TWI450858B - 奈米碳管漿料的製備方法 - Google Patents

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Description

奈米碳管漿料的製備方法
本發明涉及一種奈米碳管漿料的製備方法。
場發射陰極係場發射器件的重要元件。場發射陰極的製備方法通常為將陰極漿料印刷在陰極電極表面，再通過後續處理方法使陰極發射體從陰極漿料中露出頭來。
以奈米碳管漿料為例，其製備方法包括：在有機溶劑(通常為無水乙醇)中超聲分散奈米碳管形成第一混合液；在有機溶劑(通常為無水乙醇)中超聲分散玻璃粉及氧化銦錫顆粒形成第二混合液；將所述第一混合液、第二混合液及有機載體混合形成一混合物；及在室溫下蒸發除去有機溶劑。
然而，由於先前技術中奈米碳管漿料在製備過程中通常採用球磨的方法將奈米碳管截斷的，採用上述方法得到的奈米碳管的長度分佈很不均勻。若奈米碳管的長度過長，則陰極漿料構成的陰極發射體中的奈米碳管之間產生的電磁屏蔽效應會增加器件的工作電壓，降低顯示圖案的明亮均勻性。另外，若奈米碳管長度過短，例如小於1微米，則奈米碳管的長徑比就會減小，這樣陰極漿料構成的陰極發射體中的奈米碳管的場發射能力就會降低。因此，如何獲得長度均勻的奈米碳管係提高奈米碳管漿料構成的陰極 發射體的場發射性能的關鍵問題之一。
綜上所述，提供一種方法簡單且獲得的奈米碳管漿料具有較好場發射性能的奈米碳管漿料的製備方法實為必要。
一種奈米碳管漿料的製備方法，其包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列，其生長於一基底；採用雷射掃描該奈米碳管陣列使奈米碳管陣列中奈米碳管被截短並具有均勻的高度，其中，該雷射沿平行于奈米碳管陣列中奈米碳管軸向的方向照射至奈米碳管陣列；將雷射截短後的奈米碳管陣列從基底上剝離得到長度均勻的奈米碳管；將所述長度均勻的奈米碳管、無機黏結劑及有機載體混合形成奈米碳管漿料。
與先前技術相比，本發明提供的奈米碳管漿料製備方法採用雷射截短奈米碳管陣列，由於雷射處理奈米碳管陣列方法簡單，且可得到具有均勻長度的奈米碳管，採用該種均勻長度的奈米碳管製備奈米碳管漿料可使奈米碳管漿料獲得良好的場發射性能。
圖1為本發明實施例提供的雷射的功率為3W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。
圖2為本發明實施例提供的雷射的功率為3W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖3為本發明實施例提供的雷射的功率為3.6W，掃描速度為20毫 米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖4為本發明實施例提供的雷射的功率為3.6W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大SEM照片。
圖5為本發明實施例提供的雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖6為本發明實施例提供的雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖7為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為80毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖8為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為80毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖9為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為60毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖10為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為60毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖11為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為40毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM 照片。
圖12為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為40毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖13為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為20毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖14為本發明實施例提供的雷射的掃描速度為20毫米/秒，掃描次數為1次，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖15為本發明實施例提供的雷射的平移週期為5微米，掃描速度為20毫米/秒，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖16為本發明實施例提供的雷射的平移週期為5微米，掃描速度為20毫米/秒，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖17為本發明實施例提供的雷射的平移週期為10微米，掃描速度為20毫米/秒，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖18為本發明實施例提供的雷射的平移週期為10微米，掃描速度為20毫米/秒，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的局 部放大的SEM照片。
圖19為本發明實施例提供的雷射的平移週期為15微米，掃描速度為20毫米/秒，功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖20為本發明實施例提供的雷射的平移週期為15微米時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖21為本發明實施例提供的雷射的平移週期為20微米時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖22為本發明實施例提供的雷射的平移週期為20微米時得到的截短後的奈米碳管陣列的局部放大的SEM照片。
圖23為本發明實施例提供的雷射的平移週期為8微米，掃描速度為20毫米/秒，雷射功率為4.2瓦時得到的截短後的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖24為本發明實施例提供的截短過程中的奈米碳管陣列的SEM照片。
圖25為本發明實施例提供的奈米碳管漿料的SEM照片。
圖26為本發明實施例提供的原始奈米碳管漿料的SEM照片。
圖27為本發明實施例提供的原始奈米碳管漿料及本發明奈米碳管漿料的場發射特性對比示意圖。
以下將結合附圖詳細說明本發明實施例提供的奈米碳管漿料的製 備方法。
本發明實施例提供一種奈米碳管漿料的製備方法，其具體包括以下步驟：S10：提供一奈米碳管陣列，其生長於一基底上；S20：採用雷射截短該奈米碳管陣列使奈米碳管陣列中奈米碳管具有均勻的長度；S30：將雷射截短後的奈米碳管陣列從基底上剝離得到長度均勻的奈米碳管；S40：將所述長度均勻的奈米碳管、無機黏結劑及有機載體混合形成奈米碳管漿料。
步驟S10中，所述奈米碳管陣列包括複數大致沿其同一生長方向排列的奈米碳管。在這裡還需要進一步說明的為，所述“大致”的意思係由於奈米碳管在生長過程中受各種因素的制約，如碳源氣氣流的流動速度不一致，碳源氣的濃度不均勻及催化劑的不平整，不可能也不必使奈米碳管陣列中的每根奈米碳管完全沿其生長方向排列，即每根奈米碳管完全平行，奈米碳管陣列中的複數奈米碳管的長度也不必完全相等。所述奈米碳管陣列形成於一基底，所述奈米碳管陣列的生長方向基本垂直於所述基底的表面。所述奈米碳管陣列由純奈米碳管組成。所謂“純奈米碳管”係奈米碳管未經過任何化學修飾或功能化處理。本實施例中所述奈米碳管陣列為超順排奈米碳管陣列。所述超順排奈米碳管陣列可為單壁奈米碳管陣列、雙壁奈米碳管陣列或多壁奈米碳管陣列。所 述超順排奈米碳管陣列為由複數彼此大致平行且垂直於基底生長的奈米碳管形成的奈米碳管陣列。本實施例中，超順排奈米碳管陣列的製備方法採用化學氣相沈積法，所述生長超順排奈米碳管陣列的方法包括以下步驟：
步驟S101，提供一具有平整表面的基底。所述基底可選用P型或N型矽基底，或選用形成有氧化層的矽基底。所述基底的形狀可為圓形也可為方形，還可為無規則的任意形狀。本實施例優選地採用直徑為4英寸的圓形矽基底。
步驟S102，在基底的至少一平整表面均勻形成一催化劑層。該催化劑層的製備可通過熱沈積法、電子束沈積法或濺射法實現。所述催化劑層的材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一，本實施例中採用鐵為催化劑。
步驟S103，將上述形成有催化劑層的基底在700℃~900℃的空氣中退火約30分鐘~90分鐘。
步驟S104，將處理過的基底置於反應爐中，在保護氣體環境下加熱到500℃~740℃。然後通入碳源氣體反應約5分鐘~30分鐘，生長得到超順排奈米碳管陣列，其高度為100微米~400微米。所述碳源氣可選用乙炔、乙烯、甲烷等碳氫化合物。本實施例中所述碳源氣為乙炔，所述保護氣體為氬氣，所得奈米碳管陣列生長高度為150微米。
通過控制上述生長條件，該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該奈米碳管陣列中 的奈米碳管彼此通過凡得瓦力(van der Waals force)緊密接觸形成陣列。
在步驟S20中，採用一雷射光束沿平行於該奈米碳管陣列中的奈米碳管的長軸方向逐行掃描該奈米碳管陣列。
採用雷射掃描奈米碳管陣列時，雷射光束的照射方向為沿著平行於奈米碳管陣列中的奈米碳管的長軸方向照射。亦即，所述雷射光束基本垂直於所述基底照射於所述奈米碳管陣列上。所述雷射光束由一雷射裝置產生，該雷射裝置包括固體雷射器、液體雷射器、氣體雷射器及半導體雷射器中的一種。本實施例中，該雷射裝置為固體雷射器。該固體雷射器發射出脈衝雷射。該雷射裝置照射形成一光斑，該光斑的直徑為1微米~5微米。所述雷射的功率密度大於等於12×1011瓦特/平方米，可確保奈米碳管陣列被雷射照射後形成的溝槽的底部具有一定的寬度，且溝槽底部的奈米碳管的高度均勻，具有高度一致性。
為了更明確的說明雷射器與奈米碳管之間的工作模式，在此定義一平行於奈米碳管陣列表面的任意一方向為X方向。為使雷射光束照射奈米碳管陣列，可使該奈米碳管陣列與該雷射光束相對運動，從而使該雷射光束沿X方向在該奈米碳管陣列的表面移動，在該奈米碳管陣列表面形成至少一掃描行。該雷射光束沿X方向在該奈米碳管陣列表面移動時，雷射沿X方向燒蝕減短該奈米碳管陣列中的奈米碳管。雷射光束沿X方向掃描結束形成一掃描行後，使雷射光束相對於奈米碳管陣列沿垂直於X方向的一Y方向平移一段距離，之後保持雷射光束在Y方向的位置不變，使雷射光 束相對於奈米碳管陣列繼續沿X方向平移，從而使雷射光束在奈米碳管陣列表面沿複數掃描行進行掃描。該雷射光束與奈米碳管陣列相對運動時，可採用下列方式進行，例如保持該雷射光束固定不動，通過移動該奈米碳管陣列實現；或者，固定該奈米碳管陣列不動，通過移動該雷射光束實現。該雷射裝置可整體相對於該奈米碳管陣列平移，或者僅通過改變雷射裝置出光部的出光角度，實現發射的雷射光束形成的光斑在該奈米碳管陣列表面的位置變化。雷射光束沿掃描行相對於奈米碳管陣列移動的速度即為雷射的掃描速度。該複數掃描行可等間隔排列且基本平行。雷射光束沿Y方向相對於奈米碳管陣列平移的距離即為雷射的平移週期。所述掃描次數為1次的含義為：當雷射光束沿Y方向的位置保持不變，沿X方向移動時，雷射光束僅沿X方向照射該奈米碳管陣列一次。
由於奈米碳管對雷射具有良好的吸收特性，奈米碳管陣列中遠離基底的一端與氧氣充分接觸，在氧氣及雷射的共同作用下，奈米碳管陣列遠離基底的一端與氧氣發生反應生成碳氧化物而被燒蝕去除，奈米碳管陣列被截短。所述碳氧化物為一氧化碳或者二氧化碳。可以理解，雷射的功率越大、掃描速度越慢及平移週期越小則奈米碳管陣列吸收的雷射的能量越大，在氧氣作用下，奈米碳管陣列中遠離基底的一端被燒蝕而去除的部份越多，被截短的奈米碳管陣列的高度越低，因此，可通過控制該雷射的掃描速度，及雷射的功率及平移週期來控制被截短的奈米碳管陣列的高度。
選用不同功率的雷射照射奈米碳管陣列，對被截短的奈米碳管陣列的形貌影響不同。優選地，所述雷射的功率大於等於3W。雷射功率越大，所述被截短的奈米碳管陣列的高度越低，且掃描一次之後，被截短的奈米碳管陣列沿垂直於所述奈米碳管延伸方向的橫截面積越大。更優選地，所述雷射的功率大於等於3.6W。更優選地，所述雷射的功率大於等於4.2W。進一步地，本發明分別採用不同功率、不同掃描速度、不同掃描週期的雷射照射高度為150微米的奈米碳管陣列，以驗證雷射照射對被截短奈米碳管陣列高度及均勻性的影響。請參閱圖1及圖2可知，當雷射的功率為3W，掃描速度為20毫米/秒時，雷射沿奈米碳管陣列表面的某一掃描行掃描結束後，在奈米碳管陣列上形成一溝槽。該溝槽底部的奈米碳管的高度約為14微米，該溝槽底部的寬度約為5微米。請參閱圖3及圖4，當雷射的功率為3.6W，掃描速度為20毫米/秒時，雷射沿奈米碳管陣列的某一掃描行掃描結束後，在奈米碳管陣列上形成一溝槽，該溝槽底部的奈米碳管的高度約為11微米，該溝槽底部的寬度約為10微米。請參閱圖5及圖6，當雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時，雷射沿奈米碳管陣列的某一掃描行掃描結束後，在奈米碳管陣列上形成一溝槽，該溝槽的底部的奈米碳管的高度約為9微米，該溝槽底部的寬度約為13微米。由此可知，隨著雷射功率的增加，雷射截短奈米碳管陣列後被截短的奈米碳管的高度逐漸變小，溝槽底部的寬度越大，即被截短的奈米碳管陣列沿垂直於所述奈米碳管延伸方向的橫截面積越大。可以理解，溝槽底部的寬度越大，越容易獲得高度均勻的奈米碳管陣列，同時更有利於提高製備效率。因此，如果雷射功率 過小，將難以通過雷射照射得到均勻長度的奈米碳管。另外，如果雷射功率較大時，可通過增加原始奈米碳管陣列的高度來避免雷射將整個奈米碳管陣列燒穿。
雷射的掃描速度不同對被截短的奈米碳管陣列的形貌影響不同。優選地，所述雷射的掃描速度小於等於80毫米/秒。更優選地，所述雷射的掃描速度小於等於80毫米/秒且大於等於20毫米/秒。請參閱圖7至圖14，為當雷射的功率固定為4.2瓦、掃描次數固定為1次，僅沿一掃描行掃描時，採用不同的掃描速度處理奈米碳管陣列後的SEM照片。請參閱圖7及圖8，當雷射的掃描速度為80毫米/秒時，被截短奈米碳管陣列的高度為18微米左右，所形成溝槽底部的寬度為10微米左右。請參閱圖9及圖10，當雷射的掃描速度為60毫米/秒時，被截短奈米碳管陣列的高度為15微米左右，所形成溝槽底部的寬度為7微米左右。請參閱圖11及圖12，當雷射的掃描速度為40毫米/秒時，被截短奈米碳管陣列的高度為10微米左右，所形成溝槽底部的寬度為15微米左右。請參閱圖13及圖14，當雷射的掃描速度為40毫米/秒時，被截短奈米碳管陣列的高度為8微米左右，所形成溝槽底部的寬度為18微米左右。
由圖7至圖14可知，隨著雷射掃描速度的降低，被截短後的奈米碳管陣列高度逐漸變小，且溝槽底部的奈米碳管的形貌更趨於規則，即被截短後的奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度較均勻。並且，隨著雷射掃描速度的降低，截短後形成的溝槽底部逐漸變寬，該溝槽逐漸由V型槽逐漸變成U型槽。隨著雷射掃描速度的降低 ，截短後的奈米碳管的高度逐漸變低係由於雷射掃描速度越低，單位時間裏奈米碳管吸收的雷射的能量越多，則奈米碳管與氧氣越容易發生反應生成碳氧化物而被去除。隨著雷射掃描速度的降低，截短後形成的溝槽底部逐漸變寬，該溝槽逐漸由V型槽變成U型槽，係由於當雷射照射在奈米碳管陣列表面時，該奈米碳管陣列遠離基底的一端與氧氣充分接觸，因此奈米碳管陣列遠離基底的一端易於與氧氣發生反應而被燒蝕的比較多，奈米碳管陣列越靠近基底的部份與氧氣接觸的越少，因此，奈米碳管陣列靠近基底的部份不易被燒蝕。因此，奈米碳管陣列被雷射處理後，形成的溝槽遠離基底的一端寬度較大，靠近基底的一端寬度較小。隨著雷射掃描速度的減小，靠近基底的一端被燒蝕的越多，因此，該溝槽逐漸由V型槽變成U型槽。相反地，如果雷射掃描速度過大，形成的溝槽底部的寬度過小，將難以通過雷射照射得到均勻長度的奈米碳管。另外，如果雷射掃描速度較小時，也可通過增加原始奈米碳管陣列的高度來避免雷射將整個奈米碳管陣列燒穿。可以理解，可通過配合選擇適合的雷射功率及雷射掃描速度，控制雷射照射位置奈米碳管吸收的雷射的能量的大小，從而控制形成溝槽底部的寬度，進而控制雷射照射後被截短的奈米碳管的長度及均勻度。
雷射的平移週期不同，雷射截短奈米碳管陣列後的效果也不相同。優選地，雷射的平移週期大於等於5微米。更優選地，雷射的平移週期大於等於5微米小於等於20微米。請參閱圖15至圖22，為當雷射的掃描速度固定為20毫米/秒，功率固定為4.2瓦時，採 用不同平移週期的雷射沿複數掃描行掃描整個奈米碳管陣列後的被截短的奈米碳管陣列的SEM照片。
由圖15至圖18可知，當雷射的平移週期介於5微米至10微米時，雷射處理後被截短的奈米碳管陣列遠離基底的一端為一較為平整的表面，被截短的奈米碳管陣列中的奈米碳管高度一致性較好。這係因為，當雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒時，雷射僅沿一掃描行掃描奈米碳管陣列時，所形成的溝槽底部的寬度為10微米左右(請參閱圖13及圖14)，因此雷射的平移週期為5微米或10微米，雷射沿複數掃描行對奈米碳管陣列進行掃描時，被截短的奈米碳管陣列的遠離基底的一端為一較為平整的表面。由圖19至圖22可知，當雷射的平移週期為15微米或20微米時，沿複數掃描行對奈米碳管陣列進行處理時，被截短的奈米碳管陣列的遠離基底的一端形成複數尖端，被截短的奈米碳管陣列的高度的一致性較差。由上述內容可知，採用雷射沿複數掃描行處理奈米碳管陣列時，雷射的平移週期應小於或等於雷射沿一單個掃描行掃描奈米碳管陣列時所形成溝槽的底部的寬度，如此可使雷射沿複數掃描行掃描奈米碳管陣列後被截短的奈米碳管陣列中的奈米碳管高度一致。
可以理解，所述雷射處理前奈米碳管陣列的高度不限。雷射處理後被截短的奈米碳管陣列高度為1微米到25微米的高度一致性的奈米碳管陣列。所述奈米碳管陣列中的奈米碳管具有高度一致性的含義為：奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度差不超過5微米。優選地，奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度差不超過2微米-3微 米。優選地，所述奈米碳管陣列的高度為5微米-10微米，被截短的奈米碳管陣列中的奈米碳管高度相差不超過2微米。請參閱圖23可知，本實施例中，所採用雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒，掃描次數為1次，雷射沿複數掃描行掃描奈米碳管陣列，雷射平移週期為8微米。雷射處理後被截短的奈米碳管陣列的高度介於5微米到7微米，高度具有高一致性。
步驟S20結束後，步驟S30開始前還可進一步包括一清除工序及一剝離基底的工序。請參閱圖24，在雷射掃描過程中，部份被雷射燒蝕的奈米碳管因為沒有被雷射完全氣化而散落至被截短的奈米碳管陣列表面及未處理的奈米碳管陣列的表面。該部份散落的奈米碳管的長度不確定，因此，需要一清除工序以清除該部份散落的奈米碳管。所述清除工序可採用一氮氣槍對被截短的奈米碳管陣列進行處理以吹落散落的奈米碳管。
可以理解，在雷射處理奈米碳管陣列的過程中，也可採用一吸氣裝置吸走散落的奈米碳管。優選地，該吸氣裝置形成一密封的空間，從而使散落的奈米碳管完全被吸氣裝置所吸走，避免了散落的奈米碳管污染環境。
在步驟S30中，在不給奈米碳管陣列帶來污染的前提下，剝離所述奈米碳管陣列的方法可採用物理或化學的方法。本實施例中，將雷射截短後的奈米碳管陣列放置在有機溶劑中，採用超聲波細胞粉碎儀使奈米碳管陣列從基底上剝離，得到長度具有高一致性的奈米碳管。所述奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度具有高度一致性的含義為：奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度差不超過5微 米。優選地，奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度差不超過2微米-3微米。所述奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度可介於7微米-8微米。所述奈米碳管陣列中的奈米碳管的長度可介於9微米-10微米。本實施例中被截短的奈米碳管陣列的長度介於5微米到7微米，被截短的奈米碳管陣列中的奈米碳管長度相差不超過2微米，長度具有高一致性。
步驟S40進一步包括以下子步驟：步驟S402，在有機溶劑中超聲分散長度高一致性的奈米碳管形成第一混合液；步驟S404，在有機溶劑中超聲分散無機黏結劑及導電顆粒形成第二混合液；步驟S406，將所述第一混合液、第二混合液及有機載體混合形成一混合物；步驟S408，去除混合物中的有機溶劑。
在步驟S402及步驟S404中，所述有機溶劑通常為無水乙醇。
在步驟S404中，所述無機黏結劑包括玻璃粉及二氧化矽粉顆粒中的一種或複數。所述玻璃粉為低熔點玻璃粉，其熔點為300℃~600℃。優選地，所述玻璃粉為低熔點無鉛玻璃粉。所述低熔點無鉛玻璃粉中不含有氧化鉛。本實施例中，所述玻璃粉為低熔點無鉛玻璃粉。所述低熔點無鉛玻璃粉的平均粒徑小於等於10微米，優選地，所述低熔點無鉛玻璃粉的平均粒徑小於等於1微米。 因此，奈米碳管漿料在後續應用中燒結形成場發射陰極後，採用低熔點無鉛玻璃粉可提高奈米碳管漿料及陰極電極之間的電接觸，還避免了在燒結過程中，奈米碳管與氧化鉛在高溫下發生反應，從而使奈米碳管漿料中的奈米碳管失去發射電子的作用。
所述導電顆粒可增加奈米碳管漿料的塑變性，以便完成印刷圖案的轉移，還可提高奈米碳管之間及奈米碳管及陰極電極之間的電接觸性能，有利於降低發射體單元的溫度，功耗及工作電流。所述導電顆粒包括但不限於金屬微粒、氧化銦(In2O3)微粒、氧化錫(SnO2)微粒或氧化銦錫(ITO)微粒等中的一種或幾種。所述金屬微粒包括鎳、鎘等。本實施例中所述導電相為銀顆粒。所述銀顆粒的粒徑為100奈米至200奈米。所述導電顆粒係可選擇的。
在步驟S406中，所述有機載體為易揮發的有機物，可通過加熱去除。所述有機載體包括稀釋劑、穩定劑及增塑劑。其中，所述稀釋劑為奈米碳管漿料提供必要的流淌性，同時要求對穩定劑具有較好的溶解性。所述稀釋劑為松油醇。所述穩定劑通常具有極性較強的基團，可及增塑劑形成為網狀或鏈狀結構，用以提高有機載體的黏度及塑性。所述穩定劑為高分子聚合物，例如：乙基纖維素。所述增塑劑一般為分子鏈上具有強極性基團的溶劑，其作用係及穩定劑形成多維網狀結構。所述增塑劑為鄰苯二甲酸二丁酯或癸二酸二丁酯等。優選地，所述增塑劑為癸二酸二丁酯。所述癸二酸二丁酯的沸點為344℃，熱揮發特性好，且癸二酸二丁酯分子鏈上具有強極性的酯基，可與乙基纖維素形成多維網狀結 構。由於癸二酸二丁酯的分子鏈上不含苯環，癸二酸二丁酯係一種綠色環保的增塑劑。所述癸二酸二丁酯價格低廉，符合絲網印刷之大規模低成本生產要求。進一步，所述有機載體還可包括少量的表面活性劑，如司班。
可以理解，可通過向上述有機載體中進一步加入感光材料從而得到感光型有機載體。所述感光材料主要由活性稀釋劑、低聚物及光引發劑構成。活性稀釋劑為甲基丙烯酸異冰片酯(IBOA)，其具有低固化收縮率(8.2%)，有利於提高附著力。低聚物為聚氨酯丙烯酸酯(PUA)，其係一種具有雙官能團，低固化收縮率(3-5%)且使用廣泛的低聚物。光引發劑擬採用二苯甲酮及1-羥基-環乙基苯甲酮的混合物。在感光材料中，甲基丙烯酸異冰片酯的質量百分比為35%，聚氨酯丙烯酸酯的質量百分比為60%，光引發劑的質量百分比為5%。將上述感光材料加入到有機載體中，從而得到一感光型有機載體。
在步驟S408中，所述去除有機溶劑的方法為通過加熱的方法去除所述有機溶劑。
由於該有機溶劑的材料為無水乙醇，因此可通過加熱的方法去除無水乙醇。有機溶劑被去除後，奈米碳管漿料中僅存在有機載體。本實施例中奈米碳管漿料中各成分的質量百分比為：5%-15%的奈米碳管，10%-20%的銀微粒，5%的無鉛低溫玻璃粉及60%-80%的感光型有機載體。
所述步驟S40還可通過以下步驟實現：將所述有機溶劑、無機黏 結劑、導電顆粒及有機載體混合形成一混合物；去除該混合物中的有機溶劑。
可以理解，奈米碳管與低熔點無鉛玻璃粉的含量過高會導致奈米碳管漿料的黏度過大，流動性差，不但印刷時容易堵塞絲網而且使印刷的圖案邊緣不整齊。而奈米碳管與低熔點無鉛玻璃粉的含量過低會導致奈米碳管漿料的可塑性較差，不但印刷時奈米碳管漿料不易成型且導致印刷的圖案中存在大量孔洞，印刷效果差。本發明實施例通過選擇奈米碳管漿料中各組分的比例，可確保奈米碳管漿料具有適合的黏度及可塑性，以滿足印刷的要求。
請參閱圖25及圖26，圖25係採用雷射截短後的奈米碳管製備而得的奈米碳管漿料，命名為本發明的奈米碳管漿料。本發明得到的奈米碳管漿料中，奈米碳管的長度介於5微米至7微米之間，因此，奈米碳管漿料中的奈米碳管的長度具有高一致性。圖26係採用未經雷射截短的奈米碳管製備的奈米碳管漿料，命名為原始奈米碳管漿料。本發明的奈米碳管漿料及原始奈米碳管漿料中的奈米碳管的質量百分數相同。由圖25及圖26可知，含相同質量分數的奈米碳管漿料，原始奈米碳管漿料中奈米碳管長度較長，表面露頭的奈米碳管較少，但奈米碳管之間電場屏蔽效應可能更強。本發明的奈米碳管漿料中奈米碳管長度較短，表面露頭的奈米碳管相對較少，奈米碳管之間的電場屏蔽效應相對較弱。由於長度短，本發明的奈米碳管漿料表面露頭的奈米碳管相對較多，奈米碳管之間的電場屏蔽效應較弱，相同電場下，本發明的奈米碳管漿料可獲得更高的場發射電流密度。請參閱圖27，由圖27可知，在 電場強度相同的條件下，原始奈米碳管漿料的陰極電流密度小於雷射截短後的奈米碳管漿料的陰極電流密度。
本發明提供的奈米碳管漿料製備方法採用雷射截短奈米碳管陣列，由於雷射處理奈米碳管陣列方法簡單，且通過所選擇雷射的參數，可得到具有均勻長度的奈米碳管，採用該種具有均勻長度的奈米碳管製備奈米碳管漿料可使奈米碳管漿料獲得良好的場發射性能。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

Claims (17)

  1. 一種奈米碳管漿料的製備方法，其包括以下步驟：提供一奈米碳管陣列，該奈米碳管陣列生長於一基底；採用雷射掃描該奈米碳管陣列使奈米碳管陣列中奈米碳管被截短並具有均勻的長度，其中，該雷射沿平行于奈米碳管陣列中奈米碳管軸向的方向照射至奈米碳管陣列；將雷射截短後的奈米碳管陣列從基底上剝離得到長度均勻的奈米碳管；將所述長度均勻的奈米碳管、無機黏結劑及有機載體混合形成奈米碳管漿料。
  2. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的功率密度大於等於12×1011瓦特/平方米。
  3. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述長度均勻奈米碳管的長度範圍為1微米至25微米。
  4. 如請求項第43項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述長度均勻的奈米碳管的長度為5微米至10微米。
  5. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述長度均勻奈米碳管的長度差小於等於5微米。
  6. 如請求項第5項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述長度均勻奈米碳管的長度差介於2微米至3微米。
  7. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的功率大於等於3瓦。
  8. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射為脈衝雷射。
  9. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的功率大於等於4.2瓦。
  10. 如請求項第9項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的掃描速度小於等於80毫米/秒。
  11. 如請求項第10項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的掃描速度小於等於80毫米/秒且大於等於20毫米/秒。
  12. 如請求項第10項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的掃描平移週期大於等於5微米。
  13. 如請求項第12項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的掃描平移週期大於等於5微米且小於等於20微米。
  14. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射逐行掃描照射所述奈米碳管陣列，所述雷射沿複數掃描行掃描奈米碳管陣列時，雷射的平移週期小於或等於雷射沿一單個掃描行掃描奈米碳管陣列時所形成溝槽的底部的寬度。
  15. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述雷射的功率為4.2W，掃描速度為20毫米/秒，掃描次數為1次，雷射平移週期為8微米。
  16. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述將奈米碳管、無機黏結劑及有機載體混合形成奈米碳管漿料的步驟具體包括以下步驟：將雷射掃描後的奈米碳管陣列超聲分散至有機溶劑中形成一第一混合液；將無機黏結劑及有機溶劑混合形成一第二混合液；將所述第一混合液、第二混合液及有機載體混合 形成一混合物；去除所述混合物中的有機溶劑。
  17. 如請求項第1項所述之奈米碳管漿料的製備方法，其中，所述將奈米碳管、無機黏結劑及有機載體混合形成奈米碳管漿料的步驟具體包括以下步驟：將所述有機溶劑、無機黏結劑、導電顆粒及有機載體混合形成一混合物；去除該混合物中的有機溶劑。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103310869B (zh) * 2012-03-08 2016-06-08 清华大学 碳纳米管浆料，其制备方法以及采用该碳纳米管浆料制备阴极发射体的方法
CN104387828B (zh) * 2014-11-26 2016-09-21 东风商用车有限公司 一种碳系导电涂料及其制备方法
CN105712314B (zh) * 2014-12-05 2017-12-01 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法
CN106243941B (zh) * 2016-07-29 2018-08-07 东风商用车有限公司 一种碳系可点焊导电涂料及其制备方法
CN111381300A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 清华大学 红外光吸收体的制备方法
CN111384206A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 清华大学 红外光吸收体的制备方法
CN111380614A (zh) 2018-12-29 2020-07-07 清华大学 红外探测器及红外成像仪

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060055074A1 (en) * 2004-05-13 2006-03-16 Tsinghua University Method for manufacturing carbon nanotubes with uniform length
US20070284987A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Tsinghua University Field emission element and manufacturing method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050087376A (ko) * 2004-02-26 2005-08-31 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자의 전자방출원 형성용 조성물 및 이를 이용한전자방출원
CN101093764B (zh) * 2006-06-23 2012-03-28 清华大学 场发射元件及其制备方法
KR101336963B1 (ko) * 2007-09-04 2013-12-04 삼성전자주식회사 변형된 기판 구조를 갖는 탄소 나노튜브 막 및 그 제조방법
US8038908B2 (en) * 2007-11-30 2011-10-18 Toray Industries, Inc. Carbon nanotube assembly and process for producing the same
US8574393B2 (en) * 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
JP2009201772A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Osaka Univ カーボンナノチューブ係止ファスナー、その組合体及び製造方法
CN101567230B (zh) * 2008-04-25 2012-06-20 清华大学 透明导电薄膜的制备方法
US8237677B2 (en) * 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
CN102208317B (zh) * 2010-03-31 2013-07-31 清华大学 碳纳米管浆料及采用该碳纳米管浆料制备的场发射体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060055074A1 (en) * 2004-05-13 2006-03-16 Tsinghua University Method for manufacturing carbon nanotubes with uniform length
US20070284987A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Tsinghua University Field emission element and manufacturing method thereof

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