TWI439984B - 光感測元件陣列基板及其製造方法 - Google Patents

Description

光感測元件陣列基板及其製造方法

本發明是有關於一種光感測裝置，且特別是有關於一種可以應用於顯示器的光感測元件陣列基板。

光感測元件陣列基板是一種含有多個光感測元件(photo sensor)的裝置，其能與液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)整合，而成為一種利用對光線的接收來產生指令的光感測顯示器(photo sensor display)。這種光感測顯示器可以應用於具有顯示螢幕的電子裝置(electronic device)，例如手機、電腦以及個人數位助理器(Personal Digital Assistant,PDA)等。使用者可以經由光感測顯示器來輸入指令至上述電子裝置，以操作電子裝置。

目前光感測元件陣列基板所採用的光感測元件並不是透明的，所以在光感測顯示器中，這些光感測元件通常會配置在黑矩陣(black matrix)的下方，其中黑矩陣具有多個對應這些光感測元件的入光口，而光感測元件能透過入光口來接收從外界而來的光線。

由此可知，在設計上，光感測元件會盡量不與任何畫素電極(pixel electrode)重疊，以防止光感測元件遮擋從畫素電極而來的光線，進而避免光感測元件破壞顯示影像的品質。然而，在現有技術中，為了容納這些光感測元件，多半會增加黑矩陣的面積，但是這樣卻會造成開口率下降，導致顯示影像的亮度降低。

本發明提供一種光感測元件陣列基板，其包括多個透明光感測元件。

本發明另提供一種光感測元件陣列基板的製造方法，其用以製造上述光感測元件陣列基板。

本發明提出一種光感測元件陣列基板，其包括一基板、多條掃描線、多條讀取線、多個開關元件以及多個透明光感測元件。基板具有一平面，而這些掃描線、讀取線、開關元件與透明光感測元件皆配置在平面上。這些掃描線與這些讀取線彼此交錯，以在平面上形成多個光穿透區。這些開關元件電性連接這些掃描線與這些讀取線。這些透明光感測元件位在這些光穿透區內，並且分別電性連接這些開關元件。

在本發明一實施例中，各個透明光感測元件包括一第一透明電極、一第二透明電極以及一透明半導體層。第一透明電極電性連接其中一開關元件。透明半導體層連接於第一透明電極與第二透明電極之間。

在本發明一實施例中，構成這些透明半導體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物(poly-InGaZnO,poly-IGZO)、非晶銦鎵鋅氧化物(amorphous IGZO,a-IGZO)或摻雜型銦鎵鋅氧化物(doped IGZO)。

在本發明一實施例中，上述光感測元件陣列基板更包括多條共用線(common line)。這些共用線配置在平面上，而各條共用線電性連接多個上述透明光感測元件。

在本發明一實施例中，這些共用線連接這些第二透明電極，並且與這些第一透明電極部分重疊(overlap)。

在本發明一實施例中，上述光感測元件陣列基板更包括一絕緣層，而至少一透明光感測元件更包括一第三透明電極。透明半導體層位在第三透明電極與第一透明電極之間，以及位在第三透明電極與第二透明電極之間，而第三透明電極與透明半導體層重疊，並且電性連接第二透明電極。絕緣層配置在第三透明電極與這些透明半導體層之間。

在本發明一實施例中，構成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第三透明電極的材料為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)。

在本發明一實施例中，上述光感測元件陣列基板更包括一閘極絕緣層(gate insulation layer)。閘極絕緣層配置在絕緣層上，並且覆蓋這些掃描線與這些透明光感測元件。

在本發明一實施例中，這些開關元件為多個電晶體。

在本發明一實施例中，上述光感測元件陣列基板更包括多條資料線與多個畫素單元(pixel unit)。這些資料線與這些畫素單元皆配置在平面上。各條資料線與其中一讀取線並列，而這些畫素單元位在這些光穿透區內，其中這些畫素單元電性連接這些資料線與這些掃描線。

本發明另提出一種光感測元件陣列基板的製造方法。首先，在一基板的一平面上形成多個透明光感測元件。接著，在平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中這些掃描線與這些讀取線彼此交錯，以在平面上形成多個光穿透區，而這些透明光感測元件位在這些光穿透區內。之後，在平面上形成多個開關元件，其中這些開關元件電性連接這些掃描線、這些讀取線以及這些透明光感測元件。

在本發明一實施例中，上述形成這些透明光感測元件的方法包括，在平面上形成多個第一透明電極與多個第二透明電極。接著，在平面上形成多個透明半導體層，其中這些透明半導體層覆蓋這些第一透明電極與這些第二透明電極。之後，在這些透明半導體層上形成一絕緣層，其中絕緣層覆蓋這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些透明半導體層。

在本發明一實施例中，更包括對這些透明半導體層進行退火(anneal)。

在本發明一實施例中，構成這些透明半導體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。

在本發明一實施例中，上述形成這些透明光感測元件的方法更包括，在絕緣層上形成多個第三透明電極，其中這些第三透明電極與這些透明半導體層重疊。

在本發明一實施例中，構成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第三透明電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

在本發明一實施例中，在形成這些透明光感測元件之後，更包括形成一閘極絕緣層於絕緣層上，其中閘極絕緣層覆蓋這些掃描線與這些透明光感測元件。

在本發明一實施例中，更包括，在平面上形成多條資料線與多個畫素單元，其中這些畫素單元位在這些光穿透區內，並且電性連接這些資料線與這些掃描線。

由於本發明採用多個透明光感測元件來偵測光線，而這些透明光感測元件整體上並不會遮擋光線，因此透明光感測元件不僅不會破壞顯示影像的品質，而且還能提高開口率，增加顯示器顯示影像的亮度。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A是本發明一實施例之光感測元件陣列基板的俯視示意圖，而圖1B是圖1A中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。請參閱圖1A與圖1B，光感測元件陣列基板100能應用於具有多個畫素的顯示器，其例如是液晶顯示器、有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器或電子紙(Electronic Paper, E Paper)所採用的顯示器，其中電子紙所採用的顯示器例如是電泳式顯示器(Electrophoresis Display,EPD)。

不過，在其他實施例中，光感測元件陣列基板100也可以應用於顯示器以外的技術領域，例如光感測元件陣列基板100可以製作成供光筆(light pen)所使用的手寫板(handwritten board)，所以本發明並不限制光感測元件陣列基板100只能應用於顯示器的技術領域，其他顯示器以外的技術領域，光感測元件陣列基板100也可應用。

光感測元件陣列基板100包括一基板110、多條掃描線120、多條讀取線130、多個開關元件140以及多個透明光感測元件150。基板110具有一平面112，而這些掃描線120、讀取線130、開關元件140與透明光感測元件150皆配置在平面112上。

這些掃描線120與讀取線130彼此交錯，以在平面112上形成多個光穿透區R1。詳細而言，這些掃描線120彼此並列，而這些讀取線130彼此並列，因此這些彼此交錯的掃描線120與讀取線130呈網狀排列，而光穿透區R1則位在由掃描線120與讀取線130所形成的網格(lattice)內。

當光感測元件陣列基板100應用於具有畫素的顯示器時，光感測元件陣列基板100可為一種主動元件陣列基板(active component array substrate)或是對向基板(opposite substrate)，因此光穿透區R1可為畫素顯像區，並能被光線所穿透。換句話說，光穿透區R1基本上可以是透明的。

此外，上述主動元件陣列基板例如是薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板，而對向基板可以是具有彩色濾光片的彩色濾光基板(color filter array substrate)，或是色序法液晶顯示器(color sequential LCD)所採用的透光基板，其中此透光基板並不具有任何彩色濾光片。

這些開關元件140電性連接這些掃描線120與這些讀取線130，而在本實施例中，這些開關元件140可以是多個電晶體，其例如是場效電晶體(Field-Effect Transistor,FET)。當開關元件140為場效電晶體時，各個開關元件140包括一閘極(gate)142g、一汲極(drain)142d、一源極(source)142s以及一半導體層144(如圖1B所示)。

承上述，半導體層144連接於汲極142d與源極142s之間，並且與閘極142g重疊，其中半導體層144並沒有與閘極142g接觸。在同一個開關元件140中，閘極142g連接掃描線120，汲極142d連接讀取線130，而源極142s連接透明光感測元件150，因此掃描線120能控制開關元件140的開啟，以使源極142s與汲極142d得以電性導通。

這些透明光感測元件150位在這些光穿透區R1內，並且分別電性連接這些開關元件140。詳細而言，各個透明光感測元件150可以包括一第一透明電極152d、一第二透明電極152s以及一透明半導體層154(請參閱圖1B)，而在同一個透明光感測元件150中，透明半導體層154連接於第一透明電極152d與第二透明電極152s之間，而第一透明電極152d電性連接其中一開關元件140。

構成這些第一透明電極152d與第二透明電極152s的材料可為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，而構成這些透明半導體層154的材料可以是多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。摻雜型銦鎵鋅氧化物例如是摻雜金屬的銦鎵鋅氧化物，而此金屬可以是鎂。

光感測元件陣列基板100可以更包括多條共用線160，而這些共用線160皆配置在平面112上。各條共用線160電性連接多個透明光感測元件150，例如各條共用線160電性連接排成一列的透明光感測元件150。這些共用線160電性連接這些第二透明電極152s，並可透過多個接觸窗(contact window)162而電性連接第二透明電極152s。

共用線160能輸出一共用電壓(common voltage)至透明光感測元件150，而共用電壓能依序通過第二透明電極152s、透明半導體層154與第一透明電極152d。之後，共用電壓會從透明光感測元件150輸入至開關元件140。當掃描線120開啟開關元件140時，共用電壓能依序通過源極142s、半導體層144與汲極142d，並傳遞至讀取線130。

這些讀取線130傳遞共用電壓至至少一控制單元(未繪示)，而控制單元例如是晶片(chip)。當光感測元件陣列基板100被光線(例如由光筆所發出的光線)照射時，控制單元從其中一條讀取線130所接收到的共用電壓會發生變動。控制單元能根據此變動，判斷出光線照射於那一個透明光感測元件150。如此，使用者能利用光線對光感測元件陣列基板100的照射來輸入指令，以操作手機、電腦以及個人數位助理器等電子裝置。

另外，這些共用線160可以與這些第一透明電極152d部分重疊。詳細而言，各個第一透明電極152d可以具有一電容電極C1，而電容電極C1位在共用線160的下方，並且與共用線160重疊。電容電極C1完全沒有與共用線160接觸，因此共用線160與電容電極C1之間可以形成電容。

在本實施例中，透明光感測元件150可以是一種光電晶體(phototransistor)，並且更可以是場效電晶體。詳細而言，透明光感測元件150可以更包括一第三透明電極152g，而透明半導體層154位在第三透明電極152g與第一透明電極152d之間，以及位在第三透明電極152g與第二透明電極152s之間。另外，構成第三透明電極152g的材料也可以是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

在同一個透明光感測元件150中，第三透明電極152g與透明半導體層154重疊，但並不與透明半導體層154接觸。詳細而言，光感測元件陣列基板100可更包括一絕緣層172(如圖1B所示)。絕緣層172配置在第三透明電極152g與透明半導體層154之間，因此絕緣層172能將第三透明電極152g與透明半導體層154隔開，並讓第三透明電極152g與透明半導體層154電性絕緣。此外，構成絕緣層172的材料可以是透明絕緣材料，例如二氧化矽或氮化矽。

因此，當透明光感測元件150為場效電晶體時，第一透明電極152d為汲極，第二透明電極152s為源極，而第三透明電極152g為閘極。另外，在同一個透明光感測元件150中，第三透明電極152g可以電性連接第二透明電極152s，並可透過一接觸窗156而電性連接第二透明電極152s，以使第三透明電極152g也能電性連接共用線160。

須說明的是，所有透明光感測元件150並不一定全然包括第三透明電極152g，例如在其他實施例中，可以只有一個或一些透明光感測元件150包括第三透明電極152g，而其他透明光感測元件150則沒有包括任何第三透明電極152g。除此之外，所有透明光感測元件150也可以不包括任何第三透明電極152g。

由此可知，光感測元件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數量可以為零，或是僅為一個或多個，因此第三透明電極152g並不是本發明的必要元件，而圖1A與圖1B所示的第三透明電極152g的數量僅為舉例說明，並非限定本發明。

另外，光感測元件陣列基板100可以更包括一閘極絕緣層174(如圖1B所示)。閘極絕緣層174配置在絕緣層172上，並且覆蓋掃描線120、透明光感測元件150以及閘極142g，其中構成閘極絕緣層174的材料可以與絕緣層172相同，例如是二氧化矽或氮化矽等透明絕緣材料。不過，光感測元件陣列基板100也可以不包括閘極絕緣層174，且絕緣層172可覆蓋掃描線120與閘極142g，因此圖1B所示的閘極絕緣層174僅為舉例說明，並非限定本發明。

值得一提的是，由於光感測元件陣列基板100可以是主動元件陣列基板，因此當光感測元件陣列基板100為主動元件陣列基板時，光感測元件陣列基板100可以更包括多條資料線180以及多個畫素單元190，其中這些資料線180與畫素單元190皆配置在基板110的平面112上。

各條資料線180與其中一條讀取線130並列，而這些畫素單元190位在這些光穿透區R1內，並且電性連接這些資料線180與掃描線120，其中掃描線120也能控制開啟畫素單元190，以使資料線180所傳遞的畫素電壓(pixel voltage)可以輸入至畫素單元190中。

不過，必須強調的是，光感測元件陣列基板100除了可為主動元件陣列基板之外，也可以是對向基板，例如彩色濾光基板或色序法液晶顯示器所採用的透光基板，加上光感測元件陣列基板100更可以應用於顯示器以外的技術領域(例如手寫板)，因此光感測元件陣列基板100不一定要具備任何資料線180與畫素單元190。也就是說，資料線180與畫素單元190皆為光感測元件陣列基板100的選擇性元件，而不是必要元件。

以上主要介紹光感測元件陣列基板100的結構，至於光感測元件陣列基板100的製造方法，以下將配合圖1B以及圖2A至圖2F，進行詳細的介紹。

必須事先說明的是，以下內容是以光感測元件陣列基板100為主動元件陣列基板作為舉例說明，但是在其他實施例中，光感測元件陣列基板100也可以是對向基板，例如彩色濾光基板或色序法液晶顯示器所採用的透光基板，因此圖2A至圖2F所揭露的光感測元件陣列基板100的製造方法僅為舉例說明，並非限定本發明。

在光感測元件陣列基板100的製造方法中，首先，在基板110的平面112上形成多個透明光感測元件150，而形成這些透明光感測元件150的方法，如圖2A至圖2D所示。

請參閱圖2A，關於透明光感測元件150的方法，首先，在平面112上形成多個第一透明電極152d以及多個第二透明電極152s，其中第一透明電極152d與第二透明電極152s可以是透過沉積(deposition)、微影(lithography)以及蝕刻(etching)而形成。

請參閱圖2B，接著，在平面112上形成多個透明半導體層154，而這些透明半導體層154覆蓋這些第一透明電極152d與這些第二透明電極152s，其中透明半導體層154也可透過沉積、微影與蝕刻而形成。另外，在透明半導體層154形成之後，可以對透明半導體層154進行退火。

請參閱圖2C，接著，在這些透明半導體層154上形成絕緣層172，其中絕緣層172覆蓋這些第一透明電極152d、第二透明電極152s以及透明半導體層154，並且可以全面性地覆蓋平面112，如圖2C所示。此外，絕緣層172可以是透過沉積而形成。

請參閱圖2D，之後，在絕緣層172上形成多個第三透明電極152g，而這些第三透明電極152g與這些透明半導體層154重疊。至此，透明光感測元件150基本上已完全形成。當形成第三透明電極152g時，可以在平面112上形成多條掃描線120與多個閘極142g，而掃描線120與閘極142g二者可以是在同一道微影與蝕刻的過程中同時形成。

須說明的是，由於在其他實施例中，透明光感測元件150可以不包括任何第三透明電極152g，即光感測元件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數量可以為零，因此可以省略形成第三透明電極152g的步驟。

請參閱圖2E，在形成透明光感測元件150之後，可以形成一閘極絕緣層174於絕緣層172上，其中閘極絕緣層174覆蓋這些掃描線120、透明光感測元件150以及閘極142g，並且可以全面性地覆蓋絕緣層172。此外，閘極絕緣層174與絕緣層172二者材料與形成方法皆可相同。

須強調的是，由於在其他實施例中，光感測元件陣列基板100可以不包括閘極絕緣層174，而絕緣層172可以覆蓋掃描線120與閘極142g，因此在光感測元件陣列基板100的製造方法中，可以省略形成閘極絕緣層174的步驟，並讓絕緣層172在掃描線120與閘極142g形成之後才形成。所以，圖2D與圖2E所示的形成絕緣層172與閘極絕緣層174的步驟僅為舉例說明，並非限定本發明。

請參閱圖2F，接著，在平面112上形成多個開關元件140。關於開關元件140的形成方法，首先，在閘極絕緣層174上形成多個半導體層144、194，而半導體層194位在掃描線120的上方，並且與掃描線120部分重疊。構成半導體層144、194的材料可以是多晶矽(polysilicon)或非晶矽(amorphous silicon)，而半導體層144、194可以是透過沉積、微影與蝕刻而形成。

之後，形成多個汲極142d、192d、源極142s、192s、多條讀取線130與資料線180，其中半導體層144連接於汲極142d與源極142s之間，而半導體層194連接於汲極192d與源極192s之間。至此，這些電性連接讀取線130的開關元件140基本上已完全形成。此外，構成源極142s、192s、讀取線130以及資料線180的材料可為金屬，並且可以彼此相同，而源極142s、192s、讀取線130以及資料線180皆可在同一道微影與蝕刻的過程中同時形成。

在形成這些源極142s以前，可以移除部分絕緣層172與部分閘極絕緣層174，以形成多個局部暴露第一透明電極152d的接觸孔(contact hole)T1，而源極142s可以延伸至接觸孔T1中，進而連接第一透明電極152d。如此，第一透明電極152d得以電性連接開關元件140。另外，在形成汲極142d、192d與源極142s、192s之後，可以對半導體層144、194進行背通道蝕刻(Back Channel Etching,BCE)。

請再次參閱圖1B，接著，在閘極絕緣層174上形成一絕緣層176，而絕緣層176覆蓋這些開關元件140、汲極192d、源極192s以及半導體層144、194，其中絕緣層176可以是二氧化矽或氮化矽等無機絕緣材料，或是有機高分子絕緣材料。

之後，可以在絕緣層176上形成多個畫素電極196。至此，這些包括源極192s、汲極192d、半導體層194與畫素電極196的畫素單元190基本上已完全形成，而光感測元件陣列基板100基本上已製造完成。另外，在形成畫素電極196以前，可以移除部分絕緣層176，以形成多個局部暴露汲極192d的接觸孔T2，讓畫素電極196可以延伸至接觸孔T2中，以連接汲極192d。此外，移除部分絕緣層176的方法可以是蝕刻。

綜上所述，由於本發明的光感測元件陣列基板採用多個透明光感測元件來偵測光線，因此透明光感測元件整體上並不會遮擋光線。當光感測元件陣列基板應用於顯示器時，這些透明光感測元件可以分別配置在多個畫素顯像區內(如圖1A所示的光穿透區R1)，並且供從畫素顯像區而來的光線所穿透。如此，不僅顯示影像的品質不會被透明光感測元件所破壞，而且更可以提高顯示器的開口率，進而增加顯示影像的亮度。

雖然本發明以前述實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本發明之專利保護範圍內。

100．．．光感測元件陣列基板

110．．．基板

112．．．平面

120．．．掃描線

130．．．讀取線

140．．．開關元件

142d、192d．．．汲極

142g．．．閘極

142s、192s．．．源極

144、194．．．半導體層

150．．．透明光感測元件

152d．．．第一透明電極

152g．．．第三透明電極

152s．．．第二透明電極

154．．．透明半導體層

156、162．．．接觸窗

160．．．共用線

172、176．．．絕緣層

174．．．閘極絕緣層

180．．．資料線

190．．．畫素單元

196．．．畫素電極

C1．．．電容電極

R1．．．光穿透區

T1、T2．．．接觸孔

圖1A是本發明一實施例之光感測元件陣列基板的俯視示意圖。

圖1B是圖1A中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。

圖2A至圖2F是圖1B中光感測元件陣列基板的製造方法的流程示意圖。

100．．．光感測元件陣列基板

110．．．基板

112．．．平面

120．．．掃描線

130．．．讀取線

140．．．開關元件

142d．．．汲極

142g．．．閘極

142s．．．源極

150．．．透明光感測元件

152d．．．第一透明電極

152g．．．第三透明電極

152s．．．第二透明電極

156、162．．．接觸窗

160．．．共用線

180．．．資料線

190．．．畫素單元

C1．．．電容電極

R1．．．光穿透區

Claims (16)

1. 一種光感測元件陣列基板，包括：一基板，具有一平面；多條掃描線，配置在該平面上；多條讀取線，配置在該平面上，該些掃描線與該些讀取線彼此交錯，以在該平面上形成多個光穿透區；多個開關元件，配置在該平面上，並且電性連接該些掃描線與該些讀取線；以及多個透明光感測元件，配置在該平面上，並且位在該些光穿透區內，該些透明光感測元件分別電性連接該些開關元件，其中各該透明光感測元件包括：一第一透明電極，電性連接其中一開關元件；一第二透明電極；以及一透明半導體層，連接於該第一透明電極與該第二透明電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，其中構成該些透明半導體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。
3. 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，更包括多條共用線，該些共用線配置在該平面上，而各該共用線電性連接多個該透明光感測元件。
4. 如申請專利範圍第3項所述之光感測元件陣列基板，其中該些共用線連接該些第二透明電極，並且與該些 第一透明電極部分重疊。
5. 如申請專利範圍第3項所述之光感測元件陣列基板，更包括一絕緣層，而至少一透明光感測元件更包括一第三透明電極，該透明半導體層位在該第三透明電極與該第一透明電極之間，以及位在該第三透明電極與該第二透明電極之間，該第三透明電極與該透明半導體層重疊，並且電性連接該第二透明電極，而該絕緣層配置在該第三透明電極與該些透明半導體層之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之光感測元件陣列基板，其中構成該些第一透明電極、該些第二透明電極以及該些第三透明電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
7. 如申請專利範圍第5項所述之光感測元件陣列基板，更包括一閘極絕緣層，該閘極絕緣層配置在該絕緣層上，並且覆蓋該些掃描線與該些透明光感測元件。
8. 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，其中該些開關元件為多個電晶體。
9. 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，更包括：多條資料線，配置在該平面上，各該資料線與其中一讀取線並列；以及多個畫素單元，配置在該平面上，並且位在該些光穿透區內，其中該些畫素單元電性連接該些資料線 與該些掃描線。
10. 一種光感測元件陣列基板的製造方法，包括：在一基板的一平面上形成多個透明光感測元件，其中形成該些透明光感測元件的方法包括：在該平面上形成多個第一透明電極與多個第二透明電極；在該平面上形成多個透明半導體層，其中該些透明半導體層覆蓋該些第一透明電極與該些第二透明電極；以及在該些透明半導體層上形成一絕緣層，其中該絕緣層覆蓋該些第一透明電極、該些第二透明電極以及該些透明半導體層；在該平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中該些掃描線與該些讀取線彼此交錯，以在該平面上形成多個光穿透區，而該些透明光感測元件位在該些光穿透區內；以及在該平面上形成多個開關元件，其中該些開關元件電性連接該些掃描線、該些讀取線以及該些透明光感測元件。
11. 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，更包括對該些透明半導體層進行退火。
12. 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，其中構成該些透明半導體層的材料為 多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。
13. 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，其中形成該些透明光感測元件的方法更包括：在該絕緣層上形成多個第三透明電極，其中該些第三透明電極與該些透明半導體層重疊。
14. 如申請專利範圍第13項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，其中構成該些第一透明電極、該些第二透明電極以及該些第三透明電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
15. 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，在形成該些透明光感測元件之後，更包括形成一閘極絕緣層於該絕緣層上，其中該閘極絕緣層覆蓋該些掃描線與該些透明光感測元件。
16. 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板的製造方法，更包括：在該平面上形成多條資料線與多個畫素單元，其中該些畫素單元位在該些光穿透區內，並且電性連接該些資料線與該些掃描線。