TWI475671B - 影像感測器之塑膠影像感測器封裝 - Google Patents
影像感測器之塑膠影像感測器封裝 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI475671B TWI475671B TW098127635A TW98127635A TWI475671B TW I475671 B TWI475671 B TW I475671B TW 098127635 A TW098127635 A TW 098127635A TW 98127635 A TW98127635 A TW 98127635A TW I475671 B TWI475671 B TW I475671B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- lead frame
- optical cover
- bottom plate
- image sensor
- plastic
- Prior art date
Links
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims description 32
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims description 32
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 42
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920004142 LEXAN™ Polymers 0.000 description 1
- 239000004418 Lexan Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Description
本發明大體上係關於影像感測器封裝，且更明確言之，本發明係關於對全部或大部份該影像感測器封裝使用塑膠。
當前，影像感測器封裝包含藉由陶瓷封裝而囊封之一影像感測器。該影像感測器回應於入射光收集電荷以建立一影像之一電子表示。由玻璃製成之一窗覆蓋該影像感測器以容許該入射光被該影像感測器接收到。該玻璃被對準到基板，且塗上環氧樹脂並且接著固化約一小時。
儘管當前已知並使用的封裝係令人滿意的，但其包含了缺點。向一基板對準該玻璃並且接著固化該環氧樹脂花費約一小時。此步驟本質上被本發明所排除，且本發明亦將排除光學玻璃的需求，此將最後節省金錢。因為玻璃的許多未對準及破裂發生在裝配製程中，裝置之良率亦將升高。本發明亦將降低時間且亦簡單化裝配需求。
亦請注意由於材料成本及製程的複雜性，使用陶瓷封裝的成本亦係非常昂貴。本發明藉由替換較便宜的塑膠而排除對陶瓷的需求。塑膠比陶瓷輕且其成本更低。塑膠提供一大量生產能力及低製造成本。塑膠封裝可用非常一致的品質製造，因為全部封裝係源自於相同模製孔穴。
本發明之一目的係減輕該裝配製程、降低現存封裝之成本及升高裝置之良率。
本發明之該等及其他目的、特徵、及優點將對熟悉此項技術者當結合繪示及描述本發明之一說明性實施例的圖式閱讀以下詳細說明時變得顯而易見。
本發明具有藉由對全部或大部份影像感測器封裝使用塑膠而降低影像感測器封裝之成本的優點。藉由使用塑膠代替陶瓷或其類似物亦升高了良率。
雖然本說明書以特定地指出及清楚地主張本發明之標的的申請專利範圍而結束，據信，當結合附圖從以下詳細內容中將更佳地理解本發明。
現轉向圖1及圖2，其等繪示本發明之影像感測器封裝10。該影像感測器封裝10包含較佳地由塑膠製成之一引線框架20，其具有一第一表面25與一第二表面26相反(在本透視圖中未全部可見)。儘管該引線框架係較佳地全部或大體上由塑膠製成，該引線框架可替代地用金屬製成。複數個引線30從該引線框架之一外圍部延伸以連接至外圍裝置。一具有複數個像素的影像感測器40安裝在引線框架的第一表面上，用於擷取影像的電子表示。影像感測器40可為一電荷耦合裝置影像感測器或一互補性金氧半導體(CMOS)。該引線框架20包含互相對角地放置之一對開口50，其等用於幫助將一底部60及一光學罩70接合至該引線框架20，如將在此處下文中詳細討論。該引線框架20亦包含一對安裝開口75，其等用於將該影像感測器封裝10安裝至其所希望之裝置，諸如一數位相機。
該底部60被依附在該引線框架20之該第二表面26且包含互相對角地或大體上對角地對準在該引線框架20中之該等開口50而放置的一對向外延伸的對準特徵80。兩個凹槽部90被布置在該底部60之每一端以容許接入該等安裝開口75。該底部60亦較佳地全部或大體上由塑膠製成。
一光學罩70跨越至少該第一表面的一部份且被依附在該引線框架20之該第一表面且包含一全部或大體上的塑膠、光學透明窗100，其用於容許藉由該影像感測器40接收入射光。該光學罩70之一外部包圍該塑膠、光學透明窗100且亦可全部或大體上由塑膠製成。一對凹陷110互相對角地或大體上對角地放置在面向該引線框架20之表面且對準在該引線框架中的此對開口50及該底部60之對準特徵80。該塑膠、光學透明窗100或該光學罩70之外部可由丙烯酸、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚烯烴、熱塑聚碳酸酯(lexan)或optores形成或大體上從每一該等材料形成。
當最終被封裝時，該對準特徵80分別穿過在該引線框架20中之該等開口50且分別與該光學罩70之該等凹陷110緊密配合。
該影像感測器封裝10係如下製成的。一影像感測器40被安裝在該引線框架20之該第一表面的一中心部120上，該中心部120亦被稱為晶粒附著區域。在該影像感測器40上之複數個接合墊130經由打線接合150被連接至對應指墊140。該光學罩70被安放在該引線框架20之該第一表面上，且該光學罩70包含對準該影像感測器40之該塑膠、光學透明窗100。該底部60被安放在該引線框架20之該第二表面26，且該光學罩70黏附至該底部60致使該光學罩70及該底部60至少部份地囊封該引線框架20。如上所述，該等對準特徵80、開口50及凹陷110協作以進一步結合該裝配。
在一實施例中，該光學罩70被安放越過該引線框架20之該第一表面25，此與安放該底部60越過該引線框架20之該第二表面26之步驟同時進行。藉由熱熔、膠合、超音波焊接或紫外線(UV)熔接，該光學罩70被黏附至該底部60。
參考圖3及4，其等繪示通常在業界稱為一釘扎柵格陣列封裝的一影像感測器封裝160之組件。該影像感測器160包含一底部170，其具有一第一表面180與一第二表面190相反。由金屬製成的複數個接針200被群組置入四個分開陣列以連接外部裝置。一影像感測器210被安裝在該第一表面180上以擷取一影像之電子表示。一光學罩220被安放在該第一表面180上且在其中心部包含塑膠、光學透明窗230。該窗230跨越該影像感測器210以容許入射光藉由該影像感測器210而被接收。參考圖5，在該影像感測器210上之複數個接合墊240經由結合打線250被連接至指墊260。該指墊260被連接至穿過該底部170至複數個接針200的打線(圖中未繪示)。
圖6係一成像系統之一方塊圖，該成像系統可配合本發明之該影像感測器封裝而使用。成像系統1200包含數位相機電話1202及計算裝置1204。數位相機電話1202係可使用一與本發明合併之影像感測器的一影像擷取裝置之一實例。其他類型的影像擷取裝置亦可與本發明使用，諸如數位靜態相機及數位視訊攝影機。
在根據本發明之一實施例中，數位相機電話1202係一可擕式、手持式電池操作裝置。數位相機電話1202產生儲存在記憶體1206中之數位影像，該記憶體1206可為例如一內部快閃EPROM記憶體或一可卸除式記憶卡。其他類型的數位影像儲存媒體諸如磁性硬碟、磁帶或光碟可被替代用於實施記憶體1206。
數位相機電話1202使用透鏡1208從一場景(圖中未繪示)聚焦光至該像素感測器1212之影像感測器40上，且該影像感測器封裝10含有該影像感測器40。在根據本發明之一實施例中，影像感測器40使用Bayer彩色濾光器圖案提供彩色影像資訊。影像感測器40藉由時序產生器1214控制，該時序產生器亦控制閃光燈1216以在周圍照度低時照亮該場景。
從影像感測器陣列1210輸出之類比輸出信號被放大並藉由類比數位(A/D)轉換器電路1218被轉換成數位資料。該數位資料被儲存在緩衝記憶體1220中且隨後藉由數位處理器1222而處理。數位處理器1222係藉由儲存在韌體記憶體1224中之韌體而控制，該韌體記憶體可為快閃EPROM記憶體。數位處理器1222包含即時時脈1226，其保持日期和時間，甚至是在數位相機電話1202及數位處理器1222在低功率狀態時。經處理之數位影像檔案係儲存在記憶體1206中。記憶體1206亦可儲存其他類型的資料，例如，諸如音樂檔案(舉例而言，MP3檔案)、鈴聲、電話號碼、行事曆及待辦事項。
在根據本發明之一實施例中，數位相機電話1202擷取靜態影像。數位處理器1222執行彩色內插法接著執行色彩及色調校正，以產生彩現之sRGB影像資料。該所彩現之sRGB影像資料接著被壓縮並在記憶體1206中被儲存為一影像檔案。僅經由實例，該影像資料可根據使用已知的“Exif」影像格式之JPEG格式而被壓縮。此格式包含使用多種TIFF標籤儲存特定影像元資料之一Exif應用片段。個別TIFF標籤可被用於例如儲存該圖片被擷取的資料及時間、透鏡焦比(f/number)及其他相機設定，及儲存影像標題。
在根據本發明之一實施例中，數位處理器1222產生藉由使用者選擇的不同影像尺寸。一該尺寸係低解析度「縮圖」尺寸影像。產生縮圖尺寸影像係描述在共同讓與之Kuchta等人的名為「提供完整及降低之解析度影像的多格式儲存之電子靜態相機(Electronic Still Camera Providing Multi-Format Storage Of Full And Reduced Resolution Images)」的美國專利第5,164,831號中。該縮圖影像被儲存在RAM記憶體1228中且供應至彩色顯示器1230，該彩色顯示器可為例如一主動式矩陣LCD或有機發光二極體(OLED)。產生縮圖尺寸影像容許在彩色顯示器1230上快速地檢視被擷取之影像。
在根據本發明之另一實施例中，數位相機電話1202亦產生及儲存視訊短片。一視訊短片藉由將影像感測器陣列1210之多像素一起求和而被產生(舉例而言，在該影像感測器40的每4行×4列內將相同顏色的像素求和)以建立一較低解析度視訊影像圖框。該等視訊影像圖框係從影像感測器40每隔一定間隔讀取的，例如，使用一每秒15圖框的讀出率。
音訊編解碼器1232被連接至數位處理器1222且從麥克風(Mic)1234接收一音訊信號。音訊編解碼器1232亦提供一音訊信號至揚聲器1236。該等組件連同一視訊序列或靜態影像用於電話交談及為錄音及重放一音訊磁軌兩者。
在根據本發明之一實施例中，揚聲器1236亦用於告知使用者一傳入的電話呼叫。此可使用儲存在韌體記憶體1224中之一標準鈴聲而完成，或藉由使用從行動電話網路1238下載並儲存在記憶體1206中而使用一自訂鈴聲。此外，一振動裝置(圖中未繪示)可被用於提供一傳入電話呼叫之一無聲(舉例而言，不可聽見的)通知。
數位處理器1222被連接至無線數據機1240，該無線數據機容許數位相機電話1202經由無線電頻率(RF)通道1242發送及接收資訊。無線數據機1240使用另一RF連結(圖中未繪示)諸如一3GSM網路與行動電話網路1238通信。行動電話網路1238與相片服務提供者通信，該相片服務提供者儲存從數位相機電話1202上載之數位影像。其他裝置包含計算裝置1204經由網際網路1246存取該等影像。在根據本發明之一實施例中，行動電話網路1238亦連接至一標準電話網路(圖中未繪示)以提供正常電話服務。
一圖形使用者介面(圖中未繪示)被顯示在彩色顯示器1230上且藉由使用者控制項1248而控制。根據本發明之實施例，使用者控制項1248包含專屬按鈕(舉例而言，一電話鍵盤)以撥打一電話號碼，一控制項以設定模式(舉例而言，「電話」模式、「行事曆」模式、「相機」模式)，包含4向控制(上、下、左、右)之一操縱桿控制器及一按鈕中心「確認」或「選擇」切換。
銜接器1250對在數位相機電話1202中的電池再充電(圖中未繪示)。銜接器1250經由銜接器介面1252連接數位相機電話1202至計算裝置1204。在根據本發明之一實施例中，銜接器介面1252被實施為有線介面，諸如一USB介面。或者，在根據本發明之其他實施例中，銜接器介面1252被實施為一無線介面，諸如一藍牙或一IEEE 802.11b無線介面。銜接器介面1252被用於從記憶體1206下載影像至計算裝置1204。銜接器1252亦用於在數位相機電話1202中從計算裝置1204傳輸行事曆資訊至記憶體1206。
10．．．影像感測器封裝
20．．．引線框架
25．．．第一表面
26．．．第二表面
30．．．引線
40．．．影像感測器
50．．．開口
60．．．底部
70．．．光學罩
75．．．安裝開口
80．．．對準特徵
90．．．凹槽部
100．．．塑膠、光學透明窗
110．．．凹陷
120．．．晶粒附著區域
130．．．接合墊
140．．．指墊
150‧‧‧打線接合
160‧‧‧影像感測器封裝
170‧‧‧底部
180‧‧‧第一表面
190‧‧‧第二表面
200‧‧‧接針
210‧‧‧影像感測器
220‧‧‧光學罩
230‧‧‧塑膠、光學透明窗
240‧‧‧接合墊
250‧‧‧接合打線
260‧‧‧指墊
1200‧‧‧成像系統
1202‧‧‧數位相機電話
1204‧‧‧計算裝置
1206‧‧‧記憶體
1208‧‧‧透鏡
1210‧‧‧影像感測器陣列
1212‧‧‧像素感測器
1214‧‧‧時序產生器
1216‧‧‧閃光燈
1218‧‧‧A/D轉換器電路
1220‧‧‧緩衝記憶體
1222‧‧‧數位處理器
1224．．．韌體記憶體
1226．．．時脈
1228．．．RAM記憶體
1230．．．彩色顯示器
1232．．．音訊編解碼器
1234．．．麥克風
1236．．．揚聲器
1238．．．行動電話網路
1240．．．無線數據機
1242．．．RF通道
1244．．．相片服務提供者
1246．．．網際網路
1248．．．使用者控制項
1250．．．銜接器
1252．．．銜接器介面
圖1係一透視圖，其說明本發明之影像感測器封裝的裝配；
圖2係該影像感測器之最終裝配的一透視圖；
圖3係一透視圖，其說明本發明之該影像感測器封裝的一替代實施例之組件；
圖4係該替代實施例之光學罩的一透視圖；
圖5係最終裝配的本發明之該替代實施例的一透視圖；及
圖6係一方塊圖，其說明含有本發明之該影像感測器封裝的一成像系統。
10．．．影像感測器封裝
20．．．引線框架
25．．．第一表面
26．．．第二表面
30．．．引線
40．．．影像感測器
50．．．開口
60．．．底部
70．．．光學罩
75．．．安裝開口
80．．．對準特徵
90．．．凹槽部
100．．．塑膠、光學透明窗
110．．．凹陷
120．．．晶粒附著區域
130．．．接合墊
140．．．指墊
150．．．打線接合
Claims (14)
- 一種用於一影像感測器之封裝，其包括：一引線框架，其包含一第一表面、與該第一表面相反之一第二表面及穿透該引線框架之多個開口；一影像感測器，其被安裝在該引線框架之該第一表面上；一底板，其附著至該引線框架之該第二表面，其中該底板包含多個第一對準特徵，該等第一對準特徵形成於該底板之一表面上且對準該引線框架中之該等開口；一光學罩，其跨越該第一表面，其中該光學罩包含多個第二對準特徵，該等第二對準特徵形成於該光學罩之一表面上且對準該引線框架中之該等開口及該等第一對準特徵，使得該等第一及第二對準特徵相互配合；及一塑膠或實質上為塑膠之光學透明窗，其在該光學罩中且與該影像感測器對準。
- 如請求項1之封裝，其中該底板及該光學罩至少部份地囊封該引線框架。
- 如請求項1之封裝，其中該光學罩及該底板均係由一塑膠材料或大體上一塑膠材料而形成。
- 如請求項3之封裝，其中該塑膠光學透明窗係全部或實質上全部由丙烯酸、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚烯烴、熱塑聚碳酸酯或optores形成。
- 如請求項3之封裝，其中該光學罩係全部或大體上全部由丙烯酸、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚烯烴、熱塑聚碳酸 酯及optores形成。
- 一種用於製作一影像感測器之一封裝的方法，其包括以下步驟：將該影像感測器安裝於一晶粒附著區域之一第一表面上；將該影像感測器上的複數個墊連接至在該晶粒附著區域上之對應墊；及在一引線框架之一第一表面上放置一光學罩，其中該引線框架包含該第一表面、與該第一表面相反之一第二表面及穿透該引線框架之多個開口，其中該光學罩包含與該影像感測器對準之一全部為塑膠或實質上全部為塑膠的光學透明窗；在該引線框架之該第二表面放置一底板，其中該底板包含多個第一對準特徵，該等第一對準特徵形成於該底板之一表面上且對準該引線框架中之該等開口；其中該光學罩包含多個第二對準特徵，該等第二對準特徵形成於該光學罩之一表面上且對準該引線框架中之該等開口及該等第一對準特徵，使得該等第一及第二對準特徵相互配合。
- 如請求項6之方法，其進一步包括黏附該光學罩至該底板，致使該光學罩及該底板至少部份地囊封該引線框架。
- 如請求項7之方法，其中在該引線框架之該第一表面上方放置該光學罩的步驟與在該引線框架之該第二表面上 方放置該底板的步驟同時進行。
- 如請求項7之方法，其中黏附該光學罩至該底板的步驟包括熱熔、膠合、超音波焊接及紫外線(UV)熔接之一者。
- 一種影像擷取裝置，其包括：用於一影像感測器之一封裝，其包括：一引線框架，其包含一第一表面、與該第一表面相反之一第二表面及穿透該引線框架之多個開口；一影像感測器，其安裝在該引線框架之該第一表面上；一底板，其附著至該引線框架之該第二表面，其中該底板包含多個第一對準特徵，該等第一對準特徵形成於該底板之一表面上且對準該引線框架中之該等開口；一光學罩，其跨越該第一表面，其中該光學罩包含多個第二對準特徵，該等第二對準特徵形成於該光學罩之一表面上且對準該引線框架中之該等開口及該等第一對準特徵，使得該等第一及第二對準特徵相互配合；及一塑膠或實質上為塑膠之光學透明窗，其在該光學罩中且與該影像感測器對準。
- 如請求項10之影像擷取裝置，其中該底板及該光學罩至少部份地囊封該引線框架。
- 如請求項10之影像擷取裝置，其中該光學罩及該底板均 由一塑膠材料或大體上一塑膠材料形成。
- 如請求項12之影像擷取裝置，其中該塑膠光學透明窗係全部或實質上全部由丙烯酸、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚烯烴、熱塑聚碳酸酯或optores形成。
- 如請求項12之影像擷取裝置，其中該光學罩係全部或實質上全部由丙烯酸、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚烯烴、熱塑聚碳酸酯或optores形成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/193,216 US7915717B2 (en) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | Plastic image sensor packaging for image sensors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201025581A TW201025581A (en) | 2010-07-01 |
| TWI475671B true TWI475671B (zh) | 2015-03-01 |
Family
ID=41056746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098127635A TWI475671B (zh) | 2008-08-18 | 2009-08-17 | 影像感測器之塑膠影像感測器封裝 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7915717B2 (zh) |
| TW (1) | TWI475671B (zh) |
| WO (1) | WO2010021651A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513757B1 (en) | 2012-06-08 | 2013-08-20 | Apple Inc. | Cover for image sensor assembly with light absorbing layer and alignment features |
| US11210887B2 (en) * | 2018-07-19 | 2021-12-28 | Crane Payment Innovations, Inc. | Multipurpose cashbag level and banknote presence in escrow detector |
| CN112086521A (zh) * | 2019-05-24 | 2020-12-15 | 春虹光电股份有限公司 | 影像传感器封装 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0753893A2 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-15 | Eastman Kodak Company | An image sensor assembly and packaging method |
| US6184514B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-02-06 | Eastman Kodak Company | Plastic cover for image sensors |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239043A (ja) | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パツケ−ジの製造方法 |
| IT1186165B (it) | 1985-12-20 | 1987-11-18 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo a semiconduttore di tipo eprom cancellabile con raggi ultravioletti e suo processo di fabbricazione |
| MY104152A (en) * | 1988-08-12 | 1994-02-28 | Mitsui Chemicals Inc | Processes for producing semiconductor devices. |
| US5164831A (en) | 1990-03-15 | 1992-11-17 | Eastman Kodak Company | Electronic still camera providing multi-format storage of full and reduced resolution images |
| US5382310A (en) * | 1994-04-29 | 1995-01-17 | Eastman Kodak Company | Packaging medical image sensors |
| US5865935A (en) * | 1995-02-02 | 1999-02-02 | Eastman Kodak Company | Method of packaging image sensors |
| JP3750276B2 (ja) | 1997-05-23 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の搭載方法および固体撮像素子パッケージの装着方法 |
| US5811799A (en) * | 1997-07-31 | 1998-09-22 | Wu; Liang-Chung | Image sensor package having a wall with a sealed cover |
| JPH1197656A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体光センサデバイス |
| US6037655A (en) * | 1998-01-12 | 2000-03-14 | Eastman Kodak Company | Linear image sensor package assembly |
| US6753922B1 (en) * | 1998-10-13 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Image sensor mounted by mass reflow |
| US6740870B1 (en) * | 1998-11-18 | 2004-05-25 | Micron Technology, Inc. | Clear plastic packaging in a CMOS active pixel image sensor |
| US6384472B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-05-07 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd | Leadless image sensor package structure and method for making the same |
| US6291263B1 (en) * | 2000-06-13 | 2001-09-18 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Method of fabricating an integrated circuit package having a core-hollowed encapsulation body |
| TW473954B (en) * | 2000-11-17 | 2002-01-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Image sensor package |
| TW490826B (en) * | 2001-05-02 | 2002-06-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package device and its manufacture method |
| JP4033439B2 (ja) | 2001-09-11 | 2008-01-16 | シャープ株式会社 | 固体撮像ユニットおよびその製造方法、撮像機器 |
| US6837431B2 (en) * | 2002-04-09 | 2005-01-04 | Symbol Technologies, Inc. | Semiconductor device adapted for imaging bar code symbols |
| US6891276B1 (en) * | 2002-01-09 | 2005-05-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device |
| KR20040033193A (ko) * | 2002-10-11 | 2004-04-21 | (주)그래픽테크노재팬 | 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법 |
| US6808960B2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-10-26 | Omni Vision International Holding Ltd | Method for making and packaging image sensor die using protective coating |
| US7095621B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-08-22 | Avago Technologies Sensor Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Leadless leadframe electronic package and sensor module incorporating same |
| TWI231606B (en) * | 2003-11-10 | 2005-04-21 | Shih-Hsien Tseng | Image pickup device and a manufacturing method thereof |
| JP2005217322A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置用半導体素子とそれを用いた固体撮像装置 |
| US7189954B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers |
| US7645635B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages |
| US7473889B2 (en) * | 2004-12-16 | 2009-01-06 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical integrated circuit package |
| EP1861880B1 (en) * | 2005-03-25 | 2012-06-20 | FUJIFILM Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device |
| JP2007012895A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| US7567235B2 (en) | 2005-12-12 | 2009-07-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Self-aligning optical sensor package |
-
2008
- 2008-08-18 US US12/193,216 patent/US7915717B2/en active Active
-
2009
- 2009-07-23 WO PCT/US2009/004277 patent/WO2010021651A1/en active Application Filing
- 2009-08-17 TW TW098127635A patent/TWI475671B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0753893A2 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-15 | Eastman Kodak Company | An image sensor assembly and packaging method |
| US6184514B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-02-06 | Eastman Kodak Company | Plastic cover for image sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7915717B2 (en) | 2011-03-29 |
| US20100038737A1 (en) | 2010-02-18 |
| WO2010021651A1 (en) | 2010-02-25 |
| TW201025581A (en) | 2010-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI496464B (zh) | 具電荷區域加總之影像感測器像素 | |
| US8049256B2 (en) | Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer | |
| TWI442555B (zh) | 具有二晶圓之主動式像素感測器 | |
| JP5562949B2 (ja) | ハイダイナミックレンジのイメージセンサ | |
| TWI489863B (zh) | 具有分享處理之多重影像感測系統及其操作方法 | |
| TWI475671B (zh) | 影像感測器之塑膠影像感測器封裝 | |
| TWI466275B (zh) | 寬通孔影像感測器像素 | |
| WO2009148563A1 (en) | Image sensors with improved angle response | |
| TW201208054A (en) | Low noise active pixel sensor | |
| US20090283665A1 (en) | Image sensor with an aligned optical assembly |