TWI494840B - 自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法、其系統及電容式感應晶片 - Google Patents

自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法、其系統及電容式感應晶片 Download PDF

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自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法、其系統及電容式感應晶片
本發明屬於觸摸螢幕技術領域，尤其關於一種具有單層導電電極結構的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法、其系統及電容式感應晶片。
當前，電容式觸摸螢幕以其高可靠性和耐用性而被廣泛應用在各類電子設備中，第1圖表示了自電容式觸摸螢幕的典型結構。
如第1圖所示，自電容式觸摸螢幕一般包括：具有表面硬度的蓋板、感應用戶觸發狀態的導電電極、以及貼合在蓋板和導電電極之間的貼合層；其中的導電電極是單層或多層膜結構，是在玻璃或薄膜材料表面，用導電材料製成橫向或縱向的電極陣列，導電電極與地之間形成自電容Cp。其工作原理是：當手指觸摸蓋板時，人體等效為大地，手指與導電電極之間形成電容Cf，電容Cf與自電容Cp並聯，使得導電電極中相應通道的感應電容增加；電容式感應晶片實時採集各通道的感應電容，當感應電容相對自電容Cp的變化量大於觸摸門檻值時，則認為存在觸摸，之後根據觸點區域各通道的變化量的比例關係，計算得到觸 點坐標，之後將觸點坐標輸出給主處理器，由主處理器執行觸摸應用。
但在實際應用中，自電容式觸摸螢幕本身會由於壓力原因而存在一定的形變，使得導電電極與地之間的距離縮小。該形變引起的自電容Cp變化量為△Cp，則電容式感應晶片實際檢測到的感應電容相對自電容Cp的變化量為△Cp+Cf。習知技術均忽略了自電容變化量△Cp對觸摸點識別結果的影響，而對於無觸摸區域，若變化量△Cp大於觸摸門檻值，則電容式感應晶片會識別該區域存在觸摸，出現假點，造成觸摸點識別不準確、影響觸摸應用的正確執行，降低了用戶的體驗效果。
本發明實施例的目的在於提供一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，旨在解決習知技術由於忽略了自電容變化量對觸摸點識別結果的影響，導致在無觸摸區域有可能識別到觸摸而出現假點，影響觸摸應用正確執行，降低用戶體驗性的問題。
本發明實施例是這樣實現的，一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，該方法包括：檢測單層導電電極中、各通道的感應電容相對自電容的變化量；提取各通道的變化量中的最大值，以及與最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量作為變量； 若最大值不大於門檻值關係式的值，則識別引起當前變化量的點為假點並濾除假點。
本發明實施例的另一目的在於提供一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，該系統包括：檢測模組，用於檢測單層導電電極中、各通道的感應電容相對自電容的變化量；第一計算模組，用於提取各通道的變化量中的最大值，以及與最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量作為變量；第一識別模組，用於當第一計算模組提取的最大值不大於第一計算模組計算得到的門檻值關係式的值時，識別引起當前變化量的點為假點並濾除假點。
本發明實施例的另一目的在於提供一種電容式感應晶片，電容式感應晶片連接單層導電電極和主處理器，電容式感應晶片包括如上所述的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統。
本發明實施例提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法及其系統是利用一門檻值關係式對習知的觸摸門檻值進行了修正，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與電容變化量最大的通道相鄰的兩個通道中、較小的變化量作為變量，若最大值不大於門檻值關係式的值，則將引起當前變化量的點作為假點濾除。該方法由於考慮了壓力引起的形變所導致的自電容的變化，因而可更加準確的識別出真實的觸摸點，保證了觸摸應用的正確執行，並提高了用戶體驗性。
11‧‧‧檢測模組
12‧‧‧第一計算模組
13‧‧‧第一識別模組
14‧‧‧第二識別模組
15‧‧‧第二計算模組
16‧‧‧第三計算模組
161‧‧‧第一計算子模組
162‧‧‧第二計算子模組
163‧‧‧第三計算子模組
164‧‧‧第四計算子模組
165‧‧‧第五計算子模組
17‧‧‧偏移補償模組
171‧‧‧第六計算子模組
172‧‧‧第七計算子模組
173‧‧‧第八計算子模組
174‧‧‧偏移補償子模組
A‧‧‧陰影區域
D‧‧‧高度
L‧‧‧寬度
S1~S7‧‧‧步驟
S61~S65‧‧‧步驟
S71~S74‧‧‧步驟
T‧‧‧中心線
T1、T2‧‧‧虛線
Xmax‧‧‧水平分辨率為
Ymax‧‧‧垂直分辨率為
第1圖是習知技術提供的自電容式觸摸螢幕之典型結構圖；第2圖是本發明實施例一提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法之流程圖；第3圖是本發明實施例二提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法之流程圖；第4圖是本發明實施例二中，計算與觸摸無關的壓力值之詳細流程圖；第5圖是本發明實施例二中，對當前觸摸點的原始坐標值進行偏移補償之詳細流程圖；第6圖是本發明中，兩列橫三角圖案的單層導電電極在發生觸摸時，出現坐標偏移之示意圖；第7A圖是習知技術中，具有兩列豎三角圖案的單層導電電極之示意圖；第7B圖是習知技術中，具有四列豎三角圖案的單層導電電極之示意圖；第8圖是本發明實施例三提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統之結構圖；第9圖是本發明實施例四提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統之結構圖； 第10圖是第9圖中，第三計算模組的結構圖；第11圖是第9圖中，偏移補償模組之結構圖。
為了使本發明的目的、技術手段及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。
針對習知技術存在的問題，本發明提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法及其系統是利用一門檻值關係式對習知的觸摸門檻值進行了修正，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與電容變化量最大的通道相鄰的兩個通道中、較小的變化量作為變量。以下結合實施例詳細說明本發明的實現方式：
實施例一
本發明實施例一提供了一種自電容式觸摸螢幕的重壓處理方法，如第2圖所示，包括：
步驟S1：檢測單層導電電極中、各通道的感應電容相對自電容的變化量。
步驟S2：提取各通道的變化量中的最大值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量作為變量。
進一步地，該門檻值關係式可表示為：Diff_ref×Ratio+Q，其中，Diff_ref表示與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、 較小的變化量，Ratio表示一比例係數，Q表示觸摸門檻值，且比例係數Ratio可根據實際系統進行微調。
步驟S3：若該最大值不大於門檻值關係式的值，則識別引起當前變化量的點為假點並濾除該假點。
本發明實施例一中，濾除該假點是指並不計算引起當前變化量的點的坐標，或者不輸出引起當前變化量的點的坐標，或者不以引起當前變化量的點的坐標為基礎，執行觸摸應用。
本發明實施例一提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法是利用一門檻值關係式對習知的觸摸門檻值進行了修正，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與電容變化量最大的通道相鄰的兩個通道中、較小的變化量作為變量，若最大值不大於門檻值關係式的值，則將引起當前變化量的點作為假點濾除。該方法由於考慮了壓力引起的形變所導致的自電容Cp的變化，因而可更加準確的識別出真實的觸摸點，保證了觸摸應用的正確執行，並提高了用戶體驗性。
實施例二
本發明實施例二提供了一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，如第3圖所示。與實施例一不同，實施例二在實施例一的基礎上，在步驟S3之後，更包括：
步驟S4：若該最大值大於門檻值關係式的值，則識別引起當前變化量的點為真實的觸摸點。
步驟S5：計算當前觸摸點的原始坐標值。
步驟S6：根據各通道的變化量，計算每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值。
進一步地，如第4圖所示，步驟S6又可以包括：
步驟S61：計算各通道的變化量之和，得到第一總和值。
步驟S62：計算各通道的變化量中的最大值、以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量之和，得到第二總和值。
步驟S63：計算第一總和值與第二總和值之差，得到與觸摸無關的壓力總值。
步驟S64：計算除最大值對應的通道及其相鄰兩個通道之外的其它通道的數量。
步驟S65：將與觸摸無關的壓力總值除以其它通道的數量，得到每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值。
步驟S7：根據壓力值、水平分辨率和垂直分辨率，對當前觸摸點的原始坐標值進行偏移補償，得到當前觸摸點的實際坐標值。
進一步地，如第5圖所示，步驟S7又可以包括：
步驟S71：根據水平分辨率和原始坐標值的橫坐標，計算引起偏移的水平位置因素。
步驟S72：根據垂直分辨率和原始坐標值的縱坐標，計算引起偏移的垂直位置因素。
步驟S73：計算水平位置因素、垂直位置因數與壓力值的乘積，之後除以一常數，得到偏移量。
步驟S74：利用偏移量，對原始坐標值進行偏移補償，得到當前觸摸點的實際坐標值。
以下以自電容式觸摸螢幕具有兩欄橫三角圖案的單層導電 電極為例，說明本發明實施例二的上述方法：如第6圖所示，首先執行步驟S1至步驟S3，以濾除假點，具體為：假設在經過步驟S1後，在步驟S2中提取各通道的變化量中的最大值為Diff_p，與最大值Diff_p對應的通道相鄰的前一通道的變化量為Diff_left，與最大值Diff_p對應的通道相鄰的後一通道的變化量為Diff_right，之後選取Diff_left和Diff_right中較小的值作為變量Diff_ref，計算門檻值關係式Diff_ref×Ratio+Q的值。若最大值Diff_p(Diff_ref×Ratio+Q)，則在步驟S3中識別引起當前變化量的點為假點並濾除該假點。
之後執行步驟S4至步驟S7，以對觸摸偏移進行補償，具體為：若最大值Diff_p>(Diff_ref×Ratio+Q)，則在步驟S4中識別引起當前變化量的點為真實的觸摸點，如第6圖中，陰影區域A即為步驟S4識別出的真實的觸摸點。之後，在步驟S5中，假設導電電極的寬度是L，每一組導電電極的高度是D，導電電極組數是n，每一組導電電極中，右側電極的變化量為x'p(n)，左側電極的變化量為xp(n)，觸摸點的原始橫坐標為X 0，觸摸點的原始縱坐標為Y 0，則有：
yp(n)=x'p(n)+xp(n)
之後，在步驟S6中，計算每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值，該步驟又詳細包括，在步驟S61中，計算全部導電 電極的各通道的變化量之和，得到第一總和值sum1；在步驟S62中，計算Diff_p、Diff_right與Diff_left之和，得到第二總和值sum2；在步驟S63中，計算與觸摸無關的壓力總值sum=sum1-sum2，；在步驟S64中，計算除最大值對應的通道及其相鄰兩個通道之外的其它通道的數量n'；在步驟S65中，計算每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值CH=(sum1-sum2)/n'。
之後，在步驟S7中，對當前觸摸點的原始坐標值進行偏移補償，得到當前觸摸點的實際坐標值。由於疊加了重壓效果後，橫坐標近似為：
若假設水平分辨率為Xmax，則當X 0<Xmax/2時，疊加重壓後的橫坐標>X 0，即是說，疊加重壓後橫坐標向右偏移，如第6圖中虛線T1所示；而當X 0>Xmax/2時，疊加重壓後的橫坐標<X 0，即是說，疊加重壓後橫坐標向左偏移，如第6圖中虛線T2所示。可見，疊加重壓的效果是使得同一橫坐標上各點向中心線T處發生偏移。由此，步驟S7又詳細包括，在步驟S71中，假設水平分辨率為Xmax，計算引起偏移的水平位置因素Cx=｜X 0-Xmax/2｜；在步驟S72中，垂直分辨率為Ymax，計算引起偏移的垂直位置因素Cy=Ymax/2-｜Y 0-Ymax/2｜；在步驟S73中，計算偏移量△X=Cx×Cy×CH/A，其中，A為一常數，可根據實際系統進行微調；在步驟S74中，對原始橫坐標及原始縱坐標進行偏移補償，當X 0<Xmax/2時，實際橫坐標X1=X 0-△X，當X 0>Xmax/2時，實際橫坐標X1=X 0+△X，實際縱坐標Y1=Y 0。
在實際中，自電容式觸摸螢幕中的單層導電電極更可以是 第7A圖所示的兩列豎三角圖案，或如第7B圖所示的四列豎三角圖案，當然更可以蝕刻為其它形狀的圖案，其基本原理均與如上兩列橫三角圖案的處理方式相類似，在此不一一列舉。
本發明實施例二提供的自電容式觸摸螢幕的重壓處理方法在實施例一的基礎上，更根據壓力值、水平位置因素和垂直位置因素，對真實的觸摸點坐標進行了偏移補償。在實際應用中，不僅濾除了假點，更實現了對真實的觸摸點坐標的校正，進一步保證了觸摸應用的正確執行，並進一步提高了用戶體驗性。
實施例三
本發明實施例三提供了一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，如第8圖所示，包括：檢測模組11，用於檢測單層導電電極中、各通道的感應電容相對自電容的變化量；第一計算模組12，用於提取各通道的變化量中的最大值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量作為變量；第一識別模組13，用於當第一計算模組12提取的該最大值不大於第一計算模組12計算得到的門檻值關係式的值時，識別引起當前變化量的點為假點並濾除該假點。其中，對濾除假點的描述如實施例一所述，在此不贅述。
進一步地，該門檻值關係式可表示為：Diff_ref×Ratio+Q，其中，Diff_ref表示與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量，Ratio表示一比例係數，Q表示觸摸門檻值，且比例係數Ratio可根據實際系統進行微調。
本發明實施例三提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統 利用一門檻值關係式對習知的觸摸門檻值進行了修正，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與電容變化量最大的通道相鄰的兩個通道中、較小的變化量作為變量，若最大值不大於門檻值關係式的值，則將引起當前變化量的點作為假點濾除。該方法由於考慮了壓力引起的形變所導致的自電容Cp的變化，因而可更加準確的識別出真實的觸摸點，保證了觸摸應用的正確執行，並提高了用戶體驗性。
實施例四
本發明實施例四提供了一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，如第9圖所示。與實施例三不同，實施例四在實施例三的基礎上，系統更包括：第二識別模組14，用於當第一計算模組12提取的該最大值大於第一計算模組12計算得到的門檻值關係式的值時，識別引起當前變化量的點為真實的觸摸點；第二計算模組15，用於計算第二識別模組14識別出的當前觸摸點的原始坐標值；第三計算模組16，用於根據檢測模組11檢測到的各通道的變化量，計算每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值；偏移補償模組17，用於根據第三計算模組16計算得到的壓力值、水平分辨率和垂直分辨率，對第二計算模組15計算得到的當前觸摸點的原始坐標值進行偏移補償，得到當前觸摸點的實際坐標值。
進一步地，如第10圖所示，第三計算模組16可以包括：第一計算子模組161，用於計算各通道的變化量之和，得到第一總和值；第二計算子模組162，用於計算各通道的變化量中的最大值、以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量之和，得到第二總和值；第三計算子模組163，用於計算第一總和值與第二總和值之差，得到與觸摸無關的壓力總值；第四計算子模組164，用於計算除最大值對應的通道及其相鄰兩個通道之外的其它通道的數量；第五計算子模組165，用 於將與觸摸無關的壓力總值除以其它通道的數量，得到每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值。
進一步地，如第11圖所示，偏移補償模組17可以包括：第六計算子模組171，用於根據水平分辨率和原始坐標值的橫坐標，計算引起偏移的水平位置因素；第七計算子模組172，用於根據垂直分辨率和原始坐標值的縱坐標，計算引起偏移的垂直位置因素；第八計算子模組173，用於計算水平位置因素、垂直位置因數與壓力值的乘積，之後除以一常數，得到偏移量；偏移補償子模組174，用於利用偏移量，對原始坐標值進行偏移補償，得到當前觸摸點的實際坐標值。
本發明實施例四提供的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統在實施例三的基礎上，更根據壓力值、水平位置因素和垂直位置因素，對真實的觸摸點坐標進行了偏移補償。在實際應用中，不僅濾除了假點，更實現了對真實的觸摸點坐標的校正，進一步保證了觸摸應用的正確執行，並進一步提高了用戶體驗性。
實施例五
本發明實施例五提供了一種電容式感應晶片，該電容式感應晶片連接單層導電電極和主處理器，包括如實施例四或實施例五所述的自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，在此不贅述。其中，檢測模組11連接單層導電電極，第一識別模組13或偏移補償模組17連接主處理器。
本領域的技術人員可以理解實現上述實施例方法中的全部或部分步驟是可以藉由程序來控制相關的硬體完成，所述的程序可以在儲存於一電腦可讀取儲存元件中，所述的儲存元件，如唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)/隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)、磁碟、光碟等。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
S1~S3‧‧‧步驟

Claims (8)

  1. 一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，其方法包括：檢測單層導電電極中各通道的感應電容相對自電容的變化量；提取各通道的該變化量中的最大值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量中、較小的變化量作為變量；若該最大值不大於該門檻值關係式的值，則識別引起當前變化量的點為假點並濾除該假點；若該最大值大於門檻值關係式的值，則識別引起當前變化量的點為真實的觸摸點；計算當前該觸摸點的原始坐標值；根據各通道的該變化量，計算每一與觸摸無關的通道上與觸摸無關的壓力值；根據該壓力值、水平分辨率和垂直分辨率，對當前該觸摸點的該原始坐標值進行偏移補償，得到當前該觸摸點的實際坐標值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，其中該門檻值關係式表示為：Diff_ref×Ratio+Q其中，該Diff_ref表示與該最大值對應的通道相鄰的兩通道的變化量中、較小的變化量，該Ratio表示一比例係數，該Q表示觸摸門檻值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，其中該根據各通道的該變化量，計算每一與觸摸無關的通道上與觸摸無關的壓力值的步驟包括：計算各通道的該變化量之和，得到第一總和值；計算各通道的該變化量中的最大值以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量之和，得到第二總和值；計算該第一總和值與該第二總和值之差，得到與觸摸無關的壓力總值；計算除該最大值對應的通道及其相鄰兩通道之外的其它通道的數量；將該與觸摸無關的壓力總值除以該其它通道的數量，得到每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法，其中該根據該壓力值、水平分辨率和垂直分辨率，對當前該觸摸點的該原始坐標值進行偏移補償，得到當前該觸摸點的實際坐標值的步驟包括：根據水平分辨率和原始坐標值的橫坐標，計算引起偏移的水平位置因素；根據垂直分辨率和原始坐標值的縱坐標，計算引起偏移的垂直位置因素；計算該水平位置因素、該垂直位置因數與該壓力值的乘積，之後除以一常數，得到偏移量；利用該偏移量，對該原始坐標值進行偏移補償，得到當前該觸摸點的實際坐標值。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處 理方法，其中該單層導電電極具有兩列橫三角圖案；該水平位置因素Cx滿足：Cx=｜X0-Xmax/2｜，該X0為該原始坐標值中的原始橫坐標，該Xmax為該水平分辨率；該垂直位置因素Cy滿足：Cy=Ymax/2-｜Y0-Ymax/2｜，該Y0為該原始坐標值中的原始縱坐標，該Ymax為該垂直分辨率；當x0<Xmax/2時，該實際坐標值中的實際橫坐標X1滿足：X1=X0-△X，當X0>Xmax/2時，該實際坐標值中的實際橫坐標X1滿足：X1=X0+△X，該△X為該偏移量；該實際坐標值中的實際縱坐標Y1滿足：Y1=Y0。
  6. 一種自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，其系統包括：一檢測模組，用於檢測單層導電電極中各通道的感應電容相對自電容的變化量；一第一計算模組，用於提取各通道的該變化量中的最大值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩通道的變化量，之後計算門檻值關係式的值，該門檻值關係式將觸摸門檻值，以及與該最大值對應的通道相鄰的兩通道的變化量中較小的變化量作為變量；一第一識別模組，用於當該第一計算模組提取的該最大值不大於該第一計算模組計算得到的該門檻值關係式的值時，識別引起當前變化量的點為假點並濾除該假點；一第二識別模組，用於當該第一計算模組提取的該最大值大於該第一計算模組計算得到的該門檻值關係式的值時，識別引起當前變化量的點為真實的觸摸點； 一第二計算模組，用於計算該第二識別模組識別出的當前該觸摸點的原始坐標值；一第三計算模組，用於根據該檢測模組檢測到的各通道的該變化量，計算每一與觸摸無關的通道上與觸摸無關的壓力值；一偏移補償模組，用於根據該第三計算模組計算得到的該壓力值、水平分辨率和垂直分辨率，對該第二計算模組計算得到的當前該觸摸點的原始坐標值進行偏移補償，得到當前該觸摸點的實際坐標值。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統，其中該第三計算模組包括：一第一計算子模組，用於計算各通道的該變化量之和，得到第一總和值；一第二計算子模組，用於計算各通道的該變化量中的最大值、以及與該最大值對應的通道相鄰的兩個通道的變化量之和，得到第二總和值；一第三計算子模組，用於計算該第一總和值與該第二總和值之差，得到與觸摸無關的壓力總值；一第四計算子模組，用於計算除該最大值對應的通道及其相鄰兩通道之外的其它通道的數量；一第五計算子模組，用於將該與觸摸無關的壓力總值除以該其它通道的數量，得到每一與觸摸無關的通道上、與觸摸無關的壓力值；該偏移補償模組包括： 一第六計算子模組，用於根據水平分辨率和原始坐標值的橫坐標，計算引起偏移的水平位置因素；一第七計算子模組，用於根據垂直分辨率和原始坐標值的縱坐標，計算引起偏移的垂直位置因素；一第八計算子模組，用於計算該水平位置因素、該垂直位置因數與該壓力值的乘積，之後除以一常數，得到偏移量；一偏移補償子模組，用於利用該偏移量，對該原始坐標值進行偏移補償，得到當前該觸摸點的實際坐標值。
  8. 一種電容式感應晶片，該電容式感應晶片連接單層導電電極和主處理器，其中該電容式感應晶片包括如申請專利範圍第6至7項中任一項所述之自電容式觸摸螢幕之重壓處理系統。
TW102114822A 2013-04-25 2013-04-25 自電容式觸摸螢幕之重壓處理方法、其系統及電容式感應晶片 TWI494840B (zh)

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