TWI459503B - 降低靜電放電之設備及方法 - Google Patents

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Description

降低靜電放電之設備及方法
本發明之實施例大體係關於一用於基材之測試及/或處理系統以及一測試及/或處理基材之方法，特定言之係關於用於玻璃基材之測試系統以及一測試玻璃基材上之電子結構之方法。更特定言之，本發明係關於一用於生產平面面板顯示器中之大面積基材之整合測試系統。詳細地說，實施例係關於一用以降低靜電放電之組件、一基材支撐件單元、一用以測試或處理基材上之電子元件之設備、一用以降低靜電放電之方法、及一用以測試及/或處理大面積基材上之複數個電子元件之方法。
近來，平面面板顯示器已經變得越來越普及且廣泛地被用來取代陰極射線管顯示器。大致上，可使用不同類型之平面面板顯示器。舉例而言，主動式矩陣液晶顯示器(LCDs)是顯示器之一種類型。又，也可使用包括OLED或電漿顯示器之顯示器。相較於CRT，LCD、OLED顯示器或電漿顯示器具有一些優點，包括更高的畫面品質、更輕的重量、更低的電壓需求、及低功率消耗。顯示器在電腦螢幕、行動電話、電視、及諸如此類者具有許多應用。
大致上，對於LCD、OLED或電漿顯示器，提供有基材上之像素構件之電子控制。舉例而言，主動式矩陣LCD包括夾置在一薄膜電晶體(TFT)陣列基材與一彩色濾光片基材之間的液晶材料，以形成一平面面板顯示器。TFT基材包括一陣列之薄膜電晶體(各個薄膜電晶體耦接到一像素電極)及彩色濾光片基材，彩色濾光片基材包括不同之彩色濾光片部分與一共用電極。當特定電壓被施加到一像素電極時，像素電極與共用電極之間建立一電場，將液晶材料定向成針對此特定像素容許光通過液晶材料。
在製造顯示器的期間，需要測試平面面板基材以決定個別像素的操作性。電壓顯像、電荷感應、及電子束測試是在製造過程期間一些用來監控且解決缺陷的製程。舉例而言，在電子束測試期間，一像素的響應被監控，以提供缺陷資訊。在電子束測試之一實例中，特定電壓被施加到像素電極，並且在調查期間電子束可被引導到個別像素電極。從像素電極區域放射出的二級電子被感應，以決定電極電壓。可對LCD顯示器(諸如TFT)、OLED顯示器、及電漿顯示器)提供其他測試程序。大致上，對於測試程序，承載有顯示器或一部分之顯示器的基材設置在一測試設備中或在測試設備上。
從財務觀點及設計觀點而言，處理設備之尺寸與產能對於平面面板顯示器製造業者來說是關注的重點。因此，平面面板顯示器或用於平面面板顯示器之基材及其他大面積電子設備必須小心地被處置，以避免降低製造過程的量率。目前之8.5代(G 8.5)的平面面板顯示器大致上可容納高達約2200 mm×2500 mm且更大的大面積基材。當搬運可能造成缺陷的大面積基材時，已經觀察到靜電放電。更大的顯示器、增加的產能、及更低的製造成本的需求已經產生了對一經改善之處理與測試系統的需求，該經改善之處理與測試系統可改善基材量率而滿足生產標準。
所以，需要可在大面積基材上執行測試的測試系統以及用以測試大面積基材的方法，藉此可提供經改善的基材處理。
鑑於前述，提供獨立請求項1之一種基材支撐件單元、獨立請求項10之一種用以測試或處理一基材上之電子元件的設備、及獨立請求項13之一種用以搬運一基材之方法。
根據一實施例，提供一種基材支撐件單元。該基材支撐件單元適於一用以測試或處理基材之系統，並且該基材支撐件單元包含：一支撐件台桌，該支撐件台桌具有至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於支撐一基材，該基材承載件結構相對於接地端為電氣浮置。
在一實施例中，提供一種用以測試或處理一基材之設備。該設備包含：一腔室，該腔室內設置有一基材；及一基材支撐件單元，該基材支撐件單元具有至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於當該基材被放置在該基材承載件結構上時能支撐該基材，其中該基材承載件結構相對於接地端為電氣浮置。
在另一實施例中，提供一種用以測試或處理一基材之方法。該方法包含：裝載該基材於一腔室中之一基材承載件結構上，其中該基材承載件結構與接地端電絕緣；執行測試與處理該基材之至少一者；將該基材從該基材承載件結構卸載；及將該基材承載件結構與接地端電連接。
本文描述之術語電子元件或電子構件係指被提供在基材(尤其是介電基材，例如玻璃基材)上之電極、連接件、TFT、顯示器、一或更多導電層、或諸如此類者。這樣的電子元件或構件可用在像是LCD顯示器、OLED顯示器、或電漿顯示器之平面面板顯示器。
本文描述之實施例可用在各種測試與處理應用中。為了簡化起見，下文係參考以電子束來測試顯示器。然而，其他測試設備與測試方法(例如以光束)也可利用本文描述之實施例。根據可與本文描述之其他實施例結合的又進一步實施例，靜電放電(ESD)電壓降低也可應用到PVD或CVD處理工具或其他ESD重要應用，其中基材被移動至一基材承載件結構或從一基材承載件結構移開。
作為另一實例，本文所述實施例可併入AKT EBT測試工具(如EBT 15ki、25k、25ki、40ki、49k、55k、55ki或90k)以及CVD和PVD工具中，或在以上工具上執行。
大致上，本文使用之術語基材係指由例如介電材料(諸如玻璃、聚合材料、或適於具有電子元件形成於此材料上之其他基材材料)製成之大面積基材。本文描述之實施例係指各種驅動器、馬達、及致動器，各種驅動器、馬達、及致動器可以是下列之一者或下列之組合：氣動汽缸，液壓汽缸，磁性驅動器，步進機或伺服馬達，螺栓式致動器，或可提供垂直移動、水平移動、上述組合之其他類型之運動裝置，或適於提供所描述運動之至少一部分之其他裝置。
本文描述之各種部件可以在水平與垂直平面中進行獨立移動。垂直是被定義成正交於水平平面的移動且將被稱為Z方向。水平是被定義成正交於垂直平面的移動且將被稱為X或Y方向，X方向的移動是正交於Y方向且反之亦然。將在圖式中依需要以方向插入物來進一步定義X、Y與Z方向，以輔助讀者。藉此，可瞭解，座標系統是為了便於參考而被使用，並且非正交或由於製造偏差或諸如此類者而稍微偏離正交座標系統的其他座標系統仍可被提供用於根據本發明之實施例。
第1圖係圖示適於測試各種性質(諸如位在大面積平面面板基材上之電子元件之操作性)之一測試系統100(例如一同線測試系統)之實施例。舉例而言，大面積基材可具有高達且超過約1920 mm×約2250 mm之尺寸，例如目前世代G8.5的2200 mm×2500 mm且更大。測試系統100包括一測試腔室110、一或更多裝載閉鎖腔室120A、120B、及複數個測試柱115(第1圖顯示六個)。根據不同實施例，該一或更多測試柱115可以是充電粒子束柱(諸如電子束柱)、光學柱(光學柱包括基於電容式耦合之光調變器)、或適於測試大面積基材上之電子元件之任何裝置。電子元件可以是薄膜電晶體(TFTs)、電極、連接到電極之連接件。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，電子元件係提供或承載相應於平面面板顯示器之像素或子像素之電荷。典型地，測試系統100位在清潔室環境中且可以是製造系統之一部分，其中製造系統包括基材搬運設備(諸如傳送一或更多大面積基材至測試系統100及傳送基材離開測試系統100之機器人設備或輸送器設備)。
該一或更多裝載閉鎖腔室120A、120B可設置成，藉由一設置在裝載閉鎖腔室120A與測試腔室110之間之閥135A以及一設置在裝載閉鎖腔室120B與測試腔室110之間之閥135B，在測試腔室110之一側或兩側皆鄰近且連接到測試腔室110。裝載閉鎖腔室120A、120B可藉由通常位在清潔室環境中之傳送機器人及/或輸送器系統促進大面積基材傳送至測試腔室110及傳送離開測試腔室110以及傳送至外界環境及傳送離開外界環境。在一實施例中，該一或更多裝載閉鎖腔室120A、120B可以是一雙槽裝載閉鎖腔室，雙槽裝載閉鎖腔室係設以促進至少兩大面積基材之傳送。雙槽裝載閉鎖腔室之實例係被描述在西元2004年12月21日授予之美國專利案第6,833,717號(代理人卷號008500)，以及西元2006年12月7日授予為US2006/0273815A1且發明名稱為「Substrate Support with Integrated Prober Drive」之美國專利申請案第11/298,648號(代理人卷號010143)，此兩案件在此皆以引用方式被併入本文作為參考。
根據一些實施例，裝載閉鎖腔室120A可適於透過入口埠130A接收來自清潔室環境之基材，同時裝載閉鎖腔室120A具有選擇性地開啟之出口埠130B以將大面積基材返回到清潔室環境。根據又其他實施例，可提供一或更多裝載閉鎖腔室，其中各個裝載閉鎖腔室適於裝載且卸載基材。裝載閉鎖腔室120A、120B可密封隔離外界環境且通常耦接到一或更多真空泵122，並且測試腔室110可耦接到和裝載閉鎖腔室120A、120B之真空泵不同的一或更多真空泵122。用以測試大面積基材之電子束測試系統之各種部件的實例係被描述在西元2004年12月21日授予且發明名稱為「Electron Beam Test System with Integrated Substrate Transfer Module」之美國專利案第6,833,717號(代理人卷號008500)，先前以引用方式被併入本文作為參考。藉此，根據可與本文描述之其他實施例結合之典型實施例，在裝載閉鎖腔室與測試腔室已經被排空到相似壓力之後，該等腔室之間的閥(諸如狹縫閥)會被開啟，並且一連接到機器人之終端效應器會從測試腔室移動到裝載閉鎖腔室內、將基材升高且縮回到測試腔室內，同時承載基材。接著，基材可被定位在測試腔室110中之支撐件桌台之基材承載件結構上方或之上，如下文所將詳細描述。
根據可與本文描述之其他實施例結合之又進一步實施例，裝載閉鎖腔室及/或測試腔室可具有用以檢視裝載閉鎖腔室及/或測試腔室中之基材之部分的顯微鏡。顯微鏡之實例係被描述在西元2006年3月14日申請且發明名稱為「In-Line Electron Beam Test System」之美國專利申請案第11/375,625號(US2006/0244467)，美國專利申請案第11/375,625號(US2006/0244467)在此以引用方式被併入本文作為參考。
根據一些實施例，測試系統100係設以經由一沿著單一方向軸(圖上顯示為Y軸)之測試順序傳送具有電子元件位於大面積基材105上之大面積基材105。在其他實施例中，測試順序可包括沿著X與Y軸之移動的組合。在其他實施例中，測試順序可包括由該等測試柱115與測試腔室110內該支撐件桌台之可移動平台的一或兩者提供之Z方向移動。基材105可沿著基材寬度或基材長度被引進到測試系統100內。測試系統中，基材105之Y方向移動係容許系統尺寸可稍微大於基材102之寬度或長度尺寸。
根據可與本文描述之其他實施例結合之一些實施例，一或更多電壓測量單元160可被提供在測試系統中，如第1圖所示。所以，根據一些實施例，電壓測量單元係適於測量測試系統中之基材之電壓之絕對值(即相對於接地端之基材電位)。電壓測量單元160可用以在不同處理步驟期間測量基材上之電位。將參照第3A-6圖更詳細地解釋。
測試系統100也可包括一可移動支撐件台桌或一支撐件台桌，支撐件台桌具有至少一可移動平台，可移動平台係設以移動於至少Y方向而通過測試系統100。或者，可藉由輸送器、帶系統、梭系統、或適於傳送基材105使基材105通過測試系統100之其他適當輸送設施，將基材(具有或不具有支撐件台桌)傳送通過測試系統。在一實施例中，這些支撐件及/或傳送機構之任一者係設以僅沿著水平方向軸移動。由於單方向傳送系統，可將裝載閉鎖腔室120A、120B與測試腔室110之腔室高度予以最小化。減低的高度以及測試系統之最小寬度可在裝載閉鎖腔室120A、120B與測試腔室110中提供較小的體積。減少的體積係可減少裝載閉鎖腔室120A、120B與測試腔室110中之抽低壓力和排氣時間，容許了測試系統100之產能的提升。沿著單一方向軸之支撐件台桌或平台之移動也可將移動支撐件台桌於X方向所需要的驅動器予以去除或最小化。
根據本文描述之實施例，基材被提供在基材承載件結構上方，基材與基材承載件結構係接觸以在測試或處理期間支撐基材，並且在基材被傳送到傳送腔室之前(諸如在測試之後，被傳送到裝載閉鎖腔室之前)基材與基材承載件結構再次地被分離。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，基材承載件結構可以是一支撐與傳送結構，其中基材承載件結構也在測試期間傳送基材。根據又進一步替代性變化，可藉由移動基材及/或藉由移動基材承載件結構使基材與基材承載件結構接觸。舉例而言，基材可被傳送到測試腔室中且在基材承載件結構上方。接著，將基材承載件結構升高以支撐基材。替代地或此外，在基材已經被傳送到測試腔室中且在基材承載件結構上方之後，將基材降低到基材承載件結構上。
根據可與本文描述之其他實施例結合之一些實施例，基材承載件結構可被視為形成與基材接觸之支撐件台桌之一部分。換言之，基材係接觸或停置在支撐台桌之基材承載件結構上。因此，基材承載件結構形成一基材支撐件。
根據可與本文描述之其他實施例結合之一些實施例，可如第2圖所示詳細地提供基材支撐件或支撐件台桌。第2圖係顯示測試腔室200之放大剖視圖。支撐件台桌包括一第一平台255、一第二平台260、及一第三平台265。此三平台255、260與265是平坦塊材或實質平坦塊材且堆疊在彼此之上。在一實施例中，此三平台255、260與265之各者可沿著正交軸或維度獨立地移動。為了簡化與輕易說明起見，第一平台255將在下文進一步被描述成代表沿著X軸移動的平台，且被稱為下平台或X平台255。第二平台260將在下文進一步被描述成代表沿著Y軸移動的平台，且被稱為上平台或Y平台260。第三平台265將在下文進一步被描述成代表沿著Z軸移動的平台，且被稱為Z平台265。
下平台255與上平台260之各者可從側邊移動到側邊或前後移動，取決於測試腔室200之方位。換言之，下平台255與上平台260皆相對於相同水平平面線性地移動，但移動於彼此正交的方向。相對地，Z平台265係移動於垂直方向或「Z方向」。舉例而言，下平台255在「X方向」從側邊移動到側邊，上平台260在「Y方向」前後移動，並且Z平台265在「Z方向」上下移動。
下平台255透過一第一驅動系統(此圖未圖示)耦接到一基座或基座單元235。第一驅動系統將下平台255沿著X軸線性地移動。同樣地，上平台260透過一第二驅動系統(此圖未圖示)耦接到下平台255，第二驅動系統將上平台260沿著Y軸線性地移動。第一驅動系統能夠在X方向或維度移動基材台桌250達基材寬度之至少50%。同樣地，第二驅動系統能夠在Y方向或維度移動基材台桌250達基材長度之至少50%。驅動系統之各種部件之實例係被描述在西元2004年12月21日授予且發明名稱為「Electron Beam Test System with Integrated Substrate Transfer Module」之美國專利案第6,833,717號(代理人卷號008500)，美國專利案第6,833,717號(代理人卷號008500)在此以引用方式被併入本文作為參考。
如第2圖所示，測試腔室200進一步包括一終端效應器270，終端效應器270可被提供成作為一舉升叉以傳送基材285進出測試腔室200。在操作時，終端效應器270可從測試腔室200延伸到裝載閉鎖腔室120內，以裝載一基材。同樣地，具有一基材被裝載於終端效應器270上之終端效應器270可從測試腔室200延伸到裝載閉鎖腔室120內，以傳送基材到裝載閉鎖腔室120。一運動裝置(諸如線性致動器、氣動汽缸、液壓汽缸、磁性驅動器、或步進機或伺服馬達)可耦接到終端效應器270，以輔助此傳送。在一實施例中，終端效應器270包括一對支承塊272，支承塊272可容許終端效應器270移動進出測試腔室200。
第2圖顯示終端效應器270之一實施例，終端效應器270具有四個指件，該等指件係均勻地分隔以及在基材被放置在該等指件上時接觸且支撐基材285。實際數量的指件是設計的考量，並且可由熟習此項技術者來決定所需要用在被操縱之基材尺寸之適當數量指件。
Z平台265設置在上平台260之上表面上。Z平台265可具有由基材承載件結構形成之平坦或實質平坦上表面，以接觸且支撐測試腔室200內之基材285。Z平台265係形成有溝槽或區塊，以致Z平台265之各個區塊座落鄰近於終端效應器270之一指件。因此，Z平台265與終端效應器270可叉合在同一水平平面上。此組態容許Z平台265可在終端效應器270上方與下方移動。所以，Z平台265之該等區塊之間的間隔對應於終端效應器270之該等指件之寬度加上一些額外測量值，以確保存在空隙。儘管第2圖之剖視圖顯示有五個區塊，Z平台可具有任何數量的區塊。根據可與本文描述之其他實施例結合之一些實施例，各個區塊可被提供有一各自的基材承載件結構或基材承載件，而形成基材可被放置在基材承載件結構或基材承載件上之共用支撐表面。
根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，一或更多Z平台舉升件275耦接到構成Z平台265之該等區塊之各者的背側。各個Z平台舉升件275設置在形成於上平台260中之通道內，並且一伸縮管277配置在各個Z平台舉升件275周圍，以減少測試腔室200內的微粒污染。Z平台舉升件275垂直地上下移動，並且可氣動地或電氣地被致動。該等伸縮管277係回應於舉升件275之移動而壓縮且擴張。
如上所述，基材被裝載在測試系統之測試腔室中。藉此，基材可被降低到基材支撐件(諸如支撐台桌之基材承載件結構或諸如此類者)上。或者，基材支撐件可被升高，以支撐基材。根據又進一步實施例，可結合基材與基材支撐件之移動。第3A圖顯示基材385遠離基材支撐件380的一情況。在測試期間，如第3B圖所示，基材385被基材支撐件380支撐，以致基材385接觸或至少部分接觸基材支撐件380之部分，或稍微地浮置在基材上方(例如位在空氣墊上)。在完成測試程序之後，為了將基材從測試腔室卸載，基材385與基材支撐件結構380係在垂直方向(z方向)彼此遠離移動。由此，在基材之搬運期間，過量電壓可能會發生且破壞顯示器或整個顯示器之電子構件。尤其是當基材被升高離開平台時，高達數千伏特之電壓可能發生。這在第3C圖中由基材385之上表面386上的少量正電荷來圖示。根據在測試腔室中已經進行測試之後將基材予以接地的普遍操作的事實，此現象尤其可能發生。又，上表面之處理會影像電荷分佈。
上述之電荷分佈(亦稱為靜電電荷(ESC))可能會由複數個因素來影響，該等因素係諸如基材上之起初電荷與起初電荷的極性。舉例而言，在一給定製程期間，基材之一表面可能會被充電。電荷量取決於施加到介電基材之製程條件(諸如濕蝕刻、乾蝕刻、CVD、PVD、及基材和基材環境的交互作用)。
為了補償，反極性之電荷可被引進到基材之另一表面，例如藉由離子化機。然後，基材被極性化。但是，靜態伏特計之測量值將指出沒有或僅少量之基材的靜電電壓，這是因為該等電荷會彼此補償。藉此，在測試基材之前，一製程相依電荷可以存在。又，可藉由摩擦起電效應(triboelectric effect)將一額外電荷引進到基材上。又，取決於測試系統幾何形態和用於測試系統的材料，介於基材與相鄰部件之間的電容式耦合會發生。因此，靜電電荷會根據基材上所執行之過去和目前製程步驟而改變，並且難以被感應。所以，依此，ESC會按照如下來發生：若一極性化介電基材(極性化介電基材包括例如玻璃部分，且具有諸如在極性化介電基材之上表面386上之像素電極或其他導電部分之元件結構)位在與基材支撐件380遠離之處(例如位在升高位置)，基材頂部之電容392與基材底部之電容394被視為具有相似的數值，這是因為上表面386與基材支撐件380之間以及下表面388與基材支撐件380之間的各自的距離是相似的。再者，兩表面具有約相同量之電荷但相反之極性，並且因此基材或上表面386上將各自測量到沒有靜態電壓或僅小的非破壞性靜態電壓。這圖示在第3A圖中。根據可與本文描述之實施例結合之一些實施例，在升高位置，基材385與基材支撐件380之間的距離可以為約15 mm。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，玻璃基材可具有約0.7 mm之厚度。
當基材385接近基材支撐件380時(例如在放置基材385到基材支撐件380上的期間，如第3B圖所示)，介電基材385之底表面或下表面388係比具有電子元件形成於介電基材385上之上表面386更接近基材支撐件380。上表面386和基材支撐件380相隔至少基材厚度。下表面388與基材支撐件380之間的小距離可以維持。然而，此距離通常小於基材厚度。因此，形成在基材385之上表面或頂表面386與基材支撐件380之間的電容394b會小於形成在基材385之下表面或底表面388與基材支撐件380之間的電容392b。由於基材支撐件380是由導電材料製成，相反極性之鏡像電荷會受到感應，在基材支撐件380之上表面處形成了正電荷。該等鏡像電荷係部分地補償基材385之下表面388上之負電荷之電場。所以，基材385之上表面386與下表面388上的電荷不再完全地彼此補償，並且可偵測到一靜態電壓，該靜態電壓在第3圖之實施例中係圖示為正。無庸置疑地，當基材385被相反地極性化時，正電荷關係將會被建立。
在測試期間，如上所述，一探針條或探針框架會接觸基材385之上表面上之電子構件。在測試程序之前或之後，探針條通常會被接地。藉此，基材385上之電子構件係被迫使為接地電位，這造成了電荷載體的流入或流出(取決於基材之前狀況)。接著，探針條和基材斷開，並且不再有電荷流動發生(即電荷量維持成恆定)。
在後續之為了將基材卸載的升高位置，參照第3C圖，基材385和基材支撐件380相隔例如一給定距離。在此情形中，電容392和394再次為幾乎相等，並且小於先前情形期間(即在放置基材385到基材支撐件380的期間，如第3B圖所示)。由於和基材支撐件380相隔所增加的距離，基材385之下表面與基材支撐件380的電容式耦合也會顯著地被減少，因此基材支撐件380中少量或沒有鏡像電荷受到感應。在測試期間，因為上表面上之電荷已經以相反於下表面388上之電荷的方式而顯著地改變，可以觀察到高達數千伏特之靜電電壓。這會造成靜電放電，靜電放電會破壞上表面上的電子構件。應注意，兩表面上的電荷在升高期間皆不會改變。反而，對基材支撐件的電容式耦合會減少，並且因此上表面與下表面之間的電荷非平衡不再被基材支撐件380中之鏡像電荷感應所抵消。由於在升高期間電容變小而電荷維持成恆定，上表面386與基材支撐件380之間以及下表面388與基材支撐件380之間的電壓會各自增加，並且因此這些電壓之間的差異也會增加，其中差異可能增加至高達數千伏特。
儘管第3C圖顯示了基材385之上表面上之大致上的電荷減少，但非均質的電荷分佈也可能發生。這會導致沿著例如在相同的元件(諸如TFT顯示器)內或在相鄰的元件內之上表面之橫向放電。橫向放電也是一重要問題。尤其，極性化玻璃基材在搬運期間對於產生高電壓是關鍵的。
為了藉由減少或避免靜電放電來增加系統的良率，本發明之實施例可提供一充電補償或電荷變化減少，如本文所述。第4A-4D圖係圖示一種避免或減少靜電非平衡之發生的方式。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，一極性化介電基材485係與基材支撐件480(諸如基材承載件結構)緊密接觸，該極性化介電基材485承載相反極性之電荷於極性化介電基材485之兩主表面上。在起初階段，基材485和基材支撐件480相隔一給定距離，類似第3A圖所圖示的情形。在此情形中，形成在基材485之上表面486與基材支撐件480之間的電容492以及形成在基材485之下表面488與基材支撐件480之間的電容492是小的，並且實質上相同。所以，對基材支撐件480之電容式耦合是小的。
不同於第3圖的情形，基材支撐件480係和接地端絕緣，如將基材支撐件480和接地端496電絕緣的電容495所示。所以，基材支撐件480相對於接地端496浮置。換言之，提供了介於基材485與基材支撐件480之間的一接地匹配。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，藉由電容495之基材支撐件480的電絕緣可以從約1 nF到約100 nF。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，基材支撐件480(例如下文描述之基材承載件結構)可藉由一不同的電容器電連接到接地496，其中該電容器是由一隆塊構件形成以調節電氣條件。根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，沒有提供不同的電容器，並且對接地端的電容式耦合是透過基材支撐件480之設計來建立，例如藉由提供對接地端的各自絕緣方式(這可避免來自和基材接觸之基材支撐件之部分的導電路徑(歐姆連接))。在任一情況中，沒有形成對接地端的永久電氣連接。
根據可與本文描述之其他實施例結合之不同實施例，可提供一開關單元440，以將基材支撐件480暫時地連接到接地端496(若有需要)。開關單元440係繞過(bypass)電容495。
當基材485接近基材支撐件480時(即當基材485與基材支撐件480之間的距離變小時)，電容492和494係增加成為電容492b和494b，如上所述。再次地，鏡像電荷將在基材支撐件480中受到感應。然而，基材支撐件480藉由電容495與接地端496去耦合。這意謂著電容495係與電容492b和494b串聯地連接。由於基材支撐件480之去耦合，基材485與接地端496之間的電容式耦合係被減少。這意謂著電容相對於接地端的上升是比經接地之基材支撐件的情況中更小得多。再者，當基材485被放置在電氣浮置基材支撐件480上時，電氣浮置基材支撐件480之電位將上升，且這也會減少大量鏡像電荷的產生。
不欲受限於理論，當考量基材與接地端之間的總電容C時可說明接近期間電容變化的減少。假設基材485與基材支撐件480之間的電容是C1 ，並且基材支撐件480與接地端496之間的電容495是Cg 。則，下述關係可適用：
因此，總電容C的變化係相對於經接地之基材支撐件被減少，並且因而基材電壓變化係相對於接地端也被減少。更詳細的考量係考慮到基材之上表面與接地端之間以及基材之下表面與接地端之間各自的電容變化。然而，上述關係顯示此兩電容，對於一浮置基材支撐件將比對於一經接地之基材支撐件改變程度顯著更小。所以，靜電電壓的相應變化也被減少。
舉例而言，當適當地選擇Cg 於C1 範圍中或甚至小於C1 時，總電容C將粗略為Cg 。這意謂著僅可觀察到總電容C之小變化，並且因此也僅可觀察到小電壓變化。C1 之數值可根據下列式子來估計：
其中ε0 是真空介電係數，ε r 是相對介電係數，A是基材之面積，並且d是基材之上和下表面與基材支撐件之間的距離。可由平均距離d來近似基材之下表面與基材支撐件之間的距離，這是因為基材之整個下表面通常不會接觸基材支撐件。舉例而言，基材支撐件可具有一結構化表面，以致僅提供了部分接觸。例如，表面可包括突部(burling)。再者，基材支撐件之表面可具有特定粗糙度。
又，由於減少的電容變化，當探測上表面486上之元件時，僅電荷載體之小流入或流出會發生，因此上表面486上之電荷實質上維持成恆定。這也減少了產生或增加電荷載體之橫向非均質分佈的風險。
最後，探針條從基材480斷開，並且沒有進一步電荷流動發生。當基材485被升高離開基材支撐件480時，由於對基材支撐件480的距離增加了，電容492b和494b會減少且將各自達到相似於492和494之數值。電荷的改變造成靜電電壓的發生，但達較小的程度。在對基材支撐件480的距離增加的期間，兩效應會減少基材485電壓上升：A)因為在探測期間沒有電荷非平衡或僅一點非平衡被產生，僅可測量到小的靜電電壓；B)即使存在有一點非平衡，也不會造成顯著的基材電壓上升，這是因為起初電容492b和494b與最終電容492和494的比值是遠小於如第3A-3C圖圖示之永久接地之基材支撐件的情況。舉例而言，估計已經顯示了，在同樣條件下，起初電容492b和494b與最終電容492和494的各自比值，對於經接地之基材支撐件380可以是對於一去耦合或浮置基材480的約10倍或甚至更大。可藉由適當地選擇電容數值Cg 495來影響此比值。由於此兩效應，可皆避免橫向靜電放電與對腔室內之部件的靜電放電(本文未示出)。所以，相較於一經接地之基材支撐件480而言，對於一浮置基材支撐件480，藉由探針來接觸或探測基材的期間，電荷改變會顯著地被減少。
可藉由開關單元440將基材支撐件480之電位重設成接地，以在放置下一個基材之前具有預定的條件。依此，可提供一控制訊號，該控制訊號係使開關單元440能將基材支撐件480暫時地連接到接地端496。
為了說明，請參照第10圖，第10圖係顯示搬運期間玻璃基材之靜電電壓的變化。已經針對不同的搬運順序來測量靜電電壓(例如由靜態電壓計來測量)，諸如：從裝載閉鎖室到腔室的傳送(被表示成「裝載閉鎖室→腔室」)；藉由相對於玻璃基材升高基材支撐件而使得玻璃基材到基材支撐件(平台)的接近(被表示成「平台上升」)；玻璃基材與基材支撐件的接觸(被表示成「接觸」)；在測試之後藉由相對於玻璃基材下降基材支撐件使得玻璃基材從基材支撐件的移除(被表示成「平台下降」)；及玻璃基材從腔室到裝載閉鎖室的傳送(被表示成「腔室→裝載閉鎖室」)。
第10圖顯示了位在一電氣浮置基材支撐件上之玻璃基材的小電壓變化，相較於一經接地之基材支撐件上之玻璃基材(此玻璃基材在升高與傳送到裝載閉鎖室的期間經歷了顯著的電壓增加)。如第10圖所示，當使用一浮置基材支撐件(平台板)時，靜電電壓可被維持在介於0 V與500 V之間，而被裝載到一經接地之基材支撐件或平台板上的基材顯示高達近-2500 V之電壓增加。已經針對玻璃基材兩者在相同條件下進行測試，諸如相同玻璃尺寸和厚度、相同腔室、及相同之導致極性化玻璃基材之起初製程條件。
發生橫向電荷與電壓變化的一原因係被圖示在第11A和11B圖中，第11A和11B圖顯示了藉由一終端效應器1170來搬運玻璃基材，其中終端效應器1170具有多個舉升指件1171。舉升指件1171提供了複數個對基材1185的點狀接觸。第11A圖係圖示沿著第11B圖之線AA’的剖視圖，並且顯示了位在基材支撐件或基材承載件結構1175上方之升高位置的基材1185。當基材1185被舉升指件1174升高時，由於點狀接觸，基材1185會在多個支撐部分之間下垂且可能變成波紋狀。所以，基材1185與基材支撐件1175之間的距離係橫向地改變。由於電容是間接正比於此距離，橫向電容變化會發生，橫向電容變化也會產生橫向電壓變化。再者，終端效應器1170可能僅被支撐在一側上，以致終端效應器1170的彎曲也可能發生，終端效應器1170的彎曲接著也會導致電容變化。因此，由於小間隔之區域與大間隔之區域之間的不同電容，間隔分佈造成了橫向電壓差異。再者，基材支撐件之表面條件(諸如粗糙度與材料)的變化也可能影響電壓變化。在基材相對於基材支撐件的移動期間，元件或胞元內之電壓差異會造成ESD。測量已經揭示了數百至數千伏特之橫向電壓變化(例如500 V至600 V及更高)會發生。
第11B圖係代表當由終端效應器1170來升高一玻璃基材1185時，玻璃基材1185之拓撲圖像。可觀察到，基材1185與各自舉升指件1171之間的點接觸是正的彎曲，而下垂的區域是負的彎曲。
在升高過程的開始時，電容之橫向變化以及因而所產生之靜電電壓之橫向變化是尤其明顯的，其中距離的變化會顯著地影響電容。一基材上之多個相鄰顯示器之間的大橫向電壓差異會發生。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，如本文所述之當基材支撐件與接地端絕緣時，靜電電壓之橫向差異也會顯著地被減少。再次地，基材支撐件之去耦合形成了一電容，其中該電容係串聯地電連接在基材-基材支撐件電容與接地端之間。
第5圖係圖示一測試系統之示意圖，該測試系統包括一裝載閉鎖腔室120與一測試腔室110。根據一些實施例，可提供下述構件之一或更多者：一或更多測試柱415、一探針條430(探針條430具有多個探針頭432以為了接觸設置在基材上的電子構件)。根據可與本文描述之其他實施例結合之一些實施例，該等探針頭432可接附到探針條430，以致該等探針頭432可移動，以容許針對不同基材設計之接觸位置的對齊。根據又進一步替代或額外的變化，可提供一具有可變接觸位置之探針框架，例如透過可再定位之探針頭、可調整之框架條位置、或諸如此類者。
根據可與本文描述之其他實施例結合之又進一步實施例，可提供一電壓測量單元460。典型地，根據不同實施例，電壓測量單元可適於測量基材上之電壓之絕對值，例如電壓測量單元可以是一靜態電壓計。根據特定之選擇性實施方式，電壓測量單元係適於測量靜態電壓及/或可適於測量電通量線。舉例而言，一震動之壓電晶體可用以測量電通量線以及藉此測量基材上之絕對電壓。
根據可與本文描述之其他實施例結合之又進一步實施例，電壓測量單元460可固定地被裝設在測試系統中，或電壓測量單元460係以可移動地方式被裝設在測試系統中，以致在裝設測試系統的期間及/或當一具有不同製程歷史與因而不同起初靜電電荷之新產品第一次被用在測試系統中時，可使用電壓測量單元。根據又進一步額外或替代性變化，電壓測量單元可被裝設在測試腔室內或在測試腔室之殼體內。根據又進一步變化，可提供一或更多電壓測量單元，電壓測量單元可例如取決於所提供之裝載閉鎖腔室之數量。舉例而言，如第1圖所示，若兩個裝載閉鎖腔室被提供在測試腔室之各側上，可提供兩個電壓測量單元，以在裝載基材之後且在卸載基材之前測量基材上之靜態電壓。
一測試系統100(如第1和2圖所顯示者)可被用以應用本文描述之方法。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，若希望的話，可額外地利用主動電壓補償。主動電壓補償係例如被描述在西元2010年4月22日授予為US2010/0097086且發明名稱為「Apparatus and Method for Active Voltage Compensation」之美國專利申請案第12/582,909號，美國專利申請案第12/582,909號在此以引用方式被併入本文作為參考。簡言之，測試期間電荷之流入或流出會在測試之後被一相應之逆向電荷流動所補償。依此，電壓測量單元460(例如靜電壓力計)係感測在放置基材285於支撐件之前的起初電壓V0以及當基材被放置在支撐件上時的電壓V1。在測試之後，可藉由施加相應於V1之電壓到所測試的元件上而將測試期間之電荷流入或流出予以逆向。可藉由在使基材285升高離開支撐件之後測量電壓V2且與V0比較來證實電壓補償。可藉由一控制單元470來控制主動電荷補償，控制單元470係以可操作的方式連接到電壓測量單元460與探針頭432。
如上所述，根據本文描述之實施例，對於產生靜電電荷之製程，可藉由將基材支撐件(當基材被放置在基材支撐件上時)與接地端電氣去耦合以有效方式來減少電荷的變化或改變。
參照第6A和6B圖，將描述被配置用來避免基材上之電荷非平衡之基材支撐件單元之實施例。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，一基材支撐件單元600包括至少一支撐件台桌，支撐件台桌具有至少一基材承載件結構675以支撐基材685。基材承載件結構675係與接地端644電氣去耦合，並且因此相對於接地端為浮置。典型地，基材承載件675之上表面係適於固持大介電基材(諸如玻璃基材)。基材承載件結構675之上表面(基材685將被放置在基材承載件結構675之上表面上)可以被結構化，或可以是一未結構化之平坦表面。典型地，結構化表面也形成了一平坦的支撐件。上表面之結構化可包括形成多個溝槽或其他結構。基材承載件結構675可以是例如一包括多個溝槽之鋁平台板。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，基材承載件結構675包含諸如鋁、導電塑膠材料或導電陶瓷的導電材料。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，基材承載件結構675係被配置在支撐件台桌之一可移動平台665上且藉由一絕緣層670與可移動平台665絕緣。在第6A圖圖示之實施例中，可移動平台665是Z平台，即可藉由驅動器或被基座單元635所支撐之Z舉升件666在垂直方向移動。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，平台665也可以是X平台或Y平台，或任何上述平台之組合，如第6B圖所示。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，支撐件台桌可包括一夾置結構，夾置結構是由一平台665、一絕緣層670與一基材支撐件結構675來形成。換言之，支撐件台桌可設以提供基材支撐件結構675的電氣絕緣。
絕緣層670也提供基材承載件結構675與基座單元(基座單元係被接地)之間的電氣絕緣，各自如第6A和6B圖所示。絕緣層670可包含諸如聚四氟乙烯(PTFE)(商業上販售成Teflon)或聚醯亞胺(聚醯亞胺的一實例是Kapton)的材料。可根據特定需求選擇絕緣層670之材料，以諸如為了忍受處理和測試期間玻璃基材所經歷的處理條件。舉例而言，可選擇絕緣層670，使絕緣層670可忍受高達1000℃之溫度(取決於製程條件)且對於高真空條件應該是適當的。對於高溫應用，可使用無機絕緣材料。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，絕緣層670可具有約0.1 mm至約0.2 mm之厚度。熟習此項技術者可瞭解的是，只要能提供足夠的電氣絕緣，也可使用其他厚度數值。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，基材承載件結構675可藉由開關單元640暫時地連接到接地端。根據實施例，開關單元640可包括一電連接到基材承載件結構675之第一終端641、一電連接到接地端644之第二終端642、及一用以接收控制訊號之控制終端643。典型地，開關單元640是由一控制單元執行控制軟體來控制。可使用如第5圖所示之控制單元470。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，平台665’可被區塊化，如第6B圖所示。對於可移動平台665’之每個區塊，可分配一基材承載件結構675’，以致複數個基材承載件結構675’一起形成了一共用支撐表面，基材685停置在此共用支撐表面上。相鄰區塊之間的間隙係適於容許一舉升叉之個別指件的插入，如上所述。
第6B圖也圖示一具有三個平台之支撐件台桌，即一可相對於基座單元635移動於X方向(第6A圖中之左右方向)之下X平台655、一可相對於X平台655移動於Y方向(垂直於圖式平面)之上Y平台660、及一可相對於Y平台660移動於Z方向(圖式中之上下方向)之Z平台665’。
不同於第6A圖所示之實施例，基材承載件結構675’係直接接觸Z平台665’，即電連接。然而，Z平台665’藉由絕緣手段667與Y平台660電絕緣，絕緣手段667係將Z驅動器666與Y平台660絕緣。絕緣手段667也將Z驅動器666固持在形成於Y平台660中之個別容室中。絕緣手段667可由任何適當之材料製成，諸如聚醚醚酮(PEEK)、聚醯亞胺(例如Kapton)、或PTFE(例如Teflon)。根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，絕緣手段667包含可提供足夠用於固定且固持Z驅動器666之材料強度的材料或組合材料。基材承載件結構675’也與基座單元635電絕緣，並且因此也與接地端644電絕緣，如第6B圖所示。
將Z驅動器666與Y平台660絕緣也容許整修(refitting)目前的處理與測試工具，以獲得具有一浮置平台或浮置基材承載件結構之工具。舉例而言，可使用諸如由PEEK製成之螺栓的絕緣連接手段。又，已經證明了尼龍墊圈可適於電絕緣。
參照第7圖，將描述根據可與本文描述之其他實施例結合之進一步實施例。第7圖係圖示一區塊化之Z平台765，Z平台765包含複數個個別區塊777，該等區塊777藉由橋778來彼此連接。各個Z平台區塊777包含一諸如鋁之導電材料且包括一界定上表面之框架結構，一絕緣層或箔770設置在該上表面上。箔770覆蓋住框架結構之所有部分之上平面，其中基材承載件775設置於該上平面上。在此實施例中，基材承載件結構775是由複數個平台板來形成，各個平台板被分配給一個別的Z平台區塊777。在第7圖中，移除了一平台板或平台區塊，以圖示出Z平台區塊777之框架結構以及箔。相鄰之該等Z平台區塊777之間的距離係被設計以能容許足夠用於一舉升叉之個別指件的空間。
基材承載件結構775之該等平台板彼此電連接(例如藉由導線或纜線)，並且藉由箔770與該等Z平台區塊777電絕緣(即該等平台板係浮置)。為了維持電絕緣，一絕緣固定手段(諸如非導電螺栓)被用來將該等平台板固定到該等Z平台區塊777。然而，基材承載件結構775與一開關單元740連接，以致使到接地端的暫時電連接。開關單元740可被實現成開關繼電器或任何其他可控制之開關。在可與本文描述之進一步實施例結合之實施例中，開關單元740係被配置在腔室外面，尤其是在真空區域外面。可由用於測試或處理基材之控制軟體來控制切換傳到此開關單元或繼電器之訊號。
又，平台板可以是導電的，並且由例如鋁製成。平台板之上表面(基材將設置在平台板之上表面上)可被結構化，例如可包括溝槽。
第8圖係圖示可與本文描述之其他實施例結合之進一步實施例。基材承載件結構875可與Z平台部分地或完全地絕緣。再者，包括Z平台驅動器866之Z平台藉由適當之絕緣手段867和絕緣固定手段(諸如墊圈、間隙物、絕緣螺栓)與Y平台860絕緣。且此允許整修現有工具。
參照第9圖，將描述根據本文揭示之實施例之方法的製程。可使用選擇性製程902和904來設定基材支撐件(諸如上述之基材承載件結構)使基材支撐件接地，接地是藉由將基材承載件結構或平台電連接到接地端長達一給定時段(如製程902所示)以及接著將基材承載件結構或平台與接地端斷開(如製程904所示)而實現的。可由一開關單元來提供連接與斷開，開關單元可由控制單元來控制，如上所述。在進一步製程906中，基材被裝載到腔室內以為了測試或處理，並且接著在製程908中設置在基材支撐件上。裝載到腔室內且放置在基材支撐件上能夠以如上所述或藉由任何其他適當之製程來實現。然後，設置在基材支撐件上之基材被測試或被處理，如製程910所示。在完成了測試或處理之後，在製程912中將基材從基材支撐件分離(通常是藉由舉升叉)，並且將基材從腔室卸載(如製程914所示)。接著，基材支撐件電連接到接地端(如製程916所示)，例如藉由一可控制之開關單元，以重設電氣條件。可短暫地維持基材支撐件與接地端之間的電連接，直到一進一步基材將被裝載之前。這可確保所定義的起初電氣條件。一旦接收了控制訊號，可例如藉由開關單元來中斷電連接。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該基材支撐件單元更包含一基座單元，其中該基材承載件結構係經配置與該基座單元電絕緣。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該基材承載件結構包含一導電材料。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該基材支撐件單元更包含一開關單元，該開關單元適於將該基材承載件結構與接地端電連接。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該開關單元包含用以電連接到該基材承載件結構之至少一第一終端、用以電連接到接地端之至少一第二終端、及適於接收一控制訊號以控制該開關單元之至少一控制終端。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該支撐件台桌包含至少一可移動平台，該可移動平台係適於移動該基材承載件結構於至少一方向中，其中該可移動平台係與該基材承載件結構電絕緣。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該支撐件台桌具有至少一可移動平台，該可移動平台適於移動該承載件平台於至少一方向中，該可移動平台係相對於接地端為電氣浮置。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該可移動平台具有至少兩區塊，其中各個區塊被提供有一各自之基材承載件結構，該等基材承載件結構係一起形成一共用支撐表面。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該基材支撐件單元更包含一絕緣結構，諸如一絕緣層或絕緣手段，用以將該基材承載件結構與接地端絕緣。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，提供一種用以測試或處理一基材之設備。該設備包含：一腔室，該腔室用以具有一基材設置於其中；及一基材支撐件單元，該基材支撐件單元具有至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於當該基材被放置在該基材承載件結構上時能支撐該基材，其中該基材支撐件單元係設以將該基材承載件結構與接地端電絕緣。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該設備更包含至少一裝載閉鎖腔室，該裝載閉鎖腔室接附到該腔室。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該設備係用以測試該基材上之電子構件，並且其中該腔室是一測試腔室且該設備具有一或更多測試柱以測試該基材中之該等電子構件。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該一或更多測試柱為電子束測試系統，並且替代地或此外，該一或更多測試柱為包括一光學調變器之光學測試系統，該光學調變器適於電容式耦合到該等電子構件。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該設備更包含一開關單元，該開關單元適於將該基材承載件結構與接地端電連接。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該設備更包含一探針，探針用以當該基材被放置在該基材承載件結構上時能接觸該基材。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該設備更包含一電壓測量單元，其中該電壓測量單元係適於測量該基材上之電壓。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，提供一種用以測試或處理一基材之方法。該方法包含：設置該基材於一腔室中之一基材承載件結構上，其中該基材承載件結構係與接地端電絕緣；執行測試與處理該基材之至少一者；將該基材從該基材承載件結構卸載；及將該基材承載件結構與接地端電連接。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，當該基材被裝載在該基材承載件結構上時，該基材被極性化。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，設置該基材於該基材承載件結構上之步驟包含以下步驟：將該基材定位成和該基材承載件結構相隔一預定距離，並且移動該基材與該基材承載件結構之至少一者以減少該基材與該基材承載件結構之間的距離，而為了將該基材放置或承載在該基材承載件結構上而位在一支撐位置；將該基材與一探針接觸；測試或處理該基材；破壞該探針與該基材之間的接觸；其中將該基材卸載之步驟包含以下步驟：移動該基材與該基材承載件結構之至少一者以增加該基材與該基材承載件結構之間的距離。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，提供一種基材支撐件單元。該基材支撐件單元係適於一用以測試或處理基材之系統，並且包含：一基材承載件結構以支撐一基材，其中該基材承載件結構係藉由一電容與接地端電絕緣，該電容具有小於約100nF之電容量。
根據可與本文描述之其他實施例結合之實施例，該開關單元係適於在將該基材從該基材承載件結構卸載之後將該基材承載件結構與接地端電連接。
儘管上述說明係關於本發明之實施例，可在不悖離本發明之基本範疇下設想出本發明之其他與進一步實施例，並且本發明之範疇是由隨附之申請專利範圍來決定。
100．．．測試系統
105．．．基材
110．．．測試腔室
115．．．測試柱
120．．．裝載閉鎖腔室
120A-B．．．裝載閉鎖腔室
122．．．真空泵
130A．．．入口埠
130B．．．出口埠
135A-B．．．閥
160．．．電壓測量單元
200．．．測試腔室
235．．．基座或基座單元
255．．．第一平台(下平台)
260．．．第二平台(上平台)
265．．．第三平台(Z平台)
270．．．終端效應器
272．．．支承塊
275．．．Z平台舉升件
277．．．伸縮管
285．．．基材
380．．．基材支撐件
385．．．基材
386．．．上表面
388．．．下表面
392．．．電容
392b．．．電容
394．．．電容
394b．．．電容
415．．．測試柱
430．．．探針條
432．．．探針頭
440．．．開關單元
460．．．電壓測量單元
470．．．控制單元
480．．．基材支撐件
485．．．極性化介電基材
486．．．上表面
488．．．下表面
492．．．電容
492b．．．電容
494．．．電容
494b．．．電容
495．．．電容
496．．．接地端
600．．．基材支撐件單元
635．．．基座單元
640．．．開關單元
641．．．第一終端
642．．．第二終端
643．．．控制終端
644．．．接地端
655．．．下X平台
660．．．上Y平台
665．．．平台
665’．．．Z平台
666．．．Z驅動器
667．．．絕緣手段
670．．．絕緣層
675．．．基材承載件結構
675’．．．基材承載件結構
685．．．基材
740．．．開關單元
765．．．Z平台
770．．．絕緣層(箔)
775．．．基材承載件
777．．．區塊
778．．．橋
860．．．Y平台
866．．．Z平台驅動器
867．．．絕緣手段
875．．．基材承載件結構
902-918．．．製程
1170．．．終端效應器
1171．．．舉升指件
1175．．．基材支撐件(基材承載件結構)
1185．．．基材
可藉由參考本發明之實施例來詳細瞭解本發明之說明，本發明之說明簡短地在前面概述過，其中該等實施例在附圖中示出。但是應注意的是，附圖僅示出本發明之典型實施例，因此典型實施例不應被視為會對本發明範疇構成限制，因為本發明可允許其他等效實施例。
第1圖顯示一測試系統，本文描述之實施例可用在該測試系統中。
第2圖顯示一測試系統之細部結構，該測試系統可與本文描述之實施例共同使用。
第3A-3C圖圖示在測試基材的期間靜電電荷的發生。
第4A-4D圖圖示根據降低靜電放電之實施例之一方法的製程。
第5圖顯示根據本文描述之實施例之一測試系統的示意圖。
第6A和6B圖顯示根據本文描述之實施例之基材支撐件單元。
第7圖顯示根據本文描述之實施例之基材支撐件單元的細部結構。
第8圖顯示根據本文描述之實施例之基材支撐件單元的細部結構。
第9圖顯示根據本文描述之實施例之一方法之製程的流程圖。
第10圖顯示根據本文描述之實施例之測試基材的期間之靜電電壓變化。
第11A和11B圖顯示在升高期間基材-支撐件間隔分佈。
為促進了解，在可能時使用相同的元件符號來表示該等圖式共有的相同元件。應瞭解，一實施例的元件可有利地併入到其他實施例而不需特別詳述。
600．．．基材支撐件單元
635．．．基座單元
640．．．開關單元
641．．．第一終端
642．．．第二終端
643．．．控制終端
644．．．接地端
665．．．平台
666．．．Z驅動器
670．．．絕緣層
675．．．基材承載件結構
685．．．基材

Claims (21)

  1. 一種適於一用以測試或處理一基材之系統的基材支撐件單元，該基材支撐件單元包含：一支撐件台桌，該支撐件台桌包含至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於支撐一基材，該基材承載件結構係電氣浮置；及一開關單元，該開關單元適於將該基材承載件結構與接地端電連接，其中該開關單元係設以在將該基材從該基材承載件結構卸載之後將該基材承載件結構與接地端電連接。
  2. 如請求項1之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一基座單元，其中該基材承載件結構與該基座單元電絕緣。
  3. 如請求項1之基材支撐件單元，其中該基材承載件結構包含一導電材料。
  4. 如請求項1之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一開關單元，該開關單元適於將該基材承載件結構與接地端電連接。
  5. 如請求項1之基材支撐件單元，其中該開關單元包含 用以電連接到該基材承載件結構之至少一第一終端、用以電連接到接地端之至少一第二終端、及適於接收一控制訊號以控制該開關單元之至少一控制終端。
  6. 如請求項5之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一基座單元，其中該基材承載件結構與該基座單元電絕緣。
  7. 如請求項5之基材支撐件單元，其中該基材承載件結構包含一導電材料。
  8. 如請求項5之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一絕緣結構，該絕緣結構用以將該基材承載件結構與接地端電絕緣。
  9. 如請求項1之基材支撐件單元，其中該支撐件台桌包含至少一可移動平台，該可移動平台適於移動該基材承載件結構於至少一方向，其中該可移動平台與該基材承載件結構電絕緣。
  10. 如請求項9之基材支撐件單元，其中該可移動平台包含至少兩區塊，其中各個區塊被提供有一各自之基材承載件結構，該等基材承載件結構一起形成一共用支 撐表面。
  11. 如請求項1之基材支撐件單元，其中該支撐件台桌包含至少一可移動平台，該可移動平台適於移動該基材承載件結構於至少一方向，該可移動平台相對於接地端為電氣浮置。
  12. 如請求項11之基材支撐件單元，其中該可移動平台包含至少兩區塊，其中各個區塊被提供有一各自之基材承載件結構，該等基材承載件結構一起形成一共用支撐表面。
  13. 如請求項1之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一絕緣結構，該絕緣結構用以將該基材承載件結構與接地端電絕緣。
  14. 一種適於一用以測試或處理一基材之系統的基材支撐件單元，該基材支撐件單元包含：一支撐件台桌，該支撐件台桌包含至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於支撐一基材，該基材承載件結構係電氣浮置，其中該支撐件台桌包含至少一可移動平台，該可移動平台適於移動該基材承載件結構於至少一方向，其中該可移動平台與該基材承載件結構電絕緣。
  15. 如請求項14之基材支撐件單元，其中該可移動平台包含至少兩區塊，其中各個區塊被提供有一各自之基材承載件結構，該等基材承載件結構一起形成一共用支撐表面。
  16. 如請求項14之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一基座單元，其中該基材承載件結構與該基座單元電絕緣。
  17. 如請求項14之基材支撐件單元，其中該基材承載件結構包含一導電材料。
  18. 一種適於一用以測試或處理一基材之系統的基材支撐件單元，該基材支撐件單元包含：一支撐件台桌，該支撐件台桌包含至少一基材承載件結構，該基材承載件結構適於支撐一基材，該基材承載件結構係電氣浮置，其中該支撐件台桌包含至少一可移動平台，該可移動平台適於移動該基材承載件結構於至少一方向，該可移動平台相對於接地端為電氣浮置。
  19. 如請求項18之基材支撐件單元，其中該可移動平台包含至少兩區塊，其中各個區塊被提供有一各自之基 材承載件結構，該等基材承載件結構一起形成一共用支撐表面。
  20. 如請求項18之基材支撐件單元，該基材支撐件單元進一步包含一基座單元，其中該基材承載件結構與該基座單元電絕緣。
  21. 如請求項18之基材支撐件單元，其中該基材承載件結構包含一導電材料。
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