TWI462599B - 單一駐極體結構之耳機麥克風 - Google Patents

Description

單一駐極體結構之耳機麥克風

本揭露係關於一種單一駐極體結構之耳機麥克風，特別是一種整合不同間隔層厚度與阻隔層為一體的單一駐極體結構之耳機麥克風。

這些年來，行動通訊技術已快速進展，消費者愈來愈多地使用行動通訊裝置，針對於行動通訊裝置之需求，促進了關於製程、功率消耗、接收、及併入行動通訊裝置之音訊組件的微型化之改良。行動通訊裝置供應商之間的競爭壓力增加了對更小、更便宜及性能更佳之微型耳機與麥克風的需求。隨著駐極體耳機或麥克風之尺寸的微縮，可用於容納終端連接、絕緣體及導電環之空間有限，故需整合於一體的駐極體耳機與麥克風以於有限的空間達成最大的效益。

一般而言，目前各種傳統駐極體耳機或麥克風已用於習知技術中的通訊裝置，但尚無將兩者整合在一起的單件式產品。其主要原因是電聲與聲電轉換會互相干擾，而耳機或麥克風的尺度相差甚大，駐極體耳機所需的間隔層(spacer)約在數百微米等級，而麥克風則在微米等級，兩者相差達百倍之遠，因此很難以單一結構達成兩者所要求之功能。

本揭露提供一種單一駐極體結構之耳機麥克風，係透過整合 不同間隔層厚度與阻隔層為一體，以達單一結構的電聲與聲電之雙向轉換的功能。

根據本揭露之一實施例的一種單一駐極體結構之耳機麥克風，其包括一駐極體層膜、一第一裝置、一第二裝置、及一阻隔層。駐極體層膜具有相對之一第一表面與一第二表面，此第一表面與第二表面分別定義有一第一區與一第二區。第一裝置設置於第一區，此第一裝置包括有一第一上間隔層、一第一上電極、及一第一下電極。第一上間隔層形成於駐極體層膜之第一表面之第一區上。第一上電極形成於第一上間隔層上，且第一下電極形成於駐極體層膜之第二表面之第一區上。第二裝置設置於第二區，此第二裝置包括有一第二上間隔層、一第二上電極、及一第二下電極。第二上間隔層形成於駐極體層膜之第一表面之第二區上。第二上電極形成於第二上間隔層上，且第二下電極形成於駐極體層膜之第二表面之第二區上。阻隔層則設置於第一裝置與第二裝置之間。其中第二上間隔層之厚度大於第一上間隔層之厚度。

根據本揭露之一實施例的一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組，其包括一第一駐極體結構之耳機麥克風與一第二駐極體結構之耳機麥克風。第一駐極體結構之耳機麥克風與第二駐極體結構之耳機麥克風分別具有如請求項1至請求項9之任一項所述的結構，其中第一駐極體結構之耳機麥克風的一第二下電極與第二駐極體結構之耳機麥克風的一第二下電極互相貼合。

以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用 以示範與解釋本揭露之精神與原理，並且提供本揭露之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本揭露之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本揭露之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本揭露相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本揭露之觀點，但非以任何觀點限制本揭露之範疇。

請參照『第1圖』，係為根據本揭露之一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風，其包括一駐極體層膜110、一第一裝置120、一第二裝置130、及一阻隔層140。駐極體層膜110具有相對之一第一表面111與一第二表面112，此第一表面111與第二表面112分別定義有一第一區與一第二區。

如『第1圖』所示，第一裝置120設置於第一區，此第一裝置120包括有一第一上間隔層121、一第一上電極123、及一第一下電極124。第一上間隔層121形成於駐極體層膜110之第一表面111之第一區上。第一上電極123形成於第一上間隔層121上，且第一下電極124形成於駐極體層膜110之第二表面112之第一區上。

如『第1圖』所示，第二裝置130設置於第二區，此第二裝置130包括有一第二上間隔層131、一第二上電極133、及一第二 下電極134。第二上間隔層131形成於駐極體層膜110之第一表面111之第二區上。第二上電極133形成於第二上間隔層131上，且第二下電極134形成於駐極體層膜110之第二表面112之第二區上。阻隔層140則設置於第一裝置120與第二裝置130之間。

在部分實施例中，此第一裝置120可為麥克風，而第二裝置130可為耳機或是喇叭。其中第二上間隔層131之厚度大於第一上間隔層121之厚度，亦即，相較於第一裝置120的第一上電極123與第一下電極124，第二裝置130的第二上電極133與第二下電極134之間的間距較大。此外，第一裝置120的第一上電極123與第一下電極124或是第二裝置130的第二上電極133與第二下電極134可設計為多孔狀的結構，以增強第一裝置120或是第二裝置130的振動效果。

如『第1圖』所示，在此單一駐極體結構之耳機麥克風的製程上，是在一大片駐極體層膜110上先以印刷製程的方式將第一上間隔層121印刷於駐極體層膜110的第一表面111。這邊雖然以印刷的方式形成，當然也可以使用其他的方式將第一上間隔層121形成於駐極體層膜110的第一表面111，例如使用黏貼的方式。在部分實施例中，此駐極體層膜110的材料可為聚脂樹脂，而第一上間隔層121可為絕緣材料，且第一上間隔層121的厚度可為5至30μm。由於第一上間隔層121的尺寸很小，因此可使用形狀為點狀的絕緣材料，但絕緣材料的形狀不以此為限。接下來分別貼合第一上電極123與第一下電極124，如此一來以完成第一裝置 120的製程。

另一方面，在駐極體層膜110上以貼合的方式將第二上間隔層131貼合於駐極體層膜110的第一表面111。在部分實施例中，此第二上間隔層131可為絕緣材料，且絕緣材料的形狀可以是圓形或是方形，但不以此為限，其中第二上間隔層131的厚度可為50至1000μm。接下來分別貼合第二上電極133與第二下電極134，如此一來以完成第二裝置130的製程。此外，在部分實施例中，第一上間隔層121與第二上間隔層131的形狀可為圓形或是方形，但不以此為限。

將以上依序完成的第一裝置120與第二裝置130，透過背對背貼合的方式將第一裝置120與第二裝置130兩者貼合成為一體，於貼合處再設置阻隔層140於第一裝置120與第二裝置130之間。此阻隔層140用以隔絕來自於第一裝置120或是第二裝置130的振動，以避免因其中之一裝置的振動而影響另一裝置的特性。在部分實施例中，此阻隔層140可為絕緣材料且阻隔層140的厚度可為5至30μm。最後再取出適當的電極接點即可完成整合第一裝置120與第二裝置130於單一結構的製程，亦即可達成整合耳機與麥克風為一體之單件式產品的目的。

請參照『第2圖』，係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風，其為『第1圖』之一實施例的延伸應用。如『第2圖』所示，除了大致與『第1圖』的配置相同之外，更包括一第一下間隔層122與一第二下間隔層132。此第一下 間隔層122形成於該駐極體層膜110之該第二表面112之該第一區與該第一下電極124間，而第二下間隔層132形成於該駐極體層膜110之該第二表面112之該第二區與該第二下電極134間。

另一方面，本實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風的製作方式及元件配置大致與『第1圖』所述相同，在此不再贅述。此外，由於以上所述之單一駐極體結構之耳機麥克風具有上下對稱性的結構設計，可各自增強第一裝置120與第二裝置130的振動效果。

請接著參照『第3圖』所繪示係為『第2圖』之一種單一駐極體結構之耳機麥克風的上視示意圖，如『第3圖』所示，第一上間隔層121、第二上間隔層131、及阻隔層140係形成於駐極體層膜110之上。如同前述，在分別完成『第2圖』之第一裝置120與第二裝置130的製程後，在部份實施例中，『第2圖』之第一裝置120的第一上電極123與第一下電極124及第二裝置130的第二上電極133與第二下電極134也可同時於一道製程中完成。亦即可先同時形成一大片上電極與下電極，再將此整片之上電極與下電極分別黏貼於如『第3圖』所示的上視圖的正面與反面，最後再經過一道電極分離的製程以區隔出如『第2圖』之第一裝置120與第二裝置130，亦即可達成整合耳機與麥克風為一體之單件式產品的目的。

在本實施例中，針對此單一駐極體結構之耳機麥克風的麥克風部份進行頻率響應的實體測試，可由實驗結果得知在頻率大約 為300至3000赫茲(Hz)時，麥克風部份的效率大約為102分貝(dB)。另一方面，也進行耳機部份之頻率響應的實體測試，可由實驗結果得知在頻率大約為1000Hz以上時，耳機部份的效率大約為80dB。故此單一駐極體結構之耳機麥克風可維持高可靠度的特性。

請參照『第4圖』，係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組，其為『第1圖』的延伸應用。如『第4圖』所示，此單一駐極體結構之耳機麥克風模組具有一第一駐極體結構之耳機麥克風210與一第二駐極體結構之耳機麥克風220。

在本實施例中，第一駐極體結構之耳機麥克風210與第二駐極體結構之耳機麥克風220分別具有如『第1圖』之實施例所述的結構，其中第一駐極體結構之耳機麥克風210的一第二下電極134與第二駐極體結構之耳機麥克風220的一第二下電極134互相貼合，除此之外，本實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組的製作方式及元件配置大致與『第1圖』所述相同，在此不再贅述。

請參照『第5圖』，係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組，其為『第2圖』的延伸應用。如『第5圖』所示，此單一駐極體結構之耳機麥克風模組具有一第一駐極體結構之耳機麥克風210與一第二駐極體結構之耳機麥克風220。

在本實施例中，第一駐極體結構之耳機麥克風210與第二駐 極體結構之耳機麥克風220分別具有如『第2圖』之實施例所述的結構，其中第一駐極體結構之耳機麥克風210的一第二下電極134與第二駐極體結構之耳機麥克風220的一第二下電極134互相貼合，除此之外，本實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組的製作方式及元件配置大致與『第2圖』所述相同，在此不再贅述。

綜上所述，相較於習知技術，由於此單一駐極體結構之耳機麥克風，係透過整合不同間隔層厚度與阻隔層為一體，可同時以單件式結構來達成電聲與聲電之雙向轉換的功能，進而達成高可靠度之功效。

雖然本揭露以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。在不脫離本揭露之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本揭露之專利保護範圍。關於本揭露所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

110‧‧‧駐極體層膜

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第二表面

120‧‧‧第一裝置

121‧‧‧第一上間隔層

122‧‧‧第一下間隔層

123‧‧‧第一上電極

124‧‧‧第一下電極

130‧‧‧第二裝置

131‧‧‧第二上間隔層

132‧‧‧第二下間隔層

133‧‧‧第二上電極

134‧‧‧第二下電極

140‧‧‧阻隔層

210‧‧‧第一駐極體結構之耳機麥克風

220‧‧‧第二駐極體結構之耳機麥克風

第1圖係為根據本揭露之一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風。

第2圖係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風。

第3圖係為第2圖之一種單一駐極體結構之耳機麥克風的上視示意圖。

第4圖係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組。

第5圖係為根據本揭露之另一實施例之一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組。

110‧‧‧駐極體層膜

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第二表面

120‧‧‧第一裝置

121‧‧‧第一上間隔層

123‧‧‧第一上電極

124‧‧‧第一下電極

130‧‧‧第二裝置

131‧‧‧第二上間隔層

133‧‧‧第二上電極

134‧‧‧第二下電極

140‧‧‧阻隔層

Claims (10)

1. 一種單一駐極體結構之耳機麥克風，其包括：一駐極體層膜，該駐極體層膜具有相對之一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面分別定義有一第一區以及一第二區；一第一裝置，設置於該第一區，該第一裝置包括有：一第一上間隔層，形成於該駐極體層膜之該第一表面之該第一區上；一第一上電極，形成於該第一上間隔層上；以及一第一下電極，形成於該駐極體層膜之該第二表面之該第一區上；一第二裝置，設置於該第二區，該第二裝置包括有：一第二上間隔層，形成於該駐極體層膜之該第一表面之該第二區上；一第二上電極，形成於該第二上間隔層上；以及一第二下電極，形成於該駐極體層膜之該第二表面之該第二區上；以及一阻隔層，設置於該第一裝置與該第二裝置之間；其中該第二上間隔層之厚度大於該第一上間隔層之厚度。
2. 如請求項1所述之耳機麥克風，其中該第一上間隔層係為絕緣材料。
3. 如請求項2所述之耳機麥克風，其中該第一上間隔層之厚度為 5~30μm。
4. 如請求項1所述之耳機麥克風，其中更包括一第一下間隔層，形成於該駐極體層膜之該第二表面之該第一區與該第一下電極間。
5. 如請求項4所述之耳機麥克風，其中該第一下間隔層係為絕緣材料。
6. 如請求項5所述之耳機麥克風，其中該第一下間隔層之厚度為5~30μm。
7. 如請求項1所述之耳機麥克風，其中該第二上間隔層之厚度為50~1000μm。
8. 如請求項1所述之耳機麥克風，其中更包括一第二下間隔層，形成於該駐極體層膜之該第二表面之該第二區與該第二下電極間。
9. 如請求項8所述之耳機麥克風，其中該第二下間隔層之厚度為50~1000μm。
10. 一種單一駐極體結構之耳機麥克風模組，其包括：一第一駐極體結構之耳機麥克風與一第二駐極體結構之耳機麥克風，該第一駐極體結構之耳機麥克風與該第二駐極體結構之耳機麥克風分別具有如請求項1至請求項9之任一項所述的結構，其中該第一駐極體結構之耳機麥克風的一第二下電極與該第二駐極體結構之耳機麥克風的一第二下電極互相貼合。