TWI446853B - 殼體及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種殼體及其製造方法。
金屬及塑膠因其較好之耐水、耐腐蝕及機械性能廣泛應用於電子產品中。惟，由於金屬及塑膠部很難僅利用面結合緊密固定在一起，一般需要於其中間設置黏接層以連接固定基體及塑膠部。然，此種結構中金屬與塑膠部之結合強度不高，且長久使用後隨著黏接層之老化，其結合強度會進一步降低。
鑒於上述內容，有必要提供一種結合強度高之殼體及其製造方法。
一種殼體，其包括基體及與基體一體成型之塑膠部，該基體包括與塑膠部連接之結合面，該結合面上形成有親水性之奈米結構，該奈米結構為連續齒形結構、連續梯形結構、連續矩形結構或連續駝峰形結構中之一。
一種殼體之製造方法，其包括以下步驟：提供基體，該基體具有結合面；該結合面上形成有親水性之奈米結構，該奈米結構為連續齒形結構、連續梯形結構、連續矩形結構或連續駝峰形結構中之一；將該基體置於成型模具中，注入熔融塑膠材質於結合面上以成型塑膠部，冷卻後即形成殼體。
上述殼體之基體之結合面上形成有親水性之奈米結構，使結合面之表面自由能降低，從而使塑膠部更容易與基體之材質結合起來，提高了殼體之基體與塑膠部之結合強度。
100‧‧‧按鍵殼體
20‧‧‧基體
201‧‧‧結合面
203‧‧‧奈米結構
30‧‧‧塑膠部
圖1係本發明之殼體之剖視圖。
圖2係圖1中殼體之基體與塑膠部結合處之局部放大圖。
圖3係圖1中殼體之製造方法之流程圖。
下面結合附圖及實施方式對本發明之殼體及其製造方法作進一步之詳細說明。
請參見圖1及圖2，本發明較佳實施方式之殼體100係將塑膠部30形成於基體20上而形成之一體結構。可根據實際應用將基體20及塑膠部30設計為不同之形狀，如基體20作為行動電話內之導電片，塑膠部30為行動電話外殼等。基體20於其與塑膠部30之結合面201上形成有親水性之奈米結構203。本實施方式中，親水性之奈米結構203為一連續齒形結構。奈米結構203之深度h為10~100奈米，節距d為10~500奈米，表面粗糙度為1~10奈米。塑膠部30之部分材質填充於奈米結構203內，從而將基體20與塑膠部30緊密固定結合在一起，形成一體結構。
基體20之材質包括金屬、合金、玻璃、陶瓷、搪瓷等。金屬材質可為鎂、鋁、鐵等，合金材質可為鎂合金、鋁合金等。奈米結構203之具體結構，需根據塑膠部30之材質力學特性而具體設置，其主要目的為使該奈米結構203親水化，從而使基體20與塑膠部
30一體成型達到增加其二者之間之結合強度。
請同時參見圖3，本發明之殼體100製造方法步驟如下：步驟301中，提供基體20，該基體20材質包括金屬、合金、陶瓷、搪瓷或玻璃，基體20具有結合面201；步驟302中，於基體20之結合面201形成有親水性之奈米結構203。本實施方式中採用雷射之加工方法形成奈米結構203。
採用雷射使物體表面親水化之加工方法包括以下步驟：首先提供欲使其表面具有親水性之一待加工基體，該基體材質包括金屬、合金、陶瓷、搪瓷或玻璃等；提供一雷射源，例如，可採用摻釹釔鋁石榴石(Nd-YAG)雷射器，或採用飛秒雷射器；將該雷射源產生之雷射光束照射於該基體之結合面201，使得一具有親水性之奈米結構203形成於結合面201。其中，該種用雷射源加工之方法可控制使雷射源輸出之高強度雷射聚焦至待加工之物體上，通過電腦控制使該待加工物體表面形成預定形狀。由於雷射焦點處之功率密度高達107~1012瓦/平方釐米，溫度高達1萬攝氏度以上，使待加工材質暫態熔化、氣化。
步驟303中，將形成奈米結構203之基體20置於成型模具(未圖示)內，注入熔融塑膠。部分塑膠材質成型於奈米結構203表面，冷卻後，最終使塑膠部30與基體20緊密結合形成殼體100。
本發明之殼體100之基體20用於與塑膠部30之結合之結合面201上形成有親水性之奈米結構203，使結合面201之表面自由能降低，從而使塑膠部30更容易與基體20之材質結合起來，故提高了殼體100之基體20與塑膠部30之結合強度。並且，奈米結構203之尺寸
較小，人之肉眼幾乎看不到，不會影響基體20本身之結構強度。另，塑膠部30與基體20之結合近似於面結合，故，無需設置嵌入卡合結構，有利於薄形化，能夠適應現在電子裝置輕薄化之需求。
可理解，本發明用雷射方法加工物體表面使其具有親水性所得之奈米表面結構可進一步包括其他形狀結構如連續梯形結構、連續矩形結構或連續駝峰形結構。
可理解，該親水性之奈米結構203不限於形成於之結合面201之全部區域，也可選擇性地形成於結合面201之部分區域。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
20‧‧‧基體
203‧‧‧奈米結構
30‧‧‧塑膠部
Claims (8)
- 一種殼體，其包括基體及與該基體一體成型之塑膠部，該基體包括與該塑膠部連接之結合面，其改良在於：該結合面上形成有親水性之奈米結構，該奈米結構為連續齒形結構、連續梯形結構、連續矩形結構或連續駝峰形結構中之一。
- 如申請專利範圍第1所述之殼體，其中該基體之材質為金屬、合金陶瓷、搪瓷及玻璃中之一。
- 如申請專利範圍第1所述之殼體，其中該奈米結構之深度為10~100奈米，節距為10~500奈米。
- 如申請專利範圍第1所述之殼體，其中該奈米結構之表面粗糙度為1~10奈米。
- 一種殼體之製造方法，其包括以下步驟：提供基體，該基體具有結合面；該結合面上形成有親水性之奈米結構，該奈米結構為連續齒形結構、連續梯形結構、連續矩形結構及連續駝峰形結構中之一；將該基體置於成型模具中，使塑膠材質成型於奈米結構表面以形成塑膠部，冷卻後即形成殼體。
- 如申請專利範圍第5所述之殼體之製造方法，其中該奈米結構之深度為10~100奈米，節距為10~500奈米。
- 如申請專利範圍第5所述之殼體之製造方法，其中該結合面上形成有親水性之奈米結構之步驟採用雷射加工方法進行。
- 如申請專利範圍第7所述之殼體之製造方法，其中該雷射加工方法採用飛秒雷射器進行加工。
Priority Applications (1)
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| TW99127505A TWI446853B (zh) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 殼體及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| TW99127505A TWI446853B (zh) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 殼體及其製造方法 |
Publications (2)
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| TW201210432A TW201210432A (en) | 2012-03-01 |
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ID=46763986
Family Applications (1)
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| TW99127505A TWI446853B (zh) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 殼體及其製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| TW (1) | TWI446853B (zh) |
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2010
- 2010-08-18 TW TW99127505A patent/TWI446853B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| TW201210432A (en) | 2012-03-01 |
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