TWI475174B - Light emitting diode lighting device - Google Patents

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TWI475174B
TWI475174B TW101119564A TW101119564A TWI475174B TW I475174 B TWI475174 B TW I475174B TW 101119564 A TW101119564 A TW 101119564A TW 101119564 A TW101119564 A TW 101119564A TW I475174 B TWI475174 B TW I475174B
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劉虹苹
何彥緯
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玉晶光電股份有限公司
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    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
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Description

發光二極體之照明裝置
本發明係有關一種發光二極體之照明裝置,特別指一種依規範需有最小沿面距離(Creepage Distance)的照明設備。
近年來,為達到節約能源及符合環保之要求,照明設備之相關廠商與研發單位已逐漸將照明設備之光源改採用發光二極體(LED)。發光二極體係為一種固態之半導體元件,利用電流通過發光二極體內,使能量以光的形式釋放出來,具有體積小、反應速度快、耗電量低及低污染等優勢。
但,照明設備屬電氣產品,在使用上必需考量安全規範,保證人身安全、財產及環境等不受傷害和損失,而針對LED照明設備的安全規範,不同國家及根據不同的工作電壓(working voltage)有不同的規定。
其中,IEC(International Electrotechnical Commission)燈具標準中編號IEC 60598-1(燈具,第1部分:一般要求和試驗;Luminaires-Part 1:General requirements and tests),其內容規定了工作電壓在1000V以下照明產品的安全規範,並對最小沿面距離(Creepage Distance)有詳細的定義和規範。沿面距離係指兩個帶電體之間或是帶電體與可觸表面間沿絕緣表面的最短距離;沿面距離不夠將會引起漏電所產生的擊穿現象及絕緣失效等問題,直接影響產品的安全與否,也是產品能否通過安全規範測試的一個重點和困難點。
為了解決此一問題,大多數的設計者會在LED驅動上使用並聯的方式,使整個系統的工作電壓低於安全特低電壓(Safety Extra Low Voltage,SELV),安全特低電壓是指在任意兩個可能碰觸的組件之間,或人體可能碰觸到任意組件和產品的接地保護端子間的電壓,不會超過規範值,所以在安全特低電壓下,不用考慮沿面距離的問題,而不同的國家中針對安全特低電壓有不同的規範。但此種並聯的驅動方式會因為每顆LED的內電阻不同,容易導致電流不均勻的問題,進而影響照明設備的發光均勻性,且容易降低LED壽命。而現有廠商為了要解決各別LED電流不均勻的問題,則需要在照明裝置上另外採用電流控制IC來控制各別並聯排列的LED電流,然而隨著瓦數需求增大,LED並聯排列數量增加,則會造成IC數量增多,將使得造成製造成本大幅增加,並非一個完善的解決方法。
因此,如何針對照明設備之結構進行改良,讓依規範需有沿面距離的照明設備符合沿面距離之規範,同時不增加製造成本是目前的待解決的問題。
於是,為解決上述缺失,本發明之目的係在提供一種發光二極體之照明裝置,藉由在基板和基座間設置一絕緣材質之貼片,設計基板的邊緣任一點沿該絕緣貼片表面到該基座的最短距離符合安全規範中最小沿面距離(Creepage Distance)的標準,且不會造成生產成本的增加。
本發明之另一目的係在提供一種發光二極體之照 明裝置,藉由在基板和基座間設置一絕緣材質之貼片,且讓該絕緣貼片具有良好的導熱功能,能將基板上的熱能傳導到金屬基座上,達到散熱的效果。
為達上述之目的,本發明揭露一種發光二極體之照明裝置,該照明裝置至少包括:一金屬材質之基座;至少一基板設置於該基座的一表面,且該基板上具有至少一電極及至少一發光二極體晶片,該發光二極體晶片與該電極電性連接;及至少一絕緣貼片設置於該基板和該基座之間,該絕緣貼片與該基板滿足L2+2×T≧L1+2×Cr及W2+2×T≧W1+2×Cr的關係;其中,Cr為該基板的邊緣任一點沿該絕緣貼片表面到該基座的最短距離,且Cr≧1.6mm,L1為該基板的長度,L2為該絕緣貼片的長度,W1為該基板的寬度,W2為該絕緣貼片的寬度,T為該絕緣貼片的厚度。
其中,該基座係為殼體,更進一步該基座具散熱鰭片。
其中,該基座的表面上具有多個基板及多個絕緣貼片,且一個基板對應一個絕緣貼片,或多個基板對應一個絕緣貼片。
其中,該絕緣貼片的厚度大於等於0.4mm;該絕緣貼片進一步具有導熱功能,且該絕緣貼片的導熱係數大於等於1 W/m-K。
本案的優點在於,藉由在基板和基座間設置一絕緣材質之貼片,設計基板的邊緣任一點沿該絕緣貼片表面到該基座的最短距離符合安全規範中最小沿面距離(Creepage Distance)的標準,避免該照明設備因為無法 符合安全規範而容易對安全造成危害;且利用絕緣貼片的低成本,使得本發明之照明設備在符合爬線距離的目的下,不會造成生產成本的增加。又,讓該絕緣貼片具有良好的導熱功能,能將基板上的熱能傳導到金屬基座上,達到散熱的效果。較佳的,該絕緣貼片的導熱係數≧1 W/m-K,厚度≧0.4mm;當導熱係數<1 W/m-K時,絕緣貼片的導熱效果不好,無法有效的將熱導到基座,容易使發光二極體晶片溫度超過工作溫度,會使得發光二極體晶片的亮度和壽命減少;當絕緣貼片的厚度<0.4mm時,則當照明設備溫度過高時,絕緣穿透距離不足,會導致絕緣結構的可靠度降低,無法滿足絕緣可靠度需求,因而降低照明設備的安全性。
茲有關本發明之詳細內容及技術說明,現以實施例來作進一步說明,但應瞭解的是,該等實施例僅為例示說明之用,而不應被解釋為本發明實施之限制。
請參閱圖1、圖2及圖3,其係本發明照明裝置之第一較佳實施例示意圖。該照明裝置100至少包括:一金屬材質之基座110,其中該基座110係可直接做為該照明裝置100的殼體,且該基座110更進一步可具散熱鰭片112,用以增加該基座110的散熱效果。
至少一基板120設置於該基座110的一表面111,且該基板120上具有至少一電極121做為電連接主要電源的正負電極,及至少一發光二極體晶片130,該發光二極體晶片130的電極131與前述電極121電性連接。
又,至少一絕緣貼片140設置於該基板120和該基 座110之間,且滿足該基板120的邊緣任一點沿該絕緣貼片140表面到該基座110的最短距離大於等於1.6mm。
其中,該基板120一般為印刷電路板(PCB)、金屬基板(MCPCB)、以陶瓷材料為主的陶瓷基板(Ceramic Substrate)、覆銅陶瓷基板(DBC)。PCB及MCPCB可使用於一般LED應用之產品,不過當單位熱流密度較高時,導熱之需求更顯得重要,所以LED散熱基板主要採用金屬基板及陶瓷基板兩類來強化散熱,且該基板120為現有市場及專利已揭露相關的結構技術,而該基板120上電極121與發光二極體晶片130的組成結構技術也為已知技術,且非本專利重點,在此不多加贅述。
實施上,該基板120為了散熱考量,大多使用金屬材質鍍上絕緣表面,以美國的安全規定來看,儘管金屬材質的基板120有絕緣表面,亦不能當作是沿面距離的一部份(參照UL 1598 6.11.8:For the purposes of measuring spacings,a film-coated conductor shall be considered an uninsulated part.),故本發明無將該基板120之厚度及表面距離當作是絕緣沿面距離的一部份。
因此,本發明根據該基板120尺寸及該電極121沿該絕緣貼片140表面到該基座110的最短距離需求,來決定該絕緣貼片140的尺寸,以便使該照明裝置100能夠符合其工作電壓所對應最小沿面距離的安全規範。在此要特別說明的是,既然鍍上絕緣表面之金屬材質的基板120不能當作是沿面距離的一部分,沿面距離應由基 板120之邊緣開始起算,因此沿面距離即是該基板120的邊緣任一點沿該絕緣貼片140表面到該基座110的最短距離。
以本實施例而言,該照明裝置100上採用一個絕緣貼片140對應一個基板120的設置方式,且每個基板120上設有一個發光二極體晶片130與一組連接主要電源的電極121,其中圖1共有四方形的八個基板120和八個絕緣貼片140。定義L1為該基板120的長度,L2為該絕緣貼片140的長度,W1為該基板120的寬度,W2為該絕緣貼片140的寬度,T為該絕緣貼片140的厚度,Cr為該基板120邊緣處沿該導熱貼片140表面到該基座110的最短距離(如第2圖與第3圖所示),且Cr的大小則依照明設備不同的工作電壓和國家來設計(現行主要國家/區域對照明裝置的沿面距離規範如表1所示),最少要滿足Cr≧1.6mm關係(下列表1中對沿面距離的最小規範),如此一來,該基板120邊緣任一點沿該絕緣貼片140表面到該基座110的最短距離Cr即符合各國家/區域的安全規範。
表1中,基本絕緣(Basic Insulation)係附加在帶電體上且能提供防電擊的基本保護的絕緣;附加絕緣(Supplementary Insulation)係除了基本絕緣外,另外附加的獨立絕緣,用以提供在基本絕緣失效時的防電擊保護;強化絕緣(Reinforced Insulation)係附加在帶電體上的單一絕緣系統,能提供和雙重絕緣(同時具有基本絕緣和附加絕緣)相同等級的防電擊保護效果。
以採用八顆發光二極體晶片130之本實施例而言,該發光二極體晶片130規格為1500mA及3.1V,該照明裝置100工作電壓約25V,該絕緣貼片140厚度T為0.5mm,L2為48mm及W2為32mm,L1為35mm及W1為19mm,且採用強化絕緣的設計方式,參照現行主要國家/區域對照明裝置的沿面距離規範表格(表1),符合規定之Cr值為5.5mm(台灣/中國),但考慮未來該照明裝置100之擴充性,例如提高工作電壓,但電 壓不超過250V,因此設計Cr為6.5mm(台灣/中國),由於48mm+2×0.5mm>35mm+2×6.5mm,32mm+2×0.5mm>19mm+2×6.5mm,在此滿足L2+2×T≧L1+2×Cr及W2+2×T≧W1+2×Cr的關係,且Cr=6.5mm>1.6mm。
請參照圖4,為本發明之第二較佳實施例。該照明裝置100採用一個絕緣貼片140對應一個基板120的設置方式,其中與第一較佳實施例不同的是,各個基板120上具有七個發光二極體晶片130與一組連接主要電源的電極121,該基座110的表面111共有四個基板120和四個絕緣貼片140,在此種方式下,有減化組裝之優點。
以本實施例採用二十八顆發光二極體晶片130為說明例,該發光二極體晶片130規格為1500mA及3.1V,該照明裝置100工作電壓約87V,參照前述元件的尺寸定義,其中T為0.5mm,L2為174mm及W2為32mm,L1為161mm及W1為19mm,且採用強化絕緣的設計方式,參照前述現行主要國家/區域對照明裝置的沿面距離規範表格(表1),符合規定之Cr值為5.5mm(台灣/中國),但考慮未來擴充性,例如提高工作電壓但電壓不超過250V,因此設計Cr為6.5mm(台灣/中國),由於174mm+2×0.5mm>161mm+2×6.5mm,32mm+2×0.5mm>19mm+2×6.5mm,在此滿足L2+2×T≧L1+2×Cr及W2+2×T≧W1+2×Cr的關係,且Cr=6.5mm>1.6mm。
請參照圖5,為本發明之第三較佳實施例。與第二較佳實施例不同的是,該照明裝置100採用一個絕緣貼 片140對應多個基板120的設置方式,且實施上一個基板120上具有七個發光二極體晶片130與一組連接主要電源的電極121,該基座110的表面111共有四個基板120和一個絕緣貼片140,在此種方式下,有減化組裝之優點。
以本實施例採用二十八顆發光二極體晶片130為說明例,該發光二極體晶片130規格為1500mA及3.1V,該照明裝置100工作電壓約87V,參照前述元件的尺寸定義,其中T為0.5mm,L2為348.5mm及W2為102mm,L1為161mm及W1為19mm,且採用強化絕緣的設計方式,參照前述現行主要國家/區域對照明裝置的沿面距離規範表格(表1),符合規定之Cr值為5.5mm(台灣/中國),但考慮未來擴充性,例如提高工作電壓但電壓不超過250V,因此設計Cr為6.5mm(台灣/中國),由於348.5mm+2×0.5mm>161mm+2×6.5mm,32mm+2×0.5mm>19mm+2×6.5mm,在此滿足L2+2×T≧L1+2×Cr及W2+2×T≧W1+2×Cr的關係,且Cr=6.5mm>1.6mm。
另外,實施上該絕緣貼片140同時具有導熱功能,以前述實施例所用之基板120材質為鋁合金(由科范電子所製作),該基座110的材質是鋁(型號為6063T5)。
表2為絕緣貼片140的厚度測試表,表3為絕緣貼片140的熱傳導係數(Thermal Conductivity)測試表。其中測試樣品I為綜泰科技生產(型號為A100-42J-2B),測試樣品II為DENKA生產(型號為BS40/BS80),測試樣品III為群固生產的TM系列(TM 32050/TM 32100/TM 32200/TM 32600),測試樣品IV為興翰生產(型號為86/500),測試樣品V為興翰生產(型號為86/600),測試樣品VI為群固生產(型號為TM 18000 series),測試樣品VII為DENKA生產(DNK系列),測試樣品VIII為DENKA生產(BFG系列的BFG20/BFG03);測試樣品IX為DENKA生產(BS系列的BS20/BS30)。
由表2中絕緣貼片140的厚度測試效果可知,當該絕緣貼片140厚度在0.4mm以上時,絕緣穿透距離較大,無絕緣失效問題,可滿足絕緣的可靠度需求,產品 安全度提升,若該絕緣貼片140厚度不超過0.4mm時,會因為絕緣穿透距離較小,無法滿足絕緣可靠度需求,導致產品的安全性降低。
由表3中絕緣貼片140熱傳導係數測試效果可知,熱導熱係數大於等於1W/m-K時,都能有效將基板120的熱傳導到基座110上,使LED溫度不超過工作溫度,避免LED因為溫度太高而降低出光率,也可避免LED壽命降低,該絕緣貼片140較佳的熱傳導係數為:1.5W/m-K≦熱傳導係數≦7W/m-K。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
100‧‧‧照明裝置
110‧‧‧基座
111‧‧‧表面
112‧‧‧散熱鰭片
120‧‧‧基板
121‧‧‧電極
130‧‧‧發光二極體晶片
131‧‧‧電極
140‧‧‧絕緣貼片
L1‧‧‧基板的長度
W1‧‧‧基板的寬度
L2‧‧‧絕緣貼片的長度
W2‧‧‧絕緣貼片的寬度
T‧‧‧絕緣貼片的厚度
Cr‧‧‧最短距離
圖1為本發明照明裝置之第二較佳實施例示意圖。
圖2為圖1之部分放大圖。
圖3為圖2之側示圖。
圖4為本發明照明裝置之第二較佳實施例示意圖。
圖5為本發明照明裝置之第三較佳實施例示意圖。
100‧‧‧照明裝置
110‧‧‧基座
111‧‧‧表面
112‧‧‧散熱鰭片
120‧‧‧基板
121‧‧‧電極
130‧‧‧發光二極體晶片
131‧‧‧電極
140‧‧‧絕緣貼片

Claims (8)

  1. 一種發光二極體之照明裝置,該照明裝置至少包括:一金屬材質之基座;至少一基板,設置於該基座的一表面,且該基板上具有至少一電極及至少一發光二極體晶片,該發光二極體晶片與該電極電性連接;及至少一絕緣貼片,設置於該基板和該基座之間,該絕緣貼片與該基板滿足L2+2×T≧L1+2×Cr及W2+2×T≧W1+2×Cr的關係;其中,Cr為該基板的邊緣任一點沿該絕緣貼片表面到該基座的最短距離,且Cr≧1.6mm,L1為該基板的長度,L2為該絕緣貼片的長度,W1為該基板的寬度,W2為該絕緣貼片的寬度,T為該絕緣貼片的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該基座係為殼體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該基座具散熱鰭片。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該基座的表面上具有多個基板及多個絕緣貼片,且一個基板對應一個絕緣貼片。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該基座的表面上具有多個基板,且多個基板對應一個絕緣貼片。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該絕緣貼片的厚度大於等於0.4mm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之照明裝置,其中,該絕緣貼片進一步具有導熱功能。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之照明裝置,其中,該絕緣 貼片的導熱係數大於等於1 W/m-K。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6455786B2 (ja) * 2015-05-11 2019-01-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 収納装置
DE102016202801A1 (de) 2016-02-24 2017-08-24 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Isolierdamm
US10908351B2 (en) * 2017-02-13 2021-02-02 Signify Holding B.V. Frame for supporting a light guide panel and luminaire comprising the frame

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM354129U (en) * 2008-11-18 2009-04-01 Ming Tsann Technology Ltd Warning light structure
US20110210664A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Self-ballasted lamp and lighting equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM354129U (en) * 2008-11-18 2009-04-01 Ming Tsann Technology Ltd Warning light structure
US20110210664A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Self-ballasted lamp and lighting equipment

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