TWI452147B - 具有減少表面缺陷的鐵磁性非晶合金帶及其應用 - Google Patents

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Description

具有減少表面缺陷的鐵磁性非晶合金帶及其應用
本發明係關於一種用於變壓器磁心、旋轉機器、電抗流器、磁性感測器及脈衝功率器件中的鐵磁性非晶合金帶及一種製備該帶之方法。
鐵基非晶合金帶展現卓越之軟磁性質(包括在AC激勵下之低的磁損)，從而發現其在諸如以下各者之高能效磁性器件中的應用：變壓器、馬達、產生器、能量管理器件(包括脈衝功率產生器)及磁性感測器。在此等器件中，具有高飽和感應及高熱穩定性之鐵磁性材料係較佳的。此外，該等材料之可容易製造性及其原料成本為大規模工業使用中之重要因素。非晶Fe-B-Si基合金滿足此等要求。然而，此等非晶合金之飽和感應低於在諸如變壓器之器件中習知使用的結晶矽鋼之飽和感應，從而導致非晶合金基器件之尺寸稍大。因此，已努力發展具有較高飽和感應之非晶鐵磁性合金。一種方法係增加Fe基非晶合金中之鐵含量。然而，此並非為直截了當的，此係因為合金之熱穩定性隨Fe含量增加而降級。為減輕此問題，已添加諸如Sn、S、C及P之元素。舉例而言，美國專利第5,456,770號('770專利)教示非晶Fe-Si-B-C-Sn合金，其中Sn之添加增加了合金之可成形性及其飽和感應。在美國專利第6,416,879號('879專利)中，教示了在非晶Fe-Si-B-C-P系統中添加P以隨增加之Fe含量而增加飽和感應。然而，在Fe-Si-B基非晶合 金中添加諸如Sn、S及C之元素降低了鑄造帶之可延展性，從而使得難以製備寬的帶。又，如'879專利中所教示之在Fe-Si-B-C基合金中添加P導致長期熱穩定性之損耗，其又導致在若干年內使磁心損耗增加幾十個百分比。因此，'770專利及'879專利中所教示之非晶合金在實務上尚未藉由自其熔融狀態進行鑄造來加以製備。
除諸如變壓器、感應器及其類似者之磁性器件中所需的高飽和感應以外，高B-H方形比及低矯頑力Hc亦係吾人所要的，其中B及H分別為磁感應及激勵磁場。此需要之原因係此等磁性材料具有高的磁軟度，其意謂容易磁化。此情形在使用此等磁性材料之磁性器件中導致低磁損耗。在認識到此等因素後，本發明者中之一些者發現除高的帶可延展性以外的此等所需之磁性質係藉由將帶表面上之C沈澱層維持於特定厚度(藉由在如美國專利第7,425,239號中所描述之非晶Fe-Si-B-C系統中選擇處於特定位準之Si：C比率)來達成。此外，在日本Kokai專利第2009052064號中，提供高飽和感應非晶合金帶，其展示藉由經由將Cr及Mn添加至合金系中來控制C沈澱層高度的在150℃器件操作下多達150年之經改良之熱穩定性。然而，所製備之帶展現諸多表面缺陷，諸如，沿帶之長度方向及在面向鑄造大氣側帶表面(其與接觸鑄造冷卻主體表面的帶表面相反)之上所形成的分裂線、刮痕及面線。圖1中展示分裂線及面線之實例。在美國專利第4,142,571號中說明了鑄造噴嘴、在旋轉輪上之冷卻主體表面及所得鑄造帶的基本配置。
因此，需要一種展現以下性質之鐵磁性非晶合金帶：高飽和感應、低磁損、高B-H方形比、高機械可延展性、高長期熱穩定性，及在高度之帶可製備性的情況下的減少之帶表面缺陷，該鐵磁性非晶合金帶為本發明之態樣中之一者。更具體言之，對在鑄造期間之鑄造帶表面品質的透徹研究導致以下發現：表面缺陷係始於鑄造之早期階段，且當沿帶之長度方向的缺陷長度超過約200mm或缺陷深度超過帶厚度之約40%時，帶在缺陷位點處斷裂，從而引起鑄造突然終止。由於此帶斷裂，因此在鑄造啟動之後的30分鐘內之鑄造終止速率達到約20%。另一方面，對於具有小於1.6 T之飽和感應的帶而言，在30分鐘內之鑄造終止速率為約3%。另外，在此等帶上，缺陷長度小於200mm且缺陷深度小於帶厚度之40%，其中缺陷發生率為在沿帶之長度方向每1.5m處1次或2次。因此，明確地需要減少在具有超過1.6 T之飽和感應的帶上的表面缺陷以達成連續鑄造，其為本發明之又一目標。本發明之主要目標係提供一種適合用於諸如以下各者之高能效器件中的磁心：變壓器、旋轉機器、電抗流器、磁性感測器，及脈衝功率器件。
根據本發明之態樣，鐵磁性非晶合金帶係基於具有由Fe a Si b B c C d 表示之組合物的合金，其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且具有附帶雜質。該帶係 自合金之熔融狀態來鑄造，該合金具有大於且等於1.1N/m之熔融合金表面張力，且該帶具有帶長度、帶厚度、帶寬度及面向鑄造大氣側之帶表面。該帶具有在面向鑄造大氣側之帶表面上所形成之帶表面缺陷，且該等帶表面缺陷係依據缺陷長度、缺陷深度及缺陷發生頻率而量測。沿帶之長度之方向的缺陷長度係在5mm與200mm之間，缺陷深度小於0.4×t μm且缺陷發生頻率在帶長度之1.5m內小於0.05×w次，其中t為帶厚度且w為帶寬度。該帶在呈經退火之直條形式下具有超過1.60 T之飽和磁感應，且當在60Hz及1.3 T感應位準下量測時展現小於0.14W/kg之磁心損耗。當該帶係以磁心形式纏繞且藉由沿帶之長度方向所施加之磁場來退火時，該帶在60Hz及1.3 T感應下具有小於0.3W/kg之磁心磁損及小於0.4VA/kg之激勵功率。
根據本發明之一態樣，根據關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100，Si含量b及B含量c係與Fe含量a及C含量d有關。此情形導致熔融金屬表面張力超過1.3N/m，此係更佳的。
根據本發明之另一態樣，該帶進一步包括痕量元素Cu，Cu之含量係在0.005重量百分比與0.20重量百分比之間。痕量元素幫助減少帶表面缺陷。
根據本發明之一額外態樣，該帶進一步包括痕量元素Mn及Cr，Mn之含量係在0.05重量百分比與0.30重量百分比之間，且Cr之含量係在0.01重量百分比與0.2重量百分比之間。痕量元素幫助減少帶表面缺陷。
根據本發明之又一態樣，在該帶中，多達20原子百分比之Fe視情況由Co代替，且多達10原子百分比之Fe視情況由Ni代替。
根據本發明之又一額外態樣，該帶係在1,250℃與1,400℃之間的溫度下自該合金之熔融狀態來鑄造。
根據本發明之另一態樣，該帶係在環境大氣中鑄造，該環境大氣在熔融合金-帶界面處含有小於5體積百分比之氧。
根據本發明之一額外態樣，一種纏繞式變壓器磁心包括具有由Fe a Si b B c C d 表示之化學組合物的鐵磁性非晶合金帶，其中81 a<82.5原子百分比，2.5<b<4.5原子百分比，12 c 16原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且滿足關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100。該合金可具有選自Cu、Mn及Cr中之至少一者的痕量元素，使得Cu含量係處於0.005-0.20重量百分比，Mn含量係處於0.05-0.30重量百分比且Cr含量係處於0.01-0.2重量百分比。該合金可具有視情況由Co代替的小於20原子百分比之Fe及視情況由Ni代替的小於10原子百分比之Fe。該帶藉由在鑄造期間控制熔融金屬表面張力而具有減少之表面缺陷。在沿帶之長度之方向所施加的磁場中在300℃與335℃之間的溫度範圍下使基於帶之纏繞式變壓器磁心退火，且當在60Hz及1.3T感應下量測時，該磁心展現小於0.25W/kg之磁心損耗及小於0.35VA/kg之激勵功率。在另一態樣中，在室溫下操作變壓器磁心直至1.5-1.55 T之感應位準。在又一態樣中，變壓器磁心具有環形 形狀或半環形形狀。在又一額外態樣中，變壓器磁心具有階梯搭接接點。在一或多個態樣中，變壓器磁心具有重疊搭接接點。
根據本發明之一額外態樣，一種製備一鐵磁性非晶合金帶之方法包括：選擇具有由Fe a Si b B c C d 表示之組合物的合金，其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且具有附帶雜質；自合金之熔融狀態來鑄造帶，該合金具有大於且等於1.1N/m之熔融合金表面張力；及獲得具有帶長度、帶厚度及帶寬度之帶。該鑄造帶具有在面向鑄造大氣側之表面上所形成的表面缺陷。沿帶之長度之方向的缺陷長度係在5mm與200mm之間，缺陷深度小於0.4×t μm且缺陷發生頻率在帶長度之1.5m內小於0.05×w次，其中t為帶厚度且w為帶寬度。該帶在呈經退火之直條形式下具有超過1.60 T之飽和磁感應且當在60Hz及1.3 T感應位準下量測時展現小於0.14W/kg之磁心損耗，且該帶在呈經退火之纏繞式變壓器磁心形式下具有小於0.3W/kg之磁心磁損及小於0.4VA/kg之激勵功率。
在上述帶製備方法之一態樣中，鑄造係在1,250℃與1,400℃之間的熔融溫度下執行，且熔融金屬表面張力係在1.1N/m-1.6N/m之範圍中。在此鑄造條件下，面向鑄造大氣側之帶表面上的帶表面缺陷(諸如圖1中所展示)係如此使得沿帶之長度方向的缺陷長度係在5mm與200mm之間，缺陷深度係0.4×t μm且缺陷發生頻率在帶長度之1.5m內小 於0.05×w次，其中t及w分別為帶厚度及帶寬度。
將更充分地來理解本發明且當參考較佳實施例之以下詳細描述及隨附圖式時，其他優點將變得顯而易見。
如美國專利第4,142,571號中所教示，可藉由使熔融合金經由開槽噴嘴而噴射至旋轉冷卻主體表面上來預備非晶合金帶。面向冷卻主體表面之帶表面看起來暗淡，但面向大氣之相反側表面係有光澤的，其反映熔融合金之液體性質。在以下描述中，此側亦稱為鑄造帶之「有光澤側」。已發現少量熔融合金飛濺物黏在噴嘴表面上且當熔融合金表面張力低時被快速凝固，從而產生諸如沿帶長度方向及在帶之有光澤側上所形成之分裂線、面線及刮痕狀線的表面缺陷。該等分裂線穿透帶厚度。圖1中展示分裂線及面線之實例。此又使帶之軟磁性質降級。更多損害係鑄造帶趨向於在缺陷位點處分裂或斷裂，從而導致帶鑄造終止。
進一步之觀察揭露以下事實：在鑄造期間，表面缺陷之數目及其長度與深度隨鑄造時間而增加。當缺陷長度係在5mm與200mm之間、缺陷深度小於0.4×t μm且沿帶之長度方向之缺陷數目小於0.05×w(其中t及w為鑄造帶之厚度及寬度)時，發現此進展更緩慢。因此，帶斷裂發生率亦係低的。另一方面，當沿帶長度方向之缺陷數目大於0.05×w時，缺陷大小增加，從而產生帶斷裂。此情形指示：為了達成連續鑄造而無帶斷裂，有必要最小化熔融合金飛濺物在噴嘴表面上之發生率。在諸多實驗性試驗之後，本發明 者發現，將熔融合金表面張力維持於高位準對於減少熔融合金飛濺物而言係至關重要的。
舉例而言，在處於1,350℃之熔融溫度下且具有Fe81.4Si2B16C0.6之化學組合物的熔融合金(具有1.0N/m之表面張力)與處於1,350℃之熔融溫度下且具有Fe81.7Si4B14C0.3之化學組合物的熔融合金(具有1.3N/m之表面張力)之間比較熔融合金表面張力之效應。具有Fe81.4Si2B16C0.6之熔融合金比Fe81.7Si4B14C0.3合金在噴嘴表面上展示更多的飛濺物，從而導致鑄造時間較短。當檢查帶表面時，基於Fe81.4Si2B16C0.6合金之帶在帶之1.5m內具有若干個以上之缺陷。另一方面，未在基於Fe81.7Si4B14C0.3合金之帶上觀察到此等缺陷。按照熔融合金表面張力效應來檢查諸多其他合金，從而產生以下發現：熔融合金飛濺物係頻繁的，且當熔融合金表面張力低於1.1N/m時在帶長度之1.5m內的缺陷數目大於0.05×w。應注意，藉由處理噴嘴表面(藉由表面塗佈及拋光)而最小化噴嘴表面上之凝固之熔融合金飛濺物的努力失敗。發明者接著提出一種藉由控制在熔融合金與帶之間的界面附近之氧濃度來變化該界面處之熔融合金表面張力的方法。
本發明者所採取的下一步驟為尋找鑄造非晶帶之飽和感應超過1.60 T的化學組合物範圍，其為本發明之目標中之一者。已發現，滿足此要求之合金組合物由Fe a Si b B c C d 來表達，其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中 a+b+c+d=100且具有常見於商業原料(諸如，鐵(Fe)、鐵矽(Fe-Si)及鐵硼(Fe-B))中的附帶雜質。
對於Si含量及B含量而言，發現以下化學限制更有利於達成目標：b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100。
另外，對於附帶雜質及有意添加之痕量元素而言，發現具有給定含量範圍之以下元素係有利的：處於0.05-0.30重量百分比之Mn、處於0.01-0.2重量百分比之Cr、處於0.005-0.20重量百分比之Cu。
另外，小於20原子百分比之Fe視情況由Co代替，且小於10原子百分比之Fe視情況由Ni代替。
選擇在上文所註釋之三個段落中所給出的組成範圍的原因如下：小於80.5原子百分比之Fe含量「a」產生小於1.60 T之飽和感應位準，而超過83原子百分比之「a」降低合金之熱穩定性及帶可成形性。由多達20原子百分比之Co及/或多達10原子百分比之Ni來代替Fe對達成超過1.60 T之飽和感應係有利的。Si改良帶可成形性並增強其熱穩定性(對於0.5原子百分比而言)，且其超過0.5原子百分比並小於6原子百分比以達成所設想之飽和感應位準及高B-H方形比。B有利地促成合金之帶可成形性及其飽和感應位準且其超過12原子百分比並小於16.5原子百分比，此係因為超過此濃度其有利效應便減小。在圖2之相圖中概述了此等發現，其中明確地指示熔融合金表面張力係處於或大於1.1N/m之區域1及熔融合金表面張力超過1.3N/m之區域2。就化學組合物而言，圖2中之區域1由Fe a Si b B c C d 界定， 其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100，且區域2由Fe a Si b B c C d 界定，其中80.5a83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100。在圖2中，由粗虛線來表示低共晶組合物，其展示熔融合金表面張力在合金系之共晶組合物附近係低的。
C在高於0.01原子百分比的情況下對達成高B-H方形比及高飽和感應係有效的，但在高於1原子百分比之C的情況下熔融合金之表面張力被減小且小於0.5原子百分比之C係較佳的。在添加之痕量元素之中，Mn減小熔融合金之表面張力且可允許之濃度限制為Mn<0.3重量百分比。更佳地，Mn<0.2重量百分比。在Fe基非晶合金中Mn與C之共存改良合金之熱穩定性，且(Mn+C)>0.05重量百分比係有效的。Cr亦改良熱穩定性且Cr>0.01重量百分比係有效的，但對於Cr>0.2重量百分比而言合金之飽和感應減小。Cu不可溶於Fe且趨向於沈澱於帶表面上並幫助增加熔融合金之表面張力；Cu>0.005重量百分比係有效的且Cu>0.02重量百分比係更有利的，但C>0.2重量百分比產生易碎帶。已發現，0.01-5.0重量百分比之來自Mo、Zr、Hf及Nb之群中的一個或一個以上元素係可允許的。
根據本發明之實施例之合金具有較佳在1,250℃與1,400℃之間的熔融溫度且在此溫度範圍中，熔融合金之表 面張力係在1.1N/m-1.6N/m之範圍中。在低於1,250℃之情況下，噴嘴趨向於頻繁堵塞，且在高於1,400℃之情況下，熔融合金之表面張力減小。更佳熔融點為1,280℃-1,360℃。
藉由見於Metallurgical及Materials Transactions(第37B卷，第445-456頁(由Springer在2006年公開))之以下公式來判定熔融合金表面張力σ：σ=U 2 G 3 ρ/3.6 λ 2其中U、G、ρ及λ分別為冷卻主體表面速度、噴嘴與冷卻主體表面之間的間隙、合金之質量密度，及在如圖3中所指示之在帶表面之有光澤側上所觀察到的波狀圖案之波長。所量測到之波長λ係在0.5mm-2.5mm之範圍中。
發明者已發現，可藉由在熔融合金與位於鑄造噴嘴正下方之鑄造帶之間的界面處提供具有高達5體積百分比之濃度的氧氣來進一步減少表面缺陷。O2氣體之上限係基於圖4中所展示之熔融合金表面張力對O2濃度的資料來判定，該資料指示：對於超過5體積百分比之氧氣濃度，熔融合金表面張力變得小於1.1N/m。
發明者進一步發現，針對帶製備方法，根據本發明之實施例獲得自10μm至50μm之帶厚度。難以形成厚度低於10μm之帶，且在帶厚度大於50μm之情況下帶之磁性質退化。
根據本發明之實施例，該製備方法適用於如實例4中所指示之較寬非晶合金帶。
令發明者感到驚訝的是，鐵磁性非晶合金帶展示低磁心 損耗，此與在磁心材料之飽和感應增加時磁心損耗大體增加的預期情況相反。舉例而言，當在60Hz及1.3 T感應下量測時，根據本發明之實施例的鐵磁性非晶合金帶之直條展現小於0.14W/kg之磁心損耗，該等直條係藉由沿條之長度方向所施加之1,500A/m的磁場而在320℃與330℃之間的溫度下退火。
直條中之低磁心損耗轉換為在藉由纏繞磁性帶所預備之磁心中的對應之低磁心損耗。然而，歸因於在磁心纏繞期間所引入之機械應力，纏繞式磁心總是展現比在呈其直條形式下的磁心損耗高的磁心損耗。將纏繞式磁心之磁心損耗對直條之磁心損耗的比率稱為建置因數(BF)。對於基於非晶合金帶之經最佳設計的市售變壓器磁心而言，BF值約為2。低BF係明顯較佳的。根據本發明之其他實施例，使用根據本發明之實施例所製備的非晶合金帶來建置具有重疊搭接接點之變壓器磁心。圖5中給出所建置及測試之磁心的尺寸。
儘管如表6與表7及圖6與圖8中所指示在基於非晶Fe81.7Si2B16C0.3(下文中為Si2B16合金)、Fe81.7Si3B15C0.3(下文中為Si3B15合金)及Fe81.7Si4B14C0.3(Si4B14合金)合金帶的變壓器磁心之中磁心損耗位準係大約相同的，但具有具較高Si含量之合金的變壓器磁心展示以下兩個有利特徵。首先，如圖7中所指示，退火溫度範圍(其中激勵功率係低的)在含有3-4原子百分比之Si的非晶合金中比在含有2原子百分比之Si的非晶合金中寬得多。其次，如圖8及圖9中所指 示，在室溫下操作具有含有3-4原子百分比之Si之非晶合金帶(在沿帶之長度方向所施加的磁場中在300℃與335℃之間的溫度範圍中被退火)的變壓器磁心直至1.5-1.55 T感應範圍，而具有2原子百分比之Si的非晶合金可操作直至約1.45T。此差異在減小變壓器大小方面係顯著的。估計針對變壓器之操作感應之0.1 T的遞增性增加，變壓器大小可減小達5-10%。此外，當激勵功率為低的時，變壓器品質改良。鑒於剛才所描述之技術優點，對具有根據本發明之實施例之組合物的變壓器磁心進行測試且結果指示以具有由Fe a Si b B c C d 表示之化學組合物的合金達成最佳變壓器效能，其中81 a<82.5原子百分比，2.5<b<4.5原子百分比，12 c 16原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且滿足關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100。
實例1
預備具有根據本發明之實施例之化學組合物的鑄塊且在旋轉冷卻主體上在1,350℃下自熔融金屬來鑄造該等鑄塊。鑄造帶具有100mm之寬度且其厚度係在22-24μm範圍中。化學分析展示帶含有0.10重量百分比之Mn、0.03重量百分比之Cu及0.05重量百分比之Cr。將CO2氣體與氧氣之混合物吹至熔融合金與鑄造帶之間的界面附近中。在熔融合金與鑄造帶之間的界面附近的氧濃度為3體積百分比。藉由使用公式σ=U2 G3 ρ/3.6 λ2來量測鑄造帶之有光澤側上的波狀圖案之波長而判定熔融合金表面張力σ。在鑄造啟動 之後的30分鐘量測在沿帶之長度方向之1.5m內的帶表面缺陷數目，且表1中給出表面缺陷之最大數目N。藉由沿條之長度方向所施加之1500A/m的磁場在300℃-400℃下使自帶切割之單一條退火，且根據ASTM標準A-932來量測經熱處理之條的磁性質。表1中列出所獲得之結果。樣本編號1-15滿足針對熔融合金表面張力σ、每鑄造帶之1.5m的缺陷數目N、飽和感應Bs及在60Hz激勵、1.3 T感應下的磁心損耗W1.3/60的本發明目標之要求。由於帶寬度為100mm，因此N之最大數目為5。表2給出不合格帶的實例(樣本編號1-6)。舉例而言，樣本編號1、3及4展示有利之磁性質，但歸因於熔融合金表面張力低於1.1N/m而產生諸多帶表面缺陷。樣本編號2、5及6之熔融合金表面張力高於1.1N/m，從而導致N=0，但Bs低於1.60 T。
實例2
除O2氣體濃度自0.1體積百分比改變至20體積百分比(與空氣等效)之外，在與實例1中相同之鑄造條件下鑄造具有組合物Fe81.7Si3B15C0.3的非晶合金帶。表3中列出所獲得之磁性質Bs及W1.3/60與熔融合金表面張力σ及表面缺陷之最大數目N。該資料表明超過5體積百分比之氧含量使熔融合金表面張力減少，其又增加缺陷數目從而導致更短之鑄造時間。
實例3
將少量Cu添加至實例2之合金且將鑄塊鑄造為如實例1中 之非晶合金帶。表4中比較磁性質Bs及W1.3/60與熔融合金表面張力及帶上之最大缺陷數目N。具有0.25重量百分比之Cu的帶展示有利之磁性質但為易碎的。未在具有0.001重量百分比之Cu的帶中觀察到熔融合金表面張力之增加。
實例4
除帶寬度自140mm改變至254mm且帶厚度自15μm改變至40μm之外，在與實例1中相同之條件下鑄造具有組合物Fe81.7Si3B15C0.3的非晶合金帶。表5中列出所獲得之磁性質(Bs、W1.3/60)與熔融合金表面張力σ及最大表面缺陷數目N。
實例5
利用本發明之Fe81.7Si2B16C0.3(Si2B16合金)、Fe81.7Si3B15C0.3(Si3B15合金)及Fe81.7Si4B14C0.3(Si4B14合金)帶，建置具有重疊搭接接點之變壓器磁心。圖5中展示磁心尺寸。藉由沿帶之長度方向所施加之2,000A/m的磁場使變壓器磁心在300℃-350℃之溫度範圍中退火歷時1個小時。磁心損耗及激勵功率(其為用以激勵變壓器之電功率)取決於變壓器磁心之退火溫度，此情況針對本發明之由曲線61(在圖6中)及71(在圖7中)指示之非晶Si2B16帶、由曲線62(在圖6中)及72(在圖7中)指示之Si3B15合金帶及由曲線(在圖6中)及73(在圖7中)指示之Si4B14合金帶而分別展示於圖6及圖7中。在60Hz及1.3 T感應下激勵該等磁心。下表6中亦列出Si2B16、Si3B15及Si4B14合金帶之數位資料：
圖8及圖9展示在60Hz激勵下的隨感應位準Bm而變的在基於以下各者之變壓器磁心中之磁心損耗及激勵功率：由曲線81(在圖8中)及91(在圖9中)指示之Si2B16合金帶；由曲線82(在圖8中)及92(在圖9中)指示之Si3B15合金帶；及由曲 線83(在圖8中)及93(在圖9中)指示之Si4B14合金帶。藉由沿帶之長度方向所施加之2000A/m的磁場在330℃下使該等磁心退火歷時1個小時。表7中亦列出Si2B16、Si3B15及Si4B14合金帶之數位資料。
儘管已展示及描述了本發明之實施例，但熟習此項技術者將瞭解，可在不背離本發明之精神及範疇的情況下在此等實施例中作出改變，本發明之範疇界定於申請專利範圍及其等效物中。
61‧‧‧曲線
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圖1為展示在鑄造期間在帶表面上所形成之缺陷(諸如，分裂線及面線)之圖片。
圖2為在Fe-Si-B相圖上給出熔融合金表面張力的圖式。
所展示之數字指示以N/m為單位之熔融合金表面張力。
圖3為說明在鑄造帶表面上所觀察到之波狀圖案的圖片。量λ為波狀圖案之波長。
圖4為展示隨在熔融合金-帶界面附近之氧濃度而變的熔融合金表面張力之圖表。
圖5為說明具有重疊搭接接點之變壓器磁心的圖式。
圖6為展示在60Hz激勵及1.3 T感應下的隨根據本發明之非晶Si2B16、Si3B15及Si4B14合金帶之退火溫度而變的磁心損耗之圖表。
圖7為展示在60Hz激勵及1.3 T感應下的隨本發明之非晶Si2B16、Si3B15及Si4B14合金帶之退火溫度而變的激勵功率之圖表。
圖8為展示在60Hz激勵下的隨本發明之非晶Si2B16、Si3B15及Si4B14合金帶之磁感應Bm而變的磁心損耗之圖表。
圖9為展示在60Hz激勵下的隨本發明之非晶Si2B16、Si3B15及Si4B14合金之磁感應Bm而變的激勵功率之圖表。

Claims (23)

  1. 一種鐵磁性非晶合金帶，其包含：一合金，其具有一由Fe a Si b B c C d 表示之組合物，其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且具有附帶雜質；該帶係自該合金之一熔融狀態來鑄造，該合金具有一大於或等於1.1N/m之熔融合金表面張力；該帶具有一帶長度、一帶厚度、一帶寬度及一面向一鑄造大氣側之帶表面；該帶具有在面向該鑄造大氣側之該帶表面上所形成的帶表面缺陷；該等帶表面缺陷係依據一缺陷長度、一缺陷深度及缺陷發生頻率而量測；沿該帶之長度之一方向的該缺陷長度係在5mm與200mm之間，該缺陷深度小於0.4×t μm且該缺陷發生頻率在帶長度之1.5m內小於0.05×w次，其中t為該帶厚度且w為該帶寬度；且該帶在呈一經退火之直條形式下具有一超過1.60 T之飽和磁感應且當在60Hz及1.3 T感應位準下量測時展現一小於0.14W/kg之磁心損耗，且在呈一經退火之纏繞式變壓器磁心形式下具有一小於0.3W/kg之磁心磁損及一小於0.4VA/kg之激勵功率。
  2. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其中根據關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100，該Si含量b及該B含量c係與該Fe含量a及該C含量d有關。
  3. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其進一步包含一痕量元素Cu，Cu含量係在0.005重量百分比與0.20重量百分比之間。
  4. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其進一步包含痕量元素Mn及Cr，Mn含量係在0.05重量百分比與0.30重量百分比之間，且Cr含量係在0.01重量百分比與0.2重量百分比之間。
  5. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其中多達20原子百分比之Fe視情況由Co代替，且多達10原子百分比之Fe視情況由Ni代替。
  6. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其中該帶係在1,250℃與1,400℃之間的溫度下自該合金之一熔融狀態來鑄造。
  7. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其中該帶係在一環境大氣中鑄造，該環境大氣在熔融合金-帶界面處含有小於5體積百分比之氧。
  8. 如請求項1之鐵磁性非晶合金帶，其中該帶係至少100mm寬。
  9. 一種纏繞式變壓器磁心，其包含：一鐵磁性非晶合金帶，該帶係在沿該帶之長度之方向所施加的磁場中退火，且當在60Hz及1.3 T感應下量測時，該磁心展現小於0.3W/kg之磁心損耗及小於0.4VA/kg之激勵功率。
  10. 如請求項9之纏繞式變壓器磁心，該帶係自具有一由 Fe a Si b B c C d 表示之化學組合物的一合金來鑄造，其中81 a<82.5原子百分比，2.5<b<4.5原子百分比，12 c 16原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且滿足關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100，該合金具有選自Cu、Mn及Cr中之至少一者的一痕量元素，Cu含量係處於0.005-0.20重量百分比，Mn含量係處於0.05-0.30重量百分比且Cr含量係處於0.01-0.2重量百分比，該合金具有視情況由Co代替的小於20原子百分比之Fe及視情況由Ni代替的小於10原子百分比之Fe，且該帶藉由在該帶自該合金之一熔融狀態的一鑄造期間控制一熔融金屬表面張力而具有減少之表面缺陷。
  11. 如請求項10之纏繞式變壓器磁心，其中該帶係在沿該帶之長度之該方向所施加的磁場中退火，且當在60Hz及1.3感應下量測時，該磁心展現小於0.25W/kg之磁心損耗及小於0.35VA/kg之激勵功率。
  12. 如請求項11之纏繞式變壓器磁心，該帶係在300℃與335℃之間的一溫度範圍中退火。
  13. 如請求項11之纏繞式變壓器磁心，其係在室溫下操作直至1.5 T之一感應位準。
  14. 如請求項9之纏繞式變壓器磁心，其具有一環形形狀或半環形形狀。
  15. 如請求項9之纏繞式變壓器磁心，其具有階梯搭接接點。
  16. 如請求項9之纏繞式變壓器磁心，其具有重疊搭接接點。
  17. 一種製備一鐵磁性非晶合金帶之方法，其包含：選擇一合金，該合金具有一由Fe a Si b B c C d 表示之組合物，其中80.5 a 83原子百分比，0.5 b 6原子百分比，12 c 16.5原子百分比，0.01 d 1原子百分比，其中a+b+c+d=100且具有附帶雜質；在熔融合金-帶界面處含有小於5體積百分比之氧之一環境大氣壓力(environmental atmosphere)中自該合金之一熔融狀態鑄造該帶，該鑄造以一大於或等於1.1N/m之熔融合金表面張力執行；獲得具有一帶長度、一帶厚度及一帶寬度之該帶；該帶具有帶表面缺陷，該等帶表面缺陷係依據一缺陷長度、一缺陷深度及缺陷發生頻率而量測；沿該帶之長度之一方向的該缺陷長度係在5mm與200mm之間，該缺陷深度小於0.4×t μm且該缺陷發生頻率在帶長度之1.5m內小於0.05×w次，其中t為該帶厚度且w為該帶寬度，且該帶在呈一經退火之直條形式下具有一超過1.60 T之飽和磁感應且當在60Hz及1.3 T感應位準下量測時展現一小於0.14W/kg之磁心損耗，且在呈一經退火之纏繞式變壓器磁心形式下具有一小於0.3W/kg之磁心磁損及一 小於0.4VA/kg之激勵功率。
  18. 如請求項17之方法，其中根據關係式b 166.5×(100-d)/100-2a及c a-66.5×(100-d)/100，該Si含量b及該B含量c係與該Fe含量a及該C含量d有關。
  19. 如請求項17之方法，其中該合金進一步包含一痕量元素Cu，Cu含量係在0.005重量百分比與0.20重量百分比之間。
  20. 如請求項17之方法，其中該合金進一步包含一痕量元素Mn及一痕量元素Cr，Mn含量係處於0.05-0.30重量百分比，且Cr含量係處於0.01-0.2重量百分比。
  21. 如請求項17之方法，其中多達20原子百分比之Fe視情況由Co代替，且多達10原子百分比之Fe視情況由Ni代替。
  22. 如請求項17之方法，其中該帶係在1,250℃與1,400℃之間的溫度下自該合金之一熔融狀態來鑄造。
  23. 如請求項17之方法，其中產生之該帶係至少100mm寬。
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