TWI468672B - 光學檢測裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種光學檢測裝置。
一般單晶矽或多晶矽太陽電池的構造包含下列幾層:外部電極(Conducting grid)、抗反射層(Anti-reflective layer)、N型與P型半導體層及內部電極(Back contact electrode)。其中,外部電極結構主要可分為匯流電極(bus bar)及指狀電極(finger bar)兩大結構。匯流電極如同樹木的主幹,而指狀電極則如同樹木的分枝散布到電池表面各處。因此,電子藉由指狀電極以匯集到匯流電極,並藉由匯流電極以匯出至外部負載。
對於太陽能電池的製造廠商來說,為了降低製造成本,指狀電極有越印越細的趨勢,而目前的網印技術已可精細到45微米的等級。但指狀電極為太陽能電池導電時最重要的部份,因此只要出現印刷不完全或是斷裂等問題,就會嚴重影響到太陽能電池的發電效率。
為確保太陽能電池品質之一致性,在太陽能電池的製造過程中都需要透過檢測儀器進行品質的監控。目前已
有製造廠商使用自動光學檢測(Automated Optical Inspection,AOI)設備作為檢測太陽能電池品質之檢測儀器,而大部分自動光學檢測設備皆採用面掃描(area-scanning)相機。
然而,隨著指狀電極越來越精細,自動光學檢測設備的設備商就必須不斷地提高面掃描相機的畫素以及解析度,而太陽能電池的製造廠商也得不斷更新自動光學檢測設備。當自動光學檢測設備的汰換速度過快時,往往會造成設備商與製造廠商的負擔。
因此,如何提供一種可符合解析度需求且不需不斷更換相機之光學檢測裝置,是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
因此,本發明係提供一種光學檢測裝置,以解決上述之問題。
本發明係提供一種光學檢測裝置。光學檢測裝置設置於輸送裝置上方。輸送裝置用以輸送待測物。光學檢測裝置包含面掃描模組以及線掃描模組。面掃描模組具有面掃描區域。當待測物位於面掃描區域中時,面掃描模組拍攝待測物,以獲得第一待測物影像,藉以檢測待測物的顏色或髒污問題。線掃描模組具有線掃描區域。在待測物通過線掃描區域期間,線掃描模組連續拍攝待測物,以獲得複數個線掃描影像,藉以檢測待測物的線瑕疵問題。第一
待測物影像具有第一解析度。任一線掃描影像具有第二解析度。第二解析度大於第一解析度。
1‧‧‧光學檢測裝置
10‧‧‧面掃描模組
12‧‧‧線掃描模組
14‧‧‧影像合成模組
2‧‧‧輸送裝置
20‧‧‧基座
22‧‧‧皮帶
3‧‧‧待測物
30‧‧‧匯流電極
32‧‧‧指狀電極
D‧‧‧輸送方向
W‧‧‧線寬
Z1‧‧‧面掃描區域
Z2‧‧‧線掃描區域
第1圖為繪示本發明一實施方式之光學檢測裝置與輸送裝置的側視圖。
第2圖為繪示第1圖中之輸送裝置的上視圖。
第3圖為繪示第2圖中之待測物的局部放大圖。
請參閱第1圖以及第2圖。第1圖為繪示本發明一實施方式之光學檢測裝置1與輸送裝置2的側視圖。第2圖為繪示第1圖中之輸送裝置2的上視圖。如第1圖與第2圖所示,於本實施方式中,光學檢測裝置1係設置於輸送裝置2上方。以下將詳細說明上述各元件的結構、功能以及各元件之間的連接關係。
如第1圖與第2圖所示,輸送裝置2包含基座20以及兩皮帶22。輸送裝置2的皮帶22係平行地運轉於基座20上,且可承載並輸送待測物3,藉以供光學檢測裝置1進行光學檢測。光學檢測裝置1包含面掃描模組10以及線掃描模組12。面掃描模組10的拍攝方向朝向輸送裝置2,且面掃描模組10的可視範圍定義一面掃描區域Z1(如第2圖中之左側虛線框所示)。線掃描模組12設置於面掃描模
組10旁。線掃描模組12的拍攝方向同樣朝向輸送裝置2,且其可視範圍定義一線掃描區域Z2(如第2圖中之右側虛線框所示)。輸送裝置2的皮帶22平行於輸送方向D,因此可沿著輸送方向D輸送待測物3而依序通過面掃描區域Z1與線掃描區域Z2(亦即,線掃描模組12設置於面掃描模組10之後)。
當輸送裝置2的皮帶22將待測物3輸送至面掃描模組10的面掃描區域Z1中時,面掃描模組10拍攝待測物3,藉以獲得第一待測物影像,藉以檢測待測物3的顏色或髒污問題。在輸送裝置2的皮帶22輸送待測物3通過線掃描模組12的線掃描區域Z2期間,線掃描模組12會連續拍攝待測物3,藉以獲得複數個線掃描影像;且每一個線掃描影像皆對應待測物3的局部部位,藉以檢測待測物3的線瑕疵問題。面掃描模組10所拍攝的第一待測物影像具有第一解析度。線掃描模組12所拍攝的任一線掃描影像具有第二解析度。第二解析度大於第一解析度(換言之,線掃描模組12的光學解析度大於面掃描模組10的光學解析度)。
進一步來說,本實施方式之光學檢測裝置1進一步包含影像合成模組14。影像合成模組14電連接線掃描模組12,並可將線掃描模組12所拍攝的線掃描影像合成第二待測物影像。在此要說明的是,面掃描模組10所拍攝的第一待測物影像以及影像合成模組14所合成的第二待測物影像,皆對應待測物3的完整影像。由於第二待測物影像的解析度大於第一待測物影像的解析度,因此檢測人員可以
經由第一待測物影像初步且快速地檢測出待測物3上較巨觀且明顯的大瑕疵,並經由第二待測物影像精確地檢測出待測物3上所出現的小瑕疵。
然而,於另一實施方式中,線掃描模組12亦可設置於面掃描模組10之前,因此輸送裝置2的皮帶22會沿著輸送方向D輸送待測物3而依序通過線掃描區域Z2與面掃描區域Z1。
請參照第3圖,其為繪示第2圖中之待測物3的局部放大圖。
如第3圖所示,並配合參照第2圖,於本實施方式中,承載於輸送裝置2之皮帶22上的待測物3為太陽能電池。太陽能電池包含複數個匯流電極30以及複數個指狀電極32。每一匯流電極30的截面積尺寸皆大於任一指狀電極32的截面積尺寸。換言之,匯流電極30如同樹木的主幹,而指狀電極32則如同樹木的分枝散布到太陽能電池表面各處。因此,電子可藉由指狀電極32以匯集到匯流電極30,並藉由匯流電極30以匯出至外部負載。
進一步來說,面掃描模組主要是用以檢測太陽能電池的顏色或髒污問題,而線掃描模組12主要是用以檢測太陽能電池的指狀電極32的線瑕疵問題。如第2圖與第3圖所示,每一該些指狀電極32的延伸方向垂直於輸送方向D,且線掃描模組12之線掃描區域Z2的長軸方向亦垂直於輸送方向D,因此在線掃描模組12的拍攝過程中,其所拍攝的每一線掃描影像皆可包含至少一條完整的指狀電極
32。是故,當影像合成模組14將線掃描影像合成第二待測物影像時,並不會發生各線掃描影像中的任一指狀電極32無法精密對齊的問題(因任一指狀電極32的影像並不會局部出現在不同的線掃描影像中)。
當檢測人員根據第二待測物影像檢測指狀電極32的線瑕疵問題時,至少會進行Bus bar檢測、斷線檢測以及暈線檢測。以下將詳細說明各檢測項目的檢測規則。
在Bus bar檢測中,還包含Size Different Percent、Break Defect TH、Area Defect TH以及Defect Size MIN等子項目。對於Size Different Percent子項目來說,其係設定指狀電極的實際面積與預設指狀電極的面積之差異百分比範圍,若超出此範圍,即判定為Bus bar Defect。對於Break Defect TH子項目來說,其係設定斷開指狀電極的灰階值範圍(例如,0~50的二值化範圍),若超出此範圍,則判斷指狀電極完全斷開而不連續,並判定為Break Defect。對於Area Defect TH子項目來說,其係設定出現在指狀電極上面髒污的灰階值範圍(例如,0~100的二值化範圍),若超出此範圍,則判斷指狀電極上面有髒污或部份斷開,並判定為Area Defect。對於Defect Size MIN子項目來說,其係設定最小Area Defect面積,若超出此範圍,則判斷Area Defect檢出的缺陷面積超出Defect Size MIN設定值,同樣判定為Area Defect。
在斷線檢測中,還包含Finger Broken Length1、Finger Broken Length2、Small Broken Number Limit、Finger
Width MAX以及Finger Segment TH等子項目。前三者可配合組成兩個判定斷線規格的條件,只要有一個條件符合,即判為斷線。條件一:檢出斷線長度大於Finger Broken Length1的設定值時,且出現的次數為Small Broken Number Limit的設定值以上,即判定為斷線。條件二:檢出斷線長度大於等於Finger Broken Length2的設定值時,且只要有出現一個,即判為斷線。對於Finger Width MAX子項目來說,其係設定正常指狀電極的寬度,若小於此範圍,則判定為斷線。對於Finger Segment TH子項目來說,其係設定指狀電極的二值化範圍(例如,0~100的二值化範圍),若2小於此範圍,則判定為斷線部位。
在暈線檢測中,還包含Halo width 1、Halo Width 2、Small Halo Number TH、Finger Width Max、Halo Length Min、Halo Detect High以及Finger Segment TH等子項目。前三者可配合組成兩個判定斷線規格的條件,只要有一個條件符合,即判為暈線。條件一:檢出暈線寬度大於Halo Width 1的設定值時,且出現的次數為Small Halo Number TH的設定值以上,即判定為暈線。條件二:檢出暈線寬度大於等於Halo Width 2的設定值時,且只要有出現一個,即判為暈線。對於Finger Width MAX子項目來說,其係設定正常指狀電極的寬度,若大於此範圍,則判定為暈線。對於Halo Length Min子項目來說,其係設定檢出暈線的長度,若大於此範圍,則判定為暈線。對於Halo Detect High子項目來說,其係設定檢測暈線最大寬度範圍(為避免白點
造成的誤判而設定的參數),若大於此範圍,則判定為暈線。對於Finger Segment TH子項目來說,其係設定指狀電極的二值化範圍(例如,0~100的二值化範圍),若大於此範圍,則判定為暈線部位。
於本實施方式中,輸送裝置2的輸送速度係配合線掃描模組12的拍攝速度,使得每一線掃描影像中僅包含單一指狀電極32。因此,檢測人員可以經由合成後第二待測物影像清楚地判斷太陽能電池的每一條指狀電極32是否有印刷不完全或斷裂的問題。
一般來說,相較於面掃描模組10,線掃描模組12具有成本低廉以及光學解析度高的優點,因此即使所需應付的指狀電極32有越來越精細的情況,光學檢測裝置1的設備商與太陽能電池的製造廠商僅需更換便宜的線掃描模組12,並不需要更換較昂貴的面掃描模組10,如此可減輕汰換光學檢測裝置1的成本負擔。
另外,如第3圖所示,於本實施方式中,太陽能電池的每一指狀電極32具有線寬W,並且線寬W大於20微米。而任一線掃描影像的第二解析度皆小於20微米。也就是說,本實施方式之線掃描模組12的光學解析度具有足夠的能力可清楚呈現線寬W至少為20微米的指狀電極32的影像。
由以上對於本發明之具體實施方式之詳述,可以明顯地看出,本發明的光學檢測裝置是在面掃描模組之外再額外增設線掃描模組,並以線掃描模組專門處理線瑕疵問
題。並且,由於線掃描模組相較於面掃描模組來說,具有成本低廉以及光學解析度高的優點,因此即使所需應付的指狀電極有越來越精細的情況,光學檢測裝置的設備商與太陽能電池的製造廠商僅需更換便宜的線掃描模組,並不需要更換較昂貴的面掃描模組,如此可減輕汰換光學檢測裝置的成本負擔。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧光學檢測裝置
10‧‧‧面掃描模組
12‧‧‧線掃描模組
14‧‧‧影像合成模組
2‧‧‧輸送裝置
20‧‧‧基座
22‧‧‧皮帶
3‧‧‧待測物
D‧‧‧輸送方向
Claims (9)
- 一種光學檢測裝置,設置於一輸送裝置上方,該輸送裝置用以輸送一待測物,該光學檢測裝置包含:一面掃描模組,具有一面掃描區域,其中當該待測物位於該面掃描區域中時,該面掃描模組拍攝該待測物,以獲得一第一待測物影像,藉以檢測該待測物的顏色或髒污問題;以及一線掃描模組,具有一線掃描區域,其中在該待測物通過該線掃描區域期間,該線掃描模組連續拍攝該待測物,以獲得複數個線掃描影像,藉以檢測該待測物的線瑕疵問題;其中該第一待測物影像具有一第一解析度,任一該些線掃描影像具有一第二解析度,並且該第二解析度大於該第一解析度。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學檢測裝置,進一步包含一影像合成模組,該影像合成模組電連接該線掃描模組,用以將該些線掃描影像合成一第二待測物影像。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學檢測裝置,其中該輸送裝置包含兩皮帶,該些皮帶平行於一輸送方向,並用以承載該待測物,藉以沿著該輸送方向輸送該待測物而依序通過該面掃描區域與該線掃描區域。
- 如申請專利範圍第3項所述之光學檢測裝置,其中該待測物為一太陽能電池,該太陽能電池包含複數個指狀電極,並且該線掃描模組用以檢測該些指狀電極的線瑕疵問題。
- 如申請專利範圍第4項所述之光學檢測裝置,其中每一該些指狀電極的延伸方向垂直於該輸送方向。
- 如申請專利範圍第4項所述之光學檢測裝置,其中每一該些指狀電極具有一線寬,並且該線寬大於20微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學檢測裝置,其中該第二解析度小於20微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學檢測裝置,其中當該輸送裝置輸送該待測物至該面掃描區域中時,該面掃描模組拍攝該待測物。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學檢測裝置,其中在該輸送裝置輸送該待測物通過該線掃描區域期間,該線掃描模組連續拍攝該待測物,並且該輸送裝置的一輸送速度係配合該線掃描模組的一拍攝速度。
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- 2013-12-27 TW TW102148729A patent/TWI468672B/zh not_active IP Right Cessation
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