CN111987083A - 电子装置以及发光单元 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一种电子装置以及发光单元。电子装置包括基板以及至少一发光单元。至少一发光单元配置于基板上。至少一发光单元包括第一发光二极管、第二发光二极管、有机层以及导电层。有机层配置于第一发光二极管与导电层之间。有机层包括至少二通孔。导电层通过至少二通孔电性连接第一发光二极管及第二发光二极管。本揭露实施例的电子装置以及发光单元具有较低功耗。

Description

电子装置以及发光单元
技术领域
本揭露涉及一种电子装置以及发光单元，尤其涉及一种电子装置，其一个发光单元具有多个发光二极管。
背景技术
随电子产品蓬勃发展，应用于电子产品上的显示技术也不断改良。用于显示的电子装置不断朝向更大及更高分辨率的显示效果改进。
发明内容
本揭露是提供一种具有较低功耗的电子装置以及发光单元。
根据本揭露的实施例，电子装置包括基板以及至少一发光单元。至少一发光单元配置于基板上。至少一发光单元包括第一发光二极管、第二发光二极管、有机层以及导电层。有机层配置于第一发光二极管与导电层之间。有机层包括至少二通孔。导电层通过至少二通孔电性连接第一发光二极管及第二发光二极管。
综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，发光单元包括2个或2个以上的发光二极管(第一发光二极管以及第二发光二极管)。此外，可通过有机层设置于导电层与发光二极管之间,以降低导电层断线的机率,更可通过有机层将多个发光二极管包围并固定在一起，再利用导电层将多个发光二极管电性连接，以使得包含有上述发光单元的电子装置可具有较低的功耗。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A为本揭露第一实施例的电子装置的剖面示意图；
图1B为图1A的电子装置中的发光单元的放大示意图；
图2为本揭露第二实施例的发光单元的剖面示意图；
图3为本揭露第三实施例的发光单元的剖面示意图；
图4为本揭露第四实施例的发光单元的剖面示意图；
图5为本揭露第五实施例的发光单元的剖面示意图；
图6A为本揭露第六实施例的电子装置的剖面示意图；
图6B为图6A的电子装置中的发光单元的放大示意图。
附图标号说明
10：电子装置；
110、210：基板；
120、120a、120b、120c、120d、220：发光单元；
121、121b、121c、121d、221：第一发光二极管；
1211、1211b、1211c、1211d、2211：第一p型电极；
1212、2212：第一p型半导体层；
1213、2213：发光层；
1214、2214：第一n型半导体层；
1215、1215b、1215c、1215d、2215：第一n型电极；
122、122b、122c、122d、222：第二发光二极管；
1221、1221b、1221c、1221d、2221：第二p型电极；
1222、2222：第二p型半导体层；
1223、2223：发光层；
1224、2224：第二n型半导体层；
1225、1225b、1225c、1225d、2225：第二n型电极；
123、223：第一绝缘层；
1231、1232、1233、1234、2232、2234：开口；
123d：第三发光二极管；
1231d：第三p型电极；
1235d：第三n型电极；
124、124a、124b、124c、124d、224：有机层；
1241、1241a、1241b、1241c、1241d、1242、1242a、1242b、1242c、1242d、1243、1243a、1243b、1243c、1243d、1244、1244a、1244b、1244c、1244d、1245d、1246d、2241、2243、2244：通孔；
1245、2245：第一表面；
1246、2246：第二表面；
125、125b、125c、125d、125e、225：导电层；
126、226：第二绝缘层；
1261、1262、2261：开口；
226a：第三绝缘层；
2262a：开口；
127、127b、127c、127d、227：第一导电垫；
128、128b、128c、128d、228：第二导电垫；
129b、129c：第三导电垫；
130、230：第一接垫；
132：第二接垫；
D：最小间距；
H1：最大厚度；
H2、H3：最大高度；
Y：方向。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”或某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件，或上述组件的组合，但不限于此。
在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成组件，但组成组件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成组件与其他组成组件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中组件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成组件在权利要求中可能为第二组成组件。
本揭露的电子装置可包括显示设备、天线装置、感测装置、出口电子装置(touchdisplay)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shapedisplay)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emittingdiode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)、或其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。显示设备可例如包括拼接显示设备，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等外围系统以支持显示设备、天线装置或拼接装置。下文将以电子装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A为本揭露第一实施例的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A省略示出了发光单元120中的若干组件。图1B为图1A的电子装置中的发光单元的放大示意图。为了方便说明，图1B是将图1A中的发光单元120以上下翻转的方式呈现，以表示发光单元120配置于成长基板(未示出)上的状态。请同时参考图1A与图1B，本实施例的电子装置10包括基板110、至少一发光单元120(图1A示意地示出为3个发光单元120)、至少一第一接垫130以及至少一第二接垫132。第一接垫130以及第二接垫132分别配置于基板110上，且发光单元120配置于第一接垫130以及第二接垫132上。在本实施例中，基板110还可包括线路层以及主动组件(未示出)，以电性连接至基板110上的第一接垫130或第二接垫132。线路层可例如包括(但不限于)扫描线、数据线、电源供应线、共享电压线、信号参考线及触控信号线。主动组件可例如包括薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)，但不限于此。基板110可例如为可挠式基板、刚性基板或前述的组合。举例而言，基板110的材料可包括金属、塑料、玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纤维、陶瓷、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在本实施例中，第一接垫130以及第二接垫132的材料可例如包括银、铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、铟、铋、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，但不以此为限。在一些实施例中,第一接垫130与第二接垫132的材料可以相同或不相同。
在本实施例中，发光单元120配置于基板110上，且发光单元120通过第一接垫130与第二接垫132电性连接至基板110上的线路层或是主动组件。在本实施例中，发光单元120的尺寸(例如沿X方向上的最大尺寸)可以小于100微米。在一些实施例中，发光单元120的尺寸(例如沿X方向上的最大尺寸)可以为20微米至30微米。图1A中标出了一方向X和一方向Y。方向Y可为基板110的上表面的法线方向，方向X垂直方向Y且平行于基板110上表面。后续附图可依据方向X和方向Y来描述下述实施例。发光单元120包括第一发光二极管121、第二发光二极管122、第一绝缘层123、有机层124、导电层125以及第二绝缘层126。第二发光二极管122与第一发光二极管121相邻配置。第一发光二极管121与第二发光二极管122之间的最小间距D可以是1.5微米至10微米，但不以此为限。在一些实施例中，第一发光二极管121与第二发光二极管122之间的最小间距D可以是1.5微米至3微米。
具体来说，在本实施例中，第一发光二极管121与第二发光二极管122可以是微型发光二极管，但不以此为限。于本实施例中,第一发光二极管121与第二发光二极管122可以分别包含两个不同极性的电极,下述实施例以p型电极及n型电极作举例,但不以此为限。第一发光二极管121包括第一p型电极1211、第一p型半导体层1212、发光层1213、第一n型半导体层1214以及第一n型电极1215。发光层1213位于第一p型半导体层1212与第一n型半导体层1214之间。第一p型电极1211配置于第一p型半导体层1212上，且第一p型电极1211电性连接第一p型半导体层1212。第一n型电极1215配置于第一n型半导体层1214上，且第一n型电极1215电性连接第一n型半导体层1214。在本实施例中，第一p型半导体层1212的材料例如是P型掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。，第一n型半导体层1214的材料例如是N型掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，但不以此为限。发光单元120可以为覆晶型(flip-chip type)发光单元。也就是说,发光单元120的电极(例如第一p型电极1211及第一n型电极1215)与发光层1213设置于发光单元120的同一侧，但发光单元的类型不以此为限。
接着，第二发光二极管122包括第二p型电极1221、第二p型半导体层1222、发光层1223、第二n型半导体层1224以及第二n型电极1225。发光层1223位于第二p型半导体层1222与第二n型半导体层1224之间。第二p型电极1221配置于第二p型半导体层1222上，且第二p型电极1221电性连接第二p型半导体层1222。第二n型电极1225配置于第二n型半导体层1224上，且第二n型电极1225电性连接第二n型半导体层1224。在本实施例中，第二p型半导体层1222的材料例如是P型掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。，第二n型半导体层1224的材料例如是N型掺杂的GaN、InN、AlN、InxGa(1-x)N、AlxIn(1-x)N、AlxInyGa(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，但不以此为限。
第一绝缘层123设置于第一发光二极管121与第二发光二极管122之上。第一绝缘层123至少部分覆盖和/或围绕第一发光二极管121与第二发光二极管122。第一绝缘层123包括开口1231、开口1232、开口1233、开口1234。开口1231暴露出第一发光二极管121部分的第一n型电极1215，且开口1232暴露出第一发光二极管121部分的第一p型电极1211。开口1233暴露出第二发光二极管122部分的第二n型电极1225，且开口1234暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。在本实施例中，第一绝缘层123的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合，但不以此为限。
有机层124设置于第一绝缘层123之上。有机层124至少部分覆盖第一绝缘层123和/或选择性包围第一发光二极管121以及第二发光二极管122。有机层124包括至少二通孔1241、1242、1243、1244。通孔1241连通第一绝缘层123的开口1231，以暴露出第一发光二极管121部分的第一n型电极1215。通孔1242连通第一绝缘层123的开口1232，以暴露出第一发光二极管121部分的第一p型电极1211。通孔1243连通第一绝缘层123的开口1233，以暴露出第二发光二极管122部分的第二n型电极1225。通孔1244连通第一绝缘层123的开口1234，以暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。在本实施例中，有机层124配置于第一发光二极管121与第二发光二极管122之间，有机层124配置于第一发光二极管121与导电层125之间，且有机层124配置于第二发光二极管122与导电层125之间。有机层124的材料可例如包含压克力(Acrylic),硅氧烷(siloxane),聚酰亚胺(polyimide)的树脂、上述材料的组合或其他适合的有机材料，但不以此为限。在一些实施例中,有机层124可以为多层结构。
此外，有机层124具有彼此相对的第一表面1245与第二表面1246，且第一表面1245远离第一发光二极管121与第二发光二极管122。有机层124的最大厚度H1可视为是有机层124的第一表面1245与第二表面1246之间的最大距离(例如第一表面1245与第二表面1246沿方向Y上的最大距离)。在本实施例中，由于有机层124的最大厚度H1大于第一发光二极管121的最大高度H2(例如沿方向Y上的最大高度)以及第二发光二极管122的最大高度H3(例如沿方向Y上的最大高度)，以使得在使用激光照射成长基板(未示出)以分离成长基板(未示出)与发光单元120时，可降低配置于有机层124上的导电层125时发生断裂的机率。在本实施例中，在未使用激光分离成长基板(未示出)与发光单元120之前，发光单元120配置于成长基板(未示出)上，且发光单元120的第一发光二极管121以及第二发光二极管122分别接触成长基板(未示出)。在本实施例中，于法线方向(例如为方向Y)上，有机层124的最大厚度H1可以是3微米至10微米，第一发光二极管121的最大高度H2以及第二发光二极管122的最大高度H3可以是4微米至6微米，但不以此为限。
导电层125配置于部分的有机层124上以及至少二通孔1242、1243内。详细来说，导电层125配置于通孔1242以及通孔1243的侧壁与底部，且配置于通孔1242与通孔1243之间的有机层124上。导电层125可通过通孔1242与通孔1243电性连接第一发光二极管121以及第二发光二极管122。在本实施例中，导电层125接触第一p型电极1211与第二n型电极1225。也就是说，导电层125电性连接第一发光二极管121的第一p型电极1211和第二发光二极管122的第二n型电极1225。即，第一发光二极管121可通过导电层125电性连接至第二发光二极管122。在本实施例中，第一发光二极管121与第二发光二极管122可以是以串联的方式电性连接，但不以此为限。在其他实施例中，第一发光二极管与第二发光二极管也可以是以并联的方式电性连接。
第二绝缘层126设置于有机层124与导电层125之上。第二绝缘层126至少部分覆盖有机层124以及导电层125。第二绝缘层126包括开口1261、开口1262。开口1261连通有机层124的通孔1241以及第一绝缘层123的开口1231，以暴露出第一发光二极管121部分的第一n型电极1215。开口1262连通有机层124的通孔1244以及第一绝缘层123的开口1234，以暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。在本实施例中，第二绝缘层126的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合，但不以此为限。
在本实施例中，发光单元120还包括第一导电垫127以及第二导电垫128。第一导电垫127配置于第一发光二极管121上，且第二导电垫128配置于第二发光二极管122上。详细来说，第一导电垫127配置于第一绝缘层123的开口1231、有机层124的通孔1241以及第二绝缘层126的开口1261内，且暴露于第二绝缘层126外。即，第一导电垫127配置于第一发光二极管121的第一n型电极1215上，且第一导电垫127电性连接第一n型电极1215。第二导电垫128配置于第一绝缘层123的开口1234、有机层124的通孔1244以及第二绝缘层126的开口1262内，且暴露于第二绝缘层126外。即，第二导电垫128配置于第二发光二极管122的第二p型电极1221上，且第二导电垫128电性连接第二p型电极1221。在本实施例中，导电层125位于第一导电垫127与第二导电垫128之间，且导电层125不接触和/或电性绝缘第一导电垫127与第二导电垫128。在本实施例中，第一导电垫127以及第二导电垫128的材料可包括银、铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、铟、铋、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，但不以此为限。
更详细来说，在本实施例中，第一n型电极1215可通过第一导电垫127电性连接至第一接垫130，且第二p型电极1221可通过第二导电垫128电性连接至第二接垫132。即，第一接垫130可电性连接至第一发光二极管121的第一n型电极1215，且第二接垫132可电性连接至第二发光二极管122的第二p型电极1221。
基于上述可知，本实施例的电子装置10中的发光单元120可包括2个的发光二极管(第一发光二极管121以及第二发光二极管122)。接着，可利用有机层124将第一发光二极管121以及第二发光二极管122固定在一起，并利用导电层125将第一发光二极管121以及第二发光二极管122电性连接，藉此使得包含有发光单元120的电子装置10可具有较低的功耗。
此外，虽然本实施例的发光单元120包括有2个发光二极管，但本揭露并不对发光单元中的发光二极管的数量加以限制。也就是说，在其他实施例中，发光单元也可以包含有2个以上的发光二极管。在一些实施例中，发光单元可以包含有2个至10个的发光二极管。
于上述实施例中,发光单元120包括有多个发光二极管(例如包括第一发光二极管121以及第二发光二极管122)，且发光单元120可包含2个或2个以上的导电垫。在一些实施例中，发光单元120可只需2个分别接合在第一接垫130与第二接垫132上的导电垫，即第一导电垫127与第二导电垫128，就可驱动发光单元120中的多个发光二极管(例如包括第一发光二极管121以及第二发光二极管122)。换言之，每个发光单元120可只需接合在一个第一接垫130以及一个第二接垫132。应了解的是,上述实施例的图示仅作示例,其他实施例的发光单元可包含2个以上的导电垫且基板110上的1个接垫可以接合1个或1个以上的导电垫,但不依此为限。此外本实施例的发光单元(包括有多个发光二极管)的设置可减少整体发光单元转移的数量(例如从成长基板转移至基板110上)，其可减少基板上的接垫的数量并可以提升制程良率。
另外，本实施例的电子装置10的制作方法，可包括以下步骤。
步骤1：在成长基板上(未示出)，分别形成第一发光二极管121以及第二发光二极管122。第一发光二极管121包括第一p型电极1211、第一p型半导体层1212、发光层1213、第一n型半导体层1214以及第一n型电极1215。第二发光二极管122包括第二p型电极1221、第二p型半导体层1222、发光层1223、第二n型半导体层1224以及第二n型电极1225。
步骤2：形成第一绝缘层123于第一发光二极管121与第二发光二极管122上，以使第一绝缘层123至少部分覆盖和/或围绕第一发光二极管121与第二发光二极管122。第一绝缘层123包括开口1231、开口1232、开口1233、开口1234。开口1231暴露出第一发光二极管121部分的第一n型电极1215，且开口1232暴露出第一发光二极管121部分的第一p型电极1211。开口1233暴露出第二发光二极管122部分的第二n型电极1225，且开口1234暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。
步骤3：形成有机层124于第一绝缘层123上，以使有机层124至少部分覆盖第一绝缘层123和/或包围第一发光二极管121以及第二发光二极管122。有机层124包括多个通孔1241、1242、1243、1244。通孔1241连通第一绝缘层123的开口1231，以暴露出第一发光二极管121部分的第一n型电极1215。通孔1242连通第一绝缘层123的开口1232，以暴露出第一发光二极管121部分的第一p型电极1211。通孔1243连通第一绝缘层123的开口1233，以暴露出第二发光二极管122部分的第二n型电极1225。通孔1244连通第一绝缘层123的开口1234，以暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。
步骤4：在形成有机层124于第一绝缘层123上之后，形成导电层125于部分的有机层124上以及通孔1242与通孔1243内。导电层125可接触第一p型电极1211与第二n型电极1225，或使导电层125电性连接第一发光二极管121的第一p型电极1211和第二发光二极管122的第二n型电极1225。
步骤5：形成第二绝缘层126于有机层124以及导电层125上，以使第二绝缘层126至少部分覆盖有机层124以及导电层125。第二绝缘层126包括开口1261、开口1262。开口1261连通有机层124的通孔1241以及第一绝缘层123的开口1231，以暴露出第一发光二极管12部分的第一n型电极1215。开口1262连通有机层124的通孔1244以及第一绝缘层123的开口1234，以暴露出第二发光二极管122部分的第二p型电极1221。
步骤6：形成第一导电垫127于第一绝缘层123的开口1231、有机层124的通孔1241以及第二绝缘层126的开口1261内，并形成第二导电垫128于第一绝缘层123的开口1234、有机层124的通孔1244以及第二绝缘层126的开口1262内。第一导电垫127电性连接第一n型电极1215，且第二导电垫128电性连接第二p型电极1221。至此，已制作完成本实施例的发光单元120。
步骤7：将制作完成的发光单元120从成长基板转移至基板110上。以使发光单元120的第一导电垫127电性连接基板110上的第一接垫130，并使发光单元120的第二导电垫128电性连接基板110上的第二接垫132。接着，以激光加热的方式移除成长基板，以使得配置于基板110上的发光单元120与成长基板分离。至此，已制作完成本实施例的电子装置10，如图1A与图1B所示。
图2为本揭露第二实施例的发光单元的剖面示意图。请同时参照图1B与图2，本实施例的发光单元120a大致相似于图1B的发光单元120，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的发光单元120a不同于发光单元120之处主要在于，本实施例的发光单元120a的有机层124a的通孔1241a、通孔1242a、通孔1243a、通孔1244a皆为倒梯型，也就是说，通孔1242a以及通孔1243a中皆具有倾斜侧壁，藉此可使得形成于通孔1242a以及通孔1243a中的导电层125a易于形成。
图3为本揭露第三实施例的发光单元的剖面示意图。请同时参照图1B与图3，本实施例的发光单元120b大致相似于图1B的发光单元120，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的发光单元120b不同于发光单元120之处主要在于，本实施例的发光单元120b中，第一发光二极管121b与第二发光二极管122b是以并联的方式电性连接，且发光单元120b还包括第三导电垫129b。
详细来说，在本实施例中，有机层124b的通孔1241b暴露出第一发光二极管121b部分的第一n型电极1215b，通孔1242b暴露出第一发光二极管121b部分的第一p型电极1211b，通孔1243b暴露出第二发光二极管122b部分的第二n型电极1225b，且通孔1244b暴露出第二发光二极管122b部分的第二p型电极1221b。导电层125b配置于通孔1241b的侧壁与底部，且配置于通孔1241b与通孔1243b之间的有机层124b上，以使导电层125b电性连接第一n型电极1215b与第三导电垫129b，但不接触和/或电性绝缘第一导电垫127b与第二导电垫128b。此外，第一导电垫127b配置于有机层124b的通孔1242b内，以使第一导电垫127b电性连接第一p型电极1211b。第二导电垫128b配置于有机层124b的通孔1244b内，以使第二导电垫128b电性连接第二p型电极1221b。第三导电垫129b配置于有机层124b的通孔1243b内，以使第三导电垫129b电性连接第二n型电极1225b。
藉此，使得第一发光二极管121b可通过导电层125b以及第三导电垫129b电性连接至第二发光二极管122b。即，本实施例的发光单元120b可利用导电层125b以及第三导电垫129b以并联的方式电性连接第一发光二极管121b的第一n型电极1215b与第二发光二极管122b的第二n型电极1225b。此外，本实施例发光单元120b以第一导电垫127b接触基板110上的第一接垫130，并以第二导电垫128b接触基板110上的第二接垫132。于此实施例中,基板110可以包含另一接垫(图未示出),第三导电垫129b可以与另一接垫电性连接,但不以此为限。
另外，在本实施例中，由于第一发光二极管121b与第二发光二极管122b是以并联的方式电性连接，因此，当其中一个发光二极管因损坏而不发光时，还可以有另一个发光二极管可作为替代使用。
应了解的是,上述实施例的图示仅作示例,在ㄧ些实施例中的发光单元120b的第一导电垫127b及第二导电垫128b可以接合至同一个接垫,意即基板110上的1个接垫可以接合1个或1个以上的导电垫，但不依此为限。
图4为本揭露第四实施例的发光单元的剖面示意图。请同时参照图1B与图4，本实施例的发光单元120c大致相似于图1B的发光单元120，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的发光单元120c不同于发光单元120之处主要在于，本实施例的发光单元120c中，第一发光二极管121c与第二发光二极管122c是以并联的方式电性连接，且发光单元120c还包括第三导电垫129c。
详细来说，在本实施例中，有机层124c的通孔1241c暴露出第一发光二极管121c部分的第一n型电极1215c，通孔1242c暴露出第一发光二极管121c部分的第一p型电极1211c，通孔1243c暴露出第二发光二极管122c部分的第二n型电极1225c，且通孔1244c暴露出第二发光二极管122c部分的第二p型电极1221c。导电层125c配置于通孔1242c的侧壁与底部，且配置于通孔1242c与通孔1244c之间的有机层124c上，以使导电层125c电性连接第一p型电极1211c与第三导电垫129c，但不接触和/或电性绝缘第一导电垫127c与第二导电垫128c。此外，第一导电垫127c配置于有机层124c的通孔1241c内，以使第一导电垫127c电性连接第一n型电极1215c。第二导电垫128c配置于有机层124c的通孔1243c内，以使第二导电垫128c电性连接第二n型电极1225c。第三导电垫129c配置于有机层124c的通孔1244c内，以使第三导电垫129c电性连接第二p型电极1221c。
藉此，使得第一发光二极管121c可通过导电层125c以及第三导电垫129c电性连接至第二发光二极管122c。即，本实施例的发光单元120c可利用导电层125c以及第三导电垫129c以并联的方式电性连接第一发光二极管121c的第一p型电极1211c与第二发光二极管122c的第二p型电极1221c。此外，本实施例发光单元120c以第一导电垫127c接触基板110上的第一接垫130，并以第二导电垫128c接触基板110上的第二接垫132。于此实施例中,基板110可以包含另一接垫(图未示出),第三导电垫129c可以与另一接垫电性连接,但不以此为限
另外，在本实施例中，由于第一发光二极管121c与第二发光二极管122c是以并联的方式电性连接，因此，当其中一个发光二极管因损坏而不发光时，还可以有另一个发光二极管可作为替代使用。
图5为本揭露第五实施例的发光单元的剖面示意图。请同时参照图1B与图5，本实施例的发光单元120d大致相似于图1B的发光单元120，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的发光单元120d不同于发光单元120之处主要在于，本实施例的发光单元120d还包括第三发光二极管123d以及导电层125e。有机层124d还包括通孔1245d以及通孔1246d。
详细来说，在本实施例中，第三发光二极管123d与第二发光二极管122d相邻配置，以使得第二发光二极管122d位于第一发光二极管121d与第三发光二极管123d之间，但配置方式可根据设计需求，不以此为限。
有机层124d的通孔1241d暴露出第一发光二极管121d部分的第一n型电极1215d，通孔1242d暴露出第一发光二极管121d部分的第一p型电极1211d，通孔1243d暴露出第二发光二极管122d部分的第二n型电极1225d，通孔1244d暴露出第二发光二极管122d部分的第二p型电极1221d，通孔1245d暴露出第三发光二极管123d部分的第三n型电极1235d，且通孔1246d暴露出第三发光二极管123d部分的第三p型电极1231d。
导电层125d配置于通孔1242d与通孔1243d的侧壁与底部，且配置于通孔1242d与通孔1243d之间的有机层124d上，以使导电层125d电性连接第一p型电极1211d与第二n型电极1225d。
导电层125e配置于通孔1244d与通孔1245d的侧壁与底部，且配置于通孔1244d与通孔1245d之间的有机层124d上，以使导电层125e电性连接第二p型电极1221d与第三n型电极1235d。在本实施例中，导电层125d不接触和/或电性绝缘第一导电垫127d，导电层125e不接触和/或电性绝缘第二导电垫128d，且导电层125d与导电层125e彼此不接触和/或电性绝缘。藉此，使得第一发光二极管121d可通过导电层125d电性连接至第二发光二极管122d，且第二发光二极管122d可通过导电层125e电性连接至第三发光二极管123d。即，本实施例的发光单元120d可利用导电层125d以串联的方式电性连接第一发光二极管121d的第一p型电极1211d与第二发光二极管122d的第二n型电极1225d，并利用导电层125e以串联的方式电性连接第二发光二极管122d的第二p型电极1221d与第三发光二极管123d的第三n型电极1235d。
此外，第一导电垫127d配置于有机层124d的通孔1241d内，以使第一导电垫127d电性连接第一n型电极1215d。第二导电垫128d配置于有机层124d的通孔1246d内，以使第二导电垫128d电性连接第三p型电极1231d。本实施例发光单元120d可以以第一导电垫127d接触基板110上的第一接垫130，并以第二导电垫128d接触基板110上的第二接垫132。
图6A为本揭露第六实施例的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图6A省略示出了发光单元220中的若干组件。图6B为图6A的电子装置中的发光单元的放大示意图。请同时参照图1A、图1B、图6A及图6B，本实施例的发光单元220大致相似于图1B的发光单元120，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的发光单元220不同于发光单元120之处主要在于，本实施例的第一导电垫227以及第二导电垫228分别位于发光单元220的相对两侧，且发光单元220还包括第三绝缘层226a。
详细来说，请同时参照图6A与图6B，在本实施例中，第一接垫230配置于基板210上，且发光单元220配置于第一接垫230上，以使发光单元220通过第一接垫230电性连接至基板210。第一发光二极管221包括第一p型电极2211、第一p型半导体层2212、发光层2213、第一n型半导体层2214以及第一n型电极2215。第二发光二极管222包括第二p型电极2221、第二p型半导体层2222、发光层2223、第二n型半导体层2224以及第二n型电极2225。
第一绝缘层223包括开口2232以及开口2234。开口2232暴露出第一发光二极管221部分的第一p型电极2211。开口2234暴露出第二发光二极管222部分的第二p型电极2221。
有机层224包括至少二通孔2241、2243、2244。通孔2241连通第一绝缘层223的开口2232，以暴露出第一发光二极管221部分的第一p型电极2211。通孔2244连通第一绝缘层223的开口2234，以暴露出第二发光二极管222部分的第二p型电极2221。通孔2243连接有机层224彼此相对的第一表面2245与第二表面2246。在本实施例中，有机层224配置于第一发光二极管221与第二发光二极管222之间、有机层224配置于第一发光二极管221与导电层225之间、且有机层224配置于第二发光二极管222与导电层225之间。
导电层225配置于部分的有机层224上以及至少二通孔2243、2244内。导电层225配置于通孔2244的侧壁与底部、通孔2243的侧壁、通孔2244与通孔2243之间的有机层224上、第一发光二极管221的第一n型电极2215与第三绝缘层226a之间。导电层225可通过通孔2244与通孔2243电性连接第一发光二极管221以及第二发光二极管222。在本实施例中，导电层225电性连接第一发光二极管221的第一n型电极2215和第二发光二极管222的第二p型电极2221。即，第一发光二极管121与第二发光二极管122可以是以串联的方式电性连接，但不以此为限。
第二绝缘层226的开口2261连通有机层224的通孔2241以及第一绝缘层223的开口2232，以暴露出第一发光二极管221部分的第一p型电极2211。
第三绝缘层226a配置于第一发光二极管121与第二导电垫228之间、第二发光二极管122与第二导电垫228之间、导电层225与第二导电垫228之间。第三绝缘层226a覆盖有机层224、第一发光二极管121的第一n型半导体层2214与第一n型电极2215、导电层225以及第二发光二极管122的第二n型半导体层2224。第三绝缘层226a包括开口2262a。开口2262a暴露出第二发光二极管222部分的第二n型电极2225。在本实施例中，第三绝缘层226a的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合，但不以此为限。
第一导电垫227配置于第一绝缘层223的开口2232、有机层224的通孔2241以及第二绝缘层226的开口2261内，且配置于第二绝缘层226上。即，第一导电垫227配置于第一发光二极管221的第一p型电极2211上，且第一导电垫227电性连接第一p型电极2211。第二导电垫228配置于第三绝缘层226a的开口2262a内以及第三绝缘层226a上。即，第二导电垫228配置于第二发光二极管222的第二n型电极2225上，且第二导电垫228电性连接第二n型电极2225。在本实施例中，导电层225位于第一导电垫227与第二导电垫228之间，且导电层225不接触和/或电性绝缘第一导电垫227与第二导电垫228。在本实施例中，第二n型电极2225可通过第二导电垫228电性连接至第一接垫230。
综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，发光单元可包括2个或2个以上的发光二极管(例如第一发光二极管以及第二发光二极管)。此外，可通过将有机层设置在导电层与发光二极管之间,以降低导电层断线的机率。亦可通过将多个发光二极管以有机层包围并固定在一起，再利用导电层将多个发光二极管电性连接，以使得包含有上述发光单元的电子装置可具有较低的功耗。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
基板；以及
至少一发光单元，配置于所述基板上，且所述至少一发光单元包括：
第一发光二极管；
第二发光二极管；
导电层；以及
有机层，所述有机层配置于所述第一发光二极管与所述导电层之间，且所述有机层包括至少二通孔；
其中所述导电层通过所述至少二通孔电性连接所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一发光二极管具有第一p型电极和第一n型电极，所述第二发光二极管具有第二p型电极和第二n型电极，且所述导电层电性连接所述第一发光二极管的所述第一p型电极和所述第二发光二极管的所述第二n型电极。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括：
至少一第一接垫以及至少一第二接垫，分别配置于所述基板上，其中所述至少一第一接垫电性连接至所述第一发光二极管的所述第一n型电极，且所述至少一第二接垫电性连接至所述第二发光二极管的所述第二p型电极。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述至少一发光单元还包括：
第一导电垫，配置于所述第一发光二极管上；以及
第二导电垫，配置于所述第二发光二极管上，其中所述第一n型电极通过所述第一导电垫电性连接至所述至少一第一接垫，且所述第二p型电极通过所述第二导电垫电性连接至所述至少一第二接垫。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一发光单元为覆晶型发光单元。
6.一种发光单元，其特征在于，包括：
第一发光二极管；
第二发光二极管；
导电层；以及
有机层，所述有机层配置于所述第一发光二极管与所述导电层之间，且所述有机层包括至少二通孔；
其中所述导电层通过所述至少二通孔电性连接所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。
7.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述第一发光二极管具有第一p型电极和第一n型电极，所述第二发光二极管具有第二p型电极和第二n型电极，且所述导电层电性连接所述第一发光二极管的所述第一p型电极和所述第二发光二极管的所述第二n型电极。
8.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元为覆晶型发光单元。
9.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述有机层的最大厚度大于所述第一发光二极管的最大高度。
10.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的最小间距为1.5微米至10微米。
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