TWI461834B - 包含影像反轉輔助特徵之微影蝕刻光罩，包含此等光罩之微影蝕刻系統及形成此等光罩之方法 - Google Patents

Description

包含影像反轉輔助特徵之微影蝕刻光罩，包含此等光罩之微影蝕刻系統及形成此等光罩之方法

本發明之實施例一般而言係關於微影蝕刻光罩及系統，且係關於形成此等光罩之方法。更特定而言，本發明之實施例一般而言係關於使用微影蝕刻光罩及系統中之輔助特徵來改良使用此等微影蝕刻光罩及系統形成之主要特徵之清晰度。

本申請案主張2010年3月18日提出申請之序列號為12/726,925之美國專利申請案「MICROLITHOGRAPHY MASKS INCLUDING IMAGE REVERSAL ASSIST FEATURES,MICROLITHOGRAPHY SYSTEMS INCLUDING SUCH MASKS,AND METHODS OF FORMING SUCH MASKS」之申請日期之權益。

將數目增加之離散裝置(例如，電晶體、導電線、導電接觸墊等)併入至逐漸變小之積體電路中在例如記憶體裝置及電子信號處理器等半導體裝置之製造中仍係一重要挑戰。

諸多此等離散裝置係使用微影蝕刻製作的。簡單且概括而言，在光微影蝕刻製程中，形成此項技術中通常稱為「光罩」之一光微影蝕刻光罩，其包含對應於欲轉移(例如，「印刷」)至一半導體晶粒或晶圓上之一材料層之一特定圖案之所期望圖案。該圖案通常包含適當地配置於一光學透明支撐基板上之光學透明區域及光學不透明區域。可接著將該光罩間置於一照射系統與欲施加至一半導體晶圓之一照射敏感光阻劑材料層之間。該照射系統發射穿過該光罩且值該光阻劑材料上之照射輻射。根據該光罩之圖案，該光罩允許該光阻劑材料之某些區曝露於該照射輻射，同時遮蔽該光阻劑材料之其他區以免受該照射輻射之影響。將光阻劑材料之某些區曝露於該照射輻射導致彼等經曝露區中之光阻劑材料之性質之改變。接著使該光阻劑材料「顯影」，此導致曝露於該照射輻射之區或經遮蔽而免受該照射輻射影響之區之移除。因此，該光阻劑材料具備對應於該光罩之圖案之一圖案。接著可以任一數目種方式進一步處理具有該經圖案化光阻劑材料之半導體晶粒或晶圓以在該晶粒或晶圓上或者該晶粒或晶圓中製作離散裝置。

該照射輻射可為單色的。當該照射輻射之一波長大於欲使用光罩轉移至一光阻劑材料之一圖案之一最小特徵大小時，各種光學效應可不利地影響使用該經圖案化光阻劑材料在該晶粒或晶圓上或者該晶粒或晶圓中形成之所得特徵之品質。舉例而言，一光罩上之透明區域與不透明區域之間的邊緣可引起該照射輻射之繞射，此可導致照射輻射波在穿過該光罩之後之干涉，從而導致既定曝露之區域之曝露減少及既定遮蔽以免受曝露之區域之曝露。隨著半導體結構中之特徵大小之減小，繞射效應以及其他光學效應在微影蝕刻中變為更突出之限制因子。

因此，存在可增加結構中之圖案保真度之各種補償方法。舉例而言，在一種習知方法中，可使用光學接近度校正(OPC)來擾亂光罩上之透射孔口或其他特徵之形狀以增強次波長範圍中之光學解析度。一般而言，光罩上之受擾亂特徵為次解析度特徵，因為其在曝露過程期間通常不被印刷至結構上。因此，此等特徵通常稱為次解析度輔助特徵。次解析度輔助特徵之實例包含用於減少形成於結構中之特徵之拐角修圓之「襯線」及用於減少端線特徵之縮短之「錘頭物」。其他次解析度輔助特徵包含分散條或「外伸架」及「內伸架」，其改良結構中之線寬度控制。可使用又其他方法來改良次解析度範圍中之特徵之解析度。舉例而言，相移掩蔽(PSM)方法通常使得該光罩上之透明區域能夠將經相移照射透射至該結構以便減少可能在該光罩上之由一不透明區域分離之透明區域之間發生之相消干涉。又其他方法可針對照射系統本身。舉例而言，一入射輻射角(σ)及/或一投射透鏡之數值孔徑(NA)可經適當組態以解析相對密集之線及間隔。

本文中所呈現之圖解說明並非打算作為任一特定半導體裝置、電晶體或系統之實際視圖，而僅係用於闡述本發明之理想化表示。另外，各圖之間共有之元件可保持相同數字標號。

如本文中所使用，術語「微影蝕刻」意指其中藉由將一材料之選定區曝露於電磁輻射而不將該材料之其他區曝露於該電磁輻射來更改該材料之選定區之一種或一種以上材料性質之一製程。

如本文中所使用，術語「光罩」意指供在一微影蝕刻製程中使用之一經圖案化光罩，使電磁輻射穿過該光罩以將一材料之選定區曝露於該電磁輻射且遮蔽該材料之其他選定區以免受該電磁輻射之影響。此項技術中通常將光罩稱為「光罩(reticle)」，且如本文中所使用，術語「光罩(mask)」意指且包含此項技術中稱為光罩(reticle)之光罩。

如本文中所使用，術語「特徵」在相對於一光罩之一特徵使用時意指該光罩之經組態以允許電磁輻射穿過該特徵且至欲使用該光罩處理之一半導體結構上、遮蔽欲使用該光罩處理之半導體結構以免受該電磁輻射之影響或者對穿過該光罩且至欲使用該光罩處理之半導體結構上之電磁輻射之一相位進行移位及/或使該電磁輻射衰減之有限區域。作為一個實例，一光罩可包括一相對非透明材料，例如一半透明材料或非透明材料(例如，不透明)，其中術語「相對」意指相對於其上方形成有相對透明材料之一大致透明材料(例如，基板)，且此一光罩之特徵可包含穿過大致透明基板上方之一相對非透明材料層形成之孔口(例如，孔)。作為另一實例，此一光罩之特徵可包括透明基板上方之相對非透明材料之有限二維區域。

如本文中所使用，術語「主要特徵」在相對於一光罩之一特徵使用時意指對應於在一微影蝕刻製程中欲圖案化(例如，解析)於欲使用該光罩處理之一半導體結構上之一特徵且具有類似於其形狀之一形狀之特徵。

如本文中所使用，術語「亮特徵」在相對於一光罩之一特徵使用時意指包括該光罩之一大致光學透明區域之一特徵。

如本文中所使用，術語「暗特徵」在相對於一光罩之一特徵使用時意指包括該光罩之一相對非透明區域之一特徵。

如本文中所使用，術語「輔助特徵」在相對於一光罩之一特徵使用時意指例如具有太小以致在一微影蝕刻製程中無法圖案化(例如，解析)於欲使用該光罩處理之一半導體結構上之一大小或形狀但具有經組態以改良在一微影蝕刻製程中欲圖案化於欲使用該光罩處理之半導體結構上之主要特徵之對比度及/或清晰度之一大小、形狀及/或位置之特徵之一特徵。

如本文中所使用，術語「標準輔助特徵」意指具有經組態使得穿過輔助特徵之電磁輻射將與穿過該光罩之主要特徵之電磁輻射發生共振或反共振之一大小、形狀及/或位置之一輔助特徵。

如本文中所使用，術語「影像反轉輔助特徵」意指並非一標準輔助特徵使得穿過影像反轉輔助特徵之電磁輻射將不與穿過該光罩之主要特徵之電磁輻射發生共振或反共振之一輔助特徵。

圖1係本發明之一微影蝕刻系統10之一實施例之一圖解性方塊圖。系統10包含經組態以發射可用於微影蝕刻之照射電磁輻射14之一照射系統12。因此，系統10可包含可操作以產生光譜之深紫外(DUV)部分中之輻射14之照射源，例如準分子雷射器。適合準分子雷射源可包含發射351奈米(nm)之一波長之輻射之氟化氙(XeF)裝置、發射308 nm之一波長之輻射之氯化氙(XeCl)裝置、發射248奈米(nm)之一波長之輻射之氟化氪(KrF)裝置及發射193 nm波長之輻射之氟化氬(ArF)。亦可使用其他波長。

照射系統12亦可包含提供對應於一選定照射模式之軸外照射之裝置。舉例而言，適合裝置可經組態以產生一偶極型照射模式、一環形照射模式、一雙極點照射模式、四極點照射模式或另一照射模式。照射系統12亦可包含可操作以產生具有一所期望強度及/或分佈之照射輻射14之其他光學裝置。

可相對於一成像光罩40(圖2A及圖2B)適當地定位照射系統12，使得自系統12發射之照射輻射14被投射至成像光罩40上且穿過成像光罩40。成像電磁照射18對應於選擇性地透射穿過成像光罩40之輻射14。

儘管下文參考圖2A及圖2B更詳細地闡述光罩40，但成像光罩40可包含包括對照射輻射14大致透明之一材料之一基板及位於該基板之一表面上方之對於照射輻射14為相對非透明材料(例如，不透明)之一材料。該基板可包括例如(舉例而言)熔融石英、鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃或硼磷矽酸鹽玻璃之一材料。該相對非透明材料可包括(舉例而言)一金屬(例如，鉻)、一金屬合金(例如，一基於鉻之合金)以及包括鉬及/或矽之一材料(例如，矽化鉬)中之至少一者。該相對非透明材料亦可包括氧及氮原子。在某些實施例中，相對非透明材料可用於在光罩40上提供相移區域以用於在照射輻射14穿過光罩40且變為成像輻射18時對該照射輻射之相位進行移位。

繼續參考圖1，微影蝕刻系統10可進一步包含經組態以將成像照射投射至一工件上之一投射透鏡總成20。舉例而言，該投射透鏡總成可經組態以收集成像照射18且自其形成經聚焦之成像電磁輻射21。可接著將經聚焦之成像輻射21引導至正經處理以形成一半導體裝置之一工件22上。藉助實例而非限制之方式，投射透鏡總成20可經組態以使成像輻射21聚焦使得工件22之表面處之經圖案化影像係光罩40之大小之約四分之一。換言之，光罩40可係形成於工件22之表面上之所得影像之約四倍大。因此，光罩40上之特徵可具有為欲圖案化於工件22之表面處之特徵之約四倍大之尺寸。

工件22可包括安置於一半導體結構26(例如，一晶粒或晶圓)上方之一光阻劑材料24。光阻劑材料24對成像輻射21做出回應。由於可重複地將光阻劑24曝露於經聚焦之成像輻射21以在半導體結構26上形成經單獨曝露之區域，因此可將工件22定位於可沿數個(例如，兩個或三個)相互正交之方向中之一或多者平移之一載物台28上。

在本發明之某些實施例中，光罩40可包括一衰減式相移光罩。為了改良對此等實施例之理解，使用圖2A至圖2C來圖解說明可如何使用一衰減式相移光罩在一微影蝕刻製程中於欲使用一衰減式相移光罩處理之一半導體結構上提供經圖案化強度等級之電磁輻射。

圖2A及圖2B圖解說明本發明之一微影蝕刻光罩40之一實施例之一部分。圖2A係光罩40之所圖解說明部分之一部分平面圖，且圖2B係光罩40之該部分之沿著圖2A中所展示之截面線2B-2B截取之一橫截面圖。如圖2A中所展示，光罩40包含一大致透明基板42及位於基板42之選定區域上方之相對非透明材料44，因此在光罩40上界定複數個亮特徵(在圖2A中圖解說明為潔淨區域)及暗特徵(在圖2A中圖解說明為點畫區域)。在某些實施例中，光罩40可包括一衰減式相移光罩，其中相對非透明材料44係一吸收π(pi或180°)之相移材料。此項技術中可將此等光罩稱為「透射-pi」或「t-pi」光罩。藉助實例而非限制之方式，相對非透明材料44之透射可係約10%或小於10%。在此等實施例中，該等暗特徵經組態(例如，經確定大小及經構成)以使穿過光罩40之暗特徵之相對非透明材料44之電磁輻射衰減並對其相位進行移位。

光罩40之圖2A及圖2B中所展示之部分經組態以在光罩40用於一微影蝕刻製程中時於一工件22上圖案化(例如，解析)兩個組之三條線。特定而言，光罩40之該部分包含主要線特徵50A至50F，其中之每一者包含一線。因此，光罩40之圖2A及圖2B中所展示之部分經組態以在正使用光罩40處理之一工件22上之一光阻劑材料24中圖案化六條線之部分。

主要特徵50A至50C之線安置於一第一群組52A中，且主要特徵50D至50F之線安置於一第二群組52B中，如圖2A中所展示。每一群組52A、52B中之主要特徵可相對於彼此以接近於該微影蝕刻製程之臨界尺寸(CD)之一間距密集地堆積。群組52A、52B之間的間隔可稍大於該微影蝕刻製程之臨界尺寸。因此，主要特徵50D至50F可包括在此項技術中稱為經半隔離特徵之特徵，例如在半導體裝置(例如，記憶體裝置及邏輯裝置)之積體電路之橫向週邊區域中常見之彼等特徵。

光罩40亦包含經組態以改良欲藉由主要特徵50A至50F圖案化於一工件22上之一光阻劑材料24中之經圖案化影像之對比度及/或六條線之清晰度之各種輔助特徵。

光罩40包含複數個標準輔助特徵54，其中之每一者可相對於主要特徵50A至50F位於共振或反共振位置處。特定而言，標準輔助特徵54可位於主要特徵50A至50F之群組52A、52B中之每一者之橫向側上，如圖2A及圖2B中所展示。標準輔助特徵54可包括若干亮特徵，其中之每一者包含具有類似於主要特徵50A至50F之一線之形狀及組態之一形狀及組態但具有低於解析度極限之一較小寬度之一線。標準輔助特徵54可充當亮場輔助特徵，此乃因其可用於增加光阻劑材料24之對應於欲圖案化於正使用光罩40處理之一工件22上之光阻劑材料24中之主要特徵之區中至成像輻射之曝露。因此，標準輔助特徵54可輔助改良欲圖案化於正使用光罩40處理之一工件22上之一光阻劑材料24中之主要特徵之清晰度，但本身可不用於直接對正使用光罩40處理之一工件22上之一光阻劑材料24進行圖案化。

群組52A、52B中之每一者中之主要特徵50A至50F本身可經密集堆積，使得群組52A、52B中之任一群組內之主要特徵50A至50F中之任一者之間不存在共振或反共振位置，以便可在其之間放置一標準輔助特徵。

如圖2A及圖2B中所展示，光罩40亦包含複數個影像反轉輔助特徵56，其中之每一者可相對於主要特徵50A至50F位於共振或反共振位置以外之處。特定而言，影像反轉輔助特徵56可位於主要特徵50A至50F之群組52A、52B中之每一者內之主要特徵50A至50F之間，如圖2A及圖2B中所展示。如標準輔助特徵54一樣，影像反轉輔助特徵56亦可包括若干亮特徵，其中之每一者包含具有類似於主要特徵50A至50F之一線之形狀及組態之一形狀及組態但具有低於解析度極限之一較小寬度之線。然而，至少部分地由於其位置，影像反轉輔助特徵56可充當暗場輔助特徵而非充當亮場輔助特徵。換言之，影像反轉輔助特徵56可用於減小光阻劑材料24之介於對應於欲圖案化於正使用光罩40處理之一工件22上之光阻劑材料24中之主要特徵之彼等區之間的區中至成像輻射之不當曝露。因此，以此方式，影像反轉輔助特徵56進一步輔助改良欲圖案化於正使用光罩40處理之一工件22上之一光阻劑材料24中之主要特徵之清晰度，但本身可不用於直接對正使用光罩40處理之一工件22上之一光阻劑材料24進行圖案化。

圖3A至圖3D用於圖解說明可如何在一光罩40上定位影像反轉輔助特徵56。圖3A係圖2B之包含主要特徵50A至50C及其之間的影像反轉輔助特徵56之一部分之一放大視圖。圖3B至圖3D係與光罩40垂直對準以圖解說明光罩40之所圖解說明部分之各種區對最終撞擊於一工件(如圖1之工件22)上之所得成像電磁輻射具有之影響之圖表。

圖3B係圖解說明可存在於正在一微影蝕刻製程中使用光罩40之圖3A中之部分處理之一工件22之一表面處之電磁輻射之一強度之一圖表。如圖3B中所展示，強度標繪圖在形狀上係正弦曲線且在一最大強度與一最小強度之間變化，其中峰值對應於光罩40之主要特徵50A至50C之中心。正在一微影蝕刻製程中處理之一工件22之一表面處之輻射之強度與存在於工件22之表面處之電場之平方成比例。因此，該強度始終係正的。

圖3C係圖解說明可存在於正在一微影蝕刻製程中使用光罩40之圖3A中之部分處理之一工件22之一表面處之一電場之一圖表。如圖3C中所展示，電場標繪圖在形狀上亦係正弦曲線且在最大正(例如，「0」)相位值與最大負(例如，「π」)相位值(該相位值對應於圖表中之最小/最低點)之間變化。圖3C中所展示之電場之標繪圖之交替峰值與谷值對應於圖3B中所展示之輻射強度之標繪圖之峰值且因此對應於光罩40之主要特徵50A至50C之中心。

圖3D係圖3C中所展示之可存在於正在一微影蝕刻製程中使用光罩40之圖3A中之部分處理之一工件22之一表面處之電場之相位之一標繪圖。如圖3D中所展示，正相位區與負相位區之間的轉變係中間逐步轉變。

如在比較圖3A、圖3C與圖3D之後將即刻瞭解，影像反轉輔助特徵56可提供於或至少接近光罩40上之介於主要特徵50A至50F之間的對應於出現以下情況之位置的位置：存在於正使用光罩40處理之工件22之表面處之電場之相位在「0」相位值與「π」相位值之間轉變。由於主要特徵50A至50F係經密集堆積之特徵，因此主要特徵50A至50F中之任何兩者之間不存在對應於與主要特徵50A至50F之共振或反共振位置之位置。因此，主要特徵50A至50F中之任何兩者之間不存在用於標準輔助特徵54之空間。

再次參考圖2A及圖2B，作為僅作為一實例闡述之一個非限制性實施例，主要特徵50A至50F中之每一者可具有在光罩40上之約三百零八奈米(308 nm)之一平均寬度，使得欲圖案化於一工件22之一表面處之光阻劑材料24中之主要特徵具有約七十七奈米(77 nm)之一平均寬度，其為光罩40上之主要特徵50A至50F之寬度之四分之一。光罩40上之主要特徵50A至50F之間距亦可係約三百零八奈米(308 nm)，使得主要特徵50A至50F中之一者之中心與下一緊鄰主要特徵50A至50F之中心分離開約三百零八奈米(308 nm)。在此一實施例中，最小特徵大小(亦即，臨界尺寸)可係約五十七奈米(57 nm)。影像反轉輔助特徵56中之每一者可具有在光罩40上之八十奈米(80 nm)之一平均寬度，使得在由投射透鏡總成減小之後，施加至工件22之表面處之光阻劑材料24之影像中之線具有約二十奈米(20 nm)之一平均寬度，其低於最小特徵大小且因此將不被圖案化於光阻劑材料24中。

在額外實施例中，主要特徵50A至50F中之每一者可具有在光罩40上之小於約四百奈米(400 nm)、在光罩40上之小於約三百奈米(300 nm)、在光罩40上之小於約二百奈米(200 nm)或甚至在光罩40上之小於約一百奈米(100 nm)之一平均寬度。在某些實施例中，主要特徵50A至50F之每一相應群組52A、52B中之主要特徵50A至50F之間的距離可介於主要特徵50A至50F之平均寬度之約90%與約110%之間。在額外實施例中，主要特徵50A至50F之每一各別群組52A、52B中之主要特徵50A至50F之間的距離可高達主要特徵50A至50F之平均寬度之約150%。此外，在某些實施例中，影像反轉輔助特徵56可具有介於主要特徵50A至50F之平均寬度之約10%與約70%之間(例如，約25%)且低於其中將採用光罩40之微影蝕刻製程之臨界尺寸之一平均寬度。

如此項技術中習知，使用一微影蝕刻系統10(如圖1之微影蝕刻系統)在一光阻劑材料24中清晰地圖案化一影像之能力受系統10中所採用之電磁輻射之波長以及光罩40及投射透鏡總成20捕獲該輻射之繞射級並將該輻射聚焦至工件22上之能力之限制。可使用以下方程式1來近似一微影蝕刻系統10可圖案化之最小特徵大小：

方程式1：CD=k₁ (λ/NA)

其中CD係臨界尺寸(亦即，可圖案化之最小特徵大小)，k₁ 係囊括製程相關因子之一係數，且NA係工件22所經見之投射透鏡總成之數值孔徑。因此，為了減小臨界尺寸，需要「低k₁ 」製程(例如，具有約0.30或小於0.30之一k₁ 值之製程)。然而，在低k₁ 微影蝕刻製程中，照射輻射通常係朝向正製作之半導體裝置之臨界經密集堆積特徵最佳化的，此可使得週邊經隔離及/或經半隔離特徵未經最佳化。因此，應維持一充足聚焦深度以確保將圖案化所有特徵，包含經密集堆積之中心特徵以及經隔離及經半隔離之週邊特徵。藉由在低k₁ 微影蝕刻製程中所使用之光罩40中採用如本文中所闡述之影像反轉輔助特徵56，可相對於其中採用不包含此等影像反轉輔助特徵56之類似光罩之製程改良聚焦深度。

圖4A及圖4B用於圖解說明具有影像反轉輔助特徵56之光罩之使用可如何相對於其中採用不包含此等影像反轉輔助特徵56之類似光罩之製程改良聚焦深度。

圖4A圖解說明使用類似於圖2A及圖2B之光罩40且包含三個主要特徵50A至50C之群組52A以及在群組52A之橫向側之標準輔助特徵54但不包含介於群組52A中之主要特徵50A至50C之間的影像反轉輔助特徵56之一光罩之一部分之一電腦模型進行之電腦仿真之結果。該等電腦仿真係使用技術電腦輔助設計(TCAD)Sentaurus微影蝕刻(S-Litho)軟件進行的，該軟件可自Synopsys,Inc. of Mountain View,California購得。圖4A包含兩個圖表，其中之一者圖解說明在標稱聚焦條件下將存在於正在一微影蝕刻製程中使用圖4A之光罩之該部分(其不包含影像反轉輔助特徵56)處理之一工件22之一表面處之電磁輻射之所計算強度，其中之另一者圖解說明在散焦條件下將存在於正在一微影蝕刻製程中使用圖4A之光罩之該部分處理之一工件22之一表面處之電磁輻射之所計算強度。該圖表中之每一者中之水平虛線圖解說明光阻劑材料24將變為「被曝露」於輻射且經歷與曝露相關聯之物理及/或化學改變所處之強度等級。如圖4A之對應於散焦條件之圖表中所展示，對應於主要特徵50A至50C之強度峰值之間存在不足以防止在該峰值之間對光阻劑材料24之曝露之對比。因此，在此等散焦條件下將可能在光阻劑材料24中圖案化具有一相對較大寬度W之一單個線。

圖4B圖解說明使用圖2A及圖2B之光罩40之包含三個主要特徵50A至50C之群組52A、在群組52A之橫向側之標準輔助特徵54以及位於群組52A中之主要特徵50A至50C之間的影像反轉輔助特徵56之一部分之一電腦模型進行之電腦仿真之結果。圖4B亦包含兩個圖表，其中之一者圖解說明在標稱聚焦條件下將存在於正在一微影蝕刻製程中使用光罩40之圖4B中所展示之所圖解說明部分(其確實包含影像反轉輔助特徵56)處理之一工件22之一表面處之電磁輻射之所計算強度，且其中之另一者圖解說明在與圖4A相關聯之散焦仿真中所使用之相同散焦條件下將存在於正在一微影蝕刻製程中使用光罩40之該部分處理之一工件22之一表面處之電磁輻射之所計算強度。同樣，該等圖表中之每一者中之水平虛線圖解說明光阻劑材料24將變為「被曝露」於輻射且經歷與曝露相關聯之物理及/或化學改變所處之強度等級。如圖4B之對應於散焦條件之圖表中所展示，在與圖4A之散焦條件相關聯之相同散焦條件下對應於主要特徵50A至50C之強度峰值之間存在足以防止在該峰值之間對光阻劑材料24之曝露之對比。因此，在此等散焦條件下將可能如既定之一樣在光阻劑材料24中圖案化具有相對較小寬度之三條單獨之線。

因此，藉由在光罩40中採用影像反轉輔助特徵56，可相對於其中採用不包含此等影像反轉輔助特徵56之類似光罩之製程改良聚焦深度。

圖5係本發明之包含影像反轉輔助特徵76之一微影蝕刻光罩60之另一實施例之一部分之一簡化平面圖圖解。光罩60大體類似於圖2A及圖2B之光罩40且包含一大致透明基板62及位於基板62之選定區域上之相對非透明材料64，因此在光罩60上界定複數個亮特徵(在圖5中圖解說明為潔淨區域)及暗特徵(在圖5中圖解說明為點畫區域)。在某些實施例中，光罩60可包括一衰減式相移光罩，其中相對非透明材料64係一吸收π(pi或180°)之相移材料。光罩60之圖5中所展示之部分經組態以在光罩60用於在一微影蝕刻製程中處理一工件22時於工件22上圖案化(例如，解析)一組之三個主要特徵。特定而言，光罩60之該部分包含主要特徵70A至70C之一群組72。主要特徵70A及70C係其中之每一者包含一整體式接觸墊區域78(其可或可不對稱且可或可不具有類似形狀)之線特徵。主要特徵70B係類似於圖2A及圖2B之主要特徵50A至50F之一線特徵，其不包含一整體式接觸墊區域78(至少在主要特徵70A及70C之接觸墊區域78之附近)。因此，光罩60之圖5中所展示之部分經組態以在正使用光罩60處理之一工件22上之一光阻劑材料24中圖案化三條線(其中之兩者亦具有一集成式接觸墊區域)之部分。

主要特徵70A至70C可包括經半隔離特徵，例如在半導體裝置(例如，記憶體裝置及邏輯裝置)之積體電路之橫向週邊區域中常見之彼等特徵，如先前關於圖2A及圖2B所論述。

光罩60亦包含經組態以改良欲藉由主要特徵70A至70C印刷於一工件22上之一光阻劑材料24中之經圖案化影像之對比度及/或主要特徵之清晰度之各種輔助特徵。

光罩60包含複數個標準輔助特徵74，其中之每一者可相對於主要特徵70A至70C位於共振或反共振位置處。特定而言，標準輔助特徵74可位於主要特徵70A至70C之群組72之橫向側上，如圖5中所展示。標準輔助特徵74可包括具有低於光罩60上之特徵之解析度極限之寬度之亮特徵。標準輔助特徵74可充當亮場輔助特徵，此乃因其可用於增加光阻劑材料24之對應於欲圖案化於正使用光罩60處理之一工件22上之光阻劑材料24中之主要特徵之區中至成像輻射之曝露。因此，標準輔助特徵74可輔助改良欲圖案化於正使用光罩60處理之一工件22上之一光阻劑材料24中之主要特徵之清晰度，但本身可不用於直接對正使用光罩60處理之一工件22上之一光阻劑材料24進行圖案化。

光罩60亦包含暗標準特徵79，其可經確定大小、經成形及/或經定位以輔助界定欲主要藉由光罩60之接觸墊區域78圖案化之接觸區域墊。暗標準特徵79可經確定大小、經成形及經定位使得將減小接觸墊區域78中之光強度，同時維持充足對比以防止在散焦條件下使接觸墊區域78處之光顯著模糊以便維持光阻劑材料在接觸墊區域78與主要特徵70B之間的存在。儘管暗標準特徵79本身在散焦條件下可能無意地印刷，但影像反轉輔助特徵76可減輕此問題，此乃因儘管影像反轉輔助特徵76可減小接觸墊區域78與主要特徵70B之間的光阻劑材料處之光強度，但其亦可朝向影像反轉輔助特徵76之橫向側且向接觸墊區域78中驅逐光，使得標準暗特徵79較不可能印刷。接觸墊區域78處之增加之光強度可由相對於其中不存在影像反轉輔助特徵76(圖6A)之情形(圖6A)影像反轉輔助特徵76實際上透射光罩處之更多光而產生。

群組72中之主要特徵70A至70C本身可經密集堆積，使得群組72內之主要特徵70A至70C中之任一者之間不存在共振或反共振位置，以便可在其之間放置一標準輔助特徵。

如圖5中所展示，光罩60亦包含複數個影像反轉輔助特徵76，其中之每一者可相對於主要特徵70A至70C位於共振或反共振位置以外之處。特定而言，影像反轉輔助特徵76可位於主要特徵70A至70C之間，如圖5中所展示。如標準輔助特徵74一樣，影像反轉輔助特徵76亦可包括若干亮特徵，其中之每一者包含具有類似於主要特徵70A至70C之一線之形狀及組態之一形狀及組態但具有低於光罩60上之特徵之解析度極限之一較小寬度之一線。影像反轉輔助特徵76可不具有對應於主要特徵70A至70C之接觸墊區域78之除了接觸墊區域78之由主要特徵70A至70C之線提供之區域以外之任何特徵。然而，至少部分地由於其位置，影像反轉輔助特徵76可充當暗場輔助特徵而非如標準輔助特徵74一樣充當亮場輔助特徵。換言之，影像反轉輔助特徵76可用於減小光阻劑材料24之介於對應於欲圖案化於正使用光罩60處理之一工件22上之光阻劑材料24中之主要特徵之彼等區之間的區中至成像輻射之不當曝露。因此，以此方式，影像反轉輔助特徵76進一步輔助改良欲圖案化於正使用光罩60處理之一工件22上之一光阻劑材料24中之主要特徵之清晰度，但本身可不用於直接在正使用光罩60處理之一工件22上之一光阻劑材料24中進行圖案化。圖6A及圖6B用於圖解說明具有影像反轉輔助特徵76之光罩之使用可如何相對於其中採用不包含此等影像反轉輔助特徵76之類似光罩之製程改良聚焦深度。

圖6A圖解說明使用類似於圖5之光罩60且包含三個主要特徵70A至70C之一群組72以及在群組72之橫向側之標準輔助特徵74但不包含介於主要特徵70A至70C之間的影像反轉輔助特徵76之一光罩之一部分之一電腦模型進行之電腦仿真之結果。圖6A包含兩個空間影像，其中之一者圖解說明在標稱聚焦條件下將圖案化於正在一微影蝕刻製程中使用圖6A之光罩之該部分(其不包含影像反轉輔助特徵76)處理之一工件22之一表面處之光阻劑材料24中之所計算區域(圖6A中之點畫區域)，其中之另一者圖解說明在散焦條件下將圖案化於正在一微影蝕刻製程中使用圖6A之光罩之該部分處理之一工件22之一表面處之光阻劑材料24中之所計算區域(圖6A中之點畫區域)。如圖6A之對應於散焦條件之空間影像中所展示，欲藉由光罩60之主要特徵70A及70C之接觸墊區域78圖案化之接觸墊區域存在不足清晰度。因此，所形成之接觸墊區域可不與欲藉由主要特徵70A及70C圖案化之主要特徵之線連續且因此可不以導電方式耦合至該等線。因此，若在此等散焦條件下圖案化，則導電墊區域可係有缺陷的且不適於使用。

圖6B圖解說明使用圖5之光罩60之包含三個主要特徵70A至70C之群組72、在主要特徵70A至70C之橫向側之標準輔助特徵74以及位於主要特徵70A至70C之間的影像反轉輔助特徵76之一部分之一電腦模型進行之電腦仿真之結果。圖6B亦包含兩個空間影像，其中之一者圖解說明在標稱聚焦條件下將圖案化於正在一微影蝕刻製程中使用圖6B之光罩之該部分(其確實包含影像反轉輔助特徵76)處理之一工件22之一表面處之光阻劑材料24中之所計算區域(圖6B中之點畫區域)，且其中之另一者圖解說明在與圖6A相關聯之散焦仿真中所使用之相同散焦條件下將圖案化於正在一微影蝕刻製程中使用圖6B之光罩60之該部分(其確實包含影像反轉輔助特徵76)處理之一工件22之一表面處之光阻劑材料24中之所計算區域(圖6B中之點畫區域)。如圖6B之對應於散焦條件之空間影像中所展示，在與圖6A之散焦條件相關聯之相同散焦條件下欲藉由光罩60之主要特徵70A及70C之接觸墊區域78圖案化之接觸墊區域存在充足清晰度以導致形成可接受之接觸墊區域。

因此，藉由在光罩60中採用影像反轉輔助特徵76，可相對於其中採用不包含此等影像反轉輔助特徵76之類似光罩之製程改良聚焦深度。

如上文中參考圖3A至圖3D所闡述，根據本發明之某些實施例，一單個影像反轉輔助特徵可提供於或至少接近一微影蝕刻光罩上之介於主要特徵之間的對應於出現以下情況之位置的一或多個位置：存在於正使用該光罩處理之工件22之表面處之電場之相位在「0」相位值與「π」相位值之間轉變。根據本發明之額外實施例，兩個或兩個以上影像反轉輔助特徵可在一微影蝕刻光罩上提供於主要特徵之間，且該兩個或兩個以上影像反轉輔助特徵可以對應於正使用該光罩處理之工件22之表面處出現以下情況之一位置的一位置處的或至少接近該位置之一位置為中心：存在於該表面處之電場之相位在「0」相位值與「π」相位值之間轉變。

舉例而言，圖7係本發明之包含影像反轉輔助特徵96之一微影蝕刻光罩80之另一實施例之一部分之一簡化平面圖圖解。光罩80大體類似於圖2A及圖2B之光罩40且包含一大致透明基板82及位於基板82之選定區域上之相對非透明材料84，因此在光罩80上界定複數個亮特徵(在圖7中圖解說明為潔淨區域)及暗特徵(在圖7中圖解說明為點畫區域)。光罩80包含主要特徵90A至90C之一群組92以及標準輔助特徵94，其可分別至少大致類似於圖2A及圖2B之光罩40之主要特徵70A至70C之群組72A以及標準輔助特徵54。

然而，光罩80包含介於第一主要特徵70A與第二主要特徵70B之間的一第一對影像反轉輔助特徵96及介於第二主要特徵70B與第三主要特徵70C之間的一第二對影像反轉輔助特徵96。該對影像反轉輔助特徵96相對於主要特徵90A至90C位於共振或反共振位置以外之處。特定而言，每一對影像反轉輔助特徵96可位於主要特徵90A至90C中之兩者之間，如圖7中所展示。每一對影像反轉輔助特徵96可以對應於正使用光罩80處理之工件22之表面處出現以下情況之一位置的一位置處的或至少接近該位置之一位置為中心：存在於該表面處之電場之相位在「0」相位值與「π」相位值之間轉變(如圖3D中所展示)。在額外實施例中，三個、四個或四個以上影像反轉輔助特徵96之一群組可以光罩80上之一或多個此等位置處的或至少接近於一或多個此等位置之一位置為中心。

如標準輔助特徵94一樣，影像反轉輔助特徵96可包括若干亮特徵，其中之每一者包含具有類似於主要特徵90A至90C之一線之形狀及組態之一形狀及組態但具有低於光罩80上之特徵之解析度極限之一較小寬度之一線。然而，至少部分地由於其位置，該對影像反轉輔助特徵96可充當暗場輔助特徵而非如標準輔助特徵94一樣充當亮場輔助特徵。換言之，影像反轉輔助特徵96可用於減小光阻劑材料24之介於對應於欲圖案化於正使用光罩80處理之一工件22上之光阻劑材料24中之主要特徵之彼等區之間的區中至成像輻射之不當曝露。因此，以此方式，影像反轉輔助特徵96進一步輔助改良欲圖案化於正使用光罩80處理之一工件22上之一光阻劑材料24中之主要特徵之清晰度，但本身可不用於直接對正使用光罩80處理之一工件22上之一光阻劑材料24進行圖案化。

影像反轉輔助特徵96可用於以類似於由圖2A及圖2B之光罩40之影像反轉輔助特徵56以及圖5之光罩60之影像反轉輔助特徵76提供之方式之一方式增強光罩80之聚焦深度，如上文所論述。

本發明之額外實施例包含形成如本文中所闡述之微影蝕刻光罩(例如(舉例而言)圖2A及圖2B之光罩40、圖5之光罩60以及圖7之光罩80)之方法。如下文更詳細地論述，可對一光罩基板上之一相對非透明材料進行圖案化以形成可安置於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵。

圖8係可用於形成如本文中所闡述之微影蝕刻光罩之一光罩曝露系統100之一圖解性方塊圖。光罩曝露系統100可用於製作包含如本文中所闡述之影像反轉輔助特徵之一微影蝕刻光罩。作為一實例，可提供其上包含一或多個表面塗層108之光罩坯件106。舉例而言，表面塗層108可包含最終可形成欲由該坯件形成之光罩之暗場區之一相對非透明材料層(例如，不透明)。可選擇性地對該相對非透明材料層進行圖案化以形成如本文中所闡述之一微影蝕刻光罩。如上文所論述，該相對非透明材料可包括一相移材料，使得對該相對非透明材料進行圖案化包括對光罩基板上之一相移材料進行圖案化。

為了對該相對非透明材料層進行圖案化，可在光罩基板上之相對非透明材料上方形成一經圖案化光罩層，且可蝕刻該相對非透明材料之透過該經圖案化光罩層曝露之區。可透過該經圖案化光罩層之孔口對該相對非透明材料層進行濕式蝕刻或乾式蝕刻以在該相對非透明材料中形成選定圖案。可使用一抗蝕劑材料形成此一光罩層。可在該相對非透明材料上方沈積一抗蝕劑材料。可將該抗蝕劑材料之選定區曝露於能量以更改該等選定區中之該抗蝕劑材料之一性質。接著可將該抗蝕劑材料顯影以移除該抗蝕劑材料之經曝露區及未經曝露區中之一者。因此，圖8中所展示之表面塗層108亦可包含安置於半透明或非透明材料層上方之一抗蝕劑材料層。

由於本文中所揭示(及欲使用光罩曝露系統100形成)之微影蝕刻光罩包含具有此較小大小以致可不使用採用電磁輻射來選擇性地曝露一光阻劑材料之標準光微影蝕刻系統對其進行解析之輔助特徵，因此可採用具有較低解析度極限之其他類型之微影蝕刻系統來曝露一抗蝕劑材料並對一光罩層進行圖案化。舉例而言，光罩曝露系統100可包括一電子束微影蝕刻系統。

因此，光罩曝露系統100可包含一電子束系統102，電子束系統102朝向其上可具有至少一個表面塗層108之一微影蝕刻光罩坯件106投射一電子束104。如上文所論述，表面塗層108可包括一電子束抗蝕劑材料。儘管圖8中未展示，但電子束系統102亦可包含：一束源(例如，一熱離子源或一冷陰極源)；一熄滅裝置，其經組態以中斷該束源；一磁性束偏轉系統及/或一靜電偏轉系統，其經組態以使電子束104轉向跨越光罩坯件106之表面之一選定部分。由於該磁性束偏轉系統及/或該靜電偏轉系統可不能使電子束104轉向至光罩坯件106之表面上之所有位置，因此可將光罩坯件106定位於可沿數個(例如，三個)相互正交之方向中之一或多者平移之載物台110上。系統100亦可包含一真空室112，其實質上包封光罩坯件106及載物台110，使得可在真空下將電子束104自電子束系統102引導至光罩坯件106。

系統100亦包含一控制系統113，其可包含包括記憶體114及一處理器115之一電腦裝置。一電腦程式可駐存於控制系統113之記憶體114中。欲使用光罩曝露系統100製作之一光罩之一模型亦可儲存於控制系統113之記憶體114中，且該電腦程式可經組態以控制光罩曝露系統100之各種有源組件以致使光罩曝露系統100由光罩坯件106形成一光罩。作為非限制性實例，控制系統113可包含各種習知裝置，例如一主電腦裝置、桌上型電腦裝置、一可攜式或「膝上型」電腦裝置、一可程式化邏輯控制器或一定製電腦裝置。

仍參考圖8，光罩曝露系統100可包含耦合至控制系統113且經組態以自控制系統113接收指令之一介面116。介面116可經組態以轉譯自控制系統113接收之指令並將所接收之指令轉換成可用於控制光罩曝露系統100之有源組件(例如(舉例而言)，電子束系統102及載物台110)之信號。因此，控制系統113與介面116可協作地控制電子束104跨越成像光罩坯件106之表面之掃描。適合掃描方法可包含使電子束104在光罩坯件106上方進行光柵掃描及向量掃描。

在將光阻劑材料之選定區曝露於電子束104之後，可將該光阻劑材料顯影以形成一經圖案化光罩層。可接著使用一蝕刻設備(圖8中未展示)來選擇性地蝕刻(濕式或乾式)半透明或非透明材料層以選擇性地對該半透明或非透明材料進行圖案化且形成如本文中所闡述之一微影蝕刻光罩。

因此，在某些實施例中，本發明包含包括一基板及位於該基板上之一經圖案化非透明或半透明材料之微影蝕刻光罩。該非透明或半透明材料界定該光罩之包含安置於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵之複數個特徵。

在額外實施例中，本發明包含包括此等光罩之微影蝕刻系統。舉例而言，一微影蝕刻系統可包含：一載物台，其用於支撐欲使用該微影蝕刻系統處理之一工件；一照射系統，其用於發射電磁輻射；一光罩，其經定位及經組態以用於選擇性地對由該照射系統發射之電磁輻射進行圖案化；及一投射透鏡總成，其用於將由該照射系統發射且由該光罩圖案化之電磁輻射投射至欲由該載物台支撐之一工件上。該光罩可包含安置於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵。

在又另外實施例中，本發明包含形成微影蝕刻光罩之方法，該方法包含對一光罩基板上之一非透明或半透明材料進行圖案化並形成安置於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵。

儘管已根據某些所圖解說明之實施例及其變化形式闡述了本發明，但熟習此項技術者將理解並瞭解本發明之實施例並不受此限制。相反，可在不背離如以上權利要求書及其合法等效內容所界定之本發明範圍之情況下實行對所圖解說明實施例之添加、刪除及修改。此外，本文中所闡述之一個實施例之元件及特徵可實施至本文中所闡述之任一其他實施例中或與任一其他實施例組合，此並不背離本發明之範疇。

10．．．微影蝕刻系統

12．．．照射系統

14．．．照射輻射

18．．．成像輻射

20．．．投射透鏡總成

21．．．成像輻射

22．．．工件

24．．．光阻劑材料

26．．．半導體結構

28．．．載物台

40．．．成像光罩

42．．．大致透明基板

44．．．相對非透明材料

50A．．．主要特徵

50B．．．主要特徵

50C．．．主要特徵

50D．．．主要特徵

50E．．．主要特徵

50F．．．主要特徵

52A．．．第一群組

52B．．．第二群組

54．．．標準輔助特徵

56．．．影像反轉輔助特徵

60．．．微影蝕刻光罩

62．．．大致透明基板

64．．．相對非透明材料

70A．．．主要特徵

70B．．．主要特徵

70C．．．主要特徵

72．．．群組

74．．．標準輔助特徵

76．．．影像反轉輔助特徵

78．．．整體式接觸墊區域

79．．．暗標準特徵

80．．．微影蝕刻光罩

82．．．大致透明基板

84．．．相對非透明材料

90A．．．主要特徵

90B．．．主要特徵

90C．．．主要特徵

92．．．群組

94．．．標準輔助特徵

96．．．影像反轉輔助特徵

100．．．光罩曝露系統

102．．．電子束系統

106．．．光罩坯件

108．．．表面塗層

110．．．載物台

112．．．真空室

113．．．控制系統

114．．．記憶體

115．．．處理器

116．．．介面

E．．．電場

I．．．強度

圖1係圖解說明本發明之一微影蝕刻系統之一實施例之一示意圖。

圖2A係本發明之包含影像反轉輔助特徵之一微影蝕刻光罩之一實施例之一部分之一簡化平面圖。

圖2B係圖2A之微影蝕刻光罩之沿著其中所展示之截面線2B-2B截取之一橫截面圖。

圖3A係圖2B之一部分之一放大視圖。

圖3B係圖解說明可存在於正在此一微影蝕刻製程中使用光罩之圖3A中所展示之部分處理之半導體結構上之電磁輻射之一強度之一圖表。

圖3C係圖解說明在一微影蝕刻製程期間可存在於正在此一微影蝕刻製程中使用光罩之圖3A中所展示之部分處理之半導體結構處之一電場之一圖表。

圖3D係圖3C之在一微影蝕刻製程期間可存在於正在此一微影蝕刻製程中使用光罩之圖3A中所展示之部分處理之半導體結構處之電場之相位之一標繪圖。

圖4A圖解說明在標稱聚焦條件下及在散焦條件下可存在於正在一微影蝕刻製程中使用類似於圖3A及圖3B之光罩但不具有任何影像反轉輔助特徵之一光罩處理之一半導體結構上之電磁輻射之強度等級。

圖4B圖解說明在標稱聚焦條件下及在散焦條件下可存在於正在一微影蝕刻製程中使用圖3A及圖3B之包含影像反轉輔助特徵之光罩處理之一半導體結構上之電磁輻射之強度等級。

圖5係本發明之包含影像反轉輔助特徵之一微影蝕刻光罩之另一實施例之一部分之一簡化平面圖圖解。

圖6A圖解說明在標稱聚焦條件下及在散焦條件下可解析於正在一微影蝕刻製程中使用類似於圖5之光罩但不具有任何影像反轉輔助特徵之一光罩處理之一半導體結構上之二維區域(該光罩正疊加於經解析之二維區域上方以促進圖解說明)。

圖6B圖解說明在標稱聚焦條件下及在散焦條件下可解析於正在一微影蝕刻製程中使用圖5之包含影像反轉輔助特徵之光罩處理之一半導體結構上之二維區域(該光罩正疊加於經解析之二維區域上方以促進圖解說明)。

圖7係本發明之包含影像反轉輔助特徵之一微影蝕刻光罩之另一實施例之一部分之一簡化平面圖圖解。

圖8係本發明之包含影像反轉輔助特徵之一微影蝕刻光罩之另一實施例之一部分之一簡化圖解。

10．．．微影蝕刻系統

12．．．照射系統

14．．．照射輻射

18．．．成像輻射

20．．．投射透鏡總成

21．．．成像輻射

22．．．工件

24．．．光阻劑材料

26．．．半導體結構

28．．．載物台

40．．．成像光罩

Claims (27)

1. 一種微影蝕刻光罩，其包括：一大致透明材料；及一經圖案化之相對非透明材料，其位於該大致透明材料上方，該相對非透明材料界定該微影蝕刻光罩之複數個特徵，該複數個特徵包括：至少兩個主要特徵；及至少一個影像反轉輔助特徵，其介於該至少兩個主要特徵之間。
2. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該大致透明材料包括石英玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃及硼磷矽酸鹽玻璃中之一或多者。
3. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該相對非透明材料包括一相移材料。
4. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該相對非透明材料包括一金屬、一金屬合金及/或矽化鉬中之至少一者。
5. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該至少兩個主要特徵包括穿過該相對非透明材料之孔口。
6. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該至少一個影像反轉輔助特徵係位於該微影蝕刻光罩上至少接近對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在相位之間轉變。
7. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該至少一個影像反轉輔助特徵包括複數個影像反轉輔助特徵，該複數個影像反轉輔助特徵以該微影蝕刻光罩上之一位置為中心，該位置至少接近於對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在相位之間轉變。
8. 如請求項1之微影蝕刻光罩，其中該至少兩個主要特徵中之每一者具有在該微影蝕刻光罩上之小於約四百奈米(400 nm)之一平均寬度，且其中該至少一個影像反轉輔助特徵具有介於該至少兩個主要特徵中之每一者之該平均寬度之約10%與約70%之間的一平均寬度。
9. 如請求項8之微影蝕刻光罩，其中該至少一個影像反轉輔助特徵具有該至少兩個主要特徵中之每一者之該平均寬度之約25%的一平均寬度。
10. 如請求項8之微影蝕刻光罩，其中該至少兩個主要特徵分離開介於該至少兩個主要特徵中之每一者之該平均寬度之約90%與約110%之間的一平均距離。
11. 如請求項8之微影蝕刻光罩，其進一步包括位於接近該至少兩個主要特徵中之至少一個主要特徵處之至少一個標準輔助特徵。
12. 一種微影蝕刻系統，其包括：一照射系統，其經組態以發射電磁輻射；一光罩，其包括介於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵，該光罩經組態以選擇性地透射由該照射系統發射之電磁輻射；及一投射透鏡總成，其經組態以將由該照射系統發射且由該光罩透射之電磁輻射投射至一工件上。
13. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該照射系統經組態以發射具有為193奈米、248奈米及308奈米中之一者之一波長之至少大致單色輻射。
14. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該照射系統包括經組態以發射為193 nm波長之輻射之氟化氬雷射器。
15. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該光罩包括一衰減式相移光罩。
16. 如請求項15之微影蝕刻系統，其中該衰減式相移光罩包括矽化鉬材料。
17. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該至少一個影像反轉輔助特徵係位於該光罩上至少接近對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在0相位與π相位之間轉變。
18. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該至少一個影像反轉輔助特徵包括複數個影像反轉輔助特徵，該複數個影像反轉輔助特徵以該光罩上之一位置為中心，該位置至少接近於對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在相位之間轉變。
19. 如請求項12之微影蝕刻系統，其中該至少兩個主要特徵中之每一者具有在該光罩上之小於約四百奈米(400 nm)之一平均寬度，且其中該至少一個影像反轉輔助特徵具有介於該至少兩個主要特徵中之每一者之該平均寬度之約10%與約70%之間的一平均寬度。
20. 一種形成一微影蝕刻光罩之方法，其包括對一大致透明材料上之一相對非透明材料進行圖案化，其中該圖案化包括形成安置於至少兩個主要特徵之間的至少一個影像反轉輔助特徵。
21. 如請求項20之方法，其中對一大致透明材料上之一相對非透明材料進行圖案化包括對一光罩基板上之一相移材料進行圖案化。
22. 如請求項20之方法，其中對一相對非透明材料進行圖案化包括：在該相對非透明材料上方形成一經圖案化之光罩層；及蝕刻該相對非透明材料之透過該經圖案化之光罩層曝露之區。
23. 如請求項22之方法，其中形成一經圖案化之光罩層包括：在該相對非透明材料上方沈積一抗蝕劑材料；將該抗蝕劑材料之選定區曝露於能量以更改該等選定區中之該抗蝕劑材料之一性質；及將該抗蝕劑材料顯影以移除該抗蝕劑材料之經曝露區及未經曝露區中之一者。
24. 如請求項23之方法，其中將該抗蝕劑材料之選定區曝露於能量包括將該抗蝕劑材料之選定區曝露於一電子束。
25. 如請求項20之方法，其中形成至少一個影像反轉輔助特徵包括使該至少一個影像反轉輔助特徵位於該光罩上至少接近於對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在相位之間轉變。
26. 如請求項20之方法，其中形成至少一個影像反轉輔助特徵包括：形成複數個影像反轉輔助特徵；及使該複數個影像反轉輔助特徵以該光罩上之一位置為中心，該位置至少接近於對應於欲使用該光罩處理之一工件之一表面處出現以下情況之一位置的一位置：存在於該表面處之一電場之一相位在相位之間轉變。
27. 如請求項20之方法，其進一步包括將該至少兩個主要特徵形成為具有在該光罩上之小於約四百奈米(400 nm)之一平均寬度，及將該至少一個影像反轉輔助特徵形成為具有介於該至少兩個主要特徵中之每一者之該平均寬度之約10%與約70%之間的一平均寬度。