任一者或多者。
雖然本發明已經利用數個說明用的實施例加以描述,應當了解,該等實施例不應被用來限制保護範圍,保護範圍係由隨附的申請專利範圍之真實範圍及精神所授予。
5‧‧‧定子基板
20‧‧‧環形夾頭
21‧‧‧內側夾頭基體
22‧‧‧外側下夾頭封蓋
24‧‧‧螺栓
25‧‧‧擾流板
27‧‧‧銷桿
28‧‧‧銷
29‧‧‧轉子磁鐵封蓋
30‧‧‧環形齒輪
33‧‧‧永久磁鐵
50‧‧‧氣壓缸
55‧‧‧鎖定磁鐵
60‧‧‧圓柱壁
63‧‧‧上分配管
65‧‧‧底板
67‧‧‧下分配管
80‧‧‧定子
84‧‧‧線圈
85‧‧‧轉子磁鐵
100‧‧‧夾頭
102‧‧‧環狀夾頭
103‧‧‧轉子
104‧‧‧定子
105‧‧‧圓柱形腔室壁
106‧‧‧排氣口
108‧‧‧排放口
109‧‧‧中間入口
110‧‧‧中間入口
111,115‧‧‧防濺檔板
113,116‧‧‧致動器
117‧‧‧排放口
122‧‧‧尾緣
125‧‧‧擾流板
126‧‧‧孔
127,128‧‧‧凹面表面
129‧‧‧開口
130‧‧‧凹形捕捉器
131‧‧‧內蓋板
132‧‧‧環形蓋板
134‧‧‧晶圓裝卸載出入門
135‧‧‧環狀狹縫
136‧‧‧底板
138‧‧‧框體
A‧‧‧軸
d‧‧‧徑向距離
G‧‧‧間隙
L‧‧‧液滴或液流
W‧‧‧基板
圖1係根據本發明之一實施例之製程腔室之橫剖面側視圖,其係顯示於晶圓裝載/卸下狀態中。
圖2a係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據原有設計之環狀夾頭結構。
圖2b係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據本發明之實施例之環狀夾頭結構。
圖2c係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據本發明之實施例之環狀夾頭結構。
圖2d係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據本發明之實施例之環狀夾頭結構。
圖2e係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據本發明之實施例之環狀夾頭結構。
圖2f係圖1中之局部II之橫剖面透視圖,其描繪根據本發明之實施例之環狀夾頭結構。
圖3說明根據本發明之另一實施例之裝置之透視圖,其部分為剖面。
圖4係圖3中之局部IV之透視圖,其部分為剖面。
圖5係對應於圖4之視圖,其中定子及夾頭已經相對於製程腔室之圓柱壁被抬高,且其中夾頭係在不同的角度方位以露出銷組件。
102‧‧‧環狀夾頭
103‧‧‧轉子
104‧‧‧定子
105‧‧‧圓柱形腔室壁
106‧‧‧排氣口
108‧‧‧排放口
109‧‧‧中間入口
110‧‧‧中間入口
111,115‧‧‧防濺檔板
113,116‧‧‧致動器
117‧‧‧排放口
131‧‧‧內蓋板
132‧‧‧環形蓋板
134‧‧‧晶圓裝卸載出入門
136‧‧‧底板
138‧‧‧框體
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種晶圓狀物件之液體處理用裝置,包括一封閉的製程腔室,一環狀夾頭,位於該封閉的製程腔室中,該環狀夾頭係用以在無實體接觸下藉由一磁浮軸承加以驅動,一磁性定子,圍繞該封閉的製程腔室,該封閉的製程腔室包括一圓柱壁,在一晶圓狀物件之液體處理時配置在該環狀夾頭及該磁性定子之間,及該環狀夾頭具有一形式,用於防止製程液體向上進入在該環狀夾頭及該圓柱壁之間所界定之一間隙,其中該環狀夾頭包括朝下吊掛之一擾流板,該擾流板延伸自該環狀夾頭之一朝下及朝內表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中相較於該擾流板所延伸出之該環狀夾頭之該朝下表面,該擾流板以更垂直的方位自該環狀夾頭延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭包括一朝下及朝內的流體導向表面,相對於該環狀夾頭之一旋轉軸以一傾斜角度延伸,及其中該環狀夾頭更包括至少一朝下環形凹面,形成在該環狀夾頭之該朝下及朝內的流體導向表面之一徑向外側區域中。
  4. 如申請專利範圍第3項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭更包括二朝下環形凹面,形成在該環狀夾頭之該朝下及朝內的流體導向表面之一徑向外側區域,其中該二朝下環形凹面係彼此鄰近的,且彼此被在該環狀夾頭之該朝下及朝內的流體導向表面中之一不連續所分隔。
  5. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭包括一朝下及朝內的流體導向表面,相對於該環狀夾頭之一旋轉軸以一傾斜角度延伸,及其中該環狀夾頭更包括一環形狹縫,形成在該環狀夾頭之該朝下及朝內的流體導向表面中, 該狹縫之尺寸係形成以便打斷越過該環狀夾頭之該朝下及朝內的流體導向表面之一液體流。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭包括一朝下的流體導向表面,相對於該環狀夾頭之一旋轉軸以一傾斜角度延伸,及其中該環狀夾頭更包括一系列開口,形成在該環狀夾頭之該朝下的流體導向表面之一徑向外側區域中。
  7. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭包括一朝下的流體導向表面,相對於該環狀夾頭之一旋轉軸以一傾斜角度延伸,及其中該環狀夾頭更包括一環形凹形流體捕捉器,形成在該環狀夾頭之一徑向朝外表面中,該徑向朝外表面在徑向上位於該環狀夾頭之該朝下的流體導向表面之外、軸向上位於該環狀夾頭之該朝下的流體導向表面之上。
  8. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該晶圓狀物件之液體處理用裝置係用於單晶圓溼式處理之製程模組中之一旋轉夾頭。
  9. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該環狀夾頭包括由該環狀夾頭向下突出之一系列接觸元件,用於維持一晶圓狀物件懸吊於該環狀夾頭之一底側。
  10. 如申請專利範圍第9項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該等接觸元件係一系列銷,該等銷可一起在一徑向內側位置與一徑向外側位置之間移動,在該徑向內側位置中該等銷與一晶圓狀物件接觸,在該徑向外側位置中該等銷釋放該晶圓狀物件。
  11. 如申請專利範圍第10項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其 中該等銷係配置為一環形系列,每一銷由一個別樞座沿著一軸突出,該軸係平行及偏離該樞座之一樞軸。
  12. 如申請專利範圍第10項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,更包括一垂直移動致動器,操作性地連接至該定子。
  13. 如申請專利範圍第12項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該垂直移動致動器係經由一磁耦合以操作性地連接至該定子。
  14. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之液體處理用裝置,其中該磁浮軸承係一主動式磁浮軸承。
TW101119162A 2011-06-01 2012-05-29 晶圓狀物件之表面處理用裝置 TWI476860B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/150,817 US20120305036A1 (en) 2011-06-01 2011-06-01 Device for treating surfaces of wafer-shaped articles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201301435A TW201301435A (zh) 2013-01-01
TWI476860B true TWI476860B (zh) 2015-03-11

Family

ID=47258470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101119162A TWI476860B (zh) 2011-06-01 2012-05-29 晶圓狀物件之表面處理用裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120305036A1 (zh)
JP (1) JP6067002B2 (zh)
KR (1) KR102007541B1 (zh)
CN (1) CN103597577B (zh)
SG (2) SG10201604412RA (zh)
TW (1) TWI476860B (zh)
WO (1) WO2012164455A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101501362B1 (ko) 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
KR102091291B1 (ko) 2013-02-14 2020-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US9874398B1 (en) * 2015-04-01 2018-01-23 Jonathan Wampler Self-supporting drying system and method
KR102508025B1 (ko) * 2015-05-11 2023-03-10 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법
US20160376702A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Lam Research Ag Dual mode chamber for processing wafer-shaped articles
US9887120B2 (en) * 2015-11-03 2018-02-06 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5845662A (en) * 1995-05-02 1998-12-08 Sumnitsch; Franz Device for treatment of wafer-shaped articles, especially silicon wafers
TW200802579A (en) * 2006-04-18 2008-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
TW201041083A (en) * 2009-03-31 2010-11-16 Lam Res Ag Device for treating disc-like articles

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4518078A (en) * 1982-05-24 1985-05-21 Varian Associates, Inc. Wafer transport system
SG76527A1 (en) * 1996-09-24 2000-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
DE19807460A1 (de) * 1998-02-21 1999-04-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Ringförmige Aufnahme für einen rotierenden Träger
US6485531B1 (en) * 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
US6756751B2 (en) * 2002-02-15 2004-06-29 Active Precision, Inc. Multiple degree of freedom substrate manipulator
JP4054248B2 (ja) * 2002-11-18 2008-02-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8016541B2 (en) * 2003-09-10 2011-09-13 Brooks Automation, Inc. Substrate handling system for aligning and orienting substrates during a transfer operation
WO2007101764A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Sez Ag Device for fluid treating plate-like articles
JP4933945B2 (ja) * 2006-04-18 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
US8135560B2 (en) * 2009-01-30 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Sensor system for semiconductor manufacturing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5845662A (en) * 1995-05-02 1998-12-08 Sumnitsch; Franz Device for treatment of wafer-shaped articles, especially silicon wafers
TW200802579A (en) * 2006-04-18 2008-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
TW201041083A (en) * 2009-03-31 2010-11-16 Lam Res Ag Device for treating disc-like articles

Also Published As

Publication number Publication date
TW201301435A (zh) 2013-01-01
WO2012164455A1 (en) 2012-12-06
SG10201604412RA (en) 2016-07-28
KR102007541B1 (ko) 2019-08-05
SG194882A1 (en) 2013-12-30
KR20140031289A (ko) 2014-03-12
CN103597577A (zh) 2014-02-19
JP2014518446A (ja) 2014-07-28
US20120305036A1 (en) 2012-12-06
JP6067002B2 (ja) 2017-01-25
CN103597577B (zh) 2016-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI476860B (zh) 晶圓狀物件之表面處理用裝置
JP5683691B2 (ja) ウエハ状物品を処理するための装置
JP6121424B2 (ja) ウエハ形状物の表面を処理する装置
JP6632833B2 (ja) ウエハ状物品を処理するための方法及び装置
TWI797121B (zh) 半導體晶圓製程腔體
KR20140052850A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4953472B2 (ja) ディスク状物品を液体処理する装置及び方法
KR20140110970A (ko) 웨이퍼-형상 물체의 표면을 처리하는 장치
KR20140107492A (ko) 웨이퍼 형상 물체의 표면을 처리하는 디바이스 및 이 디바이스에서 사용되는 그립핑 핀
JP2010226043A (ja) 基板処理装置
KR100958364B1 (ko) 원판상 물체를 액체처리하기 위한 장치
JP2004265910A (ja) 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法
JP5143657B2 (ja) 液処理装置
TWI654033B (zh) 晶圓狀物件之表面的處理設備及使用於其中的液體收集器
US7779848B2 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer