TWI458398B - 遮蔽的軟性電路及其製造方法 - Google Patents

Description

遮蔽的軟性電路及其製造方法

本發明係一般相關於軟性電路之領域，尤相關於用於在一軟性構件上支撐的遮蔽電路之方法及裝置。

行動通訊裝置的出現已允許個人經由無線數位信號傳輸與另一方通訊。個人也逐漸依賴行動通訊裝置經由全球資訊網(World Wide Web,WWW)、電腦、電腦網路等與另一方傳遞資料。個人使用行動通訊裝置傳遞各種各樣的資料，如高品質數位聲訊、數位視訊、串流數位視訊、照片影像、電腦檔案等等。於是，將支援此種資料傳遞之應用與行動通訊裝置之設計搭配，舉例來說，這樣的裝置包括百萬畫素相機、攝影機、數位聲訊記錄器。此外，許多商業上可取得的手機及個人數位助理裝置係能執行創造、運用、和通訊大量資料文件的典型的電腦為主的應用程式。因此，在行動通訊裝置之技藝中有以高速傳遞大量資料之需求。

許多電子裝置，包括行動通訊裝置，在射頻頻譜中產生電磁場。特別是，電子信號沿著傳導路徑傳輸所產生的電磁場。隨著傳輸頻率增加，強度及有效空間對應之可及範圍的電磁場亦增加。當兩實際上未連接的傳導路徑彼此緊密接近，在其中之一傳導路徑上的高頻傳輸可能對於相對應在另一傳導路徑上的傳輸造成電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)。電磁干擾對於行動通訊裝置的操作具有許多有害的影響。舉例來說，電磁干擾可能造成傳輸資料的失真以及甚至是資料的完全遺失。

因為資料速率更高，所以行動通訊裝置逐漸需要不受電磁干擾影響之導體。特別是，翻蓋手機以及滑蓋手機，翻蓋手機為經由一轉軸連接其螢幕及手機主體之手機，而滑蓋手機為經由一側面滑動機械連接件連接其螢幕及手機主體之手機，其需要軟性導體跨越轉軸或機械連接件用以傳輸資料。因此，存在能遮蔽抵擋在高頻傳輸其間所產生電磁輻射的軟性導體之需求。

在習知技藝中已知，以同軸電纜遮蔽抵擋電磁干擾的方法。同軸電纜包括一對導體，其圍繞一共軸設置。一第一導體係沿著電纜之中央軸放置並且帶有被傳輸的信號。一第二導體，其連接至一電性接地，係藉由一絕緣或介電材料設置為圓柱形地圍繞第一導體。藉由以第二導體遮蔽第一導體，同軸電纜可以侷限由導體產生之電磁場在電纜內的區域中。因此，同軸電纜廣泛地使用於電視及寬頻傳輸。

在此揭露的一種遮蔽的軟性電路裝置及方法有益於可使沿著軟性電路上緊密間隔之導體具有高資料傳輸速率。裝置及方法係適合於使用在翻蓋手機及滑蓋手機。此外，當資料傳輸速率達1 GHz時，能遮蔽導體跡線用以抵擋電磁干擾。所以，在某些實施例中，手機能以串流視訊及其他高速應用所需之速率傳輸資料，而無實質上的信號損失或失真。在進一步實施例中，遮蔽的軟性電路能以介於2至4 GHz間的速率傳輸資料。

在一實施例中，一種裝置，其包括：一軟性支撐構件；一第一導體及一第二導體，其係接觸該軟性支撐構件；該第一及第二導體彼此電性絕緣；一第一導電材料，其設置為同軸地圍繞該第一導體，該第一導電材料係電性絕緣於該第一導體；以及一第二導電材料，其設置為同軸地圍繞該第二導體，該第二導電材料係電性絕緣於該第二導體。

在另一實施例中，一種形成遮蔽的軟性電路的方法，其包括：形成一第一導體及一第二導體，其由黏附於一軟性支撐構件之上方的一第一導電材料上形成，該第一及第二導體彼此間電性絕緣；形成一第二導電材料，其設置為同軸地圍繞該第一導體，該第二導電材料電性絕緣於該第一導體；以及形成一第三導電材料，其設置為同軸地圍繞該第二導體，該第三導電材料電性絕緣於該第二導體。

此發明之目的係為描述本發明中某些觀點、優點及新穎的特徵。需瞭解依照本發明之任一特定的實施例並不一定可達到所有的優點。因此，舉例來說，熟悉該項技藝者認為本發明可以依照其中教示之方法實現或執行，以達到一個優點或數個優點，而沒有必要達到其他教示或建議之優點。

本申請案主張(i)申請於2006年5月2日之美國臨時申請案第60/796,716號，及(ii)申請於2006年6月8日之美國臨時申請案第60/811,927號之權利。臨時申請案第60/796,716號及臨時申請案第60/811,927號之全部內容皆應合併本文作為參考。

現在將參考第1圖至第9圖描述代表各種各樣的實施例和本發明的應用實施例之裝置及方法。亦將描述代表其他實施例的裝置及方法之變化形態。

為說明之目的，在內文中將以行動通訊裝置及/或手機描述某些實施例。其中所揭露的發明並不侷限於在內文中所使用的裝置及方法，以及在其他實施例中可能使用的裝置及方法。此外，其中提出所描述的特定實施是為了說明，而非限制其中所揭露的發明。本發明之範圍只根據所附之申請專利範圍所定義。

現在將根據以上概述之圖示簡單描述這些和其他特徵。圖示及相關之描述用以提供說明本發明之實施例，並不限制本發明之範圍。所有圖示中，可能重複使用參考號碼以表明與參考元件間之關係。

I.概述

其中所揭露之裝置及方法有關於在一軟性支撐構件上遮蔽主動信號跡線。

在其中一實施例中，一種遮蔽的軟性電路係利用一基礎軟性材料構成，其包括在其上方的一軟性非導體基板以及在其下方的一銅層。在這些實施例中，交替跡線係接地至銅層，並且被用以遮蔽在它們之間的跡線。為易於參照，這一類型的實施例之後將被稱作「以交替接地跡線遮蔽之單銅層」實施例。

在其他之實施例中，一種遮蔽的軟性電路係利用一基礎材料構成，其包括在其上方的一軟性基板以及在其下方之一銅層。在這些實施例中，實際上每一跡線可能被作為一主動信號跡線。為易於參照，此種實施例之後將被稱作「具有全跡線遮蔽之單銅層」實施例。

在其他實施例中，一種遮蔽的軟性電路係利用一基礎材料構成，其包括在其上方具有一銅層的軟性基板以及在軟性基板下方的一銅層。為易於參照，此種實施例之後將被稱作「兩銅層」實施例。

在另外一實施例中，一種遮蔽的軟性電路係利用一基礎材料構成，其包括在上方具有一銅層之一軟性基板以及在軟性基板下方的一銅層。在這些實施例中，銅可被用以遮蔽在所有面上的銅跡線。為易於參照，這一類型的實施例之後將被稱作「三銅層」實施例。

此外，使用於說明書之中的詞彙如「之上」、「之下」、「上方」、及「下方」。這些詞彙不應被理解為限制。更確切的說，這些詞彙係用於相對應之應用圖示的方向。

此外，「流程圖」僅為本發明之每一實施例的說明。本發明不應被限制於流程圖中所揭露之步驟出現的次序。步驟可以適當地由熟知該項技藝者所認可的任一順序執行。

Ⅱ.以交替接地跡線遮蔽之單銅層實施例

第1H圖說明了以交替接地跡線遮蔽之單銅層之一實施例。第2圖說明包括步驟501－508之一流程圖，其用以製造一軟性遮蔽電路，以及第1A－H圖說明了如實施方法的每一步驟之軟性遮蔽電路結構。如其中所描述的，方法之每一步驟中與電路之結構相關的圖示將被明確的參考。相較之下，第2圖中方法的每一步驟僅參考使用第2圖中之參考號碼。

在此實施例中，用以製造遮蔽的軟性電路之方法由在第1A圖中說明之軟性支撐構件100開始。軟性支撐構件100係包括兩層，一軟性基板102以及一導電基層101。熟知該項技藝者已知軟性支撐構件100為商業製造並且可容易地購買而獲得。在其他實施例中，方法可開始於藉由利用電鍍、層壓、氣相沈積或其他已知技術將導電基層101提供至軟性基板102上。

在一較佳實施例中，軟性基板102係以聚醯亞胺材料製成。在其他實施例中，軟性基板102可以為任一常用之「Flex」或印刷電路板(printed circuit board,PCB)材料如玻璃纖維板(FR4)、PET/PEN、特夫綸(Teflon)/高速材料…等等。

在一較佳實施例中，導電基層101係為一銅層。在其他實施例中，導電基層101可以為任一電導體材料，如金或銀。雖然可考慮使用其他材料，在此導電基層101將被稱作一銅導電基層101。

傳統印刷電路板製造方法可以被用以在軟性支撐構件100上以製造工作孔或穿孔。

第1B圖說明在步驟501完成後，形成銅跡線111、112、113、114。在一實施例中，利用熟知該技藝者習知的照相平版印刷技術印刷及蝕刻銅跡線111、112、113、114。一照相平版印刷技術需要利用一熱軋疊合機或一氣相沈積法層壓蝕刻防鍍之一乾膜至導電基層101。許多乾膜蝕刻防鍍層可以在商業上獲得以及由公司如杜邦(Dopont)製造。在某些實施例中，乾膜蝕刻防鍍層之厚度係介於0.0007”至0.0020”之間。接著利用紫外光(UV)能量及一適當之工具如一光掩膜(photo tool)、一聚酯樹脂膜(Mylar film)或一聚酯樹脂玻璃(Mylar glass)將一電路影像轉換至乾膜蝕刻防鍍層。接著以化學清洗將沒有暴露於紫外光能量下的蝕刻防鍍之區域自面板上洗掉。舉例來說，包含碳酸鉀(Potassium Carbonate)之溶劑可被用以洗掉未顯影(即未暴露於紫外光能量下)的蝕刻防鍍層。接著以化學方法將暴露於整個顯影的蝕刻防鍍層上之銅移除。舉例來說，可用氯化銅蝕刻劑之水清洗來移除銅。也可選擇使用其他形式之銅蝕刻劑，例如鹼基底的蝕刻劑以及氯化鐵基底的蝕刻劑。

第1C圖說明了在具有跡線111、112、113、114的軟性電路100上方的絕緣層或介電層121。此層係藉由步驟502而形成，以使得蝕刻跡線111、112、113、114絕緣於接地，在此方法中，遮蔽接地係為之後被製造的，以避免電性短路及保護跡線111、112、113、114免於污染。可使用任一數量的介電或非導電的絕緣材料。舉例來說，在一實施例中，介電層121係包括一聚醯亞胺薄膜，在薄膜之一側具有一熱固化黏著劑。在此例子中，聚醯亞胺薄膜之厚度可變化在0.005”至0.0010”之間，以及熱固化黏著劑之厚度可變化在0.005”至0.0015”之間。藉由接觸蝕刻跡線111、112、113、114的黏著層使薄膜121放置於蝕刻跡線111、112、113、114之上方。接著，使用一高壓釜或一真空壓力，將薄膜層壓至軟性電路100。舉例來說，層壓參數可使用例如210磅/平方英寸(psi)，在華氏385度下持續60分鐘。可使用其他已知的技術用以黏附介電層121至軟性電路100。

第1D圖說明了藉由步驟503所產生在介電層121中的通道131、133。於交替跡線111、113的相對應位置製造通道131、133並且形成中斷處，之後將於中斷處之間的跡線112形成遮蔽。藉由移除在通道131、133上方的介電層，使得通道131、133沿著每一跡線之長度接觸交替接地跡線111、113。在一實施例中，通道係利用雷射剝蝕技術而製造。在其他實施例中，可使用其他製程技術，例如電漿蝕刻以及化學銑製。

在其他實施例中，可在相對多於或少於每一其他跡線之位置製造通道。在這些實施例中，遮蔽在被製造的通道間之跡線。

接著，在某些實施例中，使暴露的交替接地跡線111、113金屬化，用以保護跡線避免氧化。舉例來說，一鎳及金化合物可被用以使跡線111、113金屬化。

第1E及1F圖說明了一導電遮蔽層141以及一介電層171藉由步驟504及505形成於軟性電路100之上方。導電層141係被提供至軟性電路100，以使其與交替接地的跡線111、113電性接通。導電層141可包括任何可用以黏附至交替接地的跡線111、113的導電材料以及介電層121。合適的導電層141材料包括一銀薄膜或銀墨，但不侷限於此。可利用類似那些用以黏附介電層121至軟性電路100的技術(例如層壓)將導電層141提供至軟性電路100。接著，將一介電層171提供至軟性電路100，以使得其位在導電層141之上方。可使用例如層壓等技術將介電層171黏附至導電層141。一合適的介電層171材料包括介電層121使用之材料，但並不侷限於此。

應明白，導電層141及介電層171可如上述所描述的分別黏附至軟性電路100，或是同時進行(此為將步驟504及505執行為同一步驟)。在一實施例中，同時提供導電層141及介電層171可利用包括一導電層及一介電層的預製材料來執行。這種材料的例子可能在Tatsuta的PC材料系列中發現。這些材料包括一銀箔之導電層，其被夾在一導電黏著層及一介電層間。材料係被放置於軟性電路100上，使得導電黏著劑與介電層121接觸。接著，材料可能被層壓或以別的方法黏附至軟性電路100上。

第1F圖說明了藉由步驟506在軟性基板102上形成通道151、152，通道151、152在軟性電路100的下方、在交替接地跡線111、113之下。可利用類似於在步驟503中使用的那些技術(例如雷射剝蝕)製造通道151、152。在一實施例中，通道被製造在軟性基板102上，以使得通道沿著每一跡線之長度接觸交替接地跡線111、113。接下來，在某些實施例中，為了避免氧化係利用鎳/金化合物金屬化暴露的銅跡線111、113。

第1G圖說明了導電遮蔽層161藉由步驟507提供於軟性電路100在軟性基板102下方的那側。提供導電遮蔽層161使其電性接通於交替接地跡線111、113。如以上關於步驟508之陳述，導電遮蔽層161可能被層壓至軟性電路100，並且更進一步可包括任何導電材料，例如銅或銀。

第1H圖說明一介電層172藉由步驟508提供至導電遮蔽層161。介電層172遮蔽暴露的導電遮蔽層，以避免電性干擾以及污染。可使用例如層壓之技術以及包括類似於步驟502中使用之材料(例如一聚醯亞胺薄膜)將介電層172黏附至軟性電路100。

如關於步驟504及505所述，仔細考慮可利用如包括在Tatsuta的PC系列中之材料在同一步驟中將導電遮蔽層161及介電層172提供至軟性電路100。

如第1H圖所示，中央的銅跡線112之四周皆被遮蔽。其首先藉由非導電介電材料遮蔽，接著再以導電材料環繞非導電材料。特別是，跡線112藉由介電層121與上方及兩側的接地面111、113、141電性絕緣，並且藉由軟性基板102與下方的接地面161電性絕緣。在此說明中，導電絕緣包括在跡線112上方的導電層141、在跡線112下方的導電層161以及在跡線112兩側的交替接地跡線111及113。

此外，應明白不需要使用介電層171及172來遮蔽電路以遠離電磁干擾。在某些實施例中，介電層171及172兩者皆不使用或是僅使用其中之一。

Ⅲ.「具有全跡線遮蔽之單銅層」實施例

第3圖說明了具有全跡線遮蔽之單銅層之一實施例。第4圖說明了包括步驟601－608之一流程圖，用以表示第3圖所示之製造遮蔽的軟性電路900之一方法。如其中所描述，第4圖中的方法步驟將參考提供在第4圖中所使用的參考號碼。

用以製造第3及4圖中裝置的裝置及方法與第1A－H圖及第2圖中描寫的實施例共有特徵。其為在關於具有交替接地跡線之單銅層實施例中建議及/或使用的許多可能的材料及技術可被用以關聯於具有全跡線遮蔽之單銅層實施例。然而，兩實施例間之差異係提出如下。

此外，在此段描述的這實施例之名稱不應被理解為限制。應認為每一跡線111、112不一定需要被遮蔽。更確切的說，在這些實施例中可能遮蔽每一跡線111、112。

在一實施例中，用以製造一種遮蔽的軟性電路900之方法由第1A圖中描述的一軟性支撐構件開始，例如構件100。如第3及4圖所示，利用印刷及蝕刻技術601在導電基層101上形成主動信號跡線111、112。接著，將一介電層121提供至跡線111、112之上方，以使跡線111、112電性絕緣於導電遮蔽層141的導電部份，該導電部份係施作於步驟604中。

接下來，在步驟603，在主動信號跡線111、112之間製造通道182、183、184。可利用雷射剝蝕技術移除位在跡線111、112間部分的介電層121，用以製造通道182、183、184。在第3圖中描述的實施例中，跡線111、112並未接觸到通道。

接著，在步驟604中，一導電遮蔽層141係被放置在介電層121之上方和通道182、183、184中。將導電遮蔽層141黏附605至軟性電路900之上方，使其接觸軟性基板102。認為除了連續執行步驟604及605之外，步驟604及605可使用一Tatsuta PC系列材料執行如同一步驟。

在軟性電路900之下方製造606第二組通道185、186、187。通道185、186、187係位於跡線111、112之間，並且安置在使其接觸位於第一組通道182、183、184間的導電遮蔽層141的位置。可藉由使用雷射剝蝕技術移除在那些位置部份的軟性基板102，用以製造第二組通道185、186、187。

接著在步驟607中，可使用例如層壓技術將一導電遮蔽層161黏附至軟性電路900之下方。將導電遮蔽層161提供至通道185、186、187中，並且與導電遮蔽層141電性接通。接著，在步驟608中也可使用層壓技術將一介電層199黏附至導電遮蔽層161。關於步驟604及605之陳述，認為可連續執行步驟607及608或是以同一步驟執行。

此外，在某些實施例中認為一或二介電層171及199皆不被用來與導電層141及161絕緣。介電層171、199之缺少可不要求遮蔽跡線111、112遠離電磁干擾。

此外，在某些實施例中認為可略過方法之步驟606，其為在軟性電路900之下方，以雷射剝蝕通道185、186、187。略過步驟606則需要在步驟603中，在軟性支撐構件的上方雷射剝蝕通道182、183、184時，移除位在跡線111、112間部份的介電層121及聚醯亞胺層102。

如第3圖所示，分別以360度遮蔽跡線111、112，首先藉由一介電遮蔽，以及接著以一導電遮蔽。每一跡線111、112之四周都絕緣於導電遮蔽材料和其他跡線111、112。介電層121使跡線111、112之上方及兩側電性絕緣於接地面182，以及軟性基板102使跡線111、112之下方電性絕緣於接地面161。因此，每一跡線111、112被接地、導電遮蔽材料所環繞。導電層141在跡線111、112之上方及兩側提供導電遮蔽，並且下方的導電層161在跡線111、112、113的下方提供導電遮蔽。

Ⅳ.「兩銅層」實施例

第5F圖說明了一種兩銅層遮蔽的軟性電路之一實施例。第6圖說明了包括步驟701－706之一流程圖，其用以製造第5F圖之遮蔽的軟性電路，以及第5A－F圖說明了如執行方法之每一步驟的遮蔽的軟性電路結構。如其中所描述，明確地參考在方法之每一步驟中關於電路結構之圖示。相對的，將利用第6圖的參考號碼，參考第6圖中流程圖之每一步驟。

在描述的實施例中，用以製造遮蔽的軟性電路之方法由在第5A圖中說明的軟性支撐構件200開始。軟性支撐構件200係包括三層，一軟性基板202被夾在一上導電層203及一下導電層201之間。習知該項技藝者已知軟性支撐構件200已經商業製造並且可容易地購買而獲得。在其他實施例中，方法可開始於藉由利用電鍍、層壓、氣相沈積或其他已知技術將導電層201、203提供至軟性基板202上。雖然其中所描述的實施例並非限制在包括銅的上和下導電層201、203，但是描述之實施例係利用銅的上和下導電層201、203。

此外，許多關於具有交替接地跡線之單銅層的實施例所建議之可選擇的材料及技術可被利用於在關聯於兩銅層之實施例。然而，兩實施例間之差異係提出如下。

第5B圖說明了在步驟701中，由上銅層203印刷及蝕刻後的跡線211、212、213、214。如圖所示，跡線211、212、213、214並不與另一跡線電性接通，因為說明實施例之設計需要，跡線211、212、213、214彼此電性分離。

第5C圖說明了在步驟702中，一絕緣或介電層221提供至軟性電路200之上方。舉例來說，利用層壓技術，將介電層221黏附至軟性基板202及跡線211、212、213、214上。

第5D圖說明了在步驟703中，通道231、232、233、234、235形成於主動信號跡線211、212、213、214之間。藉由利用雷射剝蝕或其他已知之技術移除部分的介電層221及位於跡線211、212、213、214之間的軟性基板202，用以製造通道231、232、233、234、235。如圖所示，通道231、232、233、234、235接觸下銅層201的上部，但不接觸跡線211、212、213、214(也就是說跡線211、212、213、214依舊是分離的)。

第5E圖說明了在步驟704中，將一導電遮蔽層241提供至軟性電路200之上方。將導電遮蔽層241提供至軟性電路240，使其在通道231、232、233、234中並且與下導電層201電性接通。在一實施例中，導電遮蔽層241係為一銀填充墨。杜邦(Dupont)的CB208產品係為一銀墨，其可由商業獲得並為熟知該項技藝者所悉知。典型地，銀墨以網版印刷至介電層221之表面上，其係事先以雷射加工接觸下導電層201。在其他實施例中，可使用其他具有流動特性之導電材料。

第5F圖說明了在步驟705及706中，絕緣或介電層251、252提供至軟性電路200之上方及下方。在某些實施例中，一介電膜251、252係被層壓至軟性電路200上。介電層251、252可用以保護軟性電路250避免外部短路。

在其他實施例中，可藉由層壓或其他方法黏附一導電膜至介電層及通道231、232、233、234以執行步驟704。在這些實施例中，接著可將一絕緣層252黏附至導電遮蔽層251之上方，用以避免外部短路。藉由黏附材料，係例如在Tatsuta PC系列中的材料，可選擇將導電遮蔽層241及介電層252同時提供至軟性電路250。

如第5F圖所示，以360度遮蔽跡線211、212、213。每一跡線211、212、213之四周皆與導電遮蔽材料及其他跡線211、212、213絕緣。介電層221使跡線211之上方及兩側電性絕緣於接地面241、212、213，以及軟性基板202使跡線211、212、213之下方電性絕緣於接地面201。因此，每一跡線211、212、213係被接地遮蔽材料所環繞。導電層241在跡線211、212、213之上方及兩側提供導電遮蔽，並且下導電層201在跡線211、212、213之下方提供導電遮蔽。

V.「三銅層」實施例

第7G圖說明了一種三銅層遮蔽的軟性電路之一實施例。第8圖說明了包括步驟801－808之一流程圖，其為用以製造一遮蔽的軟性電路的方法之一實施例，以及第7A－F圖說明了如執行方法之每一步驟的遮蔽的軟性電路結構。如其中所描述，明確地參考在方法之每一步驟中關於電路結構之圖示。相對的，將僅利用第8圖的參考號碼，參考第8圖中流程圖之每一步驟。

在本實施例中，用以製造一遮蔽的軟性電路之方法由第7A圖說明的軟性支撐構件300開始。軟性支撐構件300包括三層，一軟性基板302被夾在一上導電層303及一下導電層301之間。習知該項技藝者已知軟性支撐構件300已經商業製造並且可容易地購買而獲得。在其他實施例中，方法可開始於藉由利用電鍍、層壓、氣相沈積或其他已知技術將上及下導電基層提供至軟性基板。在再其他實施例中，上及下導電層可包括任何導電材料，例如銅、銀、或金。

第7B圖描述在步驟801中，已被印刷及蝕刻後，用以傳送電性訊號的跡線311、312、313、314。其係由上導電層303蝕刻出跡線311、312、313、314。

第7C圖描述完成步驟802及803後之軟性電路300。步驟802需要將一介電材料321提供至軟性電路300之上方。介電層322可包括任何上述揭露之電性絕緣材料，並且可利用任何上述描述之技術(例如層壓)將其黏附至軟性電路。步驟803需要將一導電遮蔽層322提供至介電層321之上方。在一實施例中，導電遮蔽層322係為一銅箔。利用層壓技術或技藝中其他習知技術，將銅箔黏附至軟性電路300。

在其他實施例中，藉由包括一導電層及一介電層之一材料，可同時執行步驟802及803。材料係被黏附至具有介電層之軟性電路300用以物理接觸跡線311、312、313、314。在其他實施例中，可藉由使用一導電材料同時執行步驟802及803，導電材料經由一介電黏著劑黏附至軟性電路300。在這些實施例中，其中導電材料係為一銅箔，可使用介電銅箔結合黏著劑，例如ADH/PI/ADH。

第7D圖說明了藉由步驟804，在跡線311、312、313、314之間形成通道331、332、333、334。藉由移除部分的軟性基板302、介電層321以及位在跡線311、312、313、314之間的導電層322，用以製造通道331、332、333、334。使通道331、332、333、334具有足夠深度，以接觸下導電層301。如上述陳述，例如雷射剝蝕之技術可用以製造通道331、332、333、334。

第7E圖說明了在步驟805中，提供至通道331、332、333、334之銅鍍341、342、343、344。銅鍍提供在導電介電層322及下導電層301間的電性連接。對於銅鍍之通道341、342、343、344，可使用習知製程係例如SHADOW製程。SHADOW為一石墨基底直接金屬化製程，其係利用銅鍍製程。

在某些實施例中，使用除了那些使用在銅鍍之外的技術及材料用以電性連接導電遮蔽層322及下導電層301。這些技術及材料可包括使用網版技術塗上銀墨。

在一電性連接形成於導電遮蔽層322及下導電層301間之後，在步驟806中，利用習知技術例如照相平版印刷法將不需要的銅由軟性電路300上移除。舉例來說，在步驟806中，移除不慎鍍在導電遮蔽層322上的銅。

第7F圖說明了在步驟807中，一介電層351提供至導電遮蔽層322之上方和鍍了銅的通道341、342、343、344上。第7G圖說明了在步驟808中，一介電層352提供至下導電層301之下方。介電層351、352可保護軟性電路350以避免外部短路。然而，如上述提到的，某些實施例中，僅使用一或是不使用介電層351及352。

如第7G圖所示，以360度遮蔽跡線311、312、313。每一跡線311、312、313之四周絕緣於導電遮蔽材料及其他跡線311、312、313。介電層321使跡線311、312、313之上方及兩側電性絕緣於接地面322、341、342、343、344，並且軟性基板302使跡線311、312、313之下方電性絕緣於接地組。因此，每一跡線311、312、313被接地遮蔽材料所環繞。導電層322係為上接地遮蔽材料，而下導電層301係為下遮蔽材料。鍍銅的通道341、342、343、344遮蔽跡線311、312、313之周邊並且電性連接導電層322及下導電層301。

Ⅵ.應用例

在一實例中，可使用其中揭露的用以製造遮蔽的軟性電路之裝置及方法於一翻蓋手機。第9A圖描述一種翻蓋手機400。一翻蓋手機400包括一手機主體420、一銀幕430、以及一天線410。手機主體420經由一轉軸450機械連接於螢幕430。手機主體420包括電路系統，其處理藉由天線410傳送或接收的資料。因此，關於傳送或接收的資料之影像得以顯示於螢幕430上。

第9B圖描述手機本體720已與螢幕430分離之翻蓋手機400。如圖所示，一遮蔽的軟性電路440，其係根據其中所揭露之為了製造的裝置和方法，在手機本體420及螢幕430間提供一電性連接。遮蔽的軟性電路440必須可沿著轉軸450的轉動軸機械地彎曲。要求這樣的彈性是以便於開起及合上翻蓋手機400。此外，由於例如串流影像之應用要求高資料速率傳送在遮蔽的軟性電路440上之跡線必須具有遮蔽每一跡線之能力，以避免由外部來源及在軟性電路440上的其他跡線產生之電磁干擾。因此，遮蔽的軟性電路440有利於在翻蓋手機400應用上提供在手機本體420及螢幕430間的一電性連接。

僅經由此例子，遮蔽的軟性電路440之一實施例能提供介於2至4 GHz間的資料傳輸速率，而不會因為電磁干擾而使實質上信號損失或失真。更進一步，在此實施例中，兩相鄰近的跡線之中心點間之距離係和千分之二十英寸一樣小。

Ⅶ.結論

以上以完整、清楚、明確之名詞提出用以製造該遮蔽的軟性電路之裝置及方法的最佳形式之敘述，以使得關於任何熟知該項技藝者能生產這些元件並且施行這些方法。然而，可以修飾這些裝置及方法，使其全然均等於上述之實施例。因此，這些裝置及方法不被限制於所揭露之特定實施例。相反地，這些裝置及方法涵蓋在本發明之精神及範圍中所有的變化。

100．．．軟性支撐構件

101．．．導電基層

102．．．軟性基板

111、112、113、114．．．跡線

121．．．絕緣層或介電層

131、133．．．通道

141．．．導電遮蔽層

151、152．．．通道

161．．．導電遮蔽層

171、172．．．介電層

182、183、184．．．通道

185、186、187．．．通道

199．．．介電層

200．．．軟性支撐構件

201．．．下導電層

202．．．軟性基板

203．．．上導電層

211、212、213、214．．．跡線

221．．．絕緣層或介電層

231、232、233、234、235．．．通道

241．．．導電遮蔽層

251、252．．．絕緣層或介電層

300．．．軟性支撐構件

301．．．下導電層

302．．．軟性基板

303．．．上導電層

311、312、313、314．．．跡線

321．．．介電材料

322．．．導電遮蔽層

331、332、333、334．．．通道

341、342、343、344．．．銅鍍的通道

351、352．．．介電層

400．．．翻蓋手機

410．．．天線

420．．．手機主體

430．．．銀幕

450．．．轉軸

440、900．．．遮蔽的軟性電路

第1A圖係為一種具有一導電層的軟性電路之實施例之上透視圖。

第1B圖係為第1A圖中軟性電路具有蝕刻跡線之上透視圖。

第1C圖為第1B圖中軟性電路具有與蝕刻跡線絕緣之介電層之上透視圖。

第1D圖為第1C圖中軟性電路之上方具有暴露的交替接地跡線的通道之上透視圖。

第1E圖為第1D圖中軟性電路之上方具有與交替接地跡線接通之導電遮蔽層之上透視圖。

第1F圖為第1E圖中軟性電路之下方係具有與交替接地跡線接觸的通道之上透視圖。

第1G圖為第1F圖中軟性電路之下方係具有與交替接地跡線接通之導電遮蔽層之上透視圖。

第1H圖為第1G圖中單銅層遮蔽的軟性電路具有交替接地跡線之剖視圖。

第2圖為說明用以製造第1G圖中具有交替接地跡線之單銅層遮蔽的軟性電路之方法實施例流程圖。

第3圖為一種具有全跡線遮蔽之單銅層軟性電路之剖視實施例圖。

第4圖為說明用以製造第3圖中全跡線遮蔽之單銅層遮蔽的軟性電路之方法實施例流程圖。

第5A圖係為一種具有兩導電層的軟性電路之實施例上透視圖。

第5B圖係為第5A圖中軟性電路具有蝕刻跡線之上透視圖。

第5C圖為第5B圖中軟性電路，其上方具有一介電層之上透視圖。

第5D圖為第5C圖中軟性電路之上方的蝕刻跡線間具有通道之上透視圖。

第5E圖為第5D圖中軟性電路之上透視圖，在其上方具有一導電遮蔽層與下方之一銅層接通。

第5F圖為第5E圖中兩銅層遮蔽的軟性電路之剖視圖。

第6圖為說明用以製造第5F圖中用以製造兩銅層遮蔽的軟性電路之方法之實施例流程圖。

第7A圖為一種具有兩導電層的軟性電路之實施例上透視圖。

第7B圖係為第7A圖中軟性電路具有蝕刻跡線之上透視圖。

第7C圖為第7B圖中軟性電路之上方具有一介電層及一導電遮蔽層之上透視圖。

第7D圖為第7C圖中軟性電路在蝕刻跡線間具有通道之上透視圖。

第7E圖為第7D圖中軟性電路具有電鍍通道之上透視圖。

第7F圖為第7E圖中軟性電路之上方具有一介電層之上透視圖。

第7G圖為第7F圖中三銅層遮蔽的軟性電路之剖視圖。

第8圖為說明用以製造第7G圖中用以製造三銅層遮蔽的軟性電路之方法之實施例流程圖。

第9A圖為說明一種具有轉軸之行動通訊裝置。

第9B圖為說明一種軟性電路，其提供行動通訊裝置之螢幕及行動通訊裝置之主體間之電性接通。

100．．．軟性支撐構件

102．．．軟性基板

111、112、113、114．．．跡線

121．．．絕緣層或介電層

131、133．．．通道

141．．．導電遮蔽層

151、152．．．通道

161．．．導電遮蔽層

171．．．介電層

Claims (28)

1. 一種以微影術蝕刻且經印刷產生之遮蔽的軟性電路，該軟性電路具有彼此緊密接近的複數個遮蔽的電導體，使得在該複數個遮蔽的電導體之一者中傳輸的信號實質上不會干擾在該等複數個遮蔽的電導體之另一者中傳輸的信號，包括：一支撐構件，該支撐構件之一第一側與一第二側上具有兩銅層，其中複數個蝕刻銅跡線作為該等遮蔽的電導體，且該等蝕刻銅跡線係由在該支撐構件之該第一側上之該等兩銅層中之一者所形成，而在該支撐構件之該第二側上之該等兩銅層中之另一者則作為一銅下導電層；該支撐構件係可沿著至少一軸彎曲；該等複數個蝕刻銅跡線及該銅下導電層實質上如同該支撐構件一樣可彎曲；一電性絕緣材料層，該電性絕緣材料層位於該等複數個蝕刻銅跡線之每一者的全部長度上，以電性絕緣該等遮蔽的電導體之每一者；一導電材料層，該導電材料層位於該電性絕緣材料層之上；複數個鍍通道，該等鍍通道形成於該等蝕刻銅跡線之間且具有足夠深度以暴露出該銅下導電層；該導電材料層係藉由該等鍍通道而與該銅下導電層電性接通，藉此該導電材料層及該銅下導電層提供一實質上360度的電性遮蔽，該實質上360度的電性遮蔽環繞該等 蝕刻銅跡線之每一者，該等蝕刻銅跡線之每一者作為該等遮蔽的電導體；其中覆蓋於該蝕刻銅跡線之每一者上的該導電材料層之部分係藉形成於該等蝕刻銅跡線之間的該等鍍通道之每一者來將彼此實體地分隔；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋於該導電材料層的整個暴露的表面；以及一第二軟性介電層，該第二軟性介電層實質上覆蓋該銅下導電層的整個暴露的表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該支撐構件係由一無導電性的軟性材料而形成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該支撐構件係為一聚醯亞胺薄膜。
4. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該導電材料層包括一銀基礎材料。
5. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該支撐構件包含一聚醯亞胺薄膜層。
6. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該電性絕緣材料層包含一聚醯亞胺薄膜層。
7. 如申請專利範圍第6項所述之遮蔽的軟性電路，其中該聚醯亞胺薄膜層包含介於0.0005英寸與0.0010英寸之間的一厚度。
8. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該360度的電性遮蔽包含：替代蝕刻銅跡線，該等替代蝕刻銅跡線不當成該等遮蔽的電導體；以及在該等替代蝕刻銅跡線上方的該電性絕緣材料層具有不連續處因而使該360度的電性遮蔽包含(i)該銅下導電層，(ii)該等蝕刻銅跡線之分別各者，該等蝕刻銅跡線之分別各者分別位於作為該等遮蔽的電導體的蝕刻銅跡線之每一者的每一側，以及(iii)位於該不連續處的該導電材料層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽的軟性電路，其中該等複數個蝕刻銅跡線作為該等遮蔽的電導體，該等遮蔽的軟性電路包含：介於該等複數個蝕刻銅跡線之每一者之間的空隙；以及該360度的電性遮蔽包含(i)該銅下導電層，(ii)該等複數個蝕刻銅跡線上方的該導電材料層，以及(iii)該等空隙內的導電材料。
10. 如申請專利範圍第9項所述之遮蔽的軟性電路，其中該等空隙為通道。
11. 如申請專利範圍第10項所述之遮蔽的軟性電路，其中該等通道位於該支撐構件內。
12. 一種遮蔽的軟性電纜，該遮蔽的軟性電纜具有彼此緊密接近的複數個遮蔽的電路，使得在該複數個遮蔽的電路之一者中傳輸的信號實質上不會干擾在該等複數個遮蔽的電路之另一者中傳輸的信號，其包括：一聚醯亞胺支撐構件，該聚醯亞胺支撐構件支撐在該聚醯亞胺支撐構件之一第一側上的複數個蝕刻銅跡線以及在該聚醯亞胺支撐構件之一第二側上的一下導電層；該聚醯亞胺支撐構件，係沿著至少一軸可彎曲；該等複數個蝕刻銅跡線及該下導電層實質上如同該聚醯亞胺支撐構件一樣可彎曲；一銀基礎材料，例如銀墨或銀薄膜，其實質上沿著該複數個銅跡線之每一者的全部長度圍繞該複數個銅跡線之每一者之一部分；該銀基礎材料與下列電性接通：(i)該下導電層，其係藉由在該支撐構件上之中斷處電性接通，及(ii)一接地端；一電性絕緣材料，該電性絕緣材料實質上接近該複數個銅跡線之每一者，以使該複數個銅跡線之每一者電性絕緣於：(i)該複數個銅跡線之其他者，及(ii)該銀基礎材料； 該電性絕緣材料實體上位於該銀基礎材料及該銅跡線之每一者間；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該等蝕刻銅跡線之間且具有足夠深度以暴露出該下導電層；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該銀基礎材料的整個暴露的表面；以及一第二軟性介電層，該第二軟性介電層實質上覆蓋該下導電層的整個暴露的表面。
13. 一種遮蔽的軟性電纜，該遮蔽的軟性電纜具有複數個軟性導體，每一軟性導體具有一軟性導電遮蔽物，該軟性導電遮蔽物實質上沿著該每一軟性導體的全部長度，圍繞該每一軟性導體，其具有：介電材料之一軟性膜，用以支撐一金屬導電層，該軟性膜及金屬導電層具有一有效長度及寬度，用以支撐該等軟性導體之全部；複數個分離的非導電軟性薄膜，該等非導電軟性薄膜貼附於該金屬導電層；該等軟性導體係各自支撐於該非導電軟性薄膜上；複數個分離的介電構件，該等介電構件各自覆蓋該等軟性導體之暴露的部份，使得該等介電構件及該等非導電軟性薄膜完全電性絕緣於該軟性導體之每一者；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該等軟性導體之間且具有足夠深度以暴露出該金屬導電層； 一軟性導電材料，該軟性導電材料(i)填滿該絕緣的軟性導體之每一者的縫隙，及(ii)位在直接電性接觸的該金屬導電層上，使得該等複數個軟性導體之每一者以該軟性導電遮蔽物實質上圍繞其全部長度，該電性導電遮蔽物係由該軟性導電材料及該金屬導電層形成；以及一第一軟性絕緣層，該第一軟性絕緣層實質上覆蓋該軟性導電材料的整個暴露的表面，及一第二軟性絕緣層，第二軟性絕緣層實質上覆蓋該金屬導電層的整個暴露的表面以產生一軟性組合。
14. 一種軟性電纜，該軟性電纜用以橫跨一手機之一機械轉軸連結一信號接收部及一顯示部，其包括：複數個導體，該等導體與(i)在該複數個導體之一第一接頭區的該信號接收部，及(ii)在該複數個導體之一第二接頭區的該顯示部電性接通；一軟性非導電基板，該軟性非導電基板用以支撐在該基板之一第一側的該複數個導體及在該基板之一第二側的一導電層；一導電材料層，該導電材料層實質上沿著該複數個導體之每一者的全部長度，圍繞該複數個導體之每一者的一部分；該導電材料層係藉由在該軟性非導電基板上之中斷處，與該導電層電性接通；一非導電材料，該非導電材料實質上沿著該複數個導 體之每一者的全部長度，實質上圍繞該複數個導體之每一者之一部份；該非導電材料使該複數個導體之每一者電性絕緣於該導電層電性；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該等複數個導體之間且具有足夠深度以暴露出該導電層；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該導電層的整個暴露的表面；以及一第二軟性介電層，該第二軟性介電層實質上覆蓋該導電材料層的整個暴露的表面。
15. 一種遮蔽的軟性電路，該遮蔽的軟性電路包括：一軟性支撐構件；一第一導體，該第一導體接觸該軟性支撐構件之一第一側；一第一非導電層，該第一非導電層接觸該第一導體；該第一非導電層係接觸該軟性支撐構件及該第一導體；一第一導電層，該第一導電層接觸該第一非導電層；一第二導電層，該第二導電層接觸該軟性支撐構件之一第二側，該第二導電層係與該第一導電層接通，並且電性絕緣於該第一導體；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該第一導電層的整個暴露的表面； 一第二導體，該第二導體接觸該軟性支撐構件之該第一側；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該第一導體與該第二導體之間且具有足夠深度以暴露出該第二導電層；其中該遮蔽的軟性電路並不實質上包括該第二導電層之暴露的表面上之一介電層以產生一軟性組合。
16. 一種遮蔽的軟性電路，包括：一軟性支撐構件；一導體，該導體接觸該軟性支撐構件之一第一側；一第一非導電層，該第一非導電層接觸該導體，該第一非導電層係接觸該軟性支撐構件及該導體；一第一導電層，該第一導電層接觸該第一非導電層；一第二導電層，該第二導電層接觸該軟性支撐構件之一第二側；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且延伸穿過該第一導電層且具有足夠深度以暴露出該第二導電層，該等通道鍍以導電材料的步驟讓該第一與第二導電層能與彼此電性接通；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該第二導電層的整個暴露的表面；以及其中該遮蔽的軟性電路並不實質上包括該第一導電層之暴露的表面上之一介電層以產生一軟性組合。
17. 一種遮蔽的軟性電路，包括：一軟性支撐構件；一第一導體及一第二導體，該第一導體及該第二導體接觸該軟性支撐構件；該第一及第二導體電性彼此絕緣；一第一導電材料，第一導電材料設置為同軸地圍繞該第一導體，該第一導電材料係電性絕緣於該第一導體；以及一第二導電材料，該第二導電材料設置為同軸地圍繞該第二導體，該第二導電材料係電性絕緣於該第二導體；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該第一導體與該第二導體之間且具有足夠深度以延伸通過該軟性支撐構件；一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該第一導電材料層的整個暴露的表面；以及一第二軟性介電層，該第二軟性介電層實質上覆蓋該第二導電材料層的整個暴露的表面。
18. 如申請專利範圍第17項所述之遮蔽的軟性電路，其中該第一及第二導體能夠以大於或等於2GHz的速度傳遞資料。
19. 如申請專利範圍第17項所述之遮蔽的軟性電 路，其中該第一導體之中心點與該第二導體之中心點間的距離係小於或等於千分之二十英寸。
20. 一種形成遮蔽的軟性電路的方法，其包括下列步驟：形成一第一導體，該第一導體由黏附於一軟性支撐構件之一第一側的一導電材料上形成，該軟性支撐構件包括一第二側，該第二側黏附於一第一導電層；自該導電材料形成一第二導體，該導電材料黏附於該軟性支撐構件之該第一側；黏附一第一非導電層至該第一導體及該軟性構件；黏附一第二導電層至該第一非導電層，該第二導電層係與該第一導電層接通，並且電性絕緣於該第一導體；以及形成複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該第一導體與該第二導體之間且具有足夠深度以暴露出該第一導電層；其中一介電層並非形成於該第一導電層與該第二導電層的整個暴露的表面以產生一軟性組合。
21. 一種形成遮蔽的軟性電路的方法，包括下列步驟：形成一第一導體及一第二導體，該第一導體及該第二導體係由黏附於一軟性支撐構件之一第一側的一第一導電 材料上形成，該第一及第二導體彼此間電性絕緣；形成一第二導電材料，該第二導電材料設置為同軸地圍繞該第一導體，該第二導電材料電性絕緣於該第一導體；以及形成一第三導電材料，該第三導電材料設置為同軸地圍繞該第二導體，該第三導電材料電性絕緣於該第二導體；複數個通道，該等通道鍍以導電材料且形成於該第一導體與該第二導體之間且具有足夠深度以延伸通過該軟性支撐構件；形成一第一軟性介電層，該第一軟性介電層實質上覆蓋該第二導電材料的整個暴露的表面；以及形成一第二軟性介電層，該第二軟性介電層實質上覆蓋該第三導電材料的整個暴露的表面以產生一軟性組合。
22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中形成該第一及第二導體之步驟包括蝕刻一銅跡線。
23. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該軟性支撐構件係為一聚醯亞胺薄膜。
24. 如申請專利範圍第21項所述之方法，進一步包括黏附一第一及第二非導電層，其同軸地設置於相對於該第一導電材料及該第一導體和該第二導電材料及該第二導體之間。
25. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該等第二及第三導電材料係與另一方接通。
26. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該等第二及第三導電材料係為一銀基礎材料。
27. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該等第一及第二導體能夠以大於或等於2GHz的速度傳遞資料。
28. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該第一導體之中心點與該第二導體之中心點間的距離係小於或等於千分之二十英寸。