TWI467825B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents

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Description

發光元件及其製造方法
本發明係關於一種發光元件及一種製造該發光元件之方法。更特定而言，本發明係關於一種有機電致發光元件及一種製造該有機電致發光元件之方法。
本申請案主張基於2009年11月10日提出申請之日本專利申請案JP 2009-257268之優先權，該專利申請案之全部內容以引用方式據此併入。
近年來，使用有機電致發光元件(下文亦簡稱為「有機EL元件」)之有機電致發光顯示器(下文亦簡稱為「有機EL顯示器」)作為能够代替液晶顯示器之顯示器一直受到關注。有機EL顯示器屬於自發光型的，且以小功耗為特徵。另外，有機EL顯示器視為具有對高清晰度、高速視訊信號之足够回應。鑒於此等特點，正大力實施對有機EL顯示器之開發以將其投入實際使用及其商業化。
通常，一有機EL元件具有一其中依序堆疊一第一電極、一具有一由一有機發光材料形成之發光層之有機層及一第二電極之結構。另外，在該等有機EL元件中，控制產生於該發光層中之光以便改進發光色彩之純度或提高發光效率之嘗試已藉由引入一諧振器結構(亦即，藉由優化構成該有機層之層之各別厚度)來進行(參考，例如，WO 01/39554小册子(在下文中闡述為專利文件1))。
此處，可出現一與色度及照度對視角之相依性有關的問題。亦即，隨著視角增大，自一有機EL顯示器發射之光之光譜中峰值波長可在很大程度上移位或光之强度可顯著降低。因此，期望將諧振之强度抑制至一盡可能低的位準，或者，換言之，使有機層之厚度盡可能小(參考上述專利文件1)。然而，當該有機層在厚度上為小時，存在一若如圖16中示意性地顯示在第一電極上存在一顆粒(異物)或一凸出部分，則對該有機層之覆蓋將變得不完全，從而可導致第一電極與第二電極之間的短路。若出現此一短路，則在一基於主動式矩陣系統之有機EL顯示器中，涉及該短路之像素構成一有缺陷的像素，從而使該有機EL顯示器之顯示品質劣化。另一方面，在一被動式矩陣型有機EL顯示器中，涉及該短路之像素將構成一丟失線，從而同樣使該有機EL顯示器之顯示品質劣化。此一問題尤其在大型有機EL顯示器中被放大，此乃因關於視角特性之嚴格要求及一减小之每單位面積允許瑕疵數。
迄今，已嘗試各種方法來限制第一電極與第二電極之間的短路。舉例來說，第2001-035667號日本公開專利(在下文中稱作專利文件2)揭示一種在一底部發射型有機EL顯示器中，在陽極與一有機膜之間間歇地提供一高電阻層之技術。另外，第2006-338916號日本公開專利(下文中稱作專利文件3)揭示一種在一頂部發射型有機EL顯示器中，在一雙層結構中形成陽極並將構成該等陽極之層設定為更靠近一將在電阻上為高之有機層之技術。此外，第2005-209647號日本公開專利(下文中稱作專利文件4)揭示一種在一底部發射型有機EL顯示器中，在一雙層結構中形成陰極並將構成該等陽極之層設定為更靠近一將在電阻上為高之有機層之技術。
然而，甚至在其中如上述臨時專利申請案中所揭示在陽極與陰極之間間歇地提供一高電阻層之情况下，當此組態與一諧振器結構相組合時亦無法解决上述問題。特定而言，為了提高該高電阻層對顆粒(異物)或凸出部分之覆蓋從而安全地防止在顯示器中產生瑕疵，也許有必要充分地擴大該高電阻層之厚度。然而，若該高電阻層之厚度太大，則將增加一以一處理程序為基礎之負載且亦將增加製造成本。另外，雖然第二電極通常由一透明導電材料(例如ITO)構成，但此一透明導電材料之電阻率高於金屬之電阻率。因此，强烈要求第二電極之電阻率之進一步减小。
因此，需要一種如此組態或構造以致即使在第一電極上存在一顆粒或一凸出部分亦防止出現一第一電極與一第二電極之間的短路且可以一减少之成本而無需任何特殊製造處理程序製造之發光元件及一製造該發光元件之方法。
在一第一實施例中，一種發光元件包括：一第一電極；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；一第二電極；及一導電樹脂層，其形成於該電阻層與該第二電極之間。
一種製造一根據第一實施例之發光元件之方法包括藉由形成一第一電極、在該第一電極上形成一有機層並在該有機層上形成之一電阻層來形成一第一區段。該方法亦包括：藉由形成一第二電極來形成一第二區段；及藉由在該電阻層與該第二電極之間提供一導電樹脂層來連結該第一與第二區段。
在根據第一實施例之發光元件中，該導電樹脂層形成於該電阻層與該第二電極之間，因而可在該第二電極與該電阻層之間達到安全傳導。另外，由於形成該導電樹脂層，因此可保證該第二電極(其由一透明導電材料(例如ITO)形成)及該導電樹脂層之總電阻率之减小。此外，在製造根據第一實施例之發光元件之方法中，只需預先製備形成具有該第二電極之第二基板。換言之，無需在該有機層之上側上形成該第二電極。因此，可不僅防止該有機層受損而且形成具有高品質及極佳性質之第二電極。
在一第二實施例中，一種發光元件包括：一第一電極：一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；及一第二電極，其包括一導電樹脂材料。該第二電極係形成於該電阻層上。
一種製造根據第二實施例之發光元件之方法包括藉由形成一第一電極、在該第一電極上形成一有機層並在該有機層上形成一電阻層來形成一第一區段。該方法亦包括：藉由在一基板上形成一第二電極來形成一第二區段，該第二電極包括一導電樹脂材料；及藉由將該第二電極連接至該電阻層來連結該第一與第二區段。
在根據第二實施例之發光元件中，該第二電極係由一導電樹脂材料形成。因此，與一例如由一透明導電材料(例如ITO)形成之第二電極相比，可保證該第二電極之製造成本之减少。另外，在製造根據第二實施例之發光元件之方法中，藉由由一導電樹脂材料形成之第二電極將該電阻層及該第二基板黏著至彼此。換言之，無需在該有機層之上側上形成該第二電極。因而，可防止該有機層受損。
在一第三實施例中，一種發光元件包括：一第一電極；一有機層，其形成於該第一電極上、一電阻層，其包括一高電阻樹脂材料，該電阻層形成於該有機層上；及一第二電極，其形成於該電阻層上。
一種製造第三實施例之一發光元件之方法包括：藉由形成一第一電極，在該第一電極上形成一有機層來形成一第一區段；及藉由形成一第二電極來形成一第二區段。該方法亦包括藉由在該有機層與該第二電極之間提供一包括一電阻樹脂材料之電阻層來連結該第一與第二區段。
在根據第三實施例之發光元件中，該電阻層係由一具有一高電阻之樹脂材料形成。因此，無需為了提高覆蓋之目的而特別擴大該電阻層之厚度。因此，避免以一處理程序為基礎之負載之增加，且排除製造成本之增加。此外，在製造根據第三實施例之發光元件之方法中，藉由由一具有一高電阻之樹脂材料形成之電阻層將該有機層及該第二電極黏著至彼此。因此，可達成極佳覆蓋。
在一第四實施例中，一種發光元件包括：一第一電極；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；一第二電極，其形成於該電阻層上；一輔助電極；及一導電肋，其形成於該輔助電極與該第二電極之間並將該輔助電極電連接至該第二電極。
一種製造第四實施例之一發光元件之方法包括藉由形成一第一電極、在該第一電極上形成一有機層、在該有機層上形成之一電阻層並在該電阻層上形成一第二電極來形成一第一區段。該方法亦包括：藉由形成至少一個輔助電極、在該輔助電極上形成一導電肋來形成一第二區段；及藉由將該導電肋連接至該第二電極來連結該第一與第二區段。
在根據第四實施例之發光元件中，一輔助電極形成於該第二電極之上側上，且該輔助電極與該第二電極藉由一導電肋電連接至彼此。因此，與例如一由一透明導電材料(例如ITO)形成之第二電極相比，可保證該第二電極及該輔助電極以及該肋之總製造成本之减少。另外，在製造根據第四實施例之發光元件之方法中，在其中該肋與該第二電極彼此接觸之條件下將該第一基板及該第二基板連結至彼此。因此，可保證該第二電極及該輔助電極以及該肋之總製造成本之减少。
在根據第一至第四實施例之發光元件或其製造方法中，該電阻層形成於該有機層與該第二電極之間。甚至在其中在該第一電極上存在一異物(顆粒)或一凸出部分或其中在那裏存在一階梯以致於對該有機層之覆蓋不完全之情况下，可安全地自該第二電極對該有機層施加一電壓，且可防止出現該第一電極與該第二電極之間的短路。
在另一實施例中，一種發光元件包括：一第一電極；一有機層，其形成於該第一電極上；一第二電極；及一導電樹脂層，其形成於該有機層與該第二電極之間。
在另一實施例中，一種製造一發光元件之方法包括藉由形成一第一電極、在該第一電極上形成一有機層來形成一第一區段。該方法亦包括：藉由形成一第二電極來形成一第二區段；及藉由在該有機層與該第二電極之間提供一導電樹脂材料來連結該第一與第二區段。
額外特徵及優點闡述於本文中，且根據下文詳細說明及圖式將易知。
現在，下面將基於實例並參照圖式來闡述本發明實施例。以下實例中之各種數值及材料列舉僅作為例子。附帶而言，將按以下順序來進行說明。
1.對根據一實施例之一發光元件及其之一製造方法之大體說明
2.實例1(一根據一第一實施例之發光元件及一製造根據第一實施例之發光元件之方法)
3.實例2(一根據一第二實施例之發光元件及一製造根據第二實施例之發光元件之方法)
4.實例3(實例2之一修改形式)
5.實例4(一根據一第三實施例之發光元件及一製造根據第三實施例之發光元件之方法)
6.實例5(實例4之一修改形式)
7.實例6(一根據一第四實施例之發光元件及一製造根據第四實施例之發光元件之方法)
8.實例7(實例1至6之一修改形式)
9.實例8(實例1至6之另一修改形式)
10.實例9(實例1至6之再一修改形式及其他修改形式)
[對一發光元件及其之一製造方法之大體說明]
在以下說明中，一根據第一實施例之發光元件及一藉由一製造一根據第一實施例之發光元件之方法所獲得之發光元件有時將被統稱為「根據第一實施例之發光元件」。另外，一根據第二實施例之發光元件及一藉由一製造一根據第二實施例之發光元件之方法所獲得之發光元件有時將被統稱為「根據第二實施例之發光元件」。此外，一根據第三實施例之發光元件及一藉由一製造一根據第三實施例之發光元件之方法所獲得之發光元件有時將被統稱為「根據第三實施例之發光元件」。此外，一根據第四實施例之發光元件及一藉由一製造一根據第四實施例之發光元件之方法所獲得之發光元件有時將被統稱為「根據第四實施例之發光元件」。另外，在該有機電致發光顯示器(有機EL顯示器)中，可採用一其中一第二基板安置於一第二電極之上側上之組態。附帶而言，為方便起見，如此組態之有機EL顯示器有時將被稱為「頂部發射型有機EL顯示器」。或者，另一選擇係，可採用一其中一第一基板安置於一第二電極之下側上之組態。附帶而言，為方便起見，如此組態之有機EL顯示器有時將被稱為「底部發射型有機EL顯示器」。
在根據第一實施例之發光元件中，可採用一其中該導電樹脂層具有一1×10-4 至1×102 Ω‧m(1×10-2 至1×104 Ω‧cm)之電阻率，且該導電樹脂層具有一1×10-6 至1×10-4 m之厚度之組態。由於該導電樹脂層之電阻率及厚度設定處於此等範圍內時，可更加確保第二電極與電阻層之間的傳導。此外，在包括剛剛提及之組態之根據第一實施例之發光元件中，構成電阻層之材料具有一1×102 至1×106 Ω‧m(1×104 至1×108 Ω‧cm)，較佳1×104 至1×105 Ω‧m(1×106 至1×107 Ω‧cm)之電阻率，且具有一0.1至2 μm，較佳0.3至1 μm之厚度。可用於構成該導電樹脂層之材料之實例包括熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)、及以此一濃度與一導電聚合物(例如聚吡咯、聚醚、聚苯胺、聚噻吩等)摻合以致顯示一預定電阻之UV固化黏結劑、以及藉由丙烯酸、環氧、胺基甲酸酯、聚矽氧或氰基丙烯酸酯聚合物與一導電聚合物(例如吡咯、噻吩等之聚合物)之共聚合所獲得之共聚物。該導電樹脂層可例如基於一其中一邊沿(或一連續凸出部分)由一稱作一密封劑之樹脂形成，且該導電樹脂層藉由一塗佈方法形成於該邊沿之內側上之ODF(單滴填充)系統而形成。附帶而言，在製造根據第一實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法在該電阻層上方形成該導電樹脂層，然後可將該導電樹脂層及第二電極堆疊在彼此上，且可端視一根據構成該導電樹脂層之材料基於一適當方法(例如，在此處及在下文中，藉由加熱或藉由用能量射線(例如UV射線)照射)經由該導電樹脂層將該電阻層及第二電極黏著至彼此。另一選擇係，在製造根據第一實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法在第二電極上形成該導電樹脂層，然後將該導電樹脂層及該電阻層堆疊在彼此上，且可端視一根據構成該導電樹脂層之材料基於一適當方法經由該導電樹脂層將該電阻層及第二電極黏著至彼此。或者，在製造根據第一實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法隔著由一片狀材料構成之導電樹脂層將第二電極及該電阻層堆疊在彼此上方，且可端視構成該導電樹脂層之材料基於一適當方法經由該導電樹脂層將該電阻層及第二電極黏著至彼此。
此外，在根據第二實施例之發光元件中，可採用一其中該導電樹脂材料具有一不超過5×10-3 Ω‧m(不超過5×10-1 Ω‧cm)之電阻率，且第二電極具有一1至100 μm之厚度之組態。由於該導電樹脂材料之電阻率及第二電極之厚度設定處於此等範圍內，第二電極可確信地用作一電極。在包括剛剛提及之組態之根據第二實施例之發光元件中，構成該電阻層之材料可具有一1×102 至1×106 Ω‧m(1×104 至1×108 Ω‧cm)，較佳1×104 至1×105 Ω‧m(1×106 至1×107 Ω‧cm)之電阻率，且該電阻層可具有一0.1至2 μm，較佳0.3至1 μm之厚度。舉例來說，在一[經修改ZET結構1-2]之情况下，該導電樹脂材料可包括一藉由共聚合丙烯酸、環氧、胺基甲酸酯、聚矽氧或氰基丙烯酸酯聚合物與一導電聚合物(例如吡咯、噻吩等之聚合物)所獲得之共聚物。該導電樹脂層可例如基於該ODF系統而形成。或者，在一[經修改ZET結構2]之情况下，該導電樹脂材料可藉由以下方式獲得：合成一藉由共聚合丙烯酸、環氧、胺基甲酸酯、聚矽氧或氰基丙烯酸酯聚合物與一導電聚合物(例如吡咯、噻吩等之聚合物)所獲得之共聚物，並進一步地，將一用於膠凝之交聯劑(N,N'-亞甲基雙丙烯、乙二醇二甲基丙烯酸酯或類似物)引入至該共聚物中。舉例來說，該導電樹脂層可基於一其中在用UV射線照射之後使用一熱可固化密封劑基於該ODF系統來形成該導電樹脂層，並藉由加熱來膠凝該導電樹脂層之方法而形成。附帶而言，在製造根據第二實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法在該電阻層上方形成第二電極，然後將第二電極及第二基板堆疊在彼此上，且可端視構成第二電極之樹脂材料基於一適當方法經由第二電極將該電阻層及第二基板黏著至彼此。另一選擇係，在製造根據第二實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法經由由一片狀材料構成之第二電極將該電阻層及第二基板堆疊在彼此上方，且可端視構成第二電極之導電樹脂材料基於一適當方法經由第二電極將該電阻層及第二基板黏著至彼此。或者，在製造根據第二實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法在第二基板上方形成第二電極，然後將第二電極及該電阻層堆疊在彼此上，且可端視構成第二電極之導電樹脂材料基於一適當方法經由第二電極將該電阻層及第二基板黏著至彼此。可採用一其中一適當電子注入層提供於第二電極與該電阻層之間從而提高電子注入效能之組態。
在根據第一實施例、第二實施例或第四實施例(稍後闡述)之發光元件中，該電阻層合意地包括一氧化物半導體。另一選擇係，該電阻層可包括氧化鈮(Nb2 O5 )、氧化鈦(TiO2 )、氧化鉬(MoO2 ,MoO3 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鉿(HfO)、IGZO、一氧化鈮-氧化鈦混合物、一氧化鈦-氧化鋅(ZnO)混合物、一氧化矽(SiO2 )-氧化錫(SnO2 )混合物、或此等材料之一適當組合。附帶而言，構成該電阻層之材料之電阻率可更特定而言藉由慮及在驅動該發光元件或有機EL元件時跨該電阻層產生之電壓降之值來確定。該電壓降之值為例如0.05至1.0 V。
或者，在根據第一實施例、第二實施例或第四實施例(稍後闡述)之發光元件中，該電阻層可具有自該有機層側按此順序之一第一電阻層及一第二電阻層之一堆疊結構，其中第二電阻層在電阻率上高於第一電阻層。另一選擇係，該電阻層可具有自該有機層側按此順序之一第一電阻層、一第二電阻層及一第三電阻層之一堆疊結構，其中第二電阻層在電阻率上高於第一電阻層且在電阻率上高於第三電阻層。此處，構成第一電阻層及第三電阻層之材料之實例包括氧化鋅、氧化錫、氧化鈮、氧化鈦、氧化鉬、氧化鉭、一氧化鈮-氧化鈦混合物、一氣體鈦-氧化鋅混合物及一氧化矽-氧化錫混合物，且可在一降低之氧分壓下形成此一材料之一膜。構成第二電阻層之材料之實例包括氧化鈮、氧化鈦、氧化鉬、氧化鉭、一氧化鈮-氧化鈦混合物、一氧化鈦-氧化鋅混合物及一氧化矽-氧化錫混合物。此處，設第一、第二及第三電阻層之電阻率分別為R1 (Ω‧m)、R2 (Ω‧m)及R3 (Ω‧m)，則期望滿足例如如下關係：
1×10-3 R1 /R2 1×10-1
1×10-3 R3 /R2 1×10-1
由於該電阻層以此方式設定具有一多層結構，可保證作為一整體之該電阻層之電阻之最佳化。因而，可降低跨該電阻層之電壓降並保證驅動電壓之降低。
在根據第一或第二實施例或根據第三或第四實施例(稍後闡述)之發光元件中，在其中該電阻層具有一至少由一第一電阻層及一第二電阻層構成之堆疊結構之情况下，當效率被認為重要時，期望滿足如下關係：
-0.6n0 -n1 -0.4
0.4n1 -n2 0.9
其中n1 係構成第一電阻層之材料之折射率，n2 係構成第二電阻層之材料之折射率，且n0 係構成該有機層之一最上層之材料之折射率。當視角被認為重要時，期望滿足如下關係：
-0.2n0 -n1 0.2
0.2n1 -n2 0.4
此外，在根據第三實施例之發光元件中，構成該電阻層之樹脂材料可具有一1×101 至1×104 Ω‧m(1×103 至1×106 Ω‧cm)之電阻率，且該電阻層可具有一1×10-6 至1×10-4 m之厚度。在一[經修改ZET結構3]之情况下，具有一高電阻之樹脂材料(高電阻樹脂材料)之實例包括以此一濃度與一導電聚合物(例如聚吡咯、聚醚、聚苯胺、聚噻吩等)摻合以致顯示一預定電阻之熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)及UV固化黏結劑。可例如基於該ODF系統形成該高電阻樹脂材料之一層。或者，在一[經修改ZET結構4]之情况下，具有一高電阻之樹脂材料(高電阻樹脂材料)可藉由以下方式獲得：以此一濃度摻合一熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)或一UN固化黏結劑與一導電聚合物(例如聚吡咯、聚醚、聚苯胺、聚噻吩等)以致顯示一預定電阻並將一用於膠凝之交聯劑(N,N'-亞甲基雙丙烯、乙二醇二甲基丙烯酸酯或類似物)引入至該摻合物中。該高電阻樹脂材料之一層可例如藉由一其中，在用UV射線照射之後，使用一熱可固化密封劑基於該ODF系統形成該高電阻樹脂材料之一層，並藉由加熱來膠凝該高電阻樹脂材料之層之方法形成。附帶而言，在製造根據第三實施例之發光元件之方法中，基於上述方法，可在該有機層上形成具有一高電阻之樹脂材料之一層，然後可將該電阻層及第二電極堆疊在彼此上，且可端視構成該電阻層之樹脂材料基於一適當方法經由該電阻層將該有機層及第二電極黏著至彼此。或者，在製造根據第三實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法經由由一片狀材料構成之電阻層將該有機層及第二電極堆疊在彼此上方，且可端視構成該電阻層之樹脂材料基於一適當方法經由該電阻層將該有機層及第二電極黏著至彼此。或者，在製造根據第三實施例之發光元件之方法中，可基於上述方法在第二電極上方形成具有一高電阻之樹脂材料之一層，然後將該電阻層及該有機層堆疊在彼此上，且可端視構成該電阻層之樹脂材料基於一適當方法經由該電阻層將該有機層及第二電極黏著至彼此。附帶而言，該電阻層可具有自該有機層側按此順序之一第一電阻層及一第二電阻層之一堆疊結構，且第二電阻層可在電阻率上高於第一電阻層。或者，該電阻層可具有自該有機層按此順序之一第一電阻層、一第二電阻層及一第三電阻層之一堆疊結構，且第二電阻層可在電阻率上高於第一電阻層且在電阻率上高於第三電阻層。此處，設第一、第二及第三電阻層之電阻率分別為R1 (Ω‧m)、R2 (Ω‧m)及R3 (Ω‧m)，則期望滿足例如如下關係：
1×10-3 R1 /R2 1×10-1
1×10-3 R3 /R2 1×10-1
在根據第四實施例之發光元件中，該等導電肋可例如藉由一其中基於一已知方法在由聚醯亞胺樹脂或丙烯酸樹脂形成之肋之表面上形成一導電材料(例如Al、Ag、Cu、Ti、W、Ta、Mo、ITO、IZO、SnO2 、ZnO:Al等)之一膜之方法獲得。該等肋之高度可為例如0.1至100 μm。另外，在製造根據第四實施例之發光元件之方法中，可例如利用熔塊玻璃、一低熔點金屬材料(例如，一通常具有一處於一120至400℃之溫度範圍內之熔點之金屬材料，例如銦(In))、或一黏結材料(例如，一熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)或一UV固化黏結劑)來進行第一基板與第二基板之連結。熔塊玻璃係一具有分散於一黏結劑中之玻璃微粒之高黏度膏狀材料，且其實例包括B2 O3 -PbO熔塊玻璃及SiO2 -B2 O3 -PbO熔塊玻璃。當將該膏狀材料施加呈一預定圖案並藉由燒製來移除該有機黏結劑時，獲得一固體接合材料層。在該輔助電極上形成該等導電肋可例如基於一其中使一感光性聚醯亞胺樹脂經受曝光及顯影之方法、一其中施加並利用絲網印刷來圖案化一肋形成材料之方法或類似方法來進行。第二基板與第二電極之間的一空間可由一黏結層(密封層)填補或由一惰性氣體(例如氮氣)填補。可用於構成該黏結層(密封層)之材料之實例包括熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)及UN固化黏結劑。
在包括上述各種較佳組態之根據第一實施例之發光元件、根據第二實施例之發光元件、根據第三實施例之發光元件或根據第四實施例之發光元件(此等發光元件有時將被統稱為「根據該實施例之發光元件」)中，可採用一組態，其中：一具有一1至6 nm之平均厚度之半透射反射膜形成於該電阻層與第二電極之間；第一電極反射來自該發光層之光；且第二電極准許透射過該半透射反射膜之光透射過其。
此外，在呈上述形式之根據本發明之發光元件中，可採用一其中自該發光層發射之光在一由第一電極與該有機層之間的一介面構成之第一介面與一由該半透射反射膜與該有機層之間的一介面構成之第二介面之間諧振，且經諧振光之一部分自該半透射反射膜發射之組態。此處，該半透射反射膜可經組態以含有一鹼金屬、鹼土金屬及銀(Ag)[例如，鎂(Mg)及銀(Ag)]，或含有鎂(Mg)及鈣(Ca)[例如，Mg-Ag或Mg-Ca]，或含有鋁(Al)或銀(Ag)。當該半透射反射膜係由鎂-銀構成時，鎂對銀之容積比Mg:Ag可處於例如從5:1到30:1之範圍內。另一方面，當該半透射反射膜係由鎂-鈣構成時，鎂對鈣之容積比Mg:Ca可處於例如從2:1到10:1之範圍內。該半透射反射膜通常被稱之為發光元件中之「膜」，該半透射反射膜有時可處於一其中混合存在該有機層之一最上層部分及該半透射反射膜以及該電阻層之一下層部分之狀態下，或處於一其中混合存在該有機層之一最上層部分及構成該半透射反射膜之鎂以及該電阻層且分蘖存在銀顆粒之狀態下。
此處，第一電極與該有機層之間的介面稱作「第一介面」，該半透射反射膜與該有機層之間的介面(當不形成該半透射反射膜時，該電阻層與該有機層之間的介面)稱作「第二介面」，該半透射反射膜與該電阻層之間的介面稱作「第三介面」，且第一電阻層與第二電阻層之間的介面稱作「第四介面」。通常，自該發光層發射之光在第一介面與第二介面之間諧振。然而，當該半透射反射膜在厚度上减小時，該半透射反射膜之平均光透射比之值變得如此之高以致自該發光層發射之光之大部分透射過該半透射反射膜。在此一情况下，自該發光層發射之光在第一介面與第三介面之間諧振。或者，當該電阻層具有一多層結構時，自該發光層發射之光在第一介面與第四介面之間諧振，或者自該發光層發射之光在第一介面與第三介面之間及在第一介面與第四介面之間諧振。
此外，在包括上述較佳組態或形式之根據本發明之發光元件中，可採用一其中自該發光層發射之光在第一介面與第二介面(或上述第三介面或第四介面)之間諧振，且經諧振光之一部分自第二電極發射之組態。在此情况下，設自第一介面至該發光層之一最大發光位置之光程為OL1 ，並設自第二介面(或第三或第四介面)至該發光層之最大發光位置之光程為OL2 ，則可採用一其中滿足以下表示式(1-1)及(1-2)之形式。另一選擇係，在此情况下，設第一介面與第二介面(或第三介面或第四介面)之間的光程為OL，設當自該發光層發射之光在第一介面處及在第二介面(或第三或第四介面)處被反射時所產生之相移之和為Φ弧度[倘若-2π<Φ0]，並設自該發光層發射之光之光譜中之一最大峰值波長為λ，則可採用一其中滿足如下關係之形式：
0.7{(2×OL)/λ+Φ/(2π)}1.3
或
-0.3{(2×OL)/λ+Φ/(2π)}0.3
當以此方式規定由該發光元件中之有機層及第一電極以及半透射反射膜之設計構成之對光之干涉條件或諧振條件時，可使照度及色度對視角之相依性降至極低位準。
0.7{-Φ1 /(2π)+m1 }2×OL1 /λ1.2{-Φ1 /(2π)+m1 }　…(1-1)
0.7{-Φ2 /(2π)+m2 }2×OL2 /λ1.2{-Φ2 /(2π)+m2 }　…(1-2)
其中λ係產生於該發光層中之光之光譜中之最大峰值波長，Φ1 係產生於第一介面處之反射光之相移量(單位：弧度)[倘若-2π<Φ1 0]，且Φ2 係產生於第二介面(或第三或第四介面)處之反射光之相移量(單位：弧度)[倘若-2π<Φ2 0]，且(m1 、m2 )之值為(0、0)或(1、0)或(0、1)。
附帶而言，期望第一電極之平均光反射比不小於50%，較佳不小於80%，且該半透射反射膜之平均光透射比處於50至97%，較佳60至97%之範圍內。
在包括上述較佳組態或形式之根據本發明之發光元件中，可採用一形式，其中：自該發光層發射之光在第一介面與第二介面(或第三或第四介面)之間諧振，且經諧振光之一部分自第二電極發射；產生於該發光層中之光之光譜中之最大峰值波長處於600至650 nm之範圍內；且該有機層於第一電極之上側上之厚度處於1.1×10-7 至1.6×10-7 m之範圍內(此係一構成一用於發射紅色光之紅色發光子像素之紅色發光元件，且稱作一紅色發光元件或紅色發光有機EL元件)。
在包括上述較佳組態或形式之根據本發明之發光元件中，可採用一形式，其中：自該發光層發射之光在第一介面與第二介面(或第三或第四介面)之間諧振，且經諧振光之一部分自第二電極發射；產生於該發光層中之光之光譜中之最大峰值波長處於500至550 nm之範圍內；且該有機層於第一電極之上側上之厚度處於9×10-8 至1.3×10-7 m之範圍內(此係一構成一用於發射綠色光之綠色發光子像素之綠色發光元件，且稱作一綠色發光元件或綠色發光有機EL元件)。
或者，在包括上述較佳組態或形式之根據本發明之發光元件中，可採用一形式，其中：自該發光層發射之光在第一介面與第二介面(或第三或第四介面)之間諧振，且經諧振光之一部分自第二電極發射；產生於該發光層中之光之光譜中之最大峰值波長處於430至480 nm之範圍內；且該有機層於第一電極之上側上之厚度處於6×10-8 至1.1×10-7 m之範圍內(此係一構成一用於發射藍色光之藍色發光子像素之藍色發光元件，且稱作一藍色發光元件或藍色發光有機EL元件)。
當該有機層如此夾於第一電極與該半透射反射膜或該電阻層之間且具有一諧振器結構時，可提高發光色彩之純度並提高發光效率。而且，由於該半透射反射膜於該有機層之上側上之平均厚度為1至6 nm，因此通常可在一至少部分不連續狀態下存在具有此一極小厚度之半透射反射膜。因此，排除一其中作為一個整體之第一電極與該半透射反射膜彼此接觸之條件。另外，至於該發光元件之特性，該半透射反射膜係例如由已用於根據相關技術之EL元件中Mg-Ag或類似物形成且第二電極與該半透射反射膜分開提供，因而可獲得可與根據相關技術之發光元件或有機EL元件之可靠性相媲美之可靠性。
一基於包括上述較佳組態或形式之根據本發明之第一至第四實施例之發光元件及諸如此類之應用之有機電致發光顯示器(有機EL顯示器)具有複數個發光元件(有機電致發光元件或有機EL元件)，該複數個發光元件各自包括：
(a)一第一電極；
(b)一絕緣層，其具有一開口且其中第一電極曝露於該開口之一底部部分處；
(c)一有機層，其提供於從第一電極曝露於該開口之底部部分處之部分上方到該絕緣層環繞該開口之部分之範圍上且其具有一包括一有機發光材料之發光層；
(d)一電阻器；及
(e)一第二電極，
其等依序堆疊。
此外，在基於根據本發明之第一實施例之發光元件之應用之有機EL顯示器中，一導電樹脂層形成於該電阻層與第二電極之間。另外，在基於根據第二實施例之發光元件之應用之有機EL顯示器中，第二電極包括一導電樹脂材料。此外，在基於根據第三實施例之發光元件之應用之有機EL顯示器中，該電阻層包括一具有一高電阻之樹脂材料(高電阻樹脂材料)。另外，在基於根據第四實施例之發光元件之應用之有機EL顯示器中，一輔助電極形成於第二電極之上側上，且該輔助電極及第二電極經由一導電肋電連接至彼此。
附帶而言，在此等有機EL顯示器中，該複數個有機EL元件之配置可係一條帶配置、一對角配置、一三角配置或一矩形配置。
此處，在其中該等發光元件各自具有該半透射反射膜之有機EL顯示器中，該半透射反射膜於該絕緣層之上側上之部分係至少部分不連續的。更特定而言，該半透射反射層於該絕緣層之上側上之部分既可與亦可不與該半透射反射膜於該有機層之上側上之部分部分地連接。或者，另一選擇係，亦可存在一其中在一些有機EL元件中，該半透射反射膜於該絕緣層之上側上之部分與該半透射反射膜於該有機層之上側上之部分部分地連接，而在其他有機EL元件中，該半透射反射膜於該絕緣層之上側上之部分不與該半透射反射膜於該有機層之上側上之部分連接之形式。
在根據本發明之發光元件中，或者在基於包括上述各種較佳組態或形式之根據本發明之發光元件之應用之有機EL顯示器中，在其中該等發光元件各自具有該半透射反射膜且其中在第一電極上存在一異物(顆粒)或一凸出部分之情况下，可採用一其中不在該異物或凸出部分附近形成該半透射反射膜，且在位於該異物或凸出部分之周邊中之半透射反射膜與位於該異物下方或位於該凸出部分之基部處之第一電極之部分之間存在該電阻層之組態。此處，該異物通常在形成第一電極或諸如此類時或在輸送期間極有可能黏著至第一電極上。另一方面，該凸出部分通常在形成第一電極或諸如此類時產生。
在其中使第一電極用作陽極之情况下，構成根據本發明之發光元件中之第一電極(光反射電極)之材料(光反射材料)之實例包括具有一高功函數之金屬(例如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)等)或具有一高功函數之合金(例如，將銀作為一主要成分且含有0.3至1重量%之鈀(Pd)及0.3至1重量%之銅(Cu)之Ag-Pd-Cu合金及Al-Nd合金)。此外，當使用具有一低功函數及高光反射比之導電材料(例如鋁(Al)及包含鋁的合金)時，可藉由以下方式將由該材料形成之第一電極用作陽極：藉由例如提供一適當電洞注入層來提高正電洞注入效能。第一電極之厚度可例如處於0.1至1 μm範圍內。或者，另一選擇係，可採用一其中一具有一極佳電洞注入特性之透明導電材料(例如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO))之一層堆疊於一介電多層膜或一具有一高光反射性質之光反射膜(例如鋁(Al))上之結構。另一方面，在其中使第一電極用作陰極之情况下，期望由一具有一低功函數及一高光反射比之導電材料形成第一電極。或者，可藉由以下方式將用作陽極之具有一高光反射比之導電材料用作陰極：藉由例如提供一適當電子注入層來提高電子注入效能。
另一方面，作為構成根據第一、第三及第四實施例之發光元件中之第二電極之材料(半光透射材料)，在其中使第二電極用作陰極之情况下，期望使用一准許所發射光透射過其且具有此一低功函數以致可有效地將電子注入至該有機層中之導電材料。因此，第二電極之材料之實例包括諸如鎂銀合金、鋁、銀、鈣、鍶等之類的金屬及合金。此外，可採用一其中一由ITO或IZO構成之所謂透明電極材料伴隨著一適當電子注入層以藉此提高電子注入效能之組態。第二電極之厚度可處於例如2×10-9 至5×10-8 m，較佳3×10-9 至2×10-8 m，更佳5×10-9 至1×10-8 m之範圍內。另外，第二電極可伴隨著一由一低電阻材料形成之匯流排電極從而降低作為一個整體之第二電極之電阻。在其中使第二電極用作陽極之情况下，期望由准許所發射光透射過其且具有一高功函數之導電材料形成第二電極。
用於構成該輔助電極及該匯流排電極之材料之實例包括鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金及金合金。
用於形成第一電極、該輔助電極、該匯流排電極及該半透射反射膜之方法及用於形成根據第一、第三及第四實施例之發光元件中之第二電極之方法之實例包括：包括電子束蒸鍍方法、熱絲蒸鍍方法、真空蒸鍍方法、濺鍍方法、化學氣相沈積(CVD)方法及離子電鍍方法之氣相沈積方法與蝕刻方法之組合；各種印刷方法，例如絲網印刷方法、噴墨印刷方法、金屬遮罩印刷方法等；電鍍方法(電鍍方法及無電電鍍方法)；舉離方法；雷射燒蝕方法；及溶膠-凝膠方法。根據各種印刷方法或電鍍方法，可直接形成具有預定形狀(圖案)之第一電極、第二電極、該輔助電極、該匯流排電極及該半透射反射膜。附帶而言，在其中該半透射反射膜係在形成該有機層之後形成之情况下，從防止產生對該有機層之損壞並提供不連續部分之觀點出發，基於一其中成膜顆粒之能量為低之膜形成方法(例如真空蒸鍍方法)來形成該膜係特別可取的。若產生對該有機層之損壞，則可因產生洩漏電流而形成稱作「黑點」之非發光像素(或非發光子像素)。從防止該有機層因空氣中之水分而劣化之觀點出發，進行範圍從形成該有機層到形成該等電極及諸如此類之步驟而不曝露至大氣係可取的。在提供該半透射反射膜之情况下，第二電極及該半透射反射膜既可亦可不電連接至彼此。
在根據第一、第二及第四實施例之發光元件中，藉由一確保良好覆蓋之膜形成方法(例如一濺鍍方法、CVD方法、離子電鍍方法等)來形成該電阻層、第一電阻層、第二電阻層及第三電阻層係可取的。
第一電極及該半透射反射膜各自吸收入射光之一部分並反射入射光之其餘部分。因此，在所反射光中產生相移。相移量Φ1 及Φ2 可藉由以下方式來確定：藉由例如一橢偏計來量測構成第一電極及該半透射反射膜之材料之複折射率中之每一者之實部及虛部之值並基於所量測值來執行計算(參見，例如，「Principles of Optic,」Max Born and Emil Wolf,1974(PERGAMON PRESS))。附帶而言，該有機層、第二電極及其他層之折射率亦可藉由使用一橢偏計之量測來確定。
該有機層具有包括一有機發光材料之發光層。特定而言，例如，該有機層具有一由一電洞輸送層、一發光層與一電子輸送層構成之堆疊結構、一由一電洞輸送層與一亦用作一電子輸送層之發光層構成之堆疊結構、一由一電洞注入層、一電洞輸送層、一發光層、一電子輸送層與一電子注入層構成之堆疊結構、或類似結構。此外，該有機層可具有一其中兩個此類堆疊結構(為方便起見，稱作「串聯單元」)隔著一接合層堆疊在彼此上方之兩級串聯結構。此外，該有機層可具有一其中堆疊有三個或更多個串聯單元之三級或更多級串聯結構。在此等情况下，發光色彩可以一串聯單元為基礎改變至紅色、綠色及藍色，藉此可獲得一作為一個整體發射白色光之有機層。用於形成該有機層之方法之實例包括：物理氣相沈積(PVD)方法，例如真空蒸鍍方法；印刷方法，例如絲網印刷方法、噴墨印刷方法等；雷射傳送方法，例如一其中用雷射光照射一由形成於一傳送基板上之一有機層與一雷射吸收層構成之堆疊結構以分離該雷射吸收層上之有機層，從而傳送該有機層之方法；及各種塗佈方法。在藉由例如一真空蒸鍍方法形成該有機層之情况下，該有機層可藉由使用一所謂金屬遮罩並沈積一已穿過提供於該金屬遮罩中之一開口或若干開口之材料來獲得。
此處，在根據本發明之發光元件中，期望該電洞輸送層(電洞供應層)之厚度與該電子輸送層(電子供應層)之厚度大致相等。另一選擇係，該電洞輸送層(電洞供應層)可形成為厚於該電子輸送層(電子供應層)；在此情况下，可在一低驅動電壓下執行對提高效率必要且足够之至該發光層之電子供應。特定而言，在根據本發明之發光元件中，可採用一其中該電洞輸送層安置於一對應於陽極之電極與該發光層之間，且該電洞輸送層形成為厚於該電子輸送層，藉此增加電子供應之組態。因此，可獲得電洞及電子剛剛够且所供應之截流子之量足够大這樣一種截流子平衡，且因此，可獲得一高發光效率。另外，由於電洞及電子剛剛够，截流子平衡不太可能被打破，驅動劣化受到限制，且光發射壽命可得到延長。
複數個該等發光元件或有機EL元件形成於第一基板上或形成於第一基板之上側上。此處，第一基板或第二基板之實例包括：高畸變點玻璃基板、納玻璃(Na2 O‧CaO‧SiO2 )基板、硼矽酸鹽玻璃(Na2 O‧B2 O3 ‧SiO2 )基板、鎂橄欖石(2MgO‧SiO2 )基板、鉛玻璃(Na2 O‧PbO‧SiO2 )基板、上面提供有一絕緣膜之各種玻璃基板、石英基板、上面提供有一絕緣膜之石英基板、上面提供有一絕緣膜之矽基板、及有機聚合物(呈諸如由聚合物材料形成之撓性塑膠膜、塑膠片及塑膠基板之聚合物材料形式中之任一者)，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚苯酚(PVP)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺、聚碳酸酯及聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。然而，此處應注意，在一底部發射型有機EL顯示器之情况下，第一基板必須對由該等發光元件所發射之光透明。構成第一基板之材料與構成第二基板之材料可相同或不同。
在該有機EL顯示器中，第一電極例如提供於一層間絕緣層上方。該層間絕緣層覆蓋一形成於第一基板上方之發光元件驅動部分。該發光元件驅動部分包括一個或複數個薄膜電晶體(TFT)，且該TFT及第一電極經由提供於該層間絕緣層中之一接觸插頭電連接至彼此。構成該層間絕緣膜之材料之實例包括：SiO2 材料，例如SiO2 、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(旋塗式玻璃)、低熔點玻璃、玻璃膏等；SiN材料；絕緣樹脂，例如聚醯亞胺等，其等可單獨地或以其之一適當組合形式使用。可用於形成該層間絕緣層之方法之實例包括已知方法，例如CVD方法、塗佈方法、濺鍍方法、各種印刷方法等。在該底部發射型有機EL顯示器中，該單層絕緣層必須由一對自該等發光元件發射之光透明之材料形成，且該發光元件驅動部分必須如此形成以免阻擋來自該發光元件之光。另一方面，提供於該層間絕緣層上方之絕緣層較佳在平坦度方面極佳且由一具有一低吸水率之絕緣材料形成以防止該有機層因水而劣化，從而維持光發射中之良好照度。該絕緣材料之具體實例包括聚醯亞胺樹脂。在其中第二電極提供有一由一低電阻材料形成之匯流排電極之情况下，期望該匯流排電極提供於此一位置處以致該匯流排電極之一投影影像包括於該絕緣層之一對應投影影像中。
在根據本發明之發光元件中，在製作一頂部發射型有機EL顯示器之情况下，一保護膜及一黏結層(密封層)可自第二電極側按此順序形成於第二電極與第二基板之間。此處，構成該保護膜之材料較佳係一對該發光層發射之光透明，緻密，且不透水之材料。此材料之具體實例包括非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si1-x Nx )、非晶氧化矽(α-Si1-y Oy )、非晶碳(α-C)、非晶氧氮化矽(α-SiON)及Al2 O3 。構成該黏結層(密封層)之材料之實例包括熱固性黏結劑(例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等)及UV固化黏結劑。附帶而言，在製作一底部發射型有機EL顯示器之情况下，同樣，上述保護膜及黏結層可自第一電極側按此順序形成於第一電極與第二基板之間。
有時，為了防止水抵達該有機層之目的，可在該有機層之上側上提供一絕緣或導電保護膜。該保護膜特別藉由一其中成膜顆粒之能量為低之膜形成方法(例如真空蒸鍍方法)，或藉由一CVD方法來形成係可取的，此乃因可减輕對下伏層之影響。或者，期望將膜形成溫度設定處於常溫下以防止照度因該有機層劣化而降低。此外，期望在此等條件下形成該保護膜以致使該保護膜中之一應力最小化，從而防止該保護膜剝落。另外，該保護膜較佳在不使已經形成之電極曝露至大氣之情况下形成，藉此可防止該有機層因空氣中之水分及氧而劣化。且而，在其中該有機EL顯示器屬於頂部發射型之情况下，該保護膜合意地由一經由其透射例如不低於80%之產生於該有機層中之光之材料形成。該材料之具體實例包括諸如上述材料之無機非晶絕緣材料。此一無機非晶絕緣材料免於形成晶粒，以致其在透水性方面為低且形成一良好保護膜。在由一導電材料形成該保護膜之情况下，該保護膜可由一透明導電材料(例如ITO及IZO)形成。
當該有機EL顯示器係一彩色顯示型有機EL顯示器時，構成該有機EL顯示器之有機EL元件分別構成若干子像素。此處，一個像素由三種子像素構成，亦即，一用於發射紅色光之紅色發光子像素(包括一紅色發光元件)、一用於發射綠色光之綠色發光子像素(包括一綠色發光元件)及一用於發射藍色光之藍色發光子像素(包括一藍色發光元件)。因此，構成該有機EL顯示器之有機EL元件之數目為N×M個，該等像素之數目為(N×M)/3個。或者，另一選擇係，該有機EL顯示器可用作一包括一用於一液晶顯示器之背光裝置及一表光源裝置之照明裝置。
經由其透射來自該等發光元件之光之第二基板或第一基板可在必要時提供有一濾色片或一擋光膜(黑色矩陣)。
有時，構成紅色發光元件之電阻層之電阻RR 、構成綠色發光元件之電阻層之電阻RG 與構成藍色發光元件之電阻層之電阻RB 可彼此不同。特定而言，例如，可滿足如下關係：
RB >RG
RB >RR
為了使RB 、RG 與RR 不同，例如，只需使構成紅色發光元件之電阻層之厚度、構成綠色發光元件之電阻層之厚度與構成藍色發光元件之電阻層之厚度不同。另一選擇係，只需確保形成構成紅色發光元件之電阻層之材料、形成構成綠色發光元件之電阻層之材料與形成構成藍色發光元件之電阻層之材料彼此不同。或者，只需設定一促成構成紅色發光元件之電阻層中之電阻率之物質之含量、一促成構成綠色發光元件之電阻層中之電阻率之物質之含量與一促成構成藍色發光元件之電阻層中之電阻率之物質之含量不同。
此外，有時，一用於將第二電極連接至一外部電路之引出電極可提供於該有機EL顯示器之一周邊區域中。此處，該有機EL顯示器之周邊區域係一以一圖像訊框之方式環繞一顯示區域之區域，且該顯示區域係在實際使用中用來顯示影像之有機EL顯示器之彼大致居中區域。該引出電極提供於第一基板或第二基板上，且可包括一所謂高熔點金屬膜，例如一鈦(Ti)膜、一鉬(Mo)膜、一鎢(W)膜、一鉭(Ta)膜等。為了第二電極與該引出電極之間的連接，例如，只需在該引出電極上形成第二電極之一延伸部分。用於形成該引出電極之方法之實例包括與用於形成第一電極及第二電極之上述方法相同之方法。
[實例1]
實例1係關於根據第一實施例之發光元件及製造根據第一實施例之發光元件之方法。圖1顯示一基於根據第一實施例之發光元件之應用之有機EL顯示器之一示意局部剖面圖，且圖2A及圖2B各自顯示實例1中之發光元件中之有機層及諸如此類之一示意局部剖面圖。實例1中之有機EL顯示器係一用於彩色顯示且屬於頂部發射型之主動式矩陣型有機EL顯示器。換言之，光經由第二電極，並進一步經由第二基板發射出。
實例1中或稍後闡述之實例2至9中之有機EL顯示器具有複數個(例如，N×M=2880×540個)發光元件(特定而言，有機EL元件)10A。附帶而言，一個發光元件(有機EL元件)10A構成一個子像素。因此，該有機EL顯示器具有(N×M)/3個像素。此處，一個像素由三種子像素構成，亦即，一用於發射紅色光之紅色發光子像素(包括一紅色發光元件)、一用於發射綠色光之綠色發光子像素(包括一綠色發光元件)及一用於發射藍色光之藍色發光子像素(包括一藍色發光元件)。
如圖1中及圖2A及圖2B中所示，實例1中或稍後闡述之實例2至9中之發光元件(有機EL元件)包括：
(A)一第一電極21；
(B)一有機層23，其具有一包括一有機發光材料之發光層23A；
(C)一電阻層；及
(D)一第二電極，
其等依序堆疊。
另外，實例1中或稍後闡述之實例2至9中之有機EL顯示器具有複數個發光元件(有機電致發光元件；有機EL元件)，其中每一發光元件包括：
(a)一第一電極21；
(b)一絕緣層24，其具有一開口25且其中第一電極21曝露於開口25之一底部部分處；
(c)一有機層23，其提供於一從第一電極21曝露於開口25之底部部分處之部分上方到絕緣層24環繞開口25之部分之範圍上且其具有一包括一有機發光材料之發光層23A；
(d)一電阻層；及
(e)一第二電極，
其等依序堆疊。
在實例1中及在稍後闡述之實例2至9中，第一電極21形成於一第一基板11之上側上，用作陽極，且包括一具有一0.2 μm之厚度之光反射材料，例如一Al-Nd合金。第一電極21圖案化呈一預定形狀，且基於一真空蒸鍍方法與一蝕刻技術之一組合形成。第二電極形成於一第二基板31之一面向第一基板11之表面上且用作陰極。
在實例1中之發光元件(有機EL元件)或有機EL顯示器中，一導電樹脂層60形成於一電阻層50A與第二電極22A之間。此處，導電樹脂層60具有一1×10-4 至1×102 Ω‧m(1×10-2 至1×104 Ω‧cm)之電阻率，一具體實例為3.5×10-3 Ω‧m，且具有一1×10-6 至1×10-4 m之厚度，一具體實例為10 μm。導電樹脂層60包括一藉由按處於1:2至1:3之範圍內之重量比共聚合丙烯酸聚合物與一吡咯基導電聚合物所獲得之共聚物。構成電阻層50A之材料具有一1×102 至1×106 Ω‧m(1×104 至1×108 Ω‧cm)之電阻率，一具體實例為1×104 Ω‧m(1×106 Ω‧cm)；特定而言，電阻層50A係由一具有一0.5 μm之厚度之氧化鈮(Nb2 O5 )層構成。第二電極22A係由一透明導電材料(例如ITO及IZO)形成，且具有一0.1 μm之厚度。此外，第二電極22A係基於一包括一濺鍍方法之舉離方法形成於第二基板31上方。
此外，在實例1中或稍後闡述之實例2至9中之發光元件中，一具有一1至6 nm之平均厚度之半透射反射膜40形成於電阻層50A與有機層23之間。第一電極21反射來自發光層23A之光，且第二電極22A透射已透射過半透射反射膜40之光。此處，半透射反射膜40係由一鹼金屬或鹼土金屬與銀(Ag)構成。更特定而言，半透射反射膜40係由厚度為5 nm之Mg-Ag構成。鎂與銀之容積比為Mg:Ag=10:1。半透射反射膜40特別藉由一其中成膜顆粒之能量為低之膜形成方法(例如一真空蒸鍍方法)形成。第二電極22A及半透射反射膜40各自形成呈一片狀形狀，而不被圖案化。
半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A係至少部分不連續的。然而，半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A與半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B部分地連接。有時，半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A不與半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B連接。或者，有時，可採用一其中，在該等有機EL元件中之一些元件中，半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A與半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B部分地連接，而，在該等有機EL元件中之其餘元件中，半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A不與半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B連接之組態。附帶而言，半透射反射膜40於絕緣層23之上側上之部分40A之平均厚度小於半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B之平均厚度。因此，藉由將半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B之平均厚度設定為處於1至6 nm之範圍內，可安全地使半透射反射膜40於絕緣層24之上側上之部分40A不連續。
一由厚度為0.3 nm之LiF構成之電子注入層(未顯示)形成於有機層23與半透射反射膜40之間。
在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，絕緣層24在平坦度方面極佳，且由一具有一低吸水率之絕緣材料形成以防止有機層23因水而劣化並維持光發射中之良好照度，該絕緣材料之一具體實例為聚醯亞胺樹脂。有機層23具有例如一其中一電洞注入層(未顯示)、一電洞輸送層23B、一發光層23A及一電子輸送層23C自第一電極21側按此順序堆疊之堆疊結構。然而，有機層23有時可表示為該等圖式中之一單層。
在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，構成該有機EL元件之第一電極21提供於一藉由一CVD方法由SiO2 形成之層間絕緣層16(更特定而言，一上部層間絕緣層16B)上方。層間絕緣層16覆蓋形成於由納玻璃形成之第一基板11上方之有機EL元件驅動部分。該等有機EL元件驅動部分包括複數個TFT，且該TFT與第一電極21經由一提供於層間絕緣層16(更特定而言，上部層間絕緣層16B)中之接觸插頭18、一布線17及一接觸插頭17A電互連。附帶而言，在該等圖式中，針對一個有機EL元件驅動部分顯示一個TFT。該TFT包括：一閘極電極12，其形成於第一基板11上方；一閘極絕緣膜13，其形成於第一基板11及閘極電極12上方；源極/汲極區域14，其等提供於一形成於閘極絕緣膜13上方之半導體層中；及一通道形成區域15，其對應於該半導體層之介於源極/汲極區域14之間且位於閘極電極12之上側上之彼部分。雖然該TFT在該等圖式中所示之實例中屬於底部閘極型，但該TFT亦可屬於頂部閘極型。該TFT之閘極電極12連接至一掃描電路(未顯示)。
總結上文，實例1中之發光元件之詳細組態如下表1中所列舉。此外，對第一電極21及第二電極22A之折射率之量測結果、對第一電極21及第二電極22A之光反射比之量測結果及對半透射反射膜40之光透射比之量測結果顯示於下表2中。該等量測係在一530 nm之波長下進行。
[表2]
第一電極21之折射率
實部分：0.755
虛部分：5.466
半透射反射膜40之折射率
實部分：0.617
虛部分：3.904
第二電極22A之折射率
實部分：1.814
虛部分：0
電阻層50A之折射率
實部分：2.285
虛部分：0
導電樹脂層60之折射率
實部分：1.55
虛部分：0
第一電極21之光反射比：85%
半透射反射膜40之光透射比：79%
第二電極22A之光反射比：2%
自發光層23A發射之光在一第一介面26(其係由第一電極21與有機層23之間的一介面構成)與一第二介面27(其係由半透射反射膜40與有機層23之間的一介面構成)之間諧振，且經諧振光之一部分經由半透射反射膜40，並進一步經由第二電極22A發射出。
此外，在實例1中之發光元件中，設自第一介面26至發光層23A中之最大發光位置之距離為L1 ，設相關光程為OL1 ，設自第二介面27至發光層23A中之最大發光位置之距離為L2 ，且設相關光程為OL2 ，如圖2A及圖2B中所示，滿足由以下表示式(1-1)及(1-2)表示之關係。
0.7{-Φ1 /(2π)+m1 }2×OL1 /λ1.2{-Φ1 /(2π)+m1 }　…(1-1)
0.7{-Φ2 /(2π)+m2 }2×OL2 /λ1.2{-Φ2 /(2π)+m2 }　…(1-2)
其中λ係產生於發光層23A中之光之光譜中之最大峰值波長，Φ1 係產生於第一介面26處之經反射光之相移量(單位：弧度)[倘若-2π<Φ1 0]，且Φ2 係產生於第二介面27處之經反射光之相移量(單位：弧度)[倘若-2π<Φ2 0]，且(m1 、m2 )之值係實例1中或稍後闡述之實例2至9中之(0、0)。
此外，在實例1或在稍後闡述之實例2至9中，設第一介面26與第二介面27之間的光程為OL，設當反射產生於發光層23A中之光時產生於第一介面26上及第二介面27上之相移之和為Φ弧度[倘若-2π<Φ0]，且設產生於發光層23A中之光之光譜中之最大峰值波長為λ，則滿足如下關係：
-0.3{(2×OL)/λ+Φ/(2π)}0.3
在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，每一有機層23具體由如下構成：一構成一紅色發光元件之紅色發光有機層、一構成一一綠色發光元件之綠色發光有機層及一構成一藍色發光元件之藍色發光有機層。該複數個有機EL元件之配置可係一條帶配置、一對角配置、一三角配置或一矩形配置。
特定而言，紅色發光元件(紅色發光有機EL元件)具有一其中自發光層23A發射之光在第一介面26與第二介面27之間諧振，且經諧振光之一部分經由半透射反射膜40，並進一步經由第二電極22A發射出之組態。另外，產生於發光層23A中之光之光譜中之最大峰值波長為600至650 nm(在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，620 nm)，且有機層23於第一電極21之上側上之厚度為1×10-7 至1.6×10-7 m(在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，140 nm)。
具體來說，紅色發光有機層係如下表3中所示組態。該最大發光位置位於電子輸送層23C與發光層23A之間的介面處(參見圖2A)。附帶而言，在表3中或在稍後列舉之表4及表5中之每一者中，其中在該表中列舉一層之列越低，則該層之位置就越靠近第一電極。
另外，綠色發光元件(綠色發光有機EL元件)具有一其中自發光層23A發射之光在第一介面26與第二介面27之間諧振，且經諧振光之一部分經由第二電極22A發射出之組態。此外，產生於發光層23A中之光之光譜中之最大峰值波長為500至550 nm(在實例1中及在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，530 nm)，且有機層23於第一電極21之上側上之厚度為9×10-8 至1.3×10-7 m(在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，118 nm)。
具體來說，綠色發光有機層係如下表4中所列舉組態。附帶而言，該最大發光位置位於電洞輸送層23B與發光層23A之間的介面處(參見圖2B)。
此外，藍色發光元件(藍色發光有機EL元件)具有一其中自發光層23A發射之光在第一介面26與第二介面27之間諧振，且經諧振光中之一部分經由第二電極22A發射出之組態。產生於發光層23A中之光之光譜中之最大峰值波長為430至480 nm(在實例1中及在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，460 nm)，且有機層23於第一電極21之上側上之厚度為6×10-8 至1.1×10-7 m(在實例1中或在稍後闡述之實例2至9中，特定而言，88 nm)。
具體來說，藍色發光有機層係如下表5中所列舉組態。附帶而言，該最大發光位置位於電洞輸送層23B與發光層23A之間的介面處(參見圖2(B))。
中如上組態之電阻層50A之電壓降如下。此處，第二電極22A及電阻層50A之技術規範如下。
[第二電極22A]
電阻率(ρ1 )：3.0×10-4 Ω‧cm
厚度(d1 )：0.1 μm
第二電極22A中之電流密度(J1 )：10 mA/cm2
[電阻層50A]
電阻率(ρ2 )：1.0×104 至1.0×106 Ω‧cm
厚度(d2 )：0.5 μm
電阻層50A中之電流密度(J2 )：10 mA/cm2
第二電極22A之片電阻=(ρ1 /d1 )=30 Ω/□
電阻層50A之片電阻=(ρ2 /d2 )=2×108 to 2×1010 Ω/□
跨第二電極22A之電壓降=ρ1 ×d1 ×J1 =3.0×10-11 V
跨電阻層50A之電壓降=ρ2 ×d2 ×J2 =5 to 500 mV
如上所示，在其中電阻層50A係由Nb2 O5 形成之情况下，跨電阻層50A之電壓降可估計為最大約0.5 V，此值無關緊要，尤其在驅動有機EL元件或一有機EL顯示器時。
紅色發光有機層、綠色發光有機層及藍色發光有機層之λ、L1 、OL1 、2OL1 /λ、L2 、OL2 、2OL2 /λ、nave 、{-Φ1 /(2π)+m1 }及{-Φ2 /(2π)+m2 }之值之實例列舉於下表6中。此處，m1 =0且m2 =0。
異物(顆粒)通常可在形成第一電極21或諸如此類時或在輸送期間沈積至第一電極21上。另外，在形成第一電極21時，通常可產生自第一電極之凸出部分。此外，在形成有機層23時，通常可產生階梯。此等顆粒或凸出部分導致對有機層23之不完全覆蓋，如圖3中示意性地圖解說明。同時，在有機層23之上側上，形成具有一1至6 nm之極小厚度之半透射反射膜40。因此，當在第一電極21上存在一異物或凸出部分時或當在那裏存在一階梯時，形成半透射反射膜40可伴隨著在該異物、該凸出部分或該階梯附近產生一種「階梯不連續性」。換言之，不在該異物、該凸出部分或該階梯附近形成半透射反射膜40。在此條件下，則形成電阻層50A。因而，在半透射反射膜40位於該異物或凸出部分附近之彼部分與第一電極21位於該來自物質下方或該凸出部分之基部處之彼部分之間存在電阻層50A。
另外，如上所述，半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B之平均厚度為1至6 nm，因而半透射反射膜40於絕緣層24上之部分40A處於一不連續狀態下。更特定而言，具有發光層23A之有機層23提供於從第一電極21曝露於開口25之一底部部分處之部分上方到絕緣層24環繞開口25之部分之範圍上，且半透射反射膜40亦提供於從有機層23上方到絕緣層24環繞開口25之部分之範圍上。此處，絕緣層24環繞開口25之部分朝開口25向下傾斜。因此，半透射反射膜40於絕緣層24環繞開口25之部分之上側上之部分40A之厚度小於半透射反射膜40於有機層23之上側上之部分40B之厚度。因此，半透射反射膜40於絕緣層24環繞開口25之部分之上側上之部分40A處於一不連續狀態(一間歇狀態)下。此狀態示意性地顯示於其中半透射反射膜40之不連續部分以純黑色指示之圖4中。另外，接觸插頭18及第一電極21由虛線指示，且開口25之邊緣部分由點劃線指示。雖然該等不連續部分在圖4中顯示為規則地提供，但該等不連續部分在實務中不規則地提供。
現在，下面將參照圖5A至5C、圖6A及圖6B、以及圖7A及圖7B來闡述製造實例1中之發光元件及有機EL顯示器之方法之要點。
[步驟100]
製備一依序提供有若干第一電極21、一有機層23及一電阻層50A之第一基板11。
[步驟100A]
特定而言，首先，藉由一已知方法以一子像素為基礎在第一基板11上製作TFT。該等TFT包括：一閘極電極12，其形成於第一基板11上；一閘極絕緣膜13，其形成於第一基板11及閘極電極12上；源極/汲極區域14，其等形成於一形成於閘極絕緣膜13上之半導體層中；及一通道形成區域15，其位於該等源極/汲極區域14之間且其對應於該半導體層位於閘極電極12之上側上之部分。附帶而言，雖然該等TFT在該等圖式中所示之實例中屬於底部閘極型，但該等TFT可屬於頂部閘極型。該等TFT之閘極電極12連接至一掃描電路(未顯示)。接下來，藉由一CVD方法在第一基板11上方形成一由SiO2 構成之下部層間絕緣層16A從而覆蓋該等TFT，並基於一光微影技術及一蝕刻技術，在下部層間絕緣層16A中形成若干開口16'(參見圖5A)。
[步驟100B]
隨後，基於一真空蒸鍍方法與一蝕刻方法之一組合，在下部層間絕緣層16A上方形成鋁之導線17。附帶而言，導線17經由一提供於開口16'中之接觸插頭17A連接至該等TFT之源極/汲極區域14。將導線17連接至一信號供應電路(未顯示)。然後，藉由一CVD方法在該整個表面上形成一由SiO2 構成之上部層間絕緣層16B。接下來，基於一光微影技術及一蝕刻技術，在上部層間絕緣層16B中之上側上形成開口18'(參見圖5B)。
[步驟100C]
此後，基於一真空蒸鍍方法與一蝕刻方法之一組合，在上部層間絕緣層16B上形成由一Al-Nd合金構成之第一電極21(參見圖5C)。附帶而言，第一電極21經由一提供於開口18'中之接觸插頭18電連接至導線17。
[步驟100D]
接下來，在包括第一電極21之層間絕緣層16上方形成一提供有開口25且其中第一電極21曝露於開口25之文底部部分處之絕緣層24(參見圖6A)。特定而言，基於一旋塗方法及一蝕刻方法，在層間絕緣層16上並在第一電極21之周邊部分上形成由一厚度為1 μm之聚醯亞胺樹脂構成之絕緣層24。附帶而言，絕緣層24環繞開口25之部分較佳構成一緩傾斜表面。
[步驟100E]
隨後，在從第一電極21曝露於開口25之底部部分處之部分上方到絕緣層24環繞開口25之部分之範圍上形成一有機層23(參見圖6B)。附帶而言，有機層23具有一其中例如一由一有機材料構成之電洞輸送層及一亦用作一電子輸送層之發光層依序堆疊之組態。特定而言，以絕緣層24作為一種間隔件，在絕緣層24之凸出部分上安裝一用於在絕緣層24上形成用於構成每一子像素之有機層23之金屬遮罩(未顯示)，並在此條件下，藉由基於電阻加熱之真空蒸鍍來沈積一有機材料。該有機材料因穿過提供於該金屬遮罩中之開口而沈積於範圍從第一電極21曝露於開口25之底部部分處以構成子像素之部分上方到絕緣層24環繞開口25之部分上方之一區中。
[步驟100F]
此後，在一顯示區域之整個區上方形成一在有機層23上具有一5 nm之平均厚度之半透射反射膜40(參見圖7A)。半透射反射膜40覆蓋有機層23之整個表面以構成N×M個有機EL元件。然而，此處應注意，如上述，半透射反射膜40於絕緣層24上之部分40A係至少部分不連續的。半透射反射膜40係基於一係一膜形成方法之真空蒸鍍方法形成以使得成膜顆粒之能量如此之低以致不影響有機層23。此外，當在與用於形成有機層23之真空蒸鍍系統相同之真空蒸鍍系統中進行半透射反射膜40之形成，而不使有機層23曝露至大氣時，可防止有機層23因空氣中之水分或氧而劣化。特定而言，藉由形成一Mg-Ag(容積比為10:1)之共蒸鍍膜，可獲得半透射反射膜40。附帶而言，在形成半透射反射膜40時，一更差之覆蓋更有利於獲得一不連續狀態。因此，將膜形成時之壓力設定處於一更低值下係可取的。特定而言，例如，一1×10-3 Pa或以下之壓力係合意的。
[步驟100G]
接下來，藉由一濺鍍方法來形成一由具有一1×104 Ω‧m(1×106 Ω‧cm)之電阻率之氧化鈮(Nb2 O5 )構成且在有機層23之上側上具有一0.5 μm之厚度之電阻層50A。儘管電阻層50A將接觸一第二電極22A，但若可升高電阻層50A之電阻且可將流動於電阻層50A中之電流抑制至作為一個整體流動於一個子像素中之電流的1/10倍或以下，則確保甚至當產生圖3中所示之條件時，亦不會將其辨別為一瑕疵或缺陷，例如所顯示影像中之一黑點或半黑點。在其中電阻層50A係由Nb2 O5 構成之情况下，如上文計算對電阻層50A所要求之特性，且其電阻率較佳處於1×104 至1×106 Ω‧m之範圍內。此外，根據因形成電阻層50A時之掉頭而引起之覆蓋，一在膜形成時之更高壓力更有利，且該壓力合意地為0.1至10 Pa。另外，在其中電阻層50A係由一氧化物半導體構成時，電阻層50A之電阻率可因膜形成時之氧濃度(氧分壓)而異。然而，當電阻層50A係由Nb2 O5 構成時，即使改變膜形成時之氧濃度(特定而言，即使將氧分壓例如自1×10-4 Pa改變至1×10-2 Pa)，亦將該電阻率改變為1×102 至1×104 Ω‧m(1×104 至1×106 Ω‧cm)；因此，可獲得一穩定電阻率。
以此方式，可獲得依序提供有第一電極21、有機層23及電阻層50A之第一基板11。
[步驟110]
另一方面，製備一提供有一第二電極22A之第二基板31。特定而言，第二電極22A，更特定而言，一具有一0.1 μm之厚度之ITO層基於一包括一濺鍍方法之舉離方法形成於第二基板31之顯示區域之整個表面上方。附帶而言，在此步驟中，一由例如鋁構成之匯流排電極可形成於第二基板31之此一區域上以免阻擋經由有機層23發射出之光。
[步驟120]
然後，經由一導電樹脂層60將電阻層50A及第二電極22A黏著至彼此。特定而言，導電樹脂層60係基於一其中利用一稱作一密封劑之樹脂在一周邊區中形成一邊沿，並藉由一塗佈方法在該沿邊之內側上形成導電樹脂層60之ODF系統形成於電阻層50A上。然後，將導電樹脂層60及第二電極22A堆疊在彼此上，且對導電樹脂層60加熱，藉此經由導電樹脂層60將電阻層50A及第二電極22A黏著至彼此。或者，另一選擇係，藉由類似於上述方法之方法在第二電極22A上形成導電樹脂層60，將導電樹脂層60及電阻層50A堆疊在彼此上，且對導電樹脂層60加熱，藉此經由導電樹脂層60將電阻層50A及第二電極22A黏著至彼此。或者，作為另一方法，製備一未固化片狀導電樹脂層60，然後將第二電極22A及導電樹脂層60以及電阻層50A堆疊在彼此上，且對導電樹脂層60加熱，藉此經由導電樹脂層60將電阻層50A及第二電極22A黏著至彼此。
[步驟130]
最後，進行如此獲得之總成至一外部電路之連接，藉此可完成一有機EL顯示器。
附帶而言，該半透射反射膜亦可利用鎂(Mg)-鈣(Ca)，而不是鎂(Mg)-銀(Ag)來形成。特定而言，鎂對鈣之容積比為Mg:Ca=9:1，且該半透射反射膜之厚度為2 nm。此一半透射反射膜可藉由一真空蒸鍍方法而形成。
在實例1之發光元件中，導電樹脂層60形成於電阻層50A與第二電極22A之間，因而可在第二電極22A與電阻層50A之間達成確定傳導。另外，導電樹脂層60之形成保證整體上由一透明導電材料(例如ITO)與導電樹脂層60構成之第二電極22A之電阻率之减小。此外，在製造實例1中之發光元件之方法中，只需預先製備提供有第二電極22A之第二基板31。換言之，沒有必要在有機層23之上側上形成第二電極22A。此使得能够不僅防止有機層23受損而且在第二基板31上形成具有高品質及極佳性質之第二電極22A。
而且，在實例1中之發光元件中，有機層23具有一其中其夾於第一電極21與半透射反射膜40之間的諧振器結構。另外，電阻層50A形成於有機層23之上側上，且第二電極22A形成於電阻層50A之上側上。此處，半透射反射膜40於有機層23上之平均厚度為1至6 nm。此一極薄半透射反射膜40通常可處於一至少部分不連續狀態下。因此，即使因有機層23之不完全覆蓋而在第一電極21上存在一異物(顆粒)或一凸出部分或者在那裏存在一階梯，亦可安全地經由第二電極22A對有機層23施加一電壓。然而，電阻層50A之存在確保防止出現第一電極21與第二電極22D之間的短路，並防止第一電極21與半透射反射膜40彼此接觸。在該有機EL顯示器中，半透射反射膜40位於絕緣層24之上側上之部分係至少部分不連續的。因此，同樣，即使因有機層23之不完全覆蓋而在第一電極21上存在一來自物質或一凸出部分或者在那裏存在一階梯，亦可安全地經由第二電極22A對有機層23施加一電壓。而且，由於存在電阻層50A，因此在第一電極21與第二電極22A之間不會出現短路，且第一電極21與半透射反射膜40將彼此接觸。因而，可安全地防止產生一有缺陷的影像。附帶而言，若第一電極21與半透射反射膜40彼此接觸，則將第一電極21及半透射反射膜40帶至相同之電位，因而不會出現有機層23中之光發射。而且，由於指定由該發光元件中之有機層23及第一電極21以及半透射反射膜40構成之光之干涉條件或諧振條件，因此可使照度及色度對視角之相依性降至極低位準。
[實例2]
實例2係關於根據第二實施例之發光元件及製造根據第二實施例之發光元件之方法。圖8A及圖8B各自顯示實例2中之發光元件之示意局部剖面圖。
在實例1中，導電樹脂層60係形成於第二電極22A與電阻層50之間。在實例2中，另一方面，省略關於導電樹脂層60之形成。此外，第二電極22B係由一導電樹脂材料(特定而言，一藉由以處於從1:4到1:5之範圍內之重量比共聚合丙烯酸聚合物與一吡咯基導電聚合物所獲得之共聚物)形成。此處，該導電樹脂材料之電阻率不超過5×10-3 Ω‧m(不超過5×10-1 Ω‧cm)，特定而言1×10-5 Ω‧m，且第二電極22B之厚度為1至100 μm，特定而言10 μm。
除此等特點以外，實例2中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構可相同於實例1中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構。現在，下面將闡述製造實例2中之發光元件之方法。
[步驟200]
首先，以與在實例1之[步驟100](特定而言，[步驟100A]至[步驟100G])中相同之方式，製備一依序提供有若干第一電極21、一有機層23及一電阻層50B之第一基板11。
[步驟210]
然後，經由一由一導電樹脂材料形成之第二電極22B將電阻層50B與一第二基板31黏著至彼此。特定而言，第二電極22B係基於一其中利用一稱作一密封劑之樹脂在一周邊區中形成一邊沿並藉由一塗佈方法在該邊沿之內側上形成第二電極22B之ODF系統形成於電阻層50B上。然後，將第二電極22B與第二基板31堆疊在彼此上，且對構成第二電極22B之導電樹脂材料加熱，藉此經由第二電極22B將電阻層50B及第二基板31黏著至彼此。或者，另一選擇係，隔著一由一片狀材料構成之第二電極22B將電阻層50B與第二基板31堆疊在彼此上方，且對構成第二電極22B之導電樹脂材料加熱，藉此經由第二電極22B將電阻層50B與第二基板31黏著至彼此。附帶而言，可預先在第二基板31之此一區域上形成一由例如鋁構成之匯流排電極以免阻擋自有機層23發射之光。另外，可在第二電極22B與電阻層50B之間提供一由LiF形成之電子注入層，以便提高電子注入效能。
在實例2中之發光元件中，第二電極22B係由一導電樹脂材料形成。因此，可保證，與由一透明導電材料(例如ITO)構成之第二電極相比，第二電極之製造成本之减少。此外，由於電阻層50B及第二基板31經由由該導電樹脂材料形成之第二電極22B黏著至彼此，換言之，由於沒有必要在有機層23上形成第二電極，因此可防止有機層23受損。
[實例3]
實例3(其係實例2之一修改形式)係關於製造根據第二實施例之發光元件之方法。在實例3中，一第二電極係由一藉由摻合一導電樹脂材料所獲得之材料(特定而言一藉由以一處於1:4至1:5之範圍內之重量比共聚合丙烯酸聚合物與吡咯基導電聚合物所獲得之共聚物)與作為交聯劑之0.3重量%的N,N'-亞甲基雙丙烯，並膠凝該摻合物所獲得之材料構成。此處，該導電樹脂材料之電阻率為2.4×10-5 Ω‧m，且電阻層50C之厚度為特定而言10 μm。
除此等特點以外，實例3中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構可相同於實例2中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構，因而省略關於相同特點之詳細說明。
在實例3中，在一類似於實例2之[步驟210]之步驟中預先在一第二基板上形成一第二電極。特定而言，基於一其中利用一稱作一密封劑之樹脂在一周邊區中形成一邊沿之ODF系統，在第二基板上形成第二電極，並藉由一塗佈方法在該邊沿之內側上形成第二電極。然後，將第二電極與該電阻層堆疊在彼此上，且對構成第二電極之導電樹脂材料加熱，藉此經由第二電極將該電阻層與第二基板黏著至彼此。在實例3中，由於第二電極預先形成於第二基板上，因此放寬對構成第二電極之導電樹脂材料之材料選擇範圍。
[實例4]
實例4係關於根據第三實施例之發光元件及製造根據第三實施例之發光元件之方法。圖9A及圖9B各自顯示實例4中之發光元件之一示意局部剖面圖。
在實例4中，不同於在實例1中，省略關於導電樹脂層60之形成。此外，不同於在實例1中，一電阻層50C係由一具有高電阻之樹脂材料(高電阻樹脂材料)，特定而言，一藉由摻合丙烯酸黏結劑與作為一導電聚合物之30至50重量%的聚吡咯所獲得之樹脂材料形成。此處，構成電阻層50C之樹脂材料之電阻率為1×101 至1×104 Ω‧m(1×103 至1×106 Ω‧cm)，特定而言5.6×102 Ω‧m，且電阻層50C之厚度為1×10-6 至1×10-4 m，特定而言，10 μm。
除此等特點以外，實例4中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構可相同於實例1中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構，因而省略關於相同特點之詳細說明。現在，下面將闡述所選實例4中之發光元件之方法。
[步驟400]
首先，在與在實例1之[步驟100A]至[步驟100F]中相同之方式，製備一依序提供有若干第一電極21及一有機層23之第一基板11。
[步驟410]
另一方面，以與在實例1之[步驟110]中相同之方式，製備一提供有一第二電極22C之第二基板31。特定而言，第二電極22C，特定而言一具有一0.1 μm之厚度之ITO層係基於一包括一濺鍍方法之舉離方法形成於第二基板31上之一顯示區域之整個表面上方。附帶而言，在此步驟中，一由例如鋁構成之匯流排電極可形成於第二基板31之此一區域上以免阻擋自有機層23發射之光(特定而言，於一介於第二基板33與第二電極22C之間的區域上)。
[步驟420]
然後，經由一由一具有一高電阻之樹脂材料構成之電阻層50C將一有機23及第二電極22C黏著至彼此。特定而言，基於一ODF系統在有機層23上形成具有一高電阻之樹脂材料，將電阻層50C及第二電極22C堆疊在彼此上，且對構成電阻層50C之樹脂材料加熱，藉此經由電阻層50C將有機層23與第二電極22C黏著至彼此。或者，另一選擇係，隔著一由一片狀材料構成之電阻層50C將有機層23及第二電極22C堆疊在彼此上，且對構成電阻層50C之樹脂材料加熱，藉此經由電阻層50C將有機層23與第二電極22C黏著至彼此。
在實例4中之發光元件中，該電阻層係由具有一高電阻之樹脂材料(一高電阻樹脂材料)構成。因此，沒有必要使該電阻層形成呈一特別擴大厚度以提高覆蓋，因而可避免在一處理程序基礎上之負載之增加，且排除製造成本之增加。此外，在製造實例4中之發光元件之方法中，該有機層與第二電極係經由由具有一高電阻之樹脂材料構成之電阻層黏著至彼此，因而可達成極佳覆蓋。
[實例5]
實例5(其係實例4之一修改形式)係關於製造根據第三實施例之發光元件之方法。在實例5中，一電阻層50C係由一具有高電阻之樹脂材料(一高電阻樹脂材料)，特定而言一藉由摻合丙烯酸黏結劑與作為一導電聚合物之30至50重量%的聚吡咯及作為一交聯劑之0.3重量%的N,N'-亞甲基雙丙烯，並膠凝該摻合物所獲得樹脂材料形成。此處，具有一高電阻之樹脂材料之電阻率為4.8×102 Ω‧m，且電阻層50C之厚度為特定而言10 μm。
除此等特點以外，實例5中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構可相同於實例4中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構，因而省略關於相同特點之詳細說明。
在實例5中，在一類似於實例4之[步驟420]之步驟中預先在一第二基板上形成該電阻層。特定而言，基於一ODF系統在一第二電極上形成該電阻層，然後將該電阻及一有機層堆疊在彼此上，且對構成該電阻層之樹脂材料加熱，藉此經由該電阻層將該有機層與第二電極黏著至彼此。在實例5中，由於該電阻層係預先形成於第二電極上，因此放寬對構成該電阻層之樹脂材料之材料選擇範圍。
[實例6]
實例6係關於根據第四實施例之發光元件及製造根據第四實施例之發光元件之方法。圖10顯示實例6中之一有機電致發光顯示器之一示意局部剖面圖，且圖11A及圖11B各自顯示實例6中之一發光元件10D之一示意局部剖面圖。
在實例6中，不同於在實例1中，省略關於一導電樹脂層60之形成。此外，輔助電極70形成於一第二電極22D之上側上，且輔助電極70與第二電極22經由一導電肋71電互連。另外，輔助電極70及第二電極22連接至一外部電路。
此處，導電肋71係藉由在由一聚醯亞胺樹脂或丙烯酸樹脂形成之肋(例如，高度為5 μm)之表面上形成一由一例如Al、Ag、Cu、Ti、W、Ta、Mo、ITO、IZO、SnO2 、ZnO:Al等之材料構成之導電材料膜(未顯示)製成。輔助電極70係由厚度為1 μm之鋁(Al)形成，且形成於第二基板31之此等區域上以免阻擋自有機層23發射之光。
第二基板31與第二電極22D之間的空間72既可由一熱固性黏結劑例如丙烯酸黏結劑、環氧黏結劑、胺基甲酸酯黏結劑、聚矽氧黏結劑、氰基丙烯酸酯黏結劑等或一UV固化黏結劑之一黏結層(密封層)73填充，亦可由一惰性氣體(例如氮氣)填充。
除此等特點以外，實例6中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構可相同於實例1中之發光元件及有機EL顯示器之組態及結構，因而省略關於相同特點之詳細說明。現在，下面將闡述製造實例6中之發光元件之方法。
[步驟600]
首先，製備一依序提供有若干第一電極21、一有機層23、一電阻層50D及第二電極22D之第一基板11。特定而言，以與實例1之[步驟100](特定而言，[步驟100A]至[步驟100G])相同之方式，製備依序提供有第一電極21及有機層23以及電阻層50D之第一基板11。接下來，在一顯示區域之整個表面上方形成第二電極22D。第二電極22D覆蓋構成N×M個有機EL元件之有機層23之整個表面。此處應注意，第二電極22D由電阻層50D、有機層23及一絕緣層24與第一電極21絕緣。第二電極22D係基於一係一膜形成方法之長距離磁控管濺鍍處理程序而形成以使得成膜顆粒之能量如此之低以致不影響有機層23。另外，一直到形成第二電極22D之步驟係在與用於形成有機層23之真空蒸鍍系統相同之真空蒸鍍系統中連續進行而不使有機層23曝露至大氣，藉此可防止有機層23因大氣中之水分或氧而劣化。特定而言，在整個表面上形成一具有一0.1 μm之厚度之ITO層，藉此可獲得第二電極22D。
[步驟610]
另一方面，製備提供有輔助電極70且在輔助電極70上進一步提供有電導肋71之第二基板31。特定而言，基於一包括一濺鍍方法之舉離方法，在第二基板31之顯示區域之整個表面上方形成輔助電極70，特定而言一厚度為1 μm之鋁(Al)層。此後，提供由一聚醯亞胺樹脂或丙烯酸樹脂構成之肋，且隨後基於一濺鍍方法、一電漿增强CVD方法、一EB蒸鍍方法或類似方法，在輔助電極70上形成導電肋71。
[步驟620]
此後，在其中肋71與第二電極22D彼此接觸之條件下將第一基板11及第二基板31連結至彼此。特定而言，用熔塊玻璃塗佈第一基板11之一周邊部分及/或第二基板31之一周邊部分，並使該熔塊玻璃經受預乾燥。然後，以此一方式堆疊第一基板11及第二基板31以使得肋71與第二電極22D彼此接觸。將該總成餵入至例如一氮氣氣氛，並實施對該熔塊玻璃之燒製，藉此將第一基板11及第二基板31連結至彼此。
在實例6中之發光元件中，輔助電極70形成於第二電極22D之上側上，且輔助電極70與第二電極22D藉由導電肋71電互連。因此，與其中第二電極係由一透明導電材料(例如ITO)構成之情形相比，可保證作為一處整體之第二電極22D及輔助電極70以及肋71之製造成本之减少。另外，在所選實例6之發光元件之方法中，在其中肋71與第二電極22D彼此接觸之條件下將第一基板11與第二基板31連結至彼此，因而可設計作為一個整體之第二電極22D及輔助電極70以及肋71之製造成本之减少。
[實例7]
實例7(其係實例1至3及實例6之一修改形式)係關於一其中一電阻層具有自該有機層側按此順序之一第一電阻層及一第二電阻層之一堆疊結構，且第二電阻層在電阻率上高於第一電阻層之組態。在實例7中，第一電阻層及第二電阻層皆由Nb2 O5 構成。然而，藉由改變在藉由一濺鍍方法形成Nb2 O5 之層時之氧分壓，第一電阻層及第二電阻層之電阻率R1 及R2 設定如下。
第一電阻層之電阻率R1 ：
1×102 Ω‧m(1×104 Ω‧cm)
第二電阻層之電阻率R2 ：
1×104 Ω‧m(1×106 Ω‧cm)
對一跨該電阻層之電壓降之量測顯示在實例7中可與其中該電阻層係由一單層(電阻率：1×104 Ω‧m(1×106 Ω‧cm))構成之情形相比减小電壓降並由此降低驅動電壓。
除該電阻層之組態方面之差異以外，實例7中之有機EL顯示器及發光元件或有機EL元件之組態及結構可相同於實例1至3及實例6中之有機EL顯示器及發光元件或有機EL元件之組態及結構。因此，省略關於相同特點之詳細說明。
[實例8]
實例8係實例1至6之一修改形式。在實例1至6中，構成紅色發光元件之電阻層之電阻(在此處及在下文中，該電阻層之每單位面積電阻)RR 、構成綠色發光元件之電阻層之電阻RG 及構成藍色發光元件之電阻層之電阻RB 設定為相等。換言之，整個表面由該電阻層均勻地覆蓋。同時，通常，具有一短發射波長之藍色發光元件中之光程OLB 短於具有更長發射波長之綠色發光元件及紅色發光元件中之光程OLG 及OLR 。因此，也許有必要將藍色發光元件中之有機層之厚度設定小於綠色發光元件及紅色發光元件中之有機層之厚度。此導致最容易在藍色發光元件中之第一電極與第二電極之間出現短路，且因此，該電阻層之厚度必須在藍色發光元件中為最大。另一方面，端視構成各種發光元件之材料及該有機層之厚度，通常，用於藍色發光元件、綠色發光元件及紅色發光元件之驅動電壓趨於按藍色發光元件、紅色發光元件及綠色發光元件之順序變高。然而，在此情况下，用於藍色發光元件、綠色發光元件及紅色發光元件之驅動電壓盡可能彼此接近係可取的。此外，當散射用於藍色發光元件、綠色發光元件及紅色發光元件之驅動電壓時，使該驅動電壓之散射最小化係可取的。此外，當存在像素面積差(例如，其中[紅色發光元件之像素面積][綠色發光元件之像素面積]<[藍色發光元件之像素面積])時，黑點之數目趨於隨著像素面積變大而變大。
圖12顯示一對當改變用於驅動一像素之總電流時洩漏電流對總電流之變化比例之仿真之結果。仿真結果顯示隨著總電流减小，因一異物而引起之洩漏電流之比例增大。進一步看到，隨著該電阻層之電阻增大，洩漏電流更加受抑制。附帶而言，在圖12中，曲線「A」顯示當該電阻層之電阻為1×104 Ω時所獲得之資料，而曲線「B」顯示當該電阻層之電阻為1×105 Ω時所獲得之資料，且曲線「C」顯示當該電阻層之電阻為1×106 Ω時所獲得之資料。
在實例8中，為了使用於藍色發光元件、綠色發光元件及紅色發光元件之驅動電壓盡可能彼此接近，採用一其中構成紅色發光元件之電阻層之每單位面積電阻RR 、構成綠色發光元件之電阻層之每單位面積電阻RG 與構成藍色發光元件之電阻層之每單位面積電阻RB 不同之組態。特定而言，該等電阻值經如此設定以致於RB >RG 且RB >RR 。更特定而言，
RB =150 Ω‧cm2 ，
RG =50 Ω‧cm2 ，且
RR =100 Ω‧cm2 。
此使得能够將用於藍色發光元件、綠色發光元件及紅色發光元件之驅動電壓設定成盡可能彼此接近，以使驅動電壓之上升最小化，並安全地限制短路於第一電極與第二電極之間的產生。
舉例來說，構成紅色發光元件之電阻層之厚度、構成綠色發光元件之電阻層之厚度及構成藍色發光元件之電阻層之厚度設定為不同。特定而言，在形成該電阻層之後，用一抗蝕劑層覆蓋用於構成綠色發光元件之電阻層，而曝露用於構成綠色發光元件及紅色發光元件之電阻層，並沿厚度方向部分地蝕刻用於構成綠色發光元件及紅色發光元件之電阻層。接下來，移除該抗蝕劑層，用一抗蝕劑層覆蓋用於構成藍色發光元件及紅色發光元件之電阻層，而曝露用於構成綠色發光元件之電阻層，並沿厚度方式部分地蝕刻用於構成綠色發光元件之電阻層。或者，另一選擇係，可將用於形成構成紅色發光元件之電阻層之材料、用於形成構成綠色發光元件之電阻層之材料及用於形成構成藍色發光元件之電阻層之材料設定為不同(舉例來說，在實例7中，在形成第一電阻層及第二電阻層之後，蝕刻掉用於構成紅色發光元件及綠色發光元件之第二電阻層之部分)。或者，可將一促成構成紅色發光元件之電阻層中之導電率之物質之含量、一促成構成綠色發光元件之電阻層中之導電率之物質之含量及一促成構成藍色發光元件之電阻層中之導電率之物質之含量設定為不同。
[實例9]
實例9亦係實例1至6之一修改形式。在實例9中，在該有機EL顯示器之一周邊區域中提供一用於將第二電極22A、22B、22C、22D連接至一外部電路(未顯示)之引出電極80。在實例9中，引出電極80提供於第一基板11之一周邊部分中，且由鈦(Ti)構成。第二電極之延伸部分22E延伸至引出電極80之上側。實例9中之有機EL顯示器(由上述實例1中所述之有機EL顯示器表示)之周邊部分附近之一示意局部剖面圖顯示於圖13中，且引出電極80及第二電極22A於該周邊部分附近之配置顯示於圖14中。附帶而言，在圖14中，引出電極80之外周邊由實線指示，內周邊由虛線指示，且為了闡明引出電極80，引出電極80由自右上側朝左下側方向延伸之直線畫陰影。另一方面，為了闡明包括延伸部分22E之第二電極22A，第二電極22A由自左上側朝右下側方向延伸之直線畫陰影。引出電極80可在例如實例1中之[步驟100]中之任何一者中例如基於一濺鍍處理程序與一蝕刻處理程序之一組合、一使用一金屬遮罩之PVD方法、一舉離方法或類似方法形成以便以一圖像訊框之方式環繞該顯示區域。附帶而言，在其中引出電極80在一些區中與提供於第一基板11上之各種導線或諸如此類重疊之情况下，可在引出電極80與各種導線或類似物之間形成一絕緣膜或若干絕緣膜。
上述實例中發光元件或有機EL元件及有機EL顯示器之組態及結構以及構成該等實例中之發光元件或有機EL元件及有機EL顯示器之材料及諸如此類僅僅係實例，且其等可根據需要來加以修改。
舉例來說，可採用一其中一導體膜提供於第一電極與該有機層之間，且該導體膜於第一電極之上側上之平均厚度為1至6 nm之組態。該導體膜可例如利用與該半透射反射膜之材料相同之材料形成。該材料之具體實例包括一含有一鹼金屬或鹼土金屬與銀(Ag)[例如，鎂(Mg)與銀(Ag)]之材料、及一含有鎂(Mg)與鈣(Ca)[例如，Mg-Ag或Mg-Ca]之材料。或者，該半透射反射膜可由鋁(Al)或銀(Ag)形成。當使用鎂-銀時，鎂對銀之容積比Mg:Ag可例如處於從5:1到30:1之範圍內。另一方面，當使用鎂-鈣時，鎂對鈣之容積比Mg:Ca可例如處於從2:1到10:1之範圍內。
雖然在上述實例中第二基板安置於第二電極之上側上，但可採用一其中第一基板安置於第二電極之下側上且產生於該發光層中之光經由第一基板發射出之藉由顛倒如下表7中所示之堆疊順序所獲得之替代配置。附帶而言，雖然表7顯示一應用對應於上述實例1中所述之發光元件之組態及結構之實例，但自然地可應用對應於其他實例之組態及結構。或者，可上下顛倒該等層於該有機層中之堆疊配置狀態。特定而言，可採用一其中一堆疊結構包括自第一電極側按此順序之該電子輸送層、該發光層、該電洞輸送層及該電洞注入層，且該電阻層形成於該電洞注入層上或上方之組態。
雖然在上述實例中該有機層係在一發光元件基礎上形成，但有時可採用一其中一構成藍色發光元件之有機層延伸至紅色發光元件及綠色發光元件之上側之結構。附帶而言，為了方便起見，將構成藍色發光元件之有機層之延伸部分稱作「共同層」。換言之，可採用一其中用於構成藍色發光元件之有機層形成於該顯示區域之整個表面上方之形式。在此情况下，紅色發光元件提供有用於發射紅色光之有機層與該共同層之一堆疊結構，而且，當使一電流在第一電極與第二電極之間流動時發射紅色光。類似地，綠色發光元件提供有用於發射綠色光之有機層與該共同層之一堆疊結構，而且，當使一電流在第一電極與第二電極之間流動時產生綠色光。此一組態確保將產生於該共同層中之藍色光發射能量移至紅色發光有機層及綠色發光有機層中，藉此可提高紅色發光有機層及綠色發光有機層之發光效率。另外，當在紅色發光有機層中之發光層及綠色發光有機層中之發光層之整個區上方形成該共同層時，可形成用於構成藍色發光有機層之發光層而不在一個別基礎上形成該發光層。因此，例如，免除對一用於形成該發光層以構成藍色發光有機層之遮罩之需要，並提高大規模生產率。
圖15A顯示在一530 nm之波長下半透射反射膜40之厚度與平均光反射比之間的關係。如該圖中所示，平均光反射比隨著半透射反射膜40之厚度减小而接近零(0)。因此，當半透射反射膜40之厚度减小時，半透射反射膜40改為將大部分光透射過其。另外，圖15B作為一實例顯示當自一層A入射至一毗鄰層A之層B之具有一530 nm之波長之光在介於層A與層B之間的介面處被反射時之平均光反射比與構成層A之材料之折射率與構成層B之材料之折射率之間的差Δn之間的關係。如該圖中所示，平均光反射比之值基於菲涅爾反射隨著之值Δn增大而增大。
因此，當半透射反射膜40之厚度减小且半透射反射膜40改為將大部分光透射過其時，反射出現在由介於半透射反射膜40與電阻層50之間的介面構成之第三介面處。或者，當電阻層50具有至少兩個電阻層之一堆疊結構時，反射主要出現在由介於第一電阻層與第二電阻層之間的介面構成之第四介面處，視構成半透射反射膜40及具有該堆疊結構之電阻層之材料或類似因數而定。因此，自該發光層發射之光可在第一介面與由介於半透射反射膜40與電阻層50之間的介面構成之第三介面之間諧振。另一選擇係，自該發光層發射之光可在第一介面與由介於第一電阻層與第二電阻層之間的介面構成之第四介面之間諧振。或者，自該發光層發射之光可在第一介面與第三介面之間諧振，且自該發光層發射之光可在第一介面與第四介面之間諧振。
因此，在這種情况下，可將自第三或第四介面至該發光層中之最大發光位置之光程設為OL2 ，而不是將自第二介面至該發光層中之最大發光位置之光程設為OL2 。另外，Φ2 可係產生於第三介面或第四介面處之反射光之相移量(單位：弧度)[倘若-2π<Φ2 0]。或者，可將距第三或第四介面之光程設為OL且可將當產生於該發光層中之光在第一介面及第三或第四介面處被反射時所產生之相移之和設為Φ弧度[倘若-2π<Φ0]，而不是將距第二介面之光程設為OL並將當產生於該發光層中之光在第一介面及第二介面處被反射時所產生之相移之和設為Φ弧度[倘若-2π<Φ0]。如上述，在其中反射主要出現在係介於該半透射反射膜與該電阻層之間的介面之第三介面處或其中反射主要出現在係介於第一電阻層與第二電阻層之間的介面之第四介面處之情况下，表示形式「由介於該半透射反射膜與該有機層之間的介面構成之第二介面」可解釋為「係介於該半透射反射膜與該電阻層之間的介面之第三介面」或「係介於第一電阻層與第二電阻層之間的介面之第四介面」。
特定而言，作為實例1中之發光元件之一修改實例，製作一具有如下表8中所示之結構之發光元件，其中該電阻層係一第一電阻層與一第二電阻層之一組合。在此情况下，反射出現在係介於該半透射反射膜與該電阻層之間的介面之第三介面處且出現在係介於第一電阻層與第二電阻層之間的介面之第四介面處。因而，發光效率為在一其中該電阻層僅由第二電阻層構成之發光元件之情况下的1..3倍。附帶而言，構成第一電阻層之材料之折射率、構成第二電阻層之材料之折射率及構成該有機層之最上層之材料之折射率呈此一關係以便强調效率，亦即：
-0.6n0- -n1 -0.4，且
0.4n1 -n2 0.9。
應瞭解，熟習此項技術者將易知本文中所述之當前較佳實施例之各種改動及修改。可作出此等改動及修改，此並不背離本發明之精神及範疇且不减損其附帶優點。因此，隨附申請專利範圍意欲涵蓋此等改動及修改。
10A．．．發光元件
10D．．．發光元件
11．．．第一基板
12．．．閘極電極
13．．．閘極絕緣膜
14．．．源極/汲極區域
15．．．通道形成區域
16．．．層間絕緣層
16A．．．下部層間絕緣層
16B．．．上部層間絕緣層
16'．．．開口
17．．．導線
17A．．．接觸插頭
18．．．接觸插頭
18'．．．開口
21．．．第一電極
22A．．．第二電極
22B．．．第二電極
22D．．．第二電極
22C．．．第二電極
22E．．．延伸部分
23．．．有機層
23A．．．發光層
23B．．．電洞輸送層
23C．．．電子輸送層
24．．．絕緣層
25．．．絕緣層
26．．．第一介面
27．．．第二介面
31．．．第二基板
40．．．半透射反射膜
40A．．．部分
40B．．．部分
50A．．．電阻層
50B．．．電阻層
50C．．．電阻層
50D．．．電阻層
60．．．導電樹脂層
70．．．輔助電極
71．．．導電肋
72．．．空間
73．．．黏結層(密封層)
80．．．引出電極
圖1係實例1中之一有機電致發光顯示器之一示意局部剖面圖；
圖2A及圖2B各自係實例1中之一發光元件之一示意局部剖面圖；
圖3係一示意性顯示在實例1中之有機電致發光顯示器中，當在一第一電極上存在一異物(顆粒)時一有機層及諸如此類之形成狀態之局部剖面圖；
圖4係在實例1中之有機電致發光顯示器中，該有機層及諸如此類之一示意布局圖；
圖5A、圖5B及圖5C係用於圖解說明一製造實例1中之發光元件及有機電致發光顯示器之方法之要點之一第一基板及諸如此類之示意局部剖面圖；
圖6A及圖6B係繼圖5C之後用於圖解說明製造實例1中之發光元件及有機電致發光顯示器之方法之要點之第一基板及諸如此類之示意局部剖面圖；
圖7A及圖7B係繼圖6B之後用於圖解說明製造實例1中之發光元件及有機電致發光顯示器之方法之要點之第一基板及諸如此類之示意局部剖面圖；
圖8A及圖8B係實例2中之一發光元件之示意局部剖面圖；
圖9A及圖9B係實例4中之一發光元件之示意局部剖面圖；
圖10係實例6中之一有機電致發光顯示器之一示意局部剖面圖；
圖11A及圖11B係實例6中之一發光元件之示意局部剖面圖；
圖12係一顯示當改變用於驅動一像素之總電流時洩漏電流對總電流之變化比例之一仿真之結果之曲線圖；
圖13係實例9中之一有機電致發光顯示之一周邊部分附近之一示意局部剖面圖；
圖14係一示意性地顯示在實例9中之有機電致發光顯示器之一周邊部分附近一引出電極及第二電極之布局之視圖；
圖15A及圖15B分別係一顯示一半透射反射膜之厚度與平均反射比之間的關係之曲線圖及一顯示在具有不同折射率之兩個層堆疊在彼此上之條件下在一位於該兩個層之間的介面處平均反射比與折射率差之間的關係之曲線圖；及
圖16係一示意性顯示在一根據一相關技術之有機電致發光顯示器中，當在一第一電極上存在一異物(顆粒)時一有機層及諸如此類之形成狀態之局部剖面圖。
10A．．．發光元件
11．．．第一基板
12．．．閘極電極
13．．．閘極絕緣膜
14．．．源極/汲極區域
15．．．通道形成區域
16．．．層間絕緣層
16A．．．下部層間絕緣層
16B．．．上部層間絕緣層
17．．．導線
17A．．．接觸插頭
18．．．接觸插頭
21．．．第一電極
22A．．．第二電極
23．．．有機層
24．．．絕緣層
25．．．絕緣層
31．．．第二基板
40．．．半透射反射膜
40A．．．部分
40B．．．部分
50A．．．電阻層
60．．．導電樹脂層

Claims (38)

  1. 一種發光元件，其包含：一基板；一第一電極，其直接形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；一第二電極；及一導電樹脂層，其形成於該電阻層與該第二電極之間；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  2. 如請求項1之發光元件，其中該導電樹脂層具有範圍從約1×10-4 Ωm到約1×102 Ωm之一電阻率。
  3. 如請求項1之發光元件，其中該導電樹脂層具有範圍從約1×10-6 m到約1×10-4 m之一厚度。
  4. 如請求項1之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約1×102 Ωm到約1×106 Ωm之一電阻率。
  5. 如請求項1之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約0.1μm到約2μm之一厚度。
  6. 如請求項1之發光元件，其中該有機層包含至少一不連續部分，且該電阻層之至少一部分形成於該有機層之該等不連續部分之間的空間。
  7. 如請求項1之發光元件，其中該有機層包含至少一不連續部分，且該第一電極及該第二電極係跨過該有機層之 該不連續部分而連續地形成。
  8. 如請求項1之發光元件，其中該第一電極係陽極，該第二電極係陰極。
  9. 一種製造發光元件之方法，該方法包含：藉由以下方式來形成一第一區段：直接在一基板上形成一第一電極，在該第一電極上形成一有機層，及在該有機層上形成一電阻層；藉由以下方式來形成一第二區段：形成一第二電極，及藉由在該電阻層與該第二電極之間提供一導電樹脂層來連結該第一與第二區段；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  10. 如請求項9之製造發光元件之方法，其中該導電樹脂層具有範圍從約1×10-4 Ωm到約1×102 Ωm之一電阻率。
  11. 如請求項9之製造發光元件之方法，其中該導電樹脂層具有範圍從約1×10-6 m到約1×10-4 m之一厚度。
  12. 如請求項9之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約1×102 Ωm到約1×106 Ωm之一電阻率。
  13. 如請求項9之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約0.1μm到約2μm之一厚度。
  14. 一種發光元件，其包含：一基板； 一第一電極，其直接形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；及一第二電極，其包括一導電樹脂材料，該第二電極係形成於該電阻層上；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  15. 如請求項14之發光元件，其中該導電樹脂材料具有小於或等於約5×10-3 Ωm之一電阻率。
  16. 如請求項14之發光元件，其中該第二電極具有範圍從約1μm到約100μm之一厚度。
  17. 如請求項14之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約1×102 Ωm到約1×106 Ωm之一電阻率。
  18. 如請求項14之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約0.1μm到約2μm之一厚度。
  19. 一種製造發光元件之方法，該方法包含：藉由以下方式來形成一第一區段：直接在一基板上形成一第一電極，在該第一電極上形成一有機層，及在該有機層上形成一電阻層；藉由以下方式來形成一第二區段：形成一第二電極，該第二電極包括一導電樹脂材料，及藉由將該第二電極連接至該電阻層來連結該第一與 第二區段；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  20. 如請求項19之製造發光元件之方法，其中該導電樹脂材料具有小於或等於約5×10-3 Ωm之一電阻率。
  21. 如請求項19之製造發光元件之方法，其中該第二電極具有範圍從約1μm到約100μm之一厚度。
  22. 如請求項19之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約1×102 Ωm到約1×106 Ωm之一電阻率。
  23. 如請求項19之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約0.1μm到約2μm之一厚度。
  24. 一種發光元件，其包含：一基板；一第一電極，其直接形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其包括一高電阻樹脂材料，該電阻層係形成於該有機層上；及一第二電極，其形成於該電阻層上；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  25. 如請求項24之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約1×101 Ωm到約1×104 Ωm之一電阻率。
  26. 如請求項24之發光元件，其中該電阻層具有範圍從約1×10-6 m到約1×10-4 m之一厚度。
  27. 一種製造發光元件之方法，該方法包含：藉由以下方式來形成一第一區段：直接在一基板上形成一第一電極，及在該第一電極上形成一有機層；藉由以下方式來形成一第二區段：形成一第二電極，及藉由在該有機層與該第二電極之間提供包括一高電阻樹脂材料之一電阻層來連結該第一與第二區段；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  28. 如請求項27之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約1×101 Ωm到約1×104 Ωm之一電阻率。
  29. 如請求項27之製造發光元件之方法，其中該電阻層具有範圍從約1×10-6 m到約1×10-4 m之一厚度。
  30. 一種發光元件，其包含：一基板；一第一電極，其直接形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；一第二電極，其形成於該電阻層上；一輔助電極；及一導電肋，其形成於該輔助電極與該第二電極之間並將該輔助電極電連接至該第二電極；其中 在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  31. 如請求項30之發光元件，其進一步包含形成於該有機層與該電阻層之間的一半透射反射膜。
  32. 如請求項31之發光元件，其中該半透射反射膜具有範圍從約1nm到約6nm之一厚度。
  33. 一種製造發光元件之方法，該方法包含：藉由以下方式來形成一第一區段：直接在一基板上形成一第一電極，在該第一電極上形成一有機層，在該有機層上形成一電阻層，及在該電阻層上形成一第二電極；藉由以下方式來形成一第二區段：形成至少一個輔助電極，在該輔助電極上形成一導電肋，及藉由將該導電肋連接至該第二電極來連結該第一與第二區段；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  34. 如請求項33之製造發光元件之方法，其進一步包含在該有機層與該電阻層之間形成一半透射反射膜。
  35. 如請求項34之製造發光元件之方法，其中該半透射反射膜具有範圍從約1nm到約6nm之一厚度。
  36. 一種發光元件，其包含： 一基板；一第一電極，其直接形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一第二電極；及一導電樹脂層，其形成於該有機層與該第二電極之間；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  37. 一種製造發光元件之方法，該方法包含：藉由以下方式來形成一第一區段：直接在一基板上形成一第一電極，及在該第一電極上形成一有機層；藉由以下方式來形成一第二區段：形成一第二電極，及藉由在該有機層與該第二電極之間提供一導電樹脂材料來連結該第一與第二區段；其中在該發光元件之厚度方向，該電阻層之複數個部分形成於該有機層之一部分之上方及下方。
  38. 一種發光元件，其包含：一基板；一第一電極，其形成於該基板上；一有機層，其形成於該第一電極上；一電阻層，其形成於該有機層上；一第二電極；及 一導電樹脂層，其形成於該電阻層與該第二電極之間；其中該有機層包含至少一不連續部分，且該第一電極及該第二電極係跨過該有機層之該不連續部分而連續地形成。
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