TWI463690B - A semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device - Google Patents

Description

半導體發光裝置、由此半導體發光裝置所成背光及顯示裝置

本發明係有關半導體發光裝置，以及使用此而成之背光及顯示裝置。更詳細係本發明乃有關亮度不勻或色度不勻情形較少之半導體發光裝置，使用此所成之背光及顯示裝置。

發光二極體(Light Emitting Diode，以下LED)係為將電性能量變換為紫外光或可視光等之光而放射之半導體元件，並以各種領域使用例如以透明樹脂密封如此之LED晶片之LED燈。而LED晶片係因為為半導體元件，故從長壽命且信賴性高，對於做為光源而使用之情況，減輕交換作業之情況，成為作為攜帶通信機器，PC周邊機器，OA機器，家庭用電器機器，信號裝置，各種開關類，背光型顯示板等之各種顯示裝置之構成構件而被廣泛利用。

此等之中，對於液晶背光係現在主要使用冷陰極管，但冷陰極管係含有汞等，對於環境有害，另外，LED則具有如前述之多數優點，銳意檢討對於LED之切換。但，另一方面，LED係在光均一性與亮度方面，較冷陰極線管差，而為了解決此等問題之情況則成為朝向正式應用展開之課題。

關於光均一性，LED之所以成為問題主要有三個理由。首先，第一，係經由LED相當1個大小，作為代表 性之構成為0.3mm×0.3mm×0.25mm程度之小的點光源之情況。通常係將複數個LED排列於基板上使用，無論做為任何形式之排列，無法成為完全之線光源或面光源，而有經由LED之明亮發光的部分，和經由LED與LED之間隙的非發光部分，產生明亮度的不勻之問題。

第二的理由係為LED本身之發光不勻。LED係通常以長方體或近似長方體之形狀所使用，但對於從長方體之各面所釋放的光的強度會有差異，依取出來自LED的光之方向的不同，會產生亮度差之情況。

第三之不均一性係為顏色不勻。關於顏色不勻係為對於組合LED與螢光體材料等之波長變換材料，例如合成白色光之情況而產生的問題。例如，在至現在為止所實用之事例中，係有日本特開2003－315796號公報。而此發明係為組合藍色發光LED與黃色發光螢光體(YAG等)而得到白色發光之構成，但具有著經由所視方向而看到偏黃，另外在投影至白色面時，出現黃色或藍色的不勻之難點。因此，此形式之白色LED燈係亦稱作為擬似白色。

對於冷陰極管之LED的缺點之中，關於明亮度係經由使用多數個LED的情況，可解決某種程度，但對於光均一性並沒有有效之對策，成為很大的課題。

專利文獻1：日本特開2003－315796號公報

本發明係為解決上述課題之構成，其目的係為提供光均一性提升之半導體發光裝置。而本發明係將改善光均一性之問題的同時，得到演色性良好之更明亮自然之多色發光裝置成為目的者。

有關本發明之半導體發光裝置，其特徵乃於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減低化層，前述波長變換材料層則含有吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料者。

有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想為前述光強度差減低化層乃包含由透明樹脂材料而成者。

有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想為前述波長變換材料層則於透明樹脂材料中，包含吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散者。

有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想為包含由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之連續層，以及被覆該光強度差減低化層之連續層的波長變換材料層之連續層而成者。

有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想為包含 由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意1個或2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之非連續層，以及被覆該光強度差減低化層之非連續層的波長變換材料層之連續層而成者。

有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想為前述光強度差減低化層乃包含呈被覆前述紫外線半導體發光元件，以及連接於該紫外線半導體發光元件之配線的兩者所形成者。

另外，經由本發明之背光，其特徵乃由上述任一之半導體發光裝置而成之構成者。

並且，經由本發明之顯示裝置，其特徵乃具備上述背光之情況者。

經由本發明之半導體發光裝置係由於為於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之間形成有光強度差減低化層者，因而在紫外線半導體發光元件所產生的光(含有紫外線等)則在透過光強度差減低化層時被均一化，並且由於光均一地到達至波長變換材料層，因而改善在波長變換材料層之發光的均一性。

到達至波長變換材料層的光之均一性係均一化存在於波長變換材料層中之螢光體之發色，特別是將存在於波長變換材料層之複數種的螢光體之發色平衡作為良好。因而 可得到演色性良好之可更自然表現色彩之多色發光裝置。

隨之，有關本發明之發光裝置係可發揮其優越之特性而利用於各用途。本發明之效果則做為特別認為顯著之構成，係可舉出各種顯示裝置，理想係如行動電話，攜帶資訊終端，電子辭典，數位相機，電腦，液晶TV及此等週邊機器等，針對在特別要求小型化，輕量化，薄型化，省電化及即使在太陽光之中，亦可得到良好辨識性之高亮度，以及良好演色性之機器的顯示裝置之發光裝置等。

有關本發明的半導體發光裝置，其特徵乃為於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減低化層。

經由如此本發明之半導體發光裝置之特別理想之一具體例，係可舉出圖1所示之裝置。而經由其圖1所示之本發明的半導體發光裝置1係為於設置於基板2上之1個紫外線半導體發光元件3之表面，形成有光強度差減低化層4，更加地，於其光強度差減低化層4的表面，形成有波長變換材料層5。

針對在經由圖1所示之本發明的半導體發光裝置1，作為紫外線半導體發光元件3係特別理想為紫外線半導體發光元件，另外，前述波長變換材料層5乃理想為含有吸收來自前述紫外線半導體發光元件3之紫外光，發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換 材料。而連接配線6於其紫外線半導體發光元件3之表面部的情況，前述光強度差減低化層4係理想為呈被覆前述紫外線半導體發光元件3及配線6之兩者地所形成者。

<紫外線半導體發光元件>

作為紫外線半導體發光元件係可利用各種構成。在本發明中，特別理想係針對在發光光譜，於360nm以上440nm之波長範圍內，具有峰值波長之紫外線半導體發光元件。作為如此紫外線半導體發光元件之具體例，係可舉出例如InGaN系，GaN系，AlGaN系之二極體等。

如此，經由使用於360nm以上440nm之波長範圍內，具有峰值波長之紫外線半導體發光元件之情況，根據與後述之波長變換材料的組合，可得到演色性更優越之白色發光裝置者。

(注：一般紫外線係指400nm以下之波長域。但多數的紫外線半導體發光元件係至440nm之範圍有著峰值波長，在發光光譜之短波長側，出現發光光譜於400nm以下之紫外線波長域，在此係做為紫外線半導體發光元件)。

<波長變換材料層>

在本發明之波長變換材料層係理想為吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散在透明樹脂材料中者。以下，將發光呈紅色的螢光體稱做紅色螢 光體，將發光呈藍色的螢光體稱做藍色螢光體，將發光呈綠色的螢光體稱做綠色螢光體。

經由上述之藍色發色螢光體及綠色發色螢光體，紅色發色螢光體之混合，得到白色光之情況，各螢光體的平均粒徑，並未特別限定，但理想係平均粒徑為3 μm以上。而平均粒徑為3 μm以上，也就是粒徑大的情況則容易得到高亮度。關於平均粒徑的上限，並無特別限定，可配合經由本發明之白色發光裝置的構造而作適當的決定，但過大時，由於不易均一地混合，理想之上限為平均粒徑100 μm以下。另外，關於藍色發色螢光體與綠色發色螢光體，紅色發色螢光體之混合比率，係如為作為發光元件而成為適當的色度之比率，而為任意。但理想為藍色發色螢光體10~25重量%，綠色發色螢光體10~25重量%，紅色發色螢光體50~80重量%之範圍內。

作為各單色之發光材料而使用藍色發色螢光體及綠色發色螢光體，紅色發色螢光體之情況係無平均粒徑等之限制。

使用在如此本發明之半導體發光裝置之紫外線半導體發光元件與螢光體之組合係做為理想之形態，最佳為前述紫外線半導體發光元件則針對在其發光光譜，於360nm以上440nm之波長範圍內，具有峰值波長之構成，作為波長變換材料之螢光體係具體而言，針對在其發光光譜，於440nm以上460nm以下之藍色部的波長範圍內，具有峰值波長，且於510nm以上530nm以下之綠色部的波長範圍 內，具有峰值波長，且於585nm以上630nm以下之紅色部的波長範圍內，具有峰值波長之構成的1種或組合則為最佳。

在如此之組合中，由於接受來自LED之紫外線能量而呈現均一發光，因而未產生不均一之不勻，另外並非為如稱為擬似白色之不自然的白色，而可得到更接近自然光之演色性優越之白色光等，故特別理想。

藍色發色螢光體

針對在本發明，作為理想之藍色發色螢光體係理想為針對在其發光光譜，於440nm以上460nm以下之藍色部的波長範圍內，具有峰值波長之構成。作為如此理想之藍色發色螢光體之具體例係可舉出以下記一般式(I)所表示之銪賦活鹵磷酸鹽螢光體。

(Sr_1－x－y Ba_x CayEu_z )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (I)[式中，x，y，z係為x<0.2，y<0.1，0.005<z<0.1。針對在其式(I)，x及y係包含0(零)]

對於針對在本發明，特別理想之藍色發色螢光體係包含下記之構成。

(1)(Sr_0.99 Eu_0.01 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (2)(Sr_0.97 Ca_0.02 Eu_0.01 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (3)(Sr_0.97 Eu_0.01 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (4)(Sr_0.75 Ba_0.23 Ca_0.01 Eu_0.01 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (5)(Sr_0.98 Eu_0.02 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ (6)(Sr_0.99 Eu_0.03 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂

在本發明中，特別是(1)(Sr_0.99 Eu_0.01 )₁₀ (PO₄ )₆ ．Cl₂ 則為理想。

綠色發色螢光體

針對在本發明，作為理想之綠色發色螢光體係理想為針對在其發光光譜，於510nm以上530nm以下之綠色部的波長範圍內，具有峰值波長之構成。作為如此理想之綠色發色螢光體之具體例係可舉出以下記一般式(II)所表示之銪，錳賦活鋁酸鹽螢光體。

(Ba_{1－x－y－z} Sr_x CayEu_z )(Mg_1－u Mn_u )Al₁₀ O₁₇ (II)[式中，x，y，z，u係為x<0.5，y<0.1，0.15<z<0.4，0.3<u<0.6針對在其式(II)，x及y係包含0(零)]

對於針對在本發明，特別理想之綠色發色螢光體係包含下記之構成。

(1)(Ba_0.726 Eu_0.274 )(Mg_0.65 Mn_0.35 )Al₁₀ O₁₇ (2)(Ba_0.726 Eu_0.274 )(Mg_0.50 Mn_0.50 )Al₁₀ O₁₇ (3)(Ba_0.25 Sr_0.475 Eu_0.275 )(Mg_0.55 Mn_0.45 )Al₁₀ O₁₇ (4)(Ba_0.756 Eu_0.274 )(Mg_0.55 Mn_0.45 )Al₁₀ O₁₇ (5)(Ba_0.756 Eu_0.274 )(Mg_0.65 Mn_0.35 )Al₁₀ O₁₇ (6)(Ba_0.35 Sr_0.375 Eu_0.275 )(Mg_0.55 Mn_0.45 )Al₁₀ O₁₇ (7)(Ba_0.75 Eu_0.25 )(Mg_0.55 Mn_0.45 )Al₁₀ O₁₇ (8)(Ba_0.726 Eu_0.274 )(Mg_0.55 Mn_0.45 )Al₁₀ O₁₇

在本發明中，特別是(1)(Ba_0.726 Eu_0.274 )(Mg_0.65 Mn_0.35 )Al₁₀ O₁₇ 則為理想。

紅色發色螢光體

針對在本發明，作為理想之紅色發色螢光體係理想為針對在其發光光譜，於585nm以上630nm以下之紅色部的波長範圍內，具有峰值波長之構成。作為如此理想之紅色發色螢光體之具體例係可舉出以下記一般式(III)所表示之銪，釤賦活稀土類硫氧化物螢光體。

M₂ O₂ S：Eu^3＋ _1－x ，Sm³ ＋_x (III) [式中，x係為x<0.5，M係從Y，La，Ga，Gd之中所選擇之至少1種以上，針對在其式(III)，x係包含0(零)]

對於針對在本發明，特別理想之紅色發色螢光體係包含下記之構成。

(1)La₂ O₂ S：Eu^3＋ _0.95 ，Sm^3＋ _0.05 (2)Y₂ O₂ S：Eu^3＋ (3)La₂ O₂ S：Eu^3＋ (4)Y₂ O₂ S：Eu^3＋ _0.95 ，Sm^3＋ _0.05

在本發明中，特別是(1)La₂ O₂ S：Eu^3＋ _0.95 ，Sm^3＋ _0.05 則為理想。

透明樹脂材料

作為透明樹脂材料，係可使用可使上述螢光體之粒子分散之合目的的任意之透明樹脂材料。而作為如此之透明樹脂材料之理想的具體例係可舉出例如環氧樹脂，胺酯樹脂，矽氧樹脂，變性環氧樹脂，變性矽氧樹脂。其中特別理想係為矽氧樹脂。

波長變換材料層

針對在本發明之波長變換材料層係為於前述透明樹脂材料中，吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散之構成。

其波長變換材料層係亦可於同一之波長變換材料層中，只將發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之任一種類作為分散，或將兩種類以上之螢光體作為分散。

波長變換材料層之形成方法，並無特別限定，但在本發明中，例如，將各色的螢光體粉末各自與透明樹脂材料混合之後，混合與各色樹脂之混合體而製作混合螢光體之方法，或預先混合各色之螢光體粉末彼此之後，混合透明樹脂材料而製作混合螢光體的方法等則為理想。

波長變換材料層之厚度係可因應波長變換材料之具體 種類或粒徑，填充密度，其他條件等而適當做訂定，但為0.3mm以上3.omm以下，特別理想為0.5mm以上2.0mm以下。

<光強度差減低化層>

針對在本發明之半導體發光裝置之光強度差減低化層係主要具有將在紫外線半導體發光元件產生的光，在透過其光強度差減低化層時，做為均一化，使光均一地到達至波長變換材料層之機能的構成。

在未形成有如此之光強度差減低化層之以往的半導體發光裝置之中，直接反映紫外線半導體發光元件之本身的發光不勻，或經由紫外線半導體發光元件之有無的激發能量之強度差，對於波長變換材料層，亦產生發光強度不勻，但在針對在形成有特定之光強度差減低化層之本發明的半導體發光裝置之中，通過光強度差減低化層之激發能量係為了謀求在其層內作為其強度之均一化，改善針對在波長變換材料層中的螢光體之發光均一性。

本發明之光強度差減低化層係可使用任意之透明樹脂材料而形成。作為如此之透明樹脂材料的理想具體例，係可舉出例如環氧樹脂，胺酯樹脂，矽氧樹脂，變性環氧樹脂，變性矽氧樹脂。其中特別理想係為矽氧樹脂。

形成光強度差減低化層之透明樹脂材料係針對在前述之波長變換材料層，亦可為與為了使波長變換材料分散所使用之透明樹脂材料同一種類之構成，或相異種類之構 成，但在本發明之中係理想為同一種類之構成。由此，光強度差減低化層與波長變換材料層之化學性，機械性之特性則相一致或近似，兩層間的接合強度之提升，或將經由熱，化學性影響之經時變化控制為最小限度，且更確實且有效率地進行兩層之形成作業之情況則變為更容易。

光強度差減低化層之厚度係考慮紫外線半導體發光元件之大小，或半導體發光裝置之具體的用途，紫外線半導體發光元件之發光不勻之程度，必要之光強度差減低化作用等，而可適宜作訂定，而在本發明中係為0.3mm以上3.0mm以下，特別理想為0.5mm以上2.0mm以下。

其光強度差減低化層則為呈被覆紫外線半導體發光元件以及連接於其紫外線半導體發光元件之配線的兩者地所形成之構成情況，其光強度差減低化層係同時亦發揮被覆雙方於紫外線半導體發光元件及配線而做固定化之機能。

<半導體發光裝置>

經由本發明之半導體發光裝置係為於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減低化層之構成。

針對在經由本發明之半導體發光裝置，光強度差減低化層係理想為直接接觸於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之兩者者，但亦可不直接接觸於此等。即，對於光強度差減低化層與紫外線半導體發光元件之間或光強度差減低化層與波得變換材料層之間係可因應必要而介入存 在有其他的層者。

經由如此之本發明之半導體發光裝置係將圖1所示之裝置作為理想之一具體例，但除此之外的裝置，亦作為其他理想的具體例而包含。圖2及圖3係為表示如此之其他的理想之具體例的構成。

圖2係為表示由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆複數個紫外線半導體發光元件之中之任意2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之連續層，以及被覆其光強度差減低化層之連續層的前述波長變換材料層之連續層而成，有關本發明之半導體發光裝置之一的理想具體例之構成。如根據如此之半導體發光裝置，成為可縮小光束之配光性，例如，可得到針對在使用導光板之背光等，可效率佳地輸入光束於其入光面之效果。

另外，圖3係為表示經由由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意1個或2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之非連續層，以及被覆其光強度差減低化層之非連續層的前述波長變換材料層之連續層而成的本發明之半導體發光裝置之一的理想具體例之構成。如根據如此之半導體發光裝置，成為可擴大光束之配光性，例如，可得到針對在正下方型背光，照明等，可廣範圍地照射光束之效果。

經由圖2及圖3所示之本發明的半導體發光裝置10 係為於配置在基板20上之複數個(具體而言係為3個)之紫外線半導體發光元件30的表面，形成有光強度差減低化層40，更於其光強度差減低化層40之表面，形成有波長變換材料層50之構成，而光強度差減低化層40係複數個紫外線半導體發光元件30則可呈含於做為共通之連續的光強度差減低化層40中地形成者(圖2)，另外，複數個紫外線半導體發光元件30則呈可含於做為各自獨立之光強度差減低化層40中地形成者(圖3)。

對於圖2及圖3係具體而言，表示3個紫外線半導體發光元件乃被覆於一個波長變換材料層50之連續層的半導體發光裝置，但，針對在經由本發明之半導體發光裝置，被覆於一個波長變換材料層之連續層之紫外線半導體發光元件的個數係為任意。而被覆於一個波長變換材料層之連續層中之紫外線半導體發光元件的個數係理想為2~16個，特別理想為3~8個。

<背光及顯示裝置>

經由本發明之背光，其特徵乃由上述任一之半導體發光裝置而成者。

作為經由如此之本發明之背光的理想具體例，係可舉出例如，將圖1~圖3所示之半導體發光裝置1，10，作為最小之構成單位(模組)，由其半導體發光裝置1，10之1單位(1模組)或2單位(2模組)以上而成之構成者。經由平面地，或依據狀況，三維地，有規則或不規則地重 複配置其構成單位(模組)之情況，可得到經由期望大小，面積之本發明的背光者。

在經由本發明之半導體發光裝置中，由於模組的尺寸小，因而可增加可設置於單位面積中之模組的數量。因而，經由模組之設置個數或設置密度為高之情況，更可謀求亮度的提升。

因而，經由本發明之半導體發光裝置及背光係可發揮其優越之特性而利用於各用途者。作為特別顯著認為本發明之效果的構成，係可舉出各種顯示裝置，理想係如行動電話，攜帶資訊終端，電子辭典，數位相機，電腦，液晶TV及此等週邊機器等，針對在特別要求小型化，輕量化，薄型化，省電化及即使在太陽光之中，亦可得到良好辨識性之高亮度，以及良好演色性之機器的顯示裝置之發光裝置等。

實施例 <實施例1>

經由下述方法而製作經由圖1所示之本發明的半導體發光裝置。

於具備配線圖案電極之基板(縱2.0mm×橫2.0mm)，經由焊料等接合紫外線發光LED。將所接合之LED晶片，使用金導線而導線接合於配線圖案而接合。在確認LED亮燈後，以熱硬化性透明矽氧樹脂被覆紫外線發光LED及金導線。被覆方法係使將前述樹脂，使用分 配器、光罩，以使紫外線發光LED成為中心部的方式進行塗佈所需量，以100~150℃之溫度進行加熱硬化，並因應必要，重複塗佈，加熱硬化，形成光強度差減低化層。光強度差減低化層之大小係為縱1.5mm×橫1.5mm，厚度係為0.5mm。

接著，於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形成波長變換材料層(縱2.0mm×橫2.0mm×厚度1.5mm)，製造經由本發明之半導體發光裝置。

<比較例1>

除針對在實施例1未形成光強度差減低化層之外，係與實施例1同樣地製造半導體發光裝置。

<實施例2>

經由下述方法而製作經由圖2所示之本發明的半導體發光裝置。

於具備配線圖案電極之基板(縱8.0mm×橫3.0mm)，各自以2.0mm之間隔，經由焊料等接合3個紫外線發光LED。將所接合之LED晶片，使用金導線而導線接合於配線圖案而接合。在確認LED亮燈後，以熱硬化性透明矽氧樹脂被覆紫外線發光LED及金導線。而被覆方法係使將前述樹脂，使用分配器、光罩，以使中央的紫外線發光LED成為中心部，且上述3個紫外線發光LED 乃由作為共通之連續的光強度差減低化層所被覆的方式進行塗佈所需量，以100~150℃之溫度進行加熱硬化，並因應必要，重複塗佈，加熱硬化，形成光強度差減低化層。而光強度差減低化層之大小係為縱5.5mm×橫2.5mm，厚度係為1.3mm。

接著，於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形成波長變換材料層(縱7.5mm×橫3.0mm×厚度1.5mm)，製造經由本發明之半導體發光裝置。

<比較例2>

除針對在實施例2未形成光強度差減低化層之外，係與實施例2同樣地製造半導體發光裝置。

<實施例3>

經由下述方法而製作經由圖3所示之本發明的半導體發光裝置。

於具備配線圖案電極之基板(縱8.0mm×橫3.0mm)，各自以2.0mm之間隔，經由焊料等接合3個紫外線發光LED。將所接合之LED晶片，使用金導線而導線接合於配線圖案而接合。在確認LED亮燈後，以熱硬化性透明矽氧樹脂被覆紫外線發光LED及金導線。而被覆方法係使將前述樹脂，使用分配器光罩，以使中央的紫外線發光LED成為中心部，且上述3個紫外線發光LED 之各自乃呈含於作為各自獨立的光強度差減低化層中的方式，塗佈所需量之前述熱硬化性透明樹脂，以100~150℃之溫度進行加熱硬化，並因應必要，重複塗佈，加熱硬化，形成光強度差減低化層。而光強度差減低化層之大小係為縱2.5mm×橫2.5mm，厚度係為1.3mm。

接著，於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形成波長變換材料層(縱7.5mm×橫3.0mm×厚度1.3mm)製造經由本發明之半導體發光裝置。

<比較例3>

除針對在實施例3未形成光強度差減低化層之外，係與實施例3同樣地製造半導體發光裝置。

<評價>

經由Konica Minolta公司製之二維色彩亮度計CA－2000測定在實施例1及比較例1所得到之各半導體發光裝置之波長變換材料層上的9個測定點(圖4A)，在實施例2及比較例2所得到之各半導體發光裝置之波長變換材料層上的9個測定點(圖4B)，在實施例3及比較例3所得到之各半導體發光裝置之波長變換材料層上的9個測定點(圖4B)的亮度，從各測定點之亮度的測定值，評價各半導體發光裝置之亮度不勻。

其結果係如表1所示。表中的數值係為亮度 (Cd/m² )，()內的數值係表示將在e點的亮度作為100之情況的相對值。

當進行中心點e與其周邊之各點的亮度比較時，可知在各實施例之中心部與周圍部之亮度差係較各比較例的亮度差少，實施例之發光裝置，具有均一之亮度特性者。

另外，經由Konica Minolta公司製之二維色彩亮度計CA－2000，評價在實施例2及比較例2所得到之各半導體發光裝置之顏色不勻。而結果係如圖5及圖6所示。標繪於圖中之黑點的集合係表示由發光裝置所輸出之光的色度不均。而於xy色度圖上之中心部的白色範圍，集中有資料，但了解到實施例較比較例，資料分布的面積較小，顏 色不勻較少之情況。

1‧‧‧半導體發光裝置

2‧‧‧基板

3‧‧‧紫外線半導體發光元件

4‧‧‧光強度差減低化層

5‧‧‧波長變換材料層

6‧‧‧配線

10‧‧‧半導體發光裝置

30‧‧‧紫外線半導體發光元件

40‧‧‧光強度差減低化層

50‧‧‧波長變換材料層

[圖1]為經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之一具體例的剖面圖。

[圖2]為經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之一具體例的剖面圖。

[圖3]為經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之一具體例的剖面圖。

[圖4]表示評價半導體發光裝置之亮度不勻時之測定點的位置圖。

[圖5]表示實施例之半導體發光裝置之顏色不勻的評價結果圖。

[圖6]表示比較例之半導體發光裝置之顏色不勻的評價結果圖。

1‧‧‧半導體發光裝置

2‧‧‧基板

3‧‧‧紫外線半導體發光元件

4‧‧‧光強度差減低化層

5‧‧‧波長變換材料層

6‧‧‧配線

Claims (7)

1. 一種半導體發光裝置，其特徵乃於紫外線半導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減低化層；前述波長變換材料層則含有吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料，前述光強度差減低化層為矽氧樹脂所成，該厚度為0.3mm以上3.0mm以下，前述藍色發光之螢光體係以下式(I)(Sr_1-x-y Ba_x CayEu_z )₁₀ (PO₄ )₆ ‧Cl₂ (I)(式中，x、y、z係x<0.2、y<0.1、0.005<z<0.1，x及y係包含0)所示之銪賦活鹵磷酸鹽螢光體。
2. 申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中，前述光強度差減低化層乃由透明樹脂材料所形成。
3. 申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中，前述波長變換材料層乃於透明樹脂材料中，吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散者。
4. 申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中，由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之連續層，以及被覆該光強度差減低化層之連續層的波長變換材料層之連續層而成者。
5. 申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中，由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意1個或2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之非連續層，以及被覆該光強度差減低化層之非連續層的波長變換材料層之連續層而成者。
6. 申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中，前述光強度差減低化層乃呈被覆前述紫外線半導體發光元件，以及連接於該紫外線半導體發光元件之配線的兩者所形成者。
7. 一種背光，其特徵乃由如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置而成者。