TWI452709B - 封裝薄膜結構 - Google Patents

Description

封裝薄膜結構

本發明是有關於一種封裝薄膜結構，特別是有關於一種可減少太陽能電池封裝材料的使用，並可達成完全密封效果之封裝薄膜結構。

隨著石化能源短缺與環保意識的提高，各界一直致力於研發各種可行之綠色替代能源。其中，太陽能電池由於具有能源取得方便，取之不盡，用之不竭，使用壽命長，且無廢棄物造成污染等優點，故在新研發的綠色替代能源中備受矚目。

太陽能電池晶片為了可有效率的吸收太陽輻射，通常被設置於室外，而易受戶外環境之水氣、高溫等不利的影響。因此，近年來除了致力於研發可提高光電轉換效率的各種太陽能電池結構外，同時也致力於研發可完善的密封太陽能電池晶片的各種密封材料及結構，以避免外在環境中的各種因素如水氣等干擾太陽能電池晶片的光電轉化效率，及對成本昂貴的太陽能電池晶片造成損壞而降低使用壽命。

至今，已發現多種具透光性的密封材質如乙烯酯(EVA)等密封性薄膜，可有效率的用於密封太陽能電池，而不致於干擾太陽能電池的光吸收效率。在使用該等薄膜做為密封太陽能電池的密封層 時，通常是將由封裝材料形成的封裝層、太陽能電池模組層與強化玻璃層等一同置入層壓機台上做真空封裝。在此封裝過程中，習知封裝層的表面結構通常為平面的設計，故所需的封裝層厚度往往取決於欲覆蓋之太陽能電池層、玻璃基板或背板上之元件所需要的最厚密封厚度決定。故，在大部份設置於太陽能電池層等上的元件不需要太厚的密封層即可達到密封效果的情況下，往往會造成密封材料的過度浪費，且會無形中為製作成本昂貴的太陽能電池又增添不必要的製作成本。另外，表面結構為呈現平面設計的封裝層，也通常無法達長百分百的密封效果。

因此，以需求來說，設計一種可客製化的密封薄膜結構，應用於太陽能電池晶片的封裝上，使其不僅能有效降低密封材料浪費的程度，且能更加完整的密封太陽能電池晶片，已成市場應用上之一個刻不容緩的議題。

有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之目的就是在提供一種封裝薄膜結構，以解決目前以均一厚度的密封薄膜層密封太陽能電池晶片時，造成太陽能封裝材料浪費之問題。

根據本發明之目的，提出一種封裝薄膜結構，係應用於一太陽能電池晶片，其包含：一基材、至少一第一壓紋區以及至少一第二壓紋區。至少一第一壓紋區，係沿著一第一方向設置於基材上，第一方向是平行於基材之一側邊，且至少一第一壓紋區具有一第一質量分布密度。至少一第二壓紋區，係沿著此第一方向設置於基材上且具有一第二質量分布密度。其中，基材、至少一第一壓紋區及至少一第二壓紋區為相同的一材質，且第一質量分布密度 大於該第二質量分布密度。

其中，形成基材、至少第一壓紋區與至少第二壓紋區的材質為一熱塑性填充材料，並包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。

其中，該材質本身具有一質量密度。

其中，在未經過太陽能電池模組層壓製程處理前，第一壓紋區與第二壓紋區沿著一第二方向之縱向截面係具有一第一厚度差，第二方向係平行於基材之另一側邊，且第一厚度差小於或等於0.4公厘。

其中，於太陽能電池模組層壓製程處理前，該第一壓紋區與該第二壓紋區於該基材上形成沿著該第一方向及該第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該第一質量分布密度及該第二質量分布密度會等於一標準質量分布密度，且該標準質量分布密度的值等於該質量密度。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，第一壓紋區與第二壓紋區沿著此第二方向之縱向截面具有一第二厚度差，此厚度差大於或等於0.1公厘。

其中，第二壓紋區沿著該第二方向的寬度總和佔該基材沿著第二方向之寬度的比例為大於20%。

其中，第一壓紋區的厚度大於第二壓紋區，且第一壓紋區係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時 ，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上，用以完全密封太陽能電池。

根據本發明之目的，另提出一種封裝薄膜結構，係應用於一太陽能電池晶片，其包含：一基材、至少一凸起部以及至少一第一壓紋區。至少一凸起部，係沿著一第一方向設置於基材上，第一方向是平行於基材之一側邊。至少一第一壓紋區，係沿著此第一方向設置於基材上且具有一第一質量分布密度。其中，基材、至少一凸起部及至少一第一壓紋區為相同的一材質，且該至少一凸起部具有一標準質量分布密度等於該材質本身的一質量密度，而該第一質量分布密度是小於該標準質量分布密度。

其中，形成基材、至少一凸起部與至少第一壓紋區的材質為一熱塑性填充材料，並包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。

其中，在未經過太陽能電池模組層壓製程處理前，凸起部與第一壓紋區沿著一第二方向之縱向截面係具有一第一厚度差，該第二方向係平行於該基材之另一側邊，且該第一厚度差小於或等於0.4公厘。

其中，於太陽能電池模組層壓製程處理前，第一壓紋區於基材上形成沿著第一方向及第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，凸起部與第二壓紋區沿著第二方向之縱向截面具有一第二厚度差，此第二厚度差大於或等於0.1公厘。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，第一質量分布密 度等於此標準質量分布密度。

其中，第一壓紋區沿著此第二方向的寬度總和佔基材沿著第二方向之寬度的比例為大於20%。

其中，凸起部的厚度大於第一壓紋區，且凸起部係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。

根據本發明之目的，再提出一種封裝薄膜結構，係應用於一太陽能電池晶片，其包含：一基材及複數個凸起部。複數個凸起部是沿著一第一方向設置於基材上，且第一方向是平行於基材之一側邊。其中，基材及複數個凸起部為相同的一材質，且複數個凸起部具有一標準質量分布密度，此標準質量分布密度等於該材質本身的質量密度。

其中，形成基材、至少第一壓紋區與至少第二壓紋區的材質為一熱塑性填充材料，並包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，凸起部之厚度係大於或等於0.1公厘。

其中，凸起部是相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。

其中，凸起部沿著第二方向的寬度總和佔基材沿著第二方向之寬度的比例為小於80%。

根據本發明之目的，又提出一種封裝薄膜結構，係應用於一太陽 能電池晶片，其包含：一基材及複數個壓紋區。複數個壓紋區是沿著第一方向設置於基材上，第一方向是平行於基材之一側邊，且複數個壓紋區具有相同的一質量分布密度。其中，基材及複數個壓紋區為相同的一材質，且該材質本身具有一質量密度，而該質量分布密度小於該質量密度。

其中，形成基材、複數個壓紋區的材質為一熱塑性填充材料，並包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。

其中，於太陽能電池模組層壓製程處理前，複數個壓紋區於基材上形成沿著第一方向及第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，複數個壓紋區之厚度係大於或等於0.1公厘。

其中，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該質量分布密度等於該質量密度。

其中，複數個壓紋區沿著第二方向的寬度總和佔基材沿著第二方向之寬度的比例為小於80%。

其中，複數個壓紋區係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。

承上所述，依本發明之封裝薄膜結構，其可具有下述優點：此封裝薄膜結構在用於密封太陽能電池時，可依據實際上其所覆 蓋之太陽能電池的表面結構，在同一密封材質層上對應表面結構設計出由不同質量分布密度的此密封材質形成的壓紋區。此些具有不同質量分布密度的壓紋區，經過太陽能電池模組層壓製程處理後，依照其質量分布密度的相對大小會有不同的厚度，因而可在密封材質層上形成具有厚薄差異的壓紋，即可形成客製化的壓紋，以降低太陽能電池模組封裝時所需消耗的密封性材料，進而減少太陽能晶片整體的生產成本及增進其密封性。

1、2、3、4‧‧‧封裝薄膜結構

10‧‧‧基材

111、112、211、212、213、214、215、216、321、322、323‧‧‧第一壓紋區

121、122、123、221、222、223、224、225‧‧‧第二壓紋區

311、312、411、412‧‧‧凸起部

1111、1112、1121、1122、2111、2121、2131、2141、2151、2161‧‧‧梯形長條

1211、1221、1222、1223、1224、1231、2211、2212、2221、2222、2231、2232、2241、2242、2251、2252、3211、3221、3222、3223、3224、3231‧‧‧三角型長條

A‧‧‧第一方向

B‧‧‧第二方向

C‧‧‧滾輪擠壓方向

13‧‧‧滾輪

14‧‧‧太陽能電池層

141、142‧‧‧Terminal-Ribbon

100、101、102、103、500、402‧‧‧玻璃基板

200、201、302、303、400、401‧‧‧封裝薄膜層

501、403‧‧‧背板

300、301‧‧‧太陽能電池層

202、203‧‧‧薄膜太陽能電池層

第1圖係為使用熱塑性高分子乙烯酯(EVA)所形成之長條C、D。

第2圖係為第1圖中各長條C及D在受擠壓後，沿著第1圖中L-L’方向的剖面圖。

第3圖係為本發明之封裝薄膜結構之第一實施例之立體示意圖。

第4圖係為本發明之封裝薄膜結構之第一實施例沿著A-A方向之剖面圖。

第5圖係為本發明之第一實施例之封裝薄膜結構於其生產時藉由滾輪壓出花紋之製程處理的示意圖。

第6圖係為本發明之第一實施例之封裝薄膜結構在進行層壓製程處理後後延著A-A方向的剖面圖。

第7圖係為第6圖中所示之本發明之第一實施例之封裝薄膜結構在進行太陽能電池模組層壓製程處理後，應用於覆蓋太陽能電池層之結構例示意圖。

第8圖係為本發明之封裝薄膜結構之第一實施例之其他態樣的結 構示意圖。

第9圖係為第8圖中本發明之封裝薄膜結構之第一實施例之其他態樣於進行層壓製程處理後的結構示意圖。

第10圖係為本發明之封裝薄膜結構之第二實施例之沿著A-A’方向的剖面圖。

第11圖係為本發明之第二實施例之封裝薄膜結構在進行層壓製程處理後，沿著A-A’方向的剖面圖。

第12圖係為本發明之封裝薄膜結構之第三實施例之沿著A-A’方向的剖面圖。

第13圖係為本發明之第三實施例之封裝薄膜結構在進行層壓製程處理後，沿著A-A’方向的剖面圖，第14圖係為本發明之封裝薄膜結構應用一多晶矽太陽能電池晶片上的結構示意圖。

第15圖係為本發明之封裝薄膜結構應用於另一多晶矽太陽能電池晶片上的結構示意圖。

第16圖係為本發明之封裝薄膜結構應用於一薄膜太陽能電池晶片上的結構示意圖。

第17圖係為本發明之封裝薄膜結構應用於另一薄膜太陽能電池晶片上的結構示意圖。

以下將參照相關圖式，說明依本發明之封裝薄膜結構之實施例， 為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。而為始便於解釋，以下所述之“第一方向”與“第二方向”，其所指方向皆以第1圖中，第一實施例所指基材的方向為基準，並具有相同的意義。同時，為讓本發明所定義之“質量密度”、“質量分布密度”與“標準質量分布密度”更為詳盡，故在敘述各實施例之前，首先於此對其定義作一明確的解釋。其中，“質量密度”為緣自每一材料本身特性的密度，即為材料與生俱來的特質，為不可改變的。

而所指“質量分布密度”即是類似材料之“體積質量濃度”的概念，即“質量分布密度”的意義為“材料總質量/材料分布的最大總體積”，而所指材料分布的最大總體積內，可能包含有一些空氣等佔據之體積(空隙)。在此，要特別解釋本案所指材料分布的最大總體積的定義。本案所指材料分布的最大總體積，是以具有一質量密度的材料，其所形成之塊狀所佔據之最大長度、最大寬度及最大高度所構成之體積作為材料分布的總體積。以下將對質量分布密度做更加詳細的解釋。

為了讓“質量密度”與“質量分布密度”之定義更為清楚明瞭，請參閱第1圖，圖中D、E為二條具有相同長(L)寬(W)高(H)的長條型，兩者皆為使用熱塑性高分子乙烯酯(EVA)所形成，其中熱塑性高分子乙烯酯(EVA)本身具有的材質密度為質量密度X。

以第1圖中的長條E為例來解釋上述定義的“材料分布的總體積”。第1圖中，外觀為三角形長條狀的長條E其最下方之寬度值為W，最上方的寬度值為0(即三角型頂點)，因此依定義，長條E的最大寬度值為W，同理，可知長條E的最大長度為L，及最大高度為H 。因此，長條E其“材料分布的最大總體積”定義為長條E所佔據之最大長度(L)*最大寬度(W)*最大高度(H)，及L*W*H，亦即，外觀為三角形長條狀的長條E相較於所定義之“材料分布的最大總體積”而言，長條E仍存在有佔據50%總體積的空隙，而仍具有50%的體積壓縮空間。

故，當長條E的“質量分布密度”定義為“長條E的總質量/長條E之材料分布的最大總體積”時，即為“EVA的質量密度X*0.5*L*W*H/L*W*H”，即等於0.5X。

同理，第1圖中長條D的乙烯酯(EVA)其最大體積內單位體積的質量分布密度則為EVA的質量密度X*L*W*H/L*W*H，即等於X，由於X與乙烯酯的“質量密度”的值相同，因此，在此將長條D所具有之“質量分布密度”X定義為“標準質量分布密度”。即，當長條D具有標準質量分布密度時，表示長條D構成之最大總體積中已完全被乙烯酯(EVA)佔據，而在此最大體積下，以不具有體積壓縮空間。以下將對此做更詳細的描述。

請參閱第2圖所示，其為第1圖中各長條D、E在受特定溫度及特定壓力處理後，沿著第1圖中B-B’方向的剖面圖。假定各長條D、E在受特定溫度及特定壓力處理後，長條的長(L)寬(W)皆不變的情況下，則長條被壓縮後的最大體積，會反應在第2圖所示的各截面D’、E’的最大高度上。其中，長條D受特定溫度及特定壓力處理前其質量分布密度等於“標準質量分布密度X”，故已無體積壓縮空間，因此長條D受特定溫度及特定壓力處理後，在長(L)寬(W)不變的情況下，其最大高度仍為H，不受影響。

而長條E由於受特定溫度及特定壓力處理前為具有質量分布密度為“0.5X”，而具有50%的體積壓縮空間。因此，受特定溫度及特定壓力處理後的長條E，在其長(L)寬(W)不變的情況下，被壓縮的體積會反映在對應的截面E’的最大高度上。即，由於長條E具有50%的體積壓縮空間，所以其受特定溫度及特定壓力處理後的截面E’的最大高度為(100-50)%H，即0.5H。而截面E’則具有由原有的三角型成為截面E’之角型。

另外，如第2圖所示，受處理後的長條E由於被壓縮的50%體積已經反應在截面E’的最大高度改變上(即，長條型的最大高度由H變為H’=1/2H)上，因此已無體積壓縮空間。即，受壓特定溫度及壓力處理後的長條E，其質量分布密度{(受壓特定溫度及壓力處理後的長條E的總質量)/(受壓特定溫度及壓力處理後的長條E的最大總體積)}=(0.5H*W*L)*X/(0.5H*L*W*)=X。其中，質量分布密度X的值等於標準值量分布密度X、乙烯酯的質量密度X，故，已無體積壓縮空間。

在對上述可能渾淆的名詞做詳盡的解釋後，以下將據此說明本發明之各實施例。

請參閱第3圖與第4圖，其分別係為本發明之封裝薄膜結構之第一實施例之立體示意圖及其沿著A-A’方向之剖面圖。如圖所示，此封裝薄膜結構包含一基材10、至少一第一壓紋區111、112及至少一第二壓紋區121、122、123。第一壓紋區111、112是沿著第一方向A設置於基材10上，而第一方向是平行於基材10之一側邊。第二壓紋區121、122、123，同樣是沿著此第一方向A設置於基材10上，且基材10、第一壓紋區111、112及第二壓紋區121、122 、123為相同的材質所形成。在此實施例中，基材10、第一壓紋區111、112及第二壓紋區121、122、123是由乙烯酯(EVA)所形成，但形成三者的材料不限於乙烯酯(EVA)，而可為任何熱塑性填充材料，如聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)等具熱塑性性質的塑料。

各自第一壓紋區111、112與各自第二壓紋區121、122、123沿著第二方向B之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例，可依據所覆蓋的太陽能電池表面結構而各自有不同的寬度比例，例如，可對應於太陽能電池表面上的T-ribbon之寬度決定第一壓紋區111、112的寬度及厚度，但原則上以各第二壓紋區121、122及123在沿著第二方向B之寬度總和佔基材沿著第二方向B之寬度的比例大於20%為原則，以達成節省材料之目的，但實際上第二壓紋區沿著第二方向B之寬度總和佔基材沿著第二方向B之寬度的比例卻不以此為限。如第4圖所示，在此實施例中第一壓紋區111、112沿著第二方向B之寬度，各自佔基材沿著第二方向B之寬度W的8%。而第一壓紋區在此方向上的寬度總和則為82%的基材在此方向的寬度W。

又，第一壓紋區與第二壓紋區為由連續性的幾何凸起形狀所構成。如第4圖所示，在第一實施例中，第一壓紋區111、112各自是由多個具有相同高度0.5公厘的梯型長條所形成，且具有長度L，而第二壓紋區121、122、123則各自是由多個具有相同高度0.5公厘的三角形長條所構成，且具有長度L。由於構成第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123的幾何圖形的高度皆為0.5公厘，因此，在此實施例中第一厚度差為零。但實際上第一厚度差 不以此為限，即，在未經過層壓製程處理前，第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123之間可具有一第一厚度差小於或等於0.4公厘，視實際需求可作變化。而基材10的厚度在此實施例中則為0.2公厘，但厚度也不以此為限，可依據實際需求作變化。

在第一實施例中形成基材10、第一壓紋區111、112、113及第二壓紋區121、122的材質均為乙烯酯(EVA)，而乙烯酯(EVA)本身具有的一質量密度為X。

由於在此實施例中，期望在經過層壓製程處理後，原本厚度相同的第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123之間可具有一厚度差，而使封裝薄膜在沿著第二方向的截面圖中，第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123可形成高低波紋的結構。故，在此實施例中，形成第一壓紋區111、112的乙烯酯(EVA)所形成的各梯形長條1111、1112、1121、1123的體積總和各自佔第一壓紋區111、112最大總體積的80%。即，第一壓紋區111、112，仍存在80%的體積壓縮空間，而具有“質量分布密度”等於0.8倍的標準質量密度，即為0.8X。

其中，假設各長條高度0.5公厘為H，則第4圖所示第一壓紋區111具有的“質量分布密度”的計算方式為(乙烯酯的質量密度X*梯型長條實際佔據的體積*2)/(梯型長條1111、1112所構成之最大總體積)。因此，第一壓紋區111具有的“質量分布密度”為{X*(0.024W+0.04W)*H*0.5*L*2}/{2*H*0.04W*L}=0.8X，即為存在有20%的體積壓縮空間。同理，可計算出第4圖所示第一壓紋區112具有的“質量分布密度”也為0.8X。

而此實施例中，形成第二壓紋區121、122、123的乙烯酯(EVA)所形成的各三角型長條1211、1221、1222、1223、1224、1231的體積總和各自佔第二壓紋區121、122、123的最大總體積的50%。即，第二壓紋區121、122、123仍存在50%的體積壓縮空間，而具有“質量分布密度”等於0.5倍的標準質量密度，即為0.5X。

其中，假設各長條高度0.5公厘為H，則第4圖所示第二壓紋區121具有的“質量分布密度”的計算方式為(乙烯酯的質量密度X*三角型長條1211實際佔據的體積)/(三角型長條1211所構成之最大總體積)。因此，第二壓紋區121具有的“質量分布密度”為{X*(0.02W)*H*0.5*L}/{H*0.02W*L}=0.5X，即第二壓紋區121為存在有50%的體積壓縮空間。同理，可計算出第4圖所示第二壓紋區123具有的“質量分布密度”也為0.5X。

而第二壓紋區122所具有的“質量分布密度”也為0.5X，其計算方式為(乙烯酯的質量密度X*三角型長條1221、1222、1223及1224實際佔據的總體積)/(三角型長條1221、1222、1223及1224所構成之最大總體積)。即第二壓紋區122所具有的“質量分布密度”為{4*X*(0.2W)*H*0.5*L}/{4*0.2W*H*L}=0.5X，即第二壓紋區121為存在有50%的體積壓縮空間。

請參閱第5圖，其係為本發明之第一實施例之封裝薄膜結構之生產製程處理的示意圖。上述第4圖中，第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123其各自所具有的壓紋結構，係在第5圖所示之製程處理中，藉由具有紋路結構的滾輪13沿著C方向擠壓處理一表面原本呈現平坦狀態的可塑性高分子薄膜(在此實施例中為乙烯酯(EVA)薄膜)而得。滾輪13的紋路結構係對應於第一實施 例中之封裝薄膜結構上的各壓紋區所欲形成之壓紋而設計，並依據欲形成的波紋形狀作設計，如梯型、三角型、金字塔型等。

接著，請參閱第6圖，其為本發明之第一實施例之封裝薄膜結構1在進行層壓製程處理後，延著A-A’方向的剖面示意圖。當使用特定溫度與特定壓力對第4圖所示之封裝薄膜結構進行太陽能電池模組層壓製程處理時，形成第一壓紋區111、112的乙烯酯(EVA)所形成的各梯型長條狀1111、1112、1121、1122，由於其相對於自身所構成之最大總體積的“質量分布密度”為0.8X，因此代表著第一壓紋區111、112具有的各梯型長條狀，其相對於自身所構成之最大總體積仍有20%的體積可壓縮空間。

故，經過層壓製程處理後，在形成第一壓紋區111、112之各梯型長條狀1111、1112、1121、1122所具有的最大長度L及佔據的最大寬度不變的情況下，其具有的最大高度將由0.5公厘轉變至0.5公厘*0.8，即0.4公厘(即最大高度由H變成H’=0.8H)，同時，第一壓紋區111、112具有的“質量分布密度”會等於“標準質量分布密度”，即等於乙烯酯的質量密度X。

經過層壓製程處理後，第一壓紋區111中的各梯型長條1111、1112會熔合成為如第6圖所示之第一壓紋區111的形狀。在質量不滅的定理下，第6圖所示之第一壓紋區111的“質量分布密度”為(原本梯型長條具有的總值量)/(經過層壓製程處理後具有的形狀所構成之最大總體積)，即等於{X*(0.024W+0.04W)*H*0.5*L*2}/(0.08W*0.8H)=X。同理可得，經過層壓製程處理後，第一壓紋區121中的各梯型長條1211、1212熔合成為如第6圖所示之第一壓紋區121後，第一壓紋區121 具有的“質量分布密度”也為X，即無體積壓縮空間。

同樣的，當使用特定溫度與特定壓力對第4圖所示之封裝薄膜結構1進行太陽能電池模組層壓製程處理時，形成第二壓紋區121、122、123的乙烯酯(EVA)所形成的各三角型長條狀1211、1221、1222、1223、1224、1231，由於其相對於自身所構成之最大總體積的“質量分布密度”為0.5X，因此代表著第二壓紋區121、122、123各自具有的各三角型長條狀，其相對於自身所構成之最大總體積仍有50%的體積可壓縮空間。

故，經過層壓製程處理後，在形成第二壓紋區121、122、123之三角型長條狀1211、1221、1222、1223、1224、1231，所具有的最大長度L及佔據的最大寬度不變的情況下，其具有的最大高度將由0.5公厘轉變至0.5公厘*0.5，即0.25公厘(即最大高度將由H變成H’=0.5H)。同時，第二壓紋區121、122、123具有的“質量分布密度”會等於“標準質量分布密度”，即等於乙烯酯的質量密度X。

即，經過層壓製程處理後，第二壓紋區121中的三角型長條狀1211會熔合成為如第6圖所示之第二壓紋區121的形狀。在質量不滅的定理下，第6圖所示之第二壓紋區121的“質量分布密度”為(三角型長條狀1211具有的總值量)/(經過層壓製程處理後具有的形狀所構成之最大總體積)，即等於{X*(0.02W)*H*0.5*L}/(0.02W*0.5H)=X。同理可得，經過層壓製程處理後，第二壓紋區123中的之三角型長條狀1231熔合成為如第6圖所示之第二壓紋區123後，第二壓紋區123具有的“質量分布密度”也為X，即無體體積壓縮所空間。

另外，第二壓紋區122中的之三角型長條狀1221、1222、1223、1224在經過層壓製程處理後熔合成為如第6圖所示之第二壓紋區122的形狀。且第6圖所示之第二壓紋區123具有的“質量分布密度”也為X，其計算方式同樣為(三角型長條狀1221、1222、1223及1224具有的總值量)/(經過層壓製程處理後具有的形狀所構成之最大總體積)，即等於{4*X*(0.2W)*H*0.5*L}/(0.8W*0.5H)=X。即無體體積壓縮所空間。

因此，第4圖所示之本發明之第一實施例之封裝薄，在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，可造成第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123之間具有一第二厚度差0.15公厘，而形成具有高低波紋差之結構。

此外，經過層壓製程後的第一壓紋區111、112與第二壓紋區121、122、123，由於相較於各自壓紋區111、112、121、122、123本身所構成之最大總體積，已無體積壓縮空間，故其原本分別具有的第一質量分布密度0.8X和第二質量分布密度0.5X，在層壓製程處理後皆會等於標準質量分布密度X。

請參閱第7圖，其係為第6圖中所示之本發明之第一實施例之封裝薄膜結構1在進行太陽能電池模組層壓製程處理後，應用於覆蓋太陽能電池層的實施例示意圖。如圖所示，在此實施例中，較厚的第一壓紋區111、112係對應於太陽能電池層14上的Terminal-Ribbon 141所設計，並覆蓋在其上面，以完全密封Terminal-Ribbon 141。其中，封裝薄膜由於是由具有彈性的熱塑性材料所形成，因此其呈現平面的底部覆蓋在Terminal-Ribbon 141上後，會隨著Terminal-Ribbon 141的些微 凸起構造而內凹，以包覆Terminal-Ribbon 141。

然，揭露於本發明之第一實施例之封裝薄膜結構，其以相同手法所形成之封裝薄膜結構並不限於上述第一實施例中所描述之態樣，其第一壓紋區的數量與質量密度、第二壓紋區的數量與質量分布密度、各第一壓紋區沿著第二方向B之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例，及各第二壓紋區沿著第二方向B之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例可依據實際需求而變化。

請參閱第8圖與第9圖，其分別係為本發明之封裝薄膜結構之第一實施例的其他態樣結構示意圖，與本發明之封裝薄膜結構之第一實施例之其他態樣於進行太陽能電池模組層壓製程處理後的結構示意圖。另外，第一實施例所指的第一壓紋區與第二壓紋區更可形成於基材相對應的兩個表面上，形成雙面的波紋結構，由於形成原理與形成第一實施例中的單面波紋結構類似，故在此不再贅述。

如第8圖所示，在此態樣中，封裝薄膜結構2具有厚度為0.2公厘的基材10、厚度為0.5公厘的第一壓紋區211、212、213、214、215及216與厚度為0.5公厘的第二壓紋區221、222、223、224及225。封裝薄膜結構2與封裝薄膜結構1的差別僅在於第一壓紋區與第二壓紋區的形成數量，及第一壓紋區與第二壓紋區各自沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度w的比例。其中，第一壓紋區211、212、215及216沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W的比例各自為2%，而第一壓紋區213及214沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W的比例則各自為4%；第二壓紋區221及225沿著第二方向B之寬度佔基材 10沿著第二方向B之寬度W的比例各自為4%，而第二壓紋區222、223及224沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W的比例則各自為24%。

與上述第一實施例中的封裝薄膜結構1相同，皆以具有質量密度為X的乙烯酯(EVA)形成封裝薄膜結構2中的基材10、第一壓紋區211、212、213、214、215及216與第二壓紋區221、222、223、224及225。

另外，由於與第一實施例中的封裝薄膜結構1相同，形成第一壓紋區211、212、213、214、215及216的乙烯酯(EVA)所形成之各梯型長條2111、2121、2131、2141、2151、及2161的體積總和各自佔第一壓紋區211、212、213、214、215及216的最大總體積的80%。即，第一壓紋區211、212、213、214、215及216仍存在80%的體積壓縮空間，而具有“質量分布密度”等於0.8倍的標準質量密度，即為0.8X。

且與第一實施例中的封裝薄膜結構1相同，形成第二壓紋區221、222、223、224及225的乙烯酯(EVA)所形成之各三角型長條2211、2212、2221、2222、2231、2232、2241、2242、2251及2252的體積總和各自佔第二壓紋區221、222、223、224及225的最大總體積的50%。即，第二壓紋區221、222、223、224及225仍存在50%的體積壓縮空間，而具有“質量分布密度”等於0.5倍的標準質量密度，即為0.5X。

故，當封裝薄膜結構2經過層壓製程處理後，其第一壓紋區211、212、213、214、215及216，與第二壓紋區221、222、223、224 及225的厚度會分別與封裝薄膜結構1經過層壓製程處理後的第一壓紋區111、112及第二壓紋區121、122、123的厚度相同。如第9圖所示，封裝薄膜結構2於層壓製程處理後，第一壓紋區211、212、213、214、215及216的厚度各自為0.4公厘(0.5公厘*0.8)，且第二壓紋區221、222、223、224及225的厚度各自為0.25公厘(0.5公厘*0.5)。而經過層壓製程處理後的第一壓紋區211、212、213、214、215及216與第二壓紋區221、222、223、224及225具有的“質量分布密度”會等於標準質量分布密度X，即等於乙烯酯(EVA)材料本身具有的質量密度，而無體積壓縮空間。由於其經過層壓製程處理前後的“質量分布密度”的計算方式與上述第一實施例相同，在此便不再重複贅述。

請參閱第10圖，其為本發明之封裝薄膜結構之第二實施例之延著A-A’方向的剖面圖。如圖所示，此封裝薄膜結構3包含一基材10、至少一凸起部311、312及至少一第一壓紋區321、322、323。凸起部311、312是沿著第一方向A設置於基材10上，而第一方向是平行於基材10之一側邊。第一壓紋區321、322、323，係沿著此第一方向A設置於基材10上，而基材10、凸起部311、312及第一壓紋區321、322、323為相同的材質所形成。在此實施例中，基材10、凸起部311、312及至少一第一壓紋區321、322、323同樣是由乙烯酯(EVA)所形成，但形成三者的材料不限於乙烯酯(EVA)，而可為任何熱塑性填充材料，如聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)等具熱塑性性質的塑料。

第二實施例中，凸起部311、312與第一壓紋區321、322、323具有相同的厚度0.5公厘，即第一厚度差為零，但其第一厚度差不 以此為限，即在未經過太陽能電池模組層壓製程處理前，凸起部311、312與第一壓紋區321、322、323之間可具有一第一厚度差小於或等於0.4公厘，視實際需求可作變化。而基材10的厚度在此實施例中則為0.2公厘，但厚度也不以此為限，可依據實際需求作變化。

此第二實施例與第一實施例最大的差別在於第一實施例中所指之第一壓紋區111、112改以凸起部311、312取代。而凸起部311、312與第一實施例中之第一壓紋區111、112最大的差別在於形成凸起部311、312之乙烯酯(EVA)的形狀是為長方形或正方形長條狀。即，構成凸起部311、312的乙烯酯(EVA)之各長方形或正方形長條狀的體積總和將各自佔凸起部311、312的最大總體積的100%。因此，在其所構成之最大總體積下，凸起部311、312，並不具有體積壓縮空間，而具有一質量分布密度等於標準質量分布密度X，即等於乙烯酯(EVA)的質量密度。其中，凸起部311(312)的“質量分布密度”的為(凸起部311(312)的乙烯酯(EVA)總值量)/(凸起部311(312)構成的最大總體積)，即等於(X*W*H*L)/(W*H*L)=X。

而與第一實施例中的封裝薄膜結構1中的第二壓紋區121、122、123相同，形成第一壓紋區321、322、323的乙烯酯(EVA)所形成之各三角型長條3211、3221、3222、3223、3224及3231的體積總和各自佔第一壓紋區321、322、323的最大總體積的50%。即，第一壓紋區321、322、323仍存在50%的體積壓縮空間，而具有“質量分布密度”等於0.5倍的標準質量密度，即為0.5X。

接著，請參閱第11圖，其係為本發明之第二實施例之封裝薄膜結 構3在進行層壓製程後的A-A’方向的剖面圖。在此，凸起部311、312與第一壓紋區321、322、323在經過層壓製程處理後，而形成具有高低波紋差之結構。

第11圖中，封裝薄膜結構3經過太陽能電池模組層壓製程處理後，由於構成凸起部311、312的乙烯酯(EVA)之各長方形或正方形長條狀的體積總和將各自佔凸起部311、312的最大總體積的100%，因此，凸起部311、312厚度(即高度)仍維持0.5公厘。

而分布在第一壓紋區321、322、323的乙烯酯(EVA)由於相對於最大總體積仍有50%的可壓縮空間之第一質量分布密度0.5X，故，在經過層壓製程後其厚度由0.5公厘轉變至0.5公厘*0.5，即0.25公厘，而形成如第11圖所示具有高低波紋之結構，即受層壓製程後的第一壓紋區321、322、323與凸起部311、312之間存在一第二厚度差0.25公厘。受層壓製程後的第一壓紋區321、322、323具有標準質量分布密度X，即無體積壓縮空間。由於第一壓紋區321、322、323其受層壓前後的質量分布密度的計算方式與上述第一實施例相同，故在此同樣不再重複贅述。

第二實施例中，凸起部311、312其沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W比例各自皆為8%；第二壓紋區321、322、323其沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W的比例則各自分別為2%、80%及2%。

然，揭露於本發明之封裝薄膜結構之第二實施例，其以相同手法所形成之封裝薄膜結構同樣的並不限於上述第二實施例中所描述之態樣，其凸起部的數量、第一壓紋區的數量與受層壓製程前的 質量分布密度、各凸起部沿著第二方向之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例與各第二壓紋區沿著第二方向之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例可依據實際需求而變化，但原則上以各第一壓紋區在沿著第二方向B之寬度總和佔基材10沿著第二方向B之寬度的比例大於20%為原則，以達成節省材料之目的。例如，可對應於太陽能電池表面上的Terminal-Ribbon之寬度決定凸起部311、312的寬度及厚度。

另外，第二實施例所指的凸起部與第一壓紋區更可形成於基材相對應的兩個表面上，而形成雙面的波紋結構，由於形成原理與形成第二實施例中的單面波紋結構類似，故在此不再贅述。

請參閱第12圖，其係本發明之封裝薄膜結構之第三實施例之沿著A-A’方向的剖面圖。如圖所示，此封裝薄膜結構4包含一基材10及複數個凸起部411、412。複數個凸起部411、412是沿著第一方向A設置於基材10上，而第一方向是平行於基材10之一側邊。基材10及凸起部411、412為相同的材質所形成。第三實施例中，基材10及複數個凸起部411、412同樣由乙烯酯(EVA)所形成。第三實施例與第一實施例及第二實施利的差別在於第三實施例中，並未存在有具有體積壓縮空間的壓紋區的存在。即，在此實施例中，複數個凸起部411、412具有的性質與第二實施例中凸起部311、312相同。即，形成複數個凸起部411、412之乙烯酯(EVA)的形狀是為長方形或正方形長條狀。即，構成凸起部411、412的乙烯酯(EVA)之各長方形或正方形長條狀的體積總和將各自佔凸起部411、412的最大總體積的100%。因此，在其所構成之最大總體積下，凸起部411、412，並不具有體積壓縮空間，而具有一質量分 布密度等於標準質量分布密度X，即等於乙烯酯(EVA)的質量密度。其中，凸起部411(412)的“質量分布密度”的為(凸起部411(412)的乙烯酯(EVA)總值量)/(凸起部411(412)構成的最大總體積)，即等於(X*W*H*L)/(W*H*L)=X。因此，本發明之第三實施例之封裝薄膜結構在進行太陽能電池模組層壓製程處理後，複數個凸起部411、412的厚度(即高度)基本皆不會受層壓製程的影響，而仍維持0.5公厘。

請參閱第13圖，其係本發明之第三實施例之封裝薄膜結構4在進行太陽能電池模組層壓製程處理後的A-A’方向的剖面圖，可看出受層壓製程後的凸起部411、412的厚度並未受影響仍維持0.5公厘厚度，而僅是因層壓壓力稍微改變其形狀型等。另外，此實施例中凸起部411、412其沿著第二方向B之寬度佔基材10沿著第二方向B之寬度W比例各自皆為8%，但凸起部實際上可依需求各自設計為具有不同的寬度比例，例如，可對應於太陽能電池表面上的T-ribbon之寬度決定凸起部411、412的寬度及厚度。

然，揭露於本發明之封裝薄膜結構之第三實施例，其以相同手法所形成之封裝薄膜結構同樣的並不限於上述第二實施例中所描述之態樣，其凸起部的數量、各凸起部沿著第二方向之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例與各第二壓紋區沿著第二方向之寬度佔基材沿著第二方向B之寬度的比例可依據實際需求而變化，但原則上以各凸起部在沿著第二方向B之寬度總和佔基材10沿著第二方向B之寬度的比例小於80%為原則，以達成節省材料之目的。另外，第三實施例所指的凸起部更可形成於基材相對應的兩個表面上，而形成雙面的波紋結構，由於形成原理與形成第三實施 例中的單面波紋結構類似，故在此不再贅述。

另外，第12圖中所描述的第三實施例，其複數個凸起部，更可在另一實施例中，由複數個壓紋區所取代。而所指複數個壓紋區具有相同的一質量分布密度，並在此質量分布密度下，具有體積壓縮空間。同樣的，與第一實施例及第二實施例相同，可藉由調整此複數個壓紋區的質量分布密度，以控制經由太陽能電池模組層壓製程處理後形成的厚度。由於其形成原理與第一實施例、第二實施例類似，故在此不再贅述。此外，複數個壓紋區更可形成於基材相對應的兩個表面上，而形成雙面的波紋結構。

以上所述之本發明之各封裝薄膜結構皆適用於如第14圖至第17圖所示之任一種太陽能電池晶片結構，用以完全密封太陽能電池晶片。

其中，第14圖與第15圖所示為本發明之封裝薄膜結構應用於多晶矽太陽能電池晶片上的結構示意圖。在第14圖所示的多晶矽太陽能電池晶片結構中，本發明之封裝薄膜結構可作為封裝薄膜層200、400而設置於玻璃基板100與太陽能電池層300之間用以密封太陽能電池晶片。而在第15圖所示的多晶矽太陽能電池晶片結構中本發明之封裝薄膜結構則可作為封裝薄膜層201、401設置於玻璃基板101與太陽能電池層301之間，及背板501與太陽能電池層401之間用以密封太陽能電池晶片。

而第16圖與第17圖所示則為本發明之封裝薄膜結構應用於薄膜太陽能電池晶片上的結構示意圖。在第16圖所示的薄膜太陽能電池晶片結構中，由於薄膜太陽能電池層202是緊貼於最上層之玻璃 基板102，故本發明之封裝薄膜結構作為封裝薄膜層302時，可設置於下層玻璃基板402與薄膜太陽能電池層202之間用以密封太陽能電池晶片。而在第17圖所示的薄膜太陽能電池晶片結構中由於薄膜太陽能電池層是緊貼於最上層之玻璃基板103，故本發明之封裝薄膜結構作為封裝薄膜層303時，可設置於背板403與薄膜太陽能電池層203之間用以密封太陽能電池晶片。

然，以上所述之本發明之封裝薄膜結構並不僅限於使用在如上所述之太陽能電池晶片，而可廣泛的應用在各種型態的太陽能電池或電子產品的封裝上。

值得一提的是，在本發明所屬領域中具有通常知識者應當明瞭，前述之實施態樣僅為舉例而非限制，本發明於實際實施時，並不限於此種方式。

綜上所述，此封裝薄膜結構在用於密封太陽能電池時，可依據實際上其所覆蓋之太陽能電池的表面結構，在一密封材質層上對應表面結構設計出由不同質量密度的同一密封材質形成的壓紋區。藉由具有不同質量分布密度的壓紋區經過太陽能電池模組層壓製程處理後可產生不同的厚度，以形成具有厚薄差異的壓紋於密封材質層上，以降低太陽能電池模組封裝時所需消耗的密封性材料，進而減少太陽能晶片整體的生產成本及增進其密封性。另外，亦可實際產品需求，提供客戶具有特定高低差與形狀之波紋的薄膜密封結構，達到客製化的目的。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申 請專利範圍中。

2‧‧‧封裝薄膜結構

10‧‧‧基材

211、212、213、214、215、216‧‧‧第一壓紋區

221、222、223、224、225‧‧‧第二壓紋區

2111、2121、2131、2141、2151、2161‧‧‧梯形長條

2211、2212、2221、2222、2231、2232、2241、2242、2251、2252‧‧‧三角型長條

Claims (20)

1. 一種封裝薄膜結構，係應用於太陽能電池晶片，該封裝薄膜結構包含：一基材；至少一第一壓紋區，係沿著一第一方向設置於該基材上，該第一方向是平行於該基材之一側邊，且該至少一第一壓紋區具有一第一質量分布密度；以及至少一第二壓紋區，係沿著該第一方向設置於該基材上且具有一第二質量分布密度；其中，該基材、該至少一第一壓紋區及該至少一第二壓紋區為相同的一材質，且該第一質量分布密度大於該第二質量分布密度，而在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該第一質量分布密度與該第二質量分布密度將等於一標準質量分布密度，且該標準質量分布密度的值等於該材質的質量密度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝薄膜結構，其中該材質為一熱塑性填充材料，且該材質包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。
3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝薄膜結構，其中在未經過太陽能電池模組層壓製程處理前，該第一壓紋區與該第二壓紋區沿著一第二方向之縱向截面係具有一第一厚度差，該第二方向係平行於該基材之另一側邊，且該第一厚度差小於或等於0.4公厘。
4. 如申請專利範圍第3項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該第一壓紋區與該第二壓紋區沿著該 第二方向之縱向截面具有一第二厚度差，該厚度差大於或等於0.1公厘。
5. 如申請專利範圍第3項所述之封裝薄膜結構，其中該第二壓紋區沿著該第二方向的寬度總和佔該基材沿著該第二方向之寬度的比例為大於20%。
6. 如申請專利範圍第4項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該第一壓紋區的厚度大於該第二壓紋區，且該第一壓紋區係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。
7. 如申請專利範圍第3項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理前，該第一壓紋區與該第二壓紋區於該基材上形成沿著該第一方向及該第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。
8. 一種封裝薄膜結構，係應用於太陽能電池晶片，該封裝薄膜結構包含：一基材；至少一凸起部，係沿著一第一方向設置於該基材上，該第一方向是平行於該基材之一側邊：以及至少一第一壓紋區，係沿著該第一方向設置於該基材上且具有一第一質量分布密度；其中，該基材、該至少一凸起部及該至少一第一壓紋區為相同的一材質，且該至少一凸起部具有一標準質量分布密度，該標準質量分布密度的值等於該材質本身的一質量密度，而該第一質量分布密度是小於該標準質量分布密度，而在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該第一質量分佈密度將等於 該標準質量分布密度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之封裝薄膜結構，其中該材質為一熱塑性填充材料，包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。
10. 如申請專利範圍第8項所述之封裝薄膜結構，其中在未經過太陽能電池模組層壓製程處理前，該凸起部與該第一壓紋區沿著一第二方向之縱向截面係具有一第一厚度差，該第二方向係平行於該基材之另一側邊，且該第一厚度差小於或等於0.4公厘。
11. 如申請專利範圍第10項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該凸起部與該第一壓紋區沿著該第二方向之縱向截面具有一第二厚度差，該第二厚度差大於或等於0.1公厘。
12. 如申請專利範圍第10項所述之封裝薄膜結構，其中該第一壓紋區沿著該第二方向的寬度總和佔該基材沿著該第二方向之寬度的比例為大於20%。
13. 如申請專利範圍第11項所述之封裝薄膜結構，其中該凸起部的厚度大於該第一壓紋區，且該凸起部係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。
14. 如申請專利範圍第10項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理前，該第一壓紋區於該基材上形成沿著該第一方向及該第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。
15. 一種應用於太陽能電池晶片之封裝薄膜結構，其包含：一基材；以及複數個壓紋區，係沿著一第一方向設置於該基材上，該第一方向 是平行於該基材之一側邊，且該複數個壓紋區具有相同的一質量分布密度；其中，該基材及該複數個壓紋區為相同的一材質，且該材質本身具有一質量密度，而該質量分布密度小於該質量密度，而在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該質量分布密度將等於一標準質量分布密度，且該標準質量分布密度的值等於該質量密度。
16. 如申請專利範圍第15項所述之封裝薄膜結構，其中該材質為一熱塑性填充材料，包括乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或熱塑性聚氨酯(TPU)。
17. 如申請專利範圍第15項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理後，該複數個壓紋區之厚度係大於或等於0.1公厘。
18. 如申請專利範圍第15項所述之封裝薄膜結構，其中該複數個壓紋區沿著一第二方向的寬度總和佔該基材沿著該第二方向之寬度的比例為小於80%，該第二方向係平行於該基材之另一側邊。
19. 如申請專利範圍第15項所述之封裝薄膜結構，其中該複數個壓紋區係相對應於太陽能電池晶片的T-ribbon而設置，並在太陽能電池封裝時，覆蓋於太陽能電池晶片的T-ribbon上。
20. 如申請專利範圍第18項所述之封裝薄膜結構，其中在經過太陽能電池模組層壓製程處理前，該複數個壓紋區於該基材上形成沿著該第一方向及該第二方向綜橫交錯之連續性凸起幾何圖形。