TWI447535B - 疊對量測的方法、微影裝置、檢驗裝置、處理裝置及微影處理單元 - Google Patents
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Description
本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術之器件製造中的疊對量測。具體而言，本發明係關於量測一基板上之一第一標記之一屬性、在該基板上印刷一第二標記(包括對準)，及量測該第二標記相對於該第一標記之一側向疊對。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
為了監視微影程序，有必要量測經圖案化基板之參數，例如，形成於基板中或基板上之順次層之間的疊對誤差。存在用於進行在微影程序中所形成之顯微結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡及各種專門工具之使用。一種形式之專門檢驗工具為散射計，其中將輻射光束引導至基板之表面上之目標上，且量測經散射光束或經反射光束之屬性。藉由比較光束在其已藉由基板反射或散射之前與之後的屬性，可判定基板之屬性。此判定可(例如)藉由比較經反射光束與儲存於相關聯於已知基板屬性之已知量測庫中的資料而進行。吾人已知兩種主要類型之散射計。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上，且量測經散射成特定窄角範圍之輻射的光譜(作為波長之函數的強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的經散射輻射之強度。
器件係逐層建置的，且疊對為微影裝置將此等層準確地印刷於彼此之頂部上之能力的量測。必須使順次層或在同一層上之多個程序準確地對準於先前層，否則結構之間的電接觸將不良，且所得器件將不按規格執行。疊對為此對準之準確度的量測。良好疊對改良器件良率且使能夠印刷更小產品圖案。藉由(微影裝置之)曝光裝置之各種部分來控制形成於經圖案化基板中或經圖案化基板上之順次層之間的疊對誤差。主要地，是微影裝置之對準系統負責輻射至基板之正確部分上之對準。
可使用「以影像為基礎」(盒中盒(box-in-box))之技術或以繞射為基礎之疊對(Diffraction-Based Overlay,DBO)度量衡來量測疊對。DBO為由於其相較於「以影像為基礎」之技術之極好TMU(總量測不確定性)而被使用的新興度量衡技術。在「以影像為基礎」之情況下，可自抗蝕劑標記圖案相對於早先形成之產品層中之標記圖案之位置的量測導出疊對。在DBO情況下，(例如)藉由偵測兩個重疊週期性結構(諸如遍及產品層光柵而堆疊之頂部抗蝕劑光柵)之繞射強度變化來間接量測疊對。
然而，一問題為：產品層中之光柵可歸因於處理效應而變得不對稱。此不對稱性不能藉由已知DBO技術直接量測，且其引入可相當顯著的疊對量測誤差(若干奈米)。重要的是應注意，此誤差不會顯露於TMU量測中：吾人可具有優良TMU(顯著地小於1奈米)且仍具有歸因於光柵不對稱性之大疊對誤差。在「以影像為基礎」之情況下，產品層圖案之不對稱性亦可引入疊對量測誤差。
量測(底部)產品標記中之不對稱性不限於諸如光柵之一維週期性結構。不對稱性量測亦可應用於在二維中為週期性的結構(諸如接觸孔)。
根據一實施例，提供一種量測一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的方法，該方法包含：在該基板上量測取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一屬性；自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；使用一微影裝置在該基板上印刷該第二標記，包括該第二標記與該基板之對準；使用該經判定資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種用於處理包含一第一標記之一基板以在該基板上印刷一第二標記的微影裝置，該微影裝置包含：一量測裝置，其經組態以量測取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一屬性，該量測裝置包含：一第一投影系統，其經組態以將一第一輻射光束投影至該第一標記上；一第一偵測器，其經組態以自該第一標記偵測第一輻射；及一第一處理器，其經組態以使用該經偵測之第一輻射來判定該第一標記之該屬性，該微影裝置進一步包含：一對準系統，其經組態以使用該第一偵測器作為一對準感測器來控制該基板上之該第二標記之對準；及一第二處理器，其經組態以自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且自該微影裝置輸出該資訊。
根據另一實施例，提供一種用於量測一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的檢驗裝置，該檢驗裝置包含：一第二投影系統，其經組態以將一第二輻射光束投影至該第一標記及該第二標記上；一第二偵測器，其經組態以偵測已與該第一標記及該第二標記相互作用之第二輻射；一第三處理器，其經組態以使用該經偵測之第二輻射來判定該側向疊對；及一資訊接收模組，其經組態以接收關於該第一標記之橫向剖面的資訊，其中該檢驗裝置經組態以使用該經接收資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種用於處理一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的處理裝置，該處理裝置包含：一標記屬性接收模組，其經組態以接收取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；一量測接收模組，其經組態以接收該第一標記與該第二標記之一側向疊對量測；及一處理器，其經組態以自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且使用該經接收疊對量測及該經判定資訊來判定該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種微影處理單元，該微影處理單元包含：一微影裝置，其用於處理包含一第一標記之一基板以在該基板上印刷一第二標記，該微影裝置包含：一量測裝置，其經組態以量測取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一屬性，該量測裝置包含：一第一投影系統，其經組態以將一第一輻射光束投影至該第一標記上；一第一偵測器，其經組態以自該第一標記偵測第一輻射；及一第一處理器，其經組態以使用該經偵測之第一輻射來判定該第一標記之該屬性，該微影裝置進一步包含：一對準系統，其經組態以使用該第一偵測器作為一對準感測器來控制該基板上之該第二標記之對準；及一第二處理器，其經組態以自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且自該微影裝置輸出該資訊，該微影處理單元進一步包含：一檢驗裝置，其用於量測該第一標記與該第二標記在該基板上之側向疊對，該檢驗裝置包含：一第二投影系統，其經組態以將一第二輻射光束投影至該第一標記及該第二標記上；一第二偵測器，其經組態以偵測已與該第一標記及該第二標記相互作用之第二輻射；一第三處理器，其經組態以使用該經偵測之第二輻射來判定該側向疊對；及一資訊接收模組，其經組態以自該微影裝置接收該資訊，其中該檢驗裝置經組態以使用該經接收資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令經調適以用於控制量測及判定，特別地以使一或多個可程式化處理器：接收取決於第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；及使用該經判定資訊來量測第二標記相對於該第一標記的在基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令經調適以用於控制微影裝置，特別地以使一或多個可程式化處理器：接收取決於第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；及自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且自該微影裝置輸出該資訊。
根據另一實施例，提供一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令經調適以用於控制檢驗裝置，特別地以使一或多個可程式化處理器：接收關於第一標記之橫向剖面的資訊；及使用該經接收資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在基板上之一側向疊對。
根據另一實施例，提供一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令用於處理一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對，該等指令經調適以使一或多個處理器：接收取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；接收該第一標記與該第二標記之一側向疊對量測；自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；及使用該經接收疊對量測及該經判定資訊來判定該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
併入於本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由此處附加之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述之實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地進行描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合加以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可藉由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可定位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2所示，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之部分，其亦包括用以對基板執行曝光前及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載盤LB。通常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身係藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確且一致地曝光藉由微影裝置曝光之基板，需要檢驗經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其係在檢驗可足夠迅速且快速地進行以使得同一分批之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重做-以改良良率-或被捨棄-藉此避免對已知有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷的情況下，可僅對良好之該等目標部分執行另外曝光。
使用檢驗裝置來判定基板之屬性，且特別係判定不同基板或同一基板之不同層的屬性如何在層與層之間變化。檢驗裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為單獨器件。為了實現最快速之量測，需要使檢驗裝置在曝光之後立即量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小的折射率差-且並非所有檢驗裝置均具有對進行潛影之有用量測的充分敏感性。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且其增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛伏的(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在圖案轉印步驟(諸如蝕刻)之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重做有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3描繪可用於本發明中之散射計SM1。散射計SM1包含寬頻帶(白光)輻射投影儀2，其將輻射投影至基板W上。經反射輻射傳遞至光譜儀偵測器4，其量測鏡面經反射輻射之光譜10(作為波長之函數的強度)。自此資料，可藉由處理單元PU來重新建構引起經偵測光譜之結構或剖面，例如，藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與如圖3之底部處所展示之模擬光譜庫的比較。一般而言，對於重新建構，結構之通用形式係已知的，且根據對製造該結構所採用之程序的認識來假定一些參數，從而僅留下該結構之少許參數以自散射量測資料加以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
圖4中展示可用於本發明之另一散射計SM2。在此器件中，藉由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12而聚焦通過干涉濾光器13及偏振器17、藉由部分反射表面16反射且經由顯微鏡接物鏡15而聚焦至基板W上，顯微鏡接物鏡15具有高數值孔徑(NA)，較佳地為至少0.9且更佳地為至少0.95。浸沒散射計可甚至具有數值孔徑超過1之透鏡。經反射輻射接著通過部分反射表面16而透射至偵測器18中，以便偵測散射光譜。該偵測器可位於處於透鏡系統15之焦距的背部投影式光瞳平面11中，然而，該光瞳平面可代替地藉由輔助光學儀器(圖中未繪示)而再成像至該偵測器上。光瞳平面為輻射之徑向位置界定入射角，且角度位置界定輻射之方位角所在的平面。偵測器較佳地為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜。偵測器18可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。
舉例而言，通常使用參考光束來量測入射輻射之強度。為了進行此過程，當輻射光束入射於光束分裂器16上時，將該輻射光束之部分透射通過該光束分裂器以作為朝向參考鏡面14之參考光束。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上。
干涉濾光器13之集合可用以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵以代替干涉濾光器。
偵測器18可量測經散射光在單一波長(或窄波長範圍)下之強度、單獨地在多個波長下之強度，或在一波長範圍內所積分之強度。此外，偵測器可單獨地量測橫向磁偏振光及橫向電偏振光之強度，及/或橫向磁偏振光與橫向電偏振光之間的相位差。
使用寬頻帶光源(亦即，具有寬光頻率或波長範圍且因此具有寬顏色範圍之光源)係可能的，其給出大光展量(etendue)，從而允許多個波長之混合。寬頻帶中之複數個波長較佳地各自具有為Δλ之頻寬及為至少2Δλ(亦即，為該頻寬之兩倍)之間隔。若干輻射「源」可為已使用光纖束加以分裂的延伸型輻射源之不同部分。以此方式，可在多個波長下並行地量測角度解析散射光譜。可量測3-D光譜(波長及兩個不同角度)，其含有多於2-D光譜之資訊的資訊。此情形允許量測更多資訊，其增加度量衡程序穩固性。此情形被更詳細地描述於全文以引用之方式併入本文中的EP1,628,164A中。
基板W上之目標30可為：(a)抗蝕劑層光柵，其經印刷成使得在顯影之後，條狀物(bar)係由固體抗蝕劑線形成；或(b)產品層光柵；或(c)疊對目標結構中之複合光柵堆疊，其包含疊對或交錯於產品層光柵上之抗蝕劑光柵。或者，條狀物可被蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別係投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，使用經印刷光柵之散射量測資料來重新建構光柵。根據對印刷步驟及/或其他散射量測程序之認識，可將光柵之參數(諸如線寬及形狀)輸入至藉由處理單元PU執行之重新建構程序。
本發明係關於側向疊對之量測的實施例。在一實施例中，在具有第一標記及第二標記之結構上進行疊對量測。藉由散射量測來量測第一標記之屬性(諸如針對各種波長之位置變化)。該屬性為取決於第一標記之橫向剖面的屬性。橫向剖面可具有影響經量測屬性之不對稱性或形狀。自經量測屬性判定關於第一標記之橫向剖面的資訊(諸如不對稱性資訊)。在印刷第二標記之後，使用經判定資訊來執行疊對量測。此情形具有針對第一標記之橫向剖面之效應校正經量測疊對的效應。舉例而言，針對產品光柵不對稱性之效應校正疊對誤差。
以引用之方式併入本文中之美國公開專利申請案第2006/0066855 A1號中所描述的DBO技術涉及多個光柵之使用，其中已將故意疊對移位(或偏置)添加至未知疊對誤差。
參看圖5，曝光裝置或微影裝置LA及微影單元LC經由各種步驟82至87而將輸入晶圓分批81處理成輸出晶圓集合88。在傳遞至曝光裝置LA中之前，經由旋塗步驟83而處理被引入至塗佈顯影系統中之晶圓(步驟82)。在對準步驟84中，相位光柵對準感測器89將光束投影至晶圓上之產品層光柵90上，且偵測藉由該光柵散射之光。相位光柵對準感測器為特殊種類之散射計，此在於：其藉由量測藉由基板上之圖案繞射之繞射級之間的相位差來導出位置資訊。此情形為對準感測器區別於典型散射計之處，因為典型散射計通
常僅量測繞射級之強度或偏振狀態而不考慮不同繞射級之間的相位差。
不對稱性處理器91自經散射光之屬性判定產品光柵之不對稱性，且將關於產品光柵不對稱性之資訊前饋至後續疊對量測。藉由與產品圖案一起之疊對標記曝光晶圓(步驟85)，且顯影抗蝕劑(步驟86)以在堆疊於產品光柵之頂部上的晶圓上印刷疊對標記。
將不對稱性資訊前饋至疊對計算處理器92。疊對計算處理器92具有接收關於產品光柵不對稱性之資訊的接收模組93。該資訊可包含藉由不對稱性處理器91建構的產品光柵剖面(product grating profile)之模型。或者，疊對計算處理器92自身可使用關於產品光柵不對稱性之經接收資訊來建構產品光柵剖面之模型。在任一情況下，疊對計算處理器92使用或併有產品光柵剖面之模型來建構堆疊產品及疊對光柵剖面之模型。接著，使用堆疊模型來判定疊對偏移，且不對稱性資訊之使用最小化不對稱性對疊對偏移量測之效應。
度量衡工具或檢驗裝置包含散射計光學機械感測器硬體94，其將光束投影至晶圓上之堆疊產品及抗蝕劑光柵上。度量衡工具或檢驗裝置偵測已藉由散射而與產品及疊對光柵相互作用之光。
在一實施例中，散射計感測器硬體94具有自疊對計算處理器92接收控制信號之介面95。指令使散射計感測器硬體94調整其量測設定。因此，藉由計算處理器使用不對稱性資訊來組態光束之波長及/或偏振，以便最小化不對稱性
對疊對量測之效應。或者或此外，出於相同目的，可使用該資訊以在散射計中組態偵測器。
疊對計算處理器92自在散射計感測器硬體94中所偵測的經散射光之屬性判定疊對。將疊對偏移資料饋入至控制器96，控制器96(例如)藉由將校正饋入至對準系統中而將校正回饋至曝光裝置LA之回饋接收模組97以用於校正疊對中之誤差。
因此，在步驟85處曝光抗蝕劑之前，藉由對準感測器89來量測晶圓上之產品層光柵90。此等產品層光柵90亦可用於晶圓對準。
在步驟84處藉由對準感測器89之量測可包括指示光柵不對稱性之存在之以下量測中的一或多者：1.量測針對各種波長之位置變化(顏色之間的位置移位)；2.量測針對各種級之位置變化(繞射級之間的位置移位)；及3.量測針對各種偏振之位置變化(偏振之間的位置移位)。
可(例如)藉由任何類型之對準感測器來獲得此資料，例如：如全文以引用之方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述的SMASH(智慧型對準感測器混合)感測器，其使用具有單一偵測器及四個不同波長之自參考干涉計，且以軟體提取對準信號；或如全文以引用之方式併入本文中之美國專利第6,297,876號中所描述的Athena(使
用高級對準增強之進階技術)，其將七個繞射級中之每一者引導至一專用偵測器。
除了經量測不對稱性資料以外，感測器亦可獲取實現存在於經處理光柵中之不對稱性之類型及量之識別的其他資訊：1.作為繞射角/繞射級之函數的繞射強度及/或偏振狀態(包括對於多個輸入偏振)；及2.作為波長之函數的繞射強度及/或偏振狀態(包括對於照明光之多個偏振)。
使用此經量測資訊來特性化產品層光柵不對稱性。此特性化可為使用與用於散射量測中之技術相同或類似的技術來重新建構光柵剖面。如上文所論述，將經量測產品層光柵不對稱性前饋至度量衡工具91，其中使用該經量測產品層光柵不對稱性來校正藉由不對稱底部產品層光柵引入之疊對度量衡誤差。對於此校正，亦使用程序模型來獲得經處理光柵之正確位置，如下文參看圖7所論述。程序模型之實例為預測藉由CMP(化學機械拋光)程序引入之表面凹陷及侵蝕之量值及形狀的模型，或預測藉由蝕刻程序引入之經蝕刻剖面之形狀的模型。此等程序模型可為經驗性的或基於理論。
可使用自僅量測經處理光柵之對準感測器所獲得的資訊而自經處理光柵之頂部上之抗蝕劑光柵之複合光柵堆疊所散射的光獲得疊對。此情形導致疊對之更穩固量測，因為可正確地考慮藉由經處理光柵引入之不對稱性。
需要藉由對準感測器來量測晶圓，以便對準晶圓，因此，若藉由對準感測器執行，則可在無額外度量衡時間之顯著損失的情況下達成此產品層光柵不對稱性量測。
可將疊對計算處理器92併入於具有散射計感測器硬體94之度量衡工具中。本發明之一替代實施例為經併有不對稱性處理器91之微影裝置。另一實施例為：用於習知微影裝置及度量衡工具之疊對處理器，其具有用以(例如)自微影裝置接收產品標記之量測的模組98，及用以(例如)自散射計接收第一標記與第二標記之疊對量測的模組99；及執行不對稱性處理器91及疊對計算處理器92之功能的處理器。
圖6描繪根據本發明之一實施例的量測疊對偏移之方法的流程圖20。該方法具有始於包含產品標記光柵且經塗佈有抗蝕劑之晶圓的以下步驟：藉由將輻射光束投影至產品標記上、自產品標記偵測輻射及使用經偵測輻射來判定產品標記之屬性，量測(步驟21)基板上之一或多個產品標記光柵之屬性；自經量測屬性判定(步驟22)關於產品標記光柵之橫向剖面的資訊，諸如其不對稱性；使用微影裝置在抗蝕劑膜上印刷(步驟23)疊對標記光柵，包括疊對標記光柵與基板之對準；藉由結合適當程序模型而使用經判定不對稱性資訊且藉由將輻射光束投影至標記堆疊上、偵測已與標記堆疊相互作用之輻射及使用經偵測輻射判定疊對來量測(步驟24)疊對標記光柵相對於產品標記光柵的在基板上之側向疊對。視情況，可接著將疊對回饋(步驟25)至微影裝置以用於校正疊對誤差。
在對準期間且在步驟85處曝光抗蝕劑之前，可藉由對準感測器89來量測晶圓上之產品層光柵90。此情形具時間效率且具有僅在曝光疊對光柵之前量測以最終形式之產品層光柵的優點。然而，亦有可能在其他時間執行產品層光柵之量測，例如：在對準(使用對準感測器)之前或之後；在塗佈與曝光(使用不同感測器及額外度量衡步驟)之間；在塗佈(使用不同感測器及額外度量衡步驟)之前；及在檢驗產品層時之早先步驟處，例如，在AEI(在蝕刻檢驗之後)時(即使並非可沈積所有層(使用不同感測器及額外度量衡步驟))。
圖7示意性地描繪起因於兩個不同程序之產品標記結構的相同不對稱剖面。當光柵不對稱時，不再唯一地界定其位置。對於不對稱之經處理光柵，可藉由考慮已引起光柵變形之物理機制來判定實際位置。詳言之，特定程序可不同地影響光柵之左邊緣及右邊緣。在無該程序之模型的情況下，難以判定真實位置。然而，藉由考慮引起此左右差異之基本物理程序，有可能藉由使用程序模型及自對準感測器所獲得之經量測資訊兩者來導出正確位置。
圖7說明程序模型如何可幫助判定真實位置。實線剖面40及41各自為產品標記光柵中之一溝渠的相同不對稱剖面。不同程序可引起針對每一相同不對稱剖面40及41之真實位置的不同界定。剖面40之真實位置為虛線42。在此情況下，第一程序已僅將材料43添加至右邊緣44。剖面41之真實位置為虛線45。在此情況下，第二程序已僅自右邊緣47移除材料46。
圖8描繪在疊對光柵30之曝光之前及在顯影31之後的堆疊標記結構之一部分之剖面(該曝光及該顯影亦被展示於圖5中)。在圖7中，展示光柵中之僅一個條狀物的橫截面。基板32具有下伏於產品標記35之各種層33、34，產品標記35具有不對稱剖面。產品標記35被覆蓋有層36、37，抗蝕劑層38沈積於層36、37上。在曝光及顯影步驟之後，形成疊對標記39。產品標記35之實例為：嵌入於氧化物中之銅線；蝕刻於矽中之溝渠；及在氧化物中之多晶矽隆脊。層33、24、36及37之實例為BARC(底部抗反射塗層)及硬式光罩層，諸如非晶碳及TEOS(正矽酸四乙酯)。
在本發明之實施例中，使用對準感測器資料以首先重新建構底部產品光柵，且將此資訊前饋至量測產品光柵與抗蝕劑光柵之堆疊的散射計。在無此前饋之情況下，重新建構該堆疊之極複雜任務係不實務的，此係使用具有已被添加有故意疊對移位(或偏置)之多個光柵之已知技術的原因。如上文所提及，該等技術消耗額外切割道面積(real estate)。本發明之前饋實現以模型為基礎之疊對，其中僅需要重疊抗蝕劑光柵與產品光柵之一個集合，且將藉由該堆疊散射之光用於重新建構該堆疊之模型。此情形節省切割道面積，以及允許疊對之有效率計算。
應理解，不對稱性處理器91及疊對計算處理器92可實施於一或多個電腦總成60中，如圖9所示。在根據本發明之實施例中，電腦總成60可為以不對稱性處理器91或疊對計算處理器92之形式的專用電腦，或者，可為控制微影裝置之中央電腦。電腦總成60可經配置以用於載入包含電腦可執行碼之電腦程式產品。此可使電腦總成60在下載電腦程式產品時能夠控制微影裝置及檢驗裝置之前述使用。
連接至處理器27之記憶體29可包含許多記憶體組件，比如硬碟31、唯讀記憶體(ROM)62、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)63或隨機存取記憶體(RAM)64。並非所有前述記憶體組件均需存在。此外，前述記憶體組件不必實體地緊接於處理器27或彼此緊接。其可相距一距離。
處理器27亦可連接至某一種類之使用者介面(例如，鍵盤65或滑鼠66)。亦可使用為熟習此項技術者所知之觸摸式螢幕、軌跡球、語音轉換器或其他介面。
處理器27可連接至讀取單元67，讀取單元67經配置以自資料載體(比如軟碟68或CDROM 69)讀取(例如)以電腦可執行碼之形式的資料及在一些情況下將資料儲存於該資料載體上。又，可使用為熟習此項技術者所知之DVD或其他資料載體。
處理器27亦可連接至印表機70以將輸出資料印出於紙張上，以及連接至為熟習此項技術者所知的任何其他類型之顯示器中的顯示器71，例如，監視器或LCD(液晶顯示器)。
處理器27可藉由負責輸入/輸出(I/O)之傳輸器/接收器73而連接至通信網路72，例如，公眾交換電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)，等等。處理器27可經配置以經由通信網路72而與其他通信系統通信。在本發明之一實施例中，外部電腦(圖中未繪示)(例如，操作者之個人電腦)可經由通信網路72而登入處理器27。
處理器27可實施為一獨立系統或實施為並行地操作之許多處理單元，其中每一處理單元經配置以執行更大程式之子任務。該等處理單元亦可劃分成具有若干次處理單元之一或多個主處理單元。處理器27之一些處理單元可甚至與其他處理單元相距一距離且經由通信網路72進行通信。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢驗工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
結論
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。本文中已為了便於描述而任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般本性以使得：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。
2．．．寬頻帶(白光)輻射投影儀/輻射源
4．．．光譜儀偵測器
10．．．光譜
11．．．背部投影式光瞳平面
12．．．透鏡系統
13．．．干涉濾光器
14．．．參考鏡面
15．．．顯微鏡接物鏡/透鏡系統
16．．．部分反射表面/光束分裂器
17．．．偏振器
18．．．偵測器
27．．．處理器
29．．．記憶體
30．．．基板目標/疊對光柵
31．．．硬碟
32．．．基板
33．．．層
34．．．層
35．．．產品標記
36．．．層
37．．．層
38．．．抗蝕劑層
39．．．疊對標記
40．．．剖面
41．．．剖面
42．．．剖面40之真實位置
43．．．材料
44．．．右邊緣
45．．．剖面41之真實位置
46．．．材料
47．．．右邊緣
60．．．電腦總成
61．．．硬碟
62．．．唯讀記憶體(ROM)
63．．．電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)
64．．．隨機存取記憶體(RAM)
65．．．鍵盤
66．．．滑鼠
67．．．讀取單元
68．．．軟碟
69．．．CDROM
70．．．印表機
71．．．顯示器
72．．．通信網路
73．．．傳輸器/接收器
81．．．輸入晶圓分批
88．．．輸出晶圓集合
89．．．相位光柵對準感測器
90．．．產品層光柵
91．．．不對稱性處理器/度量衡工具
92．．．疊對計算處理器
93．．．接收模組
94．．．散射計光學機械感測器硬體
95．．．介面
96．．．控制器
97．．．回饋接收模組
98．．．用以(例如)自微影裝置接收產品標記之量測的模組
99．．．用以(例如)自散射計接收第一標記與第二標記之疊對量測的模組
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BK．．．烘烤板
C．．．目標部分
CH．．．冷卻板
CO．．．聚光器
DE．．．顯影器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
LA．．．微影裝置/曝光裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載盤
LC．．．微影單元
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PU．．．處理單元
PW．．．第二定位器
RO．．．基板處置器/機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
SM1．．．散射計
SM2．．．散射計
SO．．．輻射源
TCU．．．塗佈顯影系統控制單元
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪微影裝置；
圖2描繪微影單元或叢集；
圖3描繪第一散射計；
圖4描繪第二散射計；
圖5描繪根據本發明之一實施例的微影單元；
圖6描繪根據本發明之一實施例的量測疊對之方法的流程圖；
圖7描繪具有起因於兩個不同程序之相同不對稱剖面的產品標記結構之剖面；
圖8描繪在疊對光柵之曝光之前及在顯影之後的堆疊標記結構之剖面；及
圖9描繪可用於根據本發明之一實施例之裝置中的電腦總成。
根據上文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位進行指示。
30．．．基板目標/疊對光柵
31．．．硬碟
81．．．輸入晶圓分批
88．．．輸出晶圓集合
89．．．相位光柵對準感測器
90．．．產品層光柵
91．．．不對稱性處理器/度量衡工具
92．．．疊對計算處理器
93．．．接收模組
94．．．散射計光學機械感測器硬體
95．．．介面
96．．．控制器
97．．．回饋接收模組
98．．．用以(例如)自微影裝置接收產品標記之量測的模組
99．．．用以(例如)自散射計接收第一標記與第二標記之疊對量測的模組
LA．．．微影裝置/曝光裝置
LC．．．微影單元
Claims (10)
- 一種量測一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的方法，該方法包含：在該基板上量測取決於該第一標記之一橫向剖面(transverse profile)的該第一標記之一屬性；自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；使用一微影裝置在該基板上印刷(printing)該第二標記，包括該第二標記與該基板之對準；使用該經判定資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
- 如請求項1之方法，其中量測該第一標記之該屬性的該步驟包含：將一第一輻射光束投影至該第一標記上；使用該微影裝置之一對準感測器自該第一標記偵測第一輻射；及使用該經偵測之第一輻射來判定該第一標記之該屬性，且其中使用該對準感測器來執行該第二標記之對準的該步驟。
- 一種用於處理包含一第一標記之一基板以在該基板上印刷一第二標記的微影裝置，該微影裝置包含：一量測裝置，其經組態以量測取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一屬性，該量測裝置包含： 一第一投影系統，其經組態以將一第一輻射光束投影至該第一標記上；一第一偵測器，其經組態以自該第一標記偵測第一輻射；及一第一處理器，其經組態以使用該經偵測之第一輻射來判定該第一標記之該屬性，該微影裝置進一步包含：一對準系統，其經組態以使用該第一偵測器作為一對準感測器來控制該基板上之該第二標記之對準；及一第二處理器，其經組態以自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且自該微影裝置輸出該資訊。
- 一種用於量測一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的檢驗裝置，該檢驗裝置包含：一第二投影系統，其經組態以將一第二輻射光束投影至該第一標記及該第二標記上；一第二偵測器，其經組態以偵測已與該第一標記及該第二標記相互作用之第二輻射；一第三處理器，其經組態以使用該經偵測之第二輻射來判定該側向疊對；及一資訊接收模組，其經組態以接收關於該第一標記之橫向剖面的資訊，其中該檢驗裝置經組態以使用該經接收資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊 對。
- 一種用於處理一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對的處理裝置，該處理裝置包含：一標記屬性接收模組，其經組態以接收取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；一量測接收模組，其經組態以接收該第一標記與該第二標記之一側向疊對量測；及一處理器，其經組態以自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且使用該經接收疊對量測及該經判定資訊來判定該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
- 如請求項5之處理裝置，其中該處理器經組態以藉由建構該第一標記之至少一部分之一模型來判定該資訊。
- 一種微影處理單元，其包含：一微影裝置，其用於處理包含一第一標記之一基板以在該基板上印刷一第二標記，該微影裝置包含：一量測裝置，其經組態以量測取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一屬性，該量測裝置包含：一第一投影系統，其經組態以將一第一輻射光束投影至該第一標記上；一第一偵測器，其經組態以自該第一標記偵測第一輻射；及一第一處理器，其經組態以使用該經偵測之第一輻射來判定該第一標記之該屬性； 該微影裝置進一步包含：一對準系統，其經組態以使用該第一偵測器作為一對準感測器來控制該基板上之該第二標記之對準；及一第二處理器，其經組態以自該第一標記之該經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊，且自該微影裝置輸出該資訊，該微影處理單元進一步包含：一檢驗裝置，其用於量測該第一標記與該第二標記在該基板上之側向疊對，該檢驗裝置包含：一第二投影系統，其經組態以將一第二輻射光束投影至該第一標記及該第二標記上；一第二偵測器，其經組態以偵測已與該第一標記及該第二標記相互作用之第二輻射；一第三處理器，其經組態以使用該經偵測之第二輻射來判定該側向疊對；及一資訊接收模組，其經組態以自該微影裝置接收該資訊，其中該檢驗裝置經組態以使用該經接收資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
- 一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令經調適以用於控制一如請求項1或2之方法的量測步驟及判定步驟，特別地以使一或多個可程式化處理器： 接收取決於第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；及使用該經判定資訊來量測該第二標記相對於該第一標記的在基板上之一側向疊對。
- 一種含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式產品，該等指令用於處理一第一標記與一第二標記在一基板上之側向疊對，該等指令經調適以使一或多個處理器：接收取決於該第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；接收該第一標記與該第二標記之一側向疊對量測；自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；及使用該經接收疊對量測及該經判定資訊來判定該第二標記相對於該第一標記的在該基板上之一側向疊對。
- 一種儲存有電腦可執行指令之有形電腦可讀媒體，該等電腦可執行指令在藉由一計算器件執行時使該計算器件執行包含以下步驟之一方法：接收取決於一第一標記之一橫向剖面的該第一標記之一經量測屬性；自該第一標記之該經接收之經量測屬性判定關於該第一標記之該橫向剖面的資訊；及 使用該經判定資訊來量測一第二標記相對於該第一標記的在一基板上之一側向疊對。
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