TWI475417B - 用於雷射加工工件的自動參數管理 - Google Patents

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Description

用於雷射加工工件的自動參數管理
本發明係有關於以雷射加工工件，特別是關於量測工件之特性以及決定用於加工工件之較佳預定加工參數配置(recipe)。
諸如微加工(micromachining)之雷射加工可以在多種不同工件上進行，該等工件運用各種不同之雷射達成各種加工處理。舉例而言，雷射被使用於在電子材料產品上鑽出開孔並消融其中之物質，該等電子材料產品包括諸如均質薄膜(homogenous film)、微粒填充合成樹脂(particulate filled resin)、聚亞醯胺(polyimides)、以及纖維強化聚合物(fiber reinforced polymer)，其可以具有或不具有金屬之鍍覆。
雷射微加工操作的目的之一在於在不同工件間以及在一整個工件上提供雷射微加工形態(feature)之一致性品質。基本上，雷射加工材料之品質係指雷射加工設備之客戶具體指定之優越性之標準。不同雷射加工操作之品質衡量標準亦有所不同。界定形態品質之一些權衡標準包含該形態之位置、尺寸、以及形狀。其他權衡標準包含側壁角度、底部紋路、接近形態邊緣之裂痕總數、以及微加工處理之後殘留在形態中之碎片總量和紋路。
本文所描述之雷射微加工操作的問題之一係，由於工件之不均勻度，使用相同雷射參數在二不同工件上或同一工件上之二不同位置上進行加工處理可能導致形態品質上之差異。影響結果之工件差異之實例包含厚度上之差異、工件平整度上之差異、以及使得工件反射較多或較少雷射功率之表面製備上之差異。此等差異在工件之間或是在同一工件上均非固定不變的，且可能隨著其在個別形態下之位置而異。然而，在某些情況下，由於大量生產之容忍限度之常態變異，此等差異在預定之一批工件中之不同工件間係可以具重現性的。
為了解決部分問題，其量測一工件之厚度而操作員手動式地判定應該使用何種雷射加工參數配置。使用者從而將該等參數配置傳送至雷射加工系統。
為了更適當地解決該等問題，其自一工件量測一或多個特性。此量測資訊被用以自一對照表選擇一較佳之預定雷射加工參數配置。此雷射加工參數配置從而被用以加工該工件。
上述之雷射加工參數配置對照表之建立可以是基於理論上之計算、操作員之錯誤嘗試、具有後處理測試之自動化系統參數變異流程、或是基於前述或其他方法之組合。
自動化流程亦可以降低操作員之錯誤，且可以儲存量測數值以便於工件特性之追蹤。
經由以下較佳實施例之詳細說明，配合所附之圖式，本發明之更多目的及優點將趨於明顯。
圖1係一整合式雷射微加工系統10之部份示意圖，其包含一雷射系統12、一自動裝載系統14、以及一量測系統16。此處所述之雷射加工系統12僅係一鑽孔系統之舉例，用於諸如半導體晶圓或印刷電路板(PCB)面板上之單層或多層工件之雷射加工，以形成穿孔及/或盲孔。習於斯藝者應能理解，本文所述之雷射加工方法亦可以適用於任何種類之雷射微加工，包含但不限於微結構(microstructure)之消融圖案化、裁修被動式厚膜或薄膜元件、晶圓切割或鑽孔、或者半導體連結(熔線)之移除，以及熱退火(thermal annealing)處理。
在某些實施例之中，雷射加工系統12包含一或多個雷射18以及一光束及工件定位系統20，在圖中表示為光束偏轉鏡(beam deflecting mirror)22以及工件墊塊24。示範性雷射加工系統，特別是鑽孔系統，詳細揭示於Owen等人之美國專利第5,593,606和5,841,099號、Dunsky等人之美國專利第6,407,363和6,784,399號、Baird等人之美國專利第7,157,038號、Jordens等人之美國專利第7,244,906號、Lei等人之美國專利申請公開號2005-0265408、Lei等人之美國專利申請號11/756,507、以及Peng等人之美國專利申請號12/057,264。此等專利、公開案、及申請案以參照之方式併入。在某些實施例之中，一較佳雷射加工系統12包含一型號5330雷射系統或由位於Oregon州Portland市之Electro-Scientific Industries有限公司生產製造之該系列產品中之其他系統，該公司係本專利申請案之受讓人。
示範性雷射18包含揭示於前述專利、公開案、及申請案中之一或多個雷射18。示範性光束及工件定位系統20亦揭示於前述專利、公開案、及申請案之中。更多示範性光束及工件定位系統20包含Cutler等人之美國專利第5,751,585和6,430,465號，以及Johnson之美國專利第7,027,199號中所描述者，均以參照之方式併入於此。
在某些實施例之中，雷射18可以是一UV雷射、一IR雷射、一綠光雷射、或一CO2 雷射。一示範性加工雷射輸出具有一介於大約0.01微焦耳和大約1.0焦耳間之脈衝能量。在某些實施例之中，一較佳UV加工雷射係一Q型開關UV DPSS雷射，其包含一固態雷射介質，諸如Nd：YAG、Nd：YLF、Nd：YAP、或Nd：YVO4 ，或者是摻雜鐿(ytterbium)、鈥(holmium)、或鉺(erbium)之YAG晶體。該UV雷射在較佳實施例中提供諧振式產生之UV雷射輸出於諸如355奈米(三倍頻Nd：YAG)、266奈米(四倍頻Nd：YAG)、或213奈米(五倍頻Nd：YAG)之波長。
在某些實施例之中，一較佳CO2 加工雷射係一運作於波長介於大約9微米和大約11微米間之脈衝式CO2 雷射。市面上可取得之一示範性脈衝式CO2 雷射係美國康乃迪克州的Bloomfield之Coherent-DEOS所製造之型號Q3000之Q型開關雷射(9.3微米)。
雷射18和光束及工件定位系統20在信號上直接或間接地與彼此及雷射系統控制器26連接，以使得工件28在墊塊24上之位置與雷射光束軸30之位置一致，雷射光束 軸30相關於沿雷射光束路徑32傳遞之雷射脈衝時序。資訊及/或指令信號可以沿連接此等次系統之通信路線34之某一方向或任一方向流動。
某些用於製造諸如用於印刷電路板(PCB)和電子封裝元件等多層結構之示範性工件28，而於其中形成開孔之常用材質基本上包含金屬(例如，銅)和介電材質(例如，聚合物聚亞醯胺、合成樹脂、或FR-4)。其他常用之工件28詳細描述於前述之專利、公開案、以及申請案。
較佳之單層工件包含銅質薄片；使用於電氣應用之聚亞醯胺薄片；以及其他金屬片(諸如鋁、鋼)以及使用於一般工業和醫學應用之熱塑性塑膠(thermoplastic)，或是做為於其上建構電子電路之基板之矽或其他半導體材料。較佳之多層工件包含多晶片模組(multi-chip module；MCM)、電路板、或半導體微電路封裝。在某些實施例之中，金屬層可以包含但不限於鋁、銅、金、鉬(molybdenum)、鎳、鈀(palladium)、鉑(platinum)、銀、鈦(titanium)、鎢(tungsten)、金屬氮化物、或其組合。在某些實施例之中，金屬層之厚度最好是介於大約9微米和大約36微米之間，但其亦可以薄於9微米或者厚達72微米。
在某些實施例之中，有機介電材質層可以包含苯并環丁烷(benzocyclobutane；BCB)、三氮雜苯雙馬來醯胺樹脂(bismaleimide triazine；BT)、卡紙板(cardboard)、氰酸酯(cyanate ester)、環氧樹脂(epoxy)、聚亞醯胺、聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene；PTFE)、聚合物合金、或其組合。 每一有機介電層基本上均較金屬層厚。在某些實施例之中，一有機介電層之較佳厚度係介於大約20微米和大約400微米之間，但一有機介電層可以被置放於一厚度厚達例如1.6毫米之堆疊中。
一有機介電層可以包含一薄形強化元件層。該強化元件層可以包含，舉例而言，被織入或散入該有機介電層內之聚醯胺纖維(aramid fiber)、陶瓷、或玻璃之纖維團或散布微粒。該強化元件層基本上可以遠薄於該有機介電層且可以具有一介於大約1微米和大約10微米間之厚度。習於斯藝者應能理解，上述之強化材質亦可以以粉末之形式加入該有機介電層。此含有此粉末式強化材質之強化元件層可以是非連續及不均勻的。
習於斯藝者應能理解，該等疊層可以是內部非連續、不均勻、及不平整的。具有許多金屬層、有機介電層、和強化元件材質之堆疊可以具有一大於2毫米之總厚度。工件之成分和尺寸不斷地演化，故前述之舉例不應被視為發明範疇之限定。
雷射加工系統12經由通信路線36直接或間接在信號上連接自動裝載系統14，通信路線36連接此等次系統且可以沿路線36之某一方向或任一方向傳送資訊及/或指令信號。在某些實施例之中，雷射系統控制器26提供介於自動裝載系統14和雷射加工系統12間之介面。
一示範性自動裝載系統14包含一或多個裝載手臂38及一或多個卸載手臂40。然而，習於斯藝者應能理解，其 可以使用單一手臂執行二者中之任一功能。在某些實施例之中，自動裝載系統14之形式可以是一晶圓操控系統或一卡匣或中介墊塊操控系統、或是一前端裝載器。適當自動裝載系統之一實例係位於香港九龍之Lexus Automation股份有限公司為Electro Scientific Industries有限公司所設計及製造之型號PL-5330之系統。市面上可取得各種自動化PCB及晶圓裝載系統且為習於此領域之業者所熟知。
雷射加工系統12及/或自動裝載系統14分別經由通信路線42和44直接或間接在信號上連接量測系統16，通信路線42和44連接此等次系統且可以沿路線42和44之某一方向或任一方向傳送資訊及/或指令信號。在某些實施例之中，雷射系統控制器26提供介於雷射加工系統12和量測系統16間及/或介於自動裝載系統14和量測系統16間之介面。
量測系統16可以包含一或多個攝影機46或用以量測工件28一或多個特性之其他裝置。舉例而言，其可以置放一或多個攝影機46，以在自動裝載系統14移動工件28至墊塊或平台24之上時，自工件28之一或多個側邊48、區域、或預期之形態位置取得厚度之量測。量測系統16同時亦可以包含更多安置以取得工件28之表面54影像之攝影機50及52，諸如粗略及精密攝影機，以獲得諸如光亮度或反射性等表面特性之量測。
習於斯藝者應能理解，量測系統26及其攝影機46、50、52或其他感測器或偵測器可以是獨立之系統或次系統，或 者其可以被整合入自動裝載系統14和雷射加工系統12之一或二者之中。若欲得到在工件28由墊塊或平台24所支撐時所不可能得到之視角，與自動裝載系統14整合可能較為適當。若攝影機46、50、52或其他感測器或偵測器亦可用於諸如工件或形態對齊之定位，或者加工期間諸如形態特性之即時回授，則與雷射加工系統12整合可能較為適當。其亦可以結合一操作員介面56，直接或間接連接於一或多個前述之系統或次系統。
圖5及圖6示範如何以攝影機50及/或52或其他感測器取得厚度量測之另一實例。參照圖5及圖6，攝影機50及/或52(或其他感測器)可以聚焦於墊塊24或某一其他支持平台之表面上以取得一零基準聚焦數值。自動裝載系統14接著將工件28裝載至墊塊24或某一其他支持平台之上。攝影機50及/或52(或其他感測器)接著重新聚焦於工件28之表面上。焦距數值之變化被轉換成厚度值。厚度之量測可以在任何位置、預定位置(諸如用以於不同區域以取得平均厚度數值之位置)、或者於一預期形態之每一位置上進行。該等厚度值被儲存於記憶體中以用於決定如下所述之加工參數配置，且此等數值同時亦可以用於後續形態品質之評估以及判定是否需要被修改或進一步之加工程序。一些示範性獨立量測系統包含KLA-tencor所生產之Wafersight2或VisEdge CV300。
具有諸如厚度等不同特性之工件28或工件28之區域應以不同方式加工以獲得具有同一所希品質之形態。在最 單純之實例中，較厚之區域或較厚之工件28可以運用一或多個額外脈衝以建立一所希品質之形態，而較薄之區域或較薄之工件28可以運用較少之脈衝以建立一所希品質之形態。工件28之光亮度亦可以提供可茲用以修改建立形態之基本加工參數配置之資訊。習於斯藝者應能理解，工件28之許多影響加工參數配置之其他特性亦可以被量測。
圖2A和圖2B顯示基於一厚度量測數值之示範性參數配置對照表。舉例而言，對於平均量測厚度值等於1.05之工件28，參數配置2將被用以加工整個工件28，如圖2A所示。另一方面，若其量測關於工件區域或個別目標位置之一或多個特性，則工件28之每一區域或目標位置均將以相關於該預定量測數值之適當參數配置進行加工。因此，量測數值將被儲存並連結至工件28上之特定位置。圖2B顯示以型號5330之雷射系統實施鑽孔之一示範性參數配置選擇表。
圖3係可用以依據一量測數值對一工件28實施加工之一示範性參數配置。在某些實施例之中，每一量測數值和參數配置間具有一對一之對應關係。然而，習於斯藝者應能理解，對照表中的一個量測數值通常包含某個範圍內之量測數值。在某些實施例之中，上述之量測數值係工件28之一平均厚度值、工件28中一區域之一平均厚度值、或是工件28上一預期目標或形態之位置之一厚度值。在某些實施例之中，上述之參數配置指定用以在工件28上鑽出具有特定特性之開孔之參數，諸如直徑及深度。
參數配置基本上包含，但不限於，關於光點尺寸、侵蝕尺寸(bite size)、重複率(repetition rate)、定位系統之速度、雷射功率、操作之次數、脈衝數目、以及移動模式等雷射參數。習於斯藝者應能理解，列於圖3參數配置表中之示範性參數並未盡舉，其中之許多參數或其變易形式可以表示成變數之不同組合。同樣地，參數配置中之參數將隨著諸如開孔直徑或工件材質等不同形態屬性以及不同雷射種類和光束及基板定位系統之而改變。
舉例而言，只要定位系統許可，其可以運用Dunsky等人之美國專利案第6,407,363和6,784,399號中所揭示之任何鑽孔技術或模式。此等技術和模式包含，但不限於，螺旋式(spiraling)、同心圓式(concentric circle)、以及環鋸式(trepanning)加工。習於斯藝者應能理解，運用於美國專利案第6,407,363號中之變形反射鏡可以置換成其他高速操控裝置，諸如揭示於Johnson之美國專利案第7,027,199號中之一或多個聲光式裝置，以實施各種模式。
習於斯藝者應能理解，參數配置對照表可以是基於超過一種之量測數值，諸如使用一矩陣中之厚度數值及光亮度數值，以決定用以加工一預定工件28、區域、或位置之最佳參數配置。同樣地，三個或更多量測數值(或數值之範圍)可以被組合於多維矩陣中，其依據某些或所有之量測特性指定"最佳"之參數配置。
上述之雷射加工參數配置對照表之建立可以是基於理論上之計算、操作員之錯誤嘗試、具有後處理測試之自動 化系統參數配置變異流程、或是基於前述或其他方法之組合。當蒐集愈多資訊，對照表可以變得愈複雜且愈精確以反映出加工之歷程。此等歷程可以包含雷射操作之變異以及參數配置中之變異。
圖4係一示範性裝載、量測、雷射微加工、以及卸載流程之流程圖。在某些實施例之簡化示範性實施方式中，一用以鑽出開孔之雷射加工系統12運用指令步驟60請求自動裝載系統14載入一工件28。在裝載步驟62，自動裝載系統14自一儲存架或輸送裝置(未顯示於圖中)選擇一工件28。在移動或定位步驟64，自動裝載系統14移動工件28以促成其一或多個特性之量測，並於一指令步驟66中傳送量測指令至量測系統16。
在量測步驟68，量測系統16取得工件28一或多個特性之量測結果。該等特性可以得自於一或多個工件側邊、表面、區域、或特定之預期目標或形態位置。該等量測可以是當工件28被輸送至雷射加工系統12或是當被裝載手臂38暫停於一或多個預定位置之時由一或多個攝影機46取得。其亦可以在工件28被裝載至雷射加工系統12之墊塊24上之後藉由攝影機50及52取得量測。量測系統16可以分析或處理未經處理之資料，諸如提供平均量測數值，並將處理後或未經處理之資料直接或間接地轉送至雷射加工系統12，諸如經由自動裝載系統14和資料傳送步驟70進行。
在裝載步驟72，自動裝載系統14完成將工件28裝載 於雷射加工系統12之墊塊24之上(若在量測階段未完成的話)並經由指令步驟74通知雷射加工系統12工件28已裝載完成。
在參數配置決定步驟76，雷射加工系統12利用量測資訊在諸如圖2A和圖2B所例舉之表中尋找加工工件28之較佳參數或是對其內之區域或預期目標或形態位置進行加工之較佳參數。在加工步驟78，雷射加工系統12利用依據得自於對照表之參數配置對工件28、其內之區域、或預期目標或形態位置進行加工。
在指令步驟80，雷射加工系統12通知自動裝載系統14工件28已加工完成。自動裝載系統14在卸載步驟82將工件自墊塊24卸載下來並於通知步驟84通知雷射加工系統12工件28已卸載完成。雷射加工系統12接著進入就緒狀態，準備請求新工件28之裝載。
習於斯藝者應能理解，取決於各種不同系統組件之功能，通信路線可以有所變化。特別是，習於斯藝者應能理解，用以實施上述流程步驟之各種軟體基本上均可以配合諸如雷射控制器26之單一系統或次系統運作。或者，該等軟體可以全部或部分地配置於各種系統、次系統、或次系統組件之中。舉例而言，攝影機46、50、和52可以包含量測處理軟體以及影像處理軟體，或者所有或多數之資料處理均可以由雷射控制器26完成或掌控。雷射控制器26同時亦可以直接要求量測系統16進行量測，而非經由諸如來自自動裝載系統14之指令。許多變異方式均係可能的。
習於斯藝者亦應理解，對照表所提供之參數配置僅係參數之範例，舉例而言，該等參數配置於實際操作時可以依據程序監控即時予以改變。舉例而言，此等程序監控可以追蹤雷射加工系統12內一或多個光學模組之性能下降、雷射18之效能變異、或者是關於光束及工件定位系統20之失常或其他定位錯誤。Jordens等人之美國專利案第7,244,906號即詳細描述如何實施此類即時調整。
前述實施例之細節可以在未脫離本發明之基本原理下進行許多修改，此對於習於斯藝者應係顯而易見的。本發明之範疇因此應由以下之申請專利範圍所界定。
10‧‧‧整合式雷射微加工系統
12‧‧‧雷射加工系統
14‧‧‧自動裝載系統
16‧‧‧量測系統
18‧‧‧雷射
20‧‧‧工件定位系統
22‧‧‧光束偏轉鏡
24‧‧‧工件墊塊
26‧‧‧雷射系統控制器
28‧‧‧工件
30‧‧‧雷射光束軸
32‧‧‧雷射光束路徑
34‧‧‧通信路線
36‧‧‧通信路線
38‧‧‧裝載手臂
40‧‧‧卸載手臂
42‧‧‧通信路線
44‧‧‧通信路線
46‧‧‧攝影機
48‧‧‧工件側邊
50‧‧‧攝影機
52‧‧‧攝影機
54‧‧‧工件表面
56‧‧‧操作員介面
60‧‧‧指令步驟
62‧‧‧裝載步驟
64‧‧‧定位步驟
66‧‧‧指令步驟
68‧‧‧量測步驟
70‧‧‧資料傳送步驟
72‧‧‧裝載步驟
74‧‧‧指令步驟
76‧‧‧決定步驟
78‧‧‧加工步驟
80‧‧‧指令步驟
82‧‧‧卸載步驟
84‧‧‧通知步驟
圖1係一整合式雷射微加工系統之部份示意圖，其包含一雷射系統、一自動裝載系統、以及一量測系統。
圖2A係一基本參數配置選擇表。
圖2B係一示範性參數配置選擇表，其使用於一5330雷射鑽孔系統。
圖3係可以關聯至量測數值之示範性參數配置。
圖4係一示範性裝載、量測、雷射微加工、以及卸載流程之流程圖。
圖5係一側面視圖，其展示一示範性量測系統組件如何取得一零基準聚焦(zero reference focus)數值。
圖6係一側面視圖，其展示一示範性量測系統組件如何藉由決定聚焦相對於零基準聚焦數值之變化而取得一厚度值。
10．．．整合式雷射微加工系統
12．．．雷射加工系統
14．．．自動裝載系統
16．．．量測系統
18．．．雷射
20．．．工件定位系統
22．．．光束偏轉鏡
24．．．工件墊塊
26．．．雷射系統控制器
28．．．工件
30．．．雷射光束軸
32．．．雷射光束路徑
34．．．通信路線
36．．．通信路線
38．．．裝載手臂
40．．．卸載手臂
42．．．通信路線
44．．．通信路線
46．．．攝影機
48．．．工件側邊
50．．．攝影機
52．．．攝影機
54．．．工件表面
56．．．操作員介面

Claims (19)

  1. 一種利用雷射微加工系統加工多個工件之方法，包含：自多個工件，至少包含第一及第二工件，之供應以接收一第一工件，其中每一工件具有多個特性，包含不同的第一及第二特性，其中該第一工件之該第一特性具有一第一主要數值且該第一工件之該第二特性具有一第一次要數值，其中該第二工件之該第一特性具有一第二主要數值且該第二工件之該第二特性具有一第二次要數值，其中該第一主要數值係不同於該第二主要數值，且其中該第一次要數值係不同於該第二次要數值；取得關於該第一工件之該第一及第二特性之資訊；指派一第一主要量測數值予該第一工件之該第一特性，該第一主要量測數值係用於建立該第一工件中之一形態的一或多個；指派一第一次要量測數值予該第一工件之該第二特性，該第一次要量測數值係用於建立該第一工件中之該形態；自一對照表選擇關於該第一主要及第一次要量測數值之一第一雷射加工參數配置，該第一加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第一工件以於該第一工件中建立具有預定屬性之該形態，該等預定屬性係由形態品質衡量標準所定義，其中該等預定屬性之一者係深度；運用包含一光束定位系統及一基板定位系統中之一或 二者之一雷射系統，以於該第一工件中建立具有符合該形態品質衡量標準之該等預定屬性之該形態的一或多個；自該多個工件之供應以接收該第二工件；取得關於該第二工件之該第一及第二特性之資訊；指派一第二主要量測數值予該第二工件之該第一特性，該第二主要量測數值係用於建立該第二工件中之該形態；指派一第二次要量測數值予該第二工件之該第二特性，該第二次要量測數值係用於建立該第二工件中之該形態；自該對照表選擇關於該第二主要及第二次要量測數值之一第二雷射加工參數配置，該第二加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第二工件以於該第二工件中建立具有該等預定屬性之該形態，該等預定屬性係由形態品質衡量標準所定義，其中該等預定屬性之一者係深度，且其中該第二加工參數配置係不同於該第一加工參數配置；且運用包含該光束定位系統及該基板定位系統中之一或二者之該雷射系統，以於該第二工件中建立具有符合該形態品質衡量標準之該等預定屬性之該形態的一或多個。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射微加工系統係一鑽孔系統而該形態係一開孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該工件係一印刷電路板或一半導體晶圓。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一特性係厚度或光亮度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一特性係厚度且該第二特性係光亮度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該對照表運用一量測數值範圍，其包含關聯至該第一加工參數配置之該第一主要量測數值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一及第二特性各者之多個量測數值被組合入一矩陣，且其中該第一加工參數配置係關聯至該第一主要量測數值與該第一次要量測數值之一相關性。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該資訊係以一或多個攝影機而取得。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中關於該第一特性之該資訊係取自該第一及第二工件各者上不同之位置。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中關於在多個區域，包含第一及第二區域，之該第一工件之該第一及第二特性之該資訊被取得，其中該形態將被建立於該第一位置且該形態將被建立於該第二位置，其中該第一及第二位置係關聯於預期個別相同之第一及第二形態，其中在該第一區域之該第一主要數值係不同於在該第二區域之該第一主要數值，且其中不同之加工參數配置被運用以建立在該第一工件上之該第一位置的該形態及及該第二位置的該 形態。
  11. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中使用不同之裝置來取得關於不同特性之資訊。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中得自該第一工件一個以上位置之資訊被用以決定該第一主要量測數值。
  13. 如申請專利範圍第10項方法，其中在該第二區域中之該第一主要數值係在該形態建立於該第一區域內後決定。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中於再次建立該第一工件之該形態之前，量測該第一工件中之該形態之一屬性且調整該對照表中之一參數配置參數。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在建立該形態之前，該第一加工參數配置被即時性地調整，以響應關於該雷射系統之資料。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該參數配置參數包含以下之一或多個項目：式樣、尺寸、脈衝重複率、脈衝之數目、脈衝形狀、脈衝寬度、脈衝能量、峰值脈衝功率、脈衝能量容忍度、穩定時間、光點尺寸、光束形狀、或波長，其中該形態屬性包含以下之一或多個項目：式樣、位置、深度、形狀、尺寸、直徑、或是微加工後所允許之碎片殘留；且其中該參數配置參數包含以下之一或多個項目：該光束定位系統之移動模式、侵蝕尺寸、該光束定位系統之速度、或是操作之次數。
  17. 如前述任一申請專利範圍之方法，其中該第一及第二工件係印刷電路板或半導體晶圓，其中該雷射微加工系統係一鑽孔系統而該形態係一開孔，其中該第一特性係厚度且該第二特性係光亮度，且其中該形態之多個係循序鑽孔於該第一工件中。
  18. 一種用以處理多個工件之雷射微加工系統，包含：一工件裝載器，其自多個工件，至少包含第一及第二工件，之供應以獲得一第一工件，其中每一工件具有多個特性，包含不同的第一及第二特性，其中該第一工件之該第一特性具有一第一主要數值且該第一工件之該第二特性具有一第一次要數值，其中該第二工件之該第一特性具有一第二主要數值且該第二工件之該第二特性具有一第二次要數值，其中該第一主要數值係不同於該第二主要數值，且其中該第一次要數值係不同於該第二次要數值；一量測系統，用以量測該第一及第二工件之各者的第一及第二特性，以及用以指派該第一主要及第一次要量測數值予該第一工件之該個別第一及第二特性來用於建立該第一工件中之形態，並指派該第二主要及第二次要量測數值予該第二工件之該個別第一及第二特性來用於建立該第一工件中之該形態；雷射加工軟體，用以提供有關該第一主要及第一次要量測數值之一第一雷射加工參數配置，該第一加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第一工件以於該第一工件中建立具有預定屬性之該形態，並且用以提供有關 該第二主要及第二次要量測數值之一第二加工參數配置，該第二加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第二工件以於該第二工件中建立具有該等預定屬性之該形態，其中該形態之該等預定屬性之一者係深度，且其中該第二加工參數配置係不同於該第一加工參數配置；一雷射系統，用以提供雷射輸出；一光束傳送系統，用以沿一光軸傳送該雷射輸出；一工件定位系統，用以將該第一或第二工件之至少一者相對於該量測系統及該光軸之一或二者進行定位；以及一雷射控制器，用以經由該雷射系統、該光束傳送系統、或該工件定位系統中一或多個系統之直接或間接控制，直接或間接實施有關該第一及第二特性之該等量測數值之該第一及第二加工參數配置，用以於該第一及第二工件中建立具有該等預定屬性之該形態的多個。
  19. 一種利用雷射微加工系統加工多個工件之方法，包含：自多個工件，至少包含第一及第二工件，之供應以接收一第一工件，其中每一工件具有多個特性，包含不同的第一及第二特性，其中該第一工件之該第一特性具有一第一主要數值，其中該第二工件之該第一特性具有一第二主要數值，其中該第一主要數值係不同於該第二主要數值，且其中該第一特性包含該第一工件之厚度，其中該第一及第二工件包含半導體晶圓或印刷電路板任一者；光學地量測關於該第一工件之該第一特性之資訊； 指派一第一主要量測數值予該第一工件之該第一特性以於該第一工件中建立多個開孔，每一開孔具有藉由形態品質衡量標準所定義之預定屬性，其中該等預定屬性之一者係深度；自一對照表選擇關於該第一主要量測數值之一第一雷射加工參數配置，該第一加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第一工件以於該第一工件中建立具有該等預定屬性之該多個開孔；運用包含一光束定位系統及一基板定位系統中之一或二者之一雷射系統，以於該第一工件中循序地建立具有符合該形態品質衡量標準之該等預定屬性之該多個開孔；自該多個工件之供應以接收該第二工件；光學地量測關於該第二工件之該第一特性之資訊；指派一第二主要量測數值予該第二工件之該第一特性以於該第二工件中建立多個開孔，每一開孔具有藉由形態品質衡量標準所定義之預定屬性，其中該等預定屬性之一者係深度；自該對照表選擇關於該第二主要量測數值之一第二雷射加工參數配置，該第二加工參數配置包含多個參數配置參數，用以加工該第二工件以於該第二工件中建立具有該等預定屬性之該多個開孔，其中該第二加工參數配置係不同於該第一加工參數配置；並且運用包含該光束定位系統及該基板定位系統中之一或二者之該雷射系統，以於該第二工件中循序地建立具有符 合該形態品質衡量標準之該等預定屬性之該多個開孔。
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