TWI465976B - 觸控面板 - Google Patents

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TWI465976B
TWI465976B TW100142439A TW100142439A TWI465976B TW I465976 B TWI465976 B TW I465976B TW 100142439 A TW100142439 A TW 100142439A TW 100142439 A TW100142439 A TW 100142439A TW I465976 B TWI465976 B TW I465976B
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Norio Mamba
Koji Doi
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Japan Display Inc
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Description

觸控面板
本發明係關於一種觸控面板，特別係關於一種可降低雜訊並以高精度檢測觸控位置之觸控面板。
藉由複數排列之檢測電極、及在與檢測電極交叉之方向上複數排列之掃描電極，檢測該交叉部附近之靜電容量之Mutual方式(相互式)之電容耦合型觸控面板，係作為可多點檢測之觸控面板而普及。(下述，參照日本特開2005-140612號公報)。
近年來，由於搭載有觸控面板之機器為提升設計性而發展薄型化，故觸控面板之檢測電極與雜訊源即顯示器間的距離變近，變得易受到雜訊之影響。
近年來，為實現進一步的薄型化，而致力研發在液晶顯示器之彩色濾光基板上形成觸控面板之電極之On-Cell型觸控面板。該情形下，由於檢測電極與顯示器之距離變近，且無法設置用於減輕顯示器雜訊之屏蔽電極(設置於檢測電極與顯示器之間)，故雜訊增加。
如Mutual方式般，在檢測掃描電極與檢測電極之交叉部附近之靜電容量之靜電容量檢測中，除去該雜訊之方法，有多種提案。例如，有在檢測電極附近於受到來自雜訊源相同程度影響之位置上設置參考電極，並以參考電極所檢測之雜訊為基礎，從各檢測電極之檢測結果除去雜訊的方法。又，未設置參考電極之情形，則提案有從同時檢測之複數電極來計算共同雜訊量，並根據該共同雜訊量，從各檢測電極之檢測結果除去雜訊的方式。
上述降低雜訊之方法中，設置參考電極之方法由於有必要將參考電極設置於顯示器之有效顯示區域，故有使實際之觸控面板操作區域變小之問題。又，有參考電極之情形，由於有必要製成手指等碰觸到參考電極上亦不會有反應，且總是只檢測雜訊之結構，故必須重新改變新觸控面板之結構。
另一方面，選擇並驅動1支掃描電極，從與該掃描電極交叉之複數之檢測電極之檢測結果，算出共同雜訊量並除去雜訊之方式中，對複數之檢測電極藉由同時接觸等輸入信號之情形，由於會將信號變化當作雜訊而取消，故有無法精確檢測觸控資訊之問題。
又，與顯示器一體化之情形，因顯示圖案與顯示器之構成(驅動電路之配置、驅動方式等)不同，影響檢測電極之雜訊之強度分布係有差異，故憂慮雜訊除去處理之效率降低，且無法精確檢測。
本發明係為解決上述先前技術之問題點而完成者，其目的在於提供一種可有效率地除去觸控面板中之雜訊之技術。
本發明之上述及其他目的、與新特徵，係藉由本說明書之記述及附加圖式而加以明確。
簡單說明在本申請案所揭示之發明中，代表性實施例之概要如下：(1)本發明之觸控面板係具有：複數之掃描電極，該等係設置於第1方向上；複數之檢測電極，該等係設置於與上述第1方向交叉之第2方向上；掃描電路部，其係將驅動電壓輸入上述複數之掃描電極中一掃描電極之1檢測期間，分割為n(n≧2)個子檢測期間，且在1~n之各個子檢測期間依序對上述一掃描電極輸入驅動電壓；容量檢測電路部，其係將上述複數之檢測電極，以在1~n組中鄰接之組至少包含1支相同之檢測電極的方式，分割成1~n組，且在上述子檢測期間，輸入來自對應上述子檢測期間之上述組內之各檢測電極的信號，並檢測各檢測電極之容量檢測信號；及控制電路部，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述容量檢測信號，算出容量檢測信號變化量，並基於該算出之上述容量檢測信號變化量，算出觸控位置之座標；且上述控制電路部，係在上述連續之子檢測期間，基於從上述至少1支相同之檢測電極連續檢測出之上述容量檢測信號，決定在上述連續之子檢測期間，檢測出上述容量檢測信號之兩組內之各檢測電極的上述容量檢測信號變化量。
(2)在(1)中，將上述連續之子檢測期間作為第k(1≦k≦n-1)個之子檢測期間、及第(k+1)個之子檢測期間時，上述掃描電路部係在上述各掃描電極之上述第k個之子檢測期間、及上述第(k+1)個之子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；且上述容量檢測電路部，係在上述第k個之子檢測期間，輸入來自上述第k個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號，且在上述第(k+1)個之子檢測期間，輸入來自上述第(k+1)個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號；且上述控制電路部係具有：第k個共同雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述第k個組之共同雜訊量；第k個雜訊除去機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號，使用在上述第k個共同雜訊量算出機構所算出之上述第k個組之共同雜訊量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號；第k個變化量算出機構，其係從在上述第k個雜訊除去機構所算出之上述第k個組內之各檢測電極之上述雜訊除去後的容量檢測信號，算出上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量；第(k+1)個共同雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號，算出上述第(k+1)個組內之共同雜訊量；第(k+1)個雜訊除去機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號，使用在上述第(k+1)個共同雜訊量算出機構所算出之上述第(k+1)個組之共同雜訊量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號；第(k+1)個變化量算出機構，其係從在上述第(k+1)個雜訊除去機構所算出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之上述雜訊除去後的容量檢測信號，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量；及變化量決定機構，其係比較在上述第k個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量，與在上述第(k+1)個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量，基於該比較結果，決定上述第k個及第(k+1)個之組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量。
(3)在(1)或(2)中，上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上；且上述顯示面板係具有設置於第1方向之複數之影像線。
(4)在(1)中，上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上，上述顯示面板係具有設置於第1方向之複數之影像線，在測定修正量計算期間，上述顯示面板整面顯示相同顏色；且上述掃描電路部，係在上述測定修正量計算期間，於上述各掃描電極以第1個至第n個之順序之各個子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；上述容量檢測電路部，係在上述測定修正量計算期間，於第1個至第n個之子檢測期間，輸入來自上述第1個至第n個之組內之各檢測電極的信號，並檢測上述第1個至第n個之組內之各檢測電極之容量檢測信號；上述控制電路部，係在上述測定修正量計算期間，算出上述各掃描電極之上述第1個至第n個之各個子檢測期間、並為上述第1個至第n個之組內之各檢測電極之雜訊修正量。
(5)在(2)中，上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上，上述顯示面板係具有設置於第1方向之複數之影像線，在測定修正量計算期間，上述顯示面板整面顯示相同顏色；且上述掃描電路部，係在上述測定修正量計算期間，於上述各掃描電極以第1個至第n個之順序之各個子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；上述容量檢測電路部，係在上述測定修正量計算期間，於第1個至第n個之子檢測期間，輸入來自上述第1個至第n個之組內之各檢測電極的信號，並檢測上述第1個至第n個之組內之各檢測電極之容量檢測信號；上述控制電路部係具有：第k個檢測電極雜訊量算出機構，其係在上述測定修正量計算期間，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊量；第k個修正量算出機構，其係從在上述第k個檢測電極雜訊量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊量，算出上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊修正量；第(k+1)個檢測電極雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊量；及第(k+1)個修正量算出機構，其係從在上述第(k+1)個檢測電極雜訊量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊量，算出上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊修正量；在上述第k個雜訊除去機構，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，使用上述第k個組內之共同雜訊量、及在上述第k個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極的雜訊修正量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號；在上述第(k+1)個共同雜訊量算出機構，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極的容量檢測信號，使用上述第(k+1)個組之共同雜訊量、及在上述第(k+1)個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極的雜訊修正量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號。
因本申請案所揭示之發明之代表性實施例而可取得之效果，簡單說明如下。
根據本發明，在靜電容量方式之觸控面板中，可有效率地除去雜訊。
以下，參照圖式詳細說明本發明之實施例。
另，在用於說明實施例之全圖中，具有相同功能者係附上相同符號，且省略其重複說明。又，下述實施例非為用於限定本發明之專利申請範圍之解釋者。
[實施例1]
圖1A與圖1B，係搭載本發明之實施例之觸控面板之附觸控面板顯示器的剖面圖。
圖1A係顯示將觸控面板用電極，形成於與玻璃基板或PET薄膜等顯示器不同之基板(TSUB)上，且使該觸控面板基板(TSUB)與液晶顯示面板組合之結構。
圖1B，係顯示將觸控面板電極TDE形成於液晶顯示面板之顯示面側之彩色濾光基板(SUB2)上之顯示器一體型觸控面板(On-Cell型觸控面板)之結構。本發明可適用於圖1A、圖1B之任一方之結構。
另，圖1A、圖1B中，液晶顯示面板係以背光源(BL)、TFT基板(SUB1)、液晶層(LC)、彩色濾光基板(SUB2)、設置於TFT基板(SUB1)上之下偏光板(POL1)、及形成於彩色濾光基板(SUB2)上之上偏光板(POL2)所構成。
又，在圖1A、圖1B中，PSUB係保護板。
圖2係用於說明本發明之實施例1之靜電容量方式之觸控面板之電極形狀之平面圖。
於本實施例中，為對應Mutual方式，觸控面板電極係包含：用於輸入驅動電壓至每列之掃描電極(Y0~Y7)；及與掃描電極交叉配置，且用於檢測交叉部附近之容量之檢測電極(X0~X5)。另，在圖2中，13係容量檢測電路部；SW係開關電路。開關電路(SW)係於未選擇檢測電極時，將特定電壓(此處為接地電壓)輸入至該未選擇之檢測電極。
圖3係本發明之實施例1之觸控面板之控制電路之方塊圖。
本實施例之觸控面板之控制電路10之構成係包含：掃描電路部12，其係驅動Y0~Y7之掃描電極；容量檢測電路部13，其係檢測來自X0~X5之檢測電極之信號；及控制電路部11，其係基於控制信號14，控制掃描電路部12與容量檢測電路部13之動作，且以來自容量檢測電路部13之容量檢測信號15為基礎，計算觸控面板之觸控位置(輸入座標)，並輸出至上位系統，或接收來自上位系統之信號控制各電路之動作。
圖4A、圖4B係用於說明本發明之實施例1之觸控面板之動作之時序圖。
例如，在具有圖2所示之電極形狀之靜電容量方式之觸控面板之先前的驅動方法中，於檢測周期TA內，在TB之1檢測期間，將驅動電壓依序輸入Y0~Y7之掃描電極，並基於在X0~X5之檢測電極所檢測出之容量檢測信號，檢測觸控面板上之觸控位置。
本實施例中，將1檢測期間(TB)分割為n(n≧2)個子檢測期間(T1，T2)，並分時進行檢測。此時，在連續之子檢測期間，以從至少1支相同之檢測電極(圖2中，檢測電極X2)連續檢測出容量檢測信號之方式，將X0~X5之檢測電極分割為n個組。
圖4A之情形，將X0~X5之檢測電極分割為X0~X2之檢測電極、與X2~X5之檢測電極之2組，在第1個之子檢測期間(T1)之檢測、與第2個之子檢測期間(T2)之檢測中，於X2之檢測電極檢測出共同部分。
此處，檢測電極之分割數為任意。又，分割方法亦為任意，亦可如圖4B所示，分割成3個檢測電極組。
圖4B之情形，將X0~X5之檢測電極分成(X0，X2，X4)之檢測電極、(X0，X3，X5)之檢測電極、及(X1，X3，X5)之檢測電極之3組；且第1個之子檢測期間T1之檢測、與第2個之子檢測期間T2之檢測中，於X0之檢測電極檢測出共同部分；且在第2個之子檢測期間T2之檢測、與第3個之子檢測期間T3之檢測中，在(X3，X5)之檢測電極檢測出共同部分。
又，如圖2所示，因在子檢測期間非檢測對象之檢測電極，藉由開關元件SW而成為接地電位，故圖4B之情形，成為檢測對象之檢測電極周圍之檢測電極變成固定電位，因而不易受到來自顯示器之雜訊影響，亦可期待檢測精度提升之效果。
圖5係用於說明本實施例之觸控面板之控制電路10之動作之流程圖。以下，使用圖5，說明關於本實施例之觸控面板之控制電路之動作。
另，圖5之處理係在圖3之控制電路部11實行。又，圖5之處理中作為前提之觸控面板，係如圖2所示之觸控面板。又，在Yn之掃描電極之1檢測期間TB內之第1個子檢測期間T1、與第2個子檢測期間T2之檢測完畢後，實行圖5之處理。
步驟101之處理1
算出在Yn之掃描電極之第1個子檢測期間T1所檢測出之容量檢測信號S_X0(Yn_1)，S_X1(Yn_1)，S_X2(Yn_1)中，第1個子檢測期間T1之共同雜訊量NS_CMP1。
步驟102之處理2
算出使用S_X0(Yn_1)，S_X1(Yn_1)，S_X2(Yn_1)之共同雜訊量NS_CMP1除去雜訊後之雜訊除去後之容量檢測信號S_X0(Yn_1)'，S_X1(Yn_1)'，S_X2(Yn_1)'。
步驟103之處理3
從雜訊除去後之容量檢測信號，算出Yn之掃描電極之第1個之子檢測期間T1所檢測出之(X0，X1，X2)之檢測電極之容量檢測信號變化量ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)。
步驟104之處理4
算出在Yn之掃描電極之第2個之子檢測期間T2所檢測出之容量檢測信號S_X2(Yn_2)，S_X3(Yn_2)，S_X4(Yn_2)，S_X5(Yn_2)之第2個之子檢測期間T2之共同雜訊量NS_CMP2。
步驟105之處理5
算出使用S_X2(Yn_2)，S_X3(Yn_2)，S_X4(Yn_2)，S_X5(Yn_2)之共同雜訊量(NS_CMP2)除去雜訊後之雜訊除去後之容量檢測信號S_X2(Yn_2)'，S_X3(Yn_2)'，S_X4(Yn_2)'，S_X5(Yn_2)'。
步驟106之處理6
從雜訊除去後之容量檢測信號，算出在Yn之掃描電極之第2個之子檢測期間T2所檢測出之(X2，X3，X4，X5)之檢測電極的容量檢測信號變化量ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)。
步驟107之判斷1
判斷X2之檢測電極之容量檢測信號變化量之差是否小於臨限值ERR_TH。即，判斷是否滿足|ΔS_X2(Yn_2)-ΔS_X2(Yn_1)|<Err_Th。
步驟108之處理7
在步驟107之判斷1之判斷結果為YES之情形，採用表1所示之Case1，即採用ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極之信號檢測值(SC_X0(Y1)，SC_X1(Y1)，SC_X2(Y1)，SC_X3(Y1)，SC_X4(Y1)，SC_X5(Y1))。另，亦可採用ΔS_X2(Yn_2)作為X2之檢測電極之信號檢測值。
步驟109之判斷2
在步驟107之判斷1之判斷結果為NO之情形，判斷是否滿足ΔS_X2(Yn_2)>ΔS_X2(Yn_1)。
步驟110之處理8
在步驟109之判斷2之判斷結果為YES之情形，採用表1所示之Case2，即採用ΔS_X0(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X1(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極的信號檢測值。
步驟111之處理9
在步驟109之判斷2之判斷結果為NO之情形，採用表1所示之Case3，即採用ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X3(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X4(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X5(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極的信號檢測值。
另，在步驟101之處理1與步驟104之處理4中，共同雜訊量(NS_CMP1，NS_CMP2)係例如從同時檢測之檢測電極之容量檢測信號變動量之平均值算出亦可、或從最小變動值算出亦可、又或從中間值算出亦可。
又，在步驟103之處理3與步驟105之處理5中，容量檢測信號變化量係以未觸控觸控面板時之容量檢測信號作為基準值而算出。基準值係亦可使用未觸控期間之容量檢測信號之平均值。
圖6係說明本實施例之觸控面板之接觸位置之模式圖。圖6中，顯示有圖2所示之掃描電極Y1與自X0至X2之檢測電極的3個交點(圖6之TP)上，同時有觸控輸入之情形。
圖7係在本實施例之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，在X0~X5之檢測電極所檢測出之雜訊處理前的容量檢測信號(S_X0(Yn_1)，S_X1(Yn_1)，S_X2(Yn_1)，S_X2(Yn_2)，S_X3(Yn_2)，S_X4(Yn_2)，S_X5(Yn_2)之波形圖。另，在圖7、下述之圖8、及圖9中，Ta係顯示未觸控觸控面板時之子檢測期間；Tb係顯示觸控觸控面板時之子檢測期間。
圖8係在本實施例之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，以圖5所示之流程圖除去雜訊後之、在X0~X5之檢測電極所檢測出之雜訊處理後的容量檢測信號(S_X0(Yn_1)'，S_X1(Yn_1)'，S_X2(Yn_1)'，S_X2(Yn_2)'，S_X3(Yn_2)'，S_X4(Yn_2)'，S_X5(Yn_2)'之波形圖。
在第1個之子檢測期間T1中，由於在從X0至X2之檢測電極同時有輸入，故將變化量作為共同雜訊量處理，且雜訊除去後之容量檢測信號中因觸控輸入所產生之信號增加(減少)情形消失。另一方面，在第2個之子檢測期間T2之檢測電極X2，由於在其他之X3~X5之檢測電極無輸入信號，故因觸控所產生之信號變化量會留在雜訊除去後之容量檢測信號中。
圖9係在本發明之實施例1之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，藉由圖5所示之流程所算出的信號檢測值ΔS_X0(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X1(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)之波形圖。
圖6之情形，由於在X2之檢測電極所檢測出之容量檢測信號變化量，係第2個之子檢測期間之結果較大，故基於表1之Case2算出信號檢測值。
圖10係在本實施例之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，從Y0至Y7之掃描電極依序進行圖5所示之流程圖之情形之信號檢測值之分布圖。如圖10所示，本實施例中，即使如圖6所示有同時多點輸入之情形，亦可除去雜訊，並以高精度檢測位置。
[實施例2]
圖11係本發明之實施例2之顯示器之平面圖。圖11係顯示圖1A或圖1B所示之顯示器之平面圖。在圖11中，LCD係顯示器，G0~Gm係掃描線，D0~Dn係影像線，PX係像素。
圖12係用於說明本發明之實施例2之觸控面板之電極形狀之平面圖。圖12係顯示圖1A或圖1B所示之觸控面板之檢測電極(X0~X7)與掃描電極(Y0~Y5)之平面圖。另，圖12中，省略緩衝電路(BA)與開關電路(SW)之圖式。
本實施例中，第1要點係使顯示器(LCD)之影像線(D0~Dn)與觸控面板之檢測電極(X0~X7)以交叉之方式配置。
圖13係用於說明本發明之實施例2之觸控面板之動作的時序圖。圖13係說明圖12所示之觸控面板之動作的時序圖。檢測動作係因與上述實施例1相同而省略。
本實施例之第2要點，係在測定使整面均一之顯示圖案(例如，整面白色或整面黑色)顯示於顯示器之情形之雜訊分布，並從其分布結果計算雜訊修正量。
藉此，可藉由降低因顯示圖案或顯示器之驅動電路配置、驅動方法等而變化之雜訊分布之影響，而提高除去雜訊之效率，並以高精度檢測信號。
圖14係本發明之實施例2之觸控面板之動作狀態圖。
本實施例中，觸控面板啟動(圖14之ST1)後，係設有用於進行圖3所示之容量檢測電路部13之修正或初期化的期間(PR1；容量檢測電路部修正處理期間)。
且，本實施例中，從容量檢測電路部13之修正或初期化完畢，到通常之容量檢測開始之間，設有於整面均一之顯示圖案顯示於顯示器之狀態下，用於測定雜訊量分布之期間(PR2；雜訊量測定修正量計算期間)。該雜訊量測定修正量計算期間PR2，係亦可在啟動時，亦可於通常檢測開始(圖14之ST2)後開始之通常檢測期間PR3完畢後進行，時間上未有特別規定。
雜訊量測定修正量計算期間PR2，係將整面相同之顯示圖案顯示於顯示器。例如，全白或全黑等之顯示圖案。雜訊量係亦可從各掃描電極之各個子檢測期間，並且為各檢測電極，在一定期間內所檢測出之容量檢測信號之最大值(Max)、最小值(Min)來算出，亦可分散算出。
圖15係顯示本發明之實施例2之觸控面板之雜訊量的分布結果圖。圖15係顯示在圖12所示之電極形狀(Y0~Y5掃描電極，X0~X7檢測電極)之情形下，於雜訊量測定修正量計算期間PR2，測定到之雜訊量INI_NS之測定結果(分布)圖。
圖16係顯示本發明之實施例2之觸控面板之雜訊量修正值之分布結果圖。圖16係顯示從圖15之雜訊量分布所算出之雜訊量修正值AJ_NS。雜訊量修正值AJ_NS，係例如以與雜訊量INI_NS成比例之方式，以AJ_NS=A×雜訊量INI_NS(此處，A係比例係數)算出。
圖17係說明本發明之實施例2之觸控面板之控制電路之動作的流程圖。以下，使用圖17，說明關於本實施例之觸控面板之控制電路之動作。
另，圖17之處理係在圖3之控制電路部11中實行。又，在圖17之處理成為前提之觸控面板，係圖12所示之觸控面板。又，在Yn之掃描電極之1檢測期間TB內之第1個子檢測期間T1、及第2個子檢測期間T2之檢測完畢後，實行圖17之處理。
步驟121之處理11
算出在Yn之掃描電極之第1個之子檢測期間T1所檢測出之容量檢測信號S_X0(Yn_1)，S_X1(Yn_1)，S_X2(Yn_1)中之第1個之子檢測期間T1之共同雜訊量NS_CMP1。
步驟122之處理12
算出使用S_X0(Yn_1)，S_X1(Yn_1)，S_X2(Yn_1)之共同雜訊量NS_CMP1、及雜訊量修正值AJ_NS除去雜訊之雜訊除去後的容量檢測信號S_X0(Yn_1)'，S_X1(Yn_1)'，S_X2(Yn_1)'。
步驟123之處理13
從雜訊除去後之容量檢測信號，算出在Yn之掃描電極之第1個之子檢測期間T1所檢測出之(X0，X1，X2)之檢測電極的容量檢測信號變化量ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)。
步驟124之處理14
算出在Yn之掃描電極之第2個之子檢測期間T2所檢測出之容量檢測信號S_X2(Yn_2)，S_X3(Yn_2)，S_X4(Yn_2)，S_X5(Yn_2)之第2個子檢測期間T2之共同雜訊量NS_CMP2。
步驟125之處理15
算出使用S_X2(Yn_2)，S_X3(Yn_2)，S_X4(Yn_2)，S_X5(Yn_2)之共同雜訊量(NS_CMP2)、及雜訊量修正值AJ_NS除去雜訊後之雜訊除去後的容量檢測信號S_X2(Yn_2)'，S_X3(Yn_2)'，S_X4(Yn_2)'，S_X5(Yn_2)'。
步驟126之處理16
從雜訊除去後之容量檢測信號，算出Yn之掃描電極之第2個之子檢測期間T2所檢測出之(X2，X3，X4，X5)之檢測電極之容量檢測信號變化量ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)。
步驟127之判斷11
判斷X2之檢測電極之容量檢測信號變化量之差是否小於臨限值ERR_TH。即，判斷是否滿足|ΔS_X2(Yn_2)-ΔS_X2(Yn_1)|<Err_Th。
步驟128之處理17
在步驟127之判斷11之判斷結果為YES之情形，採用表1所示之Case1，即採用ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極之信號檢測值(SC_X0(Y1)，SC_X1(Y1)，SC_X2(Y1)，SC_X3(Y1)，SC_X4(Y1)，SC_X5(Y1))。另，亦可採用ΔS_X2(Yn_2)作為X2之檢測電極之信號檢測值。
步驟129之判斷12
在步驟107之判斷1之判斷結果為NO之情形，判斷是否滿足ΔS_X2(Yn_2)>ΔS_X2(Yn_1)。
步驟130之處理18
在步驟129之判斷2之判斷結果為YES之情形，採用表1所示之Case2，即採用ΔS_X0(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X1(Yn_1)+ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X2(Yn_2)，ΔS_X3(Yn_2)，ΔS_X4(Yn_2)，ΔS_X5(Yn_2)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極的信號檢測值。
步驟131之處理19
在步驟109之判斷2之判斷結果為NO之情形，採用表1所示之Case3，即採用ΔS_X0(Yn_1)，ΔS_X1(Yn_1)，ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X3(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X4(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)，ΔS_X5(Yn_2)+ΔS_X2(Yn_1)作為Yn之掃描電極中之X0~X5之檢測電極的信號檢測值。
另，在處理11與處理14中，共同雜訊量(NS_CMP1，NS_CMP2)係例如從同時檢測出之檢測電極之容量檢測信號變化量的平均值算出亦可、或例如從最小變動值算出亦可、又或中間值亦可。
又，在處理13與處理15中，容量檢測信號變化量係將未觸控觸控面板時之容量檢測信號作為基準值而算出。基準值係亦可使用未觸控期間之容量檢測信號之平均值。
在如圖17所示之流程圖中，與上述實施例1之圖5所示之流程不同之點，係處理12與處理15之雜訊除去部分。在該部分中，從於處理11或處理14所算出之共同雜訊量，與圖16所示之雜訊量修正值，算出實際用於除去雜訊之值。例如，藉由將共同雜訊量與如圖16所示之雜訊量修正值積算而求得之量，來除去雜訊。
圖18至圖20係用於說明本發明之實施例2之效果之圖。
圖18係顯示本發明之實施例2之顯示器之顯示圖案之一例之圖，其係在顯示因圖面之部位不同而顯示不同之情形之圖案例之圖。此處，左側係顯示為全黑，右側係顯示為黑白直條紋。
圖19係顯示在向使圖18所示之顯示圖案顯示於液晶顯示器之情形之影像線所施加之影像電壓波形、及在圖12所示之觸控面板之檢測電極所產生之雜訊波形之圖。
圖19係顯示在使圖18所示之顯示圖案，藉由點反轉驅動法顯示於液晶顯示器之情形下，施加於圖11所示之D0~Dn之影像線之影像電壓之波形、及在圖12所示之X0~X7之檢測電極所產生之雜訊波形的波形圖。另，在圖19與下述之圖20中，TG係顯示液晶顯示器之1掃描期間。
如圖18所示，即使於部分顯示不同(即，施加於D0~Dn之影像線之影像電壓不同)之情形，亦由於觸控面板之、X0~X7之檢測電極係與顯示器之全影像線交叉，故來自顯示器之雜訊影響被平均化。因此，使用本實施例之共同雜訊量之雜訊除去方法，可有效率地除去雜訊，且可以高精度檢測位置。
圖20係顯示施加於圖11所示之D0~Dn之影像線之影像電壓在驅動電路(驅動器)近端之電壓波形；在驅動電路遠端之電壓波形；及在圖12所示之X0~X7之檢測電極所產生之雜訊波形的波形圖。
在圖20之D1~D3之影像線之電壓波形圖中，實線表示驅動電路(驅動器)近端之電壓波形；虛線表示驅動電路遠端之電壓波形。
在驅動電路(驅動器)之近端，因電阻容量所產生之負荷較小，故影像線上之波形變得陡峭。因此，由於成為因耦合所產生之雜訊之產生原因之電壓變動變大，故雜訊量變大。另一方面，在驅動電路(驅動器)遠端，由於因電阻容量所產生之負荷較大而使得波形變鈍，影像線上之電壓變動變小，故雜訊量變小。
即，在X0之檢測電極所產生之雜訊電壓(V(X0))之波峰值(Vns_x0)，係變得比在X7之檢測電極所產生之雜訊電壓(V(X7))之波峰值(Vns_x7)大。
如此，即使有因顯示器之驅動構成產生雜訊分布之情形，亦可藉由如本實施例之方式測定雜訊分布，而可提升使用共同雜訊量除去雜訊之效率，並可精確檢測位置。
如上說明，由於在本實施例中，使用共同雜訊量降低雜訊之效果變高，且可以高精度進行檢測，故在分離型觸控面板(觸控面板形成於其他基板上)之情形下，可省略屏蔽電極。
又，即使在使觸控面板基板變薄之情形下，亦可降低雜訊影響，並以高精度進行檢測。再者，即使變成On-Cell型之觸控面板，在無屏蔽電極且觸控面板之電極與顯示器之驅動電極距離較近之情形，亦可有效率地除去雜訊，並以高精度進行檢測。
以上，雖基於上述實施例具體說明了本發明者所完成之發明，但本發明並不限定於上述實施例，當然可在不脫離其要旨之範圍內進行各種變更。
雖然已描述當前被視為本發明之特定實施例之內容，但是應瞭解可對其作出多種修改，且希望隨附申請專利範圍涵蓋所有此等修改，如同此等修改落在本發明之真實精神及範疇內一般。
10．．．控制電路
11．．．控制電路部
12．．．掃描電路部
13．．．容量檢測電路部
14．．．控制信號
15．．．容量檢測信號
101．．．處理1
102．．．處理2
103．．．處理3
104．．．處理4
105．．．處理5
106．．．處理6
107．．．判斷1
108．．．處理7
109．．．判斷2
110．．．處理8
111．．．處理9
BL．．．背光源
D0~Dn．．．影像線
G0~Gm．．．掃描線
LC．．．液晶層
LCD．．．液晶顯示器
POL1．．．下偏光板
POL2．．．上偏光板
PR1．．．容量檢測電路部修正處理期間
PR2．．．雜訊量測定修正量計算期間
PR3．．．通常檢測期間
PSUB．．．保護板
PX．．．像素
SUB1．．．TFT基板
SUB2．．．彩色濾光基板
SW．．．開關電路
T1．．．子檢測期間
T2．．．子檢測期間
T3．．．子檢測期間
TA．．．檢測週期
TB．．．1檢測期間
TDE．．．觸控面板電極
TG．．．1掃描期間
TSUB．．．觸控面板基板
X0．．．檢測電極
X1．．．檢測電極
X2．．．檢測電極
X3．．．檢測電極
X4．．．檢測電極
X5．．．檢測電極
Y0．．．掃描電極
Y1．．．掃描電極
Y2．．．掃描電極
Y3．．．掃描電極
Y4．．．掃描電極
Y5．．．掃描電極
Y6．．．掃描電極
Y7．．．掃描電極
圖1A係顯示本發明之實施例1之觸控顯示器之一例之剖面結構之剖面圖。
圖1B係顯示本發明之實施例1之觸控顯示器之其他例之剖面結構之剖面圖。
圖2係用於說明本發明之實施例1之觸控面板之電極形狀之平面圖。
圖3係本發明之實施例1之觸控面板之控制電路之方塊圖。
圖4A係用於說明本發明之實施例1之觸控面板之動作之一例之時序圖。
圖4B係用於說明本發明之實施例1之觸控面板之動作之其他例之時序圖。
圖5係用於說明本發明之實施例1之觸控面板之控制電路之動作之流程圖。
圖6係說明本發明之實施例1之觸控面板之接觸位置之模式圖。
圖7係在本發明之實施例1之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形之、在X0~X5之檢測電極所檢測出之雜訊處理前之容量檢測信號之波形圖。
圖8係在本發明之實施例1之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，以圖5所示流程圖除去雜訊後之、在X0~X5之檢測電極所檢測出之雜訊處理後之容量檢測信號之波形圖。
圖9係在本發明之實施例1之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形下，根據圖5所示之流程圖所算出之信號檢測值之波形圖。
圖10係在本發明之實施例1之觸控面板中，有圖6所示之輸入之情形之信號檢測值之分布圖。
圖11係本發明之實施例2之顯示器之平面圖。
圖12係用於說明本發明之實施例2之觸控面板之電極形狀之平面圖。
圖13係用於說明本發明之實施例2之觸控面板之動作之時序圖。
圖14係本發明之實施例2之觸控面板之動作狀態圖。
圖15係顯示本發明之實施例2之觸控面板之雜訊量之分布結果之圖。
圖16係顯示本發明之實施例2之觸控面板之雜訊量修正值之分布結果之圖。
圖17係說明本發明之實施例2之觸控面板之控制電路之動作之流程圖。
圖18係顯示本發明之實施例2之顯示器之顯示圖案之一例之圖。
圖19係顯示使圖18所示之顯示圖案，藉由點反轉驅動法顯示於液晶顯示器之情形下，施加於圖11所示之D0~Dn之影像線之影像電壓之波形、及在圖12所示之X0~X7之檢測電極所產生之雜訊波形之波形圖。
圖20係顯示施加於圖11所示之D0~Dn之影像線之影像電壓在驅動電路(驅動器)近端之電壓波形；在驅動電路遠端之電壓波形；及在圖12所示之X0~X7之檢測電極所產生之雜訊波形之波形圖。
101．．．處理1
102．．．處理2
103．．．處理3
104．．．處理4
105．．．處理5
106．．．處理6
107．．．判斷1
108．．．處理7
109．．．判斷2
110．．．處理8
111．．．處理9

Claims (13)

  1. 一種靜電容量方式之觸控面板，其特徵為包含：複數之掃描電極，該等係設置於第1方向上；複數之檢測電極，該等係設置於與上述第1方向交叉之第2方向上；掃描電路部，其係將驅動電壓輸入上述複數之掃描電極中一掃描電極之1檢測期間，分割為n(n≧2)個子檢測期間，且在1~n之各個子檢測期間依序對上述一掃描電極輸入驅動電壓；容量檢測電路部，其係將上述複數之檢測電極，以在1~n組中鄰接之組至少包含1支相同之檢測電極的方式，分割成1~n組，且在上述子檢測期間，輸入來自對應上述子檢測期間之上述組內之各檢測電極的信號，並檢測各檢測電極之容量檢測信號；及控制電路部，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述容量檢測信號，算出容量檢測信號變化量，並基於該算出之上述容量檢測信號變化量，算出觸控位置之座標；且上述控制電路部，係在上述連續之子檢測期間，基於從上述至少1支相同之檢測電極連續檢測出之上述容量檢測信號，決定在上述連續之子檢測期間檢測出上述容量檢測信號之兩組內之各檢測電極的上述容量檢測信號變化量。
  2. 如請求項1之觸控面板，其中將上述連續之子檢測期間作為第k(1≦k≦n-1)個之子檢測期間、及第(k+1)個之子檢測期間時，上述掃描電路部，係於上述各掃描電極之上述第k個之子檢測期間、及上述第(k+1)個之子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；上述容量檢測電路部，係在上述第k個之子檢測期間，輸入來自上述第k個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號，且在上述第(k+1)個之子檢測期間，輸入來自上述第(k+1)個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號；上述控制電路部係包含：第k個共同雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述第k個組之共同雜訊量；第k個雜訊除去機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，使用在上述第k個共同雜訊量算出機構所算出之上述第k個組之共同雜訊量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號；第k個變化量算出機構，其係從在上述第k個雜訊除去機構所算出之上述第k個組內之各檢測電極之上述雜訊除去後的容量檢測信號，算出上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號變化量；第(k+1)個共同雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號，算出上述第(k+1)個組之共同雜訊量；第(k+1)個雜訊除去機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號，使用在上述第(k+1)個共同雜訊量算出機構所算出之上述第(k+1)個組之共同雜訊量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號；第(k+1)個變化量算出機構，其係從在上述第(k+1)個雜訊除去機構所算出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之上述雜訊除去後之容量檢測信號，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量；及變化量決定機構，其係比較在上述第k個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量，與在上述第(k+1)個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量，基於該比較結果，決定上述第k個及第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量。
  3. 如請求項2之觸控面板，其中上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量，係以未觸控上述觸控面板時之上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號作為基準值而算出；上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量，係以未觸控上述觸控面板時之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號作為基準值而算出。
  4. 如請求項2之觸控面板，其中上述第k個組之共同雜訊量，係上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號之最小值、或平均值、又或中間值；上述第(k+1)個組之共同雜訊量，係上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號之最小值、或平均值、又或中間值。
  5. 如請求項2之觸控面板，其中上述第k個雜訊除去機構，係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號，除去在上述第k個共同雜訊量算出機構所算出之上述第k個組之共同雜訊量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號；第(k+1)個雜訊除去機構，係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號，除去在上述第(k+1)個共同雜訊量算出機構所算出之上述第(k+1)個組之共同雜訊量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後之容量檢測信號。
  6. 如請求項2之觸控面板，其中在將上述第k個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量作為A，上述第(k+1)個變化量算出機構所算出之上述至少1支相同之檢測電極之容量檢測信號變化量作為B，Th作為特定臨限值時，上述變化量決定機構，於滿足|A-B|≦Th時，不修正上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量、及上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量；於滿足|A-B|>Th時，修正上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量，或上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量。
  7. 如請求項6之觸控面板，其中上述變化量決定機構，於滿足A>B時，不修正上述第k個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量，而廢除在上述第(k+1)個組內之上述至少1支相同之檢測電極的容量檢測信號變化量，且在上述至少1支相同之檢測電極以外之各檢測電極之容量檢測信號變化量上加上A值；於滿足A<B時，不修正上述第(k+1)個組內之各檢測電極之容量檢測信號變化量，而廢除在上述第k個組內之上述至少1支相同之檢測電極的容量檢測信號變化量，且在上述至少1支相同之檢測電極以外之各檢測電極之容量檢測信號變化量上加上B值。
  8. 如請求項1之觸控面板，其中上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上；上述顯示面板係包含設置於第1方向上之複數之影像線。
  9. 如請求項1之觸控面板，其中上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上；上述顯示面板係包含設置於第1方向上之複數之影像線；在測定修正量計算期間，上述顯示面板整面顯示相同顏色；上述掃描電路部，係在上述測定修正量計算期間，於上述各掃描電極以第1個至第n個之順序之各個子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；上述容量檢測電路部，係在上述測定修正量計算期間，於第1個至第n個之子檢測期間，輸入來自上述第1個至第n個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第1個至第n個組內之各檢測電極的容量檢測信號；上述控制電路部，係在上述測定修正量計算期間，算出在上述各掃描電極之上述第1個至第n個之各個子檢測期間、並為上述第1個至第n個之組內之各檢測電極之雜訊修正量。
  10. 如請求項2之觸控面板，其中上述靜電容量方式之觸控面板係配置於顯示面板上；上述顯示面板係包含設置於第1方向上之複數之影像線；在測定修正量計算期間，上述顯示面板整面顯示相同顏色；上述掃描電路部，係在上述測定修正量計算期間，於上述各掃描電極以第1個至第n個之順序之各個子檢測期間，對該掃描電極輸入驅動電壓；上述容量檢測電路部，係在上述測定修正量計算期間，於第1個至第n個之子檢測期間，輸入來自上述第1個至第n個組內之各檢測電極之信號，並檢測上述第1個至第n個組內之各檢測電極之容量檢測信號；上述控制電路部係包含：第k個檢測電極雜訊量算出機構，其係在上述測定修正量計算期間，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊量；第k個修正量算出機構，其係從在上述第k個檢測電極雜訊量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊量，算出上述各掃描電極之上述第k個之子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊修正量；第(k+1)個檢測電極雜訊量算出機構，其係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極的容量檢測信號，算出上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊量；及第(k+1)個修正量算出機構，其係從在上述第(k+1)個檢測電極雜訊量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊量，算出上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊修正量；在上述第k個雜訊除去機構中，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個之組內之各檢測電極的容量檢測信號，使用上述第k個組之共同雜訊量、及在上述第k個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極的雜訊修正量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號；在上述第(k+1)個共同雜訊量算出機構中，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極的容量檢測信號，使用上述第(k+1)個組之共同雜訊量，及在上述第(k+1)個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極的雜訊修正量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號。
  11. 如請求項10之觸控面板，其中在上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極所算出之雜訊量，係從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極所檢測出之容量檢測信號的最大值、最小值、或平均值；在上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極所算出之雜訊量，係從在上述第(k+1)個組內之各檢測電極所檢測出之容量檢測信號的最大值、最小值、或平均值。
  12. 如請求項10之觸控面板，其中上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極所算出之雜訊修正量，係與在上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極所算出之雜訊量成比例之值；上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極所算出之雜訊修正量，係與在上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極所算出之雜訊量成比例之值。
  13. 如請求項10之觸控面板，其中在上述第k個變化量算出機構中，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第k個組內之各檢測電極的容量檢測信號，除去上述第k個組之共同雜訊量，及在上述第k個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第k個之各個子檢測期間、並為上述第k個組內之各檢測電極之雜訊修正量，算出上述第k個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號；在上述第(k+1)個變化量算出機構中，從在上述容量檢測電路部所檢測出之上述第(k+1)個組內之各檢測電極的容量檢測信號，除去上述第(k+1)個組之共同雜訊量，及在上述第(k+1)個修正量算出機構所算出之上述各掃描電極之上述第(k+1)個之各個子檢測期間、並為上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊修正量，算出上述第(k+1)個組內之各檢測電極之雜訊除去後的容量檢測信號。
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